PRÁCTICA 3: AMPLIFICADOR EN FUENTE COMÚN
Jefferson Alfonso Estevez, jefferson2184216@correo.uis.edu.co
Omar Edgardo Rojas Ríos, omar.rojas4@correo.uis.edu.co
Erika Dayana Porras Torres, erika2181555@correo.uis.edu.co
Abstract 3. MARCO TEÓRICO
This document shows the assembly of a circuit with a Mosfet
in common gate mode to which a polarization analysis is 1. Características del transistor NMOS del integrado
performed by applying a DC voltage input and an AC CD4700. [1]
voltage input in a small signal. On the other hand, with the
signal generator, which allows the frequency of the input Información de cualificaciones máximas
signal to be varied, the behavior of the gain is analyzed when • Rango de voltaje de suministro de cc, (vdd)0,5v a
the frequency is varied. +20v (tensión referencia a terminales vss).
Resumen • Rango de voltaje de entrada, todas las entradas -0,5
En este documento se evidencia el montaje de un circuito con a VDD +0.5 v.
un Mosfet en modo puerta común al cual se le realiza un • Corriente de entrada de cc, cualquier entrada +-
análisis de polarización al aplicarle una entrada de tensión en 10mA.
DC y en pequeña señal una entrada de tensión en AC. Por
• Rango de temperatura de funcionamiento -55 a 25
otro lado, con el generador de señales, el cual permite variar
la frecuencia de la señal de entrada, se analiza el • Rango de temperatura de almacenamiento (TSTG)-
comportamiento de la ganancia al variar la frecuencia. 65ª 150.
• Temperatura del plomo (durante la soldadura) +265
1. INTRODUCCIÓN
En este trabajo se analizan tres configuraciones de la puerta parámetro simbo condicio tem Mi
común. max
La primara configuración se energiza con una tensión DC la N. VNTH 𝑣𝑑𝑑 +25ºc -2,8
cual permite polarizar el Mosfet para que se encuentre en threshold = 10 -0,7
saturación (estado en que este amplifica), en esta 𝑙𝑠𝑠
configuración se toma la tensión de puerta y surtido junto = −10𝑢𝐴
con la corriente del Mosfet.
p. VPTH 𝑣𝑠𝑠 = 𝑜𝑣 +25ºc 0,7
En la segunda configuracion, se agrega un capacitor en threshold 2,8
𝑙𝑑𝑑
paralelo con la resistencia Rs y se le aplica una tensión DC
de 0,4Vpp, seguidamente se prosigue a analizar las tenciones = 10𝑢𝐴
de ganancia y entrada AC en el osciloscopio, posteriormente
se comparan estos valores con los teóricos y de simulación. 2.Cuál es el modelo equivalente a pequeña señal de transistor
Para finalizar, se analiza la respuesta en frecuencia; se agrega NMOS?
al circuito un capacitor y resistencia en serie, en paralelo a la Un transistor en general tienen interés cuando se utiliza en
tensión de ganancia, ya con esto se prosigue a variar la aplicaciones dinámicas es decir cuando sus variables
frecuencia del generador, así se analiza la tensión de cambian con el tiempo resulta primordial conocer además de
ganancia en la nueva resistencia, con la cual se buscan las la relación entre las variables la relación entre las variaciones
frecuencias de corte del circuito. de estas mismas variables .cuando se emplea el transistor
MOSFET como amplificador interesa elegir la zona de
saturación no la región de triodo en primer lugar porque en
2. OBJETIVOS la zona de saturación la corriente entrenador depende de una
sola variable, la atención de control vgs mientras que en la
• Construir un amplificador fuente común usando los región de triodo depende además de la tensión Vds.
transistores MOS comerciales CD4007. El transistor NMOS se modela en pequeña señal con una
fuente de corriente controlada por voltaje sin efecto early ni
• Reforzar conceptos de polarización en DC, ganancia y
efecto body.
análisis de pequeña señal entre otros.
Desde el punto de vista de la señal se comporta como una
fuente de corriente controlada por tensión. Acepta una señal
Vgs entre la compuerta y fuente y proporciona una corriente c. A continuación, deberá utilizar el transistor como
gm vgs en el terminal de drenaje, la resistencia de entrada de amplificador y medir su amplificación y su respuesta en
esta fuente controlada es muy alta. frecuencia. También se estudiará el efecto de las
resistencias de fuente y carga en la amplificación.
Figura 3. Amplificador fuente común. (Rsig es la resistencia interna de la
fuente, está alrededor de los 50Ω).
Figura 1. Pequeña señal NMOS.
d. Modificar el circuito de la figura 1 mediante la adición
de los capacitores CC1 y CS como se muestra en la
4. METODOLOGÍA EXPERIMENTAL Figura 2. Conectar una señal de entrada sinusoidal de
amplitud de 0,2 V (0.4Vpp) y frecuencia de 5 KHz.
LISTA DE MATERIALES REQUERIDOS e. Mida la oscilación de la tensión en el dreno usando el
● 1 integrado CD4007 osciloscopio. Muestre en un canal y la tensión de
entrada en el otro canal. Mida los valores pico a pico de
● Datasheet del CD4007
la señal de entrada y de salida. ¿Cuál es la amplificación
● Resistencias de 10k, 50k Ohmios. de circuito abierto (¿Nótese la relación de fase? Tome
● Condensadores monolíticos: 33nF, 0.1uF y 1uF de 30V. fotos de los resultados para su informe.
● Potenciómetro de 100k Ohmios. f. Usando los datos del fabricante realice los cálculos
matemáticos y compárelos con los resultados obtenidos
● Protoboard y cables de conexión de varios tamaños. en la práctica. Por cuestión del fabricante, pueden
● Equipo de cómputo con un simulador de circuitos existir pequeñas variaciones de los parámetros escritos
electrónicos. en la hoja de especificaciones, verifique si los valores
medidos difieren entre un 10% o 20% con respecto a
los valores teóricos. g. Utilizando un software de
ACTIVIDADES EN EL LABORATORIO 1. simulación, visualice la señal de VD y compárela con
Montaje del amplificador fuente común en protoboard. Para lo obtenido de manera teórica y de manera práctica.
el montaje en protoboard asegúrese de entender las g. Utilizando un software de simulación, visualice la señal
conexiones internas del integrado y la manera correcta de VD y compárela con lo obtenido de manera teórica y de
realizar el montaje de un circuito. manera práctica.
a. Construya el circuito de la Figura 1. Use el transistor h. Aumente la amplitud de la señal de entrada y observe la
que está entre los pines 3, 4 y 5. Observe que hemos señal de salida. ¿Cuándo inicia la señal de salida a
conectado el cuerpo (pin 7) al terminal de fuente (pin 5) distorsionarse? ¿Cuál es la variación máxima de tensión
del transistor NMOS. Esto se puede hacer ya que sólo antes de que ocurra una distorsión considerable?
estamos usando un solo transistor NMOS del integrado.
La razón de cortocircuitar dreno con cuerpo es para i. Remueva el capacitor de acoplamiento. Mida la señal
eliminar el efecto cuerpo de la tensión de umbral. Para de salida. ¿Cuál es la amplificación? Observe el fuerte
la resistencia de polarización", utilice un potenciómetro efecto de eliminar el condensador en la amplificación.
de 100 KΩ. Documente.
b. . Mida la tensión de DC en el drenador. Es importante j. Coloque el capacitor de acoplamiento. Añada el
que esta tensión este entre los 9V o 10V. Ajuste el capacitor de acoplamiento " y la resistencia de carga
potenciómetro de modo que este alrededor de 9 voltios. como se muestra en la Figura 3. Utilice un valor de 0,1
Después de ajustar la tensión de la puerta, medir las uF y para un valor de 10 KΩ. Mida el voltaje de salida
tensiones en los terminales de puerta y fuente. ¿Cuál es Vo y la correspondiente amplificación. Observe que la
la correspondiente corriente id? tensión de DC se ha eliminado de la tensión de salida.
¿Qué pasó con la amplificación? Para su informe,
incluya una breve discusión sobre el efecto de RL.
Figura 2. Polarización configuración fuente común.
Figura 4. Amplificador fuente común (polarizado a través de un divisor de Figura 6. Tensión en fuente DC.
voltaje y una resistencia en la fuente).
k. Mida la respuesta en frecuencia del amplificador con la
resistencia de carga conectada. Varié la frecuencia de la
señal de entrada. A partir de 5 kHz reduzca la
frecuencia hasta que la amplitud de la salida haya
Figura 7. Tensión en puerta DC.
disminuido por un factor de 0.707 (o 3 dB). Registre
esta frecuencia de 3 dB. ¿Cuál es la relación de fase
entre la entrada y la señal de salida? A continuación,
aumente el valor de la frecuencia de entrada a partir de
5kHz hasta que la amplificación se reduzca a 0.707 de
su valor. Tome este punto. ¿Cuál es el ancho de banda
del amplificador? ¿Cuál es el producto ganancia-ancho Figura 8. Corriente Id.
de banda? Para su informe, ¿se puede explicar el valor
medido del punto 3 dB de baja frecuencia? ¿Cuál es la
frecuencia de corte? En las Figuras 6,7,8, veremos los valores de polarización del
transistor.
5. ANÁLISIS DE RESULTADOS
c. A continuación, deberá utilizar el transistor como
amplificador y medir su amplificación y su respuesta en
ACTIVIDADES EN EL LABORATORIO 1. frecuencia.
Montaje del amplificador fuente común en protoboard. Para
el montaje en protoboard asegúrese de entender las
conexiones internas del integrado y la manera correcta de
realizar el montaje de un circuito.
a. Construya el circuito de la Figura 1. Use el transistor que
está entre los pines 3, 4 y 5. Observe que hemos
conectado el cuerpo (pin 7) al terminal de fuente (pin 5)
del transistor NMOS. Esto se puede hacer ya que sólo
estamos usando un solo transistor NMOS del integrado.
La razón de cortocircuitar dreno con cuerpo es para
eliminar el efecto cuerpo de la tensión de umbral. Para
la resistencia de polarización ", utilice un potenciómetro
de 100 KΩ. Figura 9. tensión entra y salida.
La ganancia será Vo/Vi = 0,07
d. Modificar el circuito de la figura 1 mediante la adición
de los capacitores CC1 y CS como se muestra en la
Figura 3. Conectar una señal de entrada sinusoidal de
Figura 5. circuito 1. amplitud de 0,2V (0.4Vpp) y frecuencia de 5 KHz.
b. Mida la tensión de DC en el drenador. Es importante que
esta tensión este entre los 9V o 10V. Ajuste el
potenciómetro de modo que este alrededor de 9 voltios.
Después de ajustar la tensión de la puerta, medir las
tensiones en los terminales de puerta y fuente. ¿Cuál es
la correspondiente corriente id?
Figura 10. Tensión Vsignal.
Aquí solo mostramos la señal de entrada Vsignal a 5[KHz]
e. Mida la oscilación de la tensión en el dreno usando el
osciloscopio. Muestre en un canal y la tensión de entrada
en el otro canal. Mida los valores pico a pico de la señal
de entrada y de salida. ¿Cuál es la amplificación de
circuito abierto (¿Nótese la relación de fase? Tome fotos
de los resultados para su informe.
Figura 12. Circuito echo en LTspice.
Figura 11. Tensión de entrada (azul) y salida.
Se observa en la Figura 11 que la señal de salida esta
atrasada 40k*pi Rad/s, a lo cual encontramos una
ganancia de 0,0723 esto se halla al dividir la tensión de
salida sobre la de entrada.
f. Usando los datos del fabricante realice los cálculos
matemáticos y compárelos con los resultados obtenidos Figura 12a. grafica tensión entrada y salida simulada.
en la práctica. Por cuestión del fabricante, pueden existir
pequeñas variaciones de los parámetros escritos en la
hoja de especificaciones, verifique si los valores En la simulación presentada, se observa una similitud en los
medidos difieren entre un 10% o 20% con respecto a los valores con los obtenidos en la práctica.
valores teóricos.
h. Aumente la amplitud de la señal de entrada y observe la
PROCEDIMIENTO MATEMATICO señal de salida. ¿Cuándo inicia la señal de salida a
distorsionarse? ¿Cuál es la variación máxima de tensión
antes de que ocurra una distorsión considerable?
teórico simulación
VD(V) 8,2v 8,182v
Figura 13. Tensión antes de la distorsión.
VS(V) 2,9v 2,621v
VG(V) 2,8v 2,635v
ID (mA) 2,4mA 2,5mA
Tabla 1 datos teóricos y simulación
g. Utilizando un software de simulación, visualice la señal
de VD y compárela con lo obtenido de manera teórica y
de manera práctica.
Figura 14. Tensión máxima de distorsión.
La tensión antes de iniciar a distorsionarse la señal de
salida es para 1,16V y el punto máximo viene siento es
una tensión de 1,38V.
i. Remueva el capacitor de acoplamiento. Mida la señal de
salida. ¿Cuál es la amplificación? Observe el fuerte
efecto de eliminar el condensador en la amplificación.
Documente.
Figura 17. Tensiones salida y entrada al modificar la frecuencia (mínima).
Figura 15. Señales sin el capacitor.
La tensión de salida se perturba un poco.
j. Coloque el capacitor de acoplamiento. Añada el Figura 17a. Tensiones salida y entrada al modificar la frecuencia
capacitor de acoplamiento " y la resistencia de carga (máxima).
como se muestra en la Figura 3. Utilice un valor de 0,1 En este apartado se observa el echo de que el
uF y para un valor de 10 KΩ. Mida el voltaje de salida circuito tendrá unas frecuencias de corte, en lo cual
Vo y la correspondiente amplificación. Observe que la entre estas habrá amplificación.
tensión de DC se ha eliminado de la tensión de salida.
¿Qué pasó con la amplificación? Para su informe,
incluya una breve discusión sobre el efecto de RL. 6. CONCLUSIONES
• Mediante el uso de LTSpice, es posible observar
que los valores obtenidos en la práctica y
matemáticos son similares, con lo cual se concluye
que el uso de herramientas de simulación es
apropiado para llegar a conclusiones de diseño de
circuitos con Mosfet.
• Se consigue una polarización adecuada para un
transistor MOSFET, para esto es necesario realizar
inicialmente un cálculo teórico en donde se utilizan
Figura 16. Tensión de salida con el capacitor de acoplamiento y las condiciones de operación y las características
resistencia. del transistor dadas, determinando así las
resistencias que lo acompañan mediante las
ecuaciones que describen el transistor,
Se Observará que esta nueva configuración, cambia posteriormente en la implementación se obtienen
completamente la señal de salida. resultados cercanos.
• Pasando a la fase de amplificación en pequeña
k. Mida la respuesta en frecuencia del amplificador con la señal, se estudian diferentes variaciones del circuito
resistencia de carga conectada. Varié la frecuencia de la base, encontrando que la ganancia de lazo abierto
señal de entrada. A partir de 5 kHz reduzca la frecuencia (𝐴𝑣𝑜) es ciertamente mayor que cuando se usa una
hasta que la amplitud de la salida haya disminuido por resistencia de carga (ganancia de lazo cerrado 𝐴𝑣).
un factor de 0.707 (o 3 dB). Registre esta frecuencia de Otro caso que se revisa es el de la ganancia al
3 dB. ¿Cuál es la relación de fase entre la entrada y la eliminar el capacitor de acople 𝐶𝑠, el cual tiene un
señal de salida? A continuación, aumente el valor de la efecto negativo al disminuirla aún más.
frecuencia de entrada a partir de 5kHz hasta que la
• Se observa que el circuito depende de la frecuencia,
amplificación se reduzca a 0.707 de su valor. Tome este
ya que cuando se varía esta, la tension de salida
punto. ¿Cuál es el ancho de banda del amplificador?
varía, esto se debe a que el MOSFET tiene una
¿Cuál es el producto ganancia-ancho de banda? Para su
respuesta a cada frecuencia y tiene dos frecuencia
informe, ¿se puede explicar el valor medido del punto 3
de corte: una alta y otra baja, lo cual crea un ancho
dB de baja frecuencia? ¿Cuál es la frecuencia de corte?
de banda.
• Se puede analizar que al subir la tensió de salida,
llega a un punto crítico en el cual, la tension de
salida se satura y se deforma la onda senoidal,
aplanando su pico.
7. REFERENCIAS
[1] ALLDATASHEET.COM. [Online]. Available:
https://www.alldatasheet.com/view.jsp?Searchword=Cd
4007&gclid=CjwKCAiAsYyRBhACEiwAkJFKolpR2Q
DlaNorBhRe_jbsgQNwEFz1xGf6d1-Z0Lge7m1a-
EGlJ434ghoCJawQAvD_BwE. [Accessed: Marzo. 03,
2022].
[2] E. Wong, “Transistor mosfet”, 2021. [Online]. Available:
https://www.industriasgsl.com/blog/post/transistor_mosf
et#:~:text=Mosfet%20(metal%2Doxide%2Dsemiconduc
tor,campo%20metal%2D%C3%B3xido%2Dsemiconduc
tor.[Accessed: Marzo. 03, 2022].
[3] P. López, “¿Qué es un MOSFET y para qué sirve?”,
2020. [Online]. Available:
https://www.geeknetic.es/MOSFET/que-es-y-para-que-
sirve. [ Accessed: Marzo. 03, 2022].
[4] V. García, “El Transistor MOSFET”, 2012. [Online].
Available:
https://www.diarioelectronicohoy.com/blog/el-
transistor-mosfet. [Accessed: Marzo. 03, 2022].
