KR900011047A - 개선된 자기저항기 - Google Patents

Abstract

내용 없음

Description

개선된 자기저항기

본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

제2도는 전기적으로 평행한 2개의 집적감지영역을 갖는 자기저항기를 나타내는 도면, 제3도는 온도 및 자장강도의 변화에 따른 단일소자의 보다큰 밴드갭을 갖는 반도체자기저항기에서의 전기저항의 변화를 나타내는 3차원 혹은 형상플롯, 제10도는 전자들이 자기저항기의 감지영역면상의 특정층하부의 축적층에 어떻게 갇혀지게되는지를 나타내는 전자 에너지의 2차원도, 제12도는 감지영역뿐만아니라 감지영역의 가장자리에 전기적 접속을 만드는 도체로서의 축적층을 가지는 자기저항기를 나타내는 개략도이다.

Claims (15)

1. 기판 및 기판상에 배치된 단결정반도체성물질을 포함하되, 상기 막막은 내, 외부면을 갖고, 상기 단결정반도체성 박막은 상기 막표면에 수직하게 인가되는 자장을 감지하기 위한 근본적으로 직사각형인 감지영역을 포함하고, 상기 감지영역은 상기 박막의 외부면에 인접한 박막부와의 저전기 저항접촉부내의 길이가 같지않다면 보다 짧은 2개의 평형 고전도부사이에 배치되는 상기 막의 전영역으로 한정되도록 구성되어 인가된 자장의 변화에 상응하는 전기출력변화를 제공하는 센서에 있어서, 상기 전기출력변화는 센서가 220℃이상으로 노출된 때에도 1볼트로 정해지며, 상기 기판은 InAs에 가까운 온도팽창계수를 가지는 실질적으로 전기적을 절연된 단결정기판을 포함하며, 센서는 상기 단결정박막으로서 상기 표면상에 배치될 상기 반도체성 물질의 격자상수에 가까운 결정격자상수를 갖고 상기 기판표면을 형성하는, 물질을 포함하며, 상기 단결정약막음 단지 적정평균전류캐리어 밀도 및 적정평균 전류캐리어이동도와 적어도 0.35전자볼트 밴드감을 가지는 반도체성 물질이며, 상기 직사각형 감지영역은 실질적으로 같은 길이의 두개의 긴가장자리와 실질적으로 같은 길이의 두개이 짧은 가장자리를 가지며, 상기 두개의 평행한 전도체중의 하나는 각긴 가장자리의 길이를 따라 연장하며, 그리고 상기 박막내의 축적층은 상기 감지영역을 가로질러 연장하여 상기 박막의 표면에 인접하게 배치되고, 상기 전류캐리어는 상기 축적층에서 상기 감지영역의 마주보는 가장자리를 접속하는 상기 고전도성부분사이를 우선적으로 흐를수 있고, 상기 축적층은 상기 반도체물질의 캐리어이동도 및 농도의 명백한 증가와 상기 막의 두께의 명백한 감소와 상기막의 자기감도 및 상기 막의 자기감도의 온도불감도(temperature insensitivity)의 실질적인 개선을 제공하는데 효과적인 것을 특징으로 하는 센서.
2. 제1항에 있어서, 짧은 가장자리의 길이는 대략 긴 가장자리길이의 30%-50%인 것을 특징으로 하는 센서.
3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 기판은 복수의 상기 박막감지영역을 포함하고, 상기 복수의 감지영역은 전기적으로 다른 하나의 직렬로 연결되는 것을 특징으로 하는 센서.
4. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 단결정반도체성 박막은 연장된 부분을 가지며, 상기 연장된 부분은 복수의 연속적인 감지영역을 포함하며, 각 연속적인 감지영역은 연장된 부분의 폭을 가로질러 연장하며, 상기 감지영역은 전기적으로 다른 하나와 직렬로 연결되며, 전도성 코팅부는 상기 연속감지영역들의 인접한 영역사이의 상기 연장된 부분을 완전히 가로질러 연장하여서, 상기 센서의 전력소모는 상당히 감소되지만 센서크기는 증가하지않는것을 특징으로 하는 센서.
5. 기판 및 기판상에 배치된 단결정반도체성 물질을 포함하되, 상기 막막은 내, 외부면을 갖고, 상기 단결정반도체성박막은 상기 막표면에 수직하게 인가되는 자장을 감지하기 위한 근본적으로 직사각형인 감지영역을 포함하고, 상기 감지영역은 상기 박막의 외부면에 인접한 박막부와의 저전기 저항접촉부내의 길이가 같지않다면 보다 짧은 2개의 평형고전도부사이에 배치되는 상기 막의 전영역으로 한정되도록 구성되어 인가된 자장의 변화에 상응하는 전기출력변화를 제공하는 센서에 있어서, 센서는 0℃이하에서 300℃이상의 온도범위를 초과하는 인가자장의 변화에 응답하여 현저한 비증폭 전기출력변화를 제공하며, 상기 기판은 상기 기판상에 드러난 상기 반도체성물질의 상기 단결정의 온도팽창계수에 가까운 온도팽창계수를 가지며,상기 기판상의 표면적 실질적으로 전기적으로 절연체이고 단결정이며 결정결함을 거의 포함하지않고 또한 상기 반도체성물질의 결정격자상수에 가까운 결정격자상수를 가지며, 실질적으로 직사각형인 감지영역은 긴 가장 자리길이 약 30%-50%인 짧은 가장자리칫수를 가지며 직사각형 감지영역의 긴가장자리의 하나의 길이를 따라 연장하는 상기막상에는 1차 전기전도체가 존재하며, 직사각형 감지영역의 다른 긴 가장자리의 길를 따라 연장하는 상기 막상에는 2차 전도체가 존재하며, 반도체성물질의 상기 막은 5㎛ 두께보다 작고 공칭적으로 도우핑되지않고 또한 주어진 평균전자밀도와 평균전자이동도를 가지며 감지영역의 긴 가장자리를 접속하는 전도체들사이에는 감지영역을 완전히 가로질러 연장하는, 반도체성 막의 외부면과 인접하는 전자축 적층이 존재하고, 상기 축적층은, 반도체성박막이 명백히 얇고 상당히 높은 전자밀도 및 전자이동도를 가질대와 같은 자기감도 및 동작온도범위를 제공하는데 효과적인, 적어도 상기 주어진 평균전자밀도보다 더큰 크기로 정해지는 상기 주어진 평균전자이동도보다 상당히 큰 전자이동도를 가지며, 그리고, 상기 반도체성 박막에 인접하여 상기 반도체성 박막내의 상기 축적층을 유도하기위한 수단이 존재하는 것을 특징을 하는 자기저항성 센서.
6. 제5항에 있어서, 반도체성물질의 단결정박막은 연장된 부분을 가지며, 연장된 부분은 복수의 연속적인 감지영역을 포함하며, 각 연속적인 감지영역은 연장된 부분의 폭을 가로질러 연장하며, 감지영역은 전기적으로 다른 하나에 직렬로 연결되며, 전도성코팅부는 상기 감지영역에 인접한 영역들 사이에서 상기 연장된 부분을 완전히 가로질러 연장하여서, 상기 센서의 전력소모는 현저히 줄어들고 센서의 크기는 현저히 증가되지않는 것을 특징으로 하는 자기 저항성센서.
7. 제6항에 있어서, 복수의 감지영역은 10이상의 복수개이고, 감지영역상부의 전도성 코팅부는 유전층상에 배치된 금속게이트 전극인 것을 특징으로 하는 자기 저항성센서.
8. 제5항에 있어서, 반도체성물질의 단결정막은 대략 1-3㎛두께이고, 공칭적으로 도우핑되지 않으며, 적어도 0.35전자볼트의 밴드갭과 적정평균 전자밀도 및 적정평균 전자이동도를 가지며, 상기 막 표면의 노출된 감지영역상에 상기 박내의 축적층을 유도하고 유지하기위한 코팅수단이 존재하는 것을 특징으로 하는 자기 저항성센서.
9. 제8항에 있어서, 박막내의 축적층을 유도하기위한 수단은 막표면상의 코팅부이고, 코팅부는 감지영역상부의 금속층의 분리된 부분을 포함하는 것을 특징으로 하는 자기 저항성센서.
10. 제9항에 있어서, 기판은 복수의 박막감지영역을 포함하고, 상기 감지영역은 전기적으로 다른하나에 직렬로 연결되고, 코팅부는 전기접속부에서 상기 센서로 전압의 인가없이 상기 박막내의 축적층을 유도하기 위하여, 감지영역전도체로 제조되는 각각의 전기접속부를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 자기저항성센서.
11. 제10항에 있어서, 상기막은 연장부분을 가지며, 연장부분의 각 단부는 다른하나에 직렬로 감지영역을 전기적으로 바이어스하기위한 전지접속부를 가지며, 상기 기판은 저항기회로망을 포함하며, 상기 저항기 회로망은 상기 금속층과 상기 접속부의 상기 분리부분을 서로 연결하여 감지영역이 바이어스될때 상기막의 각 감지영역에 대하여 상기 금속층부분을 동시에 전기적으로 바이어스함으로써 상기 박막내의 상기 축적층을 도시에 유도하고 확장하도록 구성되는 것을 특징으로 하는 자기 저항성센서.
12. 제8항에 있어서, 박막내의 축정층을 유도하기위한 코팅부수단은 전극층을 포함하며, 전극층은 감지영역 상부에 배치되며, 상기 전극층은 전위가 상기 감지영역의 긴 가장자리를 접속하는 상기 도체의 하나에 인가될 때 전기적으로 바이어스되는 것을 특징으로 하는 자기 저항성센서.
13. 제8항에 있어서, 반도체물질의 단결정막은 연장된 부분을 가지며, 연장된 부분은 복수의 연속적인 감지영역을 포함하며, 상기 연속적인 감지영역은 연장된 부분의 폭을 가로질러 연장하며, 감지영역은 다른하나에 전기적을 직렬로 연결되며, 전도성코팅부는 인접한 영역들 사이의 상기 연장된 부분을 완전히 가로질러 연장하여서 상기 센서의 전력소모는 현저히 감소되지만 센서크기는 현저히 증가되지 않는것을 특징으로 하는 자기 저항성센서.
14. 실질적으로 전기절연성의 단결정기판을 제공하는 단계; MOCVD공정을 사용하여 5㎛보다 작은 두께로 상기 기판위에 공칭적으로 도우핑되지않은 실질적으로 격자정합반도체 물질의 단결정막을 증착하는 단계, 상기 막상에 직사각형의 자장감지영역을 한정하는 단계, 전류캐리어가 자장검출을 위해 상기 감지영역내에 주입될 수 잇도록 상기 직사각형 감지영역의 각 긴가장자리를 따라 연장되는 전도체를 형성하는 단계 및 상기막내에 유로된 축정층을 유지하기 위한 적어도 하나의 층으로 상기 감지영역을 코팅하는 단계를 포함하는 자기저항성센서의 제조방법.
15. 제14항에 있어서, 실질적으로 격자정합반도체성물질은 3㎛보다 적은 두께로 상기 기판상에 증착되며, 상기 반도체성 물질은 주어진 평균캐리어 농도 및 주어진 평균전자이동도와 적어도 대략 0.35전자볼트의 밴드갭을 가지며, 상기 감지영역은 상기 막의 감지영역내의 상기 축적층을 유도하고 확장하기 위해 적어도 하나의 층으로 코팅되는 자기저항성 센서를 제조하는 방법.

    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.