DIODOSDE
POTENCIA
DIODOS DE POTENCIA
A Introducción.
Uno de los dispositivos más importantes de los circuitos de potencia son los diodos, aunque tienen, entre otras, las
siguientes limitaciones:
- Son dispositivos unidireccionales, no pudiendo circular la corriente en sentido contrario al de conducción.
- El único procedimiento de control es invertir el voltaje entre ánodo y cátodo.
Los diodos de potencia se caracterizan porque en estado de conducción, deben ser capaces de soportar una alta
intensidad con una pequeña caída de tensión. En senti- do inverso, deben ser capaces de soportar una fuerte tensión
negativa de ánodo con una pequeña intensidad de fugas, tal y como se muestra en su curva característica.
DIODOS DE POTENCIA
A continuación vamos a ir viendo las características más importantes del diodo, las cuales podemos agrupar de la
siguiente forma:
Características estáticas:
- Parámetros en bloqueo (polarización inversa).
- Parámetros en conducción.
- Modelo estático.
Características dinámicas:
- Parámetros de encendido.
- Parámetros de apagado
- nfluencia del trr en la conmutación.
DIODOS DE POTENCIA
B Características del diodo de potencia.
Características estáticas.
Parámetros en bloqueo.
- Tensión inversa de trabajo (VRWM): Máxima tensión inversa que puede soportar de forma continuada sin peligro de
avalancha.
- Tensión inversa de pico repetitivo (VRRM): Máxima tensión inversa que puede soportar por tiempo indefinido si la
duración del pico es inferior a 1ms y su frecuencia de repetición inferior a 100 Hz.
- Tensión inversa de pico único (VRSM): Máxima tensión inversa que puede soportar por una sola vez cada 10 ó más
minutos si la duración del pico es inferior a 10 ms.
- Tensión de ruptura (VBD): Valor de la tensión capaz de provocar la avalancha aunque solo se aplique una vez por un
tiempo superior a 10 ms.
DIODOS DE POTENCIA
Parámetros en conducción.
- Intensidad media nominal (IFW(AV)): es el valor medio de la máxima intensidad de impulsos sinusoidales que el
diodo puede soportar en forma continuada .
- Intensidad de pico repetitivo (IFRM): es aquella que puede ser soportada cada 20 ms, con una duración de pico a 1
ms, a una determinada temperatura de la cápsula (normalmente 25º).
- Intensidad directa de pico no repetitiva (IFSM): es el máximo pico de intensidad aplicable, una vez cada 10 minutos,
con una duración de 10 ms.
DIODOS DE POTENCIA
Modelos estáticos del diodo.
Los distintos modelos del diodo en su región directa (modelos estáticos) se representan en la siguiente figura. Estos
modelos facilitan los cálculos a realizar, para lo cual debemos escoger el modelo adecuado según el nivel de precisión que
necesitemos.
Estos modelos se suelen emplear para cálculos a mano, reservando modelos más complejos para programas de
simulación como PSPICE. Dichos modelos suelen ser proporcionados por el fabricante, e incluso pueden venir ya en las
librerías del programa.
DIODOS DE POTENCIA
Características dinámicas
Estas características están referidas al proceso de conmutación del diodo, tanto en el proceso de encendido como de
apagado.
DIODOS DE POTENCIA
Parámetros de encendido.
- Tensión directa, VON. Caída de tensión del diodo en régimen permanente para la corriente nominal.
- Tensión de recuperación directa, VF. Tensión máxima durante el encendido.
- Tiempo de recuperación directa, tON. Tiempo para alcanzar el 110% de VON.
- Tiempo de subida, tr. Tiempo en el que la corriente pasa del 10% al 90% de su valor directo nominal.
Suele estar controlado por el circuito externo.
Parámetros de apagado.
El paso del estado de conducción al de bloqueo (y viceversa) en el diodo no se efectúa instantáneamente. Si un diodo se
encuentra conduciendo una intensidad IF, la zona central de la unión P-N está saturada de portadores mayoritarios con
una mayor densidad de éstos, cuanto mayor sea IF. Si mediante la aplicación de una tensión inversa VR forzamos la
anulación de la corriente con cierta velocidad diD/dt, resultará que después del paso por cero de la corriente existe cierta
cantidad de portadores que cambian su sentido de movimiento y permiten que el diodo conduzca en sentido contrario
durante un instante. La tensión inversa entre ánodo y cátodo no se establece hasta después del tiempo ta llamado tiempo
de almacenamiento,
DIODOS DE POTENCIA
La intensidad todavía tarda un tiempo tb (llamado tiempo de caída) en pasar de un valor de pico negativo (Irr) a un valor
despreciable mientras va desapareciendo el exceso de portadores.
Teniendo estas características en cuenta se definen los siguientes parámetros:
- ta (tiempo de almacenamiento): es el tiempo que transcurre desde el paso por cero de la intensidad hasta llegar al
pico negativo.
- tb (tiempo de caída): es el tiempo transcurrido desde el pico negativo de intensidad hasta que ésta se anula, y es
debido a la descarga de la capacidad de la unión polarizada en inverso. En la práctica se suele medir desde el valor de
pico negativo de la intensidad hasta el 25 % de éste.
- Qrr: se define como la carga eléctrica desplazada, y representa el área negativa de la característica de recuperación
inversa del diodo.
- Irr: es el pico negativo de la intensidad y también se puede encontrar representadocomo Irrm.
DIODOS DE POTENCIA
C Tipos de diodos de potencia.
Diodo rectificador normal.
Presenta altos tiempos de recuperación inversos y es normalmente utilizado en aplicaciones de baja frecuencia.
Diodos Schottky.
Se utilizan cuando se necesita una caída de tensión directa muy pequeña (0.3 V típicos) para circuitos con tensiones de
salida pequeñas. Tienen limitada su capacidad de bloquear tensión a 50 - 100 V.
DIODOS DE POTENCIA
Diodos de recuperación rápida.
Son adecuados en circuitos de frecuencia elevada en combinación de conmutadores controlables, donde se necesitan
tiempos de recuperación pequeños. Para unos niveles de potencia de varios cientos de voltios y varios cientos de
amperios, estos diodos poseen un trr de pocos microsegundos. Un diodo con esta variación de corriente tan rápida
necesitará circuitos de protección, sobre todo cuando en el circuito exterior encontramos elementos inductivos.
DIODOS DE POTENCIA
D Estudio de hojas de características.
En la práctica vamos a trabajar con una serie de hojas de características que nos serán proporcionadas por los distintos
fabricantes, en las cuales se nos detallan las principales características del semiconductor de potencia en cuestión.
Toda hoja de características suele estructurarse de la siguiente forma:
- Descripción externa, características más interesantes del elemento, forma general y sin incorporar medidas o
parámetros específicos.
- Valores límites: se corresponden con las características del elemento. agrupará las características por grupos
(térmicas, dinámicas, estáticas, etc...).
- A continuación se presentarán las curvas características más apropiadas al tipo de diodo que tratemos.
Adicionalmente el fabricante puede proporcionar los circuitos empleados para efectuar las medidas de una o todas las
características, además de la explicación de algún parámetro importante.
- Finalmente se añaden las características mecánicas del elemento, que proporcionan las medidas del mismo para su
correcta situación y montaje.
