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TW200415642A - Optical recording medium and method for manufacturing the same - Google Patents

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TW200415642A
TW200415642A TW092128588A TW92128588A TW200415642A TW 200415642 A TW200415642 A TW 200415642A TW 092128588 A TW092128588 A TW 092128588A TW 92128588 A TW92128588 A TW 92128588A TW 200415642 A TW200415642 A TW 200415642A
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Taiwan
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recording
layer
dielectric layer
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recording medium
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TW092128588A
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English (en)
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TWI273594B (en
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Hiroyasu Inoue
Hironori Kakiuchi
Masaki Aoshima
Koji Mishima
Original Assignee
Tdk Corp
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Publication date
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Description

200415642 Π) 玫、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種光學記錄媒體及其製造方法，及詳 言之，係關於一種光學記錄媒體其可相對於用來記錄資料 及再生資料之特定波長的雷射束表現出絕佳的光學特性， 及關於該光學記錄媒體的製造方法。 【先前技術】 光學記錄媒體，像是CD，DVD及類此者，已被廣泛 地用作爲記錄數位資料的記錄媒體。這些光學記錄媒體可 被槪略地分類爲像是CD-ROM及DVD-ROM式的光學記錄 媒體其無法進行資料的寫入及再寫入（R0M式的光學記錄 媒體），像是CD-R及DVD-R式的光學記錄媒體其可寫入 資料但無法重複寫入資料（一次寫入式光學記錄媒體），及 像是CD-RW及DVD-RM式的光學記錄媒體其可重複寫入 資料（資料可重複寫入式光學記錄媒體）。 資料通常是在一製造處理中使用被形成在媒體基材上 之被螺旋式地形成的凹坑（pit)來被記錄在R〇M式的光學 記錄媒體上且係藉由投射一雷射光束用以通過該等被螺旋 地形成凹坑並偵測被折射的雷射光束的量來再生資料。 相反地，一次寫入式光學記錄媒體及資料可重複寫入 式的記錄媒體被建構成可藉由投射一強度經過調製的雷射 光束至該媒體的一包含有一有機顏料或一相變物質的記錄 層上用以通過被螺旋地形成在該媒體的一基材上的凹溝及 -5- (2) (2)200415642 /或凸肩，藉以化學地及/或物理地改變該由機顏料或該相 變物質以形成記錄標記來將資料記錄於其上，並藉由將一 雷射光束投射在該記錄層上用以通過被螺旋地形成的凹溝 及/或凸肩並偵測被折射的雷射光束量來再生資料。 在一次寫入式光學記錄媒體及資料可重複寫入式的記 錄媒體中，一介電層被形成在該記錄層的附近，通常是與 記錄層相鄰，用以化學地及/或物理地保護該記錄層並提 高調製（modulation)，即記錄層上形成有記錄標記的區域 與沒有形成記錄標記的區域之間的折射係數的差異。 在該記錄層附近有以此方式形成的一介電層的例子中 ，該介電層具有一高折射率η來提高調製，即記錄層上形 成有記錄標記的區域與記錄層上沒有形成記錄標記的區域 之間的折射係數的差異，是較佳的且該介電層具有一的消 光係數k亦是較佳的，用以降低雷射光束被吸收於該介電 層中的能量，藉此改進記錄的敏感度及防止反射係數被降 然而，因爲傳統的介電層的該折射率η及該消光係數 k與入射光的波長的關連性極大，所以介電層的折射率η 的變低及該介電層的消光係數k變高都與被用來記錄及再 生資料的雷射光束的波長有關，其結果爲，光學記錄媒體 的光學特性有時候會變差。 例如，被廣泛地用來形成介電層的氧化物中的某些氧 化物的消光係數k在雷射光束的波長較短時會較高，因此 如果由此一氧化物所製成的介電層被形成在資料是用藍光 -6- (3) (3)200415642 波長頻帶的雷射光束來記錄及再生資料的下一世代的光學 記錄媒體中的話，則將無法獲得良好的光學特性，即高調 製與高記錄敏感度。 【發明內容】 因此’本發明的一個目的爲提供一種光學記錄媒體其 可相對於用來記錄資料及再生資料之特定波長的雷射束表 現出絕佳的光學特性，及關於該光學記錄媒體的製造方法 〇 本發明的另一個目的爲提供一種光學記錄媒體其可相 對於用來記錄資料及再生資料之在藍光波長頻帶內的雷射 束表現出絕佳的光學特性，及關於該光學記錄媒體的製造 方法。 本案發明人努力不懈地硏究要達成本發明的上述的目 的，最終得以發現可藉由添加氮至含有氧化物作爲主要成 分的介電層中來改變折射率η與消光係數k對於雷射光束 的波長的相依性。 本發明根據此一發現且本發明的上述及其它目的可藉 由一包含至少一記錄層及形成在該至少一記錄層的附近的 一介電層的光學記錄媒體來達成，其中該介電層包含一氧 化物作爲主要成分且被添加了氮。 因爲被廣泛地用來形成介電層的氧化物中的某些氧化 物的消光係數k與折射率η與入射光的波長有極大的相關 性，所以介電層的折設率η的變低及該介電層的消光係數 -7- (4) (4)200415642 k變高都與被用來記錄及再生資料的雷射光束的波長有關 ，特別是，如果由此一氧化物所製成的介電層被形成在資 料是用藍光波長頻帶的雷射光束來記錄及再生資料的下一 世代的光學記錄媒體中的話’則將無法獲得良好的光學特 性。然而，根據本發明，氮被添加至含有氧化物作爲主要 成分的介電層中，且因爲可藉由添加氮至含有氧化物作爲 主要成分的介電層中來改變折射率η與消光係數k對於雷 射光束的波長的相關性，所以可藉由控制氮的添加量來形 成具有高折射率n及低消光係數k的介電層。因此，可藉 以獲得具有絕佳光學性質的光學記錄媒體，即對於被用來 記錄與再生資料之特定波長的雷射光束具有高調製與高記 錄敏感度。 在本發明中，該介電層最好是包含Ta205或Ti02作 爲主要成分。在介電層包含Ta205或Ti02作爲主要成分 的例子中，當氮被添加至該介電層時，消光係數k被顯著 地降低，因此可明顯地該光學記錄媒體的記錄敏感度。又 ’該介電層的折射率η可被顯著地提高且該介電層的消光 係數k相對於在藍光波長頻帶中的雷射光束中不會升高。 因此’可獲得一具有高調製及高記錄敏感度的的光學記錄 媒體’尤其是當藍光波長頻帶中的雷射光束被用來記錄及 再生資料時。 在本發明中，添加至該介電層中之氮的數量係隨著包 含在該介電層中作爲主要成分的氧化物種類及用來記錄及 再生資料的雷射光束的波長而改變。在被用來記錄及再生 -8- (5) (5)200415642 資料的雷射光束的波長是在藍光波長頻帶內，及雷射光束 的波長Λ是在380nm至450nm的範圍之間，及該介電層 係含有Ta205作爲主要成分的例子中，最好是添加1至 1 2原子百分比的氮及更佳的是添加2至1 0原子百分比的 氮至介電層，及當該介電層係含有Ti02作爲主要成分的 例子中，最好是添加1至5原子百分比的氮及更佳的是添 加2至4原子百分比的氮至介電層。添加至介電層中的氮 的數量可用ESCA(X射線光電子分光術：XPS)來測量。 在本發明中，在該光學記錄媒體包括複數層，每一層 都包含一氧化物作爲主要成分的例子中，至少一介電層被 添加氮即足夠。 在本發明中，在該光學記錄媒體包括複數層，每一層 都包含一氧化物作爲主要成分的例子中，最好是位在一相 關的記錄層的光入射平面側的介電層被添加撒且更佳的是 所有的介電層都被添加氮。 在本發明中，最好是使用波長介於3 8 0nm至45〇nm 之間的雷射光束來將資料記錄到該記錄層上。包含Ta2〇5 或Ti〇2作爲主要成分的介電層具有一高折射率^及一低 消光係數k。 在本發明的一較佳的態樣中，該至少一記錄層是由一 第一記錄薄膜與一第二記錄薄膜所構成，其中該第一記錄 薄膜包含一選自於由Si，Sn，Mg，C，Al，Zn，ln，Cu ，Ti及Bi等元素所組成的組群中的元素作爲主要成分， 及該第二記錄薄膜係被提供在該第一記錄薄膜附近且包含 -9- (6) (6)200415642 由Cu，A1，Zn及Ag等元素所組成的組群中選出且不同 於第一記錄層中作爲主要成分的元素之元素，包含在該第 一記錄薄膜中作爲其主要成分的元素及包含在該第二記錄 薄膜中作爲其主要成分的元素在被投射該雷射光束時會彼 此相混合，藉以形成一記錄標記。 在本說明書中，第一記錄薄膜包含一特定元素作爲主 要成分的敘述係指該元素的含量在包含於該第一記錄薄膜 中的所有元素中是最大的，而第二記錄薄膜包含一特定元 素作爲主要成分的敘述係指該元素的含量在包含於該第二 記錄薄膜中的所有元素中是最大的。 在本發明的較佳態樣中，第二記錄薄膜並非一定要與 第一記錄薄膜相接觸，且對於第二記錄薄膜而言，其位在 第一記錄薄膜的附近且能夠讓一混合的區域形成的位置即 可，其中該混合區在用一雷射光束照射時包括該第一記錄 薄膜的主要成分元素與該第二記錄薄膜的主要成分元素。 又’該介電層的一獲多層其它層可被安插在該第一記錄薄 膜與該第二記錄薄膜之間。 在本發明的較佳態樣中，第二記錄薄膜被形成爲與第 一記錄薄膜相接觸。 在本發明的較佳態樣中，該光學記錄媒體包括一或個 記錄薄膜其包含與包含在第一記錄薄膜中作爲主要成分的 元素相同的元素作爲主要成分，或一或個記錄薄膜其包含 與包含在第二記錄薄膜中作爲主要成分的元素相同的元素 作爲主要成分。 -10- (7) (7)200415642 雖然爲何在被照射一雷射光束時會形成一包括該第一 記錄薄膜的主要成分元素與該第二記錄薄膜的主要成分元 素的混合區的原因尙未完全淸處，但合理的推測爲第一及 第二記錄薄膜的主要成分元素被部分地或完全地熔融，因 而形成一該第一及第二記錄薄膜的主要成分元素相混合的 區域。 以此方式，依據本發明的較佳態樣，當該光學記錄媒 體用一雷射光束照射時，因爲包含在該第一記錄薄膜中作 爲主要成分的元素與包含在該第二記錄薄膜中作爲主要成 分的元素比此相混合，所以形成一記錄標記其相對於用來 再生資料的雷射光束所表現出來的反射係數不同於在該第 一記錄薄膜與在第二記錄薄膜中之其它區域的反射係數， 且與該至少一介電層的該記錄標記相接觸的一區域的至少 一部分被結晶化，藉以形成一結晶化的區域其相對於用來 再生資料的雷射光束所表現出來的反射係數不同於在該至 少一介電層上的其它區域的反射係數，由於介於形成有記 錄標記的區域與其它區域之間之相對於用來再生資料的雷 射光束所表現出來的反射係數的差異相當大，所以可利用 在反射係數上的此一大的差異來再生被記錄的資料，藉以 獲得具有改善的C/N比例的再生訊號。 在本發明的另一較佳的態樣中，形成有一第一介電層 用以與第一記錄薄膜接觸，及一第二介電層用以與第二記 錄薄膜接觸。 在本發明的一較佳的態樣中，該第一記錄薄膜包含一 (8) (8)200415642 元素作爲主要的成分，其係選自於由Si，Ge及Sn所組成 的組群中。 在本發明的一較佳的態樣中，該第二記錄薄膜被添加 一兀素，其係選自於由Cu，Al，Zn，Ag，Mg，Sn，Au， Ti及Pd所組成的組群中且不同於包含在該第一記錄媒體 中作爲主要成分的元素。 在本發明的另一較佳的態樣中，該第一記錄薄膜包含 一元素作爲主要的成分，其係選自於由Si，Ge，Sn，Mg ，In，Zn，Bi及A1所組成的組群中，且該第二記錄薄膜 包含Cu作爲主要成分。 在本發明的另一較佳的態樣中，該第一記錄薄膜包含 一元素作爲主要的成分，其係選自於由Si，Ge，Sn，Mg 及A1所組成的組群中。 在本發明的另一較佳的態樣中，一選自於由 Al，S i ，Zn，Mg，Au ’ Sn，Ge，Ag，P，Cr，Fe 及 Ti 所組成的 組群中之元素被添加至該包含Cu作爲主要成分的第二記 錄薄膜中。 在一运自於由 Al’ Si’ Zn，Mg，Au，Sn，Ge，Ag， P，Cr，Fe及Ti所組成的組群中之元素被添加至該包含 Cii作爲主要成分的第二記錄薄膜中的例子中，可進一步 降低在被再生的訊號中之雜訊並改上長時期的儲存可靠性 ，因爲該第二記錄薄膜的熱傳導被降低，雷射光束產生於 該第一記錄薄膜及第二記錄薄膜中的熱可被有效地傳遞到 該至少一介電層，該至少一介電層的結晶化可被促進。 -12- (9) (9)200415642 在本發明的另一較佳的態樣中，一選自於由A1，Zn ，Sri及Au所組成的組群中之元素被添加至該包含Cu作 爲主要成分的第二記錄薄膜中。 在本發明的另一較佳的態樣中，該第一記錄薄膜包含 一元素作爲主要的成分，其係選自於由Si，Ge，C，Sn， Zn及Cu所組成的組群中，且該第二記錄薄膜包含Ai作 爲主要成分。 在本發明的另一較佳的態樣中，一選自於由 Mg，Au ，Ti及Cu所組成的組群中之元素被添加至該包含Ai作 爲主要成分的第二記錄薄膜中。 在一選自於由Mg，Au，Ti及Cu所組成的組群中之 元素被添加至該包含A1作爲主要成分的第二記錄薄膜中 的例子中，可進一步降低在被再生的訊號中之雜訊並改上 長時期的儲存可靠性，因爲該第二記錄薄膜的熱傳導被降 低，雷射光束產生於該第一記錄薄膜及第二記錄薄膜中的 熱可被有效地傳遞到該至少一介電層，該至少一介電層的 結晶化可被促進。 在本發明的另一較佳的態樣中，該第一記錄薄膜包含 一元素作爲主要的成分，其係選自於由Si，Ge，C，及A1 所組成的組群中，且該第二記錄薄膜包含Zn作爲主要成 分。 在本發明的另一較佳的態樣中，一選自於由 M g，C u 及A1所組成的組群中之元素被添加至該包含Zn作爲主要 成分的第二記錄薄膜中。 -13- (10) (10)200415642 在一選自於由M g，C υ及A1所組成的組群中之元素 被添加至該包含Zn作爲主要成分的第二記錄薄膜中的例 子中’可進一步降低在被再生的訊號中之雜訊並改上長時 期的儲存可靠性，因爲該第二記錄薄膜的熱傳導被降低， 雷射光束產生於該第一記錄薄膜及第二記錄薄膜中的熱可 被有效地傳遞到該至少一介電層，該至少一介電層的結晶 化可被促進。 在本發明的另一較佳的態樣中，該第一記錄薄膜包含 一元素作爲主要的成分，其係選自於由Si，Ge，及Sn所 組成的組群中，且該第二記錄薄膜包含Ag作爲主要成分 〇 在本發明的另一較佳的態樣中，一選自於由Cu及Pd 所組成的組群中之元素被添加至該包含A g作爲主要成分 的第二記錄薄膜中。 在一選自於由Cu及Pd所組成的組群中之元素被添 加至該包含Ag作爲主要成分的第二記錄薄膜中的例子中 ’可進一步降低在被再生的訊號中之雜訊並改上長時期的 儲存可靠性，因爲該第二記錄薄膜的熱傳導被降低，雷射 光束產生於該第一記錄薄膜及第二記錄薄膜中的熱可被有 效地傳遞到該至少一介電層，該至少一介電層的結晶化可 被促進。 在本發明的一較佳的態樣中，該第一記錄薄膜及第二 記錄薄膜最好是被形成爲其總厚度是在2nm至4 Onm之間 ’更佳的是在2nm至30nm之間，即最佳的是在2nm至 -14- (11) (11)200415642 1 5 n m之間， 在本發明的一較佳的態樣中，該光學記錄媒體包含兩 層或更多層彼此間隔開的記錄層及多層介電層，每一介電 層形成在一記錄層附近，其中至少形成在最靠近一光入射 平面的記錄層附近的該介電層是包含一氧化物作爲一主要 成分及氮作爲一添加物。 依據本發明的此一較佳的態樣，因爲至少形成在最靠 近一光入射平面的記錄層附近的該介電層是包含一氧化物 作爲一主要成分及氮作爲一添加物，所以形成在最靠近該 光線入射平面的記錄層的附近的該介電層具有一高折射率 及一低消光係數且可顯著地改進不是最靠近光線入射平面 的記錄層的資料記錄特性及資料再生特性。 在本發明的另一較佳的態樣中，關於形成在最靠近一 光線入射平面的記錄層的附近中的介電層，位在該光線入 射平面側上的介電層包含一氧化物作爲主要成分及氮作爲 一添加物。 本發明的上述及其它目的亦可藉由一種製造一包含至 少一記錄層及一形成在該至少一記錄層的附近之介電層之 光學記錄媒體的方法來達成，該製造一光學記$媒體的方 法包含藉由在一包含氮氣的混合氣體氛圍中氣相生長一氧 化物來形成該介電層的步驟。 依據本發明，因爲可藉由控制包含在該混合氣體中之 氮氣含量來形成包含所想要的氮含量之介電層，所以可形 成具有一高折射率η及一低消光係數k的一介電層，因而 (12) (12)200415642 可獲得一光學記錄媒體，其可表現出絕佳的光學特性，即 ’相對於被用來記錄資料與再生資料之具有所想要的波長 之雷射光束具有高調製與高記錄敏感度。 在本發明的一較佳的態樣中，該介電層係藉由濺鍍處 理來形成用以包含一作爲主要成分的氧化物及作爲添加物 的氮。 本發明的上述及其它目的與特徵由以下的參照了附圖 的詳細說明中將會變得很明顯。 【實施方式】 第1圖爲一示意立體圖，其顯示一依據本發明的一較 佳實施例之光學記錄媒體。第2圖爲第1圖中之光學記錄 媒體的被標記爲A部分之放大的示意剖面圖。 依據此實施例的一光學記錄媒體1 〇被建構成爲一次 寫入式的光學記錄媒體且如第2圖所示的，其包括一支撐 基材1 1，一形成在該支撐基材1 1的表面上的反射層12， 一形成在該反射層12的表面上的第二介電層13，一形成 在該第二介電層1 3的表面上的記錄層1 4，一形成在該記 錄層14的表面上的第一介電層15及一形成在第一介電層 1 5的表面上的光透射層1 6。 如第2圖所示，記錄層14是由形成在第二介電層13 的表面上的第二記錄薄膜22及形成在第二記錄層22的表 面上的第一記錄薄膜2 1所構成的。 在此實施例中，如第2圖所示的，一雷射光束L被投 -16- (13) (13)200415642 射到該光透射層1 6的一光線入射表面1 6a上，藉以將資 料記錄在該光學記錄媒體1 0上或將資料從該光學記錄媒 體10上再生出來。 支撐基材11是作爲一支撐件之用，以確保該光學記 錄媒體10所需的機械強度。 用來形成該支撐基材的物質並不侷限在作爲支撐基材 11的範圍內，其可作爲該光學支撐媒體10的支撐件。該 支撐基材11可用玻璃，陶瓷，樹脂或類此者製成。在這 些材料中，樹脂是形成該支撐基材11的較佳材質，因爲 樹脂可被輕易地成形。適於形成支撐基材1 1的舉例性樹 脂包括聚碳酸酯樹脂，聚烯烴樹脂，丙烯酸樹脂，環氧樹 脂，聚苯乙烯樹脂，聚乙烯樹脂，聚丙烯樹脂，矽酮樹脂 ，氟聚物，丙烯青丁二烯苯乙烯樹脂，胺基甲酸酯樹脂及 類此者。在這些材料中，從易於處理，光學特性及類此者 的角度來衡量，聚碳酸酯樹脂，聚烯烴樹脂是最常被用來 製成形成該支撐基材Π的材質。 在此貫施例中’支撑基材11具有I.2mm的厚度。 支撐基材11的形狀並沒有特別的限制，但通常是圓 盤狀，卡片狀及板片狀。 在此實施例中，因爲在資料被記錄時或將被再生時， 一雷射L是不會被透射穿過該支撐件11，所以支撐基材！ 並不需要有一高的光線穿透性。 如第2圖所示的，凹溝11 a及凸肩1丨b被交替地形成 在基材支撐件11的表面上。凹溝11a及/或凸肩lib是在 -17- (14) (14)200415642 資料被記錄或資料被再生時作爲導軌之用的。 反射層12是用來反射穿過該光透射層16進度的雷射 先束L用以將雷射光束從該光透射層16發射出。 該反射層1 2的厚度並沒有特殊的限制，但其最好是 介於5nm至3 00nm之間，更佳地是介於20nrn至200nm 之間。 用來形成該反射層12的材質並不侷限再可反射一雷 射光束L的範圍之內，反射層12可用Mg，Al，Ti，Cr， Fe’ Co，Ni，Cu，Zn，Ge，Ag，Pt，Au 及類者來製成。 在這些材質中，反射層1 2最好是用具有高反射特性的金 屬材質來製成，像是Al，Au，Ag，Cu或是包含這些金屬 中的至少一者的合金，如A1與Ti的合金。 反射層12被提供用以在該雷射光束L被用來將被記 錄在記錄層1 4上的資料再生時’提高介於被記錄的區域 與未被記錄的區域之間在反射係數上的差異，藉以獲得一 較高的被再生訊號（C/N比例）。 第一介電層15及第二介電層13是用來保護由第一記 錄薄膜2 1及第二記錄薄膜22所構成的記錄層1 4。第一 介電層15及第二介電層13可防止被記錄在記錄層14上 的資料在一段長的時間之後變差。 第一介電層15及第二介電層13中的每一者都包含 Ta2〇5或Ti02且被添加氮。因爲Ta205或Ti02的折射率η 及消光係數k與入射光的波長非常有關係，所以在介電層 是由Ta205或Ti02製成的例子中，介電層的折射率η的 -18- (15) (15)200415642 變低或該介電層的消光係數k變高都與被用來記錄及再生 資料的雷射光束的波長有關，因而讓光學記錄媒體的光學 特性變差，特別是如果一介電層是由在下一世代的光學記 錄媒體（其資料係使用在藍光波長頻帶中的雷射光束來記 錄及再生）中的氧化物來形成的話，則將無法獲得絕佳的 光學特性。 然而，由本案發明人所進行的硏究顯示可藉由添加氮 至含有氧化物作爲主要成分的介電層中來改變折射率η與 消光係數k對於雷射光束的波長的相依性，因而可藉由控 制氮的添加量來形成一介電層，其對於具有所想要的波長 的雷射光束具有夠高折射率η及夠低消光係數k。 詳言之，當用來記錄及再生資料的雷射光束L的波長 較短時，介於包含Ta205或Ti02作爲主要成份且沒有添 加氮作爲添加物的介電層的折射率nO與包含Ta2 0 5或 Ti〇2作爲主要成份但有添加氮作爲添加物的介電層的折 射率η之間的差異（n0-n)即會變得較小，且當用來記錄及 再生資料的雷射光束L的波長較短時，介於包含Ta20 5或 Ti 〇2作爲主要成份且沒有添加氮作爲添加物的介電層的 消光係物k0與包含Ta205或Ti02作爲主要成份但有添加 氮作爲添加物的介電層的消光係數k之間的差異（k(M〇即 會變得較大。詳言之，即使是使用藍光波長頻帶的雷射光 束，即波長λ介於3 80nm至45 0nm之間的雷射光束，來 記錄及再生資料，亦可藉由選擇添加至介電層中的氮的數 量來澈定介電層的折射率η與消光係數k，使得該介電層 -19- (16) (16)200415642 的折射率η大於n〇及消光係數k小於k〇。 本案發明人所作的另一硏究顯示，當雷射光束L的波 長較短時，包含Ta2〇5作爲主要成份但沒有添加氮作爲添 加物的介電層的折射率η 0會大幅地降低，而當雷射光束 L的波長較短時，包含Ta2〇5作爲主要成份且添加有預定 數量的氮作爲添加物的介電層的折射率n〇會大幅地升高 ’以及包含Ta2〇5作爲主要成份且添加有預定數量的氮作 爲添加物的介電層的消光係數k會比包含Ta205作爲主要 成份但沒有添加氮作爲添加物的介電層的消光係數k0來 得小，且當雷射光束L的波長較短時會小得更多。本案發 明人進一步發現，包含Ti〇2作爲主要成份但沒有添加氮 作爲添加物的介電層的折射率n〇幾乎是維持固定不變， 即使是雷射光束L的波長較短時亦然，而包含Ti〇2作爲 主要成份且添加有預定數量的氮作爲添加物的介電層的折 射率η會在雷射光束L的波長較短時變大，以及包含 Ti 〇2作爲主要成份且添加有預定數量的氮作爲添加物的 介電層的消光係數k會比包含Ti〇2作爲主要成份但沒有 添加氮作爲添加物的介電層的消光係數k0來得小且在雷 射光束L的波長較短時會小得更多。 因此，在此實施例中，添加至第一介電層15與第二 介電層13中的氮的數量被設定成可使第一介電層15與第 二介電層13有足夠高的的折射率n且在波長爲4〇5nm的 雷射光束被用來記錄及再生資料時，其具有夠低的消光係 數k。 -20 - (17) (17)200415642 第一介電層15與第二介電層13可由相同的材質或不 同的材質製成。 第一介電層15與第二介電層13的厚度並沒有特殊的 限制，但最好是在3nm至200nm之間。如果第一介電層 1 5或第二介電層1 3的厚度小於3nm的話，則獲得上述的 優點。另一方面，如果第一介電層15或第二介電層13的 厚度大於200nm的話，則需要花費一長的時間來形成第 一介電層15與第二介電層13，因而降低了該光學記錄媒 體10的產出率，且可能會在該光學記錄媒體10上產生裂 痕，因爲在第一介電層15及/或第二介電層13上會有應 力存在。 記錄層1 4被設計成可將資料記錄於其上。 在此實施例中，記錄層1 4是由第一記錄薄膜2 1及第 二記錄薄膜2 2所構成且該第一記錄薄膜2 1係被設置在光 透射層1 6的一側上及第二記錄薄膜22被設置在支撐基材 1 1的側上。 在此實施例中，第一記錄薄膜21包含一選自於由Si ，Ge及Sn所組成的組群中之元素來作爲主要成分及第二 記錄薄膜22包含Cii來作爲主要成分。 包含在第二記錄薄膜22中作爲主要成分的Cu在被一 雷射光束L照射的時候會快速地與包含在第一記錄薄膜 2 1中的元素混合用以形成一記錄標記，際以將資料快速 地記錄在第一記錄薄膜21與第二記錄薄膜22上。 爲了要改進第一記錄薄膜21的記錄敏感度，從由Mg -21 - (18) (18)200415642 ’ A1 ’ Cu ’ Ag及Au所構成的組群中所選取的一或多個 元素可被添加至第一膜21中。 爲了要改進第二記錄薄膜22的記錄可靠度及記錄敏 感度’從由Al，Si，Zn，Mg及Au所構成的組群中所選 取的至少一元素可被添加至第二膜22中。添加至第二記 錄薄膜22中的元素的分量最好是等於或大於1原子百分 比且小於5 0原子百分比。 被雷射光束L照射之第一記錄層3 1的表面平滑度當 第一記錄薄膜2 1與第二記錄薄膜22的總厚度變厚時會變 得更差。其結果爲，被再生的訊號的雜訊程度會變高且記 錄敏感度會變差。再另一方面，當第一記錄薄膜2 1與第 二記錄薄膜22的總厚度太小時，反射係數在雷射光束L 的照射之前與之後的改變會很小，因而無法獲得具有高強 度（C/N比例）的再生訊號。又，第一記錄薄膜21與第二 記錄薄膜22的厚度控制會變得很困難。 因此，在此實施例中，第一記錄薄膜2 1與第二記錄 薄膜22的被作成它們的總厚度是介於2nm至4 Onm之間 。爲了要獲得具有高強度（C/N比例）的再生訊號及進一步 降低被再生的訊號的雜訊程度，第一記錄薄膜2 1與第二 記錄薄膜22的總厚度最好是在2nm至2 Onm之間，且更 好的是在2nm至15nm之間。 第一記錄薄膜2 1與第二記錄薄膜22它們的各別厚度 並沒有特殊的限制，但爲了要大幅地改進記錄敏感度及大 幅地提高反射係數在雷射光束L的照射之前與之後的.改變 -22- (19) (19)200415642 ，第一記錄薄膜21的厚度最好是在lnm至3 Onm之間且 第二記錄薄膜22的厚度最好是在lnm至30 nm之間。又 ，最好是將第一記錄薄膜21的厚度對第二記錄薄膜22的 厚度（第一記錄薄膜21的厚度/第二記錄薄膜22的厚度）的 比例定在〇 · 2至5.0之間。 該光透射層16是用來透射一雷射光束L且最好是具 有1 〇微米至3 00微米之間的厚度。更佳地，該光透射層 16具有50微米至150微米之間的厚度。 用來製成該光透射層1 6的材質並沒有特殊的限制， 但在光透射層1 6是用旋轉塗佈處理來製成的例子中，但 最好是使用可紫外線硬化的樹脂及可電子束硬化的樹脂。 更佳的是該光透射層1 6是由可紫外線硬化的樹脂製成。 該光透射層I 6可藉由將一片由透光性樹脂製成的片 材用黏劑黏貼在第一介電層1 5的表面上來製成。 具有上述結構的光學記錄媒體1 〇係藉由以下所述的 方式來製造。 具有凹溝11a及凸肩lib的支撐基材11藉由射出模 製而首先被製造。 反射層12進一步被形成在該支撐基材11的表面上。 該反射層12可藉由使用包含了形成該反射層12的元 素之化學物質的氣相生長處理來製造。氣相生長處理的例 子包括真空沉積處理，濺鍍處理及類此者。 第二介電層13接著被形成在該反射層12的表面上。 在此實施例中，第二介電層1 3係藉由一濺鍍處理來 -23- (20) (20)200415642 製成的，其中該濺鍍處理使用以氬氣及氮氣的混合氣體作 爲濺鍍氣體及氧化物，如Ta2 05，Ti02或類此者，作爲標 靶。其結果爲，第二介電層13包含Ta205或Ti02作爲主 要成分且被添加了氮。第二介電層的氮含量被設定成可讓 第二介電層13具有一高的折射率η及一低的消光係數k 且在第二介電層13中的氮含量可藉由控制在濺鍍氣體中 的氮氣數量來加以控制。 第二記錄薄膜22接著被形成在第二介電層13上。第 二記錄薄膜22亦可使用包含了形成該第二記錄薄膜22的 元素之化學物質的氣相生長處理來製造。 第一記錄薄膜21接著被形成在第二記錄薄膜22上。 第一記錄薄膜21亦可使用包含了形成該第一記錄薄膜21 的元素之化學物質的氣相生長處理來製造。 在此實施例中，因爲第一記錄薄膜21與第二記錄薄 膜22被形成爲它們的總厚度是在2nm至4〇nm之間，所 以可改進第一記錄薄膜2 1的表面平滑度。 第一介電層15接著被形成在第一記錄薄膜3]上。 在此實施例中，第一介電層1 5係藉由一濺鍍處理來 製成的，其中該濺鍍處理使用以氬氣及氮氣的混合氣體作 爲濺鍍氣體及氧化物，如Ta205，Ti02或類此者，作爲標 靶。其結果爲，第一介電層15包含Ta205或Ti02作爲主 要成分且被添加了氮。第二介電層的氮含量被設定成可讓 第一介電層15具有一高的折射率n及一低的消光係數k 且在第一介電層15中的氮含量可藉由控制在濺鍍氣體中 -24- (21) (21)200415642 的氮氣數量來加以控制。 最後，該光透射層16被形成在第一介電層15上。該 光特射層1 6可藉由旋轉塗佈來施加一被調到一適當的黏 性的可紫外線硬化的丙烯樹脂或可紫外線硬化的環氧樹脂 至第二介電層15的表面上，用以形成一塗層並用紫外線 來照射該塗層以硬化該塗層。 該光學記錄媒體1 〇即可如上所述地被形成。 資料係以如下文所述的方式被記錄在上述的光學記錄 媒體10上。 如第2圖所示，透過該光透射層16該第一記錄薄膜 21及第二記錄薄膜22首先被具有預定功率的雷射光束所 照射。 爲了要以高記錄密度來記錄資料，最好是將波長；I爲 4 5 Onm或更短的雷射光束L透過一數値孔徑NA爲0.7或 更大且最好是λ /NA等於或小於640nm的物鏡（未示出）投 射到該光學記錄媒體1 0上。 在此實施例中，波長λ爲45 Onm或更短的雷射光束L 透過數値孔徑NA爲0.85的物鏡而投射到該光學記錄媒 體10上。 其結果爲，包含在第一記錄薄膜21中作爲主要成分 的元素與包含在第二記錄薄膜22中作爲主要成分的元素 會混合在一被該雷射光束L所照射的一區域中且如第3圖 所示的，一由第一記錄薄膜21的主要成分元素與第二記 錄薄膜22的主要成分元素的混合物所組成的一混合區被 -25· (22) (22)200415642 產生且一記錄標記Μ被形成。 當第一記錄薄膜與第二記錄薄膜22的主要成分元素 被混合時，一記錄標記Μ即被形成，形成由該記錄標記 Μ的區域的反射係數會顯著地改變。因爲記錄標記Μ的 反射係數與包圍該混合區Μ之區域的反射係數有著顯著 的不同，所以當被光學地記錄的資訊被再生時即可獲得一 高強度（C/N比例）的再生訊號。 根據此實施例，添加至第一介電層15與第二介電層 13的氮數量被設定成可讓第一介電層15與第二介電層13 有夠高的折射率η且相對於波長爲4 0 5 nm的雷射光束L 具有夠低的消光係數k，當資料被記錄到該光學記錄媒體 1 0上時，可降低雷射光束L被第一介電層1 5與第二介電 層1 3吸收掉的能量並改善光學記錄媒體1 0的記錄敏感度 。在另一方面，當資料從該光學記錄媒體10上被再生時 ，可提高調製，即記錄層1 4上形成有記錄標記的區域與 沒有形成記錄標記的區域之間的折射係數的差異，並可防 止記錄層1 4的反射係數的降低。 第4圖爲本發明的另一實施例之光學記錄媒體的層結 構的一放大的示意剖面圖。 依據此實施例的一光學記錄媒體1 〇被建構成爲資料 可覆寫式的光學記錄媒體且如第4圖所示的，其包括一支 撐基材11，一形成在該支撐基材Π的表面上的反射層12 ，一形成在該反射層12的表面上的第二介電層13，一形 成在該第二介電層13的表面上的記錄層14，一形成在該 -26- (23) (23)200415642 記錄層14的表面上的第一介電層15及一形成在第一介電 層1 5的表面上的光透射層1 6。 在此實施例中，一雷射光束L被投射到該光傳導層 16的一光線入射表面16a上，藉以將資料記錄在該光學 記錄媒體1 〇上或將資料從該光學記錄媒體1 0上再生出來 〇 依據此實施例的光學記錄媒體1 〇的支撐基材1 1，反 射層12及光透射層16的作用及構成都與第2圖所示之依 據前一實施例的光學記錄媒體1 〇的相對應的支撐基材1 1 ，反射層1 2及光透射層1 6的作用及構成相同。 第一介電層15及第二介電層13的構成與第2圖所示 之依據前一實施例的第一介電層15及第二介電層13相類 似，不同處僅在於它們是用來保護該記錄層1 4。 因此，在此實施例中，添加至第一介電層1 5及第二 介電層13中的氮的數量被設定成可讓第一介電層15與第 二介電層1 3有夠高的折射率n且當資料係使用波長爲 4 0 5nm的雷射光束L記錄到該光學記錄媒體10上時具有 夠低的消光係數k。 記錄層1 4被設計成可將資料記錄於其上。 在此實施例中，記錄層1 4是由一相變物質所製成的 。利用記錄層1 4是在一結晶相中時與在一非晶相中時在 反射係數上的差異，資料被記錄在該記錄層1 4中且資料 從記錄層14中被再生。 形成記錄層1 4的材質並沒有特殊的限制，但最好是 -27- (24) (24)200415642 能夠在短時間內從一非晶相變爲一結晶相的物質，這樣才 能在局速下直接覆寫資料。具有此一特性的物質包括 SbTe系物質。
SbTe可單獨使用或可使用添加了添加物的sbTe系物 質用以縮短結晶化所需的時間並改善該光學記錄媒體j 〇 長時間儲存的可靠度。 最好是用成份公式爲：（SbxTebx^yM^/j1代表的SbTe 系物質來形成該記錄層14，其中Μ爲除了 Sb及Te之外 的一個元素，X等於或大於0.55且等於或小於〇.9，y等 於或大於〇且等於或小於0.25，更佳的是用上述的公式所 代表的SbTe系物質來形成該記錄層14，其中X等於或大 於〇·65且等於或小於0.85，y等於或大於〇且等於或小 於 0.2 5。 雖然Μ沒有特別的限制，但元素μ最好是從由In，
Ag，Au，Bi，Se，A1，P，Ge，H，Si，C，V，W，Ta，
Zn，Mn，Ti，Sn，Pd，N，O及稀土元素所組成的組群中 所選出的一或多個元素用以縮短結晶化所需的時間並改善 1¾光學記錄媒體1〇長時間儲存的可靠度。更佳的是，元 素Μ最好是從由A g，I η，G e及稀土元素所組成的組群中 所選出的一或多個元素用以改善該光學記錄媒體10長時 間儲存的可靠度。 具有上述結構的光學記錄媒體1 〇是用下文所述的方 法來製造的。 與示於第2圖中的光學記錄媒體1〇相同地，支撐基 -28- (25) (25)200415642 材11首先被製造及反射層12被形成在該支撐基材11的 表面上。 然後，與示於第2圖中的光學記錄媒體1 〇相同地， 第二介電層13接著被形成在該反射層12的表面上。 記錄層14然後被形成在該第二介電層13上。記錄層 14係藉由使用含有用來形成記錄層14的元素的化學物質 的氣相生長處理來形成的。 第一介電層15係使用與第2圖所示之將第一介電層 15形成在第一記錄薄膜31上相同的方式被形成在記錄層 14上。 最後，該光透射層1 6被形成在第一介電層1 5上。該 光特射層1 6可藉由旋轉塗佈來施加一被調到一適當的黏 性的可紫外線硬化的丙烯樹脂或可紫外線硬化的環氧樹脂 至第二介電層15的表面上，用以形成一塗層並用紫外線 來照射該塗層以硬化該塗層。 該光學記錄媒體1 0即可如上所述地被形成。 資料係以如下文所述的方式被記錄在上述的光學記錄 媒體1 〇上。 如第2圖所示，透過該光透射層16該記錄層14首先 被具有預定功率的雷射光束所照射。 與第2圖所示的實施例相似地，在此實施例中，波長 λ爲40 5 nm的雷射光束L透過數値孔徑NA爲0.85的物 鏡而投射到該光學記錄媒體1 0上。 當該記錄層1 4的一預定的區域被雷射光束L的照射 -29- (26) (26)200415642 加熱至等於或高於該相變物質的熔點的溫度且被快速冷卻 時，該區域是在一非晶形狀態。再另一方面，當該記錄層 1 4的一預定的區域被雷射光束L的照射加熱至等於或高 於該相變物質的結晶化的溫度且被逐漸冷卻時，該區域是 在一結晶狀態。 一記錄標記是由該記錄層1 4在非晶形狀態中的區域 形成的。該記錄標記的長度及介於該記錄標記與相鄰的記 錄標記之間在軌跡方向上的空白區域的長度構成被記錄在 記錄層14上的資料。 在此實施例中，因爲添加至第一介電層15及第二介 電層13中的氮的數量被設定成可讓第一介電層15與第二 介電層1 3有夠高的折射率η且當資料係使用波長爲 4 05nm的雷射光束L記錄到該光學記錄媒體10上時具有 夠低的消光係數k，所以可降低雷射光束L被第一介電層 1 5與第二介電層1 3吸收掉的能量並改善光學記錄媒體1〇 的記錄敏感度。 在另一方面，當資料從該光學記錄媒體10上被再生 時，該光透射層1 6的光線入射平面1 6a被一雷射光束L 所照射其強度係經過調製請該雷射光束L的焦聚被調到該 記錄層1 4上。 因爲記錄層1 4的反射係數在非晶形狀態的區域與結 晶化的區域之間是不同的，所以可藉由偵測被記錄層Η 所反射的雷射光束L的數量來將記錄在該記錄層1 4上的 資料再生。 -30- (27) (27)200415642 在此實施例中，因爲添加至第一介電層15與第二介 電層13的氮數量被設定成可讓第一介電層15與第二介電 層1 3有夠高的折射率η且相對於波長爲4 0 5 nm的雷射光 束L具有夠低的消光係數k，所以可提高調製，即記錄層 1 4上形成有記錄標記的區域與沒有形成記錄標記的區域 之間的折射係數的差異，並可防止記錄層1 4的反射係數 的降低。 根據此實施例，因爲添加至第一介電層15及第二介 電層13中的氮的數量被設定成可讓第一介電層15與第二 介電層1 3有夠高的折射率η且當資料係使用波長爲 405nm的雷射光束L記錄到該光學記錄媒體10上時相對 於該雷射光束L具有夠低的消光係數k，所以可降低雷射 光束L被第一介電層1 5與第二介電層1 3吸收掉的能量並 改善光學記錄媒體1〇的記錄敏感度。在另一方面，當資 料從該光學記錄媒體1 〇上被再生時，可提高調製，即記 錄層1 4上形成有記錄標記的區域與沒有形成記錄標記的 區域之間的折射係數的差異，並可防止記錄層1 4的反射 係數的降低。 第5圖爲一剖面圖，其顯示依據本發明的另一實施例 的光學記錄媒體的層結構。 依據此實射例的光學記錄媒體3 0被建構成一次寫入 式的光學記錄媒體且如第5圖所示地，該光學記錄媒體 3〇包括一支撐基材31，一透明的中間層32，一光透射層 33，一形成在該支撐基材31與透明層32之間的L0層及 -31 - (28) (28)200415642 一形成在透明層3 2與光透射層3 3之間的L 1層5 0。 L0層4 0與L1層5 0爲可將資料記錄於其上的記錄層 ，即依據此實施例之光學記錄媒體3 0包括兩記錄層。 如第5圖所示，L0層40構成一遠離該光入射平面 3 3 a的記錄層且是藉由從支撐基材3 1的一側算起將一反 射薄膜41，一第四介電薄膜42，一第二L0記錄薄膜43a ，一第二L0記錄薄膜43b及一第三介電薄膜44層疊其來 而構成的。 在另一方面，L1層50構成一靠近該光入射平面33a 的記錄層且是藉由從支撐基材3 1的一側算起將一反射薄 膜51，一第二介電薄膜52，一第二L1記錄薄膜53a，一 第一 L1記錄薄膜53b及一第一介電薄膜54層疊其來而構 成的。 在資料是被記錄在L0層40上且被記錄在L0層40 上的資料被再生的例子中，一雷射光束L穿過位在靠近該 光透射層33的L1層50而投射到L0層40上。 支撐基材31是作爲一支撐件用以提供光學記錄媒體 3 〇所需的機械強度且其係以與第2圖所示的光學記錄媒 體1 〇的支撐基材Π相同的方式被建構。 透明層32是用來將L0層40與L1層50分隔開一段 實體上及光學上足夠的距離。 如第5圖所示的，凹溝32a與凸肩32b被交替地形成 在透明層32的表面上用以對應於形成在支撐基材31的凹 溝31a與凸肩31b。形成在透明層32的表面上的凹溝32a -32- (29) (29)200415642 及/或凸肩32b是用作爲當資料被記錄到L0層40上或從 L〇層40上被再生時雷射光束L的導引軌道。 將該透明層32形成爲具有10微米至50微米是較佳 的，更佳的是將其形成爲具有15微米至40微米的厚度。 該透明的中間層3 2具有夠高的透光性是必需的，因 爲當資料被記錄到L0層40上或從L0層40上被再生時 雷射光束L會通過該透明的中間層32。 形成該透明的中間層32的材料並沒有特別的限制， 但該透明的中間層3 2最好是使用可紫外線硬化的環氧樹 脂來製成。 該光透射層33是用來透射該雷射光束L及該光入射 平面33a是由其中的一個表面構成的。光特射層33係用 與第2圖所示的光學記錄媒體1 0的光透射層1 6相同的方 式建構的。 L0層40包括第一 L0記錄薄膜43b其包含一選自於 由Si，Ge及Sn所構成的組群中之元素作爲主要成份及第 二L0記錄薄膜43a其包含Cii作爲主要成份。 爲了要降低被再生訊號的雜訊程度並改善該光學記錄 媒體3 0的長期記錄的可靠度，最好是在第二L0記錄薄膜 43a中添加一或多個選自於由Al’ Zn，Sn，Mg及Αιι所 組成的組群中之元素。 該L1層50包括第一L1記錄薄膜53b其包含Si作爲 主要成份及第二L1記錄薄膜53a其包含Cu作爲主要成 份0 -33- (30) (30)200415642 爲了要降低被再生訊號的雜訊程度並改善該光學記錄 媒體30的長期記錄的可靠度，最好是在第二L1記錄薄膜 53a中添加一或多個選自於由Al，Zn，Sn，Mg及Au所 組成的組群中之元素。 在此實施例中，包括在L0層40的第四介電層42及 第三介電層44及第二介電薄膜52與第一介電薄膜54都 包含Ta205或Ti02作爲主要成份且有添加氮作爲添加物 ，添加至第四介電層42，第三介電層44，第二介電薄膜 52及第一介電薄膜54中的氮的數量被設定成可讓其具有 構高的折射率η及相對於波長爲4 0 5 nm的雷射光束具有 夠低的消光係數。 第6圖爲一示意放大剖面圖，其顯示第5圖中之光學 記錄媒體3 Ό在L 1層5 0被照射雷射光束L之後的情形。 如第6圖所示，當光學記錄媒體30被一穿過光入射 平面3 3 a的雷射光束L照射時，包含在第二L1記錄薄膜 53a中作爲主要成份的Cii及包含在第一 L1記錄薄膜53b 中作爲主要成份的Si會被快速地熔化並擴散且Cu及Si 相混合的所在之處之一區域Μ會被形成，藉以形成一記 錄標記Μ。 與上文所述相類似地，當光學記錄媒體3 0被一穿過 光入射平面3 3 a的雷射光束L照射時，包含在第二L 0記 錄薄膜43a中作爲主要成份的Cu及包含在第一 L0記錄 薄膜43b中作爲主要成份的Si會被快速地熔化並擴散且 C11及S i相混合的所在之處之一區域Μ會被形成，藉以形 -34- (31) (31)200415642 成一記錄標記Μ。 因爲L0層40或L1層50上形成有此記錄標記Μ的 區域的反射係數與L0層40或L1層50上包圍形成有記 錄標記Μ的區域的區域的反射係數有極大的差異，所以 可藉由將該雷射光束L投射到該L0層40或L1層50上 並偵測被L0層40或L1層50反事的雷射光束L的數纛 來獲得一高強度（C/N比例）的再生訊號。 根據此實施例，當資料被記錄在光學記錄媒體1 〇的 L0層40上時，因爲添加至包含在L0層40的第四介電層 42，第三介電層44中的氮的數量被設定成可讓第四介電 層42及第三介電層44具有構高的折射率η及相對於波長 爲405nm的雷射光束具有夠低的消光係數，所以可降低 該雷設光束L被該第四介電層42及第三介電層44吸收掉 的能量並改善光學記錄媒體1〇的L0層40的記錄敏感度 。在另一方面，當資料從光學記錄媒體1〇的L0層40上 被再生時，可提高調製，即介於L0層40上形成有記錄標 記Μ的區域與沒有形成記錄標記Μ的區域之間的反射係 數差異，並防止L0層40的反射係數變差。 又，根據此實施例，當資料被記錄在光學記錄媒體 10的L1層50上時，因爲添加至包含在L1層50的第二 介電層52，第一介電層54中的氮的數量被設定成可讓第 二介電層52及第一介電層54具有構高的折射率η及相對 於波長爲405nm的雷射光束具有夠低的消光係數，所以 可降低該雷設光束L被該第二介電層52及第一介電層54 -35- (32) (32)200415642 吸收掉的能量並改善光學記錄媒體10的L1層50的記錄 敏感度。在另一方面，當資料從光學記錄媒體1 〇的L 1層 50上被再生時，可提高調製，即介於L1層50上形成有 記錄標記Μ的區域與沒有形成記錄標記Μ的區域之間的 反射係數差異，並防止L 1層5 0的反射係數變差。 另，依據此實施例，因爲添加至包含在L1層50的第 二介電層52，第一介電層54中的氮的數量被設定成可讓 第二介電層52及第一介電層54具有構高的折射率η及相 對於波長爲405 nm的雷射光束具有夠低的消光係數，所 以L1層50的透光性可被提高並可因而顯著地改善L0層 40的資料記錄特性及L0層40的資料再生特性。 工作實例及比較例 在下文中，將舉出工作實例以進一步釐淸本發明的優 點。 工作實例1 . 首先使用射出模製處理來製造一厚度爲1.1mm且直 徑爲120mm的圓盤狀聚碳酸酯基材。 該聚碳酸酯基材然後被放到一濺鍍設備上且在功率 8 00W下使用一 Ta2〇5標靶來實施一濺鍍處理作用以形成 具有30nm厚度且包含Ta20 5作爲主要成份的一介電層於 該聚碳酸酯基材的表面上。 一氬氣與氮氣的混合氣體被用作爲濺鍍氣體且藉由將 氮氣流率從Osccm改變至35sccm來製造含有不同的氮含 -36- (33) 200415642 重介電層的樣本#1-1至#1-6。包含在每一樣本#1-1至#1«_6 的介電層中的氮含量被測量且被用作爲濺鍍氣體的混合氣 體的組成與添加至樣本#1-1至#1-6的介電層中的氮的數 量之間關係被決定。 測量的結果被示於表1中。 添加至每一介電層中的氮數量是藉由將用 ESC A(Electron Spectroscopy for Chemical Analysis)測量 的鉅的4f波峰的波峰面積（波峰位置：約28.2至37.4eV) ’氧的Is波峰（波峰位置：約523至543 eV)及氮的Is波 峰（波峰位置：約3 90至410 eV)乘上相應的波峰敏感度因 子，SP，鉬的4f波峰爲0.596，氧的Is波峰爲2.994及 但氮的1 s波峰爲4.5 0 5，來獲得的。 表1 氬氣體的流 氮氣體的流 氮的數量（原 φ (seem) 率（seem) 子百分比） '樣本# 1 -1 55 0 0 樣本# 1- 2 50 5 3.3 樣本# 1 · 3 45 10 6.1 樣本# 1 - 4 40 15 8.4 樣本# 1 - 5 30 25 11.3 樣本# 1 - 6 20 35 12.1
然後，一波長爲405nm的雷射光束及一波長爲68 0nm -37- (34) (34)200415642 的雷射光束被投射到每一樣本#丨-；[至#丨-6上，藉以測量 折射率η及消光係數k以及添加至介電層的氮的數量（原 子百分比）與介電層的折射率n之間的關係及添加至介電 層的氮的數量（原子百分比）與介電層的消光係數k之間的 關係可被獲得。 所獲得的添加至介電層的氮的數量（原子百分比）與介 電層的折射率η之間的關係被示於第7圖中，以及添加至 介電層的氮的數量（原子百分比）與介電層的消光係數k之 間的關係被示於第8圖中。 如第7圖所示的，介電層的相對於波長爲6 8 Onm的 雷射光束的折射率η會隨著添加至包含Ta205作爲主要成 份的介電層的氮的數量（原子百分比）的增加而降低。 相反地，如第 7圖所示的，介電層相對於波長爲 6 8 0nm的雷射光束的的折射率n會隨著添加至包含Ta205 作爲主要成份的介電層的氮的數量（原子百分比）的增加而 升高’但當添加至介電層氮的數量超過6原子百分比（6 原子％)時’折射率η卻會隨著添加至包含Ta2〇5作爲主要 成份的介電層的氮的數量（原子百分比）的增加而降低。 另一方面，如第8圖所示的，當氮被添加至包含 Ta2〇5作爲主要成份的介電層中時，介電層相對於波長爲 405 nm的消光係數k及介電層相對於波長爲68〇nm的消 光係數k都會提高，且會隨著添加至介電層的氮的數量的 增加而持續升高。 又，如第8圖所示的，當6原子％至1 0原子％的氮被 (35) (35)200415642 添加至該介電層中時，介電層相對於波長爲4〇5nm的消 光係數k及介電層相對於波長爲6 8 0nm的消光係數k都 等於〇，但當添加至介電層中的氮的數量超過1 〇原子％時 ，則其消光係數會隨之升高。 另，如第8圖所示的，介電層相對於波長爲405ηπι 的消光係數k會顯著地降低，如果氮被添加至該介電層的 話。 然後，一雷射光束被投射到樣本# 1 -1及# 1 - 2上且當 該雷射光樹的波長被調整於3 5 0nm至8 00η之間時，每一 介電層的折射率η與消光係數k被測量，藉此獲得雷射光 束的波長與介電層的折射率η之間的關係及雷射光束的波 長與介電層的消光係數k之間的關係。 雷射光束的波長與介電層的折射率η之間的關係的測 量結果被示於第9圖中，及雷射光束的波長與介電層的消 光係數k之間的關係的測量結果被示於第1 〇圖中。 如第9圖所示的，包括了以Ta20 5作爲主要成份但沒 有添加氮作爲添加物的介電層的樣本# 1-1的折射率η會 隨著雷射光束的波長變短而降低，而包括了以Ta20 5作爲 主要成份且添加了 3 · 3原子％的氮作爲添加物的介電層的 樣本-2的折射率η會隨著雷射光束的波長變短而升高 ，而且相對於波長等於或小於470nm的雷射光束而言， 樣本#卜2的折射率η高於樣本# 1-1的折射率n。 又，如第10圖所示，包括了以Ta205作爲主要成份 但沒有添加氮作爲添加物的介電層的樣本# 1 · 1的消光係 -39- (36) (36)200415642 數k會隨著雷射光束的波長變短而線性地升高，而包括了 以Ta20 5作爲主要成份且添加了 3.3原子。/〇的氮作爲添加 物的介電層的樣本# 1 -2的消光係數k則維持固定，不會 隨著雷射光束波長的變化的改變，且相對於波長在3 5 Onm 至8 OOnm之間的雷射光束而言樣本#1-1的消光係數k高 於樣本#1-2的消光係數k且它們之間的差異會隨著雷射 光束的波長變短而變大。 工作實例2 首先使用射出模製處理來製造一厚度爲1.1mm且直 徑爲120mm的圓盤狀聚碳酸酯基材。 該聚碳酸酯基材然後被放到一濺鍍設備上且在功率 8 00 W下使用一 Ti02標靶來實施一濺鍍處理作用以形成具 有3 Onm厚度且包含Ti02作爲主要成份的一介電層於該聚 碳酸醋基材的表面上。 一氬氣與氮氣的混合氣體被用作爲濺鍍氣體且藉由將 氮氣流率從〇s ccm改變至35sc cm來製造含有不同的氮含 量介電層的樣本#2-1至#2-8。包含在每一樣本#2」至#2-8 的介電層中的氮含量被測量且被用作爲濺鍍氣體的混合氣 體的組成與添加至樣本#2-1至#2-8的介電層中的氮的數 量之間關係被決定。 測量的結果被示於表2中。 添加至每一介電層中的氮數量是藉由將用 ESCA(Electron Spectroscopy for Chemical Analysis)，及 (37) 200415642 XPS(X-ray pgotoelectron spectroscopy)，測量的欽的 2p 波峰的波峰面積（波峰位置：約443.8至4 73.8 eV)，氧的 Is波峰（波峰位置··約5 2 3至5 43 eV)及氮的Is波峰（波峰 位置：約3 90至410 eV)乘上相應的波峰敏感度因子，即 ，鈦的2p波峰爲1 .703，氧的1 s波峰爲2.994及但氮的 1 s波峰爲4.5 0 5，來獲得的。 表2 氬氣體的流 率（seem) 氮氣體的流 率（seem) 氮的數量（原 子百分比） 樣本#2-1 55 0 0 樣本# 2 - 2 52 3 1.7 樣本# 2 - 3 50 5 2.9 樣本# 2 - 4 47 8 3.1 樣本# 2 · 5 45 10 3.3 樣本# 2 - 6 40 15 3.9 樣本# 2 - 7 30 25 5. 1 樣本#2-8 20 35 5.7
然後，一波長爲405nm的雷射光束及一波長爲680nm 的雷射光束被投射到每一樣本#2-1至#2-8上，藉以測量 折射率η及消光係數k以及添加至介電層的氮的數量（原 子百分比）與介電層的折射率η之間的關係及添加至介電 層的氮的數量（原子百分比）與介電層的消光係數k之間的 -41 - (38) (38)200415642 關係可被獲得。 所獲得的添加至介電層的氮的數量（原子百分比）與介 電層的折射率η之間的關係被示於第1 1圖中，以及添加 至介電層的氮的數量（原子百分比）與介電層的消光係數k 之間的關係被示於第1 2圖中。 如第1 1圖所示的，介電層的相對於波長爲405 nm的 雷射光束的折射率η會隨著添加至包含Ti02作爲主要成 份的介電層的氮的數量（原子百分比）的增加而升高，但當 添加至介電層的氮的數量超過4.5原子％時，折射率η會 隨著添加至包含Ti02作爲主要成份的介電層的氮的數量（ 原子百分比）的增加而逐漸降低。 相反地，如第1 1圖所示的，介電層相對於波長爲 6 8 Onm的雷射光束的的折射率η會維持固定，即使是有添 加氮至包含Ti02作爲主要成份的介電層時亦然。 另一方面，如第1 2圖所示的，介電層相對於波長爲 405 nm的消光係數k會隨著添加至該介電層的氮的數量的 增加而降低，但當添加至介電層的氮的數量超過2.7原子 %時，折射率η會隨著氮的數量的增加而升高。 又，如第12圖所示的，介電層相對於波長爲680nm 的消光係數k會隨著添加至該介電層的氮的數量的增加而 降低，但當添加至介電層的氮的數量超過3.0原子％時， 折射率.η會隨著氮的數量的增加而升高。 然後，一雷射光束被投射到樣本#2-1及#2-3上且當 該雷射光樹的波長被調整於3 5 0nm至800η之間時，每一 -42- (39) (39)200415642 介電層的折射率η與消光係數k被測量，藉此獲得雷射光 束的波長與介電層的折射率η之間的關係及雷射光束的波 長與介電層的消光係數k之間的關係。 雷射光束的波長與介電層的折射率η之間的關係的測 量結果被示於第1 3圖中，及雷射光束的波長與介電層的 消光係數k之間的關係的測量結果被示於第1 4圖中。 如第13圖所示的，包括了以Ti02作爲主要成份但沒 有添加氮作爲添加物的介電層的樣本#2-1的折射率η並 不會隨著雷射光束的波長變短而有太大的改變，而包括了 以1^02作爲主要成份且添加了 2.9原子％的氮作爲添加物 的介電層的樣本#2-3的折射率η則會隨著雷射光束的波 長變短而升高，而且相對於波長落在藍光波長頻帶中的雷 射光束而言，樣本#2-3的折射率η變化很大。 又，如第14圖所示，包括了以Ti02作爲主要成份但 沒有添加氮作爲添加物的介電層的樣本#2-1的消光係數k ，以及包括了以Ti02作爲主要成份且添加了 2.9原子％的 氮作爲添加物的介電層的樣本# 1-2的消光係數k會隨著 雷射光束的波長變短而升高，且不論雷射光束的波長爲何 ，樣本#2-1的消光係數k都高於樣本#2-3的消光係數k。 工作實例3 一光學記錄媒體樣本#3-1用以下的方式被製造。 首先使用射出模製處理來製造一厚度爲1.1mm且直 徑爲120mm的圓盤狀聚碳酸酯基材。 -43- (40) (40)200415642 然後’該聚碳酸脂基材被放在一潑鍍設備上且一*包含 Ag作爲主要成份且厚度爲10 Onm的反射薄膜，—包含 Ti〇2作爲主要成份且有2.9原子°/。的氮作爲添加物且厚度 爲17nm的第二介電薄膜，一包含Cu作爲主要成份且有 2 3原子％的A1及1 3原子％的A u作爲添加物且厚度爲 5nm的第二記錄薄膜，一包含Si作爲主要成份且厚度爲 5 nm的第一記錄薄膜，一包含Ti02作爲主要成份且有2.9 原子％的氣作爲添加物且厚度爲17nm的第一介電薄膜藉 由使用濺鍍處理而被依序地形成在該聚碳酸酯基材上。 又，第一介電薄膜藉由使用旋轉塗佈方法而被塗佈一 樹脂溶液（其是藉由將可紫外線硬化聚丙烯酸酯樹脂溶於 一溶劑中來製備的）來形成一塗佈層且該塗佈層被照射紫 外線’藉以將該可紫外線硬化聚丙烯酸酯樹脂硬化以形成 一厚度爲1 00微米的保護層。 此外，一光學記錄媒體樣本#3 -2用以下的方式被製 造。 首先使用射出模製處理來製造一厚度爲1.1mm且直 徑爲120mm的圓盤狀聚碳酸酯基材。 然後，該聚碳酸脂基材被放在一濺鍍設備上且一包含 Ag作爲主要成份且厚度爲i〇〇nm的反射薄膜，一包含 Ti〇2作爲主要成份且厚度爲20 nm的第二介電薄膜，一包 含Cii作爲主要成份且有23原子％的A1及13原子％的Au 作爲添加物且厚度爲5nm的第二記錄薄膜，一包含Si作 爲主要成份且厚度爲5nm的第一記錄薄膜，一包含Tl〇2 (41) 200415642 作爲主要成份且有2.9原子％的氮作爲添加物且厚度爲 23nm的第一介電薄膜藉由使用濺鍍處理而被依序地形成 在該聚碳酸酯基材上。 又，第一介電薄膜藉由使用旋轉塗佈方法而被塗佈一 樹脂溶液（其是藉由將可紫外線硬化聚丙烯酸酯樹脂溶於 一溶劑中來製備的）來形成一塗佈層且該塗佈層被照射紫 外線，藉以將該可紫外線硬化聚丙烯酸酯樹脂硬化以形成 一厚度爲1〇〇微米的保護層。 然後，在可獲得最高的調製的記錄條件之下，一雷射 光束被投射到光學記錄媒體樣本#3-1及#3-2上，然後資 料被記錄於其上且調製被測量。 最高的調製的測量結果及獲得最高調製的雷射光束的 功率被示於表3中。 表3 調製（％) 雷射光束的功率（mW) 樣本# 3 -1 60 8.2 樣本#3-2 52 11.0
如表3中所示的，在雷射光束具有較低的功率時，在 光學記錄媒體樣本#3-1中（其第一介電薄膜與第二介電薄 膜都添加有氮）獲得的調製高於在光學記錄媒體樣本#3-2 中（其第一介電薄膜與第二介電薄膜都沒有添加氮）獲得的 調製。 -45- (42) (42)200415642 因此，光學記錄媒體的調製及記錄敏感度可藉由添加 氮至第一介電薄膜與第二介電薄膜而獲得改善。 本發明已參照特定的實施例與工作實例加以說明。然 而，應被瞭解的是，本發明並不侷限在所揭示的特定細節 上，而且在不偏離本案的申請專利範圍所界定的範圍下可 以有許多的改變及變化。 例如，示於第2及3圖中及示於第4圖中的實施例的 第一介電層15及第二介電層13中的每一者都包含氮作爲 一添加物，且包括在L0層40中的第四介電薄膜42與第 三介電薄膜44及第二介電薄膜52及第一介電薄膜54都 包含氮作爲添加物。然而，最好是但不是一定必要，形成 在一光學記錄媒體中的介電層或介電薄膜都包含氮作爲添 加物。在一光入射平面之相對於一記錄層的一側上有至少 一介電層或介電薄膜包含氮作爲添加物即已足夠，且最好 是再該光入射平面的相對於相應的記錄層的一側上的一介 電層或一介電薄膜包含氮作爲添加物。 又，在第2及3圖所示的實施例中，雖然第一記錄薄 膜2 1及第二記錄薄膜22被形成爲彼此相接觸，但並不一 定要將第一記錄薄膜2 1及第二記錄薄膜22作成爲彼此相 接觸，將第二記錄薄膜22作成位在第一記錄薄膜2 1的附 近，能夠在被一雷射光束照射時形成一包括了該第一記錄 薄膜21的主要成份元素及第二記錄薄膜22的主要成份元 素的混合區即可。又，一或多個其它的層，像是一介電層 ，可被安插在該第一記錄薄膜21及第二記錄薄膜22之間 -46- (43) (43)200415642 又’示於第2及3圖的實施例中及示於第4圖的實施 例中的光學記錄媒體10都包括反射層12，及L0層40與 L 1層5 0分別包括反射層4丨及反射層5 1。然而，在被形 成有記錄標記Μ的區域反射的雷射光束程度與被沒有記 錄標記Μ的區域所反射的雷射光束程度之間有很大的差 異的例子中，反射層41及反射層51可被省略。 本發明可提供一種光學記錄媒體，其可相對於被用來 記錄資料及再生資料之具有所想要的波長的雷射光束表現 出絕佳的光學特性，且可提供該光學記錄媒體的製造方法 〇 又，本發明可提供一種光學記錄媒體，其可相對於被 用來記錄資料及再生資料之具有藍光波長頻帶的波長的雷 射光束表現出絕佳的光學特性，且可提供該光學記錄媒體 的製造方法。 【圖式簡單說明】 第1圖爲一示意立體圖，其顯示一依據本發明的一較 佳實施例之光學記錄媒體。 第2圖爲第1圖中之光學記錄媒體的被標記爲Α部 分之放大的示意剖面圖。 第3圖爲一放大的示意剖面圖，其顯示第2圖的光學 記錄媒體在記錄資料之後的情形。 第4圖爲本發明的另一實施例之光學記錄媒體的層結 -47- (44) (44)200415642 構的一放大的示意剖面圖。 第5圖爲本發明的另一實施例之光學記錄媒體的層結 構的一放大的示意剖面圖。 第6圖爲一放大的示意剖面圖，其顯示第5圖的光學 記錄媒體在一 L 1層被雷射照射之後的情形。 第7圖爲一圖表，其顯示在工作實例1中，添加至一 介電層中的氮數量與該介電層的折射率η之間的關係。 第8圖爲一圖表，其顯示在工作實例1中，添加至一 介電層中的氮數量與該介電層的消光係數k之間的關係。 第9圖爲一圖表，其顯示在工作實例1中，一雷射光 束的波長與該介電層的折射率η之間的關係。 第10圖爲一圖表，其顯示在工作實例1中，一雷射 光束的波長與該介電層的消光係數k之間的關係。 第1 1圖爲一圖表，其顯示在工作實例2中，添加至 一介電層中的氮數量與該介電層的折射率η之間的關係。 第12圖爲一圖表，其顯示在工作實例2中，添加至 一介電層中的氮數量與該介電層的消光係數k之間的關係 〇 第13圖爲一圖表，其顯示在工作實例2中，一雷射 光束的波長與該介電層的折射率η之間的關係。 第14圖爲一圖表，其顯示在工作實例2中，一雷射 光束的波長與該介電層的消光係數k之間的關係。 主要元件對照表 -48- (45) (45)200415642 I 〇 :光學記錄媒體 II :支撐基材 1 1 a :凹溝 1 1 b :凸肩 1 2 :反射層 13 :第二介電層 1 4 :記錄層 1 5 :第一介電層 1 6 :光透射層 16a :光入射表面 L :雷射光束 21 :第一記錄薄膜 22 :第二記錄薄膜 Μ :記錄標記 3 0 =光學記錄媒體 3 1 :支撐基材 3 2 :透明中間層 3 3 :光透射層 40 ： L0 層 50 : L1 層 3 3 a :光入射平面 4 1 :反射薄膜 42 :第四介電層 43a :第二L0記錄薄膜 -49 - (46) 200415642 43b :第一 44 :第三j 5 1 :反射f 52 :第二 j 53a :第二 53b :第一 3 1 a :凹溝 3 lb :凸肩 32a :凹溝 3 2b :凸肩 54 :第一 j L0記錄薄膜 電薄膜 電薄膜 L 1記錄薄膜 L 1記錄薄膜 電層 -50-

Claims (1)

  1. (1) (1)200415642 拾、申請專利範圍 1 · 一種光學記錄媒體，其包含：至少一記錄層及形成 在該至少一記錄層的附近的一介電層，其中該介電層包含 一氧化物作爲主要成分且被添加了氮。 2 ·如申請專利範圍第1項所述之光學記錄媒體，其中 該介電層包含一氧化物作爲主要成分，其是由Ta205及 Ti02所組成的組群中選取的。 3 ·如申請專利範圍第1項所述之光學記錄媒體，其中 該至少一記錄層被建構成資料可利用波長在38 Onm至 4 5 Onm之間的雷射光束記錄到該至少—記錄層上。 4 _如申請專利範圍第1項所述之光學記錄媒體，其中 該至少一記錄層被建構成資料可利用波長在3 80nm至 4 5 Onm之間的雷射光束記錄到該至少_記錄層上。 5 .如申請專利範圍第1項所述之光學記錄媒體，其中 該至少一記錄層是由一第一記錄薄膜與一第二記錄薄膜所 構成，其中該第一記錄薄膜包含一選自於由si，Sil，Mg ，C，A1，Zn，In，Cu，Ti及Bi等元素所組成的組群中 的元素作爲主要成分，及該第二記錄薄膜係被提供在該第 一記錄薄膜附近且包含由Cu，Al，Zn及Ag等元素所組 成的組群中選出且不同於第一記錄層中作爲主要成分的元 素之元素。 6.如申請專利範圍第2項所述之光學記錄媒體，其中 該至少一記錄層是由一第一記錄薄膜與一第二記錄薄膜所 構成，其中該第一記錄薄膜包含一選自於由Si，Sn，Mg -51 - (2) (2)200415642 ，C，A1，Zn，In，Cu，Ti及Bi等元素所組成的組群中 的元素作爲主要成分，及該第二記錄薄膜係被提供在該第 一記錄薄膜附近且包含由Cu，Al，Zn及Ag等元素所組 成的組群中選出且不同於第一記錄層中作爲主要成分的元 素之元素。 7 ·如申請專利範圍第5項所述之光學記錄媒體，其中 該第二記錄薄膜被形成爲與該第一記錄薄膜相接觸。 8 ·如申請專利範圍第6項所述之光學記錄媒體，其中 該第二記錄薄膜被形成爲與該第一記錄薄膜相接觸。 9 .如申請專利範圍第5項所述之光學記錄媒體，其中 該第一記錄薄膜包含一選自於由S i，G e及S η組成的組群 中的元素作爲主要成份。 1 〇 ·如申請專利範圍第6項所述之光學記錄媒體，其 中該第一記錄薄膜包含一選自於由Si，Ge及Sn組成的組 群中的元素作爲主要成份。 1 1 .如申請專利範圍第5項所述之光學記錄媒體，其 中該第二記錄薄膜包含Cu作爲主要成份。 1 2 ·如申請專利範圍第6項所述之光學記錄媒體，其 中該第二記錄薄膜包含Cu作爲主要成份。 1 3 ·如申請專利範圍第5項所述之光學記錄媒體，其 中該第一記錄薄膜被添加一元素，其係選自於由Cu，Al ，Zn，Ag，Mg，Sn，An，Ti及Pd所組成的組群中且不 同於包含在該第一記錄媒體中作爲主要成分的元素。 1 4 ·如申請專利範圍第6項所述之光學記錄媒體，其 -52- (3) (3)200415642 中該第二記錄薄膜被添加一元素，其係選自於由Cu，A1 ，Zn，Ag，Mg，Sn，Au，Ti及Pd所組成的組群中且不 同於包含在該第一記錄媒體中作爲主要成分的元素。 1 5 ·如申請專利範圍第1項所述之光學記錄媒體，其 包含兩層或更多層彼此間隔開的記錄層及多層介電層，每 一介電層形成在一記錄層附近，其中至少形成在最靠近一 光入射平面的記錄層附近的該介電層是包含一氧化物作爲 一主要成分及氮作爲一添加物。 1 6 ·如申請專利範圍第1 5項所述之光學記錄媒體，其 中該介電層包含一氧化物作爲主要成分，其是由Ta205及 Ti〇2所組成的組群中選取的。 1 7 ·如申請專利範圍第1 5項所述之光學記錄媒體，其 中每一記錄層都包括一第一記錄薄膜與一第二記錄薄膜， 其中該第一記錄薄膜包含·一選自於由Si，Sn，Mg，C，A] ，Zn，In，Cu，Ti及Bi等元素所組成的組群中的元素作 爲主要成分，及該第二記錄薄膜係被提供在該第一記錄薄 膜附近且包含由Cu，Al，Zn及Ag等元素所組成的組群 中選出且不同於第一記錄層中作爲主要成分的元素之元素 〇 1 8 ·如申請專利範圍第1 6項所述之光學記錄媒體，其 中每一記錄層都包括一第一記錄薄膜與一第二記錄薄膜， 其中該第一記錄薄膜包含一選自於由Si，Sn，Mg，C，A1 ，Ζ η，I η，C u，T i及B i等元素所組成的組群中的元素作 爲主要成分，及該第二記錄薄膜係被提供在該第一記錄薄 -53- (4) (4)200415642 膜附近且包含由Cu，A1，Zn及Ag等元素所組成的組群 中選出且不同於第一記錄層中作爲主要成分的元素之元素 〇 1 9 · 一種製造一光學記錄媒體的方法，該光學記錄媒 體包含至少一記錄層及一形成在該至少一記錄層的附近之 介電層，該製造一光學記錄媒體的方法包含藉由在一包含 氮氣的混合氣體氛圍中氣相生長一氧化物來形成該介電層 的步驟。 20·如申請專利範圍第19項所述之製造一光學記錄媒 體的方法，其包含藉由濺鍍處理來形成該介電層的步驟’ 用以包含一作爲主要成分的氧化物及作爲添加物的氮。
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