Contenido
Semiconductores de potencia ...................................................................................................2
1.1 Diodos de potencia ............................................................................................................3
1.1.1 Características y parámetros....................................................................................4
1.1.2 Rectificadores monofásicos y polifásicos. ...........................................................6
1.1.3 Aplicaciones industriales ..........................................................................................7
1.1.4 Alimentación de motores de c.c ..............................................................................8
1.2 Transistores de Potencia ..................................................................................................9
1.2.1 Tipos de transistores Bipolar (BJT). .....................................................................10
1.2.2 Metal Oxido de Silicio (MOS) ..................................................................................11
1.2.3 Transistor bipolar de puerta aislada (IGBT) ........................................................12
1.2.4 Características y parámetros..................................................................................13
1.3 Aplicaciones en máquinas eléctricas ..........................................................................15
1.3.1 Arranque y paro de un motor de c.c con un IGBT .............................................16
1.3.2 Control de velocidad de motores de c.c. .............................................................17
1.4 Circuitos de control híbridos (Electrónicos - electromecánicos) .........................17
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Semiconductores de potencia
La electrónica de potencia está situada en la frontera o unión entre la electrónica
(corrientes débiles) y la electricidad (corrientes fuertes o altas)
Los componentes que permitieron su aparición son los semiconductores de potencia
(diodos, tiristores y transistores)
Con la electrónica de potencia se puede sustituir en algunos casos la transformación de
energía efectuada de otra forma por los grupos de máquinas rotatorias.
la rectificación de diodos
la rectificación controlada
Los inversores
El inversor autónomo
El cortador
La electrónica de potencia trabaja hoy en día en aplicaciones de conmutación, que es una
de las características principales que le permite obtener muy buenos rendimientos
compatibles con las potencias que se manejan.
Un diodo es un semiconductor no controlable que permite la circulación de corriente en un
solo sentido (funcionamiento unidireccional)
Un diodo semiconductor se caracteriza por:
• La corriente directa promedio
• La corriente directa continua
• La corriente de extremo repetitiva
• La corriente no repetitiva de sobrecarga accidental
• La corriente inversa repetitiva de extremo
• La corriente de extremo no repetitiva
• La tensión continua directa al estado de transito
• La tensión de excitación
• La resistencia dinámica o resistencia aparente al estado de transito
• La coacción térmica
• El tipo de recubrimiento
• La temperatura de unión
• La temperatura ambiente
• La resistencia térmica entre el recubrimiento y el aire en grados celcius por Watt
• La resistencia térmica entre la unión y el recubrimiento
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• La resistencia térmica entre el recubrimiento y el disipador (nótese que con
frecuencia la palabra radiador se usa en documentos
1.1 Diodos de potencia
CONDUCCION
Se produce al aplicar una tensión directa en los terminales del diodo de manera que el
ánodo sea más positivo que el cátodo.
• Esto provoca:
– Migración de portadores mayoritarios hacia la unión.
– Estrechamiento de la zona de carga espacial.
– Corriente de mayoritarios dependientes de la tensión.
Dan origen a módulos de potencia
Adecuados para alta potencia y relativa alta frecuencia
- Minimizan las inductancias parásitas del conexionado
- Se usan en aplicaciones industriales, espaciales, militares,
etc
- Se pueden pedir a medida
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1.1.1 Características y parámetros
Características fundamentales
-Tensión de ruptura
-Caída de tensión en conducción
-Corriente máxima
-Velocidad de conmutación
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Parámetros en inversa:
• VR= Tensión Inversa (Tensión continua capaz que es de soportar el diodo)
• VRM = Tensión de pico
• VBR = Tensión de ruptura
• IR = Corriente inversa (corriente de fuga)
Parámetros en directa:
• VD = Tensión en directa
• I = Corriente directa
• IAV= Corriente media directa
• IFM= Corriente máxima en directa
• IFRM = Corriente de pico repetitiva
• IFSM= Corriente directa de sobrecarga
CONDUCCION
Parámetros asociados:
– Intensidad media nominal: valor medio de la máxima intensidad de impulsos senoidales
de 180º que el diodo puede soportar con la cápsula mantenida a una determinada
temperatura (110ºC).
– Intensidad de pico repetitivo: puede ser soportada cada 20ms con una duración de 1ms.
– Intensidad de pico no repetitivo: puede ser soportada cada 10’ durante un periodo de
10ms.
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1.1.2 Rectificadores monofásicos y polifásicos.
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1.1.3 Aplicaciones industriales
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1.1.4 Alimentación de motores de c.c
Las máquinas de corriente continua (cc) se caracterizan por su versatilidad. Mediante
diversas combinaciones de devanados en derivación (shunt), en serie y excitación separada
de los campos, se puede hacer que exhiban una amplia variedad de curvas características
volt-ampere y velocidad-torque, tanto para funcionamiento dinámico como para estado
estacionario. Debido a la facilidad con la que se pueden controlar, a menudo se usan
sistemas de máquinas de cc en aplicaciones donde se necesita una amplia gama de
velocidades de motor o de control de la potencia de éste.
Conversión de potencia es el proceso de convertir una forma de energía en otra, esto puede
incluir procesos electromecánicos o electroquímicos. Dichos dispositivos son empleados en
equipos que se denominan convertidores estáticos de potencia, clasificados en:
• Rectificadores: convierten corriente alterna en corriente continua.
• Inveror: convierten corriente continua en corriente alterna.
• Cicloconversores: convierten corriente alterna en corriente alterna.
• Choppers: convierten corriente continua en corriente continua.
En la actualidad esta disciplina está cobrando cada vez más importancia debido
principalmente a la elevada eficiencia de los convertidores electrónicos en comparación a
los métodos tradicionales, y su mayor versatilidad. Un paso imprescindible para que se
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produjera esta revolución fue el desarrollo de dispositivos capaces de manejar las elevadas
potencias necesarias en tareas de distribución eléctrica o manejo de potentes motores.
1.2 Transistores de Potencia
El funcionamiento y utilización de los transistores de potencia es idéntico al de los
transistores normales, teniendo como características especiales las altas tensiones e
intensidades que tienen que soportar y, por tanto, las altas potencias a disipar.
Existen tres tipos de transistores de potencia:
• bipolar.
• unipolar o FET (Transistor de Efecto de Campo).
• IGBT.
Nos interesa que el transistor se parezca, lo más posible, a un elemento ideal:
• Pequeñas fugas.
• Alta potencia.
• Bajos tiempos de respuesta (ton , toff), para conseguir una alta frecuencia de
funcionamiento.
• Alta concentración de intensidad por unidad de superficie del semiconductor.
• Que el efecto avalancha se produzca a un valor elevado ( VCE máxima elevada).
• Que no se produzcan puntos calientes (grandes di/dt ).
Una limitación importante de todos los dispositivos de potencia y concretamente de los
transistores bipolares, es que el paso de bloqueo a conducción y viceversa no se hace
instantáneamente, sino que siempre hay un retardo (ton , toff). Las causas fundamentales
de estos retardos son las capacidades asociadas a las uniones colector - base y base -
emisor y los tiempos de difusión y recombinación de los portadores.
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1.2.1 Tipos de transistores Bipolar (BJT).
Se trata de transistores BJT capaces de conducir elevadas corrientes y soportar altas
tensiones.
• Para ello habitualmente adoptan la configuración Darlington con el fin de que la corriente
de excitación
de base no tenga que ser excesivamente elevada.
• La aparición de nuevos dispositivos ha relegado a los BJT a una gama de potencias
medias y bajas.
• En aplicaciones de potencia los transistores trabajan habitualmente en las zonas de corte
y saturación (conmutación), evitando la región activa.
• Se utilizaban antes del desarrollo de los MOSFET de potencia. Hoy se utilizan poco (como
interruptores principales).
• Son mucho más lentos que los MOSFETs (como unas 10 veces más lentos).
• Además, hay que inyectar una corriente bastante apreciable por la base (sólo 5-20 veces
menor que la corriente de colector).
• Sin embargo, tienen modulación de la conductividad, lo que implica que se pueden hacer
dispositivos que soporten mucha tensión (zona N - poco dopada) y que tengan baja
resistencia en conducción (por modulación de la conductividad).
• En resumen, superan a los MOSFET en comportamiento estático.
En corte la corriente de base ha de hacerse muy pequeña. Con el fin de que la corriente de
colector sea la menor posible y que el transistor soporte la mayor tensión colector – emisor
posible, la base se puede incluso cortocircuitar con el emisor o se le puede suministrar una
tensión ligeramente negativa.
En corte, la corriente de colector es muy pequeña y crece ligeramente con la tensión
colector – emisor. El comportamiento del transistor es próximo a un circuito abierto.
En saturación se ha de suministrar una corriente suficiente a la base. La tensión colector –
emisor es pequeña pero crece proporcionalmente a la corriente de colector.
El transistor se comporta como una resistencia de bajo valor, aunque el objetivo es que se
asemeje a un cortocircuito.
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1.2.2 Metal Oxido de Silicio (MOS)
Precauciones en el uso de transistores MOSFET
- La terminal puerta al aire es muy sensible a los ruidos
- El óxido se puede llegar a perforar por la electricidad estática de los dedos. A veces se
integran diodos zener de protección
- Existe un diodo parásito entre fuente y drenador en los MOSFET de enriquecimiento
• Están formados por miles de celdas puestas en paralelo (son posibles integraciones
de 0,5 millones por pulgada cuadrada)
• Los dispositivos FET (en general) se paralelizan fácilmente
• Algunas celdas posibles (dispositivos verticales):
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1.2.3 Transistor bipolar de puerta aislada (IGBT)
El IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) se basa en una estructura que permite:
➢ Modulación de la conductividad (lo que implica bajas pérdidas en conducción)
➢ Antisaturación del transistor bipolar interno (no tan lento como si se saturara
completamente)
➢ Control desde una puerta MOS (como un MOSFET).
➢ Se trata de un componente que pretende combinar las ventajas de los transistores
bipolares (bajas pérdidas en conducción) con las de los FET (baja corriente de
excitación y alta velocidad de conmutación).
➢ Por sus características constructivas, equivale a una combinación de
➢ FET a la entrada (Puerta) y bipolar a la salida (Colector-Emisor). Éstos son los
nombres que reciben sus terminales.
➢ No tiene equivalente en señal a diferencia de los anteriores.
➢ Sus características de funcionamiento se asemejan a las de un FET desplazadas
en el eje de tensión colector – emisor aproximadamente un voltio a la derecha
(mayor tensión colector –emisor para la misma corriente de colector), pero con una
curva de saturación más vertical (menor resistencia equivalente).
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• El IGBT no puede conducir corriente inversa con tensión cero en puerta, como sí
ocurría en los MOSFETs
• El IGBT por tanto puede soportar tensión inversa
• Los IGBTs simétricos se diseñan para este fin. Sin embargo, la caída de tensión
directa es mayor en ellos.
• Para conducir corriente inversa hay que colocar un diodo en antiparalelo
1.2.4 Características y parámetros
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Características fundamentales de los MOSFETs de potencia
1ª -Máxima tensión drenador-fuente
2ª -Máxima corriente de drenador
3ª -Resistencia en conducción
4ª -Tensiones umbral y máximas de puerta
5ª -Proceso de conmutación
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1.3 Aplicaciones en máquinas eléctricas
Durante muchos años el sector de la electrónica de potencia ha centrado su
investigación en el desarrollo de componentes capaces de alcanzar grandes velocidades
de conmutación y grandes cargas y que fueran sustitutivos de las
tecnologías anteriores que, para ciertas aplicaciones, ya habían quedado obsoletas como
es el caso del transistor bipolar BJT bipolar junction transistor, los MOSFET y de los
VDMOS, DMOSFET vertical, para ello, losinvestigadores han combinado desde hace más
de dos décadas las posibilidades de los transistores bipolares y los denominados MOSFET
un transistor de efecto de campo basado en la estructura most metal oxide semiconductor.
La aplicación de motores generadores eléctricos requiere considerar los siguientes:
a) Economía
b) Comportamiento y características de la carga
c) Fuentes disponibles
d) Selección de motores y generadores
e) Protección y seguridad.
En los últimos años han tomado gran relevancia los factores económicos incluyendo no solo
la inversión inicial sino también el costo de operación y mantenimiento del equipo a lo largo
de los años. Se están mejorando mucho los diseños para mejorar la eficiencia y por lo tanto
los costos de operación del equipo. Un problema que frecuentemente se encuentra el
ingeniero consiste en adaptar el motor a la carga para su operación optima desde un punto
de vista técnico. Es importante para este fin que los motores tengan la capacidad de
arrancar la carga que deberán mover y en muchos casos en un tiempo preestablecido,
además no deberán sufrir sobrecalentamiento en operación normal y no deberán causar
perturbaciones en la red a la que se encuentran conectados que puedan dañar otros
equipos o causar por medio de variaciones en la iluminación.
La aplicación de un motor generalmente va acompañada con el estudio de la fuente
disponible para usar este motor la selección de esta fuente cuando no se dispone de la
fuente o la fuente no tiene la capacidad adecuada. La fuente a usar debe formar parte del
estudio económico. Es muy importante que el motor o generador cuente de la protección
adecuada para evitar que esta sufra daños o para que la vida útil del motor no se vea
afectada. Sin embargo, de mucha mayor importancia es que el motor cuente con la
protección adecuada para que no presente peligro para el hombre. Entre otros factores se
deben prevenir desboques de motores de C.D, se debe prevenir que el personal que labores
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cerca del equipo eléctrico pueda electrocutarse y que no ocurran incendios o explosiones
por deficiencias del equipo o por falta de protecciones.
1.3.1 Arranque y paro de un motor de c.c con un IGBT
Los IGBT acumulan la mayor parte del mercado de componentes de potencia para
aplicaciones de media y alta tensión, no sólo por su capacidad de potencia sino también
porque son tan rápidos que la frecuencia de los impulsos que generan son imperceptibles
por el oído humano. Esta particularidad los ha hecho especialmente interesantes para el
desarrollo de los sistemas de aire acondicionado, frigoríficos, lavavajillas, ect., en los que
los consumidores son especialmente sensibles al ruido que emiten. la mayor parte de los
ruidos delos compresores procede de la utilización de transistores no demasiado rápidos y
que sólo se activan y desactivan en frecuencias audibles por las personas. Pero las
aplicaciones de igbt van mucho más allá del control de motores. Algunos fabricantes de
tecnologías de consumo ya los están utilizando para mejorar sus dispositivos o dotarles de
nuevas capacidades. por ejemplo, una de las últimas aplicaciones de estos transistores ha
permitido integrarlos en los teléfonos móviles para dotar a sus cámaras de un flash de xenón
realmente potente. Esto ha sido posible gracias a que los IGBT han reducido
enormemente sus dimensiones
El IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia híbrido que combina los
atributos del BJT y del MOSFET. Posee una compuerta tipo MOSFET y por consiguiente
tiene una alta impedancia de entrada. El gate maneja voltaje como el MOSFET. Al igual
que el MOSFET de potencia, el IGBT no exhibe el fenómeno de ruptura secundario como
el BJT. Generalmente sea plica a circuitos de potencia. Este es un dispositivo para la
conmutación en sistemas de alta tensión. La tensión de control de puerta es de unos 15V.
Esto ofrece la ventaja de controlar sistemas de potencia aplicando una señal
eléctrica de entrada muy débil en la puerta. Características de funcionamiento: Alta
capacidad de manejar corriente como un bipolar Facilidad de manejo mosfet
El IGBT se suele usar cuando se dan estas condiciones:
•Bajo ciclo de trabajo
•Baja frecuencia 20 kHz
•Aplicaciones de alta tensión 1000 V
•Alta potencia 5 kW
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1.3.2 Control de velocidad de motores de c.c.
Utilizando un esquema de control de velocidad clásico e incorporando la dinámica del
sistema de alimentación como un sistema de primer orden con constante de tiempo
equivalente Ta y ganancia Ka, se pueden lograr resultados bastante aceptables para el
control de la máquina. La constante de tiempo del sistema de alimentación depende mucho
del equipo que se utilice, la cual puede ir de unos pocos milisegundos, en el caso de
convertidores estáticos, hasta unos cientos de milisegundos, en el caso de generadores
rotatorios. La figura 1.50 muestra el diagrama en bloque de un sistema de control clásico
que tiene un PI de velocidad en cascada con un PI de corriente considerando la dinámica
del actuador
1.4 Circuitos de control híbridos (Electrónicos - electromecánicos)
La microelectrónica híbrida es una tecnología de encapsulado e interconexión para
combinar dos o más dispositivos semiconductores en un mismo substrato de interconexión,
típicamente para crear una función eléctrica específica. Un circuito híbrido puede ser una
mezcla de tecnología SMT, tecnología ASIC, tecnología de circuitos flexibles, etc. Pero el
concepto de circuito híbrido se ha convertido gradualmente en sinónimo de circuitos en los
que una de las tecnologías es tecnología de lámina gruesa (thick film) o de lámina delgada
(thin film). En las tecnologías de lámina gruesa o lámina delgada, las pistas, resistencias y
condensadores se imprimen sobre un substrato cerámico y posteriormente se someten a
un proceso térmico denominado quemado (firing) a alta temperatura. Cuando estos circuitos
se combinan con SMT, tenemos lo que normalmente se conoce por circuito híbrido.
El microcircuito híbrido podrá ser encapsulado en metal, material cerámico o plástico,
recubierto con una lámina protectora o podrá no necesitar ningún tipo de encapsulado. Los
circuitos híbridos podrán insertarse en circuitos impresos como un componente más.
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Prácticamente al mismo tiempo que tuvo lugar el desarrollo de los circuitos integrados,
apareció otra nueva tecnología, orientada también hacia la miniaturización de los circuitos
convencionales, pero con unas reglas bastantes diferenciadas. Los circuitos integrados
monolíticos se caracterizan por tener todos sus componentes asociados e interconectados
entre sí de una forma totalmente inseparable, mientras que el producto obtenido de la
tecnología mencionada o circuito híbrido, combina la integración de una serie de
componentes pasivos (resistencias y condensadores) con otros componentes discretos,
aunque de pequeño tamaño, que se encuentran micro encapsulados.
VENTAJAS DE LOS CIRCUITOS HÍBRIDOS
Ventajas sobre los PCB (THT/SMT)
CALIDAD.
Los circuitos híbridos se someten a corte por láser, ofreciendo menores tolerancias en
componentes.
FIABILIDAD.
Los circuitos híbridos se testean como componentes independientes, por lo que son más
fiables que los circuitos tradicionales hechos con componentes discretos. Las resistencias
ya no tienen soldaduras ya que están depositadas sobre el substrato, los circuitos trabajan
a menor temperatura, por lo que la esperanza de vida aumenta.
COSTES.
En general los circuitos híbridos son más baratos que los circuitos convencionales:
- Un único componente a comprar en vez de muchos.
- Inventario reducido- Inspección de entrada menor- Montaje más sencillo, por lo que se
reducen los costes asociados
- Menor número de rechazos por el aumento de fiabilidad
- Necesidades reducidas de mano de obra para montaje y administración
-Miniaturización. Con respecto a los PCB THT se puede alcanzar una reducción de tamaño
de 50%-65%.
GESTIÓN TÉRMICA.
La lámina gruesa cerámica extrae el calor de los circuitos permitiendo una mayor densidad,
mayor fiabilidad y operación a menor temperatura.
ALTA TENSIÓN.
Protección de tecnología. Un circuito híbrido es mucho más difícil de copiar que otro
tradicional, por lo que la inversión en tecnología que se realice estará más protegida.
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