INFORME DE LABORATORIO

Curso: Circuitos Electrónicos 1 Sección: Lab. No: 4

Tema: Diseño amplificador BJT -FET Fecha:

Integrantes:

I. OBJETIVOS:
✔ Diseñar calcular y comprobar el funcionamiento de las siguientes configuraciones
utilizando el transistor BJT.
a. Amplificador en Emisor Común.
b. Amplificador en Colector Común.
c. Amplificador en Base Común.

✔ Diseñar calcular y comprobar el funcionamiento de las siguientes configuraciones

utilizando el transistor JFET para una frecuencia de corte de 1Khz.
a. Amplificador en Fuente Común.
b. Amplificador en Drenaje Común.
c. Amplificador en Gate Común.

II. MARCO TEÓRICO:

⮚ BJT:

Figura 1 Resumen de configuraciones de los transistores

Los transistores bipolares son amplificadores de corriente ideales. Cuando se aplica

una pequeña señal al terminal de entrada, en los terminales de salida aparece una
DISEÑO DE UN TRANSISTOR BJT Y JFET LABORATORIO CIRCUITOS ELECTRÓNICOS I

reproducción ampliada de esta corriente. Aunque la señal de entrada puede acoplarse

al dispositivo de varias formas, solamente las tres configuraciones básicas (base
común, emisor común y colector común) resultan útiles en la práctica.

● Montaje en Base Común:

En la figura 2 se muestra un amplificador base común práctico. La señal se inyecta

al emisor a través de Ci y se extrae amplificada por el colector vía Co. La base,
conectada dinámicamente a tierra a través de Cb, actúa como elemento común a
los circuitos de entrada y de salida. Las señales de entrada y de salida siempre
están en fase.

Figura 2 Amplificador en base común

Los condensadores Ci y Co actúan como condensadores de paso o de

acoplamiento. Su objetivo es eliminar el nivel de corriente continua presente a la
entrada o a la salida y transferir sólo las señales de audio propiamente dichas. El
condensador Cb actúa como condensador de deriva (bypass). Su objetivo es
mantener estable el voltaje de polarización de la base, enviando a tierra cualquier
variación. Las resistencias RB1, RB2, RC y RE polarizan correctamente las uniones
del transistor y fijan el punto de trabajo del amplificador.

El circuito presenta una baja impedancia de entrada (entre 0.5 Ohm y 50 Ohm) y
una alta impedancia de salida (entre 1 kOhm. y 1 MOhm). Las ganancias de voltaje
y de potencia pueden ser altas, del orden de 150 o más, dependiendo de la Beta
del transistor. La ganancia de corriente es inferior a 1 (entre 0.95 y 0.995).

● Montaje en Emisor Común:

DISEÑO DE UN TRANSISTOR BJT Y JFET LABORATORIO CIRCUITOS ELECTRÓNICOS I

En la figura 3 se muestra un amplificador emisor común práctico. La señal se

inyecta a la base a través de Ci y se recibe amplificada del colector vía Co. El
emisor, conectado dinámicamente a tierra a través de ce, actúa como elemento
común a los circuitos de entrada y de salida. Observe que, en este modo de
conexión, las señales de entrada y de salida siempre están en oposición de fase.

Figura 3 Amplificador en emisor común

Nuevamente, Ci y Co actúan como condensadores de acoplamiento y ce como

condensador de deriva. Las resistencias RB1, RB2, RC y RE polarizan
adecuadamente el transistor y fijan su punto de trabajo. Note que este circuito,
como el anterior, utiliza la estrategia de polarización universal o por divisor de
voltaje.

La impedancia de entrada de este montaje es del orden de 20 W a 5 kW. y la

impedancia de salida del orden de 50 W a 50 kOhms. El circuito proporciona
simultáneamente ganancia de corriente y de voltaje. La ganancia de potencia
puede llegar a ser relativamente alta, del orden de 10.000. Típicamente, la
ganancia de corriente es el orden de 50. Esta es la configuración más utilizada en
la práctica.
DISEÑO DE UN TRANSISTOR BJT Y JFET LABORATORIO CIRCUITOS ELECTRÓNICOS I

● Montaje en Colector Común

En la figura 4 se muestra un amplificador colector común práctico. La señal se

introduce por la base a través de Ci y se extrae por el emisor vía Co. El colector,
conectado dinámicamente a tierra a través de Ce, actúa como elemento común a
los circuitos de entrada y de salida. Las señales de entrada y de salida siempre
están en fase. El montaje se denomina también seguidor de emisor.

El amplificador colector común se caracteriza por tener una alta impedancia de

entrada y una baja impedancia de salida. La ganancia de voltaje es siempre menor
que 1 y la de potencia es normalmente inferior a la que se obtiene con las
configuraciones base común o emisor común. Este montaje se utiliza
principalmente como adaptador de impedancias.

Figura 4 Amplificador en colector común

⮚ JFET:

El JFET o FET de Juntura, es uno de los FET más comunes. Permite controlar el flujo de
corriente a través de un canal semiconductor, variando la impedancia del canal al
aplicar un campo eléctrico perpendicular a la trayectoria de la corriente.

Existen 2 tipos de transistores JFET. Uno de ellos está compuesto por una parte de
semiconductor tipo n que constituye el canal, al que se le adicionan 2 regiones con
impurezas tipo p unidas entre sí, llamado JFET canal n. El otro es el JFET canal p, donde
DISEÑO DE UN TRANSISTOR BJT Y JFET LABORATORIO CIRCUITOS ELECTRÓNICOS I

el canal es de material tipo p y las regiones con impurezas son de tipo n. Sus símbolos
respectivos se muestran en Figura 5.

Figura 5 Símbolos transistores JFET: a) canal p, b) canal n.

Los terminales del JFET se denominan Gate (G), Drain (D) y Source (S). El transistor JFET
opera como un amplificador de corriente controlado por el voltaje aplicado entre gate
y source (vGS). Utilizando la ecuación de Shockley, la corriente que circula a través del
canal del transistor (iD) se define en función de la corriente de saturación drain-source
(IDSS) y el voltaje de estrangulamiento del canal o Voltaje de pinch-off (Vp) como:

( )
2
V GS
ID=I DSS 1− (1)
Vp

EL JFET presenta 3 regiones de operación (Figura 2): Región óhmica, Región de

Saturación o Activa y Región de Ruptura.

• Región Óhmica: En esta zona el transistor se comporta como una resistencia cuyo
valor óhmico está determinado por el voltaje vGS. A medida que disminuye este
voltaje, el ancho de la región óhmica aumenta. El FET opera en esta región cuando
se desea una resistencia variable y en aplicaciones de conmutación.

• Región de Ruptura: Cuando el voltaje entre drain y source (vDS) crece más allá del
estrangulamiento, se llega a un punto donde vDS se vuelve tan grande que ocurre
la ruptura de avalancha del transistor, que destruye el dispositivo por el incremento
abrupto de la corriente iD.
DISEÑO DE UN TRANSISTOR BJT Y JFET LABORATORIO CIRCUITOS ELECTRÓNICOS I

• Región de Saturación o Activa: La región entre el voltaje de estrangulamiento y la

ruptura de avalancha se denomina región activa. Esta región es útil para
aplicaciones de amplificación lineal de señales. En esta región iD se satura y su valor
depende de vGS, de acuerdo a (1).

Figura 6 Regiones de operación JFET

El factor de transconductancia gm, es la taza de cambio entra la corriente de drenador

y el voltaje gate-source:

∆ ID
gm= (2)
∆ Vgs
Procediendo a la derivación de la ecuación de Shockley obtenemos la ganancia en
función del voltaje gate-source:

2 I DSS
gm=
¿V p∨¿ 1−
[ V GS
Vp
¿
] (3)

El valor máximo de gm como podemos observar se lo conoce como gmo y es cuando

Vgs vale cero.

2 I DSS
gmo= (4)
¿ V p∨¿ ¿

gm=gmo 1−
[ V GS
Vp ] (5)
DISEÑO DE UN TRANSISTOR BJT Y JFET LABORATORIO CIRCUITOS ELECTRÓNICOS I

III. APLICATIVOS:
A. CONFIGURACIÓN DE EMISOR COMÚN CON BJT:
Datos proporcionales o datos impuestos para comenzar los cálculos de la primera
configuración.

TABLA I. Datos proporcionados

DATOS

PARAMETROS VALORES

Av -20

RL 1.8K

Vi 170mV

Fc 1 KHz

Zi 4K

VCC 15V

1. Para diseñar un amplificador es necesario calcular RC que debe cumplir con la

siguiente condición:
Z ¿∗Av
RC ∨¿ RL ≥
β+1
Este criterio es muy importante porque hace cumplir que la impedancia de salida
debe ser alta con respecto a la impedancia de entrada.
RC
2. V RC ≥ ∗Vop , con esta condición se asegura que el transistor no llegue a
RC∨¿ RL
la región de corte. Además, garantiza que no exista distorsión debido a la corriente
de colector.
3. ℜ ≪ RE 1, condición térmica.
4. V CE ≥ Vinp+Vop+ Vact ; condición para que no exista recortes.
DISEÑO DE UN TRANSISTOR BJT Y JFET LABORATORIO CIRCUITOS ELECTRÓNICOS I

5. Z ¿ ≥ R 1∨|R 2|∨( β+1)(ℜ+ R E 1 ); con esta condición nos aseguramos de que el

valor de la impedancia de entrada sea mayor al dato de diseño, también a partir de
esta condición calculamos R2.
6. V E ≥1 V +Vinp; esta condición asegura que el voltaje calculado se mayor al voltaje
de entrada.

Para β=100 tenemos lo siguiente:

⮚ Cálculo de RC:

⮚ Cálculo de V RC:

⮚ Cálculo de I C:

⮚ Cálculo de re:

⮚ Condición térmica:

Calculamos el valor de R E 1 :

Escogemos el valor de:

⮚ Cálculo de I B:

⮚ Cálculo de I 2:

⮚ Cálculo de V R 1:

⮚ Cálculo de R1:

⮚ Cálculo de R2:

⮚ Cálculo de V R 2:

⮚ Cálculo de V E:

⮚ Cálculo de V CC :
Escogemos un valor de:
DISEÑO DE UN TRANSISTOR BJT Y JFET LABORATORIO CIRCUITOS ELECTRÓNICOS I

V CC =25 V

⮚ Cálculo de R E 2:

⮚ Cálculo de capacitores:
a. Capacitor de base.
b. Capacitor de colector:

c. Capacitor de emisor:

Simulación en Proteus:

Figura 7 Diseño de configuración de emisor común con BJT

Gráfica en Proteus:

Figura 8 Ganancia de configuración de emisor común con BJT

Respuesta en frecuencia:

Figura 9 Respuesta en frecuencia de configuración de emisor común con BJT

DISEÑO DE UN TRANSISTOR BJT Y JFET LABORATORIO CIRCUITOS ELECTRÓNICOS I

B. CONFIGURACIÓN DE FUENTE COMÚN CON CONDENSADOR AL EMISOR:

En el siguiente apartado se desea diseñar un amplificador con las siguientes

condiciones que se muestran en el cuadro.

TABLA V. Datos proporcionados

DATOS

PARAMETROS VALORES

Av 15

IDSS 12,3 mA

Vp -4,80

Fc 1 KHz

V CC 20

ID 9 mA

⮚ Cálculo de las resistencias:

VGS=−V p ( 1− √ ❑ )

VTH =VGS +(RD )( ID)

Av=−(gm )( RD)
−Vcc+ ( ID ) ( RD )−VTH −( ID ) ( RS )=0

(VDD)(R 2)
VTH =
R 2+ R 1
⮚ Equivalente híbrido:
DISEÑO DE UN TRANSISTOR BJT Y JFET LABORATORIO CIRCUITOS ELECTRÓNICOS I

Z o=R L

1
Zo´ =
hoe

⮚ Cálculo de capacitores:
A. Capacitor de salida:
1
C o=
2 π f c ( R D + R L)

B. Capacitor de ingreso:
C. Capacitor de fuente:
Simulación en Proteus:

Figura 10 Diseño de configuración de emisor común con BJT

Gráfica en Proteus:

Figura 11 Ganancia de configuración de emisor común con BJT

DISEÑO DE UN TRANSISTOR BJT Y JFET LABORATORIO CIRCUITOS ELECTRÓNICOS I

Respuesta en frecuencia:

Figura 12 Respuesta en frecuencia de configuración de emisor común con BJT

IV. PREGUNTAS:
1. ¿con respecto al diseño del amplificador BJT en emisor común, cual es el valor
máximo de la señal para la cual la onda de salida empieza a recortarse?

2. Para la configuración de amplificador de compuerta común en un JFET, ¿qué se

puede decir de la gráfica con respecto a la señal de salida y entrada?

3. Con respecto al emisor seguidor de un BJT . ¿Qué sucedería si colocamos una

resistencia de colector de 100Ω?
Entraría a la zona de corte ya que necesitamos que esa resistencia sea mayor a 519 Ω

4. ¿Qué diferencias hay entre los circuitos realizados de amplificadores con JFET y el
del BJT?
VI. BIBLIOGRAFÍA:

-Transistores de unión bipolar BJT; Conoce su funcionamiento (uelectronics.com)

-Transistores JFET: ¿cómo funcionan? - YouTube

-https://ocw.ehu.eus/file.php/110/electro_gen/teoria/tema-5-teoria.pdf

-Ejercicios de polarización de JFET método matemático (electrónica analógica) - YouTube