KR102606113B1 - 연삭 연마 장치 및 연삭 연마 방법 - Google Patents
연삭 연마 장치 및 연삭 연마 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR102606113B1 KR102606113B1 KR1020190003709A KR20190003709A KR102606113B1 KR 102606113 B1 KR102606113 B1 KR 102606113B1 KR 1020190003709 A KR1020190003709 A KR 1020190003709A KR 20190003709 A KR20190003709 A KR 20190003709A KR 102606113 B1 KR102606113 B1 KR 102606113B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- wafer
- grinding
- holding
- water
- polishing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000005498 polishing Methods 0.000 title claims abstract description 127
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 28
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 130
- 238000004891 communication Methods 0.000 claims abstract description 57
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims abstract description 18
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims description 12
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 6
- 238000003754 machining Methods 0.000 claims description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 abstract description 10
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 126
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 36
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 15
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 10
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 6
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 description 3
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 3
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000004745 nonwoven fabric Substances 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/005—Control means for lapping machines or devices
- B24B37/015—Temperature control
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/34—Accessories
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B41/00—Component parts such as frames, beds, carriages, headstocks
- B24B41/06—Work supports, e.g. adjustable steadies
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B55/00—Safety devices for grinding or polishing machines; Accessories fitted to grinding or polishing machines for keeping tools or parts of the machine in good working condition
- B24B55/02—Equipment for cooling the grinding surfaces, e.g. devices for feeding coolant
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Grinding Of Cylindrical And Plane Surfaces (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Grinding-Machine Dressing And Accessory Apparatuses (AREA)
- Constituent Portions Of Griding Lathes, Driving, Sensing And Control (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Polishing Bodies And Polishing Tools (AREA)
Abstract
(해결 수단) 웨이퍼 유지 수단 (5) 과, 웨이퍼 연삭 수단 (30, 31) 과, 웨이퍼 연마 수단 (4) 을 구비하고, 유지 수단 (5) 은, 웨이퍼 유지면 (50a) 을 갖는 포러스판 (50) 과, 유지면 (50a) 을 노출시켜 포러스판 (50) 을 수용하는 오목부 (511a) 를 갖는 프레임체 (51) 를 구비하고, 프레임체 (51) 는, 하면 (511b) 과 오목부 (511a) 바닥면을 연통시켜 하면 (511b) 측을 흡인원 (59) 에 접속하는 흡인로 (510) 와, 하면 (511b) 과 오목부 (511a) 외측의 상면 (512a) 을 연통시켜 하면 (511b) 측을 수공급원 (57) 에 접속하는 연통로를 구비하고, 연통로가 상면 (512a) 에 개구된 분출구로부터 물을 분출시켜 웨이퍼와 유지면 (50a) 사이에 수 시일을 형성하는 경우의 수량과 유지 수단 (5) 을 냉각시키는 경우의 수량을 제어하는 수단 (9) 을 구비한 연삭 연마 장치 (1) 이다.
Description
도 2 는 유지 수단의 구조의 일례를 나타내는 단면도이다.
도 3 은 유지 수단으로 유지된 웨이퍼를 연삭 지석으로 연삭하고 있는 상태를 나타내는 단면도이다.
도 4 는 유지 수단으로 유지된 웨이퍼를 연마 패드로 연마하고 있는 상태를 나타내는 단면도이다.
10:제 1 장치 베이스
A:반출입 영역
150:제 1 카세트 재치부
150a:제 1 카세트
151:제 2 카세트 재치부
151a:제 2 카세트
152:임시 재치 영역
153:위치 맞춤 수단
154a:로딩 아암
154b:언로딩 아암
155:로봇
156:세정 수단
11:제 2 장치 베이스
B:가공 영역
12:제 1 칼럼
20:조연삭 이송 수단
30:조연삭 수단
13:제 2 칼럼
21:마무리 연삭 이송 수단
31:마무리 연삭 수단
14:제 3 칼럼
24:Y 축 방향 이동 수단
25:연마 이송 수단
4:연마 수단
6:턴 테이블
5:유지 수단
50:포러스판
50a:유지면
51:프레임체
53:회전 커버
511:제 1 프레임체
511a:오목부
511b:제 1 프레임체의 하면
511f:제 1 연통로
512:제 2 프레임체
512f:제 2 연통로
55:로터리 조인트
56:회전 수단
560:스핀들
560a:공급로
560b:스핀들 흡인로
57:수공급원
571:배관
572:유량 조정 밸브
59:흡인원
70:케이스 커버
71, 72:가공실
9:제어 수단
Claims (3)
- 웨이퍼를 흡인 유지하는 유지면을 갖는 유지 수단과, 그 유지 수단이 흡인 유지한 웨이퍼를 연삭 지석으로 연삭하는 연삭 수단과, 그 유지 수단이 흡인 유지한 연삭 후의 웨이퍼를 연마 패드로 연마하는 연마 수단을 구비한 연삭 연마 장치로서,
그 유지 수단은, 웨이퍼를 흡인 유지하는 유지면을 갖는 포러스판과, 그 유지면을 노출시켜 그 포러스판을 수용하는 오목부를 갖는 프레임체를 구비하고,
그 프레임체는, 제 1 프레임체의 하면과 그 오목부의 바닥면을 연통시켜 하면측을 흡인원에 접속하는 흡인로와, 그 하면과 그 오목부 외측의 제 2 프레임체의 상면을 연통시켜 그 하면측을 수공급원에 접속하는 연통로를 구비하고,
그 연통로가 그 상면에 개구된 분출구로부터 물을 분출시키고, 그 유지면에 재치된 그 웨이퍼의 하면의 외주측 영역과 그 유지면과의 간극을 그 물로 막은 후, 그 유지면에 흡인 유지된 웨이퍼의 외주연의 외측에 그 물로 수 시일을 형성하여 웨이퍼의 외주연과 그 유지면과의 사이의 베큠 리크를 방지하는 경우의 제 1 수량과, 웨이퍼를 연마할 때에 그 물을 그 유지면에 도달시키지 않고 그 유지 수단을 냉각시키는 경우의 제 2 수량을 제어하는 제어 수단을 구비한, 연삭 연마 장치. - 제 1 항에 있어서,
상기 프레임체는, 상기 오목부를 구비하고 상기 하면과 외측면을 연통하는 제 1 연통로를 갖는 제 1 프레임체와, 그 제 1 프레임체의 외측면을 둘러싸고, 내측면과 상기 상면을 연통시켜 그 제 1 연통로에 접속하는 제 2 연통로를 갖는 제 2 프레임체를 구비하는, 연삭 연마 장치. - 제 1 항 또는 제 2 항에 기재된 연삭 연마 장치를 사용하여, 웨이퍼를 상기 유지 수단에 흡인 유지시키고 연삭 연마하는 연삭 연마 방법으로서,
상기 제 1 수량으로 상기 분출구로부터 물을 공급하여 상기 유지면에 재치한 웨이퍼의 하면의 외주측 영역과 그 유지면과의 간극을 그 물로 막은 후, 상기 흡인원이 생성하는 흡인력을 그 유지면에 전달하여 웨이퍼를 흡인 유지하고, 웨이퍼의 외주연의 외측에 그 물로 물 시일을 형성하여 웨이퍼의 외주연과 그 유지면과의 사이의 베큠 리크를 방지하는 유지 공정과,
그 수 시일을 형성시킨 그 유지 수단을 상기 연삭 수단이 웨이퍼를 연삭하는 소정의 연삭 가공 위치에 이동시키는 연삭 준비 공정과,
그 유지 수단이 유지한 웨이퍼를 상기 연삭 지석으로 연삭하는 연삭 공정과,
연삭 공정 후, 그 유지 수단을 상기 연마 수단이 웨이퍼를 연마하는 소정의 연마 가공 위치에 이동시키는 연마 준비 공정과,
그 제 1 수량보다 적은 상기 제 2 수량으로 상기 연통로에 통수시키고 그 분출구로부터 그 물을 분출시켜 그 물을 그 유지면에 도달시키지 않고 그 유지 수단을 냉각시키면서 그 연마 패드로 웨이퍼를 연마하는 연마 가공 공정을 구비한, 연삭 연마 방법.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JPJP-P-2018-014332 | 2018-01-31 | ||
JP2018014332A JP7096674B2 (ja) | 2018-01-31 | 2018-01-31 | 研削研磨装置及び研削研磨方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20190093122A KR20190093122A (ko) | 2019-08-08 |
KR102606113B1 true KR102606113B1 (ko) | 2023-11-23 |
Family
ID=67483688
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020190003709A Active KR102606113B1 (ko) | 2018-01-31 | 2019-01-11 | 연삭 연마 장치 및 연삭 연마 방법 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7096674B2 (ko) |
KR (1) | KR102606113B1 (ko) |
CN (1) | CN110103131B (ko) |
TW (1) | TWI781284B (ko) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110625519B (zh) * | 2019-08-26 | 2021-08-03 | 苏州冠博控制科技有限公司 | 一种高精度晶圆研磨机 |
JP7353715B2 (ja) * | 2019-10-25 | 2023-10-02 | 株式会社ディスコ | 被加工物の研削方法 |
JP7358222B2 (ja) * | 2019-12-06 | 2023-10-10 | 株式会社ディスコ | 板状物保持具 |
JP7575220B2 (ja) | 2020-08-31 | 2024-10-29 | 株式会社ディスコ | 研削装置 |
JP7592361B2 (ja) | 2020-11-11 | 2024-12-02 | 株式会社ディスコ | 加工装置 |
CN113021105B (zh) * | 2021-02-25 | 2022-02-01 | 深圳市昶东鑫线路板有限公司 | 一种用于线路板预处理的研磨装置及其研磨方法 |
CN113199487B (zh) * | 2021-03-30 | 2022-04-01 | 武汉数字化设计与制造创新中心有限公司 | 磨抛单元位姿感知方法、打磨方法和磨抛单元 |
JP2023014896A (ja) * | 2021-07-19 | 2023-01-31 | 株式会社ディスコ | 保持テーブル |
JP7662484B2 (ja) | 2021-10-01 | 2025-04-15 | 株式会社ディスコ | 研削装置 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003092276A (ja) * | 2001-09-19 | 2003-03-28 | Nikon Corp | 加工装置、これを用いた半導体デバイス製造方法およぴこの方法により製造される半導体デバイス。 |
JP2017140665A (ja) | 2016-02-09 | 2017-08-17 | 株式会社荏原製作所 | 基板処理装置及び制御方法 |
JP2017195218A (ja) * | 2016-04-18 | 2017-10-26 | 株式会社ディスコ | チャックテーブル機構及び搬送方法 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01252333A (ja) * | 1988-03-30 | 1989-10-09 | Toshiba Corp | 保持装置 |
JPH05183042A (ja) * | 1991-12-28 | 1993-07-23 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウェーハの吸着方法 |
JP3231659B2 (ja) * | 1997-04-28 | 2001-11-26 | 日本電気株式会社 | 自動研磨装置 |
SG70097A1 (en) * | 1997-08-15 | 2000-01-25 | Disio Corp | Apparatus and method for machining workpieces by flushing working liquid to the tool-and-workpiece interface |
JP4838614B2 (ja) * | 2006-03-29 | 2011-12-14 | 株式会社岡本工作機械製作所 | 半導体基板の平坦化装置および平坦化方法 |
JP2009113145A (ja) * | 2007-11-06 | 2009-05-28 | Disco Abrasive Syst Ltd | 研磨装置のチャックテーブル機構 |
JP5944724B2 (ja) * | 2012-04-12 | 2016-07-05 | 株式会社ディスコ | チャックテーブル |
KR101920941B1 (ko) * | 2012-06-08 | 2018-11-21 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 처리 장치, 기판 처리 방법, 유체의 공급 방법 및 기억 매체 |
JP6166958B2 (ja) * | 2013-06-10 | 2017-07-19 | 株式会社ディスコ | チャックテーブル及び研磨装置 |
JP6377459B2 (ja) * | 2014-08-29 | 2018-08-22 | 株式会社ディスコ | ウエーハ検査方法、研削研磨装置 |
JP6792363B2 (ja) * | 2016-07-22 | 2020-11-25 | 株式会社ディスコ | 研削装置 |
-
2018
- 2018-01-31 JP JP2018014332A patent/JP7096674B2/ja active Active
-
2019
- 2019-01-11 KR KR1020190003709A patent/KR102606113B1/ko active Active
- 2019-01-25 CN CN201910071570.2A patent/CN110103131B/zh active Active
- 2019-01-28 TW TW108103163A patent/TWI781284B/zh active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003092276A (ja) * | 2001-09-19 | 2003-03-28 | Nikon Corp | 加工装置、これを用いた半導体デバイス製造方法およぴこの方法により製造される半導体デバイス。 |
JP2017140665A (ja) | 2016-02-09 | 2017-08-17 | 株式会社荏原製作所 | 基板処理装置及び制御方法 |
JP2017195218A (ja) * | 2016-04-18 | 2017-10-26 | 株式会社ディスコ | チャックテーブル機構及び搬送方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TWI781284B (zh) | 2022-10-21 |
KR20190093122A (ko) | 2019-08-08 |
JP7096674B2 (ja) | 2022-07-06 |
CN110103131B (zh) | 2023-04-18 |
TW201934261A (zh) | 2019-09-01 |
JP2019130607A (ja) | 2019-08-08 |
CN110103131A (zh) | 2019-08-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR102606113B1 (ko) | 연삭 연마 장치 및 연삭 연마 방법 | |
TWI733849B (zh) | 研磨裝置 | |
TWI678750B (zh) | 基板處理裝置及處理方法 | |
JP6767803B2 (ja) | 加工装置 | |
JP6829590B2 (ja) | 研削装置 | |
TW202026106A (zh) | 研磨裝置及研磨方法 | |
US12030157B2 (en) | Processing method | |
TWI779164B (zh) | 磨削裝置 | |
JP2003282673A (ja) | 半導体ウエーハの搬送装置 | |
JP7299773B2 (ja) | 研削装置 | |
US20220375780A1 (en) | Processing apparatus | |
JP7368137B2 (ja) | ウェーハの加工方法 | |
JP6765267B2 (ja) | 研磨ユニット | |
JP2023172162A (ja) | チャックテーブル及びドライ研磨装置 | |
JP2003273055A (ja) | スピンナー洗浄装置 | |
JP2003257912A (ja) | 半導体ウエーハの洗浄装置 | |
JP6346541B2 (ja) | バフ処理装置、および、基板処理装置 | |
TW202330191A (zh) | 磨削裝置 | |
JP2025084425A (ja) | 加工装置 | |
JP2023167564A (ja) | 加工装置 | |
JP2021169126A (ja) | 研削研磨装置 | |
JP2022117656A (ja) | 研削ホイール、及びウェーハの研削方法 | |
JP2024150253A (ja) | ウェーハの研削方法 | |
JP2024022107A (ja) | 加工装置 | |
JP2023171983A (ja) | 研削装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PA0109 | Patent application |
Patent event code: PA01091R01D Comment text: Patent Application Patent event date: 20190111 |
|
PG1501 | Laying open of application | ||
A201 | Request for examination | ||
PA0201 | Request for examination |
Patent event code: PA02012R01D Patent event date: 20211006 Comment text: Request for Examination of Application Patent event code: PA02011R01I Patent event date: 20190111 Comment text: Patent Application |
|
E902 | Notification of reason for refusal | ||
PE0902 | Notice of grounds for rejection |
Comment text: Notification of reason for refusal Patent event date: 20230619 Patent event code: PE09021S01D |
|
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
PE0701 | Decision of registration |
Patent event code: PE07011S01D Comment text: Decision to Grant Registration Patent event date: 20230920 |
|
GRNT | Written decision to grant | ||
PR0701 | Registration of establishment |
Comment text: Registration of Establishment Patent event date: 20231121 Patent event code: PR07011E01D |
|
PR1002 | Payment of registration fee |
Payment date: 20231121 End annual number: 3 Start annual number: 1 |
|
PG1601 | Publication of registration |