200806107 九、發明說明： 本申請案主張之前日本專利申請案；FP2005-334216及 JP2006-29 1 246之優先權，其揭露已參照合倂其中。 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關於一種多層接線板並特別是指有關針對 介於電源供應層與接地層之間具電容功能之雜訊抑制板的 多層接線板。 ' 【先前技術】 近年來，針對可攜帶之電子裝置如可攜式電話以及筆 記型個人電腦之縮小尺寸與重量及先進的功能已被要求。 繼此之後，除了高密度接線以及縮小尺寸與重量外，增加 用在半導體或大規模積體電路（Large-scale integration，L S I)封裝 等諸如此類之電路板的傳輪率亦已被要求。 然而，在妨礙資訊傳輸上，雖然雜訊在低速時沒有問 題，但跟著增加信號速度就會增加雜訊的問題。故爲了增 加傳輸率，設計可降低雜訊之電路板是需要的。 一般來說，已有人利用設置去耦電容於多層接線板上的方 法以降低電子雜訊。 然而，信號傳輸頻率在近年來增加增加愈來愈快，繼 此之後，設置在板上的電容數量也逐漸增加，使用很多電 容器會讓接線設計變得困難，例如，於元件間提供最短接 線變得不可能並且爲了達到同步而變得困難，此外，更進 一步的，其妨礙了電路板的微型化而導致增加成本。 由此觀之，近年來一種用來降低電子雜訊的方法已被 提出，該方法係藉由提供一層以高介電常數材料於LSI封 200806107 裝之多層接線板中或類似之裝置，並因而倂入一個適合作 爲電容器功能的結構於多層接線板中。如此之技術已被揭 露於例如日本的未審查實用新型申請出版物σρ-υ)第 Hei07- 10979號或日本的未審查專利申請出版物（JP-Α)第 2002-2 17 545號。在此方法中，由於電容器可被正確配置於 LSI下，該LSI與該電容器可由一很短的線被連接在一起， 其與設置在板上的去耦電容器比較，以此方式之電路寄生 電感可被降低，因此可降低LSI電源供應中的雜訊。 瞻然而，關於JP-U第Hei07- 1 0979號中所揭露之多層接 線板中，其具有一問題，關於不能藉由將高介電常數材料 倂入多層接線板中而消除頻帶上的雜訊，故仍然需要增加 去耦電容器於板上或LSI封裝中。 更進一步的，關於JP-A第2002-2 1 7545號中所揭露之多層 接線板中，由於提供一電容層至每一供應接地層對包含一 電源供應層以及一接地層，該總層數是多的且其結構是複 雜的，故因此電路板之微型化不能充分地被達成。 φ 【發明內容】 因此本發明之目的係提供一具簡單結構之多層接線 板，其可降低寬頻帶板中的雜訊。 依據本發明之觀點’其提供一多層接線板，其包含第一、 第二及第三傳導層，一形成於該第一與第二傳導層之間的 第一絕緣層，以及一形成於該第二與第三傳導層之間的第 二絕緣層，該第一與第二絕緣層在電容中係互相不同的。 根據本發明之另一觀點’其提供一多層接線板，其包 含第一、第二、第三及第四傳導層，一形成於該第一與第 200806107 一傳導層之間的第一絕緣層，一形成於該第二與第 層之間的第二絕緣層，以及一形成於該第三與第四 之間的第三絕緣層。至少該第一，第二與第三絕緣 中二層在電容中係互相不同的。 根據本發明之另一觀點，其提供一多層接線板 一內部傳導層，其夾於第一與第二絕緣層之間並可 步地夾於二外部傳導層之間，該內部傳導層可作爲 應層及接地層之一，每一外部傳導層可作爲其它電 ® 層與接地層。該第一與第二絕緣層在電容中係互相不 根據本發明之另一觀點，其提供一多層接線板 一內部傳導層，其夾於第一與第二絕緣層之間並可 步地夾於二外部傳導層與透過第三絕緣層而形成於 部傳導層之一之附加外部傳導層之間，該內部傳導 爲電源供應層及接地層之一，每一外部傳導層可作 電源供應層與接地層。該附加外部傳導層可作爲第 供應層或第二接地層，至少該第一，第二與第三絕 φ 其中二層在電容中係互相不同的。 根據本發明之另一觀點，提供一多層接線板 法，其包含的步驟有：形成傳導層於第一電容層之兩 因此可組裝第一部件，形成傳導層於第二電容層 上，因此可組裝第二部件，並且藉由壓迫將該第一 部件堆疊在一起，使得非與傳導層形成，該第二部件 可接合至該第一部件之傳導層之一。該第一及第二 在電容中係互相不同的。 根據本發明之另一觀點，提供一多層接線板 三傳導 傳導層 層之其 ，包含 更進一 電源供 源供應 ;同的。 ，包含 更進一 該些外 層可作 爲其它 二電源 緣層之 製造方 側上， 之一側 與第二 的表面 電容層 製造方 200806107 法，其包含的步驟有：形成傳導層於第一電容層之兩側上， 因此可組裝第一部件，形成傳導層於第二電容層之一側 上，因此可組裝第二部件，形成傳導層於第三電容層之一 側上，因此可組裝第三部件，並且藉由壓迫將該第一，第 二與第三部件堆疊在一起，使得非與傳導層形成，該第二部 件的表面可接合至該第一部件之傳導層之一，並且非與該 傳導層形成，該第三部件之表面可接合第一部件之另一傳 導層。至少該第一，第二與第三電容層之其中二層在電容 • 中係互相不同的。 【實施方式】 爲使本發明能更容易被了解，關於傳統多層接線板將 先被說明。 第1圖係傳統多層接線板透視圖。 如第1圖所示，多層接線板80包含由使用在一般電路 板中之絕緣材料所製成的低電容層8 1 1及8 1 2，並具有相同 低電容，以及具有一較高於每個低電容層811與812之電 # 容之高電容層82。該低電容層811與812分別配置於多層 接線板80之背側與因此可設置如LSI晶片之電子元件60 於前側上，針對降低電源供應LSI晶片上的雜訊，可設置 去耦電容器90於多層接線板80上。 第2圖係爲多層接線板沿第1圖中之2-2線之剖面圖。 配置在低電容層8 1 1與8 1 2上的傳導層於多層接線板 80之背側與前側上分別爲信號層831與832。該信號層831 與832係連接於該如LSI晶片之電子元件60上而穿過接合 線設置於前側上。介於該二個信號層831與832之間，低 200806107 電容層81 1、一電源供應層85、該高電容層82、接地層84， 以及低電容層8 1 2可從下面依序命名堆疊。如LSI晶片之 該電子元件60可分別穿過接地通道87與電源供應通道88 而連接至接地層84與電源供應層85。 在另一方面，依據本發明之多層接線板，其係合倂一 具有二個或更多個電容器功能之結構。因此，針對降低寬 頻帶上之雜訊是可行的，並且針對更進一步降低去耦電容 器之數量或消除所有數量也是可行的。 • 此外，本發明係提供一種結構，其中至少一供應-接地 層對之一包含電源供應層及具有絕緣層之接地層，其中該 絕緣層具有一電容，並於其間也可被用在另一個供應-接地 層對上。因此，總層數是較少的且該結構是比傳統具有複 數互相獨立之供應-接地層對之結構還要簡單。 於此之下，本發明之實施例將參照圖示而可更明確說 明。 [第一實施例] 第3圖係依據本發明第一實施例之多層接線板透視 圖。 一多層接線板1 0其包含由一般使用在電路板中之絕 緣材料所製成的低電容層1 1 1與1 1 2，且於傳導層之間具有 相同低電容，以及介於傳導層之間均具有電容之二個高電 容層121與122，該傳導層之電容係比每一低電容層m 與1 1 2之値還高。 該低電容層111與112可分別地配置在多層接線板1〇 之背側上，與因此可設置如LSI晶片之電子元件60於前側 200806107 上。 該高電容層121與122係互相具有不同的電容値並互 相鄰近配置。 第4圖係多層接線板沿第3圖中之4-4線之剖面圖。 傳導層係配置在多層接線板1 0之背側與前側之低電 容層111與112上，分別爲一信號層131與丨32。該信號層 132係連接至如.LSI晶片之電子元件60上，而穿過接合線 設置在前側’介於該二個信號層1 3 1與1 32之間，該低電 ® 容層111、一接地層141、高電容121、電源供應層15、高 電容層122、接地層142，以及低電容層112可從下面依序 命名堆疊。 該信號層131與132，該接地層141與142，以及該電 源供應層1 5其可爲銅箔的形式，但不僅限於此形式，並且 可由一般用在多層接線板之傳導層之材料製成。 如上所述，本發明之多層接線板1 0係以夾於電源供應 層15之間的型式互相具有不同的電容，而該電源供應層15 Φ 係介於高電容層121與122之間。更進一步地是，將其夾 於接地層1 4 1與1 42之間，並更可穿過低電容層1 1 1與1 1 2 而將其夾於信號層1 3 1與1 3 2之間。 該信號層1 3 1與1 32分別包含接地線，電源供應線以 及信號線。一接地通道17係於信號層131與132及接地層 1 4 1與1 42之間的接地線所形成的。而電源供應通道1 8係 於信號層1 3 1與132及電源供應層1 5的電源供應線之間所 形成的。雖然沒有圖示出來，但該通道可於背側上之信號 層131之信號線及前側上之信號層132之信號線之間形 -10- 200806107 成。如第4圖所示，其可配置位在信號層131與132之接 地線及電源供應線於相同水平位置，即以垂直信號層1 3 1 與1 32之方向位於相同位置，且該接地通道1 7與電源供應 通道1 8可穿過該多層接線板1 0以便可分別連接至信號層 131與132之接地線與電源供應線。 基本上，該接地層1 4 1與1 42以及電源供應層1 5係於 最大範圍中形成，其可分別避免電源供應通道1 8與接地通 道1 7之干擾。 • 低電容層1 1 1與1 1 2之絕緣材料具有例如，一相對介 電常數大約2至5，該低電容層1 11與1 1 2之絕緣材料可被 獲得例如，藉由注入具有環氧樹脂的玻璃布並將其乾燥， 但並不僅限於此。假設例如該用法係由具有一相對介電常 數4.2及其厚度設定爲200// m的材料所製成，則電容每單 位的面積大約爲0.2pF/mm2。 該筒電谷層1 2 2之電容係設定一可替代小電容去親電 容器的値使其可適合用來吸收高頻雜訊。如下述公式（1)所 Φ 定義，該電容器之電容C係正比於電極面積a及相對電介 質介電常數π並反比於介於電極之間的距離d。 C = εϋ· sr · Al d............ (1) U〇:真空介電常數） 例如，使用相同絕緣材料作爲該具有相對介電常數4.2 並設定其厚度爲50/zm之低電容層11;1與112，該電容可 設定爲 0.78 pF/mm2。 高電容層121之電容係設定一可替代大電容去耦電容 器的値使其可適合用來吸收電源供應漣波電壓或諸如此 200806107 類’並可較佳的設定爲2 pF/mm2或更多。在此實施例中， 一高電容層121之絕緣材料係使用一種其介電常數會比該 高電容層1 2 2還要增加的材料做成，例如，使用一種材料， 該材料係由塡充鈦酸鹽基之鋇的高介電常數爲塡充料塡充 至相同絕緣材料環氧樹脂中，作爲該高電容層1 2 2以便可 獲得16之相對介電常數。藉由設定其厚度爲5〇// m，該高 電容層121之電容可設定爲2.8 pF/mm2。 如上所述，本實施例中，該高電容層121與122之電 • 介質材料分別具有互相不同的電容値，該影響將參照第5 圖解釋。 第5圖係顯示利用第3圖與第4圖之多層接線板在模 擬改變相對於頻率之阻抗下之一範例示意圖。一第一電容 器可由電源供應層15，高電容層122與接地層142形成而 表示最低阻抗在400MHz附近，另一方面，一第二電容器 可由電源供應層1 5，高電容層1 2 1以及接地層1 4 1形成而 表不最低阻抗在1 MHz附近，接著，本實施例之多層接線 板具有上述二者而可表示該些低阻抗在二個頻率，亦即在 1 MHz附近與400MHz附近。因此，其可證明當電容器一起 提供互相具有不同的電容量時，可得雜訊降低的效果以分 別與頻帶一致。 更進一步的是，本實施例可配置包含電源供應層1 5與 •接地層142之供應-接地層對之該電源供應層15，其具有插 入於其中的高電容層122也可被用在其它具有插入其中的 高電容層1 2 1的供應-接地層對中。因此，總層數的影響是 較小的且該結構比傳統具有互相獨立的複數供應-接地層 -12- 200806107 對結構還簡單。 現在，將說明本實施例之一變形。第6圖係依據本發 明之第一實施例之變型之多層接線板剖面圖。如第3圖與 弟4圖中所述之符號在此均代表相同符號以及相同或相等 之元件。 此變形不同於第3圖與第4圖之實施例係在於藉由降 低絕緣材料之厚度而形成一具有比高電容層1 2 2還大電容 量之高電容層1 2 Γ，而該絕緣材料係具有相同於高電容層 • 122之介電常數。 該局電容層12 1’係由相同於低電容層ill與Π2以及 具有相對介電常數4 · 2之高電容層1 2 2之絕緣材料所製 成，並可例如藉由設定其厚度爲2 5 // m而該電容値即可設 定爲1.5 6pF/mm2。在此配置下，由於該各層係由相同的絕 緣材料所製成，亦即，該各層使用不是由具有不同介電常 數之絕緣材料所製成，該低電容層1 1 1與丨丨2以及該二個 高電容層1 2 1 ’與1 22之熱膨脹等係數係互相相等的，因此 Φ 可導致較高的可靠度。 現在爹照弟7 A到7 D圖’其係顯不依據第一實施例之 多層接線板的製造方法。 (程序1)準備樹脂形式的銅箔或銅箔包層樹脂部件，而每 一部件均包含一對應層之絕緣部件以及依附一銅箔於該絕 緣部件之一側或二側上的每一側。 特別地是，依據第3圖與第4圖所示之實施例之製造該線 板’一核心部件（雙銅箔包層樹脂部件）A丨〇3作爲一第一部 件’ 一銅箔包層樹脂部件A 1 02作爲第二部件，一銅箔包層 •13- 200806107 樹脂部件A 1 0 1作爲第三部件，以及一銅箔包層樹脂部件 A 1 04作爲第四部件其分別準備圖示於第7 a圖中。 該銅箔包層樹脂部件A 1 0 1使得一銅箔A 1 3 1可依附至 具有相對介電常數4.2與厚度爲200 // m之部件A1 1 1之一 側上’其中可由滲入環氧樹脂的玻璃布來獲得並可將其乾 燥。銅箔包層樹脂部件A 1 0 2使得一銅箔A 1 4 1可依附至具 有相對介電常數1 6與厚度爲50 # m之部件a丨2 1之一側 上’其中可由滲入塡滿鈦酸鹽基鋇之高介電常數塡充料之 φ 環氧樹脂的玻璃布來獲得並可將其乾燥。而該核心部件 A 1 03使得銅箔A 1 5與A 1 42可依附在具有相對介電常數4.2 與厚度50/zm之部件A122之二側，其中可由滲入環氧樹脂 的玻璃布來獲得並可將其乾燥。該銅箔包層樹脂部件A 1 04 使得一銅箔A 1 3 2可依附至具有相對介電常數4.2與厚度爲 200 μ m之部件A 1 1 2之一側上，其中可由滲入環氧樹脂的 玻璃布來獲得並可將其乾燥。 _當依據第6圖所示之變形而製造線板時，代替該銅箔 φ 包層樹脂部件A 1 02，一銅箔包層樹脂部件其中銅箔係依附 在具有相對介電常數4.2與厚度25 // m之部件的一側上， 其中可由滲入環氧樹脂的玻璃布來獲得並可將其乾燥。 該銅箔A15,銅箔A141與A142,以及銅箔A131與A132 其均爲由蝕刻方式來形成於電路上。 (程序2)如第7 B圖所示’該準備於程序1中之核心部件 A 1 03與銅箔包層樹脂部件A 1 02可堆疊在一起而壓迫形成 一基部結構。 (程序3 )如第7 C圖所示’該銅箔包層樹脂部件A 1 0 1與 -14- 200806107 A 1 04可分別從上側與下側而建立在形成於程序2中之該基 部結構上面。 在程序1到3中，可堆疊五個銅范並可因此建造五層 線板。該銅箔A1 5係對應於第4圖中之電源供應層1 5，該 銅箔A141與A142係對應於第4圖中之接地層141與142, 以及該銅箔A 1 3 1與A 1 3 2係對應於第4圖中之信號層1 3 1 與 132。 (程序4)如第7D圖所示，一接地通道17，一電源供應通 φ 道1 8等在堆疊後形成，使得該銅箔a 1 3 1與A 1 3 2，其中將 適合作爲信號層1 3 1與1 3 2，而可連接至銅箔A 1 4 1與 A 142，其將適合作爲接地層141與142，而穿過該接地通道 1 7並連到該銅箔A 1 5 ’其將適合作爲電源供應層1 5，而穿 過該電源供應通道1 8。此後，一電子元件60如LSI晶片可 被設置在銅箔A 1 3 2上並可穿過接合線而連接到那裡。 如上所述，本發明之該多層接線板可‘由該準備的銅箔 包層樹脂部件製造，而每一銅箔包層樹脂部件均具有絕緣 φ 部伴，其將適合作爲該高電容層，並且該銅箔可依附至該 絕緣部件之一側或兩側之每一側，形成具有電路的銅箔， 壓迫該銅箔包層樹脂部件，建立該每一具有絕緣部件之銅 箔包層樹脂部件’其將適合作爲該低電容層，並可因此形 成該接地通道，電源供應通道等通道。因此，其比一個接 一個順序形成層的方式而能更有效且容易地被製造。 [第二實施例] 現在，參照第8圖所示，依據本發明之第二實施例之 多層接線板之製成將被說明，其中三種不同類型之高電容 -15- 200806107 層可被合倂。 第8圖係依據本發明之第二實施例之多層接線板 圖。 一多層接線板20其包含低電容層111與112，其 一般用在電路板中之絕緣材料製成，並具有一相對低 常數，且每一層均夾於導電層之間，以及三個高電 121、122與123,其中每一層均具有高於每一低電容層 與112電容之電容値。 該低電容層1 1 1與1 1 2可分別配置於該多層接線板 背側上並在其電子元件如設置LSI晶片之前側上。 該高電容層121，122與123具有互相不同的電容且 鄰近配置。 該傳導層可配置在多層接線板20之背側及前側 電容層1 1 1與1 1 2上，分別爲信號層1 3 1與1 3 2。該信 132可連接至電子元件60如LSI晶片可穿過接合線而 於該前側上。 一介於高電容層123與低電容層112之間之傳導 以及一介於高電容層1 2 1與1 2 2之間之傳導層係分別 地層142與141。更甚者，一介於高電容層122與123 的傳導層，以及介於高電容層121與低電容層111之 傳導層係分別爲電源供應層i 52與1 5 1。該信號層1 132，接地層141與142，以及電源供應層151與152 銅箔的形式，但不拘限於此，如於第一實施例中之信费 接地層與電源供應層其可由一般用在多層接線板之傳 的材料製成。 剖面 係由 介電 容層 1111 20之 互相 之低 號層 設置 層， 爲接 之間 .間之 31與 可以 f層， .導層 -16 - 200806107 如上所述，本實施例可倂入二個結構，其每個結構都 可對應至第一實施例之結構，此即本實施例包含一第一結 構，其中該電源供應層1 52係夾於互相具有不同電容之高 電容層122與123之間，並且更進一步可夾於接地層141 與142之間，以及一第二結構，其中該接地層141係夾於 互相具有不同電容之高電容層121與122之間，並且更進 一步可夾於電源供應層1 5 1與1 5 2之間，每個第一與第二 結構均可對應至第一實施例之結構。 # 一接.地通道1 7係形成於信號層1 3 1與1 32以及接地層 14 1與142之接地線之間，而一電源供應通道18係形成於 信號層1 3 1與1 3 2以及電源供應層1 5 1與1 5 2之電源供應 線之間，一通道可形成於前側上之信號層1 32的信號線與 背側上之信號層131的信號線之間。如第8圖所示也是在 此實施例下，其可配置該信號層131與132之接地線與電 源供應線定位在相同水平位置，並且該接地通道1 7與電源 供應通道1 8可通過該多層接線板20以便分別連接至該信 ❿ 號層1 3 1與1 3 2之接地線與電源供應線。 也是參照本實施例，該接地層1 4 1與1 42以及電源供 應層1 5 1與1 5 2基本上可形成最大範圍以避免分別被該電 源供應通道1 8與接地通道1 7干擾。 像在第一實施例中，該低電容層Π1與1 1 2之絕緣材 料具有例如一相對介電常數大槪2至5，而該低電容層1 1 1 與1 1 2之絕緣材料可獲得例如藉由注入具有環氧樹脂的玻 璃布並將其乾燥，但並不僅限於此。假定，例如該使用是 由具有相對介電常數4.2以及厚度設定爲200 // m之材料所 -17- 200806107 製成，則該電容每單位面積大槪爲0.2 pF/mm2。 該高電容層123之電容可設定爲一個値，其可代替小 電容之去耦電容器而適合吸收高頻雜訊，例如在此情況τ 像第一實施例中之高電容層122，可使用相同的絕緣材料作 爲具有相對介電常數爲4.2並設定其厚度爲50/zm之低電 容層111與112，則該電容可設定爲0.78 pF/mm2。 該高電容層122之電容可設定爲一個値，其可代替— 大電容之去耦電容器以適合吸收電源供應漣波電壓或類{以 ^ 之雜訊，並可較佳地設定爲2到5 p F / m m2。在此實施例中， 作爲該高電容層1 22之絕緣材料可用其介電常數比該高電 容層123之介電常數還高之材料製成，例如，像在第一實 施例之高電容層1 2 1之情況中，用由塡充一鈦酸鹽基鋇之 高介電常數塡充物於相同絕緣材料之環氧樹脂中作爲該高 電容層1 23以獲得一相對介電常數爲1 6之材料來製成，藉 由設定其厚度爲50/zm，則該高電容層12 2之電容値可設 爲 2 . ·8 p F / m m2。 # 該高電容層1 2 1之電容可設定爲一個値，其可代替仍 然大電容之去耦電容器，並可較佳地設定爲5 pF/mm2或者 更大。在此實施例中，作爲該高電容層1 2 1之絕緣材料可 用其介電常數比該高電容層122之介電常數還高之材料製 成’例如’可用由塡充大量的鈦酸鹽基鋇之高介電常數之 塡充物於相同絕緣材料之環氧樹脂中作爲該高電容層1 23 以獲得一相對介電常數爲40之材料來製成，藉由設定其厚 度爲30/z m’則該高電容層丨21之電容値可設爲111>1?/1111112。 如上所述，在此實施例中，由於至少二個高電容層 -18- 200806107 121’ 122與123之電容係互相不同的，因此在複數頻帶中 可得雜訊降低的效果。 代替該高電容層122與123，每個高電容層可由增加該絕 緣材料的厚度來形成具有比高電容層1 2 1還小的電容，其 中該材料具有相同於該高電容層121之介電常數。在另一 方面，代替該高電容層122與123,可用藉由降低並增加該 具有相同介電常數之絕緣材料之厚度所獲得的高電容層來 組成’以分別作爲高電容層1 2 1。在此配置下，由於該高電 • 容層係由相同絕緣材料所製成，故熱膨脹係數等等各層係 互相相等的，因此可導致較高的可靠度。 在此實施例中，一包含電源供應層152與接地層142 之供應-接地層對之電源供應層1 5 2可在該二層之間插入高 電容層123,其也可用在另一個具有可在該二層之間插入高 電容層1 22之供應-接地層對中。更甚者，包含電源供應層 152與接地層141之供應-接地層對之接地層141可在該二 層之間插入高電容層122,其仍然也可用在另一個具有可在 該一層之間摇入局電容層1 2 1之供應-接地層對中。因此， 其效果爲，比較傳統具有複數互相獨立的供應-接地層對之 結構來說，本發明之總層數是少的並且該結構是較簡單的。 現在參照第9A到9D圖所示，其將依據本實施例中之 多層接線板說明其製造之方法。 (程序1)準備樹脂形式的銅箔或銅箔包層樹脂部件，而每 一部件均包含一對應層之絕緣部件以及依附一銅范於該絕 緣部件之一側或二側上的每一側。特別地是，依據第9A圖 所示，其分別準備一核心部件（雙銅箔包層樹脂部件）A2〇3 -19· 200806107 作爲一第一部件，一銅箔包層樹脂部件 A202作爲第二部 件，一銅箔包層樹脂部件A204作爲第三部件，一銅箔包層 樹脂部件A20 1作爲第四部件，以及一銅箔包層樹脂部件 A205作爲第五部件。 該銅箔包層樹脂部件A20 1使得一銅箔A 1 3 1可依附至 具有相對介電常數4.2與厚度爲200 /zm之部件A111之一 側上，其中可由滲入環氧樹脂的玻璃布來獲得並可將其乾 燥。該銅箔包層樹脂部件A202使得一銅箔A 1 5 1可依附至 Φ 具有相對介電常數40與厚度爲30# m之部件A121之一側 上，其.中可由滲入塡滿鈦酸鹽基鋇之高介電常數塡充料之 環氧樹脂的玻璃布來獲得並可將其乾燥。而該核心部件 A203使得銅箔A141與A152可依附在具有相對介電常數16 與厚度5 0 μ m之部件A 1 22之二側，其中可由滲入塡滿少量 的鈦酸鹽基鋇之高介電常數塡充料之環氧樹脂的玻璃布來 獲得並可將其乾燥。該銅箔包層樹脂部件A204使得一銅箔 A 142可依附至具有相對介電常數4.2與厚度爲50 // m之部 件A 12 3之一側上，其中可由滲入環氧樹脂的玻璃布來獲得 並可將其乾燥。該銅箔包層樹脂部件A 2 0 5使得一銅箔A 1 3 2 可依附至具有相對介電常數4.2與厚度爲200 /zm之部件 A 1 1 2之一側上，其中可由滲入環氧樹脂的玻璃布來獲得並 可將其乾燥。 所有該銅箔均爲由蝕刻方式形成於電路上。 (程序2)如第9B圖所示，該準備於程序1中之核心部件 A203與銅箔包層樹脂部件A202與A204可堆疊在一起而壓 迫形成一基部結構。 -20- 200806107 (程序3)如第9C圖所示，該銅箔包層樹脂部件A201與 A205可分別從上側與下側而建立在形成於程序2中之該基 部結構上面。 在程序1到3中，可堆疊六個銅箔並可因此建造六層 線板。該銅箔A 1 4 1與A 1 42係對應於第8圖中之接地層1 4 1 與1 42，該銅箔A 1 5 1與A 1 5 2係對應於第8圖中之電源供 應層1 5 1與1 5 2，以及該銅箔A 1 3 1與A 1 3 2係對應於第8 圖中之信號層1 3 1與1 3 2。 Φ (程序4)如第9D圖所示，一接地通道17，一電源供應通 道1 8等在堆疊後形成，使得該銅箔A 1 3 1與A 1 3 2，其中將 適合作爲信號層131與132，而可連接至銅箔A141與 A142’其將適合作爲接地層141與142，而穿過該接地通道 1 7並連到該銅箱A 1 5 1與A 1 5 2，其將適合作爲電源供應層 1 5 1與1 5 2，而穿過該電源供應通道1 8。此後，一電子元件 • 6 0如L S I晶片可被設置在銅箱A 1 3 2上，其可作爲信號層 1 3 2並可穿過接合線而連接到那裡。 Φ 如上所述，本發明之該多層接線板可由該準備的銅箱 包層樹脂部件製造，而每一銅箱包層樹脂部件均具有絕緣 部件’其將適合作爲該高電容層，並且該銅箔可依附至該 絕緣部件之一側或兩側之每一側，形成具有電路的銅箔， 壓迫該銅箱包層樹脂部件’建立該每〜具有絕緣部件之銅 箔包層樹脂部件，其將適合作爲該低電容層，並可因此形 成該接地通道，電源供應通道等通道。因此，其比一個接 一個順序形成層的方式而能更有效且容易地被製造。 [第三實施例] -21- 200806107 第1 0圖爲依據本發明之第三實施例之多層接線板剖 面圖。 • 本發明之第三實施例具有一結構，使得如第4圖所示 之第一實施例中的電源供應層與多個接地層可分別以一接 地層與多個電源供應層代替。因此，其相同的元件符號仍 可指定於第1 0圖中，其中係相同或相等於第一實施例中， 因此在此省略詳細說明。 參照第1 0圖，依據本發明之第三實施例之多層接線板 Φ 3 0中，一低電容層1 1 1，——第一電源供應層1 5，一高電容 層121，一接地層14, 一高電容層122，一第二電源供應層 1 6，以及一低電容層1 1 2係堆疊在信號層1 3 1與1 3 2之間 從下面依序命名。 該低電容層1 1 1與1 1 2係分別配置在多層接線板30之 背側並可設置電子元件61與62如LSI晶片在其前側上。 該信號層1 3 1與1 3 2分別包含接地線’第一電源供應 線，第二電源供應線，以及信號線。一接地通道1 7可在信 φ 號層1 3 1與1 32之接地線以及接地層1 4之間形成。一第一 電源供應通道1 8 1可於信號層1 3 1與1 3 2之第一電源供應 線以及第一電源供應層1 5之間形成。一第二電源供應通道 1 8 2可於信號層1 3 1與1 3 2之第二電源供應線以及第二電源 供應層1 6之間形成。 在LSI封裝中具有各種不同的電源供應’其可針對各 自的電源供應提供不同的高電容層’因此針對各自的電源 供應在不同頻帶下可達到雜訊降低的效果’例如’假定LSI 晶片6 1的電路操作頻率可由連接至第一電源供應層1 5之 •22· 200806107 電源供應VI來操作爲1GHz，當LSI晶片62的電路操作頻 率可由連接至第二電源供應層1 6之電源供應V2來操作爲 100MHz時’該雜訊之頻帶也彼此不同。因此，藉由提供具 有不同電容（高電容層丨21與122)之絕緣層，其可適合各頻 泄 w 。 也是參/照本實施例，該具有一比高電容層丨22還大電 容的高電;容層121可由降低具有與高電容層122相同之介 電常數之絕緣材料的厚度來形成，相反地，該具有比高電 # 容層121還小的電容之高電容層122可由增加具有與高電 容層1 2 1相同之介電常數之絕緣材料的厚度來形成。在此 配置下’由於該高電容層係由相同絕緣材料所製成，故熱 膨脹係數等等各層係互相相等的，因此可導致較高的可靠 度。 更進一步的是，本實施例也可被配置使得該包含第一 電源供應層15與接地層14之供應-接地層對之接地層14， 其具有插入於其中的高電容層1 2 1也可被用在其它具有插 φ 入其中的高電容層1 22的供應-接地層對中。因此，總層數 的影響是較.小的且該結構比傳統具有互相獨立的複數供應 -接地層對結構還簡單。 [第四實施例] 第11圖爲依據本發明之第四實施例之多層接線板剖 面圖。 本發明之第四實施例具有一結構使得該電源供應層與 接地層在第8圖中之第二實施例中可於其中交換。因此， 相同的元件符號可安排於第1 1圖中，其中可相同或相等第 -23- 200806107 二實施，因此可省略其詳細說明。 參照第1 1圖，一多層接線板40包含由一般用在電路 板上且具有相對低介電常數之絕緣材料所製成之低電容層 111與112，並且每層可夾於傳導層之間，以及三個高電容 層121，122與123，且每一層具有比每個低電容層111與 112還高的電容。該高電容層121，122與123可互相具有 不同的電容並可互相相鄰配置。 該低電容層1 1 1與1 1 2可分別配置在多層接線板40之 φ 背側並設置如LSI晶片之電子元件61與62之前側上。 一介於高電容層123與低電容層112之間的傳導層， 以及介於高電容層1 2 1與1 22之間的傳導層，分別爲第二 電源供應層16與第一電源供應層15。更進一步的是，一介 於高電容層122與123之間之傳導層與一介於高電容層121 與低電容層111之間的傳導層，分別爲接地層142與141。 配置在多層接線板40之背側與前側上之低電容層1 1 1 與112上之傳導層分別爲信號層131與132，該信號層132 φ 可連接至穿過接合線而設置於前側上如LSI晶片之電子元 件61與62上。 該信號層1 3 1與1 32分別包含接地線，第一電源供應 線，第二電源供應線，以及信號線，接地通道1 7可於信號 層131與132以及接地層141與142之接地線間形成’一 第一電源供應通道181可於該信號層131與132之第一電 源供應線以及該第一電源供應層1 5之間形成’一第二電源 供應通道182可於該信號層131與132之第二電源供應接 線以及該第二電源供應層1 6之間形成。 -24- 200806107 由此可看出本實施例係倂入二個結構，而每個結 對應至第三實施例之結構，亦即，此實施例包含一第 構，其中該接地層142可夾於互相具有不同電容之高 層122與123之間，並且可更進一步地夾於該第一與 電源供應層1 5與1 6之間，以及一第二結構，其中該 電源供應層15可夾於具有不同電容之高電容層121與 之間，並可更進一步夾於接地層141與142之間。這 一與第二結構，每個均可對應至第三實施例之結構。 ϋ 如上所述，在此實施例中，由於至少二個互相具 同高電容層121，122與123之電容，可於複數頻帶中 雜訊降低的效果。 也是在本實施例中，代替該高電容層122與123, 高電容層可具有比高電容層121還小的電容而可由增 高電容層1 2 1具有相同介電常數之絕緣材料形成。另 面，代替該高電容層122與123，可用分別由降低與增 有與該高電容層1 2 1相同介電常數絕緣材料之厚度所 φ 之高電容層來製成。在此配置下，由於該高電容層係 同絕緣材料所製成，故熱膨脹係數等等各層係互相 的，因此可導致較高的可靠度。 在此實施例下，該包含第二電源供應層1 6與接 1 4 2之供應-接地層對之接地層1 4 2，其具有插入於其 高電容層123也可被用在其它具有插入其中的高電 122的供應-接地層對中。更甚者，該包含接地層142 一電源供應層1 5之供應-接地層對之第一電源供應層 其具有插入於其中的高電容層122也仍然可被用在其 構均 一結 電容 第二 第一 122 些第 有不 獲得 每個 加與 一方 加具 獲得 由相 相等 地層 中的 容層 與第 15， 它具 -25- 200806107 有插入其中的高電容層1 2 1的供應-接地層對中。因此，總 層數的影響是較小的且該結構比傳統具有互相獨立的複數 供應-接地層對結構還簡單。 [第五到九實施例] 第1 2 A到1 2 E圖係分別依據本發明之第五至第九實施 例之多層接線板之剖面圖。 在這些實施例之說明中，詳細解釋部份係相同或相等 於第3到第1 1圖中所不之第一至第四實施例而可被省略。 參照第12A圖所示，依據本發明之第五實施例之多層 接線板50a’包含低電容層111與112，四個高電容層121 到124,其中每層具有比每一低電容層Hi與H2還高的電 容’電源供應層1 5 1到1 5 3，以及接地層1 4 1與1 42。特別 是，一信號層1 3 1、低電容層1 1 1、電源供應層丨5丨、高電 容層121 ’接地層141、高電容層122、電源供應層152、 高電容層123、接地層142、高電容層124、電源供應層153、 低電容層112，以及信號層132可由下依序堆疊命名。 至少二個高電容層1 2 1到1 '24具有互相不同之電容。 該信號層1 3 1與1 3 2可分別配置在多層接線板5 〇 a之 背側與前側上之低電容層1 1 1與1 1 2上。該信號層1 3 2可 連接至穿過接合線而設置於該前側上如LSI晶片之電子元 件上。 該信號層1 3 1與1 3 2可分別包含接地線，電源供應線， 以及信號線。一接地通道1 7可於該接地線與接地層1 4 1與 1 42之間形成，一電源供應通道1 8可於電源供應線與電源 供應層1 5 1到1 5 3之間形成。 -26- 200806107 參照第1 2B所示，依據本發之第六實施例之多層接線 板5 Ob，其包含低電容層111與112，四個高電容層121到 124，其中每層具有比每個低電容層1 1 1與1 12還高的電 容，一第一電源供應層15，二個第二電源供應層161與 162，以及接地層141與142。特別是，一信號層131、低 電容層1 1 1、第一電源供應層1 5、高電容層1 2 1、接地層 141、高電容層12 2、第二電源供應層161、高電容層123、 接地層142、高電容層124、第二電源供應層162、低電容 • 層112，以及信號層132可由下依序堆疊命名。 至少二個高電容層121到124可互相具有不同電容。 該信號層131與132可分別配置於多層接線板50b之 背側與前側之低電容層1 1 1與1 1 2上。該信號層1 3 2可連 接至穿過接合線且配置在該前側上之如LSI晶片之電子元 件61與62。 該信號層1 3 1與1 32可分別包含接地線，第一電源供 應線，第二電源供應線，以及信號線。一接地通道1 7可於 • 該接地線與接地層1 4 1與1 42之間形成，一第一電源供應 通道1 8 1可於第一電源供應線與第一電源供應層1 5之間形 成’ 一第二電源供應通道1 82可於第二電源供應線與第二 電源供應層1 6 1與1 62之間形成。 參照第1 2C圖，依據本發明第七個實施例之多層接線 板50c’其包含低電容層ill與112，四個高電容層121到 124’其中每層具有比每個低電容層ill與112還高的電 容’二個架電源供應層151與152, 一第二電源供應層16, 以及接地層1 4 1與1 4 2。特別是，一信號層1 3 1、低電 -27- 200806107 容層11卜第一電源供應層151、高電容層121、接地層141、 高電容層122、第一電源供應層152、高電容層123、接地 層142、高電容層124、第二電源供應層16、低電容層112， 以及信號層132可由下依序堆疊命名。 至少二個高電容層1 21到1 24可互相具有不同電容。 該信號層131與132可分別配置於多層接線板50c之 背側與前側之低電容層111與112上。該信號層132可連 接至穿過接合線且配置在該前側上之如LSI晶片之電子元 φ 件61與62。 該信號層131與132可分別包含接地線，第一電源供 應線，第二電源供應線，以及信號線。一接地通道丨7可於 該接地線與接地層1 4 1與1 4 2之間形成，一第一電源供應 通道1 8 1可於第一電源供應線與第一電源供應層1 5 1與1 52 之間形成’ 一第二電源供應通道1 82可於第二電源供應線 與第二電源供應層1 6之間形成。 參照第1 2 D所示’依據本發之第八實施例之多層接線 φ 板5 0 d，其包含低電容層1 1 1與1 1 2，四個高電容層1 2 1到 124，其中每層具有比每個低電容層ill與112還高的電 容，電源供應層1 5 1與1 5 2，以及接地層1 4 1與1 4 3。特別 是，一信號層1 3厂、低電容層1 1 1、接地層1 4 1、高電容層 121、電源供應層151、高電容層122、接地層142、高電容 層123、電源供應層152、高電容層124、接地層143、低 電容層112，以及信號層132可由下依序堆疊命名。 至少二個高電容層1 2 1到1 24可互相具有不同電容。 該信號層1 3 1與1 3 2可分別配置於多層接線板5 〇 d之 -28- 200806107 背側與前側之低電容層1 1 1與1 1 2上。該信號層 接至穿過接合線且配置在該前側上之如L S I晶片 件60。 該信號層1 3 1與1 3 2可分別包含接地線，電源 以及信號線。一接地通道1 7可於該接地線與接地 1 4 3之間形成，一電源供應通道1 8可於電源供應 供應層1 5 1與1 5 2之間形成。 參照第12E圖，依據本發明第九個實施例之 馨 板50e，其包含低電容層ill與112，四個高電容 124，其中每層具有比每個低電容層ηι與112 容’一第一電源供應層〗5，一第二電源供應層i 6 地層1 4 1與1 4 3。特別是，一信號層n丨、低電容 接地層1 4 1、高電容層1 2 1、第一電源供應層丨5、 122、接地層142、高電容層123、第二電源供應f 電容層124、接地層143、低電容層〗丨2，以及信 可由下依序堆疊命名。 φ 至少二個高電容層1 2 1到1 2 4可互相具有不ίϊ 該信號層1 3 1與1 32可分別配置於多層接線 背側與前側之低電容層1 1 1與丨丨2上。該信號層 接至穿過接合線且配置在該前側上之如L SI晶片 件61與62 。 該信號層1 3 1與1 3 2可分別包含接地線，第 應線，第二電源供應線’以及信號線。一接地通δ 該接地線與接地層1 4 1與1 4 3之間形成，一第一 通道1 8 1可於第一電源供應線與第一電源供應層 1 3 2可連 之電子元 供應線， 層1 4 1與 線與電源 多層接線 層1 2 1到 還高的電 ，以及接 層 1 1 1、 局電容層 i 16、高 號層1 3 2 司電容。 板5 0e之 132可連 之電子元 一電源供 重1 7可於 電源供應 1 5之間形 •29- 200806107 成’ 一第二電源供應通道丨82可於第二電源供應線與第二 電源供應層1 6之間形成。 在第五到第九實施例中，由於至少二個高電容層1 2 i 到1 2 4可如上所述而具有互相不同的電容，因此可於複數 頻帶中獲得雜訊降低之效果。 也是在第五到第九實施例中，該所需之電容可依據形 成各電容層之厚度來獲得。在此情況下，由於高電容層可 由相同絕緣材料製成，故熱膨脹係數等等各層係互相相等 φ 的，因此可導致較高的可靠度。 更進一步的是’也是在第五到第九實施例中，由於該 電源供應層或接地層相鄰分配於供應-接地層對之間，因此 總層數的影響是較小的且該結構比傳統具有互相獨立的複 數供應-接地層對結構還簡單。· 雖然本發明已就較佳實施例方面作說明，但本發明並 不限於此’在不脫離本發明之主旨下其也能作各種不同的 改變。 φ 【圖式簡單說明】 弟1圖係傳統多層接線板之透視圖·， 第2圖係多層接線板沿第1圖中之2-2線之剖面圖； 第3圖係依據本發明之多層接線板第一實施例之透視 圖； 第4圖係多層接線板沿第3圖中之4-4線之剖面圖； 第5圖係顯示利用第3圖與第4圖之多層接線板在模 擬改變相對於頻率之阻抗下之一範例示意圖； 第6圖係依據本發明之第一實施例之變型之多層接線 -30- 200806107 板剖面圖； 第7A到7D圖係顯示依據本發明之第一實施例之多層 接線板的製造方法之示意圖； 第8圖係依據本發明之第二實施例之多層接線板剖面 圖； 第.9A到9D圖係顯示依據本發明之第二實施例之多層 接線板的製造方法之示意圖； 第1 0圖爲依據本發明之第三實施例之多層接線板剖 面圖； 第1 1圖爲依據本發明之第四實施例之多層接線板剖 面圖；以及 第12A到12E圖係依據本發明之第五至第九實施例之 多層接線板之剖面圖。 【主要元件符號說明】 10 、 20 ' 30 、 40 、 50a 、 50b 、 50c 、 50d 、 50e 、 80 111、 112、 811、 812 121 、 121’ 、 122 、 123 、 124 、 82 60 131 、 132 、 831 、 832 1 5、1 5 2、8 5 14 - 14卜 142 、 84 17 ^ 87 18 、 181 、 182 、 88 A103 多層接線板 低電容層 局電容層 電子元件 信號層 電源供應層 接地層 接地通道 電源供應通道 雙銅箔包層樹脂部件 -31 200806107 A101、A12、A104 銅箔包層樹脂 A131 、 A141 、 A15、 A132、 A142、 A151 、 A152 Am、A112、Am、A122、A123、A202、A203' A205 部件（電容層） A 103 核心部件 6 1、6 2 L S I 晶片 部件 銅箔 A204、
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