TW200307853A - Calibration methods, calibration substrates, lithographic apparatus and device manufacturing methods - Google Patents

Description

200307853 玖、發明說明： 技術領域 本發明有關一種微影蝕刻投影裝置，其包括： -一福射系統，用以提供一輻射投影光束； -圖案化構件，用於根據一需求之圖案而圖案化該投影光束； -一基材台，用於固定一基材；以及 -一投影系統，用以將形成圖案化光束成像在該基材第一側 上的目標部份上。 先前技術 本文使用的名詞”圖案化構件"，應泛指能使射入的輻射光 束具有圖案斷面的構件，該圖案對應於基材目標部份所要 建立的圖案。本文也使用名詞”光閥”。大體上，該圖案會與 產生於目標部份的裝置的一特別功能層有關，諸如一積體 電路或其他裝置詳見下文。此類圖案化構件的例子包括： _ 一遮罩台，用於支撐一遮罩。遮罩的概念在微影蝕刻中係 ό知技蟄’且其包括如二元式、交替式相位偏移及衰減 式相位偏移等遮罩形式，以及各種混合的遮罩形式。此 種遮罩放在輻射光束中，將導致照射在遮罩上的輻射依 據遮罩上之圖案作選擇性透射當於透射遮罩的情況或反 射於反射遮罩的情況。該遮罩台確保該遮罩可被支撐在 射入輻射光束中一符合需求之位置，且需要時可相對該 光束移動。 -一可程式化鏡面陣列。該種裝置的一範例為一陣列可定址 表面，其具有一黏彈性控制層及一反射表面。該種裝置 83913 200307853 的基本原理為例如反射表面的已定址區域反射入射光為 繞射光’而未定址區域則反射入射光為非繞射光。使用 c田的濾波。。可從该反射光束過濾掉該未繞射光線 ’而僅留下該繞射光線；依此方式，該光束根據該矩陣 可定址表面的定址圖案而成為圖案化。-可程式反射鏡 面陣列的替代性具體實施例，使用—微小反射鏡面的陣 列配置’藉由施加一適當的局部電場或使用一壓電驅動 構件，各個反射鏡面可分別對—軸傾斜。再者，鏡面為 矩睁可定址，使得妓址鏡面會以不同方向反射入射的 輻射光束至未定址的鏡面；在此方法中，根據矩陣可定 址鏡面的定址圖案反射光束圖案化。可使用適當的電子 構件，以執行所需的矩陣定址。在上述的兩種狀況下， 圖案化構件可包括一或多數個可程式鏡面陣列。有關本 文所指鏡面陣列的詳細資料，請參閱美國專利us 5,296,89 1 及 US 5,523，193 及 PCT 專利中請彻 98/3 8597 及 WO 98/33096號，該等文件以引用方式併入本文。如果是 係可程式鏡面陣列，該支撐結構可為一訊框或平台，例 如’可以視需要為固定式或可移動式。 -一可程式LCD陣列。此構造之範例可於美國專利案號us 5,229,872中獲得，其以引用方式併入本文。 基於簡化的目的，本文其餘邵份將在特定位置專門探討有 關遮罩台及遮罩的範例，然而，此類範例中所探討的通用 原理應被視為適用於較廣泛的圖案化構件中。 為簡化起見，以下稱投影系統為”鏡片”；然而，此名詞必 83913 200307853 須廣泛解釋為包括各種投影系統，例如，包含折射光學、 反射光學及反折射的系統。該輻射系統亦可包含根據任何 此等設計類型而操作的組件，用於引導、成形或控制輕射 的投影光束，且該組件以下也可以統稱或單稱為，，鏡片，，。另 外，此微影蝕刻裝置可能是一種具有兩個以上基材台及或 兩個或以上遮罩台的形式。在此，，多平台"裝置中，附加之平 台可使用在平行或在預備步驟中，此”多平台，，裝置中可在一 或多個平台上實施，同時一或多個平台會被用於曝光。雙 平台微影裝置曾描述於例如1 998年2月27日申請之美國專 利第5,969,441號及美國專利申請序號〇9/18〇,〇11號（w〇 98/4079 1 )中，此處以引用方式併入本文中。 U影投影裝置可用於例如積體電路IC的製造上。在此一 情況中’該圖案化構件可產生相關於10中一個別層之電路 圖案’並可將此圖案成像於已塗佈—層歧材料光阻劑； resist之-基材㈤晶圓）上的目標部份（包括—或多個晶模） 。-般而t ’單一晶圓可包括許多相鄰目標部份所構成之 網絡’其將依序由投影系統逐一照射。在本裝置中，利用 遮罩台上的遮罩進行圖案化， 了刀成兩種不同型式的機哭 。在一型微影投影裝置中，夂 °" σ人〈動作係藉由將整個遮罩 圖案暴露於目標部份上，囔夂 <各目標邵份都經照射，此種装 且一般稱為晶圓步進機。在— _ 代生I且中（一般稱為步進 扣描裝置），在投影光束下认 义丰卢w、 …疋參考万向（”掃描”方向） 逐步知描遮罩圖案以照射各 ,r θ4伤，亚同步以平行或反 千订此万向掃描基材台；因 ^ 般而g，此投影系統呈有 83913 200307853 一放大倍率Μ(通常小於1)，所以掃描基材台的速率v將為掃 描遮罩速率的Μ倍。有關上述微影裝置的進一步資訊可於 (例如）美國專利第6,〇46,792號中收集到，本文中以引用方式 併入。 對準係將遮罩上一特定點之影像定位於待曝光之晶圓上 一特定點的製程。通常在各個該基材與遮罩上會設有一或 多個對準記號，諸如一小圖案化。一裝置可由在中間處理 步驟中依序曝光而建構之許多層所組成。在每一次曝光前 ，會在該基材上之記號與遮罩間執行對準，以使新曝光與 前次曝光間之任何位置誤差（該誤差稱為覆蓋誤差）減至最 低。 在某些技術中（諸如微系統技術（MST)、微電機系統 (MEMS)、微光電機系統（M〇EMS)與覆晶）中，裝置係由一 基材（二側製造出。問題在於，在基材之一側執行曝光時 必須要使得其精確地對準先前已在該基材另一側曝光之特 徵’迫常需要之對準精度程度為〇 · 5微米或更佳。 一前到後侧對準（FTBA)系統使用一内建於前述晶圓台之 附加雙組光學疋件。以此方式，一習知之通過鏡片（TTL)對 準系統可決足位於該基材相反表面之一記號的位置。該 FTB A系統也有用於克服當上側記號被製程中之層覆蓋，而 不再能被對準時產生之處理問題。然而，偏離標準硬體設 計、溫度變化、基材厚度與楔形變化、鏡片之不可修正誤 差、對準光束之未正交與標準覆蓋誤差均會影響打3八系統 之精度。據此，需求能校正ρΤΒ A系統以符合需求之對準精 83913 200307853 度。 發明内容 本發明之一目的在於提供用於校正一前到後側對难系統 之方法。 ' 依據本發明之方法可達這些與其他目的，該方法护正一 邊夠對準在一基材二相反側上對準記號之對準系统，今對 準系統將一輻射對準光束直接引導到一側，且經由一附加 光學系統將該對準光束引導至其他侧，該方法包含下列步 驟： 提供一校正基材，具有第一與第二相對表面且可被該輻 射對1r光束牙透’该校正基材在其第一表面上具有二矣考 兒號，該參考記號可從該第一與第二表面偵測到； 將該對準光束引導至該第一表面上，對該參考記號執行 一第一對準；及 將該對準光束引導至該第二表面上，對該參考記號執行 第一對準，且經由該校正基材傳播至該第一表面，同時 一平板會被置入該對準光束中，使得該對準系統的一焦點 位置替代該第一記號之位置； 其中該第一與第二對準可依任何順序執行。 此方法提供一直接且容易理解之程序，用於校正一前到 後倒對丰；f、統。該三個對準步驟之比較結果，提供該光學 '、’’先之校正’其將该第二（後側）對準記號再成像，使其可由 居對準系統看到。於是將可更有信心地使用該前到後側對 準系統以對準不透明基材產品。 83913 -10- 200307853 該參考基材可在每一側均設置有複數個參考記號，使得 該對準可重覆於該對準系統之各個再成像光學系統。 為了平均任何楔形（即偏離平行）與該平板之不同質’該平 板會繞實質上平行該對準光束方向的一軸與平行該基材平 面之垂直軸旋轉180度。每一次旋轉後，該第二對準將重覆 以提供四個測量值。 本發明也提供用於上述方法之校正基材，該基材包含在 其二相對表面中之一具有一參考記號之透明本體，該參考 記號可從該等相對表面偵測到。 本發明之目的也可在校正一微影蝕刻裝置中之一對準系 統的方法中獲仔解決’該對準系統能夠對準在一基材二相 反側上之對準記號，該對準系統將輻射之對準光束直接引 導到一侧，且經由一附加光學系統將該對準光束引導至其 他側’該方法包含下列步驟： 提供在其第一表面上具有一對第一參考記號的一校正基 材； 使用該附加光學系統對該對第一參考記號執行一第一對 準， 對在該基材上之第二表面上的一對第二參考記號執行第 一曝光； 將該基材繞一第一軸執行第一次的i 80度旋轉； 使用該附加光學系統對該對第二參考記號執行一第二對 準； 對在該基材上該第一表面上的一對第三參考記號執行一 83913 -11 - 200307853 第二曝光；及 測量該第一與第三參考記號之相對位置以便校正該對準 系統。 該第一軸可為連接該對第一參考記號之直線的垂直平分 線’或是連接該對$ —參考記號之該|線。該校正最好是 繞該二者旋轉而重覆。 有利的是組合上述二種校正方法。 本發明之目的也可在校正一微影蝕刻裝置中之對準系統 的方法中獲得解決，該對準系統能夠在一基材二相反側之 對準記號，該對準系統將一輻射對準光束直接引導到一側 上，且經由一附加光學系統將該對準光束引導至其他側， 該方法包含下列步驟： 提供在其第一表面上具有一對第一參考記號且在其第二 表面具有一對第二參考記號的一基材； 以導引至1¾表面之該對準光束對該等第一參考記號執行 -對準，t用該附加光學系統對該等第二參考記號執行一 對準； 將該基材繞一第一軸執行第—次的丨80度旋轉； 以導引至該表面之該對準光束對該等第二參考記號執行 一對準，使用該附加光學系統對該等第一參考記號執行一 對準；與 比較該等對準； 其中可依任何順序執行該等對準。 該第一軸可為連接該對第一參考記號之直線的垂直平分 83913 -12 - 200307853 線，或是連接該對第一參考記號之該直綠。該校正最好是 繞該二者旋轉而重覆。 有利的是組合上述三種校正方法。 本發明之目的也可在校正-微影餘刻裝置中之—對準系 統的方法中獲得解決，該對準系統能夠對準在—基材相反 側之對準記號’該對準系統將—輻射對準光束直接引導到 一側上，且經由-附加光學系統將該對準光束引導至：他 側，該方法包含下列步驟： 提供一校正基材，在其第一表面上具有一第一對各含三 個或以上參考記號之列，而在其第二表面上具有一第二對 各含三個或以上參考記號之列； 使用該直接射入之對準輻射光束對該第一對參考記號列 執行一對準，使用该附加光學系統對該第二對參考記號列 執行一對準； 將該基材繞一第一軸執行第一次的} 8〇度旋轉； 使用該直接射入之對準輻射對該第二對參考記號列執行 一對準’使用該附加光學系統對該第’對參考記號列執行 一對準；及 比較該等對準； 其中可依任何順序執行該等對準。 有利的疋，可以任何上述三種方向之組合使用此校正方 法0 使用上述万法校正的一微影蝕刻裝置於是可用以產生校 正其他微影蝕刻裝置之校正基材。 83913 -13 - 200307853 本發明之第二特點在於提供一微影蝕刻投影裝置，包含： -一輻射系統，用以提供一輻射投影光束； -圖案化構件，用於根據一需求圖案而圖案化該投影光束； -一基材台，用於支撐一基材；以及 才又於系統’用以將形成圖案的光束成像在該基材第一侧 上的目標部份上，其特徵在於： -一對準系統，使用一輻射之對準光束照射該透明校正基材 ’用於將在該支撐系統或該圖案化構件上的一參考記號， 對1r 5又且於该圖案化光束待成像之該基材第一表面上的一 對準記號； • 一平板，可選擇性地插入該對準光束之路徑中，使得該對 準光束會聚焦於相對該校正基材之該第一表面的一第二表 面上。 本發明更進一步提供一種裝置之製造方法，包括下列步 驟： -提供至少部份由一層輻射感應材料所覆蓋之一基材； -利用一輻射系統提供一輻射投影光束； -利用圖案化構件賦予投影光束在其斷面内的一圖案； -投影輻射之圖案化光束於該基材第一侧上之輻射感應材 料層上的一目標區域， 其特徵在於下列步驟： -在該投影步驟前，以一輻射之對準光束照射該透明校正基 材，使用一對準系統將在該支撐系統或該圖案化構件上 的一參考記號，對準設置於該圖案化光束待處理影像之 83913 -14- 200307853 該基材之第一表面上的一第一對準記號；將一平板插入 該對準光束之路徑中，使得該對準光束會聚焦於相對該 校正基材之該第一表面的一第二表面上，且以設置於相 對該基材該第一表面之該第二表面上一第二對準記號對 準該參考記號。 本發明也提供至少在一對準記號鄰近之厚度少於或等於 1 〇微米的一校正基材，使得該對準記號可從二側偵測到。 遠基材可设置有厚度少於或等於1 〇微米且具有一第一對 準冗號的一第一區域’及厚度少於或等於1 Q微米且具有一 第二對準記號的一第二區域，該第一與第二區域係依由垂 直該基材一表面所界定平面的一方向加以分隔。 . 有利的是，該分隔係大於1 00微米。 本發明也提供一種校正微影蝕刻裝置之方法，包含使用 厚度少於或等於10微米之上述基材，執行該第一上述方法； 將该基材繞垂直該基材之表面所界定平面的一軸旋轉； 及 再次執行該方法。 在此况明書全文中，參考在該基材一特定側上的一對準 口己號田然包括被蚀刻在基材之該側的該對準記號，且包 括後續有材料沉積於其上，使其不再露出該表面之該對準 記號。 在依據本發明使用微影投影裝置的製造方法中，一圖案 如在-遮罩中係成像於至少部份由—層對輻射感應的材料 光阻劑覆蓋的基材上。在此影像處理步驟之前，基材可經 83913 -15 - 200307853 各種程序處理’例如施加底質、光阻劑塗佈及軟烘。曝光 义後’該基材可承雙其他處，例如曝光後烘乾(p剛、顯 影、硬烘及測量/檢查成像之特徵。這—系列的程序係用來 作為-基礎，以圖案化—裝置如IC的個別I。接著，此— 圖案化層可再經過各種處理，例如蝕刻、離子植入摻雜、 金屬電鍍、氧化、化學機械拋光等，所有步驟皆為表面處 理一個別層所需。如果需要數層，則整個程序或其一變化 必須重覆用於每一層。最後，在基材晶圓上將呈現一系列 的元伴。然後這些裝置將藉由一種技術來彼此分隔，例如 切割或鋸開，然後該個別的裝置可安裝在一承載器上，連 接到插腳等。關於這種製程的進一步資訊可由例如書本微 晶片製造：半導體製程的實用導引（"Microchip FabneatlQn • A Practical Guide to Semiconductor Processing")，第二版 ，由 Peter van Zant所著，McGraw Hill 出版公司，i 997 年， ISBN 0-07-0672 5 0-4，其在以引用併入。 雖然本文提供使用依據本發明的裝置製造1C的特定參# ’應明白此一裝置具有許多其他可能的應用。舉例而言， 其可用於製造整合光學系統、用於磁域記憶體之導引與偵 測圖案、液晶顯示器面板、薄膜磁頭等。熟習此項技藝人 士應瞭解在這些其它應用的上下文中，在該文中任何所使 用的名詞π晶圓"或，，晶粒’’必須分別考慮由更為一般性的名 詞’’基材’，及，，目標部份’’所取代。 在本文件中使用之名詞’’照明輻射”與”照明光束，，，包括所 有型式之電磁輻射，包括紫外線，輻射（如具有波長為365 -16 - 83913 200307853 、248、193、157或126奈米者）與EUV，以及粒子光束，諸 如離子光束或電子光束。 貫施方式 具體貫施例 圖1為依據本發明一牿索目歸每、A / 符疋具租貝她例的微影蝕刻投影裝 置的原理說明。該裝置包括： •、用於提供輻射（例如UV輻射）之投影光束PB的一輻射系 統 LA、Ex、IL; • 一第一物件台（遮罩台）MT，用於支撐一遮罩ma(如一主 这罩）並與第一定位構件連接以便對應於項目孔將遮罩精 確定位； 第一物件台（基材台）WT，用於支撐基材w(如已塗佈光 阻劑之矽晶圓），並與第二定位構件連接以對應於項目PL將 基材精確定位； .一投影系統（”鏡片”）PL(如一石英鏡片系統），用於將遮罩 MA的一受照射部份成像於基材w之目標部份C(如包含一或 多個晶粒）上。 如此處所描述，該裝置係一種透射型式即具有一透射遮 罩。然而，一般而言，其亦可為一種例如反射型式具有一 反射返罩。或者，該裝置可利用另一種圖案化構件，例如 以上所稱的一可程式化鏡面陣列。 該輻射系統包含產生一輻射光束之來源LA(如一 UV雷射） 。此光束直接地或在穿過調節構件（諸如一光束擴張器 之後，被饋入一照射系統（照射器）IL中。照射器IL可包含, 83913 -17- 200307853 整構件AM，用於設定在光束中強度分佈的外徑向範圍及/ 或内徑向範圍（一般分別稱為σ外及σ内）。此外，其大體上 包含許多其它組件，例如一整合器ΙΝ及一聚光器C〇。依此 方式’照射在該遮罩MA上之光束PB在其斷面中具有符合需 求之均勾性及強度分佈。 應注意於圖1中之輻射源LA可位於微影投影裝置的外殼 中（通常當射源L A是例如一水銀燈時），但亦可在微影投 影裝置之遠端，其所產生之輻射光束被導入裝置中（如依靠 適當導引鏡面之助），當輻射源LA為一準分子雷射時，通常 為後者情況。本發明及申請專利範圍會包含這兩種情況。 遠光束PB持續與被夹持在一遮罩台mt上 炙1¾遮罩MA相交。在行經該遮罩μα之後，該光束？]6傳送 通過孩鏡片PL，其將該光束ΡΒ聚焦在該基材w的一目標部 伤C上。藉助孩第二定位構件（及干涉度量測量構件斤)，該 基材台WT可準確的移動，例如藉以將不、同目_份〇定位 在該光束PB的路徑中。同樣地，W第4位構件將遮罩 MA精確定位於相關光束PB之路徑，例如，從遮罩庫機械性 地取出遮罩MA之後，或在掃描當中。—般而言，該物件台 Μ 丁、WT的移動將可藉由一長衝程模組（粗略定位）及一短衝 程模組（精細^位）來實現’其並未明確地示㈣！中。但是 =-晶圓步進機的例子巾（與—步進及料裝置相反），該 遮罩台ΜΤ可正好連接到—短衝程致動器，或可為固定。 上述裝置可用於兩種不同模式中： I在步進模式中，該遮罩台Μτ基本上料靜止，而整個遮 83913 •18- 200307853 立=像在一次之處理中（及一單一"閃光”）中投影到一目標 =份C上。然後該基材台WT即偏移到x&y方向上，使得可 稭由該光束PB照射一不同的目標部份c ; 在掃描模式中，本質上應用相同的狀況，但特定目標部 份〇並非於單一”閃光"中曝光。反之，遮罩台MT可在一特^ 万向（所謂•’掃描方向”’例如父方向）以一速度v移動，使投影 光束PB掃描通過—遮罩影像，同時基材台—則與之同向或 反向以速度V = Mv移動，其中M為鏡片pL的放大倍率（通常 M=1M或1/5)。如此，可曝光-相對大區域的目標部份C而 不需犧牲解析度。 圖2顯示在-晶圓台WT上的—晶圓晶圓記號與 WM4係設置於該晶圓—第—側（,，前側,,）上，且光可從此 等記號反射（如WM3與WM4上方之箭頭所指）， 將描述之對準錢（未顯蝴於對準在—遮罩上之 一步之晶圓記號WM1與WM2係設置於晶圓评之第二側（”後 側上。一光學系統係建構於晶圓台WT上’用於提供光學 存取位於該晶圓W後側之晶圓記號WMh WM2。該光學: 統包含-對臂、10Ββ各臂係由二鏡面12、14與二：片 1 4係傾斜使得其與水平夹 1 6、1 8組成。各臂中之鏡面J 2 角之總和為9 0 Ε。以此方式 垂直照射在該鏡面中之一的— 束光在反射離開鏡面將維持垂直。 使用時，光直接由晶圓台WT上方到達鏡面丨2上，經過鏡 片1 6與1 8到達釦面1 4上，而後到達各自的晶圓記號WM】、 WM2上。光線反射晶圓記號之部份而後沿該與光學系統之 83913 -19 - 200307853 該臂經由鏡面14、鏡片18與16以及鏡面12返回。鏡面12、14 與鏡片16、18係經配置，使得該晶圓記號WMi、的一 W像』A 20B形成於該晶圓w該前（上）表面之平面處，而且 對應於設置於晶圓W前側上之任何晶圓記號WM3、之 垂直位置。鏡片16、18與鏡面12、14之順序當然可以隨該 光學系統而有所不同。例如，鏡片18可以介於鏡面Μ與晶 圓W間。 晶圓記號WM1、WM2之一影像2〇A、20B係作為一虛擬晶 Q -己號且可由預先存在之對準系統（未顯示）用於對準，正 如同設置於該晶圓v/前（上）側上的一實際晶圓記號。 如圖2中所示，該光學系統之臂1〇Α、1〇β產生置放於該晶 圓w側邊的影像20Α、20Β，使得其可由晶圓w上的一對準 系統加以檢視。該光學系統之臂1〇A、1〇B的二較佳方位顯 不在圖3與4(其係置於χγ平面上之晶圓|的平面圖八為求簡 化，圖3與4省略了晶圓台WT。在圖3中，該光學系統之臂 1 〇 A、1 〇B是沿著X軸對準。在圖4中，該光學系統之臂丨〇 a 、10B是平行γ軸。二情況下，晶圓記號wmi、WM2均置於 X軸上。晶圓記號WM1、WM2係在晶圓w之底側上，因此就 晶圓W之上側而言係相反。然而，該光學系統之臂的鏡面配 | ’可修正晶圓記號WM1、WM2之影像20A、20B成為正確 (未相反）之方式而加以儲存，使得該影像呈現完全相同之影 像，如同其係位於晶圓W之上方。該光學系統之配置也使得 晶圓記號WM1、WM2與其影像20A、20B大小之比值為1 : 1 ’即大小並未減小。因此，可使用影像20A、20B，如同其 83913 -20- 200307853 為晶圓w前側上之實際晶圓記號。應瞭解該光學系統可配置 以放大一較小之晶圓記號（或減小一較大之晶圓記號）；重要 的是該晶圓記號之該影像為允許使用預先存在之對準系統 進行對準所需之正確尺寸。一設置於遮罩上之共用對準圖 案或關鍵’可被用於以實際與虛擬二晶圓記號執行對準。 在本範例中，晶圓記號係設置於晶圓w之前與後側之相關 位置上’如圖2中所示。在圖3與4中為求簡化，只顯示出在 曰曰圓W後側之晶圓I己號。依據此配置，當晶圓w繞X或γ軸 中任一軸旋轉而翻轉時，在晶圓w上側的一晶圓記號現在則 位於底側上，但在一使其可由該光學系統之臂丨〇A、1 〇B加 以成像之位置處。 應注意的是，根據該光學系統之鏡面與其他組件之配置 (特別是該等記號之任何中間影像），記號在某些方向之移動 可造成該影像在相對方向之位移，但是在其他方向，該記 唬與影像將以相同方式移動。控制該對準系統之軟體在執 行對準時決定晶圓記號WM1、WM2之位置，以及與調整晶 圓W與一遮罩之相對位置時會將此列入考慮。 在晶圓W的每一側上至少設置有二個晶圓記號。一單一記 號可提供關於一遮罩上特定點之影像，與該晶圓上一特定 點間相對位置之資訊。然而，為確保正確之方位、斜準與 倍率，至少須使用二個記號。 圖5顯示晶圓台WT之部份斷面圖。依據本發明此具體眚施 例，用於使該晶圓記號成像於一晶圓後侧之該光學系統丨〇 A 、10B係以一特殊之方式建構於該晶圓台内。如圖5所示， 83913 -21- 200307853 孩光學系統之臂的鏡面12、14並非設置為離散組件，而是 與晶圓tWT—體成形。適當之平面經機 内，接者設置有—塗層以改善反射率，因而形成鏡面口、 14。該光學系統可由與晶圓台相同之材料製成，諸如零膨 脹係數材料（Ze_Ur)，其具有非常低之熱膨脹係數，且因 此確保得以維持高對準精度。 該前到後側對準系統之進一步資訊與替代性型式，係經 描述於歐洲專利申請號碼02250235 5，其内容以引用方式併 入本文。 該前到後侧對準系統係能夠將一基材二相對侧上之對準 記號對準至該需求精度，但需要校正。 要校正該前到後側對準系統，需要知道由該對準系統測 Ϊ 後側對準記號的前側影像位置，與該後側對準記號 實際位置間之確切關係。可易於考慮此關係為一 ftbA偏移 ，其代表一後側記號與其影像之距離。要決定該ftba偏移 時，需要提供與該FTBA對準系統無關之方式來決定該後側 1己號之位置；該決定於是將與由FTB A對準系統測量之位置 比較。 應注意的是，該TTL對準系統本身需要校正，以決定所測 量的一對準記號之位置與由投影系統PL所投影的一影像之 位置間之關係。此校正係習知技藝且未形成本發明之部份 。其與下列說明無關。 如以下所描述，本發明提供一種直接校正一 FTBA系統之 方法。然而，此一权正可能會較耗時。依據本發明也提供 -22- 83913 200307853 -方法，#此-微影蝕刻t置將被校正成為一參考(h〇㈨機 器。此接著用以製造參考基材（h〇ly wafers)，用於以一非常 簡單與較快速之方法校正其他機器。 如上述，該FTBA系統之作用係藉由一光學系統投^ μ 該基材之底侧的一對準記號，到與垂直前側記號（基材之上 側）心相同ζ軸層面。此平面表示為ζ = 〇，對應於該投影鏡片 之焦點平面。藉由設計，後側記號讀取位置之本位、尺寸 與Ζ軸層面位置將（盡可能地）等於該前側記號。因此依與— 上側對準掃描相同之方式，決定一後側對準掃描之X、y位 置。需要對光學失真與偏移進行修正。 使用一透明校正晶圓HW於測量該FTBA偏移之程序如圖 6 a與b所顯示。 該校正基材HW係由已知厚度（d)與折射率（n)且在二相對 側上各具有參考記號WM1、WM3之透明材料形成。該校正 日曰圓取好製成儘可能的薄。參考記號W Μ 3應具有一可見之 鏡射-影像組件，以便可通過該基材而偵測出，且當經由該 FTB Α光學系統觀察時呈現垂直。此可藉由使用在彼此已知 位置的二個記號（每一方位一個），或是藉由組合二方位於一 p己號的所巧全方位記號而實現。參考記號w Μ1最好是以相 同方式構成，使得該晶圓能加以翻轉。請注意雖然記號1 與WM3係以一上一下顯示，實施時其將為並列。 該對準系統以普通方式決定該校正基材H W前側上之參 考1己號WM3的位置，如圖6a顯示之情況。接著將藉由傳輸 經過該校正基材HW之對準輻射，決定該校正基材HW後側 83913 -23 - 200307853 上之參考記號WM1的位置。然而，為了補償記號WM1相對 於記號WM3之焦點位置的偏移，一預定厚度與折射率之平 板5 0將置入該校正基材HW之上，使得記號WM1似乎在該校 正基材H W前之平面處’如圖6 b中射線構造之示範圖式。於 是可以簡單地進行該校正基材H W前侧與後側上實際記號 位置之直接比較，然而在以前其必須使用一破壞性技藝（諸 如銀開或I虫刻），通過該晶圓以決定雙側疊置效能，且儘管 如此，該測量誤差可超過實際之疊置精度。 應可顯示出，對於在折射率η〇之環境中（真空時η〇=〗）具有 折射率⑴與厚度d!的一校正基材HW，平板50之折射率“與 厚度可藉由下列關係式決定出： d =.n 2 d 2 ^ 1 2 - ^ 〇 ) 1 要補償平板50内之任何楔型，在平板5〇每次三個正交轴 (X，y，ζ)中之一旋轉180度後將重覆測量。該校正基材h —任 何之不同質，可使用習知技藝分別加以測量且施加一適當 之修正。使用一具有預定厚度與折射率之平板50的概念’ (當然）可應用於任何需求偏移該晶圓記號之焦點位置的對 準方法。 該測量方法將重覆使用該相同晶圓，以最小化介於正交 轴與旋轉軸間之”交又干擾，，誤差。㉟常三次重覆即已足夠。 使用可芽透認基材之輕射對準光束，（例如）紅外線輕射與 珍基材’上述万案也可用於直接對準在生產基材二相對 側上之記號。當然，選擇用於該平板之材料也必須對在該 對準系統中使用之輻射係可穿透。 83913 -24- 200307853 用於測量FTBA偏差的一替代性之第二程序涉及一標準矽 基材，且以對該偏移之估計開始。此程序係示範於圖7^d ，以及圖8a至d。 在第一步騾中，基材60經曝光第一組記號6ι。記號⑽上 之箭頭表示其方位，該方位具重要性，因為該對準系統通 常只能夠以m位測量記號。應瞭解可使用組合超過 -万位於各記號之全方位記號。#翻轉日％圓時，該記號之 位置使得其可被FTBA光學系統看見。所曝露出之記號顯示 於圖7a。接著翻轉該晶圓（即繞γ軸旋轉18〇度），而後使用 FTBA系統與第—組記號61加以定位（第—組記號61現在將 位於該晶圓之後侧上）。在此階段，該晶圓之前側（如圖7b 與c中虛線所表示）與該後側間確切之關係是未知。接著曝光 第二組記號62於該晶圓之前侧上（該晶圓的這一側並無記號 ，因為當第一曝光時其為後側）。第二組記號62係位於第一 組€號6 1 <大約位置。最後，將該晶圓再度繞Y軸旋轉1 80 度’且使用該FTBA系統與第二組記號62對準，使得一個第 二組记唬6 3可在—已知偏移之處曝光。測量第一與第三組 記號61、63之y位置差距（這此組記號均位於該晶圓之前側） ’而後減去已知之偏移。此即可獲得該FTBA光學系統二分 部之y偏移的總和（即該晶圓測量位置中心之y位移量）。 遠FTBA之X-偏移可依相同方式決定，如圖8&至d所示。第 一曰日圓7 0露光—第四組記號7 1，包含垂直記號7 1 b與旋轉記 號7 1 a ’如圖所示（該記號之方位如箭頭所示）。記號7 1 a、 7 1 b係如圖示彼此相鄰而具有一已知之分隔。此種記號配置 83913 -25 - 200307853 係供χ -偏移偵測所需，因為該對準系統只能偵測具有一特定 方位之記號。記號7 1 b之方位可允許由該前側對準系統偵測 。該記號7 1 a之方位係相反，以便當該基材繞乂軸旋轉過1 80 度（即翻轉）時，允許經由FTB A光學系統加以偵測。 曝光後’晶圓7 0會繞χ軸旋轉（即翻轉），且使用該f τ b A系 統與該旋轉記號71 a對準，以達到圖8b所示之情形。一第五 組$己號7 2接著曝光於記號7 1 a之大約位置，如圖$ c中所示。 晶圓70接著再度繞x軸旋轉。隨著晶圓藉由該a系統對準 泫第五組1己號7 2，一第六組記號7 3將在已知偏移之處曝光。 第四與第六組記號7卜7 3之χ位置差距經測量出（這些組記 號均位於该晶圓之前側），而後減去已知之偏移。該計算包 括一附加之偏移，其考量垂直記號7 lb與旋轉記號7】a之分隔 。此可後得該FTB A光學系統二分部之χ-偏移的總和（即該晶 圓測量位置中心之位移量）。 圖7與8中所描述與顯示之測量值並未提供有關該晶圓旋 轉之資訊。這是因為乂與y偏移之測量值必須分開執行。為 了決足與補償旋轉效應，需要進一步之測量。此測量之執 行係使用其定位允許經由FTB A光學系統成像的四列記號 (未顯tf )。該記號在繞y軸旋轉前與後之位置的測量，可供 決定該晶圓之角旋轉，最終得以決定y軸之偏移。該旋轉測 里值又限於FTB A光學系統之視窗尺寸。可使用在第一方法 中描述之透明晶圓獲得一較精確之旋轉測量值。實際上第 與第一方法二者均可使用，該第一者測量旋轉而第二者 測量X與y偏移。 83913 -26 - 200307853 該第三程序是與該第二程序類似，但使用一預先曝光晶 圓’而不是在程序進行中將該晶圓曝光。 請參考圖9，基材80在其前侧上設置有一第一組記號8 1而 後側有一第二組記號8 2。第一組記號8 1相對於第二組記號 82之相對位置係未知。前侧記號81之位置經偵測，而後該 後側記號82之影像的位置（經由該FTB A光學系統）經偵測出 。晶圓將繞y軸旋轉過1 8 0度（即翻轉），而後偵測前側記號8 2 與後側記號8 1之影像的位置。 第一組記號8 1與第二组記號82間y位置之差距經測量出 。此可獲得該FTB A光學系統二分部之y-偏移的總和（即該晶 圓測量位置中心之y-位移量）。 請參考圖10，基材90在其前側上設置有二組記號91、92 。該記號如圖示彼此相鄰且具有一已知之分隔。第一組記 號9 1之方位允許由該前側對準系統偵測出。第二組記號92 之方位係相反’以便當該基材繞心軸旋轉過1 8〇度（即翻轉） 時，允許經由FTBA光學系統加以偵測。除了在前側上之記 號9 1、9 2外’基材9 0在其後侧也設置有二組類似記號（未顯 示於圖1 0上）。 前側記號9 1、92與後側記號之相對位置係未知。第一組 前側記號9 1之位置經偵測，而後該後側記號中相對應組之 影像的位且（經由该F T B A光學系統）經偵測出。該晶圓繞y車由 旋轉過1 8 0度（即翻轉）。第二組前側記號9 2之位置經偵測， 隨後為後側記號中相對應之影像的位置。 前側記號與後側記號間X位置之差距經測量且考慮到相 83913 -27· 200307853 鄰記號之已知分隔。此可獲得該FTB A光學系統二分部之p 偏移的總和（即該晶圓測量位置中心之立移量）。 使用其定位允許經由F T B A光學系統成像的四列記號（未 顯示）執行一旋轉測量，如上述有關第二方法。 該第三程序可重覆數次，以便最小化介於正交軸與旋轉 軸間之，，交又干擾”誤差。通常三次重覆即已足夠。該第二程 序隨後緊接著第三程序，當進行第一程序時，第三程序提 供曝光冗號之重覆測量。 該第二與第三程序提供比第一程序更精確之FTB a系統χ 與y偏移之測量值，但雖然該旋轉誤差可使用預先對準記號 加以測量，這些精度會因為FTB A光學之視窗較小而較低。 另一方面，使用玻璃基材之校正製程具有較不精確之X與y 位置偏差測量值（因為玻璃内之不同質），但提供較精確之旋 TT偏差測量值（因為在二分板間之長臂）。因此該二種方法之 組合可用以有利於充分地校正一參考機器。 用於校正一參考機器的一第四程序使用一超薄基材。該 超薄基材係設置有一參考記號（如以上所指之全方位·記號 型式）’由於該晶圓之細薄使其可直接從二側讀取。於此， 與一般晶圓500微米之厚度相比，該基材可薄如1〇微米或更 少〇 使用该超薄基材，直接測量該記號之位置與經由該FTB A 光學系統可直接取得該FTBA偏移，只受該對準光束未依垂 直角度ik射產生之誤差的影響。此可使用上述第一方法之 平板加以補償’或是從焦點對深度之校正計算出誤差而後 83913 -28- 200307853 予以減去。 涊超薄校正晶圓只需要在該參考記號之區域較薄。因此 巧超薄校正晶圓之構成，可藉由在相當厚之晶圓中蝕刻 。凹處，而後接著在該凹處底部蝕刻該參考記號。或者 ，可黏貼一片符合需求厚度之適當材料於一較厚基材之通 孔上。 、/可使用一具有超薄區域之校正晶圓，以估計由於該對準 2束未依垂直角度照射所造成之誤差。該校正晶圓在前側 面具有超薄區域，且在其後側表面處有相鄰之超薄區域 、、知曰曰圓繞Z軸旋轉（請注意並非翻轉該晶圓），可決定由於 藏對準光束未依垂直角度照射所造成之誤差。 用於权正一苓考機器的一第五步驟涉及在一標準晶圓之 上將記號曝光。該記號位置之決定係直接且以該ftba 光卞系統使用標準偏移值。晶圓會被翻轉且經重覆測量。 Θ曰曰圓接著被切開，且使用一掃描式電子顯微鏡決定該晶 圓二相對側上該記號之相對位置。 在適S時，上述任何方法均可重覆，以最小化介於正交 軸與旋轉軸間之”交叉干擾"誤差。通常三次重覆即已足夠。 旦一茶考機器業經校正，則製造在二側具有記號之晶 圓且測里則與後側記號間確切之位置關係，將會是簡單的 一 H此等參考曰曰圓係稱為’’holy wafers，，，而且隨後可用以 直接k正其他機菇之FTB A系統。該前與後侧參考記號之相 對位置係以待校正之FTBA系統加以測量，而該結果將與直 接提供FTB A偏移之已知相對位置比較。 83913 -29- 200307853 使用該FTBA系統之某些對準方案現將在此略述。 當使用FTB A以對準僅位於前侧之影像時，該預先對準記 號不須與影像本身對準。因此，如果只使用一機器，將不 需要精確之FTB A偏移校正。重要的是知道該後側對準記號 相關忒动側圖案之位置。如使用一部以上之機器，首先調 整 < 機器可稱為”參考”，且用以製作”參考晶圓，，，以便調整 所有其他機器。至於曝光製程則為·· 將預先對準記號曝光於該後侧且蝕刻於該晶圓内。 執行垂直曝光且以在前側上之產品進行處理，但使用該 後側記號用於對準。 當使用FTBA以對準在二側上之影像時，該預先對準記號 必須對準影像本身。因此將執行一完整之校正且下列程序 將用於曝光： 將預先對準記號曝光於前側且蝕刻於該晶圓内 使用該前 但使用該 執行垂直曝光且以在前侧上之產品進行處理 側記號對準。 翻轉該晶圓（後側成為前侧且前側成為後側）。 執行垂直曝光且以在前側上之產品進行處理 後側記號（第一曝光之前側記號）對準。 ㊄使用FTBA以對準在二側上（第-晶圓的：側與結合於 第一晶圓之第二晶圓之一側）之影像時，該預先對準記號也 必須對準影像本身。將執行一完整之校正 仅止且下列程序用於 曝光： 將預先對準記號曝光於前側且蝕刻於該晶圓内 83913 -30- 200307853 春執行垂直曝光且以在前例 — 側記號對準。 、仃處理’使用該前 •翻轉該晶圓（後側成為前側且前側成為_卜 籲執行曝光且以在前例卜 .. ^ ，爻產品進行處理，但使用該後側 元5虎對準。 Φ將一薄晶圓結合於該前例 〃上。（則側成為經結合側）。 執行垂直曝光且以在該结八、 。口幻上I產品進行處理，但使 用孩後側記號用於對準。 雖然本發明的特定且#电 ^ , . a0^ 只她例已如上述加以說明，應明 瞭本發明可以上述以外的 令⑽& 万法元成。本發明並不受本 說明所限制。 1又+ 圖示簡單說明 現在將參考附圖範例請 口乾例次明本發明的具體實施例，立中·· 圖1顯示依據本發明一 1 #舍、 置； /、爲她例的一微影蝕刻投影裝 圖2係依據本發明一且 % ^ γ j ”把另她例併用一光學系統之二分 4於二側對準的基材台之斷面略圖； 圖3係依據本發明一且w ，、隨θ她例顯示二側對準光學系統 中日日0足位且與方位的平面圖； 圖4係依據本發明一且體 ^ ^她例，頭示二側對準光學系統 中日曰04另一位置與方位的平面圖； 圖5係依據本發明一且蛐 _ 月具眩貫施例具有整合式組件的一基 材σ之部份斷面圖； 圖6a與6b係以斷面圖示範 扼依艨本發明進一步具體實施例 83913 -31 · 200307853 的一基材台與晶圓。 圖7a至d示範依據本發明一具體實施例使用一不透明基材 的一第一校正製程；及 圖8 a至d示範依據本發明的一第二校正製程。 圖9與10示範依據本發明一第三校正製程。 在圖中，對應的參考符號表示對應的零件。 圖式代表符號說明 10A， 10B 臂 12，14 鏡 面 16, 18 鏡 片 20A，20B 影像 50 平 板 60, 80, 90 基材 61， 81， 91 第 — 組 記 號 62, 82, 92 第 二 組 記 號 63 第 二 組記 號 70 第 一 晶 圓 71 第 四 組 記 號 71a 旋 轉 記 號 71b 垂 直 記 號 72 第 五 組 記 號 73 第 組 記 號 83913 - 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Claims (1)

1. 200307853 拾、申請專利範園： 1 · 種杈正能夠對準一基材相對側面上之對準記號的對 準系統之方法，該對準系統將一輻射之對準光束直接引 導到一側上，且經由一附加光學系統將該對準光束引導 至另一側，該方法包含下列步驟： 提供具有第一與第二相對表面且可被該對準光束之 輻射穿透的一校正基材，該校正基材在其一第一表面上 具有一參考記號，該參考記號可從該第一與該第二表面 偵測到； 以引導至該第一表面上的該對準光束，對該參考記號 執行一第一對準；及 以引導至該第二表面上的該對準光束，對該參考記號 執行一第二對準，且經由該校正基材傳播至該第一表面 ，同時將一平板置入該對準光束中，使該對準系統的一 焦點位置替代該第一記號之位置； 其中4第一與第二對準可依任何順序執行。 2. 如申請專利範圍第1項之方法，進一牛4人w、、1 „ ^ 夕包含將孩平板繞 三個正交軸旋轉1 8 0度，且在矣_、A、A Μ 社母次旋轉後重覆該第二 對準的步驟。 3. 如申請專利第！或2項之方法，其中該第一對準係經 由該附加光學系統執行。 4. 一種用於如申請專利範圍第1或2項之古、1 Α w " <万法的校正基材 ’包含在其^一個相對表面之一>1女 Λ 〃有一芩考記號之透明 本體，孩參考記號可從該等相對表面偵測到。 83913 200307853 5 .如申請專利範圍第4項之校正基材，其中該等對準記號 包含繞射光撕。 6·—種校正在微影姓刻裝置中能夠對準一基材相對側上 對準記號的一對準系統之方法’該對準系統將—轉射之 對準光束引導到一側上，且經由一附加光學系統將該對 準光束引導至$亥其他側’該方法包含下列步驟： 提供一在其第一表面上具有一斜第一參考記號之基 材； 1 使用該附加光學系統對該對第一參考記號執行一第 一對準， 對该基材一第二表面的一對第二參考記號執行一第 一曝光； 執行遠基材繞一第一軸1 8 〇度的一第一旋轉； 使用該附加光學系統對該對第二參考記號執行一第 二對準； 對該基材該第一表面上之一對第三參考記號執行一 第二曝光；及 測里琢第一與第三參考記號之相對位置，以校正該對 準系統。 7.如申請專利範圍第6項之方法，進一步包含使用該附加 光學系統測量該對第二參考記號位置之步騾。 8 ·如申,專利範圍第6或7項之方法，其中該第一軸係一連 接該對第一參考記號的一直線之垂直平分線。 9.如申請專利範圍第6或7項之方法，其中該第一軸係連接 83913 200307853 該對第一參考記號的一直線。 ίο. 11. 12. 13. 14. -種校正微影触刻裝置之方法，包含執行如中請專利範 圍第1或2項 < 方法，以及如申請專利範圍第6或7項之方 法0 一種校正在微影蝕刻裝置中能對準一基材相對側上之 對準記號的-對準系統之方法，該對準系統將—輕射之 對準光束引導5卜側上，且經由—附加光學系統將該對 準光束引導至該其他侧，該方法包含下列步驟. 提供在其-第-表面上具有—對第一參考記號以及 在其-第二表面上具有—對第二參考記號的—基材； 參考 參考 將該對準光束引導至該表面上以便對該等第 記號執行一對準，使用該附加光學系統對該等第 記號執行一對準； 執行該基材繞一第一軸180度之—第一旋轉； 將4對準光束引導至該表面上以便對該等第二參考 記號執行一對準，使用該附加光學系統對該等第一^考 記號執行一對準；及 比較該等對準； 其中可依任何順序執行該對準。 如申請專利範圍第11項之方法，其中該第一軸係一連接 該對第一參考記號的一直線之垂直平分線。 如申請專利範圍第丨2項之方法’其中該第一軸係連接該 對弟一參考1己號的一線。 一種校正微影蝕刻裝置之方法，包含執行如申請專利範 83913 200307853 圍第1或2項之方法，以及如申請專利範圍第丨丨至丨3項中 之方法。 1 5. —種校正微影蝕刻裝置之方法，包含執行如申請專利範 圍第6或7項之方法，以及如申請專利範圍第丨丨至13項中 之方法。 1 6. —種校正在一微影蝕刻裝置中能對準一基材相對側上 之對準記號的一對準系統之方法，該對準系統將一輻射 <對準光束引導到一側上，且經由一附加光學系統將該 對準光束引導至該其他側，該方法包含下列步驟： 提供一校正基材，該基材在其一第一表面上具有一第 一對各含二個或以上參考記號之列，且在其一第二表面 上具有一第二對各含三個或以上參考記號之列； 使用該直接射入之對準輻射對該第一對參考記號列 執行一 *準，*用該附加《學系統對該第二對參考㈣ 列執行一對準； ^ 執行該基材繞一第一軸丨80度的第一旋轉； 使用該直接射人之對準輻射對該第二對參考記號列 執仃-對準’使用該附加光學系統對該第一對 列執行一對準；及 > θ虎 比較該等對準； 其中可依任何順序執行該等對準。 1 7 . —種杈正一微影蝕刻裝置之方，^ ^ ^ ^ ^ ^ ^ ^ ^ r n. .. , , 已口巩仃如申請專利 轭圍弟16 ζ万法，以及如申請專利範圍第6、7、1 1 2或1 3項中之方法。 83913 200307853 18. 19. 20. 一種校正具有能對準一基材相對側上之對準記號之對 準系統的一微影蝕刻裝置之方法，該對準系統將一輻射 之對準光束引導到一側上，且經由一附加光學系統將該 對準光束引導至該其他側，該方法包含下列步驟： 使用如申請專利範圍第1、2、6、7、1 1至13項中任一 項之方法校正一參考微影蝕刻裝置； 使用該參考微影蝕刻裝置以決定在一校正基材上第 一與第一參考1己號之位置關係，該第一與第二記號在該 校正基材之相對表面上；及 使用該校正基材校正該微影蝕刻裝置。 一種用於如申請專利範圍第18項之方法中的校正基材 ，在其相對侧上具有結合資訊的第一與第二參考記號， 以指出該等第一與第二參考記號之該位置關係。 一種裝置之製造方法，包括下列步驟： -提供至少部份由一層輻射感應材料所覆蓋之一基 材； -使用一輻射系統提供一輻射投影光束； -利用圖案化構件賦予投影光束在其斷面内的一圖 案； -投影该1¾射之圖案化光束於該基材第一側上之I昌 射感應材料層上的一目標區域，其特徵在於下列步驟： 藉由如申請專利範圍第i、2、6、7、1 1至1 3項任一項 中之方法校正一對準系統，及 在該投影步驟前，使用該對準系統將在該支撐系統或 83913 200307853 該圖案化構件上的一參考記號，對準設置於該基材相對 側上之對準記號。 2 1 ·/種微影投影設備，其包含： -一輕射系統，用以提供一輻射投影光束； -圖案化構件，用於依據一需求圖案而圖案化該投影 光束； -一基材台，用以支撐一基材；及 -一投影系統，用以將圖案化光束成像在該基材第一 侧上的一目標部份上；其特徵在於： -一對準系統，使用一輻射對準光束照射該透明校正 基材，用於將在該支撐系統或該圖案化構件上的一參考 記號’對準設置於該圖案化光束待成像之該基材之第一 表面上的一對準記號； -一平板，選擇性地置入該對準光束路徑中，使得該 對準光束會聚焦於相對該校正基材之該第一表面的一 第二表面上。 22. —種裝置之製造方法，包括下列步驟： -供至少邵份由一層輻射感應材料所覆蓋之一基 材； -利用一輻射系統提供一輻射投影光束； -利用圖案化構件賦予投影光束在其斷面内的一圖 案； -投影該輻射之圖案化光束於該基材第一侧上之該輻 射感應材料層上的一目標區域，其特徵在於下列步驟： 83913 -6- 200307853 -在孩投影步騾前，以一輻射之對準光束照射該對準 1己號於該透明校正基材’使用—對準系統將在該支撐系 統或該圖案化構件上的一參考記號，對準設置於該圖案 化光束待成像之該基材之第一表面上的一第一對準記 號；將一平板置入該對準光束之路徑中，使得該對準光 束會聚焦於相對該校正基材之該第一表面的一第二表 面上，且將該參考記號對準設置於相對該基材該第一表 面<孩第二表面上一第二對準記號。 23. 24. 25. 26. 種权正基材至少在一對準記號鄰近具有厚度少於或 等毛10彳政米’使得該對準記號可從二侧偵測到。 如申請專利範圍第23項之校正基材，其中該基材係設置 有厚度少於或等於10微米且具有一第一對準記號的一 第 區域’及厚度少於或等於1 0微米且具有一第二對準 記號的一第二區域，該第一與第二區域係依垂直該基材 一表面所界定平面的一方向加以分隔。 如申請專利範圍第24項之校正基材，其中該分隔係大於 1 0 0微米。 種权正微影蝕刻裝置之方法，包含使用如申請專利範 圍第23至25項中任一項之晶圓來執行如申請專利範圍 第1或2项之方法； 將β基材繞垂直該基材一表面所界定平面的一軸旋 轉；及 再次執行該方法。 83913