Diskussion:P-n-Übergang

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Ender erster Abschnitt, Energiewall

Es wird ein Energiewall erklärt, der auf den unmittelbaren Übergangsbereich begrenzt ist. Eigentlich müssten Elektronen in der gesamten n-Zone höhere Energie haben als in der p-Zone weil sie in der n-Zone weiter vom Kern entfernt sind.

80.147.240.228 09:36, 3. Jan. 2017 (CET)

Zitat: "entgegengesetzter Dotierung"

Es muß natürlich unterschiedlicher Dotierung heißen. Edgar Wollenweber79.204.161.23 18:31, 31. Dez. 2019 (CET)

Das denke ich nicht, unterschiedlich wäre die Dortierung auch wenn es unterschiedlich stark dotiert wäre, aber die gleichen Majoritätsladungsträger hätte, also z.B. eine n und n++-Schicht. -- Cepheiden (Diskussion) 22:13, 1. Jan. 2020 (CET)

Das stimmt! Ist aber für eine Einführung deutlich zu "hoch" angesetzt. Edgar Wollenweber79.204.161.195 09:53, 8. Jan. 2020 (CET)

Nunja, das entgegensetzte Dotierungen benötigt werden, wird ja schon in der Einleitung geklärt. Ich denke nicht, dass es zu kompliziert ist. "Unterschiedliche" wäre hingegen leider nicht korrekt. Können wir es so lassen? -- Cepheiden (Diskussion) 21:03, 9. Jan. 2020 (CET)

Fermi-Niveau

Das F-N führt zu einer Verformung des Valenzbandes. Das ist im Bild leider nicht zu erkennen. Insofern ist das Bild falsch. Edgar Wollenweber79.204.161.23 18:35, 31. Dez. 2019 (CET)

Hallo, das kommt daher, dass der Artikel derzeit keine Bandmodell-Grafik enthält. Das sollten wir verbessern. --Cepheiden (Diskussion) 22:13, 1. Jan. 2020 (CET) P.S. Den Teil-Graph zum elektrischen Potential würde ich noch nicht als Bandmodell verstehen. Auch wenn die Aussage ähnlich ist

Nun, genau das hatte ich erkannt. Dagegen ist nichts zu sagen, wenn man Fermi erst gar nicht erwähnt. DAs ist für Laien ohnehin verständlicher. Edgar Wollenweber79.204.161.195 09:51, 8. Jan. 2020 (CET)

Ich denke nicht, dass der richtige Weg ein Weglassen ist, vor allem weil es eine Ursache ist. Viel mehr sollten wir schauen, dass es omatauglich wird. --Cepheiden (Diskussion) 21:03, 9. Jan. 2020 (CET)

Bildunterschrift

"p-Seite ist hier stärker dotiert" - dann dürfte sich das E-Feld aber weniger weit in den p-Bereich ausdehnen, als in den n-Bereich. Wenn ich das Bild richtig verstehe, ist die p-Seite schwächer dotiert als der n-Bereich - oder?

--arilou (Diskussion) 09:09, 1. Apr. 2020 (CEST)

Gute Frage, da kann man sehr schnell mal durch einander kommen. Ich denke aber, dass müsste so richtig sein (also so wie in der Bildunterschrift beschrieben). Denn wenn die beiden Hälften "in Kontakt gebracht werden" bewegen sich die Elektronen von der n-dotierten Seite zu der p-dotierten Seite. Dort bindet dann ein Elektron an ein Akzeptorion. Dadurch lädt sich der Kontaktbereich (Raumladungszone/Space Charge Region --> SCR) der p-Seite negativ auf. Da ja aber p stärker dotiert ist als n, können mehr Elektronen von der n-Seite in den p-dotierten Bereich diffundieren (da ja auf der p Seite mehr Akzeptoren sind, an die sich die Elektronen binden können). Daher ist die SCR auf der rechten Seite breiter als auf der linken, aber auch flacher. Daraus ergibt sich dann das E-Feld.

Das E-Feld ist also nicht abhängig von der anfänglichen Dotierung, sondern von der durch den Diffusionsstrom verursachten SCR.

Ich hoffe ich habe alles richtig erklärt und das es verständlich ist (und das ich es selbst richtig verstanden habe). Falls nicht, weisst mich gerne darauf hin. --Der Leviathan (Diskussion) 11:38, 1. Apr. 2020 (CEST)

Sorry, mein Fehler. Hab' verwechselt, dass im Bild nicht die Dotierung(sstellen) als kleine '+' und '-' eingezeichnet sind, sondern die bereits gewanderten Ladungsträger. D.h. im p-dotierten Teil sind "zu viele" Elektronen, im n-dotierten dafür ein '+' -Überschuss (im Gleichgewichtstzustand).

Danke!

--arilou (Diskussion) 12:14, 1. Apr. 2020 (CEST)