TW200419394A

TW200419394A - Technology master data management system and method

Info

Publication number: TW200419394A
Application number: TW093108637A
Authority: TW
Inventors: Hwa-Yu Yang; Shu-Ling Feng
Original assignee: Taiwan Semiconductor Mfg
Priority date: 2003-03-31
Filing date: 2004-03-30
Publication date: 2004-10-01
Also published as: US7185009B2; TWI260513B; CN1534531A; CN1308880C; US20040193623A1

Description

200419394 五、發明說明（1) 發明所屬之技術領域本毛明係有關於種技術主槽資料（T e c h η ο 1 〇 g y Master Data)架構及其管理系統及方法，且特別有關於一種適用於半導體製造產業中資料儲存與管理系統之技術主1 棺資料架構及其管理系統及方法。先前技術妻^著半^體產業的蓬勃成長，半導體製造等 :::致力於提升產能與良率來滿足客戶的需求之外，准

工作之-。由於目前ΐ = ί = ;當地降低成本的" 準化的技術主檔資料、產業缺乏健全、穩定與梢法’因此’半導體fH-貝料架構與資料管理系統及力面達到滿意的提升^ w 亦無法針對客戶服務與產能力技術主槽資料是半導轉、個產品欲於半導體製造廠中衣，裱卽中的關鍵資訊，當一條件則可由技術主檔資料中j里$產時，相關必備的製造以是產品資料管理的相關次，義，其中，技術主檔資料可性、產品與材料特性、設備2，包括製程技術、製程屬如前所述，半導體J造^件與工程師製造經驗等等。架構與有效的管理機制，目4業缺乏完善的技術主檔資料· 管理系統係將所有的資料缺則半導體製造廠之資料儲存與，於欲查詢或管理資訊的人員=系統地全部儲存在一起。對量的資料搜尋與維諜眭門、人各戶而言，不僅必須花費大_ 此外’由於缺乏標準化的管理

200419394 五、發明說明（2) 機制，相關人護0 另一方面別或整合型系銷、管理、製預測、維護與參考技術主檔而’由於缺乏制，不同的系形成整體半導資料管理空間員亦無準則以依循來對於資、進行管理與唯，由於整體半導體製造產、、統來提供產業中不同部門人肩。卩署大量造部門人員對於半導體生產浐丄如業務、生產管理等等功能。因此，‘:進行分4斤^ 資料來進行相關商業邏輯判斷:3 f統必須完善的技術主檔資料架構與有=運j，然統會建置個別的資料來進行相^的管理機體製造廠内資料的不_致情况:應用，從而的重複與浪費。 ^ 現’且造成發明内容有鑑於此，本發明之主要目的為提供一種適用體製造產業中資料儲存與管理系統之技術主檔資料加$ ^ 其管理系統及方法。、木霉及依據本發明實施例之技術主檔資料架構至少包括一技術層、一裝置層與一程序層。技術層係用以記錄半導體製造產業或是製造商本身所具有產品技術類別。裝置層係用以描述裝置（產品）的特性。程序層係用以描述製程，如材4 料的特性。此外，依據本發明實施例之晶圓技術資料架構包括分別繼承技術主槽資料架構之技術層、裝置層與程序層之一晶圓技術第一層、一晶圓技術第二層與一晶圓技術、第三層，與一晶圓技術第四層與一晶圓技術第五層。晶圓

200419394 五、發明說明（3) 技術第四層係用以記錄產品製造時的相關製程資訊。晶圓技術第五層係用以記錄用於製造目的所需之詳細技術特徵與資訊，如光罩層與相關不同廠房的調整參數等資訊。依據本發明實施例之技術主檔資料管理系統包括一資料管理單元、一架構管理單元與一資料庫。架構管理單元中具有一技術層關係定義模組，用以定義與管理技術主檔資料架構與不同資料架構間的關聯與繼承關係。資料庫 2 3 0中的技術主檔資料皆係依據且遵循架構管理單元中所定義的架構所建立。資料管理單元中具有一存取權限定義模組與一維護邏輯定義模組。存取權限定義模組中依據不同應用單元的需求，定義其相應且所需取得的技術主檔資料層次、不同使用者的存取與維護權限、與不同層次間之技術主檔資料的存取限制。維護邏輯定義模組中定義技術主檔資料的維護規則，包括不同層次間之技術主檔資料的修改原則與順序等。依據本發明實施例之資料讀取方法。首先，接收應用單元之讀取要求。其中，讀取要求可以包括欲讀取之資料查詢條件、技術主檔資料類型與相應之層次等資訊。接著，將發送讀取要求之應用單元進行確認。之後，判斷接收之讀取要求中欲讀取之資料層次是否低於相應此應用單元所内定之讀取層次。若讀取要求中欲讀取之資料層次低於相應此應用單元所内定之讀取層次，則拒絕應用單元讀取資料。反之，依據讀取要求將相應之資料輸出給應用單元，以進行相關應用處理。

0503 -9652TWf；TSMC2002-1069;Y i anhou.p td 第7頁 200419394 五、發明說明（4) 依據本發明實施例之資料維護方法。首先，接收來自應用單元或維護者之維護要求。其中，維護要求可以包括欲維護之資料查詢條件、技術主檔資料類型與相應之層次等資訊。接著，將發送維護要求之應用單元或維護者進行-身分確認。之後，判斷接收之維護要求中欲讀取之資料層次是否低於相應此應用單元或維護者所内定之維護層次。若維護要求中欲維護之資料層次低於相應應用單元或維護者所内定之維護層次，則拒絕應用單元或維護者維護資料。反之，則判斷接收之維護要求是否違反維護規則。若維護要求違反維護規則，則拒絕應用單元或維護者維護資你料。若並未違反維護規則，則依據維護要求提供應用單元或維護者進行資料維護。實施方式第1圖顯示依據本發明實施例之技術主檔資料架構。如圖所示，依據本發明實施例之技術主檔資料架構丨〇係以多層結構來進行架構，其至少包括一技術層（Techn〇1〇gy

Level)ll、一裝置層（Device Level)12與一程序層 (Process Level )1 3。值得注意的是，上述技術主檔資料架構係依據產業製造特性，尤其是半導體製造產業所進行· 設計’半導體製造廠中的不同技術型態資料可以套用此基，本架構並延伸其自屬架構。此外，上述技術主檔資料架構中提出基本的三層架構，然而，本發明並不限定於此，本* 發明之技術主檔資料架構可以彈性進行擴增。

0503 -9652TWf；TSMC2002-1069;Y i anhou.p t d 第8頁 200419394

此外’依據此条構建立之資料係向下包容且一對多地，舉例來說相應一技術層11的資料可以相對於多個相應裝置層1 2的資料，且相應一裝置層1 2的資料可以相對於個相應程序層1 3的資料。另外，相應程序層1 3的資料可以包括裝置層1 2與技術層1 1的資訊，且相應裝置層1 2的資料可以包括技術層1 1的資訊。 '

技術主4當資料架構1 0中最上層為技術層11，其用以士己錄半導體製造產業或是製造商本身所具有產品技術類別。請參考第2圖，第2圖顯示一技術層分類1 〇〇例子，在此技術層分類100中，半導體製造業者具有之技術包括CM〇s 110與BICMOS 120兩大分類。CMOS 110中區分為邏輯 (L 〇 g i c ) 1 1 1、混合信號（M i X e d S i g n a 1 ) 1 1 2、獨立記憶體 (Standalone Memory)113，如DRAM產品、嵌入式記憶體 (Embedded Memory)114，如Embedded Flash、影像感應 (Image Sensor)115 、高電壓（High Voltage)116 ，如IC

Dr i ver與汽車相關產品、微機電（MEMS) 1 1 7與微顯示器 (Micro-display )1 18 等。另外，BICMOS 120 中區分為混合信號121與高電壓122等。表格1顯示相應技術層1 1中CMOS 11 0技術資料的代碼 (Code) 〇表格1

0503 -9652TW f；TSMC2002-1069;Y i anho u.p t d 第9頁 200419394 五、發明說明（6) 代碼技術 CL CMOS邏輯 CM CMOS混合信號 CZ CMOS獨立記憶體 CE CMOS嵌入式記憶體 CI CMOS影像感應 CV CMOS高電壓 CY CMOS微顯示器 CS CMOS微機電以此類推，對於技術層1 1中的B I CMOS 1 2 0技術亦可進行相關編碼。技術主檔資料架構1 0中的第二層為裝置層 _丨 1 2，其用以描述裝置（產品）的特性，如通用型 (Generic)、高電壓、低電壓等等。表格2顯示裝置層12中相應CMOS邏輯1 1 1之裝置特性資料代碼。表格2 代碼技術-裝置 CLE CMOS邏輯-通用增強（Enhanced) CLG CMOS邏輯-通用 CLLV CMOS邏輯-低電壓 CLHS CMOS 邏輯-高速(High Speed) CLLP CMOS邏輯-低電源(Lov Ροψθγ) CLUP CMOS邏輯-超(Ultra)低電源 CLHI CMOS 邏輯-Ph i 1 i ps Phase-1 η 類似地，對於CMOS 110技術的其他產品與BICMOS 120

0503-9652TWf；TSMC2002-1069;Yianhou.ptd 第10頁 200419394 五、發明說明（7) 技術的所有產品之裝置特性亦可於裝置層1 2中定義其相應之代碼。技術主檔資料架構1 0中的第三層為程序層1 3，其用以描述製程，如材料（M a t e r i a 1 )的特性，如銘、銅等。表格3顯示程序層1 3中相應CMOS邏輯1 1 1相關產品之製程特性資料代碼。表格3 代碼技術-裝置-程序 CLE00 CMOS邏輯-通用增強-Legacy CLGOO CMOS邏輯-通用-Legacy CLG11 CMOS邏輯-通用-FSG-Cu CLLV11 CMOS邏輯-低電壓-FSG-Cu CLLV12 CMOS邏輯-低電壓-FSG-A1 CLHS11 CMOS邏輯-高速-FSG-Cu CLHS12 CMOS邏輯-高速-FSG-Al CLLP11 CMOS邏輯-低電源-FSG-Cu 類似地，對於CMOS 110技術的其他產品與BICMOS 120 技術的所有產品之製程特性亦可於程序層1 3中定義其相應之代碼。值得注意的是，上述表格1至3僅為一例子，對於不同的半導體製造業者或產業環境而言，相應之表格可以任意進行增修。如前所述，半導體製造廠中的不同技術型態資料可以套用此基本架構並延伸其自屬架構。半導體製造廠中最常使用的資料為晶圓技術資料，因此，晶圓技術資料架構可以套用本發明上述足技術主檔資料架構1 〇，並依據相關需

0503 -9652TWf；TSMC2002-1069;Y i anhou.ptd 第11頁 200419394 五、發明說明（8) 求進行延伸。第3圖顯示依據本發明實施例之晶圓技術資料架構。晶圓技術資料架構2 0包括晶圓技術第一層2 1、晶圓技術第二層2 2、晶圓技術第三層2 3、晶圓技術第四層2 4與晶圓技· 術第五層2 5。其中，晶圓技術第一層2 1、晶圓技術第二層. 22與晶圓技術第三層23係分別套用技術主檔資料架構1 0之技術層1 1、裝置層1 2與程序層1 3 ’並在代碼或資料内容加入產品相應之幾何（Geometry)，如0.13或0.15製程等。另外’晶圓技術第四層2 4與晶圓技術第五層2 5係晶圓技術資料架構20所延伸之架構層。晶圓技術第四層24係用以記錄產品製造時的相關製程資訊，如電壓，多晶矽 (Ρ ο 1 y ) /金屬（M e t a 1)層與閘極（G a t e )材料等。而晶圓技術第五層2 5可以記錄用於製造目的所需之詳細技術特徵與資訊，如光罩層與相關不同廠房的調整參數等資訊。類似地，相應晶圓技術第五層2 5的資料可以包括晶圓技術第一層2 1至晶圓技術第四層2 4的資訊；相應晶圓技術第四層2 4 的資料可以包括晶圓技術第一層2 1至晶圓技術第三層2 3的資訊；相應晶圓技術第三層2 3的資料可以包括晶圓技術第一層2 1至晶圓技術第二層2 2的資訊；且相應晶圓技術第二層2 2的資料可以包括晶圓技術第一層2 1的資訊。 _ 晶圓技術資料架構2 0中之晶圓技術第一層2 1的目的係~ 可以提供如高層溝通（High Level Communication)、設備投資與長期需求預測等應用來存取基於技術層1 1建置之資· 料。晶圓技術第二層2 2的目的係可以提供製作預測（Do

0503 -9652TW f；TSMC2002-1069;Y i anhou.p t d 第12頁 200419394 五、發明說明（9) Forecast i ng )與技術說明三層2 3的目的係可以提供單元（Frame Cell)維護等係可以提供技術文件、估與供應鏈管理，如需求計用。而晶圓技術第五層2 5 房標準成本計劃等應用使另外，半導體製造廠如遽光（C ο 1 〇 r F i 1 t e r)技料，其相應之資料架構將明。請見第4圖，第4圖顯資料架構。濾光技術資料第一層3 1與濾光技術第二錄晶圓尺寸與濾光薄膜資錄記錄晶圓尺寸、濾光薄的調整參數等資訊等。請見第5圖，第5圖顯資料架構。Λ塊技術資料第一層4 1與凸塊技術第二錄晶圓尺寸與凸塊薄膜資錄記錄晶圓尺寸、凸塊薄的調整參數等資訊等。因此，透過本發明之 (Roadmap)等應用。晶圓技術第中期（M i d- t erm)需求預測與結構應用。晶圓技術第四層2 4的目的價、帳單預測、光罩引用/預測劃、配置計劃、與產能模型等應的目的係可以提供輸出計劃、廠用。中亦具有其他之技術型態資料，術資料與凸塊（Bump i n g) ,、分別參考第4圖與第5圖進# 示依據本發架構3 0包括層3 2。濾光明實施例兩層資訊技術第一訊，且慮光技術第二膜資訊、光罩層與相示依據本發明實施例架構40包括兩層資訊層42。凸塊技術第一訊；且凸塊膜資訊、光技術第二罩層與相資說

之濾光枝蜗 2光拽娜層31可以$Γ可1^ 關不同廠房之凸塊技蝴居？鬼枝辦層41可以4- 層42可關不同麻I 技術主檔資料架構10可以雙伸至

200419394 五、發明說明（1〇) 本導體製造過程中使用之各類型技術資料架構，如晶圓技術資料架構、濾光技術資料架構與凸塊技術資料架構。此外，透過本發明所提出之技術主檔資料管理系統可以對於依據上述架構所建立之資料進行有效的管理。第6圖顯示依據本發明實施例之技術主檔資料管理系統之系統架構。如圖所示，技術主檔資料管理系統2 〇〇包括一資料管理單元2 1 0、一架構管理單元2 2 0與一資料庫 2 3 0 ° 架構管理單元2 2 0中具有一技術層關係定義模組2 2 1，用以定義與管理晶圓技術資料架構2 23、濾光技術資料架構2 2 4與凸塊技術資料架構2 2 5與技術主槽資料架構2 2 2之間的關聯、繼承關係。透過技術層關係定義模組2 2 1可以延伸每一架構，以提供系統更具彈性之資料架構型態。另外，資料庫2 3 0中所有之不同類型的資料（技術主檔資料）皆係依據且遵循架構管理單元2 2 0中所定義的技術主槽資料架構222、晶圓技術資料架構2 23、濾光技術資料架構 2 24與凸塊技術資料架構225所建立。資料管理單元2 1 0中具有一存取權限定義模組2 11與一維護邏輯定義模組2 1 2。存取權限定義模組2 1 1中可以依據不同應用單元的需求，定義其相應且所需取得的技術主檔資料層次、不同使用者的存取與維護權限、與不同層次間之技術主檔資料的存取限制。維護邏輯定義模組2 1 2中可以定義技術主檔資料的維護規則，包括不同層次間之技術主檔資料的修改原則與順序等。因此，半導體製造過程中

0503-9652TWf;TSMC2002-1069;Yianhou.ptd 第14頁 200419394 五、發明說明（11) 不同週邊之應用單元3〇〇可以藉由技術主檔資料管理系統 2 0 0存取技術主檔資料，並進行相關之應用處理。第7圖顯示依據本發明實施例之資料讀取方法之操作流程。首先，如步驟S701，技術主檔資料管理系統2〇〇接收應用單元3 0 0之讀取要求。其中，讀取要求可以包括欲讀取之資ρ查詢條件、技術主檔資料類型與相應之層次等貧訊：接著，如步驟S70 2，技術主檔資料管理系統2〇〇將兔送4取要求之應用單元3 〇〇進行確認。注意的是，此時，技術主，資料管理系統2 0 0可以依據讀=要求的來源位址或應用單元編碼等來確認此應用單元3 〇〇。之後，如步驟S703，技術主檔資料管理系統2〇〇藉由檢索資料管理單元21 0之存取權限定義模組21】中所定義相應此應用單元30 0之存取權限，來判斷接收之讀取要求中欲讀取之資料層次是否低於相應此應用單元3〇〇所内定之讀取層次。若讀取要求中欲讀取之資料層次低於相應此應用單元30 0所内定之讀取層次（步驟S7〇3的是），則如步驟 S704，拒絕此應用單元3 00讀取資料。反之，若讀取要求中欲項取之資料層次並未低於相應此應用單元3 〇〇所内定之讀取層次（步驟S 70 3的否），則如步驟37〇5，技術主檔資料管理系統2 00依據讀取要求將相應之資料輸出給應用單、元 3 0 0 〇注意的是，如前所述，不同層次間的技術主檔資料係向下包谷地’當應用單元或查詢人員符合存取權限時，查-a旬人貝可以藉由輸入技術層資訊來檢索裝置層資訊戍程序

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200419394 五、發明說明（12) 層資訊，類似地，可以輸入裝置層資訊來檢索程序層訊’以此類推。3 一方面，查詢人員亦可輸入程序層資吒來檢索對應之裝置層資訊，以此類推。、第8圖顯示依據本發明實施例之資料維護方法之摔作流程。首先，如步驟S801，技術主檔資料管理系統2〇〇接收來自應用單元3 0 0或維護者之維護要求。類似地，維護要求可以包括欲維護之資料查詢條件、技術主檔資料類型，相應之層次等資訊。接著，如步騍§8〇2，技術主檔資料官理系統2 0 0將發送維護要求之應用單元3〇〇或維護者進行身=確認。相同地，技術主檔資料管理系統2〇〇可以依據維護要求的來源位址或應用單元編碼等來確認此應用元 3 0 0 ° 後’如步驟S803，技術主檔資料管理系統2〇〇藉由檢索資料=理單元210之存取權限定義模組211中所定義相應此應用單元3 0 0與維護者之維護權限，來判斷接收之維護要求中欲讀取之資料層次是否低於相應此應用單元3 〇〇或維護者所内定之維護層次。若維護要求中欲維護之資料層次低於相應此應用單元3 0 〇或維護者所内定之維護層次 (步驟S 8 0 3的是），則如步驟S804，拒絕此應用單元3 0 0或維護者維護資料。反之’若維護要求中欲維護之資料層次並未低於相應此應用單元3 0 0或維護者所内定之維護層次（步驟S8 0 3的否）’則如步驟S80 5，技術主檔資料管理系統2 0 0判斷接收之維護要求是否違反資料管理單元2 1 〇之維護邏輯定義模

0503 -9652TWf;TSMC2002-1069;Yianhou.p t d 第16頁 200419394 五、發明說明（13) ' ------- 組2 1 2中所定義之維護規則。若維護要求違反資維護邏輯定義模組212中所定義之維護規則（步驟 ^ ^ /1如步驟S8 04，拒絕此應用單元3 0 0或維護者、准&貝枓。反之，若接收之維護要求並未違反維譚 . (步驟S805的否），則如步驟38〇6，技術主標資料^理系統， 2J0依據維護要求提供應用單元3〇〇或維護者進行資料維 δ曼0 、 /因此，藉由本發明所提供之技術主檔資料芊其 m及方法，半導體製造產業中技術主擋資料之料二里：ί ΐ地達成。此外’由於半導體產品研發，程耗日：，糟由本發明之技術主檔資料架構：：j 人員可以於產品尚未實際研發與製作生產义^ ^官之技術主播資料架構事先建立技術層的資料-再=本案資訊。此外，半導體製造廠中所；其他層別的產品可以結μ據本發明•出之;;m體與積體電路行有效管理與辨識。另外，半導體f造^=架構貢料進整合型系統可以有規則且效率取=中大量個別或分析、預測、維護、生產管理：：：；：：播資料來進行半導體製造廠内資料不一致的情用處理，從而減少空間的重複與浪費。見且減少資料管理雖然本發限定本發明，神和範圍内，任何熟悉此項技藝者，田了做些卉更動與潤飾，因此本發明之

200419394 五、發明說明（14)範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

I i 0503-9652TWf;TSMC2002-1069;Yi anhou.ptd 第18頁 200419394 圖式簡單說明為使本發明之上述目的、特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖示，進行詳細說明如下：第1圖為一示意圖係顯示依據本發明實施例之技術主檔資料架構。 ‘ 第2圖顯示一技術層分類例子。 . 第3圖為一示意圖係顯示依據本發明實施例之晶圓技術資料架構。第4圖為一示意圖係顯示依據本發明實施例之濾光技術貢料架構。第5圖為一示意圖係顯示依據本發明實施例之濾光技 4 術資料架構。第6圖為一示意圖係顯示依據本發明實施例之技術主檔資料管理系統之系統架構。第7圖為一流程圖係顯示依據本發明實施例之資料讀取方法之操作流程。第8圖為一流程圖係顯示依據本發明實施例之資料維護方法之操作流程。

符號說明 U 1 0〜技術主檔資料架構； 11〜技術層； 1 2〜裝置層； 1 3〜程序層；、 2 0〜晶圓技術資料架構； 2 1〜晶圓技術第一層；

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圖式簡單說明 30〜濾光技術資料架構 3 2〜濾光技術第二層； 4 1〜凸塊技術第一層； 1 0 0〜技術層分類； 1 1 1〜邏輯； 1 1 3〜獨立記憶體； 1 1 5〜影像感應； 1 1 7〜微機電； 120〜BICMOS ; 122〜高電壓； 2 0 0〜技術主檔資料管理 2 1 0〜資料管理單元； 2 1 1〜存取權限定義模組 2 1 2〜維護邏輯定義模組 22 0.〜架構管理單元； 2 2 1〜技術層關係定義模 2 2 2〜技術主檔資料架構 2 2 3〜晶圓技術資料架構 2 2 4〜濾光技術資料架構 22 5〜凸塊技術資料架構 2 3 0〜資料庫； 3 0 0〜應用單元； S7 01、S 702 .....S705 S8 0 2、…、S 8 0 6〜操作步驟 3 1〜慮光技術第一層； 4 0〜凸塊技術資料架構； 4 2〜凸塊技術第二層； 110〜CMOS ; 1 1 2〜混合信號； 1 1 4〜嵌入式記憶體， I 1 6〜高電壓； II 8〜微顯示器； 1 2 1〜混合信號；糸統；組；操作步驟；S 8 0 1、

Claims

200419394 六、申請專利範圍 1. 一種技術主檔資料管理系統，包括：一架構管理單元，包括一技術層關係定義模組，用以定義至少具有一技術層、一裝置層與一程序層之一技術主檔資料架構，並定義該技術層、該裝置層與該程序層之繼承關係；一資料庫，用以儲存依據該技術主檔資料架構建置之技術主樓資料^其中該技術主槽資料中相應該程序層之資料包括相應該裝置層與該技術層之資料，且該技術主檔資料中相應該裝置層之貢料包括相應該技術層之貢料，以及一資料管理單元，包括：一存取權限定義模組，用以定義相應至少一應用單元存取該技術主檔資料之層次、存取權限與維護權限；以及一維護邏輯定義模組，用以定義該技術主檔資料之維護規則。 2. 如申請專利範圍第1項所述之技術主檔資料管理系統，其中該資料管理單元更包括對於該應用單元之一讀取要求依據相應該應用單元存取該技術主檔資料之該層次、該存取權限與該維護權限，由該資料庫檢索相應該讀取要求之該技術主檔資料並輸出至該應用單元。 3. 如申請專利範圍第1項所述之技術主檔資料管理系統，其中該資料管理單元更包括對於該應用單元之一維護要求依據相應該應用單元存取該技術主檔資料之該層次、該存取權限與該維護權限，由該資料庫檢索相應該維護要求之該技術主檔資料並提供該應用單元進行維護。

0503 -965 2TW f；TSMC2002-1069;Y i anhou.p t d 第21頁 200419394 六、申請專利範圍 4. 如申請專利範圍第1項所述之技術主檔資料管理系統’其中該技術主槽貢料架構之該技術層係用以描述產品技術，該裝置層係用以描述裝置特性，且該程序層係用以描述製程特性。 · 5. 如申請專利範圍第4項所述之技術主檔資料管理系 . 統，其中該技術層關係定義模組更定義一晶圓技術資料結構，包括：一晶圓技術第一層，繼承該技術主檔資料架構之該技術層；一晶圓技術第二層，繼承該技術主檔資料架構之該裝麵[ 置層；一晶圓技術第三層，繼承該技術主檔資料架構之該程序層；一晶圓技術第四層，用以記錄產品製造時的相關製程資訊；以及一晶圓技術第五層，用以記錄用於製造目的所需之詳細技術特徵與資訊。 6. 如申請專利範圍第5項所述之技術主檔資料管理系統，其中該資料庫中之該技術主檔資料更依據該晶圓技術_ 資料結構進行建置。 7. 如申請專利範圍第1項所述之技術主檔資料管理系、統，其中該技術層關係定義模組更定義一濾光技術資料結構，包括：一濾光技術第一層，用以記錄晶圓尺T與濾光薄膜資

0503 -9652TWf;TSMC2002-1069;Y i anhou.p t d 第22頁 200419394 六、申請專利範圍訊；以及一濾光技術第二層，用以記錄晶圓尺寸、濾光薄膜資訊、光罩層與廠房調整參數。 8 ·如申請專利範圍第7項所述之技術主檔資料管理系統，其中該資料庫中之該技術主檔資料更依據該濾光技術資料結構進行建置。 9 ·如申請專利範圍第1項所述之技術主檔資料管理系統，其中該技術層關係定義模組更定義一凸塊技術資料結構，包括：一凸塊技術第一層，用以記錄晶圓尺寸與凸塊薄膜資訊；以及一凸塊技術第二層，用以記錄晶圓尺寸、凸塊薄膜資訊、光罩層與廠房調整參數。 1 0 .如申請專利範圍第9項所述之技術主檔資料管理系統，其中該資料庫中之該技術主檔資料更依據該凸塊技術資料結構進行建置。 1 1 .如申請專利範圍第1項所述之技術主檔資料管理系統，其中該技術主檔資料中相應該技術層之資料包括CMOS 之邏輯、混合信號、獨立記憶體、嵌入式記憶體、影像感應、高電壓、微機電或微顯示器或B I C Μ 0 S之混合信號或高電壓。 1 2 .如申請專利範圍第1項所述之技術主檔資料管理系統，其中該技術主檔資料中相應該裝置層之資料包括通用增強、通用、低電壓、高速、低電源、高低電源或

0503 -9652TWf；TSMC2002-1069;Y i anhou.p t d 第23頁 200419394 六、申請專利範圍 Philips Phase- I η ο 1 3 .如申請專利範圍第1項所述之技術主檔資料管理系統，其中該技術主檔資料中相應該程序層之資料包括 Legacy、銅製程或銘製程。 1 4 . 一種技術主檔資料架構，用以架構一資料儲存與管理系統中之技術主檔資料，至少包括：一技術層，用以描述產品技術；一裝置層，用以描述裝置特性；以及一程序層，用以描述製程特性。 1 5 .如申請專利範圍第1 4項所述之技術主檔資料架構，更包括：一晶圓技術第四層，用以記錄產品製造時的相關製程資訊；以及一晶圓技術第五層，用以記錄用於製造目的所需之詳細技術特徵與貨訊。 1 6 .如申請專利範圍第1 4項所述之技術主檔資料架構，更包括：一濾《光技術第一層，用以記錄晶圓尺寸與滤光薄膜資訊；以及一濾光技術第二層，用以記錄晶圓尺寸、濾光薄膜資訊、光罩層與廠房調整參數。 1 7 .如申請專利範圍第1 4項所述之技術主檔資料架構，更包括：一凸塊技術第一層，用以記錄晶圓尺寸與凸塊薄膜資

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0503 -9652TWf；TSMC2002-1069;Y i anhou.p t d 第25頁 200419394

200419394 六、申請專利範圍資訊；以及一晶圓技術第五層，用以記錄用於製造目的所需之詳細技術特徵與資訊。 2 5 .如申請專利範圍第2 4項所述之技術主檔資料管理方法，更包括依據該晶圓技術資料結構建置該資料庫中之該技術主擋資料。 2 6 .如申請專利範圍第2 1項所述之技術主檔資料管理方法，更包括該架構管理單元定義一濾光技術資料結構，包括：一濾光技術第一層，用以記錄晶圓尺寸與濾光薄膜資訊；以及一滤光技術第二層，用以記錄晶圓尺寸、滤光薄膜資訊、光罩層與廠房調整參數。 2 7 .如申請專利範圍第2 6項所述之技術主檔資料管理方法，更包括依據該濾光技術資料結構建置該資料庫中之該技術主檔資料。 2 8 .如申請專利範圍第2 1項所述之技術主檔資料管理方法，更包括該架構管理單元定義一凸塊技術資料結構，包括：一凸塊技術第一層，用以記錄晶圓尺寸與凸塊薄膜資訊；以及一凸塊技術第二層，用以記錄晶圓尺寸、凸塊薄膜資訊、光罩層與廠房調整參數。 2 9 .如申請專利範圍第2 8項所述之技術主檔資料管理

0503-9652TWf JSMC2002-1069;Yi anhou.ptd 第27頁 200419394 六、申請專利範圍方法，更包括依據該凸塊技術資料結構建置該資料庫中之該技術主檔資料。 3 0 ·如申請專利範圍第2 1項所述之技術主檔資料管理方法，其中該技術主檔資料中相應該技術層之資料包括 CMOS之邏輯、混合信號、獨立記憶體、嵌入式記憶體、影像感應、高電壓、微機電或微顯示器或B I CMOS之混合信號或高電壓。 3 1 ·如申請專利範圍第2 1項所述之技術主權資料管理方法，其中該技術主檔資料中相應該裝置層之資料包括通用增強、通用、低電壓、高速、低電源、南低電源或 Philips Phase-In 。 3 2 ·如申請專利範圍第2丨項所述之技術主檔資料管理方法，其中該技術主檔資料中相應該程序層之資料包括 Legacy、銅製程或鋁製程。 3 3 · —種半導體產品，包括：一技術主檔資料，用以依據一技術主檔資料架構進行建置’其中該技術主標資料架構，包括： ' 技術層’用以描述相應該半導體產品之產品技術，一裝置層，用以描述相應該半導體產品之裝置特性；以及一程序層’用以描述相應該半導體產品之製程特性。 3 4 .如申凊專利範圍第3 3項所述之半導體產品，其中該技術主檔資=更依據一晶圓技術資料結構進行建置，其中該晶圓技術資料結構，& ^

0503-9652TWf；TSMC2002-1069;Y i anhou.p td 第28頁 200419394 六、申請專利範圍一晶圓技術第一層，繼承該技術主檔資料架構之該技術層；一晶圓技術第二層，繼承該技術主檔資料架構之該裝置層；一晶圓技術第三層，繼承該技術主檔資料架構之該程序層；一晶圓技術第四層，用以記錄相應該半導體產品之產品製造時的相關製程資訊；以及一晶圓技術第五層，用以記錄相應該半導體產品之用於製造目的所需之詳細技術特徵與資訊。 3 5.如申請專利範圍第33項所述之半導體產品，其中該技術主檔資料中相應該技術層之資料包括CMOS之邏輯、混合信號、獨立記憶體、欲入式記憶體、影像感應、兩電壓、微機電或微顯示器或B I CMOS之混合信號或高電壓。 3 6 .如申請專利範圍第3 3項所述之半導體產品，其中該技術主檔資料中相應該裝置層之資料包括通用增強、通用、低電壓、高速、低電源、高低電源或P h i 1 i p s Phase- I η o 3 7 .如申請專利範圍第3 3項所述之半導體產品，其中該技術主檔資料中相應該程序層之資料包括L e g a c y、銅製程或鋁製程。 3 8 . —種半導體產品管理方法，包括下列步驟：提供具有一技術主檔資料之一半導體產品，其中該技術主檔資料係依據一技術主檔資料架構進行建置，其中該

0503 -9652TWf；TSMC2002-1069;Y i anhou.p t d 第29頁 200419394 六、申請專利範圍技術主檔資料架構，包括：一技術層，用以描述相應該半導體產品之產品技術；一裝置層’用以描述相應該半導體產品於該產品技術下之裝置特性；以及 · 一程序層’用以描述相應該半導體產品於該產品技術· 與該裝置特性下之製程特性；以及依據該技術主檔資料對於該半導體產品進行管理。 3 9 ·如申請專利範圍第3 §項所述之半導體產品管理方法，其中該技術主檔資料更依據一晶圓技術資料結構進行建置’其中該晶圓技術資料結構，包括： j 一晶圓技術第一層，繼承該技術主檔資料架構之該技術層；一晶圓技術第二層，繼承該技術主檔資料架構之該裝置層；一晶圓技術第三層，繼承該技術主檔資料架構之該程序層；一晶圓技術第四層，用以記錄相應該半導體產品於該產品技術、該裝置特性與該製程特性下產品製造時之相關製程資訊；以及 | 一晶圓技術第五層，用以記錄相應該半導體產σ口於6亥產品技術、該裝置特性、該製程特性、與該製程資訊下用-於製造目的所需之詳細技術特徵與資訊。 4 0 ·如申請專利範圍第3 8項所述之半導體產品管理方法，其中該技術主檔資料中相應該技術層之資料包括^^⑽

0503-9652OVf;TSMC2002-1069;Yianhou.ptd 第30頁 200419394 六、申請專利範圍之邏輯、混合信號、獨立記憶體、嵌入式記憶體、影像感應、高電壓、微機電或微顯示器或B I CMOS之混合信號或高電壓。 4 1 .如申請專利範圍第3 8項所述之半導體產品管理方法，其中該技術主檔資料中相應該裝置層之資料包括通用增強、通用、低電壓、高速、低電源、高低電源或 Philips Phase - In 〇 4 2 .如申請專利範圍第3 8項所述之半導體產品管理方法，其中該技術主檔資料中相應該程序層之資料包括 Legacy、銅製程或鋁製程。

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