[go: up one dir, main page]

KR970030921A - 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법 - Google Patents

액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR970030921A
KR970030921A KR1019950042281A KR19950042281A KR970030921A KR 970030921 A KR970030921 A KR 970030921A KR 1019950042281 A KR1019950042281 A KR 1019950042281A KR 19950042281 A KR19950042281 A KR 19950042281A KR 970030921 A KR970030921 A KR 970030921A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
mask
metal layer
film
forming
gate pad
Prior art date
Application number
KR1019950042281A
Other languages
English (en)
Other versions
KR0175409B1 (ko
Inventor
이정길
Original Assignee
김광호
삼성전자 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 김광호, 삼성전자 주식회사 filed Critical 김광호
Priority to KR1019950042281A priority Critical patent/KR0175409B1/ko
Priority to US08/665,321 priority patent/US5903326A/en
Publication of KR970030921A publication Critical patent/KR970030921A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR0175409B1 publication Critical patent/KR0175409B1/ko

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1345—Conductors connecting electrodes to cell terminals
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D30/00—Field-effect transistors [FET]
    • H10D30/60—Insulated-gate field-effect transistors [IGFET]
    • H10D30/67—Thin-film transistors [TFT]
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)
  • Selective Calling Equipment (AREA)

Abstract

본 발명은 마스크 매수를 줄임으로써 제조 비용을 낮추고 수율을 높일 수 있는 액정표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법에 관한 것이다. 희토류 금속계 합금인 Al-Nd 합금막 또는 알루미늄-백금 합금으로 제1게이트 패드 금속층을 형성한다. 그리고 게이트 패드 금속층 위에 형성한 보호막 절연막, 그리고 양극 산화막을 게이트 패드 금속층의 일부가 드러나도록 동시에 사진 식각함으로써 마스킹 공정 횟수를 줄인다. 또한 양극 산화 공정을 하지 않아 양극 산화에 따른 마스킹 공정 횟수를 줄인다.

Description

액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도의 제3(a)도-제3(f)는 본 발명의 제1실시예에 따른 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 게이트 패드부의 제조 공정 순서를 나타낸 단면도이다.

Claims (14)

  1. 기판위에 도전막을 적층하고 제1마스크를 이용하여 사진 식각하여 제1게이트 패드 금속층 및 게이트 전극을 형성하는 제1단계, 상기 게이트 전극을 제2마스크를 이용하여 양극 산화하여 양극 산화막을 형성하는 제2단계, 절연막과 반도체막을 차례로 적층한 후 제3마스크를 이용하여 사진 식각하여 반도체막의 패턴을 형성하는 제3단계, 도전 물질을 적층한 후 제4마스크를 이용하여 사진 식각하여 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 제4단계, 보호막을 적층한 후 제5마스크를 이용하여 상기 절연막과 함께 사진 식각하여 상기 드레인 전극 위에 컨택 구멍을 형성함과 동시에 상기 제1게이트 패드 금속층의 일부가 드러나도록 하는 제5단계, 투명 도전 물질을 적층한 후 제6마스크를 이용하여 식각하여 상기 제1게이트 패드 금속층과 접속되는 제2게이트 패드 금속층 및 상기 드레인 전극과 접속되는 화소 전극을 형성하는 제6단계를 포함하는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법.
  2. 제1항에서, 상기 도전막은 알루미늄-희토류 금속계 합금 또는 알류미늄-백금 합금으로 사용하여 형성하는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조방법.
  3. 제2항에서, 상기 도전막은 Al-Nd합금으로 형성하는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법.
  4. 제1항에서, 상기 반도체막 위에 외인성 반도체막을 형성하는 공정을 더 포함하는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법.
  5. 기판위에 도전막을 적층하고 제1마스크를 이용하여 사진 식각하여 제1게이트 패드 금속층 및 게이트 전극을 형성하는 제1단계, 절연막과 반도체막을 차례로 적층한 후 제2마스크를 이용하여 사진 식각하여 반도체막의 패턴을 형성하는 제2단계, 상기 제1게이트 패드 금속층 위에 형성되어 있는 절연막을 제3마스크를 이용하여 사진 식각하여 상기 제1게이트 패드 금속층의 일부가 드러나도록 하는 3단계, 도전 물질을 적층한 후 제4마스크를 이용하여 사진 식각하여 상기 제1게이트 패드 금속층 위에 제2게이트 패드 금속층과 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 제4단계, 보호막을 적층한 후 제5마스크를 이용하여 사진 식각하여 상기 드레인 전극 위에 컨택 구멍을 형성함과 동시에 상기 제2게이트 패드 금속층의 일부가 드러나도록 하는 제5단계, 투명 도전 물질을 적층한 후 제6마스크를 이용하여 사진 식각하여 상기 제2게이트 패드 금속층과 접속되는 제3게이트 패드 금속층 및 상기 드레인 전극과 접속되는 화소 전극을 형성하는 제6단계를 포함하는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법.
  6. 제5항에 있어서, 상기 도전막은 알루미늄-희토류 금소계 합금 또는 알루미늄-백금 합금으로 형성하는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법.
  7. 제6항에서, 상기 도전막은 Al-Nd 합금으로 형성하는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법.
  8. 제5항에서, 상기 반도체막 위에 외인성 반도체막을 형성하는 공정을 더 포함하는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법.
  9. 기판 위에 도전막을 적층하고 제1마스크를 이용하여 사진 식각하여 제1게이트 패드 금속층 및 게이트 형성하는 제1단계,절연막과 반도체막을 차례로 적층한 후 제2마스크를 이용여 마스크를 이용하여 사진 식각하여 반도체막의 패턴을 형성하는 제2단계, 도전 물질을 적층한 후 제3마스크를 이용하여 상기 절연막과 함께 사진 식각하여소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 제3단계, 보호막을 적층한 후 제4마스크를 이용하여 상기 절연막과 함께 사진식각하여 상기 드레인 전극 위에 컨텍 구멍을 형성함과 동시에 상기 제 1게이트 패드 금속층의 일부가 드러나도록 하는 제4단계, 투명 도전 물질을 적층한 후 제5마스크를 이용하여 사진 식각하여 상기 제 1게이트 패드 금속층과 접속하는 제2게이트 패드 금속층 및 상기 드레인 전극과 접속되는 화소 전극을 형성하는 제 5단계를 포함하는 액정 표기 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법.
  10. 제 9항에 있어서, 상기 도전막은 알루미늄-희토류 금소계 합금 또는 알루미늄-백금 합금으로 사용하여 형성하는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법.
  11. 제10항에 있어서, 상기 도전막은 Al-Nd합금으로 형성하는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법.
  12. 제9항에 있어서, 상기 반도체막 위에 외인성 반도체막을 형성하는 공정을 더 포함하는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법.
  13. 기판 위에 Al막과 Ta막을 차례로 적층하고 제1마스크를 이용하여 사진 식각하여 제1게이트 패드 금속층 및 상기 제1게이트 패드 금속층 위에 제2게이트 패드 금속층과, 하부 게이트 전극 및 상기 한부 게이트 전극층 위의 상부 게이트 전극층을 형성하는 제1단계, 상기 제2게이트 패드 금속층 및 상기 제2게이트 전극을 양극 산화하여 양극 산화막을 형성하는 제2단계, 절연막과 반도체막을 차례로 적층한 후 제2마스크를 이용하여 사진 식각하여 반도체막의 패턴을 형성하는 제3단계, 도전 물질을 적층한 후 제3마스크를 이용하여 사진 식각하여 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 제4단계, 보호막을 적층한 후 제4마스크를 이용하여 상기 절연막 및 양극 산화막과 함께 사진 식각하여 상기 드레인 전극 위에 컨택 구멍을 형성함과 동시에 상기 제2게이트 패드 금속층의 일부가 드러나도록 하는 제5단계, 투명 도전 물질을 적층한 후 제5마스크를 이용하여 사진 식각하여 상기 제2게이트 패드 금속층과 접속하는 제3게이트 패드 금속층 및 상기 드레인 전극과 접속되는 화소 전극을 형성하는 제6단계를 포함하는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법.
  14. 제13항에서, 상기 반도체막 위에 외인성 반도체막을 형성하는 공정을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950042281A 1995-11-20 1995-11-20 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법 KR0175409B1 (ko)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019950042281A KR0175409B1 (ko) 1995-11-20 1995-11-20 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법
US08/665,321 US5903326A (en) 1995-11-20 1996-06-18 Trainable RF system for remotely controlling household appliances

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019950042281A KR0175409B1 (ko) 1995-11-20 1995-11-20 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR970030921A true KR970030921A (ko) 1997-06-26
KR0175409B1 KR0175409B1 (ko) 1999-02-18

Family

ID=19434727

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019950042281A KR0175409B1 (ko) 1995-11-20 1995-11-20 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법

Country Status (2)

Country Link
US (1) US5903326A (ko)
KR (1) KR0175409B1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100486719B1 (ko) * 1998-12-12 2005-08-17 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시장치및그제조방법

Families Citing this family (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5731216A (en) * 1996-03-27 1998-03-24 Image Quest Technologies, Inc. Method of making an active matrix display incorporating an improved TFT
US6746959B2 (en) * 1996-07-26 2004-06-08 Lg Philips Lcd Co., Ltd. Liquid crystal display and method
US6940566B1 (en) 1996-11-26 2005-09-06 Samsung Electronics Co., Ltd. Liquid crystal displays including organic passivation layer contacting a portion of the semiconductor layer between source and drain regions
CN1148600C (zh) 1996-11-26 2004-05-05 三星电子株式会社 薄膜晶体管基片及其制造方法
KR100229613B1 (ko) * 1996-12-30 1999-11-15 구자홍 액정 표시 장치 및 제조 방법
KR100248123B1 (ko) * 1997-03-04 2000-03-15 구본준 박막트랜지스터및그의제조방법
KR100303446B1 (ko) * 1998-10-29 2002-10-04 삼성전자 주식회사 액정표시장치용박막트랜지스터기판의제조방법
KR100421901B1 (ko) * 1998-12-10 2004-04-17 엘지.필립스 엘시디 주식회사 반사형액정표시장치의반사판
JP2001053283A (ja) 1999-08-12 2001-02-23 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置及びその作製方法
JP3374911B2 (ja) * 1999-09-30 2003-02-10 日本電気株式会社 透過液晶パネル、画像表示装置、パネル製造方法
JP4118484B2 (ja) * 2000-03-06 2008-07-16 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP2001257350A (ja) 2000-03-08 2001-09-21 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置およびその作製方法
JP4700160B2 (ja) 2000-03-13 2011-06-15 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP4118485B2 (ja) * 2000-03-13 2008-07-16 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP4683688B2 (ja) 2000-03-16 2011-05-18 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置の作製方法
JP4393662B2 (ja) 2000-03-17 2010-01-06 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置の作製方法
US6900084B1 (en) 2000-05-09 2005-05-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having a display device
US7170405B2 (en) * 2000-12-26 2007-01-30 General Electric Company Method and apparatus for interfacing a power line carrier and an appliance
US20030046377A1 (en) * 2000-12-27 2003-03-06 Wolfgang Daum Method and apparatus for appliance service diagnostics
US7071037B2 (en) * 2001-03-06 2006-07-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US6990317B2 (en) * 2002-05-28 2006-01-24 Wireless Innovation Interference resistant wireless sensor and control system
US7340509B2 (en) 2002-07-18 2008-03-04 General Electric Company Reconfigurable appliance control system
US7322745B2 (en) * 2002-07-23 2008-01-29 Rapiscan Security Products, Inc. Single boom cargo scanning system
US20060073464A1 (en) * 2004-09-17 2006-04-06 Baldus Ronald F Location determinative electronic training methodology and related architecture
KR20080019398A (ko) * 2006-08-28 2008-03-04 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법
TW201039217A (en) 2009-04-17 2010-11-01 Chunghwa Picture Tubes Ltd Sensor structure of touch panel and method for determining touch signal generating by sensor structure of touch panel
CN102751240B (zh) * 2012-05-18 2015-03-11 京东方科技集团股份有限公司 薄膜晶体管阵列基板及其制造方法、显示面板、显示装置

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2508851B2 (ja) * 1989-08-23 1996-06-19 日本電気株式会社 液晶表示素子用アクティブマトリクス基板とその製造方法
JPH055898A (ja) * 1991-06-27 1993-01-14 Casio Comput Co Ltd 薄膜素子形成パネル
KR950008931B1 (ko) * 1992-07-22 1995-08-09 삼성전자주식회사 표시패널의 제조방법
JP3098345B2 (ja) * 1992-12-28 2000-10-16 富士通株式会社 薄膜トランジスタマトリクス装置及びその製造方法
US5491347A (en) * 1994-04-28 1996-02-13 Xerox Corporation Thin-film structure with dense array of binary control units for presenting images

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100486719B1 (ko) * 1998-12-12 2005-08-17 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시장치및그제조방법

Also Published As

Publication number Publication date
US5903326A (en) 1999-05-11
KR0175409B1 (ko) 1999-02-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR970030921A (ko) 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법
KR970053623A (ko) 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법
KR970048855A (ko) 액정표시장치의 제조방법
KR970048718A (ko) 액정표시장치의 제조방법
KR980003732A (ko) 액정표시소자의 제조방법
KR970063783A (ko) 반도체 장치 형성방법
KR960032058A (ko) 박막트랜지스터 액정 디스플레이 소자 및 그 제조방법
KR960029855A (ko) 박막트랜지스터 액정 디스플레이 소자 및 그 제조방법
JP3094610B2 (ja) 薄膜トランジスタの製造方法
KR970028753A (ko) 액정 표시 소자의 제조 방법
KR970028769A (ko) 액정표시장치의 제조방법
KR20050070325A (ko) 액정표시장치 및 그 제조방법
KR970023624A (ko) 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법
KR100212272B1 (ko) 액정 표시 장치의 제조 방법
KR940012644A (ko) 박막트랜지스터 어레이의 제조방법
JPS61224359A (ja) 薄膜トランジスタアレイの製造法
JP3168648B2 (ja) 薄膜トランジスタパネルの製造方法
JP3663743B2 (ja) 液晶表示装置の製造方法
KR960024603A (ko) 박막트랜지스터 액정 디스플레이 소자 및 그 제조방법
KR0183757B1 (ko) 박막 트랜지스터-액정 표시장치의 제조방법
JP2574808B2 (ja) 薄膜トランジスタの製造方法
KR0169398B1 (ko) 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법
KR970054457A (ko) 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법
KR20080048103A (ko) 표시기판 및 이의 제조 방법
KR970030925A (ko) 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
PA0109 Patent application

Patent event code: PA01091R01D

Comment text: Patent Application

Patent event date: 19951120

PA0201 Request for examination

Patent event code: PA02012R01D

Patent event date: 19951120

Comment text: Request for Examination of Application

PG1501 Laying open of application
E701 Decision to grant or registration of patent right
PE0701 Decision of registration

Patent event code: PE07011S01D

Comment text: Decision to Grant Registration

Patent event date: 19980928

GRNT Written decision to grant
PR0701 Registration of establishment

Comment text: Registration of Establishment

Patent event date: 19981110

Patent event code: PR07011E01D

PR1002 Payment of registration fee

Payment date: 19981110

End annual number: 3

Start annual number: 1

PG1601 Publication of registration
PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20011008

Start annual number: 4

End annual number: 4

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20021007

Start annual number: 5

End annual number: 5

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20031008

Start annual number: 6

End annual number: 6

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20041008

Start annual number: 7

End annual number: 7

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20051007

Start annual number: 8

End annual number: 8

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20061030

Start annual number: 9

End annual number: 9

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20071029

Start annual number: 10

End annual number: 10

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20081027

Start annual number: 11

End annual number: 11

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20091014

Start annual number: 12

End annual number: 12

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20101014

Start annual number: 13

End annual number: 13

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20111017

Start annual number: 14

End annual number: 14

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20121015

Year of fee payment: 15

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20121015

Start annual number: 15

End annual number: 15

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20131031

Year of fee payment: 16

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20131031

Start annual number: 16

End annual number: 16

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20141120

Year of fee payment: 17

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20141120

Start annual number: 17

End annual number: 17

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20151030

Year of fee payment: 18

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20151030

Start annual number: 18

End annual number: 18

EXPY Expiration of term
PC1801 Expiration of term