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KR950034626A - 반도체 장치 제조 방법 - Google Patents

반도체 장치 제조 방법 Download PDF

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KR950034626A
KR950034626A KR1019950012349A KR19950012349A KR950034626A KR 950034626 A KR950034626 A KR 950034626A KR 1019950012349 A KR1019950012349 A KR 1019950012349A KR 19950012349 A KR19950012349 A KR 19950012349A KR 950034626 A KR950034626 A KR 950034626A
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요시히사 마쯔바라
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니뽄 덴끼 가부시끼가이샤
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Abstract

감소된 막 두께의 저 저항 고융점 금속 규화물막을 형성하는 방법이 기술된다. 상기 규화물막의 저항을 낮추기 위해 상 천이에 필요한 열 처리 온도는 상기 규화물막이 규산화 열처리 이후에 산소 포함 환경에 노출되는“인출(removal)” 온도를 저온으로 제한하므로 감소된다. 불활성 가스 환경 또는 진공 상태에서의 램프 어니얼링 및 300℃이하로의 인출 온도 셋팅에 의해, 과다 산소 포함층의 형성으로 인한 상 천이 온도의 저하가 방지된다. 상기 천이 온도를 낮추므로, 집괴로 인한 저항의 증가 또는 막의 파괴의 문제점도 방지된다.

Description

반도체 장치 제조 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제4(a)도 내지 제4(d)도는 본 발명의 제1실시예를 형성하는 방법의 단계를 설명한 단면도, 제5(a)도 내지 제5(c)도는 본 발명의 제1실시예를 형성하는 방법의 단계를 설명한 제4도의 단계에 후속하는 단계를 설명한 단면도, 제6도는 본 발명에 사용된 열 처리실(heat treatment chamber) 도시도, 제7도는 본 발명의 제1실시예의 영향을 설명한 그래프, 제8도는 본 발명의 제1실시예의 영향을 설명한 그래프.

Claims (13)

  1. 표면이 노출된 확산층과 표면이 노출된 폴리실리콘층 중 적어도 한층을 구비한 반도체 기판상에 고융점 금속막을 형성하는 단계와; 상기 고융점 금속이 실리콘과 반응하게 하기 위해 열처리실에서의 가열에 의해 상기 확상층과 상기 폴리실콘층 중 적어도 한 층 상에 고융점 금속 규화물층을 형성하는 단계와; 상기 고융점 금속 규화물의 저 저항성을 위해 열처리실에서의 가열에 의해 상기 확산층 및 상기 폴리실콘층 중 적어도 한 층상에 상기 고융점 금속 규화물층의 상 천이를 유도하는 단계 및; 상기 반도체기판이 상기 열처리실로부터 인출되고 산소를 포함한 환경에 노출되는 온도가 300℃이하로 설정되게 상기 열처리실로부터 상기 반도체 기판을 인출하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체장치제조 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 열처리가 램프 어니얼링 장치를 사용해서 수행되는 것을 특징으로 하는 반도체 장지 제조 방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 열처리가 불활성 가스환경에서나 또는 진공 상태에서수행되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치 제조 방법.
  4. 제3항에 있어서, 상기 열처리가 불활성 가스가 질소인 것을 특징으로 하는 반도체 장치 제조 방법.
  5. 제3항에 있어서, 상기 불활성 가스가 알곤인 것을 특징으로 하는 반도체 장치 제조 방법.
  6. 제2항에 있어서, 상기 열처리가 불활성 가스 환경에서나 또는 진공 상태에서 수행되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치 제조 방법.
  7. 표면이 노출된 확산층과 표면이 노출된 폴리실리콘층 중 적어도 한층을 구비한 반도체 기판상에 고융점 금속막을 형성하는 단계와; 상기 고융점 금속이 실리콘과 반응하게 하기 위해 열처리실에서의 가열에 의해 상기 확산층 및 상기 폴리실리콘층 중 적어도 한 층상에 고융점 금속 규화물층을 형성하는 단계 및: 상기 반도체 기판이 상기 열처리실로부터 인출되고 산소를 포함하는 환경에 노출되는 온도가 300℃이하로 설정되게 상기 열처리실로부터 상기 반도체기판을 인출하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치 제조 방법.
  8. 제6항에 있어서, 상기 열처리가 램프 어니얼링 장치를 사용하여 수행되는 것을 특징으로하는 반도체 장치 제조 방법.
  9. 제6항에 있어서, 상기 열처리가 불활성 가스 환경에서나 또는 진공 상태에서 수행되는 것을 특징으로하는 반도체 장치 제조 방법.
  10. 제8항에 있어서, 상기 불활성 가스가 질소 또는 알곤인 것을 특징으로 하는 반도체 장치 제조 방법.
  11. 제7항에 있어서, 상기 열처리가 불활성 가스환경에서나 또는 진공 상태에서 수행되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치 제조 방법.
  12. 제1항에 있어서, 상기 고융점 금속막이 티타늄으로 만들어지는 것을 특징으로 하는 반도체 장치 제조 방법.
  13. 제6항에 있어서, 상기 고융점 금속막이 티타늄으로 만들어지는 것을 특징으로 하는 반도체 장치 제조 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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