TW201133133A

TW201133133A - Compound

Info

Publication number: TW201133133A
Application number: TW099139660A
Authority: TW
Inventors: Seiji Shinkai; Shuichi Haraguchi; Tomohiro Shiraki; Masashi Ogawa; Shuhei Nakatani; Kei Sakanoue; Osamu Goto; Hidenobu Kakimoto
Original assignee: Inst Of Systems Information Technologies And Nanotechnologies; Panasonic Corp; Sumitomo Chemical Co
Priority date: 2009-11-18
Filing date: 2010-11-18
Publication date: 2011-10-01
Also published as: WO2011062225A1; EP2502926A4; CN102712664B; CN102712664A; US9024053B2; TWI502276B; KR20130028042A; JP2011105655A; US20120330047A1; EP2502926B1; EP2502926A1

Description

201133133 六、發明說明：【發明所屬之技術領域] 本發明係關於將含有具親液性之基之化合物、與含有具撥液性之基之化合物藉由照射光使其進行二聚反應 (dimerization reaction)而得之化合物。更詳細而言，係關於將功能性薄膜進行圖案化時使用之前述化合物。【先前技術】於有機薄膜電晶體元件、有機薄膜太陽電池、有機EL 顯示器等領域中，探討研究許多的功能性薄膜。功能性薄膜係含有顯示各種各樣功能之材料，並且於半導體裝置中必需顯示該功能之，If料，以用㈣補功能所必需之精度配置，亦即騎微細圖案化之賴。經由㈣化而顯示之功能’舉例如配線、電極、絕緣層、發光層、電荷輸送

影或洗淨之步驟，情形。 '逛行_ ’T 义價形功能性有機薄膜時，有許多由柃’ 使該功能性有機薄膜之功能大.1 作為解決光微影法之問題之方法，提出將功能性薄賤 3 201133133 使用喷墨法或喷嘴法或是各種各樣之輥印刷法、例如柔版印刷或翻轉印刷等，於基板上直接進行圖案化之方法。此等印刷法由於一般使用濃度及黏度較低之印墨，因此印墨接觸轉印於基板後’正確地僅於必要區域形成功能性薄膜之方法，係有於欲形成功能性薄膜之區域之周圍設置用以防止印墨流動之隔壁之方法，於基板表面形成容納有印墨之親液性區域與未容納有印墨之撥液性區域之方法。已知一種於基板表面形成親液性區域與撥液性區域之方法，具體而言，於親液性薄膜之表面塗佈含氟矽烷偶合劑等撥液性物質而形成撥液性之薄膜，以波長未達 200nm之光對撥液性薄膜之一部分照射使該撥液性物質分解’接著除去分解物之方法。經由該方法所得之基板，僅在光照射部位成為親液性表面（專利文獻1)。此外，使用長波長之光之方法，可列舉如於親液性之基板上形成包含具有撥液性基之化合物及光聚合起始劑之撥液性組成物之薄膜，經由以光對該薄膜之一部分照射，使該撥液性之組成物聚合而不溶於溶媒，使用溶媒除去未聚合部分而將親液性區域進行圖案化之方法（專利文獻 2)。作為使用長波長之紫外線之方法，於親液性之層上形成含有氣化鈦等光觸媒之撥液性之薄膜，以光對該薄膜之一部分照射，使撥液性之薄膜分解而將親液性區域進行圖案化之方法（專利文獻3)。 [先則技術文獻] 4 322539 201133133 [專利文獻] [專利文獻1]日本特開2000-282240號公報 [專利文獻2]國際公開第2007-102487號 [專利文獻3]日本特開平11—344804號公報【發明内容】 (發明欲解決之課題）然而’照射波長未達200nm之光之方法係長時間照射高能量之光之方法，該方法有需要大規模設備、真空裝置、高能量光源等特別的裝置使製造成本提高之問題。此外，經由照射南能量之光’係使照射之層之基底層之特性降低。使用較長波長之光之方法，由於使用較低能量之光，因此可減少照射光之層之基底層之特性的降低，然而於撥液性組成物中含有光聚合起始劑，產生該光聚合起始劑之反應殘基使成膜於其上之功能性薄膜之特性降低之問題。使用較長波長之紫外線之方法，亦有光觸媒造成成膜於其上之功能性薄膜之特性降低之問題。 (解決課題之手段）亦即，本發明第一項提供一種化合物，係使：包含屬於具感光性之基並且可進行光二聚反應 (photodimerization reaction)之基之感光性基和具親液性之基之化合物（A)、與包含屬於具感光性之基並且可進行光二聚反應之基之感光性基和具撥液性之基之化合物 (B)，經由照射光進行二聚反應而得。本發明第二項提供如前述化合物，其中，化合物（A) 322539 5 201133133 中所含之感光性基係包含雙鍵或芳香族縮合環。本發明第三項提供如前述化合物，其中，化合物⑻ 中所含之感光性基係包含雙鍵或芳香族縮合環。 …本發明第四項提供如前述化合物，其中，化合物（A) 係式（1-1)所示之化合物，

式中’ 係各自獨立’表示氣原子或取代基；此外，任意 ^鄰ί 2個R 8亦可相互連結形成選自飽和烴環、不飽和烴環，、芳香族烴環及雜環之環，域環可具有取代基；然而，至〉1個^為具親液性之基；nl表示〇以上之整數）。本發月第五項提供如前述化合物，其中，化合物（A) 係式（1-2)所示之化合物，

Ra Ra :式中，『係各自獨立，表示氫原子或取代基』及1可相同亦可相異，表示-wv、-N(n_、+、_s_、 _S1(R )2~、'B(Ra)—或谓)傭）-;此外，任意相鄰之 322539 6 201133133 個Ra亦可相互連結形成選自飽和烴環、不飽和烴環、芳香族烴環及雜環之環，且該環可具有取代基；然而，至少1 _ 個Ra為具親液性之基；pi及ml係相同或相異，表示0以上之整數）。本發明第六項係提供如前述化合物，其中，具親液性之基為含有屬於周期表第4族、第5族、第6族、第13 族、第14族、第15族或第16族原子之基。本發明第七項提供如前述化合物，其中，具親液性之基係含有^夕原子之基。本發明第八項提供如前述化合物，其中，具親液性之基係式（1-3)所示基，

Ra1 / Si—Ra1

(式中，Z 表示-c(=o)o-、-oc(=o)-、-oc(=o)o-、-c(=o)-、 -N(RC)---C(=0)N(Rc)---N(Rc)C(=0)-、 -N(Rc)C(=0)N(Rc)---Ak-C(=0)0---Ak-0C(=0)-、 -Ak-0C(=0)0---Ak-C(=0)---Ak-N(RC)-、 -Ak-C(=0)N(Rc)---Ak-N(Rc)C(=0)-、 -Ak-N(Rc)C(=0)N(Rc)---0---S-或-Ak-，Ar1 表示（1+yl) 價之芳香族烴基或（1+yl)價之雜環基；Ak表示碳數1至12 之伸烷基，Ral表示氫原子、鹵原子、羥基、烷氧基或烷基；表示氫原子或取代基；當存在有複數個Re時，該等Re 322539 201133133 抑同亦可相異⑴表示Μι，χ1 1以上之整數；複數個之Ra丨可次1 yi表不數個Ak時，該等Ak可相同亦可相異)w/目異；當存在有複本發明第九項提供如前述化人係式(2,斤示之化合物，。物’其中，化合物⑻

(2-1 ) L式Λ係各自獨立，表示A料或取代基；此外任意相二T亦，相互連結，形成選自飽和烴環、不飽和烴衣方族經環及雜環之環，且該環可具有取代基；然而，至^ 1個Rb為具撥液性之基；心表示Q以上之整數）。本發月第十項&供如前述化合物，其中，化合物⑻ 係式（2-2)所示之化合物，

(式中’ Rb係各自獨立，表示氫原子或取代基；心及1可相同亦可相異，表示-C(Rb)2-、-N(Rb)-、-〇-、-S-、、-B(Rb)-或-C(Rb)=C(Rb)-;此外任意相鄰之 2 8 322539 201133133 個Rb亦可相互連結，形成選自飽和烴環、不飽和烴環、芳香族烴環及雜環之環，且該環可具有取代基；然而，至少 1個Rb為具撥液性之基；p2及m2係相同或相異，表示0 以上之整數）。本發明第十一項提供如前述化合物，其中，具撥液性之基係下述式所示之基，

(式中，Z 表示-C(=0)0-、-0C(=0)-、-0C(=0)0-、-C(=0)-、 -N(RC)---C(=0)N(Rc)---N(Rc)C(=0)_、 -N(Rc)C(=0)N(Rc)---Ak-C(=0)0---Ak-0C(=0)-、 -Ak-0C(=0)0---Ak-C(=0)---Ak-N(RC)-、 -Ak-C(=0)N〇〇---Ak-N(Rc)C(=0)- > -Ak-N(Rc)C(=0)N(Rc)---0---S-或-Ak-，Ak 表示碳數 1 至12之伸烷基，Re表示氫原子或取代基；當存在有複數個 Re時，該等Re可相同亦可相異；Ar2表示（Hy2)價之芳香族烴基或（l+y2)價之雜環基，Rbl表示含有氟原子之1價之有機基，t2表示0或1，χ2表示0或l，y2表示1以上之整數；當存在有複數個Rbl時，該等Rbl可相同亦可相異）。本發明第十二項提供如前述化合物，其中，具撥液性之基係下述式所示之基，

9 322539 201133133 C 式中，Ar2、Dbl 同的意義）。 ’具撥液性 ' Ak、t2、χ2、y2表示與前述相本發月第十三項提供如前述化合物，其中之基係下述式所示之基，〇

(式中，Ar、Ak、t2、X2、y2表示與前述相同的意義；κ 表示〇或-NR-;R表示烷基或芳基；k表示（或1，r表示〇至6之整數，s表示〇至16之整數；當存在有複數個k時’該等k可相同亦可相異；當存在有複數個r時，該等r可相同亦可相異；當存在有複數個s時，該等s可相同亦可相異）。 (發明之效果）本發明之化合物可用於在基板表面形成親液性區域與撥液性區域之方法。由於該方法可使用能量低之光，因而製造成本低，並且能抑制照射光之層之基底層之特性降低。此外，由於未使用光聚合起始劑及光觸媒，因而能抑制功能性薄膜之特性降低。【實施方式】 <用語之說明> 以下，說明本說明書中共通使用之用語。本說明書中，<Cm至Cn>(m、n為滿sm<n2正整數）等用語係表示隨此用語所記載之基之碳數為m至n。除非另有載明，取代基意指以下所示之函素、烷基、烧氧基、烧硫基、芳基、芳基氧基、芳基硫基、芳基烷基、 322539 10 201133133 芳基烷氧基、芳基烷硫基、芳基烯基、芳基炔基、丨價之雜環基、雜環硫基、胺基、矽烷基（sily1；)、醯基、醯氧基、亞胺殘基、酿胺基、酿亞胺（acid imide)基、叛基、經基、稀基、快基。鹵原子可列示如氟原子、氯原子、溴原子、及碘原子。烷基意指無取代之烷基及經函原子、胺基、巯基 (mercapto)等取代之烷基，包含直鏈狀烷基及環狀烷基（環烷基）兩者。烷基亦可具有分支。烷基之碳數通常為i至 20左右’以1至15左右為佳，以1至1〇左右為更佳。具體而言，列示如甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁基、第一丁基、第三丁基、戊基、己基、環己基、庚基、辛基、2-乙基己基、壬基、癸基、3, 7-二甲基辛基、月桂基、二氣曱基、五敗乙基、全氣丁基、全乳己基、全氣辛基、三氟丙基、十三氟_1，1，2, 2-四氫辛基、十七氟 -1，1，2, 2-四氫癸基、胺基丙基、胺基辛基、胺基癸基、巯基丙基、疏基辛基、疏基癸基等。C1至Π2烧基可列舉如曱基、乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁基、第二丁基、第三丁基、戊基、異戊基、己基、環己基、庚基、辛基、壬基、癸基、十二烧基等。烷氧基意指無取代之烷氧基及經齒原子、烷氧基等取代之烷氧基，包含直鏈狀烷氧基及環狀烷氧基（環烷氧基）兩者。烷氧基亦可具有分支。烷氧基之碳數通常為丨至2〇左右，以1至15左右為佳，以1至1〇左右為更佳。具體而言，列示如曱氧基、乙氧基、丙氧基、異丙氧基、丁氧 11 322539 201133133 基、異丁氧基、第二丁氧基、第三丁氧基、戊氧基、己氧基、環己氧基、庚氧基、辛氧基、2-乙基己氧基、壬氧基、癸氧基、3, 7-二曱基辛氧基、月桂氧基、三氟曱氧基、五氟乙氧基、全氟丁氧基、全氟己氧基、全氟辛氧基、甲氧基甲基氧基、2-曱氧基乙基氧基等。C1至C12烷氧基，可列舉如甲氧基、乙氧基、丙氧基、異丙氧基、丁氧基、異丁氧基、第三丁氧基、戊氧基、己氧基、環己氧基、庚氧基、辛氧基、2-乙基己氧基、壬氧基、癸氧基、3, 7-二甲基辛氧基、月桂氧基等^ 院硫基意指無取代之烧硫基及經函原子等取代之院硫基’包含直鏈狀烷硫基及環狀烷硫基（環烷硫基）兩者。燒硫基亦可具有分支。烷硫基之碳數通常為1至2〇左右，以1至15左右為佳，以1至1〇左右為更佳。具體而言，列不如甲硫基、乙硫基、丙硫基、異丙硫基、丁硫基、異丁硫基、第三丁硫基、戊硫基、己硫基、環己硫基、庚硫基、辛硫基、2-乙基己硫基、壬硫基、癸硫基、3, 7-二曱基辛硫基、月桂硫基、三氟甲硫基等。C1至⑽院硫基，可列舉如曱硫基、乙硫基、丙硫基、異丙硫基、丁硫基、，丁硫基、第Μ硫基、第三了硫基、錢基、己硫基、 =硫基、庚硫基、辛硫基、2_乙基己硫基、壬硫基、癸 ι土、3, 7-二甲基辛硫基、月桂硫基等。芳基係自芳香麵去除丨健構•香環之碳原子結，㈣絲叙u及經函原氧基、縣4取代之芳基。芳基亦包含具有苯環者、 322539 12 201133133 具有縮合環者、2個以上獨立之苯環或縮合環經由單鍵或2 價基’例如伸乙烯基等伸烯基而鍵結者。芳基之碳數通常為6至60左右，以7至48左右為佳，以7至30左右為更佳。芳基可列舉如苯基、C1至C12烷氧基苯基、C1至C12 烷基苯基、1-萘基、2-萘基、1-蒽基、2-蒽基、9-蒽基、五氟苯基等，以C1至C12烷氧基苯基、C1至C12烷基笨基為佳。 C1至C12烷氧基苯基，具體而言，可列舉如曱氧基苯基、乙氧基苯基、丙氧基苯基、異丙氧基苯基、丁氧基苯基、異丁氧基苯基、第二丁氧基苯基、第三丁氧基苯基、戊氧基苯基、己氧基苯基、環己氧基苯基、庚氧基苯基、辛氧基苯基、2-乙基己氧基苯基、壬氧基絲、癸氧基苯基、3, 7-二甲基辛氧基苯基、月桂氧基苯基等。 C1至C12烷基苯基，具體而言，可列舉如甲基苯基、乙基苯基、二甲基笨基、丙基苯基、三甲苯基（mesi加）、甲基乙基苯基、異丙基苯基、了絲基、異丁基苯基、第二I基苯基、第三丁基苯基、戊基苯基、異戊基苯基、己基苯基、庚絲基、辛基苯基、壬絲基、癸基苯基、十二烷基苯基等。芳基氧基意指無取代之芳基氧基及經齒原子、貌氧基院基等取代之芳基氧基。芳基氧基之碳數通常為6至 6〇左右’以7至48左右為佳，以7至30左右為更佳。A 具體例可列舉如苯氧基、至C12絲基苯減、C1至、 C12烧基苯氧基、卜萘純基、2_萘基氧基、五氟苯基氧 322539 13 201133133 基等，以Cl至C12烷氧基苯氧基、^至^以烷基苯氧基為佳。 C1至C12烷氧基苯氧基，具體而言，可列舉如甲氧基苯氧基、乙氧基苯氧基、丙氧絲祕、異丙氧基苯氧基、 y氧基苯氧基、異了氧基苯氧基、第y氧基苯氧基、第三:氧基苯氧基、戊氧基笨氧基、己氧基苯氧基、環己氧基苯氧基、庚氧基苯氧基、辛氧基苯氧基、2_乙基己氧基笨氧基、壬氧基苯氧基、癸氧基苯氧基、S R甲基辛氧基苯氧基、月桂氧基苯氧基等。 C1至C12烷基苯氧基，具體而言，可列舉如甲基苯氧基、乙基苯氧基、二甲基苯氧基、丙基苯氧基、13，卜三甲基苯氧基、甲基乙基苯氧基、異丙基苯氧基、丁基苯氧基、異丁基苯氧基、第二丁基苯氧基、第三丁基苯氧基、戊基苯氧基、異戊基苯氧基、己基苯氧基、庚基苯氧基、 ^基笨氧基、壬基笨氧基、癸絲氧基、十二絲笨氧基等。芳基硫基意指無取代之芳基硫基及經_原子、烷氧基、院基等取代之芳基硫基。芳基硫基之碳數通常6至 60左右’以7至48左右為佳，以7至3〇左右為更佳。具體而言，可列舉如苯硫基、C1至C12烷氧基苯硫基、^、至C12烷基笨硫基、卜萘基硫基、2_萘基硫基、五氟苯硫基等。爪芳基烷基意指無取代之芳基烷基及經_原子、烷氧基、烧基等取代之芳基烧基。芳基院基之碳數通常為7至 322539 14 201133133 60左右，以7至48左右為佳，以7至30左右為更佳。具體而言，可列舉如苯基-C1至C12烷基、C1至C12 烧氧基苯基-C1至C12烷基、C1至C12烷基苯基-C1至C12 烷基、卜萘基-C1至C12烷基、2-萘基-C1至C12烷基等。芳基烧氧基意指無取代之芳基烷氧基及經_原子、烷氧基、烧基等取代之芳基烷氧基。芳基烷氧基之碳數通常為7至60左右’以7至48左右為佳，以7至30左右為更佳。具體而言，可列舉如苯基-Cl至C12烷氧基、C1至C12 烧氧基苯基-C1至C12烷氧基、C1至C12烷基苯基-C1至 C12烧氧基、1-萘基-Ci至C12烷氧基、2-萘基-C1至C12 烷氧基等。芳基烧硫基意指無取代之芳基烷硫基及經齒原子、烷氧基、烧基等取代之芳基烷硫基。芳基烷硫基之碳數通常為7至60左右，以7至48左右為佳，以7至30左右為更佳。具體而言，可列舉如苯基-C1至C12烷硫基、C1至C12 烧氧基苯基-C1至C12烷硫基、C1至C12烷基苯基-C1至 C12统硫基、1-萘基至C12烷硫基、2-萘基-C1至C12 烷硫基等。芳基烯基意指無取代之芳基烯基及經函原子、烷氧基、烧基等取代之芳基烯基。芳基烯基之碳數通常為8至 60左右，以8至48左右為佳，以8至30左右為更佳。其具體例可列舉如苯基—C2至C12烯基、C1至C12烷氧基苯基-C2至C12烯基、C1至C12烷基苯基-C2至C12婦基、 1-萘基-C2至C12烯基、2-萘基-C2至C12烯基等，以C1 15 322539 201133133 至C12烷氧基苯基-C2至C12烯基、C2至C12烷基苯基-C2 至C12烯基為佳。 C2至C12烯基可列舉如乙烯基、1-丙烯基、2-丙烯基、 1_丁烯基、2-丁烯基、1-戊烯基、2-戊烯基、1-己烯基、 2-己烯基、1-辛烯基等。芳基炔基意指無取代之芳基炔基及經齒原子、烷氧基、烷基等取代之芳基炔基。芳基炔基之碳數通常為8至 60左右，以8至48左右為佳，以8至30左右為更佳。其具體例可列舉如苯基-C2至C12炔基、C1至C12烷氧基苯基-C2至C12炔基、C1至C12烷基苯基-C2至C12炔基、 1_萘基-C2至C12炔基、2-萘基-C2至C12炔基等，以C1 至C12烷氧基苯基-C2至C12炔基、C1至C12烷基苯基-C2 至C12炔基為佳。 C2至C12炔基可列舉如乙炔基、丨_丙炔基、2_丙炔基、 1- 丁炔基、2-丁炔基、1-戊炔基、2_戊炔基、卜己炔基、 2- 己炔基、1-辛炔基等。 1價之雜環基係自雜環式化合物去除丨個氫原子後餘留之原子團，意指無取代之丨價之雜環基及經烷基等取代基取代之1價之雜環基。丨價之雜環基之碳數不包括取代基之碳數，通常為3至60左右，以3至3〇左右為佳，以 3至20左右為更佳。此處之雜環式化合物係指具有環式構造之有機化合物中，構成環之元素不僅只有碳原子，亦包含氧原子、硫原子、氣原子、彻子、硼原子、梦原子、砸原子、碲原子“t原子㈣原子者。丨價之雜環基其中 322539 16 201133133 尤以1價之务香族雜環基為佳。1價之雜環基可列舉如嗟吩基（thienyl)、C1至C12烷基噻吩基、吡咯基、呋喃基、吡啶基、C1至C12烷基吡啶基、嗒畊基（pyridazinyl)、癌咬基、β比卩并基、二卩井基、η比洛咬基、定基、啥琳基、異喹啉基等，其中尤以噻吩基、C1至C12烷基噻吩基、吡啶基、C1至C12烷基吡啶基為佳。雜環硫基意指疏基之氫原子經1價之雜環基取代之基。雜環硫基可列舉如吡啶基硫基、嗒哄基硫基、喷咬基硫基、吼畊基硫基、三畊基硫基等雜芳基硫基等。胺基意指無取代之胺基及經選自烷基、芳基、芳基烧基及1價之雜環基當中1或2個取代基取代之胺基（以下亦稱取代胺基）。取代基亦可再具有取代基（以下亦有時稱為二次取代基）。取代胺基之碳數不包含二次取代基之碳數，通常為1至60左右，以2至48左右為佳，以2至40左右為更佳。取代胺基可列舉如曱基胺基、二甲基胺基、乙基胺基、二乙基胺基、丙基胺基、二丙基胺基、異丙基胺基、二異丙基胺基、丁基胺基、異丁基胺基、第二丁基胺基、第三丁基胺基、戊基胺基、己基胺基、庚基胺基、辛基胺基、2-乙基己基胺基、壬基胺基、癸棊胺基、3,7-二曱基辛基胺基、十二烷基胺基、環戊基胺基、二環戊基胺基、環己基胺基、二環己基胺基、二（三氟甲基）胺基、苯基胺基、二苯基胺基、C1至C12烷氧基笨基胺基、二（π至ci2 烷氧基苯基）胺基、C1至C12烷基苯基胺基、二（ci至C12 烧基苯基）胺基、1-萘基胺基、2-萘基胺基、五氣苯基胺基、 17 322539 201133133 吡啶基胺基、嗒畊基胺基、嘧啶基胺基、吡啡基胺基、三哄基胺基、苯基-C1至C12烷基胺基、C1至C12烷氧基笨基-C1至C12烷基胺基、二（C1至C12烷氧基苯基-C1至C12 烷基）胺基、C1至C12烷基苯基-C1至C12烷基胺基、二（ci 至C12烷基苯基-C1至C12烷基）胺基、1-萘基-C1至C12 烷基胺基、2-萘基-C1至C12烷基胺基等。矽烷基意指無取代之矽烷基及經選自烷基、芳基、芳基烷基及1價之雜環基當中1、2或3個取代基取代之矽燒基（以下亦稱為取代矽烷基）。取代基亦可具有二次取代基。取代矽烷基之碳數不包含二次取代基之碳數，通常為 1至60左右，以3至48左右為佳，以3至40左右為更佳。取代矽烷基可列舉如三甲基矽烷基、三乙基矽烷基、三丙基矽烷基、三-異丙基矽烷基、二曱基-異丙基矽烷基、二乙基-異丙基矽烷基、第三丁基矽烷基二.曱基矽烷基、戊基二曱基矽烷基、己基二甲基矽烷基、庚基二甲基矽烷基、辛基二甲基矽烷基、2-乙基己基-二甲基矽烷基、壬基二曱基矽烷基、癸基二曱基矽烷基、3, 7-二甲基辛基-二曱基矽烷基、十二烷基二曱基矽烷基、苯基-C1至C12烷基矽烷基、C1至C12烷氧基苯基-C1至C12烷基矽烷基、C1至C12 烷基苯基-C1至C12烷基矽烷基、1-萘基-C1至C12烷基矽烷基、2-萘基-C1至C12烷基矽烷基、苯基-C1至C12烷基二曱基矽烷基、三苯基矽烷基、三-對二曱苯基矽烷基、三笨甲基矽烷基、二苯基曱基矽烷基、第三丁基二苯基矽烷基、二甲基苯基矽烷基等。 18 322539 201133133 酿基思才曰無取代之酿基及經齒原子等取代之醯基。、-,基之碳數通常為j至2〇左右以2至W左右為佳，、2至16左右為更佳。醯基可列舉如曱醯基、乙醯基、丙醯基丁醯基、異丁醯基、三甲基乙醯基、苯曱醯基、三氟乙It基、五氟苯甲醯基等。醯氧基意指無取代之醯氧基及經齒原子等取代之酿氧基。酿氧基之碳數通常為1至20左右，以2至18左右為佳，以？ $ 1R 士左右為更佳。醯氧基可列舉如甲醯氧基、乙I氧基丙酿氧基、丁醯氧基、異丁醯氧基、三甲基乙酿氧基、苯甲醯氧基、三氟乙輯基、五IL笨甲醯氧基等。 2妝殘基思指由具有式：H-N=C<及式：-N=CH-當中至>、者所示構造之亞胺化合物將此構造中之1個氫原子去除後餘留之殘基。此種亞胺化合物可列舉如醛亞胺 (aldimine)、酮亞胺（ketimine)及與醛亞胺中之氮原子結合之氫原子經絲、絲、芳基妓、絲縣、芳基^ 基等取代之化合物。亞胺殘基之碳數通常為2至2〇左右，以2至18左右為佳，以2至16左右為更佳。亞胺殘基可列舉如通式：-CR，=N-R，’或通式：_N=C(R，，）2(式中，r，表示氫原子、隸、絲、芳基絲1基縣、芳基快基’R’’係相同或相異，表示絲、芳基、芳基院基、^基烯基、芳基炔基，然而，存在有2個R，，時，2個R，，相^ 結合成一體之2價之基，例如作為伸乙基、三亞曱美、四 =基、五亞曱基、六亞甲基等碳數2至18:伸燒二ζ 成％ )所示之基等。 322539 19 201133133 醯胺基意指無取代之醯胺基及經4原子等取代之醯胺基。酿胺基之碳數通吊為2至20左右’以2至18左右為佳，以2至16左右為更佳。醯胺基可列舉如曱醯胺基、乙醯胺基、丙醯胺基、丁醯胺基、苯甲醯胺基、三氣乙酿胺基、五氟苯甲醯胺基、二曱醯胺基、二乙醯胺基、二丙醯胺基、二丁醢胺基、二苯甲醯胺基、二'三氟乙醯胺基、二 -五氟苯曱醯胺基等。醢亞胺基意指自醯亞胺將結合於其氮原子之氣原子去除所得之殘基。醯亞胺基之碳數通常為4至20左右，以 4至18左右為佳，以4至16左右為更佳。羧基意指無取代之羧基及經烷基、芳基、芳基烧基、 1價之雜環基等取代基取代之羧基（以下亦稱為取代叛基）。取代基亦可具有二次取代基。取代鲮基之碳數不包含二次取代基之碳數’通常為1至60左右，以2至48左右為佳，以2至45左右為更佳。取代叛基可列舉如曱氧基幾基、乙氧基幾基、丙氧基幾基、異丙氧基幾_基、丁氧基幾基、異丁氧基羰基、第二丁氧基羰基、第三丁氧基羰基、戊氧基羰基、己氧基羰基、環己氧基羰基、庚氧基羰基、辛氧基羰基、2-乙基己氧基羰基、壬氧基羰基、癸氧基幾基、3, 7-二曱基辛氧基凝基、十二烧氧基数基、三氟甲氧基羰基、五氟乙氧基羰基、全氟丁氧基羰基、全氟己氧基羰基、全氟辛氧基羰基、苯氧基羰基、萘氧基羰基、^比啶氧基羰基等。 20 322539 201133133 x價之芳香族煙基意指自芳香族烴去除x個氫原子所形成之原子團，包含具有獨立之苯環或縮合環者。前述芳香族烴基中碳原子數通常為6炱60左右’以6至48為佳，以6至3G為較佳，以6至Μ為更佳。該碳原子數不包含取代基之碳原子數。芳香族煙基之具體例，例如若為2價之芳香族烴基（伸芳基），可列舉如I 4一伸苯基、h 3一伸苯基、1，2-伸苯基等無取代或取代之伸苯基；丨，4_萘二基 (naphthalenediyl)、1，5_萘二基、2’ 6_萘二基等無取代或取代之萘二基；1，4_蒽二基、L5—蒽二基、2’6_蒽二基、 9, 10-蒽二基等無取代或取代之慧二基；2, 7_菲二基等無取代或取代之菲二基；1，7-稠四苯二基（naPhthacenediyl)、 2, 8-稠四苯二基、5, 12-稠四苯二基等無取代或取代之稠四苯二基；2, 7-g二基、3, 6-S二基等無取代或取代之苐二基；1，6-芘二基、1，8-芘二基、2, 7_芘二基、4, 9-芘二基等無取代或取代之芘二基；3, 9-茈二基、3, 1〇·茈二基等無取代或取代之茈二基等，以無取代或取代之伸苯基、無取代或取代之第二基為佳。 X價之雜環基係自雜環式化合物去除X個氫原子後餘留之原子團，碳原子數通常為4至60左右，以4至30為佳，以6至12為特佳。該碳原子數不包含取代基之碳原子數。前述X價之雜環基之具體例，例如若為2價之雜環基，可列舉如2, 5-吡啶二基、2, 6-吡啶二基等無取代或取代之吼σ定二基；2, 5-°辜吩二基等無取代或取代之°塞吩一基’2, 5-咬喃二基等無取代或取代之咬喃二基；2, 6-喹淋一基等無 322539 21 201133133 ,s — 取代或取代之料二基;娜二基;=㈣二八等無取代或取代之異料二基，5,8_〇|4一土 rq—iyi)等無取代或取代之嗤料二基；4,7- 苯并[1，2,5]嘆Μ二基轉取代或取代之苯并[1，2,5]°塞 :唑二基4, 7-苯并噻唑二基等無取代或取代之苯并噻唑二基；2, 7-咔唑二基、3, 6"*咔唑二基等無取代或取代之咔唑二基；3, 7_啡噚畊二基（phenoxazinediyl)等無取代或取代之啡曙哄二基；3,7-*#^哄二基（Phenothiazinediyl) 等無取代或取代之啡°塞哄二基；2, 7_二苯并石夕雜環戊二稀二基（dibenzosilolediyl)等無取代或取代之二苯并矽雜瓖戊二烯二基等，以無取代或取代之苯并[丨，2, 5]嘆二°坐二基、無取代或取代之啡噚畊二基、無取代或取代之啡噻哄二基為佳。屬於具感光性之基並且可進行光二聚反應之基之感光性基’只要為能吸收由紫外線區域至可見光區域之光能量而引起二聚反應之官能基，則可無特別限定使用。必需吸收光能量之理由係因進行微細圖案化時，利用化合物之感光性（光官能性）之故。官能基所吸收之光能量為高能量時’光照射所需求之成本變高，此外’周邊之有機材料因曝露於局能量下而有產生劣化之可能性，因而不佳。官能基吸收之光較佳係波長200nm以上，更佳為200至380nm。此處所指之二聚係有機化合物之2個分子形成化學鍵。、纟之分子彼此可為相同亦可為相異。2個分子中之官能基彼此之化學構造亦可相同或相異。然而，該官能基 22 322539 201133133 車交佳為無須使用觸媒及起始劑等反應助劑而可產生光二聚反應之構造、以及其組合者。當接觸到反應助劑之殘基時，有可能使周邊之有機材料劣化。此等官能基較佳為使用含有具有可進行光二聚反應之雙鍵、或可進行光二聚反應部位之芳香族縮合環之基。其中’务香族縮合環基由於吸收較低能量之光而更適合使用。所使用之官能基較佳之具體例可列舉如具有桂皮酸酯構^^之基、具有查酮（chalcone)構造之基、具有笨乙稀基 °比咬陽離子（styryi pyridinium)構造之基、具有α -笨基馬來醯亞胺構造之基、蒽基、具有香豆素（coumarin)構造之基等。本發明中，具撥液性之基以及具親液性之基係相對意味所使用之用語。具撥液性之基只要其撥液性之程度較具親液性之基高即可。具撥液性之基係對由含有該基之化合物所構成之薄膜賦予撥液性。舉例而言，由含有具撥液性之基之化合物所構成之薄膜’較佳為當於表面形成有水系印墨之液 ^，並且，在由含找基之化錢㈣叙賴^ 之有機溶媒系印墨之液滴之接觸角為4〇β以上。膜賦=ί之基係對由含有該基之化合物所構成之薄所構成之薄膜。舉例而言，由含有具親液性之基之化合物為:ΪΓ其表面形成有機嶋印墨之作為化合物⑴，最適合使用式叫）所示化合物、式 322539 23 201133133 (1-2)所示化合物。 Ra Ra

(式中’ 係各自獨立，表示氫原子或取代基。此外，任立相鄰2個ir亦可相互連結形成選自飽和烴環思環、芳香族烴環及雜環當中且可具有取代基之環广然二至少1個Ra為具親液性之基。nl表示〇以上之整數）

(式中’ Ra係各自獨立，表示氫原子或取代基。1可相同亦可相異，表示-C(Ra)2---N(Ra)---〇---S-、 ~Si(Ra)2---B(Ra)-或-C〇〇=C(Ra)-。此外，任意相鄰 2 個Ra亦可相互連結形成選自飽和烴環、不飽和烴環、芳香族烴環及雜環當中且可具有取代基之環。然而，至少1個

Ra為具親液性之基。pi及ml係相同或相異，表示〇以上之整數）。

Ra較佳為烷基、烷氧基、芳基、芳基氧基、芳基烷基、芳基烷氧基、芳基烯基、芳基炔基、1價之雜環基、胺基、 24 322539 201133133 基、酿氧基、酿舱其厶甘 ^ 酸妝基、羧基、烯基、炔基、丙烯酸酯基。 nl較佳為〇至4。X〗輕蚀么IVT/Da、 enn2 _ ( )-。^0 -C〇〇2-、-N(Ra)_。pl較佳為〇至2。mi較佳為0至广式d-i)、式（1-2)所示化合物之具體例示，以下之化合物等。〜舉如

R8 Ra

R3 R3

具親液性之基中，較佳為含有铲所示之基。W2立 ” .¾指輕基、羧基、醯基、醯氧基、鹵甲醯基（意指式：、 322539 25

V 201133133 中，E表示齒原子）所示之基，較佳為式：_c(=〇)_cl所示之基及式：-C(=〇)-Br所示之基）、_原子、烷氧基、芳基氧基、芳基烷氧基、磷酸基（式：（恥)斤（=〇)-〇_所示之基）、具有磷酸酯構造之基（式：（1^0)斤（=0)_0_或式： (^0)(Η0)Ρ(=0)_0-(式中，R1表示燒基、芳基、芳基烧基、芳基烯基或芳基炔基）所示之基）、亞磷酸基（式：（h〇)2P__〇_ 所示之基）、具有亞填酸醋構造之基（式 =一鲁R、同前述)所示之基)、疏二. =方基硫基、絲絲基、雜環硫基、胺基等。其中以齒原子、烧氧基、顧基、縣或雜為較佳。具親=性之基，以含有屬於周期表第❻、第5族、第6私、第13族、第U族、第15 基為佳。屬於第4族、第5族、第第16族之原子之族、第15族i?笛μ & 、、、第13族、第14 屬於第4族之原子；釩原子、屬於第13族之原子屬於第14族之原子屬於第丨5族之原子矽原子、鍺斥早， ^ 于錯原子、锡原子、錯原子拿 W原子、神；^早 1 I馬工 ^ 銻原子、鉍原子拿氣原子、硫原子 w〜西原子、碲原子屬於第5族之原子;鉻原子、翻原子、=;原子等族之原子；子、銘原子、鎵原子、：原子等屬於第6 屬於第13族之原手；石…一一原子、鉈原子等針原子等屬於第16族之原子等:以；西原子、碲肩 :二:原;原:原:=原二= 原子〜一心為更=、= 322539 26 201133133 具親液性之基，以含有式（3)所示構造之基為佳，以由式（3)所示構造所構成之基為更佳。 _wi_Mi (W2) ν χ (Ra* ) u - ν i - i (3) (式中，M1表示屬於周期表第4族、第5族、第6族、第 13族、第14族或第15族之原子。W1表示2價之有機基。 W2表示與前述相同意思。Ra’表示烧基、烧氧基、羥基、鹵原子、稀基、快基、芳基、芳基烧基、芳基婦基或芳基炔基。vl為1以上（u-1)以下之整數。u表示M1之原子價。當存在有複數個W2時，該等可相同亦可相異。當存在有複數個Ra’時，該等可相同亦可相異）。式（3)中，Ra’表示烷基、烷氧基、羥基、鹵原子、芳基、芳基烧基、芳基稀基或芳基炔基，較佳為烧基、烧氧基、羥基、鹵原子、芳基或芳基烷基。Ra’所示之基亦可具有取代基。式（3)中，u表示M1之原子價。例如當M1為矽原子、鈦原子、鍅原子等時，u為4，當M1為硼原子、鋁原子等時，u為3。式（3)中，vl為1以上（u-Ι)以下之整數。較佳為2以上之整數，更佳為3以上之整數。具親液性之基之更佳態樣，可列舉如以下式所示之基0 27 322539 201133133

(式中，Z 表示-c(=o)o-、-oc(=o)-、-oc(=o)o-、-c(=o)-、 -N(RC)---C(=0)N(Rc)---N(Rc)C(=0)- > -N(Rc)C(=0)N(Rc)---Ak-C(=0)0---Ak-0C(=0)-、 -Ak-0C(=0)0---Ak-C(=0)-、-Ak-N(RC)--、 -Ak-C(=0)N(Rc)---Ak-N(Rc)C(=0)- > -Ak-N(Rc)C(=0)N(Rc)---0---S-或-Ak-，Ar1 表示（1+yl) 價之芳香族烴基或（1+yl)價之雜環基，Ak表示碳數1至12 之伸烷基，Ral表示氫原子、鹵原子、羥基、烷氧基或烷基， Re表示氫原子或取代基。當存在有複數個Re時，該等可相同亦可相異。tl表示0或1，xl表示0或1，yl表示1以上之整數。複數個Ral可相同亦可相異。當存在有複數個 Ak時，該等可相同亦可相異）。

Ral較佳為羥基、烷氧基、鹵原子。Ak較佳為碳數1 至 6 之伸烧基。Z 較佳為-C(=0)0-、-〇C(=0)-、-C(=0)-、 -N(RC)---C(=0)N(Rc)---N(Rc)C(=0)---0---Ak-。xl 較佳為1。yl較佳為1至3。含有具親液性之基之化合物之具體例示，可列舉如以下之化合物等。 28 322539 201133133

』一<CH2>3-Si(OEt)3

一(CH2)3-Si(OB)3

-iCH2)rSi(OEt)3 29 322539 201133133

Η —Ν—(CH2)3~SMe2〇

30 322539 201133133

Si(OE()3 31 322539 201133133

作為化合物（B)，適合使用式（2-1)所示化合物、式 (2-2)所示化合物。

^式中’ 係各自獨立，表示氫原子或取代基。此外任意 —2個R亦可相互連結，形成選自飽和烴環、不飽和烴考煙環及雜環當中且可具有取代基之環。然而，至為具撥液性之基^ n2表示〇以上之整數）。 322539 32 201133133 此外，亦適用具有下述式所示之部分構造（2_幻者。

(式中，R係各自獨立，表示氫原子或取代基。&及匕可相同亦可相異，表示一c(Rb)2_、一N(Rb)一一〇---、 /(R)2 B(R )-或-C(Rb)=C(Rb)_ ;此外任意相鄰 2 個 R亦可相互連結，形成選自飽和烴環、不飽和烴環、芳香，烴環及雜環當中且可具有取代基之環。然而，至少⑽

Rb為具撥液性之基。P2及m2係相同或相異，表示〇以上之整數）。 “ Μ交佳為烧基、烧氧基、芳基、芳基氧基、芳基燒基、芳基院氧基、芳基婦基、芳基炔基、1價之雜環基、胺基、醯基、酿氧基、醯胺基、縣、縣、炔基、丙騎酿基。 η2 較佳為〇至 4。χ2較佳為_c(Rb)2_、_N(Rb)—。 -C(R )2-、_N(Rb)_。p2 較佳為〇至 2。m2 較佳為〇至^ 气（2 1)式（2-2)所示化合物之具體例示，可列舉以下之化合物等。 322539 33 201133133

Rb Rb Rb Rb

作為具撥液性之基，例示如包含含有氟原子之以下構造之基。 (4) n3~Rl w在此’B表示氟以外之原子所構成之2價之基。此外， Κ表不含有氟原子之1價之有機基。 _n3表不〇至3之整數，當存在有複數個b時該等可 5、可相異B較佳為_0_、芳香族烴基、雜環基、炫基、 34 322539 201133133 或烷基氧基。具撥液性之基之較佳態樣可列舉如下述式所示之基

(式中 ’ Z 表不-C(=〇)〇…〇c(=〇)_、_〇c(=〇)〇_、 -N(R )- ' -C(-0)N(Rc)_ x -N(Rc)C(=〇)- > -N(r)C(=0)N(Rc)- . -Ak-C(=〇)〇- , «(=〇)-. -Ak-0C(=0)0- 、 -Ak-C(=〇)- 、 -Ak_N(RC)_ 、 -Ak-C(=0)N(Rc)- ^ ~Ak-N(Rc)C(=〇)- > —Ak—N(r)G(_(Re)-、♦、-S-或鲁，Ak 表示碳數 1 至12之佩基，IT表线原子絲代基。#存在 R時，該等可相同亦可相異。Ar2表示（1+y2)價之芳香族: 基或（Uy2)價之雜環基’rm表示含有氟原子之！價之有^ 基，t2表示0或W2表示〇或I，y2表示i以上之整數。當存在有複數個Rbl時’該等可相同亦可相異）。 0 具撥液性之基之較佳態樣可列舉如下述式所示之基。〇 '°*iAkHArifRb1)y2

Ak、t2、x2、y2表示與前述相同的意義） (式中，Ar2、R1 #含有氟原子之1價之有機基之Rbl係有機基Μ個以上氫原子經氟原子取代之基。特別是，有機基較佳為燒基、方基、芳紐基、絲烯基或芳基炔基，更佳Μ基。由撥液性之觀點來看，烷基之碳原子數以1至20個為佳，以 4至18個為較佳，以6至π個為更佳。 322539 35 201133133 由撥液性之觀點來看，Rbl中夕备店7 a '^氟原子數，以pbl 氟原子數除以Rbl中之氟原子數與Rbl中之 κ甲之之値（取代率）為50%以上為佳，以7〇%以上數之總和基外’特別是’由撥液性之觀點來看’當有機基為基& 以其全部之氫原子經氟原子取代，亦即全氟燒義=土 Β’ ’ Ar2較佳為伸苯基、苯三基、苯四基、萘二武# 萘四基、蒽二基、蒽四基、葬二基、第三基。

t2較佳為1。x2較佳為1。y2較佳為1至5 ^ 具撥液性之基之更佳態樣玎列舉如下述式所示之A

一-。+士胸4CF2“L (式中，Ar2、Ak、t2、x2、y2表示與前述相同的专'義。κ 表示-〇-、、-NH-或-NR-。R表示烧基或芳基。k表示〇或1 ’r表示〇至6之整數，s表示〇至16之整數。♦存在有複數個k時，該等可相同亦可相異。當存在有複數個 r時’該等可相同亦可相異。當存在有複數個3時，該等可相同亦可相異）。 K較佳為-0-、-S-、-NR-。k較佳為1。r較佳為〇至 3 ° s較佳為1至1〇。含有具撥液性之基之化合物之具體例示，可列舉如以下之化合物等。 322539 36 201133133

ο C-〇-CHiCF2)lO〇F3

〇-(CH^-(CF2)7CF3

Ο —{CH^ - (C F^tCFj 〇-(CH2)3-(CF2)7CF3 <>-«>^2)3-(Ci：2)7CF3

(C H2 & *~(CF 2)7^^3

37 322539 201133133

38 322539 201133133

本發明中，使化合物（A)與化合物（b)進行二聚反應之方法係藉由光照射。光照射中所使用之光，只要為可使該化合物吸收其光能量而引起二聚反應之波長區域則無特別限定。舉例而言較佳為2〇〇nm以上且380nm以下之波長之光°由於未達200nm之光具有非常強大之能量，因此恐怕會弓丨起基板或化合物之分解。此外波長較38〇nm長之光，可能成為該化合物無法吸收之區域之光。照射時間係對應光之波長、光之強度、光源之種類、該化合物之種類等而適當變更。光源可列舉如低壓水銀燈、高壓水銀燈、超高壓水銀燈、氙氣燈、鈉燈、氮氣等之氣體雷射、有機色素溶液之液體雷射、無機單結晶中包含稀土離子之固體雷射等。此 39 322539 201133133 外，可獲得單色光之雷射以外之光源，亦可使用藉由使用帶通遽波器（band pass filter)、截止渡波器（cutoff f i 11 e r)等光學濾波器將寬頻之線光譜、連續光譜所取出特定波長之光。由於可一次照射大面積，因此光源以高壓水銀燈或超高壓水銀燈為佳。本發明中，藉由將化合物（A)與化合物（B)經由照射光而使其進行二聚反應之方法所形成之化合物之一態樣，可列舉如經由飽和之環狀構造或不飽和之環狀構造而結合之化合物。經由飽和之環狀構造或不飽和之環狀構造而結合之化合物，可列舉如經環烷烴構造、環烯烴構造或環二烯烴（cycloalkadiene)構造而結合之化合物等。本發明之具體例示可列舉如以下之化合物等。

(式中，RA係源自化合物（A)之基，RB係源自化合物（B)之基） 40 322539 201133133

(式中，Ra、Rb表示與前述相同的意義。） 41 322539 201133133

(式中，Ra、Rb表示與前述相同的意義。）於以下說明將本發明之化合物用於經由照射光而將親液性區域與撥液性區域進行圖案化之方法。首先，將附有破璃、IT0(銦錫氧化物）之基板、矽晶圓等基板，使用一般之濕式洗淨/乾式洗淨法洗淨。接著，將化合物（Α)簡於有機關之歸㈣於該純上。所使 2溶媒只要為可溶解化合物（Α)者則無制限定，較佳為己:等等醇類、乙酸乙酿、乙酸丁醋等酯類、己坑仏類、甲本及二甲苯等芳香族類。溶之濃度較佳為〇.(Μ至50重量°物⑴ 置乃更佳為〇.〗至1〇重量％。 322539 42 201133133 ^之方法並無特別限定，可採用旋轉塗佈、浸潰塗㈣、刮刀塗佈、缝料塗佈、或者噴墨及柔接。ί等各種印刷方法等方法。塗佈以在室溫下進行為氣、=者’在基板ΐ將形成有膜之基材於大氣中、或氮氣 ρ加熱乾：ϋ由此加熱錢，#基 =:並^化合物⑴具錢切之基且具錢生作=謂欽 A: I或者魏偶合劑作狀基時，該基與基板上之0Η 土反應，將化合物（Α)固定於基板上。將基板加熱乾燥後’塗佈化合物（Α)，於形成有膜之只=將化合物⑻轉於__之料。岐狀溶媒 ·、、'可溶解化合物（Β)者則無特別限定，較佳為甲醇、乙 _異^㈣類、乙酸乙自旨、乙酸了料㈣、己烧等子之、'容It及—甲本等芳香族類，其中尤以使用具有氟原 50重t! 溶液中化合物⑻之遠度較佳為請至夏量％，更佳為0.1至10重量％。隨後^塗佈化合物⑻後’使基材於氮氣氣流巾加熱乾燥，光照射。光照射所使狀光如前所述。光照射以行域。藉域方法，可僅麵表面之所期望形成Γ起光二聚反應，可得到親液性區域與撥液性區域择，2期望之圖案之處理基板。光照射之環境可任意選、4==氣體環境:進行先照射為隹。惰性哪如選自魏、職、絲、二氧化碳等當中之贤’以能低價取得之氮氣為最佳。遣行光照射後，將存在於基材表面之未反應之化合物 322539 43 201133133 (B)除去 ^ .. / 法較佳為以可溶解未反應之化合物（B) 之溶媒洗淨為佳。淡1 .,.. 爭所使用之溶媒，只要為不溶解化合好可/合解4匕合物（B )者則無特別限定，然而以具有氟原子之溶媒為佳。 3/光照射之區域由於存在有化合物（A)與化合物 1聚而成之化合物’此區域因化合物（B)所具有之撥土之效果而顯示撥液性。另一方面，未進行光照射 ::域’由於經由洗淨而除去化合物(B)，成為化合物⑴ 結合於基板之_ ’不顯示撥液性，而相對成為親液性。一藉由使用本發明之化合物，無須使用大規模之裝置及光源可藉由光之照射而將親液性區域與撥液性區域進行圖案化。例如於該進行圖案化之面，經由縫隙塗佈法及噴麗法等塗佈功能性材料時，撥液性區域未塗佈溶液，僅於親液性區域保有溶液，因此乾燥後可得到功能性材料精緻地圖案化之薄膜。藉此所得之圖案化之功能性薄膜，可有效使用於有機薄膜電晶體元件、有機薄膜太陽電池、有機 EL顯示器等領域中。 (實施例）於以下列舉實施例以具體說明本發明’然而本發明並非限定此等。 (合成例1) (合成化合物1) 44 322539 201133133 201133133

化學式：C24H31N〇4Si 分子量：425.59 APS.DCC, HOBt,Et3N i 乾燥ch2ci2 οςο co2h π學式：C15Hi0〇2 分子量：222.24 (化合物1) 於200ml二口茄型燒瓶中倒入9〜蒽甲酸 (9-Anthracenecarboxilic acid)l. 〇g(4 5n]m〇1), DCC(N，N -一環己基碳二亞胺）〇. 93g (4. 5顧^〇ι)、^^(卜羥基苯并三唑）〇.6lg(4.5nm〇l)，進行脫氣氬氣置換。加入乾燥CH2C12(脫水二氯甲烧）36〇mi、aps(3-胺基丙基三曱氧基矽烷）1. 0g(4. 5mmol)、Et3N(三乙胺）〇. 45g(4. 5mmol) ’ 於室溫磁力攪拌24小時。由於藉由TLC(展開溶媒：氯仿）碟認到反應之進行而將反應停止，減壓餾除溶媒後，藉由管柱層析（矽膠，展開溶媒：氯仿）精製。收量為 360mg(0.85mm〇l、收率 20%)。 ΐ NMR (CDC10 : 5= 8.46 (s，1H)，8. 07 (d，2H)，7. 99 (d, 2H), 7.48 (m, 4H), 6. 42 (s, 1H), 3.75 (m, 6H), 1.90 (m, 2H), 1.25 (m, 2H), 1.12 (m, 9H), 0.77 (t, 2H) (合成例2) (合成化合物2-1；) 45 322539 201133133

化學式分子量：184Λ5

(化合物2—1 ) 於附有戴氏（Dimroth)管、中隔蓋（septum cover)之二口圓底燒瓶中加入沒食子酸甲酯268mg(1. 5丽〇1、 1· 〇eq.)、十七氟十一基碘 3· 〇g(〇· 51mm〇1、3 5eq. )、ι8_ 冠（crown)-6-醚 li5mg(0· 043mmol、0. 3eq.)、碳酸鉀 760mg’進行脫氣氬氣置換。加入脫水丙酮2〇mi回流3曰。藉由TLC(展開溶媒：己烷/乙酸乙酯=5/1)確認原料耗盡後’以蒸餾水洗淨，經由無水硫酸鈉乾燥後，減壓餾除溶媒。藉由再結晶（丙酮）進行精製。化合物2-1之收量為 2· 0g(l. 3mmol、收率 89%)。 ]H NMR (CDCh) : (5=7.28 (s, 2H), 4.11 (t, 3H), 4.05 (t, 2H), 3.89 (s, 3H), 2.33 (m, 6H), 2. 15 (m, 4H), 2.08 (m, 2H) (合成例3) (合成化合物2-2) 46 322539 201133133

於附有戴氏管、中隔蓋之三100ml三口圓底燒瓶中倒入氫化鋰鋁49. 5mg(l. 9mmol、2. Oeq.)進行脫氣氬氣置換。於其中加入脫水THF(四氫呋喃）l〇ml、化合物2-1 1. 5g(l· Ommol)並回流2小時。藉由TLC(展開溶媒：己烷/ 乙@文乙自曰_ 1 /1)確§忍原料耗盡後，減壓顧除溶媒。藉由再会士晶（丙酮）而進行精製。化合物2-2之收量為 1. 4g(0. 91mmol、收率 91%) 〇 Ή NMR (CDCh) ： (5= 6. 59 (s, 2H), 4.60 (d, 2H), 4 〇6 (t, 4H), 3. 97 (t, 2H), 2. 33 (m, 6H), 2. 15 (m, 4H), 2 08 (m, 2H) ’ ’ (合成例4) (合成化合物2) 322539 47 201133133

COO S0CI2 化學式：aj〇s 分子量：丨1以》7 0X3 乾燥 CH2CI2 ° Cl 化學式分子董

DMF 化學式：C,jIMK ：M0.63

cf3 化學式：CS#JIFi私务丰量：1740.76 (化合物2) 於附有戴氏冷卻管之100ml二口茄型燒瓶中加入9-蒽曱酸17. 3mg(0. 078mmol)進行脫氣氬氣置換。加入乾燥 CfhChC脫水二氣曱烷）5ml、DMF(N、N_二曱基甲醯胺） 50πα、亞硫醯氣I3mg(l6. 7mmol)置於室溫〇. 5小時，隨後回流4小時。攪拌後減壓濾除溶媒，加入化合物2-2 lOOmg (0· 065mmol)、脫水三氟甲苯i〇mi、吡啶〇. 5ml於室溫磁力攪拌24小時。反應後以蒸餾水洗淨，使用無水硫酸鈉使其乾燥並藉由再結晶（丙酮）而精製。化合物2之收量為 31mg(0.018mmol、收率 27%)。 (實施例1) 接著’說明有關實施例。首先，將玻璃基板依照以下順序洗淨。亦即以丙酮進行超音波洗淨3〇分鐘，隨後進行 15分鐘之UV臭氧洗淨。接著’將上述所得之化合物1溶解成相對於脫水二氯乙歸與脫水曱苯之等量混合溶媒為4mM之濃度。此化合物 1之溶液中，將洗淨完成之玻璃基板浸潰20分鐘。 48 322539 201133133 之後，將玻璃基板取出，藉由加熱板於大氣中，以110 °C、20分鐘之條件進行乾燥。乾燥後，使氯仿流過玻璃基板，除去過剩之化合物1，形成含有化合物1之膜。接著’將上述所得之化合物2溶解成相對於氣仿為lmM 之濃度。此化合物2之溶液中，使塗佈有化合物丨之基板次潰2 0分#里。後，將其取出並於大氣中使其自然乾燥，於含有化合物1之膜上形成含有化合物2之膜。之後，對含有化合物2之膜照射紫外線。紫外線照射係使用一般光源’將波長365nm之光以51mW/cm2之強度照射20分鐘。照射後，使三氟甲苯流過基板全體，除去未反應之化合物2。於光照射部，化合物1與化合物2進行光二聚反應，生成下述化合物。下述化合物因具有具撥液性之基，因此形成撥液性區域。

藉此所付之基板對於本甲之接觸角，使用接觸角測定器（Dataphysics公司製OCA-30)測定後結果為25度。 (實施例2) 首先，將玻璃基板依照以下順序洗淨。亦即以丙酮進行超音波洗淨30分鐘，隨後進行15分鐘之UV臭氧洗淨。 49 322539 201133133 接著，將上述所得之化合物1溶解成相對於脫水二氯乙烯與脫水曱苯之等量混合溶媒為4mM之濃度。於此化合物1之溶液中，將完成洗淨之玻璃基板浸潰20分鐘。隨後，取出玻璃基板，藉由加熱板於大氣中，以110 t、20分鐘之條件進行乾燥。乾燥後，使氣仿流過玻璃基板，除去過剩之化合物1，形成含有化合物1之膜。接著，將上述所得之化合物2溶解成相對於氯仿為lmM 之濃度。於此化合物2之溶液中，使塗佈有化合物1之基板浸潰20分鐘。之後，將其取出並於大氣中使其自然乾燥，於含有化合物1之膜上形成含有化合物2之膜。接著，使三氟甲苯流過基板全體，除去未反應之化合物2。未進行光照射時，除去含有化合物2之膜，由於該部分之表面存在有含有化合物1之膜，因此成為親液性區域。藉此所得之基板對於笨曱醚之接觸角，使用接觸角測定器（Dataphysics公司製OCA-30)測定後結果為5度。【圖式簡單說明】無【主要元件符號說明】無 50 322539

Claims

201133133 七、申請專利範圍： 1. 一種化合物，係使：包含屬於具感光性之基並且可進行光二聚反應之基之感光性基和具親液性之基的化合物 (A)、與包含屬於具感光性之基並且可進行光二聚反應之基之感光性基和具撥液性之基的化合物（B)，經由照射光進行二聚反應而得者。 2. 如申請專利範圍第1項所述之化合物，其中，化合物（a) 中所含之感光性基係包含雙鍵或芳香族縮合環。 3. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之化合物，其中，化合物（B)令所含之感光性基係包含雙鍵或芳香族縮合環。 4. 如申請專利範圍第1項至第3項中任一項所述之化合物’其中，化合物（A)係式（1-1)所示之化合物，

(式中，Ra係各自獨立，表示氫原子或取代基；此外，任意相鄰之2個Ra亦可相互連結形成選自飽和烴環、不飽和烴環、芳香族烴環及雜環之環，且該環可具有取代基；然而，至少1個Rag具親液性之基；nl表示〇以上之整數）。 5_如申請專利範圍第1項至第3項中任一項所述之化合物，其中，化合物（A)係式（1-2)所示之化合物， 1 322539 201133133

Ra Ra (式中’ Ra係各自獨立，表 B * _ /、虱原子或取代基；Y: 7相㈣1相異’表示讀)& - Si(Ra)2-、_B(Ra)-或—c(Ra) ^ m rir-Ti ^ * C(R )-;此外，任意相鄰個亦可相互連結形成選自飽和烴環、不飽和烴環、芳香族烴環及雜環之環，且該環可具有取代基；食 =’ 士少1個『為具親液性之基;p…1係相同或本異，表示0以上之整數）。 6.如申請專利範圍第！項至第5項中任一項所述之化合物，其中’具親液性之基係含有屬於周期表第4族、第 5族、第6族、第13族、第14族、第15族或第“族原子之基。 7.如申請專利範圍第6項所述之化合物，其中，具親液性之基係含有矽原子之基。如申請專利範圍第7項所述之化合物，其中，具親液性之基係式（1 _3)所示之基，

322539 201133133 (式中，Z 表示-C(=0)0---0C(=0)—oc(=o)o_、 -C(=0)-、-N(n-、-C(=0)N(Re)-、-N(Rc)C(=0)-、 -N(Rc)C(=0)N(Rc)---Ak-C(=0)0---Ak-0C(=0)-、 -Ak-0C(=0)0- 、 -Ak-C(=0)- 、 -Ak-N(RC)-、 -Ak-C(=0)N(Rc)- ' ~Ak-N(Rc)C(=0)- ' -Ak-N(Rc)C(=0)N(Re)-、-0-、-S-或-Ak-iAr1 表示（1+yl) 價之芳香族烴基或（1+yl)價之雜環基；Ak表示碳數1 至12之伸烷基；Ral表示氫原子、ii原子、羥基、烷氧基或烷基；Re表示氫原子或取代基；當存在有複數個 Re時，該等Re可相同亦可相異；tl表示0或1，xl表示0或1，yl表示1以上之整數；複數個之Ral可相同亦可相異；當存在有複數個Ak時，該等Ak可相同亦可相異）。 9.如申請專利範圍第1項至第8項中任一項所述之化合物，其中，化合物（B)係式（2-1)所示之化合物， Rb Rb

(式中，Rb係各自獨立，表示氫原子或取代基；此外任意相鄰之2個Rb亦可相互連結，形成選自飽和烴環、不飽和烴環、芳香族烴環及雜環之環，且該環可具有取代基；然而，至少1個Rb為具撥液性之基；n2表示0 3 322539 201133133 以上之整數）。 ίο.如申請專利範圍第i項至第8項中任一項所述之化合物，其中，化合物（B)係式（2-2)所示之化合物，〇

(式中，R係各自獨立，表示氫原子或取代基；心及L 可相同亦可相異，表示-C(Rb)2_、- N(Rb)_、L、 -Si(R V、-B(Rb)-或—c(Rb)=c(Rb)-;此外相鄰之妒亦可相互連結，形成選自飽和烴環、不飽和烴環、芳香族烴環及雜環之環，且該環可具有取代基；然而，至少^ 個Rb為具撥液性之基；p2及m2係相同或相異，表示〇以上之整數）。 11·如申請專利範圍第9項或第1〇項所述之化合物其中，具撥液性之基係下述式所示之基， (士(普 I (式中，Z 表示-C(=0)0-、-〇〇(=〇)-、-〇c(=〇)〇-、 -c(=0)---N(RC)---C(=0)N(Rc)---N(Rc)C(=0)- > -N(Rc)C〇0)N(Rc)-、-Ak-C〇0)〇-、-Ak-0C(=0)-、 -Ak-0C(=0)0- 、 -Ak-C(=0)- 、 -Ak-N(RC)-、 -Ak-C(=0)N(Rc)- > -Ak-N(Rc)C(=0)- ' 4 322539 201133133 -Ak-N(Rc)C(=0)N(Rc)---0---S-或-Ak- ; Ak 表示碳數 1至12之伸烷基，Re表示氫原子或取代基；當存在有複數個Re時，該等Re可相同亦可相異；Ar2表示（l+y2) 價之芳香族烴基或（l+y2)價之雜環基，Rbl表示含有氟原子之1價有機基；t2表示0或1 ; x2表示0或1，y2 表示1以上之整數；當存在有複數個Rbl時，該等Rbl 可相同亦可相異）。 12.如申請專利範圍第11項所述之化合物，其中，具撥液性之基係下述式所示之基，

(式中，Ar2、Rbl、Ak、t2、x2、y2表示與前述相同的意義）。 13.如申請專利範圍第12項所述之化合物，其中，具撥液性之基係下述式所示之基，

(式中，Ar2、Ak、t2、x2、y2表示與前述相同的意義； K表示-0_、-S-、-NH-或-NR- ; R表示烧基或芳基；k 表示0或l，r表示0至6之整數，s表示0至16之整數；當存在有複數個k時，該等k可相同亦可相異；當存在有複數個r時，該等r可相同亦可相異；當存在有複數個s時，該等s可相同亦可相異）。 5 322539 201133133 四、指定代表圖：本案無圖式 (一) 本案指定代表圖為：第（）圖。 (二) 本代表圖之元件符號簡單說明：五、本案若有化學式時，請揭示最能顯示發明特徵的化學式：本案無代表化學式 2 322539