201013281^ 28820twf. doc/n 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明是有關於一種晝素結構及其製造方法，且特別 是有關於’可增加儲存電容的晝素結構以及具有此畫素 結構的顯示面板與光電裝置及其製造方法。
【先前技術】 針對多媒體社會之急速進步，多半受惠於半導體元件 或顯不裝置的獅性進步。就顯示器而言，具有高晝質、 工間利用效率佳、低〉肖耗功率、無輻射等優越特性之薄膜 t 3¾ ^ 3¾ ^ ^ 1 (Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，TFT_LCD)已逐漸成為市場之主流。
薄，電晶體液晶顯示器(TFT_LCD)主要由薄膜電晶楚 ，列$色濾、光>{和液晶層所構成’其中薄膜電晶體陣歹I 疋由夕個陣列排列之薄膜電晶體以及與每—個薄膜電晶楚 對應配置之晝素電極(pixel elee福e)所喊。_膜電盖 體係用來作為液晶顯示單元的卩·元件。此外，為了抑制 個別的畫素單元，通常纽由掃触線(議声資^ fdateUne)以選取特定之晝素，並藉由提供適當的操作電 屢，以顯讀應此晝素之顯示資料。另外，習知晝素結 100中的儲存電容(stGrage capad㈣的結構如圖1所示，发 =接二共Λ電位的第一圖案化導電層110，透過接觸 ”旦素電極130電性連接之第二圖案化導電層 ’错由此兩導電層110、120以形成儲存電容。Θ 201013281 χ-, 1 28820twf.doc/n 在上迷傳統儲存雷交 電容量，最直觀的作法為===;存電容的 二圖案化導電層12〇的面第β圖案化導電層U〇與第 的面積會降低此畫素結構的開增加導電層H〇、U〇 【發明内容】 參
儲存電容單=積量二:用計’可將 容器1佔用的面積’進而增加ί素結構的開π率t儲存電 上述=供一種晝素結構的製造方法，其彻 構。本發明更提供—_示面板，其具有上述之晝素結 上、十、^^明再提供—種顯示面板的製造方法，其可製作出 上述之顯示面板。 柘甘月更提供一種光電裝置’其具有上述之顯示面 ^件其可將儲存電容單位面積的效率提升，進而使得 開口率加大。 本發明再提供-種上述之光電裝置的製造方法。 一本發明提出一種晝素結構，此畫素結構包括基板、第 一圖案化導電層、第二_化導電層以及晝素電極。第一 圖案化導電層設置於基板上，且其包 掃描線連接之至少一間極以及至少一共用電極中掃 描線與共用電極線電性絕緣。第二圖案化導電層設置第一 28820twf.doc/n 201013281 1 圖案化導電層之上方，且其包含與掃描線交錯之至少一資 料線、與資料線連接之至少-胸^極以及位於部份丘用電 極線上方之至少-第-圖案層，其中第一圖案層^料線 電性絕緣，且閘極、源極與汲極構成至少一薄臈電晶體。 晝素電極設置於第二圖案化導電層的上方，且其具有至少 一第一部份及與第一部份電性絕緣之至少一第份，$ 一部份覆蓋部份的第一圖案層與部份的共用電極線且第 參一部份經由至少一第一接觸窗與第一圖案層連接且經由至 少一第二接觸窗與共用電極線連接，而第二部份覆蓋另一 部份的第一圖案層，其中第二部份連接至源/汲極，且第— 圖案層與第二部份構成至少一第一電容。 在本發明之一實施例中，第一圖案化導電層更包含至 少一苐一圖案層。第二圖案層設置於基板上，且第二圖案 層位於部份的第一圖案層之下方，並經由至少一第三接^ 窗電性與晝素電極的第二部份連接，其中第二圖案層與共 用電極線以及掃描線電性絕緣，且第一圖案層與第二圖案 〇 層構成至少一第二電容。 ' 本發明更提出一種顯示面板，其包括上述之晝素結 構。 . 、 本發明再提出一種光電裝置，其包括上述之顯 板。 本發明另提出一種晝素結構之製造方法，其包括下列 步驟。首先，提供基板。然後，於基板上形成第一圖案化 導電層，其包含至少一掃描線、與掃描線連接之至少二閘 4 28820twf.doc/n 201013281 極以及至少一共用電極線，其中掃描線與共用電極線電性 絶緣。接著，於圖案化導電層之上方形成第二圖案化導電 層，其包含與掃描線交錯之至少—資料線、與資料線連接 =至少一源/汲極以及位於部份共用電極線上方之至少一 第圖案層，其中第一圖案層與資料線電性絕緣，且閘極、 源，與沒極構成至少—薄膜電晶體。最後，於第二圖案化 導甩層的上方开>成晝素電極，其具有至少一第一部份及與
第—部份電性絕緣之至少一第二部份，第一部份覆蓋部份 ^第一圖案層與部份的共用電極線，且第—部份經由至少 第接觸_與第一圖案層連接且經由至少一第二接觸窗 ^共用電極線連接’而第二部份覆蓋另—部份的第一圖案 曰摄其中第二部份連接至源/没極，且第一圖案層與第二部 伤構成至少一第一電容。 在本發明之—實施例巾，於基板上形成第—圖案化導 2時更包括形成至少—第二圖案層於基板上，且第二圖 =位於部份的第—圖案層之下方，並經由至少一第三接 與晝素電極的第二部份連接’其中第二圖案層與 ΐ展禮ΐ線以及掃描線電性絕緣’且第—_層與第二圖 茱層構成至少一第二電容。 之查更提出—種顯示面板的製造方法，其包括上述 之·a素結構的製造方法。 其包括上述 本發明再提出一種光電裝置的製造方法 之顯示面板的製造方法。 斤述本U之晝素結構巾的儲存電容器是將共 28820twf.doc/n 201013281 :電極線經由至少一第二接觸窗、晝素 部t以及至少一第一接觸窗而與第二圖案化導電声的= 案層與晝素電極之第二部份產生至少二第圖 ^例中，更利用第-圖案化導電層之 Φ ==在可達到等效的儲存電容值的J提〔下第; ^咸儲存電谷器所佔用的面積，進而增加畫素結構的開= =本㈣之上㈣徵和優點能更明顯易懂， 舉較佳，_’並配合所關式，作詳細制如下。 【實施方式】 第一實施例 圖2A是依照本發明之_實施例之畫素結構的上 ^圖2B疋圖2八之晝素結構中儲存電容器所在區 ^區域)之立體結構示意圖。請同時參相2A及圖H， ^素結構包括位於基板綱上的第—圖案化導電層攻、 第一圖案化導電層245及晝素電極275。 在本實施例中，基板細之材肢包含無機透 =:玻璃、石英、或其它合適材料、或上述之組合）、^ 透明材質（如：聚烯類、聚_、聚醇類、聚醋類、橡 谬、熱塑性聚合物、熱固性聚合物、聚芳香烴類、 丙酿酸甲i旨類、聚碳酸_、或其它合適 二 9 28820twf.doc/n 201013281 i 衍生物、或上述之組合）、無機不透明材質(如：矽片、陶 瓷、或其它合適材料、或上述之組合）、或上述之組合。 第一圖案化導電層235包含掃描線21〇、閘極22〇以 及共用電極線230，其中掃描線21〇與閘極22〇連接。在 本實施例中’掃描線210與共用電極線23〇電性絕緣且兩 者平行設置為範例，但不限於此。於其它實施例令，丘用 電極線230更可包含與掃描線21〇垂直的部份，而使&共 ❿用電極線230之上視圖實質上呈現u形、s形、〇形、^ 形、w形、v形、8字形、B形、c形、D形'f形、h形、 t形、P形、或其它適的形狀。上述之設計可以增加電容 里外’尚可降低漏光現象。較佳的是，共用電極線請之 上視圖實質上呈現U形、S形、〇形、8字形、B形、c 形、D形、F形、H形、L形或P形。在本實施例中，第 一圖案化導電層235可為單層或多躲構，且1材質可以 是金、銀、銅、錫、鉛、铪、鎢、鉬、敍、鈦、鈕、鋁、 f金屬、上述合金、上述金屬氧化物、上述金屬氮化物、 響或上述之組合。另外，本實施例以一條掃描線21〇、一條 共用電極、線230與一個閘極22〇為範例來說明，但本發明 不限於此。於其它實施例卜依照設計者的需求可將 線210、共用電極線23〇及閘極22〇其中至少一者設 至少一個。 "又0 第二圖案化導電層245設置於第-圖案化導 之上，其包含資料線、源/汲極250以及第導^圖曰案層 細’其中資料線與掃描線21〇交錯設置，資料線24θ〇 1 28820twf.doc/n 201013281 與源/汲極250連接’且第一圖案層260與資料線240電性 絕緣。第二圖案化導電層245可為單層或多層結構，且其 材質可以是金、銀、銅、錫、鉛、铪、鶴、鉬、钕、敛、 钽、鋁、鋅等金屬、上述合金、上述金屬氧化物、上述金 屬氮化物、或上述之組合。另外，本實施例是以—條資料 線240、一源/没極25〇以及一第一圖案層26〇為範例，但 本發明不限於此。於其它實施例中，可依照設計者的需求 魯 可將資料線240、源/汲極250以及第一圖案層260其中至 少一者設計成至少一個。例如：圖2A所示鄰近於共用電 極230左右二端有二個第一圖案層26〇當作範例’但不限 於此，亦可僅鄰近於共用電極230 —端或其它位置具有一 個或多個第一圖案層260。或者是圖2A之多個位置上，每 一位置上具有一個或多個第一圖案層26〇。 另外’在第一圖案化導電層235與第二圖案化導電層 245之間還包括一層絕緣層（未繪示），其可為單層或多層結 構，且其材質例如是無機材質(如：氧化矽、氮化矽、氮氧 ® H、碳切、氧化給、氧化銘、或其它材質、或上述之 Ο有機材質（如.光阻、苯並環丁稀(enZ〇CyCl〇bUtane， 環烯類、聚醯亞胺類、聚醯胺類、聚酯類聚醇類、 ，環氧乙烷類、聚苯類、樹脂類、聚醚類、聚酮類、或其 它合適材料、或上述之組合卜或上述之組合。 此外’在閘極220與源/汲極250之間還包括有一層主 ^層222 ’其材質可以是非晶石夕、單晶石夕微晶石夕、多晶 矽、或上述晶格之1^型摻雜矽化物、或上述晶格之P型摻 201013281. 28820twfd〇c/n 雜石夕化物、或上述晶格之矽化鍺、或其它材質、或上述之 組合’而主動層222的結構可以是單層結構或者是多層結 構。舉例而言’主動層222可以是由非晶矽（a_si)及/或 N型重捧雜非晶石夕所組成的單層結構，也可以是由非晶矽 (a-Si)以及N型重摻雜非晶矽所組成的雙層結構，其上 述之結構排列’可為水平排列及/或垂直排列。而上述閘極 220、源/汲極250以及主動層222即構成一薄膜電晶體。 本實施例是以底閘型結構為範例，但不限於此，亦可使用 _ 頂閘型結構。 请再繼續參考圖2A與圖2B，晝素電極275設置於第 二圖案化導電層245之上，其具有第一部份27〇以及第二 部份280’其中第一部份270電性絕緣於第二部份28〇。第 一部份270覆蓋部份的第一圖案層260與部份的共用電極 線230，且第一部份270經由第一接觸窗29〇與第一圖案 層260連接，以及第一部份270經由第二接觸窗3〇〇與共 用電極線230連接。第二部份280覆蓋另一部份的第一圖 ® 案層26〇,其中第二部份280連接至源/汲極25〇。換言之， 晝素電極275的第一部份270主要是作為連接共用電極線 230與第一圖案化層260之用，以使得共用電極線230之 共用電位傳遞至第一圖案化層260，而晝素電極275的第 一部份280才是作為晝素結構的主要晝素電極之作用。另 外’在本實施例中，晝素電極275可為單層或多層結構， 且其材質包含透明導電材質（如：銦錫氧化物、銦辞氧化 物、銦錫鋅氧化物、氧化給、氧化鋅、氧化銘、銘錫氧化 12 201013281 —— i 2882〇twf.doc/n π月材質(如:金、銀、銅、錫、銘、錯、钥、鈦、 戈豆二入心鈒、鋅、或上述之合金、或上述之氮化物、 或其匕合適的材料、或上述之組合）。
^夕卜’在晝素電極275與第二圖案化導電層245之間 層賴層(未㈣），其可為單層衫層結構，且 ，、材質例如是無機材質(如：氧化石夕、氮化石夕、氮氧化石夕、 碳化石夕、氧化給、氧脑、或其它材f、或上述之組合）、 有機材質〇 .光阻、苯並環丁烯(enzGeyelGbut·，bcb)、 ，烯類、聚醯亞胺類、聚醯胺類、聚s旨類、聚醇類、聚環 氧乙烷類、聚苯類、樹脂類、聚醚類、聚酮類、或其它合 適材料、或上述之組合）、或上述之組合。 特別是，請同時參照圖2A與圖2B ,第二圖案化導電 層245的第一圖案層260與晝素電極275的第二部份28〇 重疊的區域構成第一電容C1。 因此，在本實施例中，透過晝素電極275之第一部分 270、第二接觸窗300以及第一接觸窗29〇，可將與第一圖 案化導電層110之共用電極線230之共用電位連搂至第二 圖案化導電層245之第一圖案層260。藉此，具有共用電 位之第一圖案層260便可與晝素電極13〇之第二部分280 之畫素電位產生電容搞合效應，以形成第一電容Ci。 另外，值得一提的是，在圖2Λ所繪示的實施例中， 在晝素結構中的共用電極線230(及第一圖案層260)的兩端 皆設計有第一與第二接觸窗290、300以及晝素電極的第， 13 201013281 -----.1 28820twf.doc/n 部份270。然而本發明不限於此，本發明亦可僅在共用電 極線2训的其中-端設計有上述接觸窗結構與晝素電極的 第一部份。此外，第一與第二接觸窗29〇、3〇〇之數目並非 限制於本發明之實施例，第一與第二接觸窗290、300之數 目可以一個或多個。 接下來將對上述晝素結構的製造方法作說明。 凊先參照圖2A與圖2B’提供一基板2〇〇。於基板2〇〇 ❿上形成第-圖案化導電層245。其中，第一圖案化導電層 245包含掃描線210、與掃描線21〇連接之閘極22〇以及共 用電極線230。在本實施例中，掃描線21〇、閘極22〇及共 用電極線230是同時形成的，而掃描線21〇與共用電極線 230電性絕緣且兩者平行設置為範例，但不限於此。於其 它實施例中，共用電極線230更可包含與掃描線21〇垂直 的部份，而使得共用電極線230之上視圖實質上呈現u 形、S形、Ο形、z形、w形、V形、8字形、B形、c形、 D形、F形、Η形、L形、P形、或其它合適的形狀。上述 參 之設計可以增加電容量外’尚可降低漏光現象。較佳的是， 共用電極線230之上視圖實質上呈現υ形、s形、〇形、8 字形、B形、C形、D形、F形、Η形、L形或P形。另外， 本實施例以一條掃描線210、一條共用電極線230與一個 閘極220為範例，但不限於此。於其它實施例中依設計的 需求可將掃描線210、共用電極線230及閘極220其中至 少一者設計成至少一個。 之後，於第一圖案化導電層235之上方形成第二圖案 14 28820twf.doc/n 201013281 1 化導電層245,其包含與掃描線210交錯之資料線240、與 資料線240連接之源/没極250以及位於部份共用電極線 230上方之第一圖案層260。值得一提的是，第一圖案層 260與資料線240電性絕緣，且閘極220、源/没極250構 成一薄膜電晶體。另外’本實施例以一條資料線240、一 源/汲極250以及一第一圖案層260為範例，但不限於此。 於其它實施例中依設計的需求可將資料線240、源/汲極 φ 250以及第一圖案層260其中至少一者設計成至少一個， 例如：圖2A所示鄰近於共用電極線230左右二端各有二 個第一圖案層260當作範例，但不限於此，亦可僅鄰近於 共用電極線230 —端或其它位置具有一個或多個第一圖案 層260。或者是圖2八之多個位置上’每一位置上具有一個 或多個第一圖案層260。 表後’於第·一圖案化導電層245的上方形成畫素電極 275’其具有第一部份270及與第一部份270電性絕緣之第 二部份280,第一部份270覆蓋部份的第一圖案層26〇與 魯 °卩伤的共用電極線230，且第一部份270.經由第一接觸窗 290與第一圖案層26〇連接且經由第二接觸窗3〇〇與共用 電極線230連接，而第二部份280覆蓋另一部份的第一圖 案層260 ’其中第二部份28〇連接至源/沒極25〇。藉此， 共用電極線230之共用電位可傳遞至第一圖案層26〇，並 了使得具有共用電位之第一圖案層260便可與晝素電極 13=之第二部分28〇之晝素電位產生電容耦合效應以形 成第一電容C1。另外，值得一提的是，在圖2A所繪示的 15 201013281 28820twf.doc/n 實施例中’在畫素結構巾的共用電極線23G(及第—圖案爲 260)的兩端皆設計有第一與第二接觸窗29〇 3〇〇以及畫^ 電極的第-部份270。然而本發明不限於此，本發明^可 僅在共用電極線23〇的其中一端或其它位置設計有上述接 觸窗結構與晝素電極的第-部份。此外，第一與第二接觸 窗290、300之數目並非限制於本發明之實施例，第—與第 二接觸窗290、300之數目可以—個或多個。 ®帛二實施例 圖3A是依照本發明另一實施例之畫素結構上視圖。 而圖兕是圖；3A之晝素結構中儲存電容器所在區域(對應 I區域)之立體結構示意圖。圖3A及圖犯之標記與描述大 致上與上述第一實施例之圖2A及圖2B雷同，因此重複之 處將不再詳述之。但請同時參考圖3A及圖3B，晝素結構 包括位於基板200上的第一圖案化導電層235、第二圖案 化導電層245及晝素電極275。 ❹ 第—圖案化導電層235包含掃描線210、閉極220、 共用電極線230以及第二圖案層31〇，其中掃描線21〇與 閘極220連接。更詳細說明的是，掃描線與共用電極 線230電性絕緣且兩者平行設置為範例，但不限於此。於 其它實施例中，共用電極線23〇更可包含與掃描線21〇垂 直的部份，而使得共用電極線23〇之上視圖實質上呈現u 形、s形、〇形、z形、w形、v形、8字形、B形、c形、 F形、Η形、；L形、p形、或其它適合的形狀。上述 16 28820twf.doc/n 201013281 ι 之设叶可以增加電容餅’尚可降低漏光現象。較佳的是， j用電極線230之上視圖實質上呈現u形、s形、〇形、8 字形、B形、C形、D形、F形、η形、L形或p形。另外， 本實施例以一條掃描線21〇、一條共用電極線23〇與一個 閘極22G為範例’但不限於此。於其它實施例巾依設計的 耑求ΊΓ將知描線210、共用電極線230及閘極220其中至 乂 一者设计成至少一個。第二圖案層31〇與共用電極線23〇 鲁 及掃為線210電性絕緣。本實施例以二個第二圖案層31〇 為範例，但不限於此。於其它實施例中，第二圖案廣31〇 可為一個或多個。此外，本實施例之第二圖案層31〇僅在 共用電極線230的其中一端設計且對應於薄膜電晶體之單 邊配置為範例，但不限於此。於其它實施例中，第二圖案 層310可不對應於薄膜電晶體之單邊配置或者是第二圖^ 層310可多邊配置，而不限制第二圖案層31〇的數目或方 向。 第'一圖案化導電層245设置於第一圖案化導電層235 參 之上’其包含資料線240、源/汲極250以及第一圖案層 260，其中資料線240與掃描線210交錯設置，資料線24〇 與源/汲極250連接’且第一圖案層260與資料線240電性 絕緣。更詳細說明的是，第二圖案層310位於部份的第一 圖案層260下方。 畫素電極275设置於第—圖案化導電層245之上，立 具有第一部份270以及第二部份280，其中第—部份270 與第二部份280電性絕緣。第一部份270覆蓋部份的第一 17 201013281 28820twfdoc/n 圖案層260與部份的共用電極線23〇，且第一部份27〇經 由第-接觸窗29G與第—圖案層編連接且第—部份27〇 經由第二接觸窗300與共用電極線23〇連接。第_ 覆蓋另一部份的第-圖案層26〇,其中第 至源/汲極25〇，且第二部份28〇經由第三接觸窗32〇與第 二圖案層310連接。換言之，晝素電極2乃的第一部份27〇 主要是作為連接共用電極線23〇與第一圖案化層26〇之 用，以使得共用電極線230之共用電位傳遞至第一圖案化 層260，而晝素電極275的第二部份280不但作為與第二 圖案層310連接之用，而使得畫素電極275之晝素電位傳 遞至第二圖案層310 ’且第二部份28〇也作為畫素結構的 主要晝素電極之作用。另外，圖3A所繪示的實施例中， 在晝素結構中的共用電極線230(及第一圖案層26〇)的兩端 皆設計有第一與第二接觸窗290、300以及晝素電極的第— 部份270。然而本發明不限於此’本發明亦可僅在共用電 極線230的其中一端設計有上述接觸窗結構與晝素電極的 Φ 第一部份。再者，於圖3A所繪示的第二圖案層31〇與第 二接觸® 320僅在共用電極線230的其中一端設計，伸不 限於此。於其它實施例中，在晝素結構中的共用電極線 230(及第一圖案層260)的兩端或其它位置設置有第二圖案 層310與第三接觸窗320。此外，第―、第二與第三接^ 窗290、300、320之數目並非限制於本發明之實施例，第 一與第二接觸窗290、300之數目可以—個或多扁|。 類似地’在第一圖案化導電層235與第二圖案化導電 18 28820twf.doc/n 201013281 Λ Λ. W V W W & ·丄 層245之間還包括有一層絕緣層，且在第二圖案化導電層 245與畫素電極275之間還包括有一層保護層。而有關第 一圖案化導電層235、第二圖案化導電層245、晝素電極 275、絕緣層與保護層的材質、設計、數目以及位置皆與上 述第一實施例相同或相似’在此不再重複說明。另外，此 實施例中的晝素結構中的薄膜電晶體的結構亦與上述第一 實施例相同或相似，在此也不再重複贅述。 Φ 特別是，本實施例與上述第一實施例不同之處在於， 請同時參照圖3A與圖3B，本實施例除了在第二圖案化導 電層245的第一圖案層260與畫素電極275的第二部份28〇 重豐的區域構成第一電容C1之外，在第二圖案化導電層 245的第-圖案層26G與第-圖案化導電層235的第二圖 案層310重疊的區域還會構成第二電容匸2。 更詳細的說明是，在本實施例中，透過畫素 5 之第一部分270、第二接觸窗300以及第一接觸窗29〇，可 將與第一圖案化導電層110之共用電極線230之乒用電位 參傳遞至第二圖案化導電層245之第-圖案層施。藉此， 具，共用電位之第一圖案層26〇便可與晝素電極13〇之第 二部分280產生電容耦合效應，以形成電另 ^過晝素電極275之第二部的晝素電位及第三 接觸窗320 ’可將第二部分280之晝素電位連接至第一圖 案=導電層235之第二圖案層31〇。藉此，具有共用電位 圖案層260便可與具有晝素電位之第二圖案層31〇 產生電容耦合效應，以形成第二電容C2。 19 28820twf.doc/n 201013281 另外，值得一提的是’在圖3A所繪示的實施例中， 在晝素結構中的共用電極線230(及第一圖案層26〇)的兩端 皆設計有第一與第二接觸窗290、300以及晝素電極的第一 部伤270。然而本發明不限於此，本發明亦可僅在共用電 極線230的其中一端或其它位置設計有上述接觸窗結構與 晝素電極的第一部份。此外，在圖3A所繪示的實施例中， 其僅在晝素結構中的共用電極線230(及第一圖案層260) φ 的一端设計有第二圖案層320。然本發明不限於此，本發 明亦可在晝素結構中的共用電極線23〇的兩端或其它設計 有弟二圖案層。 接下來將對上述晝素結構的製造方法作說明。 凊先參照圖3A與圖3B，提供一基板2〇〇。於基板2〇〇 上开>成第一圖案化導電層245。其中，第一圖案化導電層 245包3知描線210、與掃描線21〇連接之閘極220、共用 電極線230以及第二圖案層31〇。在本實施例中，掃描線 210、閘極220、共用電極線23〇及第二圖案層31〇是同時 參形成的’且掃掏線210與共用電極線230電性絕緣為範例， 但不限於此。於其它實施例中，共用電極線23〇可具有與 掃描線210垂直的部份，而使得共用電極線23〇之上視圖 只貝上王現U形、S形、〇形、z形、W形、V形、8字 形、B形、C形、D形、F形、H形、L形、p形、或其它 s適的开>狀。上述之設計可以增加電容量外，尚可降低漏 光現象。較佳的是，共用電極線230之上視圖實質上呈現 U形、S开’、〇形、8字形、b形、c形、；〇形、F形、Η 20 28820twf.doc/n 201013281 形、L形、或P形。另外，本實施例以一條掃描線21〇、 一條共用電極線230與一個閘極220為範例，但不限於此。 於其它實施例中依設計的需求可將掃描線21〇、共用電極 線230及閘極220其中至少一者設計成至少一個。第二圖 案層310與共用電極線230及掃描線;電性絕緣。本實 施例以一個第一圖案層310為範例，但不限於此。於其它 實施例中，第一圖案層310可為一個或多個。此外，本實 φ 施例之第二圖案層31〇僅在共用電極線230的其中一端設 計且對應於薄膜電晶體之單邊配置為範例，但不限於此。 於其它實施例中，第二圖案層310可不對應於薄膜電晶體 之單邊配置或者是第二圖案層310可多邊配置，而不限制 第二圖案層310的數目或方向。 .之後，於第一圖案化導電層235之上方形成第二圖案 化導電層245 ’其包含與掃描線210交錯之資料線24〇、與 資料線240連接之源/汲極250、位於部份共用電極線230 上方之第一圖案層260。值得一提的是，第一圖案層 ❹ 與資斜線240電性絕緣，且閘極220、源/汲極250構成一 薄膜電晶體。此外，第二圖案層310位於部分的第一圖案 層260下方。 最後，於第二圖案化導電層245的上方形成晝素電極 275’其具有第一部份270及與第一部份270電性絕緣之第 二部份280。第一部份270覆蓋部份的第一圖案層260與 部份的共用電極線230，第一部份270經由第一接觸窗290 與第一圖案層260連接，且第一部份270經由第二接觸窗 21 201013281 ---------1 28820twf.doc/n 300與共用電極線230連接。而第二部份280覆蓋另一部 份的第一圖案層260，其中第二部份280連接至源/汲極 250 ’且第二部分28〇經由第三接觸窗32〇與第二圖案層 310連接。另外，圖3A所繪示的實施例中，在晝素結構中 的共用電極線230(及第一圖案層260)的兩端皆設計有第一 與第二接觸窗290、300以及晝素電極的第一部份270。然 而本發明不限於此’本發明亦可僅在共用電極線23〇的其 φ 中一端設計有上述接觸窗結構與畫素電極的第一部份。再 者’於圖3A所繪示的第二圖案層310與第三接觸窗320 僅在共用電極線230的其中一端設計，但不限於此。於其 它實施例中’在晝素結構中的共用電極線23〇(及第一圖案 層260)的兩端或其它位置設置有第二圖案層31〇與第三接 觸窗320。此外，第一、第二與第三接觸窗290、300、320 之數目並非限制於本發明之實施例，第一與第二接觸窗 290、300之數目可以一個或多個。 圖4為本發明之一實施例之一種顯示面板的示意圖。 ⑩ 请參照圖4 ’本實施例之顯示面板400之成品包括至少一 晝素陣列基板430、一相對於此畫素陣列基板430的另一 基板410及一設置於晝素陣列基板430與另一基板410之 間的顯示介質420，其中晝素陣列基板430具有上述如圖 2A所示之晝素結構或是圖3A所示的晝素結構。顯示面板 400之製造方法包含如圖2A所示之晝素結構或是圖3A所 示的晝素結構之製造方法。再者，另一基板41〇的内表面 上覆蓋有一覆蓋層（未繪示），該覆蓋層包含彩色濾光層、 22 201013281 x41 28820twf.doc/n 透明導電層、配向層其中至少一者，若以正常的顯示面板 為例’其覆蓋層包含彩色濾光層、透明導電層與配向層。 若以特殊顯示面板為例，則覆蓋層可僅有彩色濾光層、配 向層、透明導電層、彩色濾光層與透明導電層、或者是彩 色遽光層與配向層。 此外’顯示面板400可為半穿透半反射式顯示面板、 反射型顯示面板、彩色濾光片於主動層上（c〇1〇r fllter 〇n ❿ array)之顯示面板、.主動層於彩色濾、光片上（array on color filter)之顯示面板、垂直配向型（va)顯示面板、水平切 換型（IPS)顯示面板、多域垂直配向型（MVA)顯示面 板、扭曲向列型（TN )顯示面板、超扭曲向列型（STN ) 顯示面板、圖案垂直配向型（PVA)顯示面板、超級圖案 垂直配向型（S-PVA)顯示面板、先進大視角型（ASV)顯 示面板、邊緣電場切換型（FFS)顯示面板、連續焰火狀 排列型（CPA)顯示面板、轴對稱排列微胞型（ASM)顯 示面板、光學補償彎曲排列型（OCB)顯示面板、超級 ® 水平切換型（S-IPS)顯示面板、先進超級水平切換型 (AS-IPS)顯示面板、極端邊緣電場切換型（UFFS)顯示 面板、高分子穩定配向型顯示面板、雙視角型（dual-view) 顯示面板、三視角型（triple-view) 顯示面板、三維顯示 面板（three-dimensional)或其它型面板。 圖5為本發明之一實施例之一種光電裝置的示意圖。 請參考圖5，由上述實施例所述之的顯示面板400可以跟 電子元件510電連接而組合成一光電裝置500，而光電裝 23 201013281, 28820twf.doc/n 置500之製造方法，包含如上所述之顯示面板400之製造 方法，再依照各種光電裝置500的製造程序並組裝所得顯 示器，以獲得光電裝置500。在本實施例中，顯示面板4〇〇 是採用圖2A所示之晝素結構或是圖3A所示的晝素結構作 為晝素陣列基板430 (請參考圖4)的晝素結構。
另外，電子元件510包括如··控制元件、操作元件、 處理元件、輸入元件、記憶元件、驅動元件、發光元件、 保護元件、感測元件、偵測元件、或其它功能元件、或前 述之組合。而光電裝置500之類型包括可攜式產品（如手 機、攝影機、照相機、筆記型電腦、遊戲機、手錶、音樂 播放器、電子信件收發器、地圖導航器、數位相片、或類 似之產品）、影音產品（如影音放映器或類似之產品）、 螢幕、電視、看板、投影機内之面板等。
综上所述，本發明之晝素結構中的儲存電容器是將共 用電極線經由至少一第二接觸窗、晝素電極的至少一第二 部份以及至少-第—接觸窗而與第二圖案化導電層的至少 了第-圖案層電性連接，以使第二醜化導電層之至少— 第二圖案層與晝素電極之至少—第二部份產生電容輕合， If至第-電容。在另—實施例中，更利用第一圖 化導電層之至少-第二圖案層與第二圖案化導電層之至^ 第-圖案層重疊區域以形成至少—第二電容。如此一 來，在可制等效的卩轉電容㈣前提 電容器所佔用的姆，妙加圭=縮減储存 整體面軛的一旦素構的開口率’且使得 登體面板的5又计有更寬裕的空間。 24 201013281 --------H 28820twf.doc/n ρρ〜發明已以較佳實施例揭露如上，然其並非用以 任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不 發明之精神和範圍内，當可作些許之更動與潤飾， ^本發明之保護範圍當視後附之申料職圍所界定者 為進。 【圖式簡單說明】
圖1是習知晝素結構中之儲存電容的結構圖。 圖2Α是依照本發明之一實施例之晝素結構的上視 電容器所在區域(對 晝素結構上視圖 電容器所在區域(對 圖2Β是圖2Α之畫素結構中儲存 應I區域)之立體結構示意圖。 圖3Α是依照本發明另一實施例之 圖3Β是圖3Α之晝素結構中儲存 應I’區域)之立體結構示意圖。 圖4為本發明之—實施狀—軸杨板的示意圖。 圖5為本發明之—實施例之—種光電裝置的示意圖。 【主要元件符號說明】 100 :晝素結構 110 :第一圖案化導電層 120 :第二圖案化導電層 122 :接觸窗 130 :晝素電極 25 28820twf.doc/n 201013281 210 :掃描線 220 :閘極 230 :共用電極線 235 :第一圖案化導電層 240 :資料線 245 :第二圖案化導電層 250 :源/汲極 260 270 275 280 290 300 310 320 ❿ 第一圖案層 第一部份 晝素電極 第二部份 第一接觸窗 第二接觸窗 第二圖案層 第三接觸窗 400 :顯示面板 ⑩ 410 :基板 420 :顯示介質 430 :畫素陣列基板 500 :光電裝置 510 :電子元件 C1 :第一電容 C2 :第二電容 26