Transistores BJT

Juan Pablo Caicedo Giraldo, Raúl Alejandro Castaño Trujillo, Juan Camilo Rodríguez Mejía, Andrea Sierra
Restrepo
Ingeniería Electrónica, Universidad Tecnológica de Pereira
Pereira, Colombia
juanpablo.caicedo@utp.edu.co
r.castano1@utp.edu.co
j.rodriguez3@utp.edu.co
andrea.sierra@utp.edu.co

Resumen— Este documento contiene el desarrollo de la guía

de transistores BJT, se muestran los diferentes cálculos teóricos
llevados a cabo, su respectiva simulación en el software
Proteus, comparaciones y conclusiones.

Palabras claves— Cuadripolo, malla, ganancia, transistor.

I. INTRODUCCIÓN

Los transistores BJT o transistores de unión bipolar son

dispositivos semiconductores que son impulsados mediante
corriente eléctrica. Dicho dispositivo permite controlar el
paso de la corriente o disminuir el voltaje a través de sus
terminales.
En el mundo de la electrónica los transistores tienen
diversas aplicaciones, pero las más comunes y mencionadas
a lo largo del curso de electrónica análoga, han sido las de
interruptor electrónico y la de amplificador de señales. Fig. 1. Circuito 1.

Los transistores al igual que los diodos están formados Para hallar la ganancia se debe hallar la impedancia Zi y
por uniones de tipo P y N; este tipo de uniones dan vida a Zo. Para esto, primero se debe hacer el circuito en el modelo
dos tipos de transistores, el de tipo NPN y el PNP (se debe re.
tener en cuenta que las letras P y N indican las capas del
material semiconductor por el cual están construidos).
Ambos transistores cuentan con los mismos terminales, los
cuales son la base, el colector y el emisor; de estos
terminales se desprenden tres tipos de conexiones, las cuales
se configuran a partir de la polarización del circuito.

II. DESARROLLO DE CONTENIDOS

1. Para el circuito de la figura 1 calcule

analíticamente la ganancia AV. Calcule el voltaje V0 para
una entrada de 25mV y 1V. Simule la configuración con un Fig. 2. Circuito 1.
transistor que se acople al valor del parámetro β. Suponga
que β = 75, y valores de capacitancia de 1uF, analice los “re” se puede encontrar como muestra el análisis de la
resultados simulados que observa, concluya. figura n:
 Primero se procede a calcular α

β 75
α= β+1
= 75+1
= 0, 99 (4)

Ahora se calcula la ganancia:

𝑉𝑜 = α𝐼𝑒𝑅𝐶 (5)

Ie se puede calcular de la forma que sigue:

𝑉𝑖
𝐼𝑒 = 𝑟𝑒
(6)

Se reemplaza 6 en 5:
Fig. 3. Circuito 1.
𝑉𝑖
𝑉𝑜 = α 𝑟𝑒
* 𝑅𝐶 (7)
Para hallar el valor de corriente en la resistencia de 3,9k
Ω primero se debe calcular la diferencia de potencial entre
Ahora se despeja Vi y se obtiene la ecuación de la
sus terminales, para obtener el valor del nodo A realizamos
ganancia Av:
las siguientes operaciones:
𝑉𝑜 α𝑅𝐶
𝑉𝐵𝐸 = 0, 7𝑉 𝐴𝑣 = 𝑉𝑖
= 𝑟𝑒
= 150, 82
𝑉𝐵𝐸 = 𝑉𝐵 − 𝑉𝐸 (1)
0, 7𝑉 = 0𝑉 − 𝑉𝐸 Para hallar el voltaje Vo se utiliza la ecuación 8 y se
reemplaza Vi por el valor correspondiente.
𝑉𝐸 =− 0, 7𝑉
Vo cuando Vi vale 25 mV:
El valor del nodo B es de -5V dada la polaridad de la
fuente. Entonces el valor del voltaje en la resistencia es: 𝑉𝑜 = 𝐴𝑉 * 𝑉𝑖 = 150, 82 * 25 𝑚𝑉 (8)
𝑉𝑜 = 3, 77 𝑉
𝑉𝐴 − 𝑉𝐵 =− 0, 7 − (− 5𝑉) = 4, 3 𝑉
Vo cuando Vi vale 1 V:
Con el valor de voltaje se puede hallar entonces el valor
de corriente IE, de la forma que sigue: 𝑉𝑜 = 𝐴𝑉 * 𝑉𝑖 = 150, 82 * 1 𝑉
4,3𝑉 𝑉𝑜 = 150, 82 𝑉
𝐼𝐸 = 3,9𝑘Ω
= 1, 10𝑚𝐴
Para realizar las simulaciones, se hizo uso de un
Conociendo el valor de IE se procede a encontrar el valor transistor BJT de referencia 2N2222A, donde se consultó
de re: sus parámetros en el datasheet [5]. Según el datasheet el
valor de β oscila entre 35-100 y para este punto era preciso
26𝑚𝑉
𝑟𝑒 = 𝐼𝐸
(2) un transistor con valor de β = 75. Al realizar la simulación
se obtiene:
𝑟𝑒 = 23, 63Ω

Calcular paralelo entre las resistencias re y RE para hallar

Zi:

(𝑟𝑒*𝑅𝐸) 3
(23,63)*(3,9𝑥10 )
𝑍𝑖 = 𝑟𝑒+𝑅𝐸
= 3 = 23, 49Ω (3)
(23,63)+3,9𝑥10

𝑍𝑜 = 3, 6𝑘Ω

Calcular Av:
 Fig. 6. Señal circuito 1V.

2. Para el circuito de la figura 2 para un de β = 120 y

Fig. 4. Simulación circuito 1.
considera capacitancias de 1uF.
En la gráfica de la figura 5 se puede observar que el
valor obtenido de V0 mediante la simulación es casi igual al a) Determine la A VNL, Zi y Zo.
que se obtuvo teóricamente. Para lograr este resultado se b) Dibuje un modelo de cuadripolo o de red equivalente con
tuvo que incrementar bastante el valor de la frecuencia hasta los valores antes calculados.
llegar a un valor de 4 KHz, esto debido a los capacitores c) Determine A vs, A vi.
presentes en el circuito. Otro factor que influyó demasiado d) Demuestre que el valor de R௦ no influye en los valores
para obtener un resultado tan preciso fue el uso de un de A VNL, Zi y Zo.
transistor con un parámetro beta adecuado, pues muchas e) Determine el voltaje de salida si se aplica un voltaje
veces el valor que se muestra en el datasheet no es el mismo sinusoidal de 50 mV en la entrada, simule con un transistor
que con el que trabaja el simulador. que se acople al valor de β, discuta y concluya.

Fig. 5. Señal circuito 1, 25mV.

Fig. 7. Circuito 2.
Para el resultado obtenido en la gráfica de la figura 6 se
realizó exactamente el mismo proceso explicado a. Para hallar dichas variables, primero se debe hacer
anteriormente, sólo que esta vez los resultados obtenidos el circuito en el modelo “re” de tal forma que a partir de allí
son demasiado diferentes, pero en esta ocasión el error se obtener datos como Ri y Ro.
debe a los cálculos teóricos, pues dichos cálculos ignoran
por completo que el circuito entra en zona de saturación,
pero en el simulador esto es algo que se tiene muy presente.
 la tierra se deduce que 𝑍𝑜obtiene el valor de RC
𝑍𝑜 = 3𝑘Ω

Teniendo todos los elementos anteriores se puede

obtener un circuito equivalente como el que se observa en la
figura 10:

Fig. 8. Modelo re circuito 2.

Fig. 10. Circuito 2.

Para hallar re, se debe realizar el análisis en DC, recorriendo

la malla de la siguiente manera:

− 18𝑉 + (680𝐾)(𝐼𝑏) + 0. 7 + (0. 82𝐾)(𝐼𝑒) = 0

Se sabe que:

𝐼𝑒 = (β + 1) 𝐼𝑏 (11)
Fig. 9. Análisis de malla circuito 2.
Entonces:
Se realiza el análisis de malla que se muestra en la figura 𝐼𝑒
9. − 18𝑉 + 680𝐾 β+1
+ 0. 7 + 0. 82𝐾(𝐼𝑒) = 0

Σ𝑉𝑚1 = 0 680𝐾Ω
𝐼𝑒( 121
+ 0. 82𝐾Ω) = 17. 3𝑉
− 𝑉𝑖 + 𝐼 β𝑟𝑒 + (β + 1)𝐼𝐵𝑅𝐸 = 0 (9)
𝐵
𝑉𝑖
𝐼𝑒(6439. 835Ω) = 17. 3𝑉
𝐼𝐵
= β𝑟𝑒 + (β + 1)𝑅𝐸
𝐼𝑒 = 2. 686 𝑚𝐴
𝑉𝑖
Se sabe que 𝐼𝐵
= 𝑍𝐵, además que el valor de la 𝑟𝑒 =
26𝑚𝑉
𝐼𝑒
resistencia RE es mucho mayor que la resistencia re dado
que esta última es la resistencia interna del diodo. Teniendo 𝑟𝑒 = 9. 065Ω
en cuenta lo anterior se obtiene que ZB es:
Para hallar A VNL se quita la resistencia de carga y se hace
𝑍𝐵 = β𝑅𝐸 = 120 * (0, 82𝑘Ω) = 98400Ω uso de la ecuación mostrada en la figura 11:

Con esto, se procede a hallar Zi:

𝑍𝑖 = 𝑅𝐵| |𝑍𝐵 (10)

(680𝑘*98400)Ω
𝑍𝑖 = = 85960, 94Ω Fig. 11. Tabla.
(680𝑘+98400)Ω

Se obtiene que:
Dado que el voltaje de salida se mide desde la base hasta
 𝑅𝐶 3𝑘
𝐴𝑉𝑁𝐿 =− 𝑅𝐸
=− 0,82𝑘
=− 3, 66 (12) 𝑉𝑜
𝑉𝑆
= (− 2, 23)(0, 99) = (− 2, 21)
b. El circuito equivalente:
Para hallar AVi

Para el cálculo de esta ganancia, tenemos que:

𝑉𝑜
𝐴𝑉𝑖 = 𝑉𝑖
(18)

Haciendo uso del cuadripolo para el cálculo del voltaje

Vo, se tiene la ecuación 19:

Fig. 12. Cuadripolo equivalente del circuito 2. 𝑅𝐿

𝑉𝑜 = 𝐴𝑉𝑁𝐿 * 𝑉𝑖 * 𝑅𝐿+𝑍𝑂
(19)
c. Para hallar 𝐴𝑉𝑠
Donde dividimos entre Vi para obtener una expresión
Se sabe que dicha ganancia está dada por la ecuación 13: equivalente a la ganancia requerida.

𝑉𝑜 𝑉𝑜 𝑅𝐿
𝐴𝑉𝑆 = (13) 𝑉𝑖
= 𝐴𝑉𝑁𝐿 * 𝑅𝐿+𝑍𝑂
𝑉𝑆
𝑉𝑜 4,7 𝐾Ω
𝑉𝑖
= (− 3, 66) * (4,7+3) 𝐾Ω
= − 2, 234
Si se tiene en cuenta que el circuito equivalente
mostrado en la figura 12, contiene al circuito de la figura 10,
es fácil se observar que Vo se puede obtener mediante un d. El valor de RS no influye en el hallazgo de AVNL, Zi
divisor de voltaje como el que se observa en la ecuación 14: y Zo por varias razones. Primero el análisis llevado a cabo
por medio de mallas para hallar Zi, no incluye esta parte
𝑅𝐿 debido a que el equivalente sólo contiene los elementos que
𝑉𝑜 = ⎡⎢ 𝑅 +𝑅 ⎤ * 𝐴 𝑉𝑖
⎥ 𝑉𝑁𝐿
(14) hacen parte del cuadripolo, es decir los elementos que hacen
⎣ 𝐿 𝑜⎦
parte de la configuración emisor común, elementos como Rs
Reemplazando en la ecuación anterior se obtiene: son “externos” y no se tienen en cuenta en dicho proceso.
Rs, junto a una fuente voltaje Vs, se inmiscuyen en el
4,7𝑘Ω
𝑉𝑜 = ⎡ 4,7𝑘Ω+3𝑘Ω ⎤ * (− 3, 66)𝑉𝑖 análisis únicamente cuando se solicite la ganancia de voltaje
⎣ ⎦ del circuito en su totalidad, de lo contrario, tampoco serán
𝑉𝑜 = (0, 61Ω) * (− 3, 66)𝑉𝑖 tenidas en cuenta. Segundo, las variables Zi y Zo pueden ser
𝑉𝑜 = (− 2, 23) 𝑉𝑖 (15) obtenidas por medio de las equivalencias observadas en la
figura N, que muestra las variables incidentes en la
obtención de dichas incógnitas según la configuración del
Para hallar Vs se despejará de la ecuación 16, que
circuito, demostrando así que ninguna ecuación hace uso del
muestra la relación entre Vi y Vs por medio de un divisor de
elemento Vs y/o Rs pues como se observa en dicha imagen,
voltaje, teniendo en cuenta nuevamente la relación entre las
todo lo que esté conectado en ese extremo del circuito será
figuras 12 y 10.
tomado como la señal que entra a Vi.

𝑉𝑖 = 𝑉𝑆⎡⎢ 𝑅 +𝑅 ⎤⎥ (16)
𝑅𝑖
e. El voltaje Vo se obtiene:
⎣ 𝑠 𝑖⎦
𝑅𝐿
Sustituyendo: 𝑉𝑜 = 𝐴𝑉𝑁𝐿 * 𝑉𝑖⎡⎢ 𝑅 +𝑅 ⎤
⎥
⎣ 𝐿 𝑜 ⎦
85960,94Ω 𝑉𝑜 = (− 3, 66) * (50 𝑚𝑉)(0, 61)
𝑉𝑖 = 𝑉𝑆⎡ 85960,94Ω+0,6𝑘Ω ⎤ = 0, 99𝑉𝑆 (17)
⎣ ⎦ 𝑉𝑜 = (− 111, 63 𝑚 𝑉)
Finalmente, reemplazando (17) en (15) se obtiene:
Para realizar la respectiva simulación, se hizo uso de un
𝑉𝑜 = (− 2, 23)(0, 99 𝑉𝑆) transistor BJT de referencia NPN, el cual este nos permite
variar a gusto el factor beta que en este caso se requiere
β = 120. Al realizar la simulación se obtiene:
Despejando Vs:
 Fig. 13. Simulación circuito 2.
Fig. 15. Circuito 3.
Fuente de 50mV

Fig. 14. Señal circuito 2.

Fig. 16. Equivalente DC circuito 3.

3. Para la red que se enseña en la figura 15 calcule
para un valor de β = 200 (en ambos transistores) lo
siguiente:

a. Para un análisis en DC calcule la corriente de base

de ambos transistores y la corriente de colector
para el transistor Q2
b. Calcule la ganancia total de la red Av así como el
voltaje de salida Vo.
c. Calcule el voltaje Vo si a la salida se conecta una
resistencia de 10kΩ
d. Simule, analice y concluya a partir de los
resultados.

Fig. 17. Análisis de malla circuito 3..

Σ𝑉𝑚1 = 0
 − 𝑉𝑖 + 1, 5 𝐾Ω * 𝐼 + 𝑉𝐶𝐸𝑄2 + 𝑉𝐶𝐸𝑄1 + 1 𝐾Ω * 𝐼𝐸𝑄1 Reemplazando en las ecuaciones anteriores se obtiene:
𝐶𝑄2
(20) − 20 𝑉 + (1, 5 𝐾Ω + 1𝐾Ω)𝐼𝐴 + 𝑉𝐶𝐸𝑄2 + 𝑉𝐶𝐸𝑄1 = 0

Σ𝑉𝑚2 = 0
− 20 𝑉 + 7, 5 𝐾Ω* 𝐼𝑀2 + 0, 7 𝑉 + 𝑉𝐶𝐸𝑄1 + 1 𝐾Ω * 𝐼𝐴 = 0
− 𝑉𝑖 + 7, 5 𝐾Ω* 𝐼𝑀2 + 𝑉𝐵𝐸𝑄2 + 𝑉𝐶𝐸𝑄1 + 1 𝐾Ω * 𝐼𝐸𝑄1 =
(21) 6,2 𝐾Ω
− 20 𝑉 + (7, 5 𝐾Ω + 6, 2 𝐾Ω)𝐼𝑀2 + (1 𝐾Ω − 201
)𝐼𝐴 +...
Σ𝑉𝑚3 = 0 + 0, 7𝑉 = 0
− 𝑉𝑖 + 7, 5 𝐾Ω * 𝐼𝑀2 + 6, 2 𝐾Ω* 𝐼𝑀3 + 𝑉𝐵𝐸𝑄1 + 1 𝐾Ω*
− 20 𝑉 + (7, 5 𝐾Ω + 6, 2 𝐾Ω + 3, 9 𝐾Ω) * 𝐼𝑀2 +...
(22) 7,8 𝐾Ω 6,2 𝐾Ω
+ (− 201
− 201
)𝐼𝐴 = 0
Σ𝑉𝑚4 = 0
− 𝑉𝑖 + 7, 5 𝐾Ω * 𝐼𝑀2 + 6, 2 𝐾Ω𝐼𝑀3 + 3, 9𝑘Ω𝐼𝑀4 = 0 Solucionando el sistema de ecuaciones:

(23) 𝐼𝐴 = 3, 65 𝑚𝐴

𝐼𝐶𝑄2 ≃ 𝐼𝐸𝑄2 (24) 𝑉𝐶𝐸𝑄2 = 3, 86 𝑉

𝐼𝐸𝑄2 = 𝐼𝐶𝑄1 (25) 𝑉𝐶𝐸𝑄1 = 7, 02 𝑉

𝐼𝐶𝑄1 ≃ 𝐼𝐸𝑄1 (26) 𝐼𝑀2 = 1, 15 𝑚𝐴

De las ecuaciones 24, 25 y 26, podemos concluir que: Con estos valores se pueden obtener las incógnitas
deseadas:
𝐼𝐶𝑄2 ≃ 𝐼𝐸𝑄1 (27)
𝐼𝐴
𝐼𝐵𝑄1 = β+1
= 18, 16 µ𝐴
Por lo que podemos llamar estas corrientes como IA.
𝐼𝐵𝑄1 ≃ 𝐼𝐵𝑄2
Teniendo en cuenta que VBE es igual a 0,7 V, que el
voltaje Vi=20 V, las ecuaciones 20, 21, 22 y 23 se pueden
𝐼𝐶𝑄2 = 3, 65 𝑚𝐴
reescribir como:

− 20 𝑉 + 1, 5 𝐾Ω * 𝐼𝐴 + 𝑉𝐶𝐸𝑄2 + 𝑉𝐶𝐸𝑄1 + 1 𝐾Ω * 𝐼𝐴 = Para llevar a cabo la simulación fue necesario usar la

referencia de transistor BC109 [4], debido a que, según el
− 20 𝑉 + 7, 5 𝐾Ω* 𝐼𝑀2 + 0, 7 𝑉 + 𝑉𝐶𝐸𝑄1 + 1 𝐾Ω * 𝐼𝐴
datasheet el valor de β oscila entre 200-800 y para este
− 20 𝑉 + 7, 5 𝐾Ω * 𝐼𝑀2 + 6, 2 𝐾Ω* 𝐼𝑀3 + 0, 7 𝑉 + 1 𝐾 punto era preciso un transistor con valor de β = 200. Al
− 20𝑉 + 7, 5 𝐾Ω * 𝐼𝑀2 + 6, 2 𝐾Ω𝐼𝑀3 + 3, 9𝑘Ω𝐼𝑀4 = 0 realizar la simulación se obtiene:

𝐼𝑀3 = 𝐼𝑀2 − 𝐼𝐵𝑄2 (28)

𝐼𝐴
𝐼𝐵𝑄2 = β+1
(29)

Reemplazando 29 en 28:

𝐼𝐴
𝐼𝑀3 = 𝐼𝑀2 − β+1
(30)

𝐼𝑀4 = 𝐼𝑀3 − 𝐼𝐵𝑄1 (31)

Reemplazando 28 y 29 en 31 se obtiene:

𝐼𝐴
𝐼𝑀4 = 𝐼𝑀2 − 2 β+1
(32)

Fig. 18. Simulación en DC circuito 3.

 Reemplazando en Zi:
Calculando el error:
1
|18,16 µ 𝐴−13,8 µ𝐴|
𝑍𝑖 = 1 1 1 = 6, 55 Ω
+ 3.9𝐾Ω + 6,57Ω
𝐸𝐼 = 18,16 µ𝐴
* 100 = 24, 01% 6,2 𝐾Ω
𝐵𝑄1
|18,16 µ 𝐴−14,6 µ𝐴|
𝐸𝐼 = 18,16 µ𝐴
* 100 = 19, 60 % Zo será el Zi del transistor Q2
𝐵𝑄2
|3,65 𝑚𝐴−3,63 𝑚𝐴|
𝐸𝐼 = 3,65 𝑚𝐴
* 100 = 0, 55 % Hallando Zi para el transistor Q2 se tiene:
𝐶𝑄2

Se puede observar a partir de los errores hallados, que 𝑍𝑖 = 𝑟𝑒

las diferencias entre los cálculos realizados y las
simulaciones son mínimas. Las variaciones son notables Es decir que, Zi= 6,57Ω
debido a que se está trabajando con números muy pequeños, .
sin embargo, estas diferencias son insignificantes y se Para hallar Zo:
pueden dar por factores que no se tienen en cuenta en el
análisis teórico y que el simulador, en cambio, sí puede 𝑍𝑜 = 1, 5 𝐾Ω
tener en cuenta y brinda además una mayor exactitud.

Para el análisis en AC, inicialmente se debe transformar

el circuito, separarlo en dos para realizar el modelo re de
cada transistor de acuerdo a su configuración. Para el
transistor Q1 se tiene: Fig. 21. Cuadripolo equivalente circuito 3.

Teniendo la forma del cuadripolo como se ve en la figura

21, se procede a hallar la ganancia:

La ganancia para el cuadripolo 1 se halla de la forma que

sigue teniendo en cuenta los circuitos de las figuras 19 y 20:

𝑉𝑜
𝐴𝑣 = 𝑉𝑖

𝑉𝑜 =− β𝐼𝐵𝑟𝑒 (34)

Fig. 19. Modelo re de transistor Q1 circuito 3.

𝑉𝑖 = 𝐼𝐵β𝑟𝑒 (35)
Para el transistor Q2 se tiene:
Reemplazando se obtiene:

−β𝐼𝐵𝑟𝑒
𝐴𝑣 = 𝐼𝐵β𝑟𝑒
=− 1

Para Q2:

𝑉𝑜
𝐴𝑣 = 𝑉𝑖

Fig. 20. Modelo re de transistor Q2 circuito 3. 𝑉𝑜 = (− α𝐼𝐸) * 𝑅2 (36)

Hallando Zi para el transistor Q1 se tiene:
𝑉𝑖 = 𝐼𝐸 * 𝑟𝑒 (37)
𝑍𝑖 = 𝑅3| |𝑅4| |β𝑟𝑒 (33)
β
α= β+1
= 0, 99
Para hallar re:
−0,99*3,65 𝑚𝐴*1.5𝐾Ω
24𝑚𝑉 𝐴𝑣 = 3,65 𝑚𝐴*6,57Ω
=− 226, 03
𝑟𝑒 = 3,65 𝑚𝐴
= 6, 57 Ω
 𝐴𝑣𝑡𝑜𝑡𝑎𝑙 = (− 1) * (− 226, 03) = 226, 03 (38)

Para hallar Vo con este valor de ganancia y la fuente

Vi=10 mV se utiliza la siguiente ecuación:

𝑉𝑜 = 𝑉𝑖 * [226, 03] = 2, 26 𝑉(39)

Para hallar Vo con una carga conectada al final se debe

calcular nuevamente la ganancia del segundo cuadripolo
como se observa en la ecuación 40:

Fig. 22. Cuadripolo equivalente circuito 3 con RL. Fig. 24. Simulación circuito 3 con carga.

𝑉𝑜
𝐴𝑉𝐿 = 𝑉𝑖
𝑅𝐿
𝑉𝑜 = 𝐴𝑉𝑁𝐿 * 𝑉𝑖 * 𝑅𝐿+𝑍𝑜
(40)
𝑉𝑜
𝑉𝑖
= (− 226, 03) * 0, 869 =− 196, 42

Fig. 23. Cuadripolo equivalente.

Teniendo esta ganancia y el cuadripolo redibujado como Fig. 25. Señal de voltaje a 4 kHz.
muestra la figura 23, se procede a calcular el voltaje Vo de
la forma que sigue:

𝑉𝑜2 = 𝑉𝑖 * [(− 196, 42)(− 1)] (41)

𝑉𝑜2 = 10𝑚𝑉 * 196, 42
𝑉𝑜2 = 1, 96 𝑉

Para realizar la respectiva simulación, se hizo uso de un

transistor BJT de referencia NPN, el cual este nos permite
variar a gusto el factor beta que en este caso se requiere
β = 200. Al realizar la simulación se obtiene lo siguiente:

Fig. 26. Simulación circuito 3 sin carga.

 𝑍𝑖
𝑉𝑖 = 𝑉𝑠 * 𝑍𝑖+𝑅𝑠
(43)
1𝑘Ω
𝑉𝑖 = 𝑉𝑆 * 1𝑘Ω+0,6𝑘Ω
𝑉𝑖 = 𝑉𝑆 * 0, 625 Ω

Reemplazando en 42:

1𝑘Ω
𝑉𝑜 = (− 420)(𝑉𝑆 * 0, 625) * 1𝑘Ω+3,3𝑘Ω

Despejando Vs:

Fig. 27. Señal de voltaje a 4 kHz. 𝑉𝑜

𝑉𝑠
= (− 420)(0, 625) * 0, 23
Se observa que los valores hallados por medio de la 𝑉𝑜
=− 60, 375
simulación se acercan bastante a los valores obtenidos en el 𝑉𝑠

análisis teórico, es decir que el error fue mínimo. Por lo

anterior, es acertado afirmar que se llevó a cabo el Para hallar la ganancia del segundo cuadripolo se tiene
procedimiento teórico de forma correcta y efectiva. 𝑉𝑜2
la ecuación 𝐴𝑣2 = 𝑉𝑖2

4. Para la red de la figura 4 se solicita lo siguiente

Para hallar 𝑉𝑜2 se debe realizar un divisor de tensión con
a. La ganancia de voltaje bajo carga para cada etapa la resistencia de carga y Zo
b. La ganancia total de voltaje A vS y A vL
c. La ganancia de corriente de carga de cada etapa 𝑅𝐿
d. La ganancia total de corriente del sistema 𝑉𝑜2 = 𝐴𝑣𝑁𝐿2 * 𝑉𝑖2 * 𝑅𝐿+𝑍𝑜
(44)
e. La relación de fase entre Vo y Vi 2,7𝑘Ω
𝑉𝑜2 = (− 420) * 𝑉𝑖2 * 2,7𝑘Ω+3,3𝑘Ω

Realizamos el despeje correspondiente:

𝑉𝑜2 2,7𝑘Ω
𝑉𝑖2
= (− 420) * 2,7𝑘Ω+3,3𝑘Ω
𝑉𝑜2
𝑉𝑖2
= (− 189)
Fig. 28. Circuito 4.

Para calcular la ganancia de voltaje para cada etapa se Para hallar la ganancia total:
realiza lo siguiente:
𝑉𝑜
= [𝐴𝑉𝑆 * 𝐴𝑉𝐿2] = (− 60, 375)(− 189) (45)
Se sabe que la ganancia del cuadripolo 1 está dada por 𝑉𝑆
𝑉𝑜1 𝑉𝑜
𝐴𝑣1 = 𝑉𝑆
= 11410, 875
𝑉𝑠

La carga del primer cuadripolo viene siendo la La ganancia de corriente para cada etapa se calcula
impedancia Zi del cuadripolo siguiente, por lo que el divisor como sigue:
de tensión que se realiza para hallar la salida en el primero
𝐼𝑜1
se halla como sigue: Para el primer cuadripolo se tiene que = 𝐴𝐼𝑆 (46)
𝐼𝑆1
−𝑉𝑜
𝑍𝑗 La corriente 𝐼𝑜1 = (47), debido a que la impedancia
𝑉𝑜1 = 𝐴𝑣𝑁𝐿 * 𝑉𝑖 * 𝑍𝑗+𝑍𝑜1
(42) 𝑍𝑖2

1𝑘Ω Zi del cuadripolo 2 se comporta como la carga del

𝑉𝑜1 = (− 420)𝑉𝑖 * 1𝑘Ω+3,3𝑘Ω cuadripolo 1.

𝑉𝑠
Para hallar Vi, se realiza un divisor de tensión con la 𝐼𝑠 = (48)
𝑅𝑠+𝑅𝑖
fuente Vs que se encuentra al inicio del cuadripolo, con la
Zi del mismo y la resistencia Rs:
 Reemplazando 46 y 47 en 48, se obtiene: calculados reproducen las corrientes y voltajes
usados en el diseño de la red.
−𝑉𝑜
𝐼𝑜1 𝑍𝑖2 −(𝑅𝑠+𝑅𝑖)*𝑉𝑜
𝐼𝑆1
= 𝑉𝑠 = 𝑅𝑖2*𝑉𝑠
(49)
𝑅𝑠+𝑅𝑖

Dado que 𝑉𝑜/𝑉𝑠 es Avs se reemplaza:

𝐼𝑜1 −(0,6𝑘Ω+1𝑘Ω)
𝐼𝑆1
= 1𝑘Ω
* (− 60, 375)
𝐼𝑜1
𝐼𝑆1
= 96, 6

Ahora se procede a hallar la ganancia del cuadripolo 2,

como sigue:

𝐼𝑜2
𝐼𝑖2
= 𝐴𝐼𝐿2(50)
Fig. 29. Circuito 5.

Se obtiene que: En el circuito de la figura 29 se puede observar que el

voltaje en el nodo del colector es de 7.6 voltios, y en el nodo
−𝑉𝑜2 𝑉𝑖2 del emisor es de 2.4 voltios, por ende para hallar el voltaje
𝐼𝑜2 = 𝑅𝐿
(51) y 𝐼𝑖2 = 𝑅𝑖
(52) entre colector y emisor se realiza una diferencia de
potencial.
Reemplazando ambas en 50, se tiene:
𝑉𝐶𝐸 = (7. 6 𝑉 − 2. 4 𝑉) = 5. 2 𝑉 (54)
−𝑉𝑜
𝐼𝑜2 𝑅𝐿 𝑅𝑖 𝑉𝑜2
𝐼𝑖2
= 𝑉𝑖2 =− 𝑅𝐿
* 𝑉𝑖2 Luego para encontrar el valor de las resistencias, se
𝑅𝑖

𝑉𝑜2
aplica la teoría de circuitos.
Debido a que 𝐴𝑣2 = 𝑉𝑖2
se reemplaza y se calcula la
ganancia correspondiente.

𝐼𝑜2 1𝑘Ω
𝐼𝑖2
=− 2,7𝑘Ω
* (− 189)
𝐴𝐼𝐿2 = 70

La ganancia total será entonces la multiplicación de

ambas ganancias obtenidas:

𝐴𝐼𝐿 = 𝐴𝑉𝑠 * 𝐴𝐿2 = 6762 (53)

En cuanto a la relación de fase entre Vo y Vi, se puede

notar que el circuito solamente dispone de dos capacitores,
uno a la entrada y otro a la salida del circuito, la función de Fig. 30. Análisis de malla circuito 5.
estos capacitores es suprimir la señal DC que entra al
circuito. Por esta razón, las señales de entrada y salida del Se debe tener en cuenta que la corriente del colector es
circuito estarían en fase, es decir, su desfase vale cero. de 2 mA y el transistor tiene un factor beta de 80, con estos
valores se puede encontrar la corriente de colector y la
5. Para el circuito de la figura 5 calcular: corriente de base:
a. RC
b. RE 𝐼𝑐 = 2 𝑚𝐴
c. RB
𝐼𝑐 ≃ 𝐼𝑒
d. VCE
e. VB
f. Simule y compare si los valores de resistencia 𝐼𝑒 = 2 𝑚𝐴
 𝐼𝑒 = 2 𝑚𝐴

𝐼𝑐 = (𝐵)𝐼𝑏 (55)
2 𝑚𝐴
𝐼𝑏 = 80
= 25 𝑢𝐴
Como ya se hallaron los valores de las corrientes,
restaría encontrar la tensión de cada resistencia por medio
de una diferencia de potencial y finalmente aplicar la ley de
ohm V=I*R.

𝑉𝑅𝑐 = (12 𝑉 − 7. 6 𝑉) = 4. 4 𝑉 (56)

𝑉𝑅𝑒 = (2. 4 𝑉 − 0 𝑉) = 2. 4 𝑉 (57)
𝑉𝑒 = 2. 4 𝑉
𝑉𝑏𝑒 = 𝑉𝑏 − 𝑉𝑒 (58)
𝑉𝑏𝑒 = 0. 7 𝑉 Fig. 31. Simulación circuito 5.
𝑉𝑏 = 0. 7 𝑉 + 2. 4 𝑉 = 3. 1 𝑉
Calculando el error:
𝑉𝑅𝑏 = 𝑉𝑖 − 𝑉𝑏 (59)
|1,98 𝑚𝐴−2 𝑚𝐴|
𝑉𝑅𝑏 = 12 𝑉 − 3. 1 𝑉 = 8. 9 𝑉 𝐸𝐼 = * 100 = 1%
2 𝑚𝐴
𝐶
|24,7 𝑢𝐴−25 𝑢𝐴|
𝐸𝐼 = * 100 = 1, 21%
Para finalizar con los cálculos después de tener las 𝐵
24,7 𝑢𝐴
corrientes y tensiones de cada elemento se procede a 𝐸𝑉 =
|3,19 𝑉−3,1 𝑉|
* 100 = 2, 82 %
3,19 𝑉
encontrar el valor a las resistencias: 𝐵
|5,25 𝑉−5,2 𝑉|
𝐸𝑉 = 5,25 𝑉
* 100 = 0, 95 %
𝑉
𝑅 = 𝐼
(60) 𝐶𝐸

Se puede evidenciar que los resultados obtenidos son

8.9 𝑉
𝑅𝑏 = 25 𝑢𝐴
= 356000 Ω muy exactos, de hecho los errores no superan el 3%. Las
diferencias que se presentan pueden ser por las variables
4.4 𝑉 externas que se ignoran en el análisis teórico, por la
𝑅𝑐 = 2 𝑚𝐴
= 2200 Ω exactitud que tiene el simulador respecto al cálculo
realizado a mano y demás. Sin embargo, es importante
2.4 𝑉
𝑅𝑒 = =1200 Ω resaltar que los valores en todos los casos se asemejan
2 𝑚𝐴
bastante y funcionan de manera adecuada. Además se
utilizó un transistor que tiene la flexibilidad de seleccionar
Para llevar a cabo la simulación fue necesario usar la
como tal el factor de amplificación beta, de tal forma la
referencia de transistor NPN, debido a que, para este
precisión de los resultados.
circuito era preciso un transistor con valor de β = 80 y este
transistor permite variar este valor a gusto. Al realizar la
6. Para el circuito de la figura 32 considerando un
simulación se obtiene:
valor de β = 100 calcule en análisis DC lo siguiente:
a. IC
b. VC
c. VE,
d. VCE
Ahora considerando un análisis en AC encuentre (utilizando
el modelo re del transistor considerando a ro = 45kΩ) lo
siguiente:
e. Zi
f. Z0
g. AV
h. Para un voltaje en la entrada de 20 mV calcule la
salida VO utilizando el modelo equivalente de dos
puertos o cuadripolo.
i. Simule y verifique con un transistor similar (que se
 adapte al parámetro β) los resultados calculados de Σ𝑉𝑚1 = 0
manera analítica.
𝑉𝑅3 + 𝑉𝑅2 + 𝑉𝑅1 + 𝑉𝐵𝐸 + 𝑉 = 30𝑉 (60)
𝑅4

𝑅3·𝐼𝐶 + (𝑅1 + 𝑅2) · 𝐼𝐵 + 𝑉𝐵𝐸 + 𝑅 · 𝐼𝐸 = 30𝑉

4
𝑅3 · β · 𝐼𝐵 + (𝑅1 + 𝑅2) · 𝐼𝐵 + 𝑅4 · β · 𝐼𝐵 = 30𝑉 − 0. 7𝑉

𝐼𝐵(𝑅3 · β + (𝑅1 + 𝑅2) + 𝑅4 · β) = 30𝑉 − 0. 7𝑉

30𝑉−0.7𝑉
𝐼𝐵 = (𝑅3·β+(𝑅1+𝑅2)+𝑅4·β)

30𝑉−0.7𝑉
𝐼𝐵 = (6.2𝐾Ω·100+690𝐾Ω+1.5𝐾Ω·100)

Fig. 32. Circuito 6. 𝐼𝐵 = 20 μ𝐴

𝐼𝐶 = (β + 1)· 𝐼𝐵 (61)
a. Para el análisis en DC el circuito de la figura 32 se
puede redibujar como se muestra en la siguiente imagen: 𝐼𝑐 = (100 + 1) · (20 μ𝐴)
𝐼𝐶 = 2. 02 𝑚𝐴

Para hallar el valor de VC se debe tener presente que el

voltaje no es más que la diferencia de potencial entre dos
nodos, por lo cual el valor de voltaje de la resistencia 3 se
puede hallar a partir de la ecuación (63), pero como se
conoce el valor de la corriente que pasa por esa resistencia
se puede utilizar esta ecuación para hallar el valor de VC
cómo se puede observar a continuación:

𝑉𝑅3 = 𝐼𝐶 · 𝑅3 (62)
𝑉𝑅3 = 12. 52 𝑉
𝑉𝑅3 = 𝑉𝐷𝐶 − 𝑉𝐶 (63)
Fig. 33. Equivalente en DC circuito 6. 12. 52𝑉 = 30𝑉 − 𝑉𝐶
𝑉𝐶 = 30𝑉 − 12. 52𝑉
Se realiza el análisis de malla para hallar el valor de IB
como muestra la figura 34. 𝑉𝐶 = 17. 47𝑉

Se sabe que VE es igual al voltaje que pasa por la

resistencia 4, por lo cual simplemente se aplica la ley de
ohm.

𝑉𝐸 = 𝑉𝑅4 (64)
𝑉𝐸 = (1500Ω) · (2. 02 𝑚𝐴)
𝑉𝐸 = 3. 03 𝑉

Como el voltaje se puede expresar mediante una

diferencia de potencial se procede a realizar el cálculo de
VCE.

Fig. 34. Análisis de malla circuito 6. 𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶 − 𝑉𝐸 (65)

𝑉𝐶𝐸 = 17. 5𝑉 − 3. 03𝑉
 𝑉𝐶𝐸 = 14. 47 𝑉

Para llevar a cabo la simulación de este punto fue

necesario un transistor de referencia 2N3904 [6], debido a
que este se acopla a la necesidad de un β = 100.

Fig. 36. Modelo re circuito 6.

Teniendo dicho circuito es posible hallar las impedancias

Zi y Zo:

𝑍𝑖 = 𝑅1| |β𝑟𝑒 (66)

Conociendo el valor de IE se procede a encontrar el valor

de re:

26𝑚𝑉
𝑟𝑒 = 𝐼𝐸

𝑟𝑒 = 12, 87Ω
Fig. 35. Simulación circuito 6. 470𝑘Ω*(100*12,87Ω)
𝑍𝑖 = 470𝑘Ω+(100*12,87Ω)
Calculando el error: 𝑍𝑖 = 1283, 48Ω
|2,46 𝑚𝐴−2,02 𝑚𝐴|
𝐸𝐼 = * 100 = 17, 89%
𝐶
2,46 𝑚𝐴 𝑍𝑜 = 𝑟𝑜| |𝑅2| |𝑅3(67)
|14,7 𝑉−17,47 𝑉| 1
𝐸𝑉 = 14,7 𝑉
* 100 = 18, 84 % 𝑍𝑜 = = 5317, 51Ω
1 1 1
𝐶
45𝑘Ω
+ 220𝑘Ω + 6,2𝑘Ω
|3,71 𝑉−3,03 𝑉|
𝐸𝑉 = 3,71 𝑉
* 100 = 18, 33 %
𝐸
|10,9 𝑉−14,47 𝑉| Para hallar la ganancia se tiene la ecuación (68), pero
𝐸𝑉 = 10,9 𝑉
* 100 = 22, 59% como no se tienen valores específicos de V0 y de Vi se debe
𝐶𝐸
realizar un análisis del circuito re, en el cual se pueda tener
Se puede observar en los resultados que las diferencias una ecuación que sea equivalente a los valores de V0 y Vi tal
entre los valores hallados a partir de los cálculos teóricos y y como se puede apreciar a continuación:
los obtenidos a partir de la simulación, son cercanos, sus
𝑉𝑜
valores no varían en demasía. Para la corriente esta 𝐴𝑣 = (68)
𝑉𝑖
diferencia se da debido a que son valores muy pequeños y
cualquier variación, por mínima que sea, será notable. Para 𝑉0 = − β · 𝐼𝐵 · 𝑍𝑜 (69)
el resto de valores estas diferencias se pueden dar por las 𝑉𝑖 = 𝐼𝐵 · β𝑟𝑒 (70)
variables externas que se ignoran en el análisis teórico, por
la exactitud que tiene el simulador respecto al cálculo
Reemplazando 69 y 70 en 68:
realizado a mano y demás. Sin embargo, es importante
resaltar que los valores en todos los casos se asemejan −β· 𝐼𝐵·𝑍𝑜
bastante y funcionan de manera adecuada. 𝐴𝑣 = 𝐼𝐵·β𝑟𝑒
𝑍𝑜
Para realizar el análisis del circuito en AC es necesario 𝐴𝑣 = − 𝑟𝑒
redibujar el circuito en el modelo re como muestra la 𝐴𝑣 =−
5317,51Ω
=− 413, 17
12,87Ω
siguiente figura:
 Fig. 37. Cuadripolo equivalente circuito 6.

Como no se tiene valor de una RL el valor de Vo se halla

con la ecuación 71:

𝑉𝑜 = 𝐴𝑉𝑁𝐿 * 𝑉𝑖 (71)
𝑉𝑜 = (− 413, 17) * 20𝑚𝑉
𝑉𝑜 =− 8, 26 𝑉

Para llevar a cabo la simulación se hizo uso de un

transistor de referencia NPN, con este transistor es posible
variar el factor de amplificación beta y para este caso se
necesita un beta de 100. Al realizar la simulación se obtiene
lo siguiente: Fig. 39. Simulación circuito 6.

IV. CONCLUSIONES

● Los transistores BJT son dispositivos

semiconductores compuestos por dos capas de material “n”
y una capa de material tipo “p” o viceversa, esto, en
términos generales, permite controlar la corriente que pasa
entre el colector y emisor del transistor mediante la
variación de la corriente de base, este puede ser polarizado
de distintas maneras para cambiar el estado del transistor
(conducción, saturación y corte).

● Los cuadripolos o redes de dos puertos, son

herramientas útiles después de llevar a cabo un análisis
previo, ya que estos permiten representar un circuito
complejo con el uso de una ganancia de voltaje y dos
Fig. 38. Simulación circuito 6. valores de impedancia. Además, permiten la obtención y el
cálculo de otras ganancias, las cuales abrevian el circuito
Se puso un amperímetro de tal forma que midiera la aún más.
corriente que circulaba por el colector, el resultado fue de
2.10 mA y teóricamente 2.02 mA, además en el transistor se ● Los datasheet proveen información útil y relevante
configuró con un beta de 200, de tal forma que la relación sobre los dispositivos a usar, pero se puede volver un poco
de las corrientes de base y colector fueran correctas, tedioso hallar valores fijos como el parámetro de ganancia
finalmente se alimentó el circuito con 10 mV pico a una hfe, el cual puede moverse en una escala con un rango
frecuencia de 4kHz. amplio en ciertos transistores. Esto impide una elección
apropiada del transistor, o genera un desconocimiento del
Como resultado, gráficamente se puede evidenciar en la comportamiento del circuito.
figura 39 que el voltaje de salida es muy similar al obtenido
teóricamente (-8.26 v). ● Las leyes de Kirchhoff y los recursos básicos para
la solución de circuitos son útiles aún cuando se trata de
circuitos con dispositivos semiconductores, pues en estas
leyes se basa el funcionamiento de cualquier circuito
eléctrico y por ende brindan una solución más simple a un
circuito complejo.

● Se debe tener mucho cuidado al comparar los datos

obtenidos a través de un procedimiento teórico respecto a
los hallados mediante el simulador, pues en muchas
ocasiones los resultados son bastante diferentes y se suele
pensar que alguno de los dos está erróneo, pero en realidad
lo que pasa es que uno tiene en cuenta factores que el otro
no, tal y como se pudo observar en el punto 1.

● Se pudo evidenciar que los transistores cumplen un

papel muy importante al momento de amplificar o atenuar
una señal, esto resulta de vital importancia en la electrónica,
pues es una excelente herramienta para controlar los valores
de corriente y voltaje a través del circuito.

● Los capacitores gracias a la función que cumplen

en los circuitos de corriente alterna como supresores de la
corriente directa, si se sitúan de forma efectiva dentro del
circuito, facilitan la obtención de un desfase igual a 0.

● El transistor BJT tiene tres zonas de operación, en

corte, en saturación y en la región activa, dependerá la
aplicación que se le quiera dar al circuito para operar en
cualquiera de las zonas. De hecho en el primer circuito
resuelto del presente informe se puede evidenciar que en
una de las simulaciones el transistor entró en saturación
generando esto que la forma de onda obtenida se deformara
obteniendo una combinación de una señal sinusoidal y una
cuadrada, esto generó que no se pudiera obtener el valor
calculado teóricamente.

V. REFERENCIAS

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Electrónica, Universidad Tecnológica de Pereira, 2021-1.
[2] R. L. Boylestad y L. Nashelsky, Electrónica: Teoría de circuitos y
dispositivos electrónicos, Décima Edición. México: Pearson
Education, Inc., 2009. Consultado en: Marzo 18, 2021. [Internet]
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[3] C.K. Alexander y M. N. O. Sadiku. Fundamentos de circuitos
eléctricos. Tercera Edición. México, D.F.:
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[4] Philips Semiconductors. “BC109 Datasheet”. [Internet]. Disponible
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[5] Onsemi.com, 2021. [Internet]. Disponible en::
https://www.onsemi.com/pdf/datasheet/p2n2222a-d.pdf.
[6] “Transistor 2N3904 NPN”. [Internet]. Disponible en:
http://www.geekbotelectronics.com/producto/transistor-2n3904-npn/
[7] Onsemi.com, 2021. [Internet]. Disponible en:
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[8] "2N5551 pdf, 2N5551 description, 2N5551 datasheets, 2N5551
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https://pdf1.alldatasheet.com/datasheet-pdf/view/11488/ONSEMI/2
N5551.html.