TAREA: DISEO DE AMPLIFICADOR CS CMOS
Profesor:
Ing. Jos Ramos Lpez
Instructor: Br. Hctor Alcides Franco Paredes
Br. Ricardo Pacheco
Cortez Valladares Nelson Edgardo
CV10057
Guerra Cazun Martin Enrique
GC10001
Abril 23, 2013
RESUMEN:
Con la realizacin de la presente tarea se familiarizo con los amplificadores
de fuente comn. Se enfoc en el diseo de un propio amplificador de
fuente comn usando el IC 4007, el cual est conformado por varios
transistores CMOS que se configuran de tal forma para formar un espejo de
I REF =100 uA
V GS
corriente, la
, se utilizo los parmetros de
para trazar las
curvas
I D contra V GS
y con los datos proporcionados por dichas curvas se
puede calcular las caractersticas de transferencia entre los puntos de
operacin.
LISTA DE EQUIPOS Y MATERIALES:
Generador de seales Agilent 33210A 100 MHz.
Osciloscopio DS01012A.
Protoboard
Multmetro digital (x2)
IC 4007
INTRODUCCIN.
El circuito de fuente comn.
Se muestra el amplificador MOS de CI ms bsico. Est formado por un
RD
transistor MOS con fuente conectada a tierra y el resistor
del drenaje
reemplazado con una fuente de corriente constante I. Como se ver, la carga
fuente-corriente puede implementarse empleando un transistor PMOS, por lo
que se le denomina carga activa; por tanto, el amplificador CS de la figura
1a) est cargado activamente.
Antes de considerar la operacin a pequea seal del amplificador CS
cargado activamente, es apropiado comentar algo sobre el diseo de
Q1
I D =I
polarizacin de dc. Obviamente,
esta polarizado en
, pero
El anlisis a pequea seal del amplificador CS cargado con fuente de
corriente es sencillo y se ilustra en la figura 1b). Aqu junto con el modelo de
ro
circuito equivalente, se muestra el transistor con su
extrada y
desplegada por separado y con el anlisis realizado directamente sobre el
circuito. En la figura de pequea seal se ve que para este amplificador CS
Ecuaciones (1)
Ri=
A vo =gm r o
Ro=r o
Tome nota que
| A vo|
es la ganancia de voltaje mxima disponible a partir
de un amplificador de fuente comn, denominada ganancia intrnseca del
A 0=g m r o
MOSFET,
.
DESCRIPCION DEL CIRCUITO
Circuito CMOS amplificador de fuente comn.
En la figura 2a) se muestra la instrumentacin del circuito CMOS del
amplificador de fuente comn. Este circuito est basado en el que se
muestra en la figura 1a) con la fuente de corriente de carga I implantada
mediante el transistor
Q2
de corriente formado por
polarizacin
I REF
. Este ltimo es el transistor de salida del espejo
Q2
Q3
y alimentado con la corriente de
Se supondr que
Q2
Q3
son coincidentes; por tanto, la caracterstica i-
v del dispositivo de carga ser la mostrada en la figura 2b). Est es
i v
Q2
simplemente la curva caracterstica D SD del transistor de canal p,
,
para un voltaje constante de fuente a compuerta,
V SG
. El valor de
establece al pasar la corriente de polarizacin de referencia
de
Q3
. Obsrvese que, como se esperaba
Q2
I REF
V SG
se
a travs
se comporta como una
fuente de corriente cuando opera en saturacin, lo que a su vez se obtiene
v =v SD
(V SG |V tp|)
cuando
excede
, que es la magnitud del voltaje de
sobrecarga en el que
Q2
Q3
saturacin, experimenta una resistencia incremental finita
r o 2=
Donde
V A2
Q2
estn operando. Cuando
ro 2
est en
|V A 2|
I REF
es el voltaje de Early de
Q2
. En otras palabras, la carga
corriente-fuente no es ideal pero tiene un resistencia de salida finita igual al
r
transistor o .
Antes de proceder a determinar la ganancia de voltaje de pequea seal del
amplificador, es aleccionador examinar su caracterstica de transferencia,
vo
vI
frente a
. Esto puede determinarse usando la construccin grafica
mostrada en la figura 2c). Aqu se han dibujado las caractersticas
del transistor de amplificacin
Q1
i D v SD
y se ha superpuesto la curva de carga.
Esta es simplemente la curva i-v de la figura 2b) invertida y desplazada
V DD
v GS 1=v I
volts a lo largo del eje horizontal. Ahora, como
, cada una de
las caractersticas
i D v SD
corresponde a un valor particular de
vI
. La
interseccin de cada curva con la curva de carga da el valor correspondiente
de
v GS 1
, el cual es igual a
v o
caracterstica
vI
vo
. Por tanto, de esta manera se obtiene la
punto
por
punto.
La
caracterstica
de
transferencia resultante se dibuja en la figura 2d). Como se indic, tiene
cuatro segmentos distintos, rotulados I, II, III, IV, y cada uno se obtiene con
Q1
Q2
una de las cuatro combinaciones de los modos de operacin de
y
,
que tambin estn indicadas en el diagrama. Tome nota de que se han
rotulados los puntos de ruptura importantes en la caracterstica de
transferencia (A y B) en correspondencia con los puntos de interseccin (A y
B) de la figura 2c).
No resulta sorprendente, para la operacin del amplificador, que el segmento
III sea el de mas inters. Observe que la regin III la curva de transferencia
es casi lineal y muy inclinada, indicando una ganancia de voltaje grande. En
Q1
Q2
la regin III el transistor de amplificacin
y el de carga
operan en
saturacin. Los puntos extremos de la regin III son A y B: en A, definido por
v o =V DD V OV 2
Q2
,
entra en la regin del trodo, y en B, definido por
v o =V I V tn
Q1
, entra en la regin del trodo. Cuando el amplificador esta
polarizado en un punto en la regin III, la ganancia de voltaje a pequea
Q1
seal puede determinarse al reemplazar
con un modelo a pequea
seal y
Q2
Q2
con una resistencia de salida,
constituye la resistencia de carga de
ro 2
Q1
. La resistencia de salida de
. La ganancia de voltaje
puede encontrarse al sustituir los resultados de las ecuaciones (1) en:
Av
vo
RL
= A vo
vi
R L+ R o
Para obtener ecuacin (2)
A v =( g m 1 r o 1 )
ro 2
=g m 1( r o 1r o 2 )
r o 2+ r o 1
Av
Lo que indica que, como se esperaba,
ganancia intrnseca de
ser
gm 1 r o 1 /2
Q1
gm 1 r o 1
Av
ser de magnitud menor a la
. Para el caso en que
r o 2=r o 1
Av
por supuesto, el resultado de la ecuacin (2) se hubiera
obtenido directamente al multiplicar
nodo de salida y tierra,
r o 1r o 2
gm 1 v i
por la resistencia total entre el
El amplificador CMOS de fuente comn puede disearse para proporcionar
ganancias de voltaje de 15 a 100. Muestra una resistencia de entrada muy
elevada; sin embargo, su resistencia de salida tambin es alta.
Figura 2a)
Figura 2c)
Figura 2d)
CALCULO DE PARAMETROS
Tomaremos los parmetros conocidos del 4007
NMOS
VT (v)
1.4
L(m)
5
W(m)
124
KN( A/V2)
20
W(m)
480
KP( A/V2)
6
PMOS
VT (v)
-1.4
L(m)
5
CALCULOS REALIZADOS
Para Q3:
I REF=
V D3
R
V SG 3=10 vV D 3
1
W
V |V top|
I REF= K p (
2
L )( SG
1
A
100 = (6 2 )
2
V
480
V |1.4|
5 )( SG
V SG 3=1.98 V
V D 3=10 V 1.98 V =8.02V
Por tanto:
R=
V D3 8.02V
=
=80.2 K
I REF 100
V OV 3=V SG|V top|= ( 1.98|1.4|)=0.58 v
Para Q2:
Para que el transistor
V D 2 100.58=9.42 V
.
Con
V SG 3=V SG 2=1.98 V
permanesca
en
la
region
de
saturacion,
1
A
I D 2= (6 2 )
2
V
480
1.98 V |1.4 V |
5 )(
I D 2 100 A
A V =g m 1(r o 1/ r 02)
6 124
( 100 x 106 ) 315.96 A
gm 1= ( 20 x 10 )
5
V
Vin
1
1.1
1.2
1.3
1.4
1.5
1.6
1.7
1.8
1.9
2
2.1
2.2
2.3
2.4
2.5
2.6
2.7
2.8
2.9
3
3.1
3.2
3.3
3.4
3.5
3.6
3.7
3.8
3.9
4
Vout
10
10
9.9
9.9
9.9
9.98
9.96
9.9
9.85
9.72
9.29
0.5242
0.3768
0.30988
0.2662
0.23553
0.21157
0.19249
0.17656
0.1634
0.1522
0.12986
0.13349
0.12621
0.11951
0.1136
0.1082
0.10322
0.09867
0.09467
0.09091
( )
( )
|V A|
rO =
A V =315.96
ID
( VA )(r
r )
o 3 / 02
Datos obtenidos en el Laboratorio Para graficar vo/vi:
Simulacin en Octave para el comportamiento de cada uno
de los MOSFET:
DATOS TOMADOS EN EL LABORATORIO
Vgs=1.9V
Midiendo las corrientes en el laboratorio
Iref = 103uA Ic= 103uA , se cumple el espejo de corriente
CONCLUCIONES
Con el planteamiento de este circuito presentado en este trabajo
permite brindarles a los estudiantes de electrnica un medio para
entender los principios bsicos del diseo y la verificacin de circuitos
con CMOS.
Recalcamos el acercamiento al diseo de circuitos integrados que tiene
la capacidad de actuar como amplificadores, conversores y
osciladores, deja de ser mera mente terica y simulada para
convertirse ahora tambin en real, con la posibilidad de disearlo de
acuerdo a deseos o necesidades de cada profesional.
BIBLIOGRAFIA
http://www.alldatasheet.es/datasheet-pdf/pdf/26835/TI/CD4007.html
Sedra circuitos microelectrnicos, Quinta edicin McGraw-Hill.
