DRAM

Principiálna schéma pamäťovej bunky DRAM. Poľom riadený tranzistor, ovládaný adresovým signálom, uzatvára obvod s pamäťovým kondenzátorom – pre čítanie, zápis alebo periodické obnovenie uloženej hodnoty.

Principiálna schéma DRAM pamäte s organizáciou 4×4 bity. V 4 riadkoch sú adresovateľné slová šírky 4 bity.

DRAM (z angl. Dynamic Random Access Memory) je typ pamäte s priamym prístupom, ktorá uchováva údaje v podobe elektrických nábojov na poli pamäťových kondenzátorov. Pamäťové kondenzátory sú v reálnych pamätiach tvorené parazitnými kapacitami riadiacich elektród poľom riadených tranzistorov (MOSFET), ktoré súčasne slúžia ako vybavovací prvok pamäťovej bunky.

Keďže pamäťový kondenzátor sa vplyvom zvodových prúdov postupne vybíja, vyžaduje dynamická pamäť pravidelné obnovovanie (angl. refresh), pozostávajúce z načítania a znovuzapísania hodnoty. Interval obnovy je spravidla v rádoch desiatok milisekúnd (JEDEC štandard vyžaduje pre SDRAM minimálnu retenciu 64 ms). Deštruktivne je tiež čítanie hodnoty z bunky, tzn. súčasťou operácie čítania je aj opätovný zápis prečítanej hodnoty.

Dynamické pamäte majú väčšiu hustotu integrácie na jeden zapamätaný bit – 1 tranzistor oproti 6 pri statickej pamäti (SRAM), čo umožňuje dosiahnuť nižšie náklady pri porovnateľnej kapacite. Na rozdiel od SRAM však majú kvôli potrebe obnovovania nezanedbateľnú spotrebu aj v prípade, keď sa k nim nepristupuje (nezapisuje ani nečíta).

Kvôli menšiemu (a tým lacnejšiemu) puzdru je u DRAM typicky multiplexovaná horná a dolná polovica adresnej zbernice, t. j. najprv sa privedie horná časť adresy, riadiacim signálom sa zapíše do vnútorného registra pamäte, potom sa privedením dolnej časti adresy vyberá alebo zapisuje priamo požadovaná informácia.

V praxi boli bežné DRAM nahradené synchrónnymi typmi SDRAM a DDR SDRAM.