UNIVERSIDAD AUTNOMA
FACULTAD
DISEO
DE
DE INGENIERA
DE
NUEVO LEN
MECNICA
SISTEMAS ELECTRNICOS
ELCTRICA
DE
POTENCIA
ACTIVIDADES
M.C. FERNANDO TREVIO MARTNEZ
ALUMNA: WENDY LIZETH TAPIA LPEZ
MATRCULA: 1594863 HORA. M4 (LMV)
CD. UNIVERSITARIA
31
DE
MAYO
DE
2016
1.1
APLICACIONES DE LA ELECTRNICA DE POTENCIA.
En la electrnica de potencia se combinan la potencia, la electrnica y el
control. El control tiene que ver con las caractersticas de estado estable y
dinmicas de sistemas de lazo cerrado. La potencia tiene que ver con el equipo
esttico y rotatorio para la generacin, transmisin y distribucin de la energa
elctrica. La electrnica tiene que ver con los dispositivos y circuitos de estado
slido para el procesamiento de seales que cumplan con los objetivos
deseados en el control. La electrnica de potencia se puede definir como las
aplicaciones de la electrnica de estado slido para el control y la conversin
de la 'energa elctrica.
La electrnica de potencia se basa principalmente en la conmutacin de
dispositivos semiconductores de potencia. Con el desarrollo de la tecnologa de
los semiconductores de potencia. Las capacidades de manejo de potencia y la
rapidez de conmutacin de los dispositivos de potencia va mejorado en forma
considerable. El desarrollo de los microprocesadores y la tecnologa de las
microcomputadoras tiene un gran impacto sobre el control y la sintetizacin de
la estrategia de control para los dispositivos semiconductores de potencia. El
equipo moderno de electrnica de potencia emplea 1) semiconductores de
potencia que se pueden considerar como el msculo, y 2) la microelectrnica,
que tiene el poder y la inteligencia de un cerebro.
1.1.1 Historia de la electrnica de potencia.
La historia de la electrnica de potencia se inicia en 1900 con la introduccin
del rectificador de arco de mercurio.
La primera revolucin electrnica comenz en 1948, con la invencin del
transistor de silicio en los Bell Telephone Laboratories, por Bardeen, Brartain y
Schockley. La mayor parte de las tecnologas modernas de electrnica
avanzada se pueden rastrear a partir de ese invento. La microelectrnica
moderna ha evolucionado a travs de los aos a partir de los semiconductores
de silicio. El siguiente adelanto, en 1956, tambin fue logrado en los Bell
Laboratories, o sea la invencin del transistor de disparo PNPN, que se defini
como tiristor, o rectificador controlado de silicio (SCR). La segunda revolucin
electrnica comenz en 1958, con el desarrollo del tiristor comercial, por la
General Electric Company. Fue el principio de una nueva era de la electrnica
de potencia.
La revolucin microelectrnica nos permiti tener la capacidad de procesar una
cantidad gigantesca de informacin con una rapidez increble. La revolucin en
la electrnica de potencia nos est permitiendo conformar y controlar grandes
cantidades de potencia con una eficiencia siempre creciente.
1.2 DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES DE POTENCIA
Desde que se desarroll el primer tiristor de SCR a finales de 1957. Ha habido
progresos impresionantes en los dispositivos semiconductores de potencia.
Los dispositivos de carburo de silicio todava estn en desarrollo, y la mayor
parte de Jos dispositivos se fabrican con silicio. Estos dispositivos se pueden
dividir en forma general en tres clases: 1) diodos de potencia, 2) transistores y
3) tiristores. Tambin se pueden dividir en general en cinco tipos: 1) diodos de
potencia, 2) tiristores, 3) transistores de unin bipolar (BJT). 4) transistores de
efecto de campo de xido de metal semiconductor (MOSFET) y 5) transistores
bipolares de compuerta aislada (IGBT) y transistores de induccin esttica
(SIT).
1.2.1 Diodos de potencia
Un diodo tiene dos terminales: un ctodo y un nodo. Los diodos de potencia
son de tres tipos: de propsito general, de alta velocidad (o recuperacin
rpida), y de Schottky.
Los diodos de propsito general, o de aplicacin general, se consiguen hasta
para 6000 V y 4500 A, y la capacidad de los diodos de recuperacin rpida
puede llegar hasta 6000 V y 1100 A. El tiempo de recuperacin inversa vara
entre 0.1 y 5 S. Los diodos de recuperacin rpida son esenciales para una
conmutacin de alta frecuencia de los convertidores de potencia. Los diodos de
Schottky tienen bajo voltaje de estado activo (o de conduccin) y un tiempo de
recuperacin muy pequeo, de nanosegundos, en forma caracterstica. La
corriente de fuga, o corriente de prdida, aumenta al subir la capacidad de
voltaje, y sus capacidades se limitan a 100 V. 300 A.
1.2.2 Tristores
Un tiristor tiene tres terminales: un nodo, un ctodo y una compuerta. Cuando
se hace pasar una corriente pequea por la terminal de la compuerta, hacia el
ctodo, el tiristor conduce siempre que la terminal del nodo tenga mayor
potencial que el ctodo. Los tiristores se pueden dividir en once tipos: a) tiristor
conmutado forzado, b) tiristor conmutado por lnea, e) tiristor de abertura de
compuerta (GTO) d) tiristor de conduccin inversa (RCT), e) tiristor de
induccin esttica (SITH), f) tiristor de abertura de compuerta asistida (GATI),
g) rectificador foto activado controlado de silicio (LASCR), h) tiristor abierto por
MOS (MTO), i) tiristor abierto por emisor (ETO), j) tiristor conmutado por
compuerta integrada (IGCT) y k) tiristores controlados por MOS (MCT).
1.2.3 Transistores de Potencia
Los transistores de potencia son de cuatro clases.
1) BJT. Los transistores bipolares de alta potencia se suelen usar en
convertidores de potencia con frecuencias menores que 10 kHz y se aplican
bien en capacidades hasta de 1200 V y 400 A.
2) MOSFET de potencia. Los MOSFET de potencia se usan en convertidores de
potencia y se consiguen con capacidades relativamente bajas de potencia de
1000 V y 100 A, en un intervalo de frecuencia de varias decenas de kilohertz.
3) IGBT. Los IGBT son transistores de potencia de voltaje controlado. En forma
inherente son ms rpidos que los BJT pero no tan rpidos como los MOSFET.
4) SIT. Un SIT es un dispositivo de alta potencia y alta frecuencia. En esencia es
la versin del tubo de vaco triado, en estado slido y se parece a un transistor
de unin de efecto de campo (JFET). Tiene posibilidades de poco ruido, poca
distorsin y alta potencia en alta audio frecuencia.
1.3 CARACTERSTICAS
POTENCIA
DE
CONTROL
DE
LOS
DISPOSITIVOS
DE
Los dispositivos semiconductores de potencia se pueden trabajar como
conmutadores, aplicando seales de control a la terminal de compuerta de los
tiristores (y a la base de los transistores bipolares). La salida necesaria se
obtiene haciendo variar el tiempo de conduccin de estos dispositivos de
conmutacin.
Cuando un dispositivo semiconductor de potencia se encuentra en modo de
conduccin normal, hay una cada de voltaje pequea a travs de l.
Los dispositivos semiconductores de potencia se pueden clasificar con base en:
l. Cerrado y abertura no controlado (por ejemplo. diodo).
2. Cerrado controlado y abertura no controlada (por ejemplo SCR).
3. Caractersticas controladas de cerrado y abertura (por ejemplo BJT. MOSFET.
GTO. SITH, IGBT, SIT. MCT). 4. Necesidad de seal continua en compuerta (BJT,
MOSFET, IGBT, SIT).
5. Necesidad de impulso en compuerta (por ejemplo SCR, GTO, MCT).
6. Capacidad de resistencia a voltaje bipolar (SCR, GTO).
7. Capacidad de resistencia a voltaje bipolar (BJT, MOSFET, GTO, IGBT, MCT).
8. Capacidad de corriente bidireccional (TRIAC, RCT).
9. Capacidad de corriente unidireccional (SCR, GTO, BJT, MOSFET, MCT, IGBT,
SITH, SIT, diodo).
1.4 CARACTERSTICAS Y ESPECIFICACIONES DE LOS INTERRUPTORES
Hay muchas clases de dispositivos conmutadores de potencia. Sin embargo,
cada uno tiene sus ventajas y desventajas, y es adecuado para aplicaciones
especficas.
1.4.1 Caractersticas ideales
l. En el estado cerrado, cuando el interruptor est cerrado, debe tener a) la
capacidad ele conducir una gran corriente directa
b) una cada de voltaje baja en estado cerrado,
una baja resistencia en estado cerrado,
IF
que tienda al infinito:
V ON , que tienda a cero, y e)
RON , que tienda a cero.
2. En el estado abierto, cuando el interruptor est abierto, debe tener a) la
capacidad de resistir un voltaje alto, directo o inverso,
infinito; b) una haja corriente de fuga
I OFF
V BR , que tienda al
en estado abierto que tiende a
cero, y e) una gran resistencia en estado abierto,
POFF
que tienda a infinito.
3. Durante el proceso de cerrado y abertura, se debe cerrar y abrir en forma
instantnea, de modo que pueda funcionar con altas frecuencias. As, debe
tener a) tiempo corto de demora td que tienda a cero; b) tiempo corto de
subida tf que tienda a cero; c) tiempo corto de almacenamiento t g que tienda a
cero y d) tiempo corto de cada tf que tienda a cero.
4. Para el cerrado y la abertura debe necesitar a) poca potencia de activacin
de compuerta PG que tienda a cero; b) un bajo voltaje de activacin de
compuerta VG que tienda a cero, y e) una corriente pequea de Activacin de
compuerta IG que tienda a cero.
1.4.2 Caractersticas de los dispositivos prcticos
Durante el proceso de cerrado y abertura, un dispositivo prctico de
conmutacin, requiere un tiempo de demora (t d) un tiempo de subida (tr),
tiempo de almacenamiento (ts) y tiempo de bajada (tf) finitos.
La prdida promedio de potencia en la conduccin, P ENC, se determina con
La prdida de potencia por conmutacin que resulta, P SW, durante los perodos
de cerrado y abertura se determina con:
En consecuencia, la disipacin de potencia en un dispositivo de conmutacin se
determina con:
1.4.3 Especificaciones de interruptor
Capacidades de voltaje: voltajes pico repetitivos directo e inverso y cada de
voltaje directo en estado cerrado.
Capacidades de corriente: corrientes promedio, raz cuadrtica media (rms), de
pico repetitivo, de pico no repetitivo y de fuga en estado abierto.
Velocidad o frecuencia de interrupcin: transicin de un estado totalmente no
conductor hasta un estado totalmente conductor (cerrado), y de uno
totalmente conductor a uno totalmente no conductor (abertura); son
parmetros muy importantes. El perodo T S y la frecuencia fS de interrupcin se
definen por:
Capacidad de di/dt: el dispositivo necesita un tiempo mnimo para que toda su
superficie conductora intervenga para conducir toda la corriente.
Capacidad dv/dt: un dispositivo semiconductor tiene una capacitancia interna
en la unin, CJ.
Prdidas por conmutacin: durante el cerrado, la corriente directa aumenta
antes de que el voltaje directo baje, y durante la abertura, el voltaje directo
aumenta antes de que la corriente baje.
Requisitos de activacin de compuerta: el voltaje y la corriente de excitacin
de compuerta son parmetros importantes para encender y apagar un
dispositivo.
rea de operacin segura (SOA, de sus siglas en ingls Safe Operating Area): la
cantidad de calor generada en el dispositivo es proporcional a la prdida de
potencia; es decir, al producto del voltaje por la corriente.
I2t para proteccin con fusible: se necesita este parmetro para seleccionar el
fusible. La I2t del dispositivo debe ser menor que la del fusible, para que el
dispositivo quede protegido cuando hay condiciones de corriente de falla.
Temperaturas: las temperaturas mximas de unin, caja y almacenamiento son
normalmente entre 150 C y 200 C para la unin y la caja, y de -50 C hasta
175 C para el almacenamiento.
Resistencia trmica: resistencia trmica entre unin y caja Q JC; resistencia
trmica entre caja y radiador, QCS y resistencia trmica entre radiador y
ambiente QSA. La disipacin de potencia debe ser rpida desde la oblea interna,
a travs del paquete y finalmente hacia el medio de enfriamiento.
1.4.4 Opciones de dispositivo
Para aplicaciones de alta potencia en la red de 50 a 60 Hz. los tiristores de
control de fase y los bidireccionales son las opciones ms econmicas. Los
COOLMOS y los IGBT son los reemplazos potenciales de MOSFET y BJT,
respectivamente, en aplicaciones en potencias intermedias. Los GTO y los IGCT
son ms adecuados para aplicaciones de grao potencia donde se requiera una
conmutacin forzada. Con los continuos avances de la tecnologa. los IGBT se
emplean cada vez ms en aplicaciones de grandes potencias, y los MCT
pueden encontrar aplicaciones potenciales donde se requieran voltajes
bidireccionales de bloqueo.
1.5 TIPOS DE CIRCUITOS ELECTRNICOS DE POTENCIA
Los circuitos electrnicos de potencia se pueden clasificar en seis tipos:
L Rectificadores de diodo. Un circuito rectificador de diodo convierte el voltaje
de ca en un voltaje fijo de cd
2. Convertidores de ca-cd (rectificadores controlados). El valor promedio del
voltaje de salida v0 se puede controlar variando el t1empo de conducc1n de
los tiristores, o el ngulo a de retardo de disparo. La entrada podra ser una
fuente monofsica o trifsica. Estos convertidores se llaman tambin
rectificadores controlados.
3. Convertidores de ca-ca (controladores de voltaje de ca). Estos convertidores
se usan para obtener un voltaje variable de ca, V 0, con una fuente fija de ca y
un convertidor monofsico con un TRIAC.
4. Convertidores de cd-cd (convertidores de cd). Un convertidor de cd a cd se
llama tambin recortador de picos, o regulador de conmutacin
5. Convertidores de cd-ca (inversores). A un convertidor de cd a ca se le llama
tambin inversor.
6. Interruptores estticos. Ya que los dispositivos de potencia se pueden bacer
trabajar como interruptores estticos o contactares, el suministro a ellos podra
ser de ca o de cd, y los dispositivos se llaman interruptores estticos de ca o
interruptores de cd.
1.6 DISEO DE EQUIPO DE ELECTRNICA DE POTENCIA
El diseo de un equipo de electrnica de potencia se puede dividir en cuatro
partes:
l. Diseo de los circuitos de potencia.
2. Proteccin de los dispositivos de potencia.
3. Determinacin de la estrategia de control
4. Diseo de los circuitos lgicos y de compuerta
1.7 DETERMINACIN DEL VALOR CUADRTICO MEDIO DE LAS FORMAS
DE ONDA
Las formas de onda de corriente casi nunca son senoides o rectngulos
sencillos. y eso puede ocasionar algunos problemas para calcular los valores
rms. El valor rms de una forma de onda i(t) se puede calcular como sigue:
el valor rms de la forma de onda se puede calcular con la ecuacin:
1.8 EFECTOS PERIFERICOS
El funcionamiento de los convertidores de potencia se basan principalmente en
la conmutacin de dispositivos semiconductores de potencia, y en
consecuencia, esos convertidores introducen armnicas de corriente y voltaje
en el sistema de suministro y en la salida de los convertidores. Esas armnicas
pueden causar problemas de distorsin del voltaje de salida, generacin de
armnicas en el sistema de suministro e interferencia con los circuitos de
comunicacin y sealizacin. En el caso normal es necesario instalar filtros a la
entrada y la salida del sistema convertidor para reducir el valor de las
armnicas basta una magnitud aceptable.
1.9 MDULOS DE POTENCIA
Los dispositivos de potencia se consiguen como unidades aisladas o como
mdulos. Con frecuencia, un convertidor de potencia requiere dos, cuatro o seis
dispositivos, dependiendo de su topologa. Los mdulos de potencia con
mdulos duales (en configuracin de semipuente) o cuadrete (en puente total)
o sxtuples (en tres fases) se consiguen para casi todas las clases de
dispositivos de potencia. Los mdulos tienen la ventaja de menos prdidas en
estado cerrado, buenas caractersticas de conmutacin de alto voltaje y
corriente, y mayor velocidad que las de los dispositivos convencionales.
1.10 MDULOS INTELIGENTES
Se consiguen en el comercio circuito de excitacin de compuerta, para
controlar dispositivos o mdulos individuales. Los mdulos inteligentes en
electrnica de potencia muy avanzada, integran el mdulo de potencia y el
circuito perifrico.
