TW200527427A - Memory buffer device integrating refresh - Google Patents
Memory buffer device integrating refresh Download PDFInfo
- Publication number
- TW200527427A TW200527427A TW093125383A TW93125383A TW200527427A TW 200527427 A TW200527427 A TW 200527427A TW 093125383 A TW093125383 A TW 093125383A TW 93125383 A TW93125383 A TW 93125383A TW 200527427 A TW200527427 A TW 200527427A
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- memory
- storage array
- update
- interface
- update logic
- Prior art date
Links
- 230000015654 memory Effects 0.000 title claims abstract description 345
- 239000000872 buffer Substances 0.000 title claims description 84
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims abstract description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 7
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims abstract description 6
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims abstract description 6
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims abstract description 6
- 238000003491 array Methods 0.000 claims description 13
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 13
- 238000007689 inspection Methods 0.000 claims 2
- 230000005055 memory storage Effects 0.000 claims 2
- 239000013589 supplement Substances 0.000 claims 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 7
- 230000006870 function Effects 0.000 description 6
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 4
- 230000004044 response Effects 0.000 description 4
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 4
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 238000013500 data storage Methods 0.000 description 2
- 230000001934 delay Effects 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 230000000977 initiatory effect Effects 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 238000012163 sequencing technique Methods 0.000 description 2
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 2
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 2
- 230000006399 behavior Effects 0.000 description 1
- 210000004556 brain Anatomy 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/21—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
- G11C11/34—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
- G11C11/40—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
- G11C11/401—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells
- G11C11/406—Management or control of the refreshing or charge-regeneration cycles
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F13/00—Interconnection of, or transfer of information or other signals between, memories, input/output devices or central processing units
- G06F13/14—Handling requests for interconnection or transfer
- G06F13/16—Handling requests for interconnection or transfer for access to memory bus
- G06F13/1605—Handling requests for interconnection or transfer for access to memory bus based on arbitration
- G06F13/161—Handling requests for interconnection or transfer for access to memory bus based on arbitration with latency improvement
- G06F13/1636—Handling requests for interconnection or transfer for access to memory bus based on arbitration with latency improvement using refresh
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C2211/00—Indexing scheme relating to digital stores characterized by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C2211/401—Indexing scheme relating to cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells
- G11C2211/406—Refreshing of dynamic cells
- G11C2211/4061—Calibration or ate or cycle tuning
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Dram (AREA)
- Memory System (AREA)
Description
200527427 (1) 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關一種結合更新之記憶體緩衝器裝置。 【先前技術】 隨著能更快速地儲存以及擷取資料的需求不斷增加, 記憶體裝置(包含隨機存取記憶體(DRAM )裝置)持續 變的更快。隨著記憶體裝置速度的增加,記憶體介面和記 憶體匯流排速度增加的需求亦隨之而來,記憶體介面和記 憶體匯流排係用來與這些記憶體裝置傳達位址、命令與資 料。由於這些訊號的速度持續增加,人們開始關心是否仍 能夠持續目前匯流由記億體控制器提供給多個記億體裝置 (如雙行記憶體裝置(DIMM ))之大部分訊號的實施方 式。 增加速度同時增加節省電源的要求開始使如何使用記 憶體介面與記憶體匯流排之有效率的增加亦受到關注,使 得尋找方法來減低通訊位址以及/或命令中酬載( overhead )的問題因應而生,其中該標頭係來自以及至記 憶體裝置之資料交流中必要者。由於不斷需要能更快速地 傳輸資料,已開始將任何記憶體介面以及/或記憶體匯流 排作爲傳輸位址或命令之用途視爲錯失的機會’那些所耗 費的時間與電子能量應該用來傳輸資料。 【發明內容及實施方式】 -5- 200527427 (2) 爲了解釋本發明,於下的說明中將列舉各種細節能更 詳盡地理解本發明。但是,熟悉該項技藝者明瞭實施本發 明係不需要這些特定細節。 本發明實施例係有關於合倂記憶體模組中記億體單元 更新之支援,代替透過記憶體控制器中電路記憶體單元之 更新或者一起進行。雖然於下係圍繞DRAM裝置來討論 ,其中的記憶體單元係安排成多個與列之二維行陣列,但 熟悉該項技藝者應能了解到實施此後要求專利權保護的本 發明係可支援任何種類的記憶體裝置,其具有安排成數種 方式的記憶體單元,包含插敘庫(interleaved bank)、二 維以上的陣列(亦即兩部分以上的位址),內容-可定址 (content-addressable)等等。並且,雖然於下至少一部 分的討論係圍繞在電腦系統中記憶體裝置,但熟悉該項技 藝者應能了解此後要求專利權保護的本發明之實施可與具 有記憶體裝置之其他電子裝置有關。 第1圖爲利用記憶體系統一實施例的簡化方塊圖。記 憶體系統1 00至少部分的由透過記憶體匯流排1 80a - c以 一連串點對點連結而耦合在一起之記憶體控制器1 70以及 記憶體裝置1 90a - c所組成。熟悉記憶體系統設計之技術 者能迅速了解到第1圖僅描畫一種相當簡單的記億體系統 形式,其他實施例亦可行,其中組件之確切的排列與組合 可減少、增加或替代而不脫離本發明於後申請專利的範圍 與精神。例如,雖然記憶體系統係顯示具有三個記憶體裝 置1 90a - c,透過一條點對點連結鍊耦合至由記憶體控制 -6- 200527427 (3) 器提供的僅一個記憶體介面,熟悉此技術者能迅速了解到 其他可能的記億體系統1 00的實施利可由耦合不同數量記 憶體裝置之多條平行點對點連結鍊所組成。 記憶體控制器I 7 0控制由記憶體裝置1 9 0 a - C執行的 功能,藉此作爲提供獨立耦合至記憶體控制器1 7〇之外部 裝置(未圖示)對於記憶體裝置1 9〇a - c存取的一部分。 詳言之,耦合至記憶體控制器1 7 0之外部裝置發出命令給 記億體控制器1 7 0,以儲存資料於一或多個記憶體裝置 190a — c,以及自一或多個記憶體裝置190a — c擷取已儲 存之資料。記憶體控制器1 7 0以具有配合記憶體匯流排 1 8 0 a之時序及協定的格式接收命令並發送給記憶體裝置 190a— c。實際上,回應來自外部裝置之讀取與寫入命令 ,記憶體控制器170協調針對記憶體裝置190a— c中記憶 體單元之存取。於各種實施例中這些功能支援中,記億體 控制器1 70亦可協調必需在記憶體裝置1 90a - c中記憶體 單元上執行的各種維修操作,以確保儲存於記憶體裝置 j 90a — c中資料受到維護。該維修操作可包含定期更新操 作之啓動,特別係若記憶體裝置1 90a - c至少部分地根據 DRAM儲存技術。 各記憶體匯流排1 80a - c提供點對點連結,亦即,一 種匯連排,其中大部分構成該匯流排之訊號僅連接兩個裝 置。將大部分訊號連接限於兩個裝置有助於維持那些大部 分訊號之完整性以及所希望的電子特性,藉此更容易支援 高速訊號可靠的傳輸。記憶體控制器1 70透過記憶體匯流 -7- 200527427 (4) 排1 8 0 a耦合至記憶體裝置1 9 0 a,於記憶體控制器1 7 0與 記憶體裝置1 90a之間形成點對點連結。同樣的,記憶體 裝置190a透過記憶體匯流排180b更耦合至記憶體裝置 1 90b,而記憶體裝置190b透過記憶體匯流排1 80c更耦合 至記憶體裝置1 90c。記憶體控制器1 70與記億體裝置 1 90a間的位址、命令以及資料透過記憶體匯流排1 80a直 接傳輸,而記憶體控制器170與記憶體裝置190b以及 1 90c間的位址、命令以及資料透過中間的記憶體裝置 1 90a以及記憶體匯流排傳輸。 記憶體匯流排180a - c可由各種不同位址、命令及/ 或資料訊號線組成,於不同導體或共同導體上以多路傳輸 方式連續的以不同相位傳達位址、命令及/或資料。取而 代之,也或許合同該等不同的訊號線,以各種方式將傳輸 用之位址、命令及/或資料編碼及/或以封包方式傳輸。 熟悉該項技藝者應迅速瞭解到,許多時序、訊號與協定形 式可用於兩裝置間點對點匯流排上之傳輸。另外,可將組 成各種可能的記憶體匯流排1 80a- c實施例的各種訊號線 精確的特性與量配置成與數個可能的記憶體介面進行有意 義的溝通,該等記憶體介面包含目前普遍使用的介面或正 在硏發當中的新介面。在於各種訊號線上的活動應與一時 脈訊號協調的實施例中(如同步記憶體匯流排),或許在 控制訊號線中,一或多個訊號線係作爲於各記憶體匯流排 1 80a— C之上傳送時脈訊號。 各記憶體裝置190a— c係分別由介面緩衝器192 a— c -8- 200527427 (5) 以及儲存陣列1 9 9 a - c各一個所組成’其中於各記億體裝 置190a— c中對應的介面緩衝器192a—c以及儲存陣列 1 9 9 a — c耦合在一起。各儲存陣列1 9 9 a — c係由記憶體單 元陣列組成’該記憶體單元爲實際資料儲存所在。於一些 實施例中,各儲存陣列1 9 9 a - c可由單一積體電路組成( 或同時合倂對應的介面緩衝器1 9 2 a - c之單一積體電路) ,而在其他實施例中,儲存陣列199a— c可由多個積體電 路組成。於各種可能的實施例中,可分別由與組成儲存陣 歹ϋ 199a— c之一或多個積體電路不同的一或多個積體電路 組成介面緩衝器1 9 2 a - c。 並且,在各種可能實施例中 ,各記憶體裝置190a — c可以單行記憶體模組(SIMM) 、單行插腳(SIPP )、雙行記憶體模組(DIMM )或任何 熟悉該項技藝者已知的其他形式實施。 介面緩衝器192a— c提供對應儲存陣列199a-(:與一 或多各記憶體匯流排1 8 0 a - c之間的介面以於各儲存陣列 199a- c與記憶體控制器170之間指揮位址、命令以及資 料的傳輸。在記憶體裝置1 90a的情況中,介面緩衝器 192a將欲於記憶體控制器170與記憶體裝置190a之間傳 輸的位址、命令以及資料指引到儲存陣列1 9 9 a,同時允 許讓欲於記憶體控制器1 70與其他記憶體裝置(如記憶體 裝置1 9 0 b與1 9 0 c )之間傳輸的位址、命令以及資料通過 介面緩衝器192a。於記憶體裝置190a — c之一些實施例 中,尤其是其中儲存陣列1 99a - c係由多個積體電路組成 ’介面緩衝器1 92a - c可提供介面給與廣泛使用之記憶體 -9- 200527427 (6) 裝置相容的儲存陣列199a — c,其中有DRAM裝置,例如 快速分頁模式(FPM )記憶體裝置、延伸資料輸出(EC)〇 )、雙埠視訊隨機存取記憶體(dual-port VRAM )、窗 RAM、單資料速率、雙資料速率、RAMBUS ™ DRAM等 等。 第2圖爲利用記憶體系統實施例之另一方塊圖。記憶 體系統2 00至少一部份由透過記憶體匯流排2 80a以點對 點連結耦合在一起之記憶體控制器2 70以及記憶體裝置 2 90所構成。雖然第2圖僅顯示一個記憶體裝置(亦即記 億體裝置290 )連結至記憶體控制器270,這僅是爲了簡 化說明之sB憶體系統組態的一個範例,且如第2圖中暗示 ,記憶體裝置290之介面緩衝器2 92可提供透過記憶體匯 流排2 80b與另外的裝置形成點對點連結的能力。 記憶體控制器270控制由記億體裝置290執行的功能 ,作爲提供耦合至記憶體控制器2 7 0的另一裝置(如控制 裝置22 0 )存取記憶體裝置290的一部份。詳言之,控制 裝置220發出命令給記憶體控制器270以儲存資料至並擷 取資料自記憶體裝置290。因此,記憶體控制器2 70協調 針對記憶體裝置290中記憶體單元之存取,以回應來自控 制裝置220之讀取與寫入命令而儲存與擷取資料。於一些 實施例中,記憶體控制器270可合倂具有命令緩衝器279 之排序電路2 77,以儲存並重新排序來自控制裝置220之 資料儲存以及擷取命令,而在記憶體匯流排2 8 0 a以及/ 或記憶體裝置290各種可能的特性下,產生更有效率地依 -10- 200527427 (7) 序排列的讀取與寫入命令序列。 記憶體裝置2 9 0提供數個記憶體單元以 些資料可提供給控制裝置220以及/或由控 求’那些記憶體單元安排成儲存陣列299之 裝置290中介面緩衝器292接收記憶體匯济 來的讀取與寫入命令,並依照命令,存取儲 適當的記憶體單元,以儲存或擷取資料。除 資料外,可對儲存陣列299中記憶體單元執 作,確保儲存於記憶體單元中資料被保護, 操作可包含定期更新操作,特別係若儲存陣 份地根據DRAM儲存技術。欲進行這種更 緩衝器292包含邏輯,以足夠防止已儲存資 的間格啓動更新操作。此種啓動更新操作的 新計時器294,提供更新操作發生之間格時 /或更新追蹤邏輯295,在儲存陣列299中 少一部份排列成行與列的二維陣列時的實施 存陣列299中記憶體單元即將更新的下一列f 在一些實施例中,介面緩衝器2 92中啓 邏輯可設計及/或程式化成爲以機會方法執 其中介於儲存陣列299的讀取及/或寫入存 用時間〃係用來執行更新操作。此種機會方 讀取或寫入操作之執行的延遲。於某些變化 衝器292中邏輯可根據最短無動作期間的出 憶體匯流排280a上的其他行爲模式的出現 儲存資料,這 制裝置2 2 0要 陣列。記憶體 [排2 80a上往 存陣列299中 了儲存與擷取 行各種維修操 以及這種維修 列2 9 9至少部 新操作,介面 料流失之頻率 邏輯可包含更 間基準,以及 記憶體單元至 例中,決定儲 均列位址。 動更新操作的 行更新操作, 取之間的 ' 無 式得嘗試避免 例中,介面緩 現及/或在記 ,作爲無用時 -11 - 200527427 (8) 間出現時或即將出現的指標。可設計及/或程式化 面緩衝器292中邏輯’以解釋當記憶體控制器270 億體匯流排2 8 0a電源的時間,作爲執行更新操作 〇 於其他實施例中,可設計及/或程式化記憶體 270中的邏輯,以提供介面緩衝器292即將來臨的 間及/或無用時間開始的指標。這可使記憶體控制 啓動的位址、命令及/或資料傳輸以及介面緩衝器 行之更新操作有更好的協調。於記憶體控制器270 序電路2 7 7及/或命令緩衝器2 7 9以更有效率地安 執行的命令的變化例中,記憶體控制器2 7 0可提供 衝器2 92即將或正在發生無用時間之時間長度的指 無論用來辨識、選擇或指示啓動更新操作時機 爲何,可設計及/或程式化介面緩衝器2 9 2,以要 或防止讀取及/或寫入操作來接納更新操作的發生 的情況可發生在當更新操作已經開始或已經經過一 的時間沒有啓動更新操作而必須執行一或多個更新 可設計及/或程式化介面緩衝器292以指示記憶體 2 7 〇於某時間某讀取及/或寫入操作無法執行。這 可連同狀態訊號一起傳輸經過記憶體匯流排2 8 〇 a 新操作正在執行之特定指示給記憶體控制器2 7 〇, 動防止記憶體控制器2 7 〇在當時傳送涉及儲存陣列 讀取及/或寫入操作命令。或者,爲了回應記憶體 270嘗試傳送涉及儲存陣列2 99之讀取及/或寫入 此種介 關閉記 的時機 控制器 無用時 器270 292執 使用排 排即將 介面緩 的機制 求延遲 。這樣 段足夠 操作, 控制器 個指示 提供更 也許主 299之 控制器 操作命 -12- 200527427 (9) 令,介面緩衝器2 9 2所提供的指示可爲''忙碌〃指示的形 式。此種、、忙碌〃指示可以匯流排重試訊號的形式傳給記 憶體控制器2 70,使得爲了提供額外的時間來執行或完成 更新操作而讀取或寫入命令接受,需再嘗試於記憶體匯流 排28 0a上傳輸讀取或寫入命令。 無論延遲或防止涉及儲存陣列299之讀取及/或寫入 操作來接納更新操作的機制爲何,於一些實施例中,可設 計及/或程式化記憶體控制器270執行涉及其他儲存陣列 之讀取及/或寫入操作,或許在透過記憶體匯流排28〇b 之其他記憶體裝置中。或者,於其他實施例中,記憶體控 制器270可藉由關閉記憶體匯流排電源以回應某讀取及/ 或寫入操作之延遲或防止,直到之後得以執行讀取及/或 寫入操作之時間。 第3圖係利用記憶體系統實施例之又一方塊圖。類似 第2圖之記憶體系統200,記憶體系統3 00至少一部份由 透過記憶體匯流排3 8 0a以點對點連結耦合在一起之記億 體控制器3 7 0以及記憶體裝置3 9 0所構成。雖然第2圖僅 顯示一個記憶體裝置(亦即記憶體裝置3 90 )連結至記憶 體控制器3 7 0,爲了簡化說明這僅是記憶體系統組態的一 個範例,且如第3圖中暗示,記憶體裝置3 9 0之介面緩衝 器3 92可提供透過記憶體匯流排3 8 0b與另外的裝賡形成 點對點連結的能力。 記憶體控制器3 7 0控制由記憶體裝置3 9 〇執行的功能 ’作爲提供耦合至記憶體控制器3 70的另一裝置(如控制 -13- 200527427 (10) 裝置3 2 0 )存取記憶體裝置3 9 0的一部份。詳言之,記憶 體控制器3 7 0協調針對記憶體裝置3 9 〇中記憶體單元之存 取,以回應來自控制裝置320之讀取與寫入命令而儲存與 擷取資料。於各種可能的實施例中,記憶體控制器3 7 〇可 包含具有更新計時器374及/或更新追蹤邏輯375之更新 電路3 72,以啓動及/或協調耦合至記憶體控制器3 70之 諸如記憶體裝置3 90的一或多個記憶體裝置中記憶體單元 之更新。並且,於各種可能的實施例中,記憶體控制器 370可包含命令緩衝器379之排序電路377,以儲存並重 新排序來自控制裝置3 2 0之資料儲存以及擷取命令,而在 記憶體匯流排3 8 0a以及/或記憶體裝置3 9 0各種可能的 特性下,產生更有效率依序排列讀取與寫入命令序列。 記憶體裝置3 90提供數個記憶體單元以儲存資料,這 些資料可提供給控制裝置320以及/或由控制裝置3 20要 求。記憶體裝置3 90中介面緩衝器3 92接收記憶體匯流排 3 8 0 a上往來的讀取與寫入命令,並依照命令,存取儲存 陣列3 99中適當的記憶體單元,以儲存或擷取資料。爲了 支援於儲存陣列3 9 9中記億體單元,介面緩衝器3 9 2包含 啓動更新操作之邏輯,包含更新計時器3 9 4 ’以及/或更 新追蹤邏輯3 9 5。 於某些實施例中’控制於儲存陣列3 9 9中記憶體單元 之更新操作的工作可分散於更新電路3 7 2與介面緩衝器 3 92之間。在某些時間中’較佳更新電路372控制更新操 作,而在其他時間,由記憶體裝置3 9 0中介面緩衝器392 -14- 200527427 (11) (以及其他記億體裝置中現有對應的介面緩衝器)控制更 新操作,其更新方式與更新電路3 72的任何控制大約無關 〇 在許多實施例中各種時間中,更新電路3 72控制更新 操作。可利用記憶體控制器3 7 0中排序電路3 7 7之資訊的 優勢,亦即對於可能儲存於命令緩衝器3 7 9中目前正在執 行以及即將執行的命令之自然狀態,以協調產生更新操作 的時間,以減低讀取/寫入指令由於更新操作執行而受到 延遲的情形。再者,記憶體系統3 00具有一個以上記憶體 裝置(如記憶體裝置3 90 )的可能實施例中,更新電路 3 7 2可協調數個記憶體裝置之更新操作,使得當在一個記 憶體裝置上執行讀取/寫入操作的同時,令一或多個其他 記憶體裝置進行更新操作。 在許多實施例中其他時間中,可能在爲了減低記憶體 系統3 00的總耗電量時,記億體控制器3 70使記憶體匯流 排3 8 0 a (以及可能記憶體匯流排3 8 Ob )電源關閉期間中 ,由介面緩衝器3 92控制更新操作。這種情況在記憶體匯 流排3 8 0a時脈速度和/或訊號特性會使得即使記憶體匯 流排3 8 0 a上不發生位址、命令及/或資料傳輸卻仍頗耗 電的實施例中經常會發生。很可能使儲存陣列3 99中記憶 體單元進入較低電源狀態並不如關閉記憶體匯流排3 8 0 a 電源來的理想,因爲儲存陣列3 9 9中記憶體單元進入及/ 或出去低電源狀態比關閉及/或開啓匯流排電源3 8 0 a花 費更多時間。 -15- 200527427 (12) 在許多可能的實施例中,有可能依照記憶體匯流排 3 8 0 a的狀態或活動程度,以一片刻一片刻需求驅動爲準 ,於更新電路3 72以及介面緩衝器3 90之間來回移交更新 操作的控制。當有很多傳輸發生在記憶體匯流排3 8 0 a上 時,可能最理想由更新電路3 72控制更新操作’以更有效 率的使用儲存陣列3 9 9。或者,可能最理想由介面緩衝器 3 92控制更新操作,以增加記憶體匯流排3 8 0 a用來傳輸 更多位址、資料以及/或命令而非更新命令之可用率。當 在較少傳輸發生於記憶體匯流排3 8 0 a上時’又有可能最 理想由介面緩衝器3 92控制更新操作,使記憶體匯流排 3 8 0 a能於那幾個傳輸發生之間短期的關閉電源,同時儲 存陣列3 99中記憶體單元仍維持完全活動,以準備回應下 個讀取/寫入命令。 在介面緩衝器3 9 0以及儲存陣列3 99係整合在不同積 體電路的實施例中,特別是當儲存陣列3 9 9由多個積體電 路構成的實施例中,組成儲存陣列3 99之各積體電路可包 含個別的本身更新邏輯電路,用於當記憶體系統3 00降低 成沒有讀取/寫入操作會發生但記憶體單元中仍保有資料 的低電源狀態之情形。 同時參照第2圖與第3圖,在記憶體系統包含一或多 個記憶體裝置的實施例中,於各記憶體裝置中用於更新操 作之含有邏輯之介面緩衝器的設置可用來致能多個記憶體 裝置中更新操作平行獨立的執行。實際上,藉由移除酬載 ’可大幅增加各儲存陣列中記憶體單元的使用效率及/或 -16- 200527427 (13) 各匯流排上有效頻寬,其中該酬載係因具有更新電路 憶體控制器內中心控制並協調多個匯流排上及/或多 憶體裝置上的更新操作而產生。 第4圖顯示利用電腦系統之實施例的簡化方塊圖 腦系統400至少部份由處理器410、系統邏輯420及 體裝置490a — c組成。系統邏輯420耦合至處理器4: 執行各種支援處理器4 1 0的功能,包含使用系統邏輯 中的記憶體控制器470來提供處理器4 1 0對於記憶體 49 0a- c的存取,該等記憶體裝置490a— c同樣耦合 統邏輯420。處理器410、系統邏輯420及記憶體 490a- c組成一種形式的電腦系統400核心,能夠支 理器 4 1 0對於機器可讀取指令的執行以及記憶體 4 9 0 a - c中資料與命令的儲存。 於許多實施例中,處理器4 1 0可以爲各種的處理 包含能執行廣爲人知與使用的'' X 8 6 〃指令集至少一 的處理器,而於其他實施例中,可有一個以上的處理 於許多實施例中,記憶體裝置490a - c可爲各種動態 存取記憶體(DRAM ),包含快速分頁模式(FPM ) 體裝置、延伸資料輸出(EDO )、單資料速率或雙資 率形式的同步動態RAM ( SDRAM )、各種利用 RAMBUS ™技術之RAM等等之任一種,並且記憶體 器4 70針對使用的記憶體種類提供邏輯420適當的介 記憶體裝置490a - c之記憶體單元至少一部份係安排 維陣列的行與列。熟悉該項技藝者應瞭解到’三個記 於記 個記 。電 記憶 I 0並 420 裝置 至系 裝置 援處 裝置 器, 部份 器。 隨機 記憶 料速 控制 面。 成二 憶體 -17- 200527427 (14) g置4 90a— c的描畫僅爲可能係電腦系統或其他電子系統 一部份的記憶體系統的一個範例,可使用不同數量記憶體 裝置而不會脫離於後本發明申請專利之範圍與精神。 於一些實施例中,系統邏輯4 2 0耦合至並且提供處理 器410儲存裝置46〇之存取,藉此可存取儲存媒體46 !所 載之資料及/或命令。儲存媒體4 6 1可爲熟悉該項技藝者 瞭解的多種種類與技術任一種,包含C D或D V D RO Μ、 磁碟或光碟、光磁碟、磁帶、半導體記憶體、紙或其他材 料上之字體或穿孔等等。於一些實施例中,非揮發性記憶 體裝置43 0可耦合至系統邏輯420 (或電腦系統400其他 部分)並當電腦系統重新啓動或初始時(例如當電腦系統 400開啓時)提供一連串初始命令的儲存,以執行準備電 腦系統400正常使用所需之工作。於這種實施例的一些變 化例中,當初始或重新啓動電腦系統400時,處理器4 1 0 存取非揮發性記憶體裝置4 3 0以擷取爲準備記憶體控制器 47〇正常使用所執行之命令,以提供處理器4 1 〇存取記億 體裝置4 9 0 a - c。有可能執行這些相同被擷取的命令以準 備系統邏輯420正常使用,以提供儲存裝置460之存取以 及儲存裝置4 6 0所使用不論何種形式的儲存媒體4 6 1。 於一些實施例中,儲存媒體4 6 1承載將由處理器4 1 0 執行的機器可讀取命令,使處理器4 1 0進行一或多個記憶 體裝置4 9 0 a - c的測驗以決定記憶體裝置4 9 0 a — c支援哪 些功能。若決定一或多個記憶體裝置4 90a - c具有能於一 或更多儲存陣列4 9 9 a - c中記憶體單兀上進行更新操作之 -18- 200527427 (15) 介面緩衝器(如介面緩衝器492a — c ) ’則處理器4] 令程式或組態記憶體控制器4 7 0及/或一或更多記憶 置4 9 0 a — c使用這些更新能力。於一些變化例中,可 理器410程式化一或更多記憶體裝置490a - c中更新 用之時序間隔及/或其他參數。於一些記憶體控制器 包含更新電路4 72之變化例中,可令處理器4 1 0在一 況中程式化記憶體控制器4 7 0以進行更新操作,而在 情況中交出更新操作控制權給一或更多介面緩衝器 - c。可進一步令處理器4 1 0程式化及/或組態記憶 制器470及一或更多介面緩衝器492a— c兩者,當令 器410將一或更多記億體匯流排4 8 0a- c電源關閉時 援從記憶體控制器470至一或更多介面緩衝器4 92a-新操作控制權之移交,其中該記憶體匯流排4 8 0 a - c 憶體控制器470與記憶體裝置490a - c之間形成點對 接鏈結。取而代之,可令處理器4 1 0程式化記憶體控 4 7〇 ’使之失能或至少大部份不用於進行更新操作, 時亦程式化各介面緩衝器4 9 2 a - c以進行更新操作。 第5圖爲可能實施例之流程圖。於5丨〇,記憶體 中電路檢查是否記憶體匯流排電源爲關閉,該記憶體 排令記憶體裝置耦合至另一裝置,記億體裝置從該另 置接收讀取、寫入及/或更新命令。若該記憶體匯流 源關閉’則記憶體匯流排電源關閉可被視爲出現無用 之指示,提供進行一或多個進行更新操作的機會。於 ’檢查是否需要進行更新操作以維持儲存於記憶體裝 :0可 體裝 令處 操作 470 些情 其他 492a 體控 處理 ,支 c更 於記 點連 制器 而同 裝置 匯流 一裝 排電 時間 520 置中 -19- 200527427 (16) 記憶體單元中的資料。若記億體匯流排未被關閉 於5 1 2檢查是否有待執行之讀取或寫入命令。若 解決之讀取或寫入命令,則沒有讀取或寫入命令 被視爲出現無用時間之指示,並於5 2 0檢查是否 更新操作。若有待執行之讀取或寫入命令,則於 讀取或寫入命令,隨後回到5 1 0再次檢查記憶體 態。 於5 2 0對於是否需要進行更新操作所作的判 距離上次更新操作已過時間,及/或受到希望避 電源的浪費而比已知所需更常進行更新操作的影 斷不需要更新操作,則於5 1 0再次檢查記億體匯 。但若判斷需要更新操作,則於5 22進行更新操 回到5 1 0再次檢查記憶體匯流排狀態。 第6圖爲可能實施例之流程圖。於6 1 0,記 中電路檢查是否有待執行之讀取或寫入命令。若 之讀取或寫入命令,則於6 1 2進行該操作,並回 次檢查是否有待執行之讀取或寫入命令。若沒有 讀取或寫入命令,則於62 0檢查記憶體裝置中電 更新操作的控制權,而非於耦合記憶體裝置之另 具有更新操作控制權,這另一個裝置可爲記憶體 若記憶體裝置中電路沒有更新操作的控制權,則 6 1 〇檢查是否有待執行之讀取或寫入命令。若記 中電路的確有更新操作的控制權,則於6 3 0判斷 更新操作來維持儲存於記憶體裝置中記億體單元 電源,則 沒有尙待 的情形可 需要進行 5 3 0執行 匯流排狀 斷可根據 免不必要 響。若判 流排狀態 作,隨後 憶體裝置 有待執行 到610再 待執行之 路是否有 一個裝置 控制器。 再度回到 億體裝置 是否需要 中的資料 -20- 200527427 (17) 類似參照第5圖所說明之方式,於6 3 0對於是否需要 進行更新操作所做的判斷係可根據距離上次更新操作已過 時間,及/或受到希望避免不必要電源的浪費而比已知所 需更常進行更新操作的影響。若判斷不需要更新操作,則 於6 1 0再次檢查記億體匯流排狀態。但若判斷需要更新操 作,則於6 3 2進行更新操作,隨後回到6 1 2再次檢查待執 行之讀取或寫入命令存在狀態。 已參照一些可能實施例詳細說明本發明。熟悉該項技 藝者有鑒於上述說明很明顯地可進行各種代替、修改、變 化及使用。熟悉該項技藝者應可瞭解到可利用各種可能的 記億體裝置與各種可能的記憶體技術來實施本發明。熟悉 該項技藝者也應可瞭解到能夠以電腦系統以外的電子裝置 ,例如音頻/視頻娛樂裝置、車輛中的控制裝置、電子電 路控制的用具等等來實施本發明。 【圖式簡單說明】 熟悉該項技術者在閱讀隨後之詳細說明將能明瞭本發 明之目的、特徵以及優點,其中: 第1圖係利用記憶體系統實施例的方塊圖。 第2圖係利用記憶體系統實施例的另一方塊圖。 第3圖係利用記憶體系統實施例的又一方塊圖。 第4圖係利用電腦系統實施例的方塊圖。 第5圖爲一實施例的流程圖。 -21 - 200527427 (18) 第6圖爲一實施例的另一流程圖 100 記 憶 體 系 統 1 70 記 憶 體 控 制 器 18 0a — c 記 憶 體 匯 流 排 19 0a— c 記 憶 體 裝 置 19 2a— c 介 面 緩 衝 器 19 9a— c 儲 存 陣 列 200 記 憶 體 系 統 220 控 制 裝 置 270 記 憶 體 控 制 器 277 排 序 電 路 279 命令 緩 衝 器 290 記 憶 體 裝 置 2 8 0a — b 記 憶 體 匯 流 排 292 介 面 緩 衝 器 294 更 新 計 時 器 295 更 新 追 蹤 邏 輯 299 儲 存 陣 列 300 記 憶 體 系 統 3 20 控 制 裝 置 3 70 記 憶 體 控 制 器 3 72 更 新 電 路 -22- 200527427 (19) 3 74 更 新 375 更 新 377 排 序 3 79 八 口 P 令 3 8 0a- —b 記 憶 3 90 記 憶 392 介 面 3 94 更 新 395 更 τ*τΓ m 399 儲 存 400 電 腦 4 10 處 理 420 系 統 430 非 揮 460 儲 存 46 1 儲 存 470 記 憶 472 更 新 4 8 0a - -c 記 憶 490a - -c 記 憶 492a - -c 介 面 499a - -c 儲 存 計時器 追蹤邏輯 電路 緩衝器 體匯流排 體裝置 緩衝器 計時器 追蹤邏輯 陣歹IJ 系統 器 邏輯 發性記憶體裝置 裝置 媒體 體控制器 電路
體匯流排 體裝置 緩衝器 陣歹IJ
-23-
Claims (1)
- 200527427 (1) 十、申請專利範圍 1 · 一種記憶體裝置,包含: 儲存陣列,由安排成列陣列之多個記憶體單元組成; 介面緩衝器,親合該儲存陣列,具有第一介面锅合該 記憶體裝置至第一記憶體匯流排,使該記憶體裝置耦合至 外部記憶體控制器;以及 更新邏輯,與該介面緩衝器關聯,以於一段期間中對 該儲存陣列中的列進行更新操作,該段時間中於第一記憶 體匯流排上沒有由外部記憶體控制器執行涉及該儲存陣列 之項目。 2. 如申請專利範圍第1項之記憶體裝置,其中,該 更新邏輯爲介面邏輯的一構件,且其中該記憶體裝置由連 接包含儲存陣列的至少一個積體電路以及包含介面緩衝器 之至少一個積體電路之電路板所構成。 3. 如申請專利範圍第1項之記憶體裝置,其中,該 第一記憶體匯流排提供記憶體裝置與外部記憶體控制器間 之點對點連結,該介面緩衝器具有第二介面,以將記億體 裝置耦合至第二記億體匯流排,該第二記憶體匯流排提供 記億體裝置與另一記憶體裝置間的點對點連結,以及該介 面緩衝器遞交於第一與第二記憶體匯流排之間不涉及該儲 存陣列之匯流排活動。 4 ·如申請專利範圍第3項之記憶體裝置,其中,外 部記憶體控制器與介面緩衝器之第一介面之間以及介面緩 衝器之第二介面與其他記憶體裝置之間兩者資料的傳輸係 -24- 200527427 (2) 以封包傳送資料。 5 .如申請專利範圍第3項之記憶體裝置,其中’更 新邏輯監控第一記憶體匯流排上的活動,以辨識沒有來自 第一記憶體匯流排涉及儲存陣列之命令之無用時間’提# 更新邏輯機會性質地對儲存陣列中的列執行更新操作的機 會,而不延遲涉及儲存陣列之存取命令之執行。 6. 如申請專利範圍第5項之記憶體裝置,其中’該 更新邏輯於一段期間對儲存陣列中的列執行更新操作’言亥 段期間中出現外部記憶體控制器與其他記憶體裝置之間的 項目。 7. 如申請專利範圍第3項之記憶體裝置,其中’該 更新邏輯等待來自外部記憶體控制器的訊號,以辨識外部 記憶體控制器將不會傳送涉及該儲存陣列的命令之無用時 間,提供該更新邏輯對儲存陣列中的列執行更新操作的機 會,而不延遲涉及儲存陣列之存取命令之執行。 8. 如申請專利範圍第3項之記憶體裝置,其中,該 更新邏輯監控第一記憶體匯流排,看是否第一記憶體匯流 排電源爲關閉,提供更新邏輯機會性質地對儲存陣列中的 列執行更新操作的機會,而不延遲涉及儲存陣列之存取命 令之執行。 9. 一種介面緩衝器,包含: 區域介面,連接儲存陣列’該儲存陣列係由安排成列 陣列之多個記憶體單元組成; 第一介面,耦合該儲存陣列至第一記憶體匯流排’使 -25- 200527427 (3) 該儲存陣列耦合至外部記憶體控制器,其中第一記憶體匯 流排提供第一介面與其外部記憶體控制器之間點對點連結 第二介面,耦合該儲存陣列至第二記憶體匯流排,使 該第二介面耦合至另一介面緩衝器,使另一儲存陣列透過 該介面緩衝器耦合至外部記憶體控制器,其中第二記憶體 匯流排提供第二介面與其他介面緩衝器之間點對點連結; 以及 更新邏輯,以於一段期間中對該儲存陣列中的列進行 更新操作,該段時間中於第一記憶體匯流排上沒有由外部 記憶體控制器執行涉及該儲存陣列之項目。 1 0.,如申請專利範圍第9項之介面緩衝器,其中,該 介面緩衝器係由至少一積體電路組成’該儲存陣列係由至 少一積體電路組成,以及包含介面緩衝器之該至少一積體 電路以及包含儲存陣列之該至少一積體電路兩者係連接至 一電路板’構成記憶體裝置。 1 1 .如申請專利範圍第1 0項之介面緩衝器,其中, 當記億體裝置耦合至連接外部記憶體控制器之另一電路板 時,該第一介面耦合至第一記憶體匯流排’以及第二介面 係耦合至第二記憶體匯流排。 12. 如申請專利範圍第9項之介面緩衝器’其中,外 部記億體控制器與第一介面之間以及第二介面與其他介面 緩衝器之間兩者資料的傳輸係以封包傳送資料° 13. 如申請專利範圍第9項之介面緩衝器,其中,更 -26- 200527427 (4) 新邏輯監控第一記憶體匯流排上的活動’以辨識沒有來自 第一記憶體匯流排涉及儲存陣列之命令之無用時間’提供 更新邏輯機會性質地對儲存陣列中的列執行更新操作的機 會,而不延遲涉及儲存陣列之存取命令之執行。 1 4.如申請專利範圍第1 3項之介面緩衝器,其中’ 該更新邏輯於一段期間對儲存陣列中的列執行更新操作’ 該段期間中出現外部記憶體控制器與其他儲存陣列之間的 項目。 1 5 .如申請專利範圍第9項之介面緩衝器,其中’該 更新邏輯等待來自外部記憶體控制器的訊號’以辨識外部 記憶體控制器將不會傳送涉及該儲存陣列的命令之無用時 間,提供該更新邏輯對儲存陣列中的列執行更新操作的機 會,而不延遲涉及儲存陣列之存取命令之執行。 16.如申請專利範圍第9項之介面緩衝器,其中’該 更新邏輯監控第一記憶體匯流排,看是否第一記憶體匯流 排電源爲關閉,提供更新邏輯機會性質地對儲存陣列中的 列執行更新操作的機會,而不延遲涉及儲存陣列之存取命 令之執行。 1 7 . —種記憶體系統,包含: 記憶體控制器; 第一記憶體匯流排,耦合至記憶體控制器; 第一記憶體裝置,具有第一儲存陣列,由安排成列陣 列之多個記憶體單元組成,以及於第一記憶體裝置中耦1合 至第一儲存陣列之第一介面緩衝器,其中第一介面緩衝器 -27- 200527427 (5) 提供第一介面,藉該第一介面將第一記憶體裝置輔合至第 一記憶體匯流排,於記億體控制器與第一介面間形成點對 點連結,第二介面’以及第一更新邏輯’與該介面緩衝器 關聯,以於一段期間中對第一儲存陣列中的列進行更新操 作,該段時間中於第一記憶體匯流排上沒有由記憶體控制 器執行涉及該儲存陣列之項目; 第二記憶體匯流排,耦合至第二介面;以及 第二記憶體裝置’具有第二儲存陣列’由安排成列陣 列之多個記憶體單元組成以及於第二記憶體裝置中耦合至 第二儲存陣列之第二介面緩衝器,其中第二介面緩衝器提 供第三介面,藉該第三介面使第二記憶體裝置耦合至第二 記憶體匯流排,於第三介面與第二介面間形成點對點連結 ,以及第二更新邏輯,與該介面緩衝器關聯,以於一段期 間中對第二儲存陣列中的列進行更新操作’該段時間中於 第二記憶體匯流排上沒有由記憶體控制器執行涉及第二儲 存陣列之項目。 1 8 .如申請專利範圍第1 7項之記憶體系統,其中’ 該第一介面緩衝器遞交於第一與第二記憶體匯流排之間不 涉及第一儲存陣列之匯流排活動。 1 9.如申請專利範圍第1 8項之記憶體系統,其中’ 記憶體控制器與第一介面之間以及第二介面與第三介面之 間兩者資料的傳輸係以封包傳送資料。 2 0 .如申請專利範圍第1 7項之記憶體系統,其中’ 第一更新邏輯監控第一記憶體匯流排上的活動’以辨識沒 -28- 200527427 (6) 有來自第一記憶體匯流排涉及儲存陣列之命令之無用時間 ,提供第一更新邏輯機會性質地對第一儲存陣列中的列執 行更新操作的機會,而不延遲涉及第一儲存陣列之存取命 令之執行。 2 1.如申請專利範圍第2 0項之記憶體系統,其中, 第一更新邏輯於一段期間對第一儲存陣列中的列執行更新 操作,該段期間中出現記憶體控制器與第二儲存陣列之間 的項目。 2 2.如申請專利範圍第20項之記憶體系統’其中, 第二更新邏輯監控第二記憶體匯流排上的活動,以辨識沒 有來自第二記憶體匯流排涉及第二儲存陣列之命令之無用 時間,提供第二更新邏輯機會性質地對第二儲存陣列中的 列執行更新操作的機會,而不延遲涉及第二儲存陣列之存 取命令之執行。 23. 如申請專利範圍第1 7項之記憶體系統’其中’ 第一更新邏輯等待來自外部記憶體控制器的訊號’以辨識 記憶體控制器將不會傳送涉及第一儲存陣列的命令之無用 時間,提供第一更新邏輯對第一儲存陣列中的列執行更新 操作的機會,而不延遲涉及第一儲存陣列之存取命令之執 行。 24. 如申請專利範圍第2 3項之記憶體系統’其中’ 第二更新邏輯等待來自外部記憶體控制器的訊號’以辨識 記憶體控制器將不會傳送涉及第二儲存陣列的命令之無用 時間,提供第二更新邏輯與對第一儲存陣列中的列執行更 - 29 - 200527427 (7) 新操作平行地對第二儲存陣列中 ,而不延遲涉及第二儲存陣列之 2 5 .如申請專利範圍第1 7 第一更新邏輯監控第一記憶體匯 匯流排電源爲關閉,提供第一更 儲存陣列中的列執行更新操作的 儲存陣列之存取命令之執行。 2 6 .如申請專利範圍第2 5 第一更新邏輯監控第二記憶體匯 匯流排電源爲關閉,提供第二更 中的列執行更新操作平行地對第 新操作的機會,而不延遲涉及第 執行。 2 7. —種電腦系統,包含: 處理器; 磁碟儲存裝置,耦合至該處 記憶體控制器,耦合至該處 第一記憶體匯流排,耦合至 第一記憶體裝置,具有第一 列之多個記憶體單元組成以及於 第一儲存陣列之第一介面緩衝器 供第一介面,藉該第一介面將第 記憶體匯流排,於記億體控制器 連結,第二介面,以及第一更新 的列進行更新操作的機會 存取命令之執行。 項之記憶體系統,其中, 流排,看是否第一記憶體 新邏輯機會性質地對第一 機會,而不延遲涉及第一 項之記憶體系統,其中, 流排,看是否第二記憶體 新邏輯與對第一儲存陣列 二儲存陣列中的列進行更 二儲存陣列之存取命令之 理器; 理器; 記憶體控制器; 儲存陣列,由安排成列陣 第一記憶體裝置中耦合至 ,其中第一介面緩衝器提 一記憶體裝置耦合至第一 與第一介面間形成點對點 邏輯,與該介面緩衝器關 -30- 200527427 (8) 聯,以於一段期間中對第一儲存陣列中的列進行更新操作 ,該段時間中於第一記憶體匯流排上沒有由記憶體控制器 執行涉及第一儲存陣列之項目; 第二記憶體匯流排,耦合至第二介面;以及 第二記憶體裝置,具有第二儲存陣列,由安排成列陣 列之多個記億體單元組成以及於第一記憶體裝置中親合至 第二儲存陣列之第二介面緩衝器’其中第二介面緩衝器提 供第三介面,藉該第三介面使第二記憶體裝置锅合至第二 記憶體匯流排,於第三介面與第二介面間形成點對點連結 ,以及第二更新邏輯,與該介面緩衝器關聯,以於一段期 間中對第二儲存陣列中的列進行更新操作,該段期間中於 第二記憶體匯流排上沒有由記憶體控制器執行涉及第二儲 存陣列之項目。 2 8.如申請專利範圍第2 7項之電腦系統,其中,第 一更新邏輯於一段期間中對第一儲存陣列中的列執行更新 操作,該段期間中出現記憶體控制器與第二儲存陣列之間 的項目。 2 9 .如申請專利範圍第2 7項之電腦系統’其中’弟 一更新邏輯等待來自外部記憶體控制器的訊號,以辨識記 億體控制器將不會傳送涉及第一儲存陣列的命令之無用時 間,提供第一更新邏輯對第一儲存陣列中的列執行更新操 作的機會,而不延遲涉及第一儲存陣列之存取命令之執行 〇 3〇.如申請專利範圍第2 9項之電腦系統,其中,記 -31 - 200527427 (9) 憶體控制器進一步由控制暫存器組成,可由處理器將該控 制暫存器程式化使記憶體控制器能夠傳輸訊號至第一更新 邏輯以辨識無用時間。 3 1.如申請專利範圍第2 7項之電腦系統,其中’第 一更新邏輯監控第一記憶體匯流排,看是否第一記憶體匯 流排電源爲關閉,提供第一更新邏輯機會性質地對第一儲 存陣列中的列執行更新操作的機會,而不延遲涉及第一儲 存陣列之存取命令之執行。 3 2. —種於記憶體裝置中執行更新操作的方法,包含 下列步驟: 判斷透過記憶體匯流排耦合至記憶體控制器的記憶體 裝置具有與組成記憶體控制器之第二更新邏輯不相干的第 一*更新邏輯; 若記憶體控制器支援佇列記憶體存取命令之檢查以及 記億體裝置具有第一更新邏輯時,則程式化記憶體控制器 ,以檢查佇列之記憶體存取命令,並發出訊號給第一更新 邏輯表示無用時間,該無用時間中記憶體控制器將不會傳 送涉及記憶體裝置中儲存陣列之命令,提供第一更新邏輯 對儲存陣列中的列執行更新操作的機會,而不延遲涉及儲 存陣列之存取命令之執行;以及 若記憶體控制器支援佇列記憶體存取命令之檢查以及 記憶體裝置具有第一更新邏輯時’則程式化記憶體控制ts 使記憶體匯流排電源關閉,提供第一更新邏輯對儲存陣列 中的列執行更新操作的機會,而不延遲涉及儲存陣列之存 -32- 200527427 (ίο) 取命令之執行。 3 3.如申請專利範圍第3 2項之方法,進一步包含: 若記憶體控制器支援宁列記憶體存取命令之檢查以及 記憶體裝置具有第一更新邏輯時,則發出訊號給第一更新 邏輯,表示第一更新邏輯控制更新操作的時序以及關閉記 憶體匯流排電源;以及 若記憶體控制器支援佇列記憶體存取命令之檢查以及 記億體裝置具有第一更新邏輯時,開啓記憶體匯流排的電 源並發出訊號給第一更新邏輯,表示第二更新邏輯控制更 新操作的時序。 34. 一種於記憶體裝置中執行更新操作的方法,包含 下列步驟: 檢查是否有需執行的存取操作; 若當執行存取操作之檢查揭示出有需執行的存取操作 時,執行存取操作; 若當是否有需執行的存取操作之判斷顯示出沒有需執 行的存取操作以及需要更新操作時,於記憶體裝置之介面 緩衝器中更新邏輯的控制下執行更新操作;以及 若記憶體控制器在於記憶體裝置之介面緩衝器中更新 邏輯的控制下執行更新操作時傳輸存取命令至記億體裝置 ,發出訊號給透過記憶體匯流排耦合至記憶體裝置之記憶 體控制器,表示記憶體裝置無法進行存取操作。 35. 如申請專利範圍第3 4的方法,包含下列步驟: 檢查是否記憶體匯流排電源關閉; - 33- 200527427 (11) 若當記憶體匯流排電源關閉之檢查揭示出記憶體匯流 排電源關閉且需要更新操作時,於記憶體裝置之介面緩衝 器中更新邏輯的控制下執行更新操作。 3 6· —種機器可存取媒體,包含編碼,當處理器於電 子裝置中執行編碼時,令電子裝置: 程式化耦合至處理器之記憶體控制器,以判斷是否透 過記憶體匯流排耦合至記憶體控制器的記憶體裝置具有與 組成記憶體控制器之第二更新邏輯不相干的第一更新邏輯 ) 若記憶體控制器支援佇列記憶體存取命令之檢查以及 記憶體裝置具有第一更新邏輯時,程式化記憶體控制器, 以檢查佇列之記憶體存取命令,並發出訊號給第一更新邏 輯表示無用時間,該無用時間中記憶體控制器將不會傳送 涉及記憶體裝置中儲存陣列之命令,提供第一更新邏輯對 儲存陣列中的列執行更新操作的機會,而不延遲涉及儲存 陣列之存取命令之執行;以及 若記憶體控制器支援佇列記憶體存取命令之檢查以及 記憶體裝置具有第一更新邏輯時,則程式化記憶體控制器 使記憶體匯流排電源關閉,提供第一更新邏輯對儲存陣列 中的列執行更新操作的機會,而不延遲涉及儲存陣列之存 取命令之執丫了。 37.如申請專利範圍第3 6項之機器可存取媒體’進 一步令處理器: 若記憶體控制器支援佇列記憶體存取命令之檢查以及 -34- 200527427 (12) 記憶體裝置具有第一更新邏輯時,發出訊號給第一更新邏 輯,表示第一更新邏輯控制更新操作的時序以及關閉記憶 體匯流排電源;以及 若記憶體控制器支援佇列記憶體存取命令之檢查以及 記憶體裝置具有第一更新邏輯時’開啓記憶體匯流排的電 源並發出訊號給第一更新邏輯’表示第二更新邏輯控制更 新操作的時序。-35-
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US10/674,981 US7353329B2 (en) | 2003-09-29 | 2003-09-29 | Memory buffer device integrating refresh logic |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW200527427A true TW200527427A (en) | 2005-08-16 |
TWI252487B TWI252487B (en) | 2006-04-01 |
Family
ID=34377006
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW093125383A TWI252487B (en) | 2003-09-29 | 2004-08-23 | Memory buffer device integrating refresh |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7353329B2 (zh) |
EP (1) | EP1668524A1 (zh) |
JP (1) | JP2007507056A (zh) |
CN (1) | CN100472492C (zh) |
TW (1) | TWI252487B (zh) |
WO (1) | WO2005033959A1 (zh) |
Families Citing this family (66)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7328304B2 (en) * | 2004-02-27 | 2008-02-05 | Intel Corporation | Interface for a block addressable mass storage system |
US8077535B2 (en) | 2006-07-31 | 2011-12-13 | Google Inc. | Memory refresh apparatus and method |
US8796830B1 (en) | 2006-09-01 | 2014-08-05 | Google Inc. | Stackable low-profile lead frame package |
US8327104B2 (en) | 2006-07-31 | 2012-12-04 | Google Inc. | Adjusting the timing of signals associated with a memory system |
US8244971B2 (en) | 2006-07-31 | 2012-08-14 | Google Inc. | Memory circuit system and method |
US8081474B1 (en) | 2007-12-18 | 2011-12-20 | Google Inc. | Embossed heat spreader |
US8335894B1 (en) | 2008-07-25 | 2012-12-18 | Google Inc. | Configurable memory system with interface circuit |
US8055833B2 (en) | 2006-10-05 | 2011-11-08 | Google Inc. | System and method for increasing capacity, performance, and flexibility of flash storage |
US8130560B1 (en) | 2006-11-13 | 2012-03-06 | Google Inc. | Multi-rank partial width memory modules |
US10013371B2 (en) | 2005-06-24 | 2018-07-03 | Google Llc | Configurable memory circuit system and method |
US7590796B2 (en) | 2006-07-31 | 2009-09-15 | Metaram, Inc. | System and method for power management in memory systems |
US8060774B2 (en) | 2005-06-24 | 2011-11-15 | Google Inc. | Memory systems and memory modules |
US8089795B2 (en) | 2006-02-09 | 2012-01-03 | Google Inc. | Memory module with memory stack and interface with enhanced capabilities |
US20080082763A1 (en) | 2006-10-02 | 2008-04-03 | Metaram, Inc. | Apparatus and method for power management of memory circuits by a system or component thereof |
US8438328B2 (en) | 2008-02-21 | 2013-05-07 | Google Inc. | Emulation of abstracted DIMMs using abstracted DRAMs |
US7386656B2 (en) * | 2006-07-31 | 2008-06-10 | Metaram, Inc. | Interface circuit system and method for performing power management operations in conjunction with only a portion of a memory circuit |
US7609567B2 (en) * | 2005-06-24 | 2009-10-27 | Metaram, Inc. | System and method for simulating an aspect of a memory circuit |
KR101318116B1 (ko) * | 2005-06-24 | 2013-11-14 | 구글 인코포레이티드 | 집적 메모리 코어 및 메모리 인터페이스 회로 |
US8111566B1 (en) | 2007-11-16 | 2012-02-07 | Google, Inc. | Optimal channel design for memory devices for providing a high-speed memory interface |
US9507739B2 (en) | 2005-06-24 | 2016-11-29 | Google Inc. | Configurable memory circuit system and method |
US9171585B2 (en) | 2005-06-24 | 2015-10-27 | Google Inc. | Configurable memory circuit system and method |
US20080028136A1 (en) | 2006-07-31 | 2008-01-31 | Schakel Keith R | Method and apparatus for refresh management of memory modules |
US8397013B1 (en) | 2006-10-05 | 2013-03-12 | Google Inc. | Hybrid memory module |
US7580312B2 (en) * | 2006-07-31 | 2009-08-25 | Metaram, Inc. | Power saving system and method for use with a plurality of memory circuits |
US8359187B2 (en) | 2005-06-24 | 2013-01-22 | Google Inc. | Simulating a different number of memory circuit devices |
US7392338B2 (en) * | 2006-07-31 | 2008-06-24 | Metaram, Inc. | Interface circuit system and method for autonomously performing power management operations in conjunction with a plurality of memory circuits |
US8041881B2 (en) | 2006-07-31 | 2011-10-18 | Google Inc. | Memory device with emulated characteristics |
US8090897B2 (en) | 2006-07-31 | 2012-01-03 | Google Inc. | System and method for simulating an aspect of a memory circuit |
US8386722B1 (en) | 2008-06-23 | 2013-02-26 | Google Inc. | Stacked DIMM memory interface |
US8169233B2 (en) | 2009-06-09 | 2012-05-01 | Google Inc. | Programming of DIMM termination resistance values |
US7472220B2 (en) * | 2006-07-31 | 2008-12-30 | Metaram, Inc. | Interface circuit system and method for performing power management operations utilizing power management signals |
US9542352B2 (en) | 2006-02-09 | 2017-01-10 | Google Inc. | System and method for reducing command scheduling constraints of memory circuits |
DE112006004263B4 (de) | 2005-09-02 | 2015-05-13 | Google, Inc. | Speicherbaustein |
US9632929B2 (en) | 2006-02-09 | 2017-04-25 | Google Inc. | Translating an address associated with a command communicated between a system and memory circuits |
US7724589B2 (en) * | 2006-07-31 | 2010-05-25 | Google Inc. | System and method for delaying a signal communicated from a system to at least one of a plurality of memory circuits |
US20080028135A1 (en) * | 2006-07-31 | 2008-01-31 | Metaram, Inc. | Multiple-component memory interface system and method |
JP4198167B2 (ja) * | 2006-09-20 | 2008-12-17 | 株式会社ソニー・コンピュータエンタテインメント | アダプタ装置、データ伝送システム |
US8239637B2 (en) * | 2007-01-19 | 2012-08-07 | Spansion Llc | Byte mask command for memories |
JP4561783B2 (ja) * | 2007-06-21 | 2010-10-13 | ソニー株式会社 | 半導体メモリ装置、半導体メモリ装置の動作方法 |
JP4561782B2 (ja) * | 2007-06-21 | 2010-10-13 | ソニー株式会社 | 半導体メモリ装置、半導体メモリ装置の動作方法 |
US8209479B2 (en) | 2007-07-18 | 2012-06-26 | Google Inc. | Memory circuit system and method |
US8080874B1 (en) | 2007-09-14 | 2011-12-20 | Google Inc. | Providing additional space between an integrated circuit and a circuit board for positioning a component therebetween |
JP2010237739A (ja) * | 2009-03-30 | 2010-10-21 | Fujitsu Ltd | キャッシュ制御装置,情報処理装置およびキャッシュ制御プログラム |
WO2010123681A2 (en) | 2009-04-22 | 2010-10-28 | Rambus Inc. | Protocol for refresh between a memory controller and a memory device |
US8392650B2 (en) * | 2010-04-01 | 2013-03-05 | Intel Corporation | Fast exit from self-refresh state of a memory device |
US8751802B2 (en) * | 2010-06-30 | 2014-06-10 | Sandisk Il Ltd. | Storage device and method and for storage device state recovery |
US9292426B2 (en) * | 2010-09-24 | 2016-03-22 | Intel Corporation | Fast exit from DRAM self-refresh |
US9053812B2 (en) * | 2010-09-24 | 2015-06-09 | Intel Corporation | Fast exit from DRAM self-refresh |
KR101796116B1 (ko) | 2010-10-20 | 2017-11-10 | 삼성전자 주식회사 | 반도체 장치, 이를 포함하는 메모리 모듈, 메모리 시스템 및 그 동작방법 |
CN102034526B (zh) * | 2010-12-17 | 2013-06-12 | 曙光信息产业股份有限公司 | 一种用fpga实现的sdram刷新的方法 |
US9159396B2 (en) * | 2011-06-30 | 2015-10-13 | Lattice Semiconductor Corporation | Mechanism for facilitating fine-grained self-refresh control for dynamic memory devices |
US20130042132A1 (en) * | 2011-08-09 | 2013-02-14 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Image forming appratus, microcontroller, and methods for controlling image forming apparatus and microcontroller |
US9104420B2 (en) | 2011-08-09 | 2015-08-11 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Image forming apparatus, microcontroller, and methods for controlling image forming apparatus and microcontroller |
CN102567243B (zh) * | 2011-12-12 | 2015-03-25 | 华为技术有限公司 | 存储设备的刷新处理方法和存储设备 |
CN102426854A (zh) * | 2011-12-13 | 2012-04-25 | 曙光信息产业(北京)有限公司 | 一种降低ddr3内存刷新功耗的方法 |
US9299400B2 (en) | 2012-09-28 | 2016-03-29 | Intel Corporation | Distributed row hammer tracking |
US9087614B2 (en) | 2012-11-27 | 2015-07-21 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Memory modules and memory systems |
US9286964B2 (en) * | 2012-12-21 | 2016-03-15 | Intel Corporation | Method, apparatus and system for responding to a row hammer event |
US9153310B2 (en) | 2013-01-16 | 2015-10-06 | Maxlinear, Inc. | Dynamic random access memory for communications systems |
US9911485B2 (en) * | 2013-11-11 | 2018-03-06 | Qualcomm Incorporated | Method and apparatus for refreshing a memory cell |
US9087569B2 (en) * | 2013-11-26 | 2015-07-21 | Lenovo (Singapore) Pte. Ltd. | Non-volatile memory validity |
FR3032814B1 (fr) * | 2015-02-18 | 2018-02-02 | Upmem | Circuit dram muni d'un processeur integre |
US20170110178A1 (en) * | 2015-09-17 | 2017-04-20 | Intel Corporation | Hybrid refresh with hidden refreshes and external refreshes |
US20170163312A1 (en) * | 2015-12-03 | 2017-06-08 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Electronic system with network operation mechanism and method of operation thereof |
JP2018041154A (ja) * | 2016-09-05 | 2018-03-15 | 東芝メモリ株式会社 | ストレージシステムおよび処理方法 |
US10825534B2 (en) | 2018-10-26 | 2020-11-03 | Intel Corporation | Per row activation count values embedded in storage cell array storage cells |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08167703A (ja) * | 1994-10-11 | 1996-06-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法、ならびにメモリコアチップ及びメモリ周辺回路チップ |
US5689677A (en) | 1995-06-05 | 1997-11-18 | Macmillan; David C. | Circuit for enhancing performance of a computer for personal use |
JPH09293015A (ja) * | 1996-04-24 | 1997-11-11 | Mitsubishi Electric Corp | メモリシステムおよびそれに用いられる半導体記憶装置 |
KR100243335B1 (ko) | 1996-12-31 | 2000-02-01 | 김영환 | 독립적인 리프레쉬 수단을 가지는 데이지 체인 구조의 반도체 장치 |
JPH1115742A (ja) * | 1997-06-19 | 1999-01-22 | Kofu Nippon Denki Kk | メモリ・リフレッシュ制御回路 |
AU1798999A (en) | 1997-12-05 | 1999-06-28 | Intel Corporation | Memory system including a memory module having a memory module controller |
US6496437B2 (en) * | 1999-01-20 | 2002-12-17 | Monolithic Systems Technology, Inc. | Method and apparatus for forcing idle cycles to enable refresh operations in a semiconductor memory |
US6222785B1 (en) * | 1999-01-20 | 2001-04-24 | Monolithic System Technology, Inc. | Method and apparatus for refreshing a semiconductor memory using idle memory cycles |
JP2002007308A (ja) * | 2000-06-20 | 2002-01-11 | Nec Corp | メモリバスシステムおよび信号線の接続方法 |
US6400631B1 (en) * | 2000-09-15 | 2002-06-04 | Intel Corporation | Circuit, system and method for executing a refresh in an active memory bank |
US6925086B2 (en) * | 2000-12-12 | 2005-08-02 | International Business Machines Corporation | Packet memory system |
-
2003
- 2003-09-29 US US10/674,981 patent/US7353329B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2004
- 2004-08-23 TW TW093125383A patent/TWI252487B/zh not_active IP Right Cessation
- 2004-09-29 JP JP2006528329A patent/JP2007507056A/ja active Pending
- 2004-09-29 CN CNB2004800271402A patent/CN100472492C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2004-09-29 EP EP04785279A patent/EP1668524A1/en not_active Withdrawn
- 2004-09-29 WO PCT/US2004/032039 patent/WO2005033959A1/en active Application Filing
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN100472492C (zh) | 2009-03-25 |
JP2007507056A (ja) | 2007-03-22 |
WO2005033959A1 (en) | 2005-04-14 |
EP1668524A1 (en) | 2006-06-14 |
US7353329B2 (en) | 2008-04-01 |
TWI252487B (en) | 2006-04-01 |
US20050071543A1 (en) | 2005-03-31 |
CN1853175A (zh) | 2006-10-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TW200527427A (en) | Memory buffer device integrating refresh | |
EP1665058B1 (en) | Memory module and method having on-board data search capabilites and processor-based system using such memory modules | |
CN100578466C (zh) | 用于基于集线器的存储器子系统中的双向数据总线的数据旁路的装置和方法 | |
US7392337B2 (en) | System, method and storage medium for a memory subsystem command interface | |
US8938589B2 (en) | Interface methods and apparatus for memory devices using arbitration | |
US7281079B2 (en) | Method and apparatus to counter mismatched burst lengths | |
CN101243420B (zh) | 非dram指示符和存取未存储于dram阵列中的数据的方法 | |
US20060179262A1 (en) | Streaming reads for early processing in a cascaded memory subsystem with buffered memory devices | |
US20030126338A1 (en) | Memory bus termination with memory unit having termination control | |
US20080091906A1 (en) | Streaming reads for early processing in a cascaded memory subsystem with buffered memory devices | |
KR100726361B1 (ko) | 메모리 장치들과의 통신을 위한 시스템 및 방법 | |
US11809743B2 (en) | Refresh management list for DRAM | |
JP2009515262A (ja) | 完全バッファリングされたdimm読み出しデータによる書き込み確認の代替 | |
US20160246711A9 (en) | Interface methods and apparatus for memory devices | |
US20250036317A1 (en) | Memory module and computing device containing the memory module | |
EP2529312A2 (en) | Interface methods and apparatus for memory devices | |
KR102805152B1 (ko) | 불휘발성 메모리 장치들을 포함하는 반도체 메모리 모듈 | |
US6360305B1 (en) | Method and apparatus for optimizing memory performance with opportunistic pre-charging | |
US20060236007A1 (en) | Apparatus to improve bandwidth for circuits having multiple memory controllers | |
JP5633562B2 (ja) | メモリシステム及びメモリインターフェース装置 | |
JPH11232180A (ja) | データ処理装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MM4A | Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees |