Diskussion:P-n-Übergang

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Kenngrößen: Diffusionsspannung, Diffusionskapazität, Sperrschichtkapazität, Verarmungszone, Lawinendurchbruch --Jdiemer 12:24, 19. Sep 2004 (CEST)

Realisierung Löschen / (Quasi-)Ferminiveau? / Bilder

Ich finde, der Realisierungsteil gehört gelöscht. Wie man ein Material dotiert steht im Artikel Dotierung und muß hier nicht mehr getrennt erklärt werden. Da ich aber gerade die Hälfte aus dem Anfangsteil gelöscht habe.. habe ich ein schlechtes Gewissen und schreib es lieber in die Diskussion.

Ich vermisse in dem Artikel allerdings das Ferminiveau. Habe mal zwei neue Bilder als Vergleich danebengesetzt, ohne das alte Bild:Halbleiter2.PNG zu löschen. Finde es gut gemacht zum Veranschaulichen, aber es weicht sehr stark von Literatur ab (und ionisierte Dotieratome in der Bandlücke sind auch nicht so einwandfrei). Möchte auch den Übergang zum Drift-Diffusions-Modell führen. Darum auch die neuen Bilder. Mache Spannungs-Bilder auch noch, damits paßt. Umm.. Meinungen? Degreen 03:52, 18. Apr 2006 (CEST)

Diffusionsspannung

Stimmt das mit der Diffusionsspannung eigentlich? In der aktuellen Version steht: "Bestehen die Schichten aus Silizium beträgt die Diffusionsspannung ca. 0,6 bis 0,7 V" Habe noch eingefügt, daß das material- und dotierungsabhängig ist (bei geringer Dotierung ist die Spannung sicherlich nicht so hoch). Ich glaube aber ehrlichgesagt sowieso nicht an einen typischen Wert dafür. Hat den jemand irgendwo gelesen? Glaube, den Satz kann man sich schenken. Degreen 04:52, 9. Apr 2006 (CEST)

Zeichnungen

Die Zeichnungen sind zu 99,9 % falsch, also zur verbindung der zwei halbleiter - und wenns nicht falsch ist, dann gehörts dringend überarbeitet weils niemand versteht, der den text liest und die bilder dazu sieht!

mfg (Der vorstehende, nicht signierte Beitrag stammt von 91.11.91.138 (Diskussion • Beiträge) 21:44, 28. Apr. 2007 )

Naja, direkt falsch sind sie nicht. Aber unvollständig und damit werfen sie mehr fragen auf als sie beantworten. Und Text gibt's dazu faktisch noch nciht. --Cepheiden 11:00, 3. Apr. 2008 (CEST)

Ich bin auch der Meinung, dass sie falsch sind. Wer mitzudenken versucht stellt schnell fest, dass das so nicht geht. Ist eben ein Modell. Sind eben populärwissenschaftliche Beschreibungen aus Ingenieurbüchern und nicht aus der Physik. Umschreiben geht nicht mehr, der Widerstand wäre zu gross und die Diskussionen endlos. Aber die die es merken sollten sich nicht entmutigen lassen, sie sind auf dem richtigen Weg. ;-) --Nurbert 18:41, 3. Aug. 2010 (CEST)

Animierte Grafik

Hallo, ich halte die neu eingefügte Grafik DIFF nicht geeignet für den Artikel. Die Grafik ist zu wenig erklärend und wird quasi auch nicht erklärt, so dass ein Laie überhaupt nicht verstehen wird worum es in den "zappelden" Grafik geht. Wenn es keine guten Argumente gibt, werde ich das demnächst wieder löschen. --Cepheiden 09:50, 24. Apr. 2010 (CEST)

Hinweis zur Beschreibung

„Die nachfolgende Erklärung verwendet das, von William B. Shockley entwickelte, Modell zur vereinfachten mathematischen Behandlung und darf nicht unmittelbar als Beschreibung der tatsächlich auftretenden physikalischen Vorgänge aufgefasst werden. So bewegen sich keinesfalls real positiv geladene Ionen, oder "Löcher" durch den Festkörper-Kristall. Für die praktischen Berechnung sind daher auch einige Normierungen nötig. Für die detailierte, physikalische Behandlung werden die Werkzeuge der Quantenphysik benötigt, was hier aber zu weit führen würde.“

– 213.162.66.148: DIFF-Link

Ich habe den zitierten Abschnitt wieder entfernt, da ich nicht sehe, dass dieser Hinweis eine Verbesserung für den Artikel darstellt. Zunächst wird im Artikel nicht von Ionen gesprochen, sondern klar auf Löcher/Defektelektronen eingegangen. Ein solcher Hinweis sorgt erst dafür, dass diese Fehlannahme getroffen wird. Auch ein Hinweis auf "Werkzeuge der Quantenphysik" ist ohne Verweis auf eine Quelle in der dies behandelt wird sinnfrei. --Cepheiden 09:21, 20. Mai 2010 (CEST)