„Diskussion:P-n-Übergang“ – Versionsunterschied
Letzter Kommentar: vor 4 Jahren von Arilou in Abschnitt Bildunterschrift
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== Ender erster Abschnitt, Energiewall == |
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== Schlagwörter == |
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Folgende Schlagwörter sollten noch dazukommen: |
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Es wird ein Energiewall erklärt, der auf den unmittelbaren Übergangsbereich begrenzt ist. Eigentlich müssten Elektronen in der gesamten n-Zone höhere Energie haben als in der p-Zone weil sie in der n-Zone weiter vom Kern entfernt sind. |
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Kenngrößen: Diffusionsspannung, Diffusionskapazität, Sperrschichtkapazität, Verarmungszone, Lawinendurchbruch --[[Benutzer:Jdiemer|Jdiemer]] 12:24, 19. Sep 2004 (CEST) |
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[[Spezial:Beiträge/80.147.240.228|80.147.240.228]] 09:36, 3. Jan. 2017 (CET) |
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{{Erledigt|1=-- [[Benutzer:Cepheiden|Cepheiden]] 20:11, 3. Aug. 2010 (CEST)}} |
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== Zitat: "entgegengesetzter Dotierung" == |
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== Realisierung Löschen / (Quasi-)Ferminiveau? / Bilder == |
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Es muß natürlich unterschiedlicher Dotierung heißen. Edgar Wollenweber[[Spezial:Beiträge/79.204.161.23|79.204.161.23]] 18:31, 31. Dez. 2019 (CET) |
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Ich finde, der Realisierungsteil gehört gelöscht. Wie man ein Material dotiert steht im Artikel [[Dotierung]] und muß hier nicht mehr getrennt erklärt werden. Da ich aber gerade die Hälfte aus dem Anfangsteil gelöscht habe.. habe ich ein schlechtes Gewissen und schreib es lieber in die Diskussion. |
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: Das denke ich nicht, unterschiedlich wäre die Dortierung auch wenn es unterschiedlich stark dotiert wäre, aber die gleichen Majoritätsladungsträger hätte, also z.B. eine n und n++-Schicht. -- [[Benutzer:Cepheiden|Cepheiden]] ([[Benutzer Diskussion:Cepheiden|Diskussion]]) 22:13, 1. Jan. 2020 (CET) |
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Ich vermisse in dem Artikel allerdings das Ferminiveau. Habe mal zwei neue Bilder als Vergleich danebengesetzt, ohne das alte Bild:Halbleiter2.PNG zu löschen. Finde es gut gemacht zum Veranschaulichen, aber es weicht sehr stark von Literatur ab (und ionisierte Dotieratome in der Bandlücke sind auch nicht so einwandfrei). Möchte auch den Übergang zum Drift-Diffusions-Modell führen. Darum auch die neuen Bilder. Mache Spannungs-Bilder auch noch, damits paßt. Umm.. Meinungen? [[Benutzer:Degreen|Degreen]] 03:52, 18. Apr 2006 (CEST) |
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:: Das stimmt! Ist aber für eine Einführung deutlich zu "hoch" angesetzt. Edgar Wollenweber[[Spezial:Beiträge/79.204.161.195|79.204.161.195]] 09:53, 8. Jan. 2020 (CET) |
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::: Nunja, das entgegensetzte Dotierungen benötigt werden, wird ja schon in der Einleitung geklärt. Ich denke nicht, dass es zu kompliziert ist. "Unterschiedliche" wäre hingegen leider nicht korrekt. Können wir es so lassen? -- [[Benutzer:Cepheiden|Cepheiden]] ([[Benutzer Diskussion:Cepheiden|Diskussion]]) 21:03, 9. Jan. 2020 (CET) |
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== Fermi-Niveau == |
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Das F-N führt zu einer Verformung des Valenzbandes. Das ist im Bild leider nicht zu erkennen. Insofern ist das Bild falsch. Edgar Wollenweber[[Spezial:Beiträge/79.204.161.23|79.204.161.23]] 18:35, 31. Dez. 2019 (CET) |
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Stimmt das mit der Diffusionsspannung eigentlich? In der aktuellen Version steht: "Bestehen die Schichten aus Silizium beträgt die Diffusionsspannung ca. 0,6 bis 0,7 V" Habe noch eingefügt, daß das material- und dotierungsabhängig ist (bei geringer Dotierung ist die Spannung sicherlich nicht so hoch). Ich glaube aber ehrlichgesagt sowieso nicht an einen ''typischen Wert'' dafür. Hat den jemand irgendwo gelesen? Glaube, den Satz kann man sich schenken. [[Benutzer:Degreen|Degreen]] 04:52, 9. Apr 2006 (CEST) |
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: Hallo, das kommt daher, dass der Artikel derzeit keine Bandmodell-Grafik enthält. Das sollten wir verbessern. --[[Benutzer:Cepheiden|Cepheiden]] ([[Benutzer Diskussion:Cepheiden|Diskussion]]) 22:13, 1. Jan. 2020 (CET) P.S. Den Teil-Graph zum elektrischen Potential würde ich noch nicht als Bandmodell verstehen. Auch wenn die Aussage ähnlich ist |
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== Zeichnungen == |
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:: Nun, genau das hatte ich erkannt. Dagegen ist nichts zu sagen, wenn man Fermi erst gar nicht erwähnt. DAs ist für Laien ohnehin verständlicher. Edgar Wollenweber[[Spezial:Beiträge/79.204.161.195|79.204.161.195]] 09:51, 8. Jan. 2020 (CET) |
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Die Zeichnungen sind zu 99,9 % falsch, also zur verbindung der zwei halbleiter - und wenns nicht falsch ist, dann gehörts dringend überarbeitet weils niemand versteht, der den text liest und die bilder dazu sieht! |
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::: Ich denke nicht, dass der richtige Weg ein Weglassen ist, vor allem weil es eine Ursache ist. Viel mehr sollten wir schauen, dass es [[WP:Oma|omatauglich]] wird. --[[Benutzer:Cepheiden|Cepheiden]] ([[Benutzer Diskussion:Cepheiden|Diskussion]]) 21:03, 9. Jan. 2020 (CET) |
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== Bildunterschrift == |
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mfg |
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<small>(''Der vorstehende, nicht [[Hilfe:Signatur|signierte]] Beitrag stammt von'' [[Benutzer:91.11.91.138|91.11.91.138]] ([[Benutzer Diskussion:91.11.91.138|Diskussion]] • [[Spezial:Beiträge/91.11.91.138|Beiträge]]) 21:44, 28. Apr. 2007 (CEST)) </small> |
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"''p-Seite ist hier stärker dotiert''" - dann dürfte sich das E-Feld aber ''weniger weit'' in den p-Bereich ausdehnen, als in den n-Bereich. |
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:Naja, direkt falsch sind sie nicht. Aber unvollständig und damit werfen sie mehr fragen auf als sie beantworten. Und Text gibt's dazu faktisch noch nciht. --[[Benutzer:Cepheiden|Cepheiden]] 11:00, 3. Apr. 2008 (CEST) |
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Wenn ich das Bild richtig verstehe, ist die p-Seite <u>schwächer</u> dotiert als der n-Bereich - oder? |
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--[[Benutzer:Arilou|arilou]] ([[Benutzer Diskussion:Arilou|Diskussion]]) 09:09, 1. Apr. 2020 (CEST) |
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::Ich bin auch der Meinung, dass sie falsch sind. Wer mitzudenken versucht stellt schnell fest, dass das so nicht geht. Ist eben ein Modell. Sind eben populärwissenschaftliche Beschreibungen aus Ingenieurbüchern und nicht aus der Physik. Umschreiben geht nicht mehr, der Widerstand wäre zu gross und die Diskussionen endlos. Aber die die es merken sollten sich nicht entmutigen lassen, sie sind auf dem richtigen Weg. ;-) --[[Benutzer:Nurbert|Nurbert]] 18:41, 3. Aug. 2010 (CEST) |
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:Gute Frage, da kann man sehr schnell mal durch einander kommen. Ich denke aber, dass müsste so richtig sein (also so wie in der Bildunterschrift beschrieben). Denn wenn die beiden Hälften "in Kontakt gebracht werden" bewegen sich die Elektronen von der n-dotierten Seite zu der p-dotierten Seite. Dort bindet dann ein Elektron an ein Akzeptorion. Dadurch lädt sich der Kontaktbereich (Raumladungszone/Space Charge Region --> SCR) der p-Seite negativ auf. Da ja aber p stärker dotiert ist als n, können mehr Elektronen von der n-Seite in den p-dotierten Bereich diffundieren (da ja auf der p Seite mehr Akzeptoren sind, an die sich die Elektronen binden können). Daher ist die SCR auf der rechten Seite breiter als auf der linken, aber auch flacher. Daraus ergibt sich dann das E-Feld. |
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:Das E-Feld ist also nicht abhängig von der anfänglichen Dotierung, sondern von der durch den Diffusionsstrom verursachten SCR. |
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:Ich hoffe ich habe alles richtig erklärt und das es verständlich ist (und das ich es selbst richtig verstanden habe). Falls nicht, weisst mich gerne darauf hin. --[[Benutzer:Der Leviathan|Der Leviathan]] ([[Benutzer Diskussion:Der Leviathan|Diskussion]]) 11:38, 1. Apr. 2020 (CEST) |
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::Sorry, mein Fehler. Hab' verwechselt, dass im Bild nicht die Dotierung(sstellen) als kleine '+' und '-' eingezeichnet sind, sondern die bereits gewanderten Ladungsträger. D.h. im p-dotierten Teil sind "zu viele" Elektronen, im n-dotierten dafür ein '+' -Überschuss (im Gleichgewichtstzustand). |
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::: Wie sind denn die Abbildungen und Beschriebungen in der Physik? Bzw. wo sind die Unterschiede? Klär uns auf. --[[Benutzer:Cepheiden|Cepheiden]] 20:09, 3. Aug. 2010 (CEST) P.S. Einige der bilder sind auch nicht mehr im Artikel. beachte die Diskussion ist 2 Jahre alt |
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::Danke! |
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::--[[Benutzer:Arilou|arilou]] ([[Benutzer Diskussion:Arilou|Diskussion]]) 12:14, 1. Apr. 2020 (CEST) |
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::::Zum Glück hatten die in unserer Bücherei das Buch vom R.Müller (Siehe Artikel). Dort werden die Bilder aus dem Artikel nicht ein einziges Mal verwendet. Hingegen wird das Kristallgitter mit den Atomen und den Valenzelektronen aufgezeichnet. Auf S.25 ist dann auch in einer solchen Skizze die Modell-Position eines "Defektelektrons" markiert. Daraus wird sofort klar, dass es ein virtuelles Teilchen ist, also ein Modellanschauung, es ist real nicht vorhanden. Das Teilchen kann real daher auch nicht diffundieren. In der Modelldarstellung im Artikel wird eben ein virtuelles Teilchen eingezeichnet, dass dann im Modell eine Erklärung ermöglicht und zwar nur da. Im Text von R.Müller wird darauf auch hingewiesen, er nennt es ja auch "Konzept". Wenn man es weiss kann man es verstehen. Ich habe eher Probleme mit der Erklärung beim Bipolartransistor, die Erklärung dort ist überhaupt nicht mehr nachvollziehbar. --[[Benutzer:Nurbert|Nurbert]] 11:12, 4. Aug. 2010 (CEST) |
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::::: Ich kenn leider das Müller-Buch nicht, aber natürlich ist das Defektelekton Teil einer Modellvorstellung (so wie fast alles in der Physik, selbst die Existenz eines Teilchen wie das Elektron fassen einige Physiker als "Modell" auf. Egal). Jedem der mit dem Begriff Defektelektron hantiert, sollte klar sein, dass es sich dabei um eine Modellvorstellung handelt und welche annahmen dort getroffen werden. Das Modell ist allgemein akzeptiert und beschreibt soweit mir bekannt, die physikalischen Verhältnisse ausreichend gut. Auch bringt uns die Erkenntnis, dass es sich um eine Modellvorstellung, bezüglich der Abbildungen und der von dir erwähnten Beschreibung aus der Physik nicht weiter. Ich versteh auch nicht ganz, wie du zu der Überzeugung kommst, dass es sich bei der Modellerklärung mithilfe von Defektelektronen um eine "populärwissenschaftliche Beschreibungen aus Ingenieurbüchern" handelt. Zum einen findet sich diese Erklärung auch in allen mir bekannten Physikbüchern zu diesem Thema (sicher auch besser beschrieben als im Artikel, aber darum geht es nicht) zum anderen fehlt eine alternative Erklärung "aus der Physik" deinerseits. --[[Benutzer:Cepheiden|Cepheiden]] 13:43, 4. Aug. 2010 (CEST) P.S. Müller selbst ist Elektrotechniker |
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[[Datei:Schema - p-dotiertes Silicium.svg|thumb|p-Dotierung im Siliciumkristallgitter mit Aluminium]] |
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::::::Das Bild rechts zeigt die Sicht aus der Physik. Die "Fehlstelle" wird eben als Defektelektron bezeichnet. Tatsächlich fehlt aber elektrisch und physikalisch nichts, also rein virtuell nur im Gedankenmodell vorhanden. Das Modell hat eben nichts mit der Realität zu tun, auch wenn beim Rechnen richtige Resultate rauskommen. Auf Seite 72 beim Müller gibt es ein eigenes Kapitel "Löcherkonzept", in dem die Eigenschaften des virtuellen Teilchens berechnet werden (Es handelt sich nicht um ein Equivalent eines Positrons, andere virtuelle Masse). Wie wär es wenn der hier ganz unten erwähnte, rausgelöschte Abschnitt, am Ende des Artikels reinkäme, samt diesem Literaturverweis? Dann kann sich jeder selber über die realen Verhältnisse weiterbilden. --[[Benutzer:Nurbert|Nurbert]] 16:20, 4. Aug. 2010 (CEST) |
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::::::: Doch es fehlt ein Elektron, um das Molekülorbital in der Bindung Al-Si aufzufüllen. Dies Akzeptorstelle für ein Elektron ist kein Gedankenmodell sondern Realität. Energetisch liegt sie leicht oberhalb des Valenzbandes, was wichtig für den Leitungsmechanismus im p-dotierten Halbleiter ist. Das sich bei der Bewegung eines Defektelektrons stattdessen unzählige Elektronen bewegen äußert sich dann in der effektiven Masse des zur besseren Modellierung angenommen Defektelektrons. Und nochmal das Modell der Defektelektronen ist keine "populärwissenschaftliche Beschreibungen" irgendwelcher Ingenieure, die angeblich keine Ahnung haben, sondern das gängige Modell in der Festkörperphysik zur Erklärung von Vorgängen in Halbleitern. Wenn du dies weiterhin behauptest bitte ich dich nochmals alternative Beschreibungen vorzulegen und mir zu erklären warum dieses Modell von namenhaften Autoren (Physikern) wie Kittel, Ashcroft, Sah, Harten, usw. verwendet wird. Die Beschriebung unten habe ich gezielt rausgenommen, das sie noch weitere Fehlinterpretationen, wie sich bewegende Ionen mit in die Beschreibung einbringt. Einzig ein nochmaliger gezielter Hinweis was Defektelektronen sind, halte ich hier für sinnvoll. --[[Benutzer:Cepheiden|Cepheiden]] 16:44, 4. Aug. 2010 (CEST) P.S. Ich wäre in der Hinsicht mit der Bezeichnung [[virtuelles Teilchen]] vorsichtig. |
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::::::: Ich denke ich weiss jetzt wo du den Knopf hast. Du schreibst: '''das gängige Modell in der Festkörperphysik zur Erklärung von Vorgängen in Halbleitern''', das ist eben falsch. Korrekt müsstest du schreiben: '''das gängige Modell in der Festkörperphysik zur vereinfachten, mathematischen Beschreibung von Vorgängen in Halbleitern''', das ist der feine Unterschied. In den Modellbildern sind die Defektelektronen als positiv geladene Teilchen (also Ionen) eingezeichnet, tut mir wirklich leid, ist nicht zu übersehen. Im Gitterbild oben gibt es kein positiv geladenes Loch oder Teilchen der Kristall ist neutral, das Valenzelektron könnte dort aufgefüllt werden wird aber gar nicht benötigt, für was denn auch. Die sogenannte "Fehlstelle" ist keine, die Verbindung ist stabil, der Witz ist, dass die Valenzen der Atome in der Umgebung jetzt sehr leicht ionisiert werden können und der Kristall leitfähig wird, das ist das ganze Geheimnis. Wie du doch selber sagst, das (virtuelle) Teilchen ist der gedachte Ersatz für den bewegten Elektronenschwarm, eben zur Vereinfachung. --[[Benutzer:Nurbert|Nurbert]] 17:03, 4. Aug. 2010 (CEST) |
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:::::::: Haarspalterei hoch drei, Modelle dienen immer der vereinfachten Beschreibung. Und wie ich schon sagte alle Vorgänge in der Physik basieren auf Modellen und Theorien, was die Realität ist darüber kannst du dich ewig streiten. Auch die Bewegung eines Elektrons im Leiter oder Halbleiter ist nur ein Modell, das nicht besser ist als das der Defekelektronen. Und nein Defektelektronen sind keine positiv geladenen Ionen! Wenn dir das nicht klar ist, bitte ich dich dich darüber zu informieren was ein Ion ist. Und auch wenn ich mich wiederhole, mir fehlt immer noch deine "physikalische Beschreibung" des pn-Übergangs ohen Defekelektronen deinerseits und der Nachweis, dass das Modell der Defektelektronen falsch ist. --[[Benutzer:Cepheiden|Cepheiden]] 17:12, 4. Aug. 2010 (CEST) |
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::::::::: Tut mir wirklich leid, aber im Bild des Artikels sind runde, rote, positiv markierte Teilchen, genannt Defektelektronen, eingezeichnet und die gibt es im Teilchenzoo der Physiker eben nicht. Das wirst du zur Kenntnis nehmen müssen. Nach Stand der Physik ist das Modell also falsch. Ich verwehre dir die Verwendung des Modells ja gar nicht, ich wünsche nur eine Klarstellung im Artikel. Dass das Bild schlecht ist sind wir uns sowieso einig. --[[Benutzer:Nurbert|Nurbert]] 17:24, 4. Aug. 2010 (CEST) |
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:::::::::: Im Standardmodell gibt es viele [[Quasiteilchen]] nicht, die aber in vielen Bereichen der Physik zur Beschriebung von Vorgängen genutzt werden. Solange du mir nicht klar zeigst, dass die Modellvorstellung der Defektelektronen falsch ist und damit Fachautoren wie Kittel, Ashcroft, Sah, Harten, usw. offenbar seit Jahrzehnten Falschaussagen verbreiten bleibt das drin. Ein Hinweis, dass es sich bei dem Modell um eine Vereinfachung der Verhältnisse handelt (wie bei jedem Modell) ist in Ordnung, sollte aber spätestens damit klar sein, dass Defektelektronen eingeführt werden. Eine Überarbeitung kannst du gern vorschlagen, evtl erfahr ich dann endlcih was du unter der "physikalischen Beschreibung des pn-Übergangs" verstehst nach dem ich dich schon die ganze Zeit frage. --[[Benutzer:Cepheiden|Cepheiden]] 17:32, 4. Aug. 2010 (CEST) P.S. Ein Buch das von einem Wissenschaftsjournalisten herrausgeben wurde über das diverser Fachautoren der (Festkörper-)Physik zu stellen, kann ich als Beleg nicht akzeptieren. |
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:::::::::::Na also sind wir uns einig. Wer tut den Hinweis rein, machst du das? --[[Benutzer:Nurbert|Nurbert]] 17:47, 4. Aug. 2010 (CEST) |
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:::::::::::: Einig? Du sprichst die ganze Zeit davon, das Modell sei falsch. Dass du meinst wir müssen auf die Annahmen des Modells nochmals gezielt hinweisen, wurde nicht deutlich. --[[Benutzer:Cepheiden|Cepheiden]] 18:18, 4. Aug. 2010 (CEST) |
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::::::::::::: Du hast geschrieben: '''Ein Hinweis, dass es sich bei dem Modell um eine Vereinfachung der Verhältnisse handelt (wie bei jedem Modell) ist in Ordnung, sollte aber spätestens damit klar sein, dass Defektelektronen eingeführt werden.''' Also machen wir das, mehr wollte ich nicht. Die Defektelektronen werden mit diesem Hinweis erst eingeführt. Und dann kannst du sie im vereinfachenden Model weiterverwenden. Hiermit ist es def. deutlich gemacht. --[[Benutzer:Nurbert|Nurbert]] 22:45, 4. Aug. 2010 (CEST) |
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: Nichtsdestotrotz ist die Abbildung im Artikel unsauber, vor allem dass dort positive und negative Atomrümpfe in der RLZ dargestellt werden. --[[Benutzer:Cepheiden|Cepheiden]] 13:57, 4. Aug. 2010 (CEST) |
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::Richtig, die Atomrümpfe sollten ganz aus der Zeichnung raus. Bei [[Jean Pütz]] / Einführung in die Elektronik / sind die auch nicht im Bild drin. Wer mit dem Defektelektronenmodell arbeitet, braucht die auch gar nicht. Der Begriff Rekombination im mittleren Bild wird dadurch sogar in das Gegenteil verkehrt, weil eine Ionisation vorangegangen sein müsste. Werden die Rümpfe aber weggelassen, so spricht man im Modell von Rekombination der Elektronen und Defektelektronen. --[[Benutzer:Nurbert|Nurbert]] 16:06, 4. Aug. 2010 (CEST) |
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::: Jean Pütz <s>(meiner Meinung nach nicht der aus der hobbythek)</s>, ist nur ein Autor, der meiner Meinung nach nicht unbedingt zu den am häufigsten zitierten zählt. Es gibt ebenso Physikbücher, die dies so darstellen. Mit unsauber mein ich auch nicht zwangsläufig falsch, sondern durch die fehlende Legende in der Abbildung und der Trennung von beweglichen Ladungen und festen Ladungen, führt das bild leicht zu Falschinterpretationen. Denn die angeblich negativen Atomrümpfe im p-Gebiet sind ja erst nach der Rekombination von Akzeptorstelle (Defektelektron) und Elektron negativ geladen. und analog sind die Verhältnisse im n-Gebiet --[[Benutzer:Cepheiden|Cepheiden]] 16:59, 4. Aug. 2010 (CEST) |
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::::Siehste, jetzt bist du selber auf das falsche Bild reingefallen obwohl du es bemängelt hattest. Rekombination ist so zu verstehen, dass eine Neutralisation statt findet. Wenn nach der Rekombination ein Atom negativ aufgeladen ist, stimmt was mit der Nomenklatur nicht [[Rekombination_(Physik)#Rekombination_im_Halbleiter]]. --[[Benutzer:Nurbert|Nurbert]] 17:09, 4. Aug. 2010 (CEST) |
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::::: Wie bezeichnest du den Übergang eines Elektrons das aus eine Donatorstelle (über das Leitungsband eines Kristalls) zu einer Akzeptorstelle wandert? --[[Benutzer:Cepheiden|Cepheiden]] 17:14, 4. Aug. 2010 (CEST) |
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:::::: Die Loslösung von der Donatorstelle bezeichnet man in der Physik als Ionisation. Die Bewegung des Valenzelektrons zum Akzeptor (Also der gesammte Ablauf der Verschiebung des Ladungsschwerpunkts am PN-Übergang, das meintest du doch?) nennt man eine Chemische Reaktion. Ich weiss, klingt komisch in dem Zusammenhang, ist aber so. ;-) --[[Benutzer:Nurbert|Nurbert]] 17:31, 4. Aug. 2010 (CEST) |
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::::::: Ob eine "chemische Reaktion" darüber lässt sich streiten, eine Reaktion auf jedenfall. Ob der beschriebene Vorgang eine Rekombination ist kann man ebenfalls streiten, dies ist aber die gängige Beschreibung. Außerdem ist eine Rekombination (z.B. Elektron positives Ion) auch nur eine spezielle Reaktion. --[[Benutzer:Cepheiden|Cepheiden]] 17:39, 4. Aug. 2010 (CEST) |
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:::::::: Negativ, lies nochmals: [[Rekombination_(Physik)#Rekombination_im_Halbleiter]] --[[Benutzer:Nurbert|Nurbert]] 17:45, 4. Aug. 2010 (CEST) |
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::::::::: Wolltest du nicht zeigen, dass der Vorgang keine Rekombination ist? --[[Benutzer:Cepheiden|Cepheiden]] 18:18, 4. Aug. 2010 (CEST) |
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== Animierte Grafik == |
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Hallo, ich halte die neu eingefügte Grafik [http://de.wikipedia.org/w/index.php?title=P-n-%C3%9Cbergang&diff=73533526&oldid=73121793 DIFF] nicht geeignet für den Artikel. Die Grafik ist zu wenig erklärend und wird quasi auch nicht erklärt, so dass ein Laie überhaupt nicht verstehen wird worum es in den "zappelden" Grafik geht. Wenn es keine guten Argumente gibt, werde ich das demnächst wieder löschen. --[[Benutzer:Cepheiden|Cepheiden]] 09:50, 24. Apr. 2010 (CEST) |
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== Hinweis zur Beschreibung == |
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{{Zitat|Die nachfolgende Erklärung verwendet das, von [[William B. Shockley]] entwickelte, Modell zur vereinfachten mathematischen Behandlung und darf nicht unmittelbar als Beschreibung der tatsächlich auftretenden physikalischen Vorgänge aufgefasst werden. So bewegen sich keinesfalls real positiv geladene Ionen, oder "Löcher" durch den Festkörper-Kristall. Für die praktischen Berechnung sind daher auch einige Normierungen nötig. Für die detailierte, physikalische Behandlung werden die Werkzeuge der [[Quantenphysik]] benötigt, was hier aber zu weit führen würde.|Autor=213.162.66.148|Quelle=[http://de.wikipedia.org/w/index.php?title=P-n-%C3%9Cbergang&diff=74569319&oldid=73744386 DIFF-Link]}} |
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Ich habe den zitierten Abschnitt wieder entfernt, da ich nicht sehe, dass dieser Hinweis eine Verbesserung für den Artikel darstellt. Zunächst wird im Artikel nicht von Ionen gesprochen, sondern klar auf Löcher/Defektelektronen eingegangen. Ein solcher Hinweis sorgt erst dafür, dass diese Fehlannahme getroffen wird. Auch ein Hinweis auf "Werkzeuge der Quantenphysik" ist ohne Verweis auf eine Quelle in der dies behandelt wird sinnfrei. --[[Benutzer:Cepheiden|Cepheiden]] 09:21, 20. Mai 2010 (CEST) |
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Aktuelle Version vom 2. Januar 2024, 14:36 Uhr
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Ender erster Abschnitt, Energiewall
[Quelltext bearbeiten]Es wird ein Energiewall erklärt, der auf den unmittelbaren Übergangsbereich begrenzt ist. Eigentlich müssten Elektronen in der gesamten n-Zone höhere Energie haben als in der p-Zone weil sie in der n-Zone weiter vom Kern entfernt sind.
80.147.240.228 09:36, 3. Jan. 2017 (CET)
Zitat: "entgegengesetzter Dotierung"
[Quelltext bearbeiten]Es muß natürlich unterschiedlicher Dotierung heißen. Edgar Wollenweber79.204.161.23 18:31, 31. Dez. 2019 (CET)
- Das denke ich nicht, unterschiedlich wäre die Dortierung auch wenn es unterschiedlich stark dotiert wäre, aber die gleichen Majoritätsladungsträger hätte, also z.B. eine n und n++-Schicht. -- Cepheiden (Diskussion) 22:13, 1. Jan. 2020 (CET)
- Das stimmt! Ist aber für eine Einführung deutlich zu "hoch" angesetzt. Edgar Wollenweber79.204.161.195 09:53, 8. Jan. 2020 (CET)
- Nunja, das entgegensetzte Dotierungen benötigt werden, wird ja schon in der Einleitung geklärt. Ich denke nicht, dass es zu kompliziert ist. "Unterschiedliche" wäre hingegen leider nicht korrekt. Können wir es so lassen? -- Cepheiden (Diskussion) 21:03, 9. Jan. 2020 (CET)
- Das stimmt! Ist aber für eine Einführung deutlich zu "hoch" angesetzt. Edgar Wollenweber79.204.161.195 09:53, 8. Jan. 2020 (CET)
Fermi-Niveau
[Quelltext bearbeiten]Das F-N führt zu einer Verformung des Valenzbandes. Das ist im Bild leider nicht zu erkennen. Insofern ist das Bild falsch. Edgar Wollenweber79.204.161.23 18:35, 31. Dez. 2019 (CET)
- Hallo, das kommt daher, dass der Artikel derzeit keine Bandmodell-Grafik enthält. Das sollten wir verbessern. --Cepheiden (Diskussion) 22:13, 1. Jan. 2020 (CET) P.S. Den Teil-Graph zum elektrischen Potential würde ich noch nicht als Bandmodell verstehen. Auch wenn die Aussage ähnlich ist
- Nun, genau das hatte ich erkannt. Dagegen ist nichts zu sagen, wenn man Fermi erst gar nicht erwähnt. DAs ist für Laien ohnehin verständlicher. Edgar Wollenweber79.204.161.195 09:51, 8. Jan. 2020 (CET)
- Ich denke nicht, dass der richtige Weg ein Weglassen ist, vor allem weil es eine Ursache ist. Viel mehr sollten wir schauen, dass es omatauglich wird. --Cepheiden (Diskussion) 21:03, 9. Jan. 2020 (CET)
- Nun, genau das hatte ich erkannt. Dagegen ist nichts zu sagen, wenn man Fermi erst gar nicht erwähnt. DAs ist für Laien ohnehin verständlicher. Edgar Wollenweber79.204.161.195 09:51, 8. Jan. 2020 (CET)
Bildunterschrift
[Quelltext bearbeiten]"p-Seite ist hier stärker dotiert" - dann dürfte sich das E-Feld aber weniger weit in den p-Bereich ausdehnen, als in den n-Bereich. Wenn ich das Bild richtig verstehe, ist die p-Seite schwächer dotiert als der n-Bereich - oder?
--arilou (Diskussion) 09:09, 1. Apr. 2020 (CEST)
- Gute Frage, da kann man sehr schnell mal durch einander kommen. Ich denke aber, dass müsste so richtig sein (also so wie in der Bildunterschrift beschrieben). Denn wenn die beiden Hälften "in Kontakt gebracht werden" bewegen sich die Elektronen von der n-dotierten Seite zu der p-dotierten Seite. Dort bindet dann ein Elektron an ein Akzeptorion. Dadurch lädt sich der Kontaktbereich (Raumladungszone/Space Charge Region --> SCR) der p-Seite negativ auf. Da ja aber p stärker dotiert ist als n, können mehr Elektronen von der n-Seite in den p-dotierten Bereich diffundieren (da ja auf der p Seite mehr Akzeptoren sind, an die sich die Elektronen binden können). Daher ist die SCR auf der rechten Seite breiter als auf der linken, aber auch flacher. Daraus ergibt sich dann das E-Feld.
- Das E-Feld ist also nicht abhängig von der anfänglichen Dotierung, sondern von der durch den Diffusionsstrom verursachten SCR.
- Ich hoffe ich habe alles richtig erklärt und das es verständlich ist (und das ich es selbst richtig verstanden habe). Falls nicht, weisst mich gerne darauf hin. --Der Leviathan (Diskussion) 11:38, 1. Apr. 2020 (CEST)
- Sorry, mein Fehler. Hab' verwechselt, dass im Bild nicht die Dotierung(sstellen) als kleine '+' und '-' eingezeichnet sind, sondern die bereits gewanderten Ladungsträger. D.h. im p-dotierten Teil sind "zu viele" Elektronen, im n-dotierten dafür ein '+' -Überschuss (im Gleichgewichtstzustand).
- Danke!
- --arilou (Diskussion) 12:14, 1. Apr. 2020 (CEST)