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KR102306828B1 - Metal Powder and Overhead Equipment and Overhead Method Thereof - Google Patents

Metal Powder and Overhead Equipment and Overhead Method Thereof Download PDF

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KR102306828B1
KR102306828B1 KR1020190160532A KR20190160532A KR102306828B1 KR 102306828 B1 KR102306828 B1 KR 102306828B1 KR 1020190160532 A KR1020190160532 A KR 1020190160532A KR 20190160532 A KR20190160532 A KR 20190160532A KR 102306828 B1 KR102306828 B1 KR 102306828B1
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plasma
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(주)선영시스텍
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Abstract

본 발명은 티타늄 등의 금속을 플라즈마로 용융하여 분말로 가공할 수 있는 금속 분말 가공장치에 대한 것이며, 구체적으로 발명은 모재가 공급되는 모재공급장치와 모재공급장치에 형성되며, 전류가 공급되어 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 발생장치와 플라즈마 발생장치에 형성되며, 적어도 하나의 가스가 분출되는 가스분출장치를 구비한다.The present invention relates to a metal powder processing apparatus capable of processing into powder by melting metal such as titanium with plasma, specifically, the invention is formed in a base material supply device and a base material supply device to which a base material is supplied, and an electric current is supplied to the plasma It is formed in the plasma generator and the plasma generator for generating a gas, and at least one gas ejection device is provided.

Description

금속 분말 및 이의 가공장치, 가공방법{Metal Powder and Overhead Equipment and Overhead Method Thereof}Metal Powder and Overhead Equipment and Overhead Method Thereof

본 발명은 티타늄 등의 금속을 플라즈마로 용융하여 분말로 가공할 수 있는 금속 분말 및 이의 가공장치, 가공방법에 대한 것이다. The present invention relates to a metal powder that can be processed into powder by melting metal such as titanium with plasma, a processing apparatus thereof, and a processing method.

특허문헌 001은 회전하는 피용융체의 선단부에 용융에너지를 형성시켜, 피용융체에서 용융된 부분이 원심력에 의해 자유공간으로 벗어나면서 표면장력에 의해 미세한 구슬 형태를 띤 상태로 냉각 응고되어, 구형 금속 분말이 제조되도록 하는 구형 금속 분말 제조장치에 있어서, 챔버 내에 위치한 피용융체를 사전에 설정된 속도로 회전시키는 회전부; 용융에너지 발생을 위해 사전에 설정된 구동신호를 직류 또는 펄스형태(교류펄스 또는 직류펄스)로 제공하는 구동부; 상기 구동부의 구동신호에 따라 극성 교번 또는 레벨 변화하면서 상기 피용융체와 작용하는 용융에너지와 용융된 금속 부분에서 파동 에너지가 일어나도록 하면서 상기 피용융체의 작용 선단부를 용융시키는 용융부를 포함하는 기술을 제시하고 있다.Patent Document 001 forms melting energy at the tip of a rotating molten object, and the molten portion of the molten object escapes into free space by centrifugal force and is cooled and solidified in a fine bead shape by surface tension, spherical metal powder In the spherical metal powder manufacturing apparatus for producing the spherical metal powder, the rotating unit for rotating the molten object located in the chamber at a preset speed; a driving unit for providing a driving signal set in advance for generating melt energy in a DC or pulse form (AC pulse or DC pulse); A technology including a melting part that melts the working tip of the molten object while allowing the molten energy to act with the molten object and wave energy to occur in the molten metal part while changing the polarity or level according to the driving signal of the driving part have.

특허문헌 002는 금속 화합물 증기로부터 금속 산화물 나노분말의 합성을 위한 공정이 제공된다. 이 공정은 금속 화합물 증기를 반응 온도로 하는 단계, 반응 온도에서 금속 화합물 증기를 산화 가스와 반응하여 금속 산화물 증기를 생성하는 단계, 크게 소용돌이치는 가스 소화 영역을 생성하는 단계 및 소화 영역에서 금속 산화물 증기를 냉각함에 의해 금속 산화물 나노분말을 생산하는 단계를 포함하는 기술을 제시하고 있다.Patent Document 002 provides a process for the synthesis of metal oxide nanopowders from metal compound vapors. The process includes bringing the metal compound vapor to a reaction temperature, reacting the metal compound vapor with an oxidizing gas at the reaction temperature to produce a metal oxide vapor, creating a highly swirling gas extinguishing zone, and metal oxide vapor in the extinguishing zone. A technique including the step of producing a metal oxide nanopowder by cooling is presented.

특허발명 003은 반응기; 상기 반응기의 상부에 구비되어, 원료분말을 용융시키는 플라즈마 토치; 원료분말을 플라즈마 화염의 특정 온도구역에 공급하기 위해 상기 반응기와 연통되는 위치 조절가능한 노즐; 냉각 가스 공급부; 및 분말 저장조를 포함하는 500 nm-10 ㎛ 크기의 구형 분말의 제조장치를 제공하며, 또한, 상기 제조장치를 이용한 500 nm-10 ㎛ 크기의 구형 분말의 제조방법에 있어서, 원료분말의 융점-비점 사이의 온도가 형성되는 플라즈마 온도구역에 원료분말을 주입하고, 금속, 금속의 합금, 산화금속, 세라믹 및 금속/세라믹 복합물질로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상의 원료분말을 이용하되, 제조장치를 이용하여 제조되는 500 nm-10 ㎛ 크기의 구형 분말을 포함하는 기술을 제시하고 있다. Patent Invention 003 is a reactor; a plasma torch provided at the upper part of the reactor to melt the raw material powder; a position-adjustable nozzle in communication with the reactor for supplying the raw material powder to a specific temperature zone of the plasma flame; cooling gas supply; It provides an apparatus for producing a spherical powder having a size of 500 nm-10 μm including a powder storage tank, and further, in the method for producing a spherical powder having a size of 500 nm-10 μm using the production device, the melting point-boiling point of the raw material powder Injecting the raw material powder into the plasma temperature zone where the temperature between A technology including a spherical powder with a size of 500 nm-10 μm produced using

특허발명 004는 플라즈마 분무화 금속 분말 제조 프로세스로서, 가열된 금속 소스를 제공하는 단계; 상기 가열된 금속 소스의 분무화를 유발시키기에 효과적인 조건 하에서 적어도 하나의 플라즈마 소스의 플라즈마와 상기 가열된 금속 소스를 접촉시키는 단계를 포함하고, 가열된 금속 소스를 제공하는 단계; 상기 가열된 금속 소스의 분무화를 유발시키기에 효과적인 조건 하에서 적어도 하나의 플라즈마 소스의 플라즈마와 상기 가열된 금속 소스를 접촉시켜, ASTM B214에 따라 측정된 적어도 80 %의 0 내지 106 마이크로미터 입자 크기 분포 수득율을 나타내는 미가공 금속 분말을 획득하는 단계를 포함하며, 가열된 금속 소스를 제공하는 단계; 상기 가열된 금속 소스의 분무화를 유발시키기에 효과적인 조건 하에서 적어도 하나의 플라즈마 소스의 플라즈마와 상기 가열된 금속 소스를 접촉시키는 단계를 포함하며, 상기 분무화는 대략 20 미만의 가스 대 금속의 비율을 이용하여 수행되고, 이에 따라 ASTM B214에 따라 측정된 적어도 80 %의 0 내지 106 마이크로미터 입자 크기 분포 수득율을 나타내는 미가공 금속 분말을 획득하는 것인 플라즈마 분무화 금속 분말 제조 프로세스를 포함하는 기술을 제시하고 있다.Patent Invention 004 discloses a process for producing a plasma atomized metal powder comprising: providing a heated metal source; contacting the heated metal source with a plasma of at least one plasma source under conditions effective to cause atomization of the heated metal source; providing a heated metal source; A 0 to 106 micron particle size distribution of at least 80% measured in accordance with ASTM B214 by contacting the heated metal source with a plasma of at least one plasma source under conditions effective to cause atomization of the heated metal source. obtaining a raw metal powder exhibiting yield, the method comprising: providing a heated metal source; contacting the heated metal source with a plasma of at least one plasma source under conditions effective to cause atomization of the heated metal source, wherein the atomizing has a gas to metal ratio of less than about 20 A technique comprising a plasma atomizing metal powder manufacturing process, wherein the process comprises a plasma atomizing metal powder manufacturing process performed using have.

KR 10-2018-0013482 A (2018년02월07일)KR 10-2018-0013482 A (February 07, 2018) KR 10-2004-0007511 A (2004년01월24일)KR 10-2004-0007511 A (January 24, 2004) KR 10-2013-0043599 A (2013년04월30일)KR 10-2013-0043599 A (April 30, 2013) KR 10-2018-0056641 A (2018년05월29일)KR 10-2018-0056641 A (May 29, 2018)

본 발명은 티타늄 등의 금속을 플라즈마로 용융하여 분말로 가공할 수 있는 금속 분말 및 이의 가공장치, 가공방법에 대한 것이다.The present invention relates to a metal powder that can be processed into powder by melting metal such as titanium with plasma, a processing apparatus thereof, and a processing method.

종래발명들의 문제점을 해결하기 위한 것이며, 본 발명은 모재(10)가 공급되는 모재공급장치(100);, 상기 모재공급장치(100)에 형성되며, 전류가 공급되어 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 발생장치(200); 상기 플라즈마 발생장치(200)에 형성되며, 적어도 하나의 가스가 분출되는 가스분출장치(300);를 포함하는 구성으로 이루어진다. In order to solve the problems of the prior inventions, the present invention provides a base material supply device 100 to which a base material 10 is supplied; a plasma generating device formed in the base material supply device 100 and supplied with a current to generate plasma (200); It is formed in the plasma generating device 200, and at least one gas is ejected gas ejection device 300; consists of a configuration including a.

본 발명은 금속 분말 가공장치에 대한 발명이며, 앞에서 제시한 모재공급장치(100);, 플라즈마 발생장치(200); 가스분출장치(300);로 이루어지는 발명에 상기 플라즈마 발생장치(200)에 형성되며, 상기 모재(10)로 전류를 공급하는 전류공급부(210); 복수의 상기 모재(10) 사이로 플라즈마가 발생되는 플라즈마 발생부(220);를 부가한다.The present invention is an invention for a metal powder processing apparatus, and the above-mentioned base material supply apparatus 100;, a plasma generator 200; Gas ejection device 300; is formed in the plasma generating device 200 in the invention consisting of, a current supply unit 210 for supplying current to the base material (10); A plasma generating unit 220 for generating plasma between the plurality of the base materials 10; is added.

본 발명은 금속 분말 가공장치에 대한 발명이며, 앞에서 제시한 모재공급장치(100);, 플라즈마 발생장치(200); 가스분출장치(300);로 이루어지는 발명에 상기 가스분출장치(300)에 형성되며, 가스가 저장되는 저장탱크(310); 상기 저장탱크(310)에서 공급되는 가스가 분출되는 분출장치(320);를 부가한다.The present invention is an invention for a metal powder processing apparatus, and the above-mentioned base material supply apparatus 100;, a plasma generator 200; Gas ejection device 300; is formed in the invention consisting of the gas ejection device 300, a storage tank 310 for storing gas; A jet device 320 through which the gas supplied from the storage tank 310 is jetted; is added.

본 발명은 금속 분말 가공장치에 대한 발명이며, 앞에서 제시한 모재공급장치(100);, 플라즈마 발생장치(200); 가스분출장치(300);로 이루어지는 발명에 상기 가스분출장치(300)에 의하여 하강하는 용융된 모재 분말(20)을 냉각시키는 냉각장치(400);를 부가한다.The present invention is an invention for a metal powder processing apparatus, and the above-mentioned base material supply apparatus 100;, a plasma generator 200; A cooling device 400 for cooling the molten base material powder 20 descending by the gas ejection device 300 to the invention consisting of a gas ejection device 300; is added.

본 발명은 금속 분말 가공방법에 대한 발명이며, 앞에서 제시한 발명에 있어서, 모재공급장치(100)에서 모재(10)가 공급되는 공급단계(S1100);, 복수의 상기 모재(10) 사이로 가스가 분출되는 가스분출단계(S1200);, 상기 모재(10)에 전류가 공급되어 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 발생단계(S1300); 상기 모재(10)의 일단부가 용융되며, 하강함에 따라 냉각되는 냉각단계(S1400);를 포함하는 구성으로 이루어진다.The present invention is an invention for a metal powder processing method, and in the invention presented above, a supply step (S1100) in which the base material 10 is supplied from the base material supply device 100; gas is passed between the plurality of base materials 10 A gas ejecting step (S1200) to be ejected, a plasma generating step (S1300) of generating plasma by supplying a current to the base material 10; One end of the base material 10 is melted and cooled as it descends (S1400).

본 발명은 금속 분말 가공방법에 대한 발명이며, 앞에서 제시한 발명에 있어서, 금속 분말 가공방법으로 가공되는 것;을 포함하는 구성으로 이루어진다.The present invention is an invention for a metal powder processing method, and in the invention presented above, processing by a metal powder processing method; consists of a configuration including.

본 발명은 AC 전류로 금속 모재를 용융하는 것으로 복수의 모재 단부 온도가 일정하게 유지될 수 있다.The present invention is to melt the metal base material with an AC current, a plurality of base metal end temperatures can be kept constant.

본 발명은 모재를 분사함과 동시에 전류에 가스를 공급하여 플라즈마를 발생시킬 수 있다.The present invention can generate plasma by supplying a gas to an electric current at the same time as spraying the base material.

본 발명은 전류에 의하여 플라즈마가 발생됨에 따라 효과적으로 모재를 용융시킬 수 있다.The present invention can effectively melt the base material as plasma is generated by electric current.

본 발명은 용융되는 모재의 상부에서 가스가 공급되어 모재 분말이 분사될 수 있다.In the present invention, the gas is supplied from the upper portion of the base material to be melted, so that the base material powder can be sprayed.

본 발명은 모재 분말이 케이싱 내부에서 와류를 발생시키며 하강하는 것으로 완전한 구형을 생성할 수 있다.The present invention can create a perfect spherical shape by descending the base metal powder while generating a vortex inside the casing.

본 발명은 모재 분말을 급속 냉동시켜 모재 분말의 형태를 일정하게 유지할 수 있다.The present invention can maintain a constant shape of the base material powder by rapidly freezing the base material powder.

도 1은 본 발명의 금속 분말 가공장치를 나타낸 단면도.
도 2는 본 발명의 플라즈마 발생부를 나타낸 단면도.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 전류공급바가 형성된 금속 분말 가공장치를 나타낸 단면도.
도 4는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 모재공급장치를 나타낸 단면도.
도 5는 본 발명의 하강조절장치를 나타낸 단면도.
도 6은 본 발명의 완충장치가 결합된 금속 분말 가공장치를 나타낸 단면도.
도 7은 본 발명의 금속 분말 가공방법을 나타낸 순서도.1 is a cross-sectional view showing a metal powder processing apparatus of the present invention.
Figure 2 is a cross-sectional view showing a plasma generator of the present invention.
Figure 3 is a cross-sectional view showing a metal powder processing apparatus formed with a current supply bar according to another embodiment of the present invention.
Figure 4 is a cross-sectional view showing a base material supply device according to another embodiment of the present invention.
Figure 5 is a cross-sectional view showing the lowering control device of the present invention.
Figure 6 is a cross-sectional view showing a metal powder processing apparatus combined with the shock absorber of the present invention.
7 is a flow chart showing the metal powder processing method of the present invention.

이하, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명을 용이하게 실시할 수 있을 정도로 상세히 설명하기 위하여, 본 발명의 가장 바람직한 실시 예를 상세하게 설명한다.Hereinafter, the most preferred embodiment of the present invention will be described in detail in order to describe in detail enough that a person of ordinary skill in the art to which the present invention pertains can easily carry out the present invention.

아래의 실시예에서 인용하는 번호는 인용대상에만 한정되지 않으며, 모든 실시예에 적용될 수 있다. 실시예에서 제시한 구성과 동일한 목적 및 효과를 발휘하는 대상은 균등한 치환대상에 해당된다. 실시예에서 제시한 상위개념은 기재하지 않은 하위개념 대상을 포함한다.The numbers cited in the examples below are not limited only to the objects of reference, and may be applied to all examples. Objects exhibiting the same purpose and effect as the configuration presented in the examples correspond to equivalent replacement objects. The higher-level concept presented in the examples includes sub-concept objects that are not described.

(실시예 1-1) 본 발명은 금속 분말 가공장치에 있어서, 모재(10)가 공급되는 모재공급장치(100);, 상기 모재공급장치(100)에 형성되며, 전류가 공급되어 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 발생장치(200); 상기 플라즈마 발생장치(200)에 형성되며, 적어도 하나의 가스가 분출되는 가스분출장치(300);를 포함한다.(Example 1-1) In the present invention, in a metal powder processing apparatus, a base material supply device 100 to which a base material 10 is supplied; is formed in the base material supply device 100, and a current is supplied to generate plasma Plasma generator 200 to make; and a gas ejection device 300 formed in the plasma generator 200 and ejecting at least one gas.

(실시예 1-2) 본 발명의 금속 분말 가공장치는 실시예 1-1 있어서, 상기 모재공급장치(100)는 상기 모재(10)가 수용되는 공급챔버(110);, 상기 플라즈마 발생장치(200)로 연장되며, 상기 모재(10)가 공급되는 공급체(120);를 포함한다.(Example 1-2) The metal powder processing apparatus of the present invention is in Example 1-1, wherein the base material supply device 100 includes a supply chamber 110 in which the base material 10 is accommodated; the plasma generator ( 200), and the supply body 120 to which the base material 10 is supplied; includes.

(실시예 1-3) 본 발명의 금속 분말 가공장치는 실시예 1-2 있어서, 상기 공급챔버(110)의 외측에 형성되며, 내부 온도를 조절하는 단열재(130);를 포함한다.(Embodiment 1-3) In Embodiment 1-2, the metal powder processing apparatus of the present invention includes a heat insulating material 130 formed outside the supply chamber 110 and controlling an internal temperature.

(실시예 1-4) 본 발명의 금속 분말 가공장치는 실시예 1-2에 있어서, 상기 모재(10)는 티타늄으로 형성되며, 상기 공급챔버(110) 내부에 권취되어 형성되는 권취롤 및 카트리지로 형성되는 것;을 포함한다.(Example 1-4) In the metal powder processing apparatus of the present invention, in Example 1-2, the base material 10 is formed of titanium, and the winding roll and cartridge are wound and formed inside the supply chamber 110 What is formed with; includes.

(실시예 1-5) 본 발명의 금속 분말 가공장치는 실시예 1-4에 있어서, 상기 모재공급장치(100)는 상기 가스분출장치(300)의 측면에 적어도 하나 이상 형성되는 것;을 포함한다.(Example 1-5) In the metal powder processing apparatus of the present invention, in Examples 1-4, the base material supply device 100 is formed on the side surface of the gas ejection device 300 at least one or more; including; do.

본 발명은 금속 분말 가공장치에 대한 것이며, 구체적으로 금속을 분말로 가공하기 위한 것이다. 이러한 금속 분말 가공장치에서 가공하는 금속은 티타늄(ti), 텅스텐, 몰리브덴, 니켈 등 다양하게 형성되며, 강도가 높아 가공이 어려운 재질을 플라즈마를 활용하여 모재 분말(20)로 가공하는 것이다. 일반적으로 티타늄과 같이 강도가 높은 모재(10)는 성형이 어려운 문제가 있으므로 분말로 가공하여 부착하거나 3D 프린터에 사용된다. 이와 같은 모재(10)는 잉곳과 같이 원기둥으로 형성되거나 카트리지 타입으로 형성되어 이동하며, 플라즈마에 의하여 용융되어 가공된다. 그리고 모재(10)는 판 형상으로 형성되어 권취될 수 있으며, 롤 형태로 형성됨에 따라 권취롤이 풀리면 플라즈마로 유입되는 것이다. 이러한 모재(10)는 모재공급장치(100)에서 공급되며, 모재공급장치(100)는 카트리지 및 귄취롤로 형성되는 모재(10)가 수용되는 공급챔버(110)와 공급챔버(110)와 플라즈마 발생장치(200)를 연결하는 공급체(120)가 형성된다. 이때, 공급챔버(110)는 권취롤로 형성된 모재(10)가 권취되거나 풀려 모재(10)를 플라즈마 발생장치(200)로 이동시키며, 모재(10)가 카트리지로 형성될 경우 모재(10)가 압력 및 실린더에 의하여 이동할 수 있다. 그리고 공급챔버(110)는 내측 및 외측에 단열재(130)가 결합되어 공급챔버(110)의 내부 온도를 조절할 수 있으며, 공급챔버(110) 내부의 이물질을 제거함과 동시에 이물질의 유입을 제거하기 위하여 이물질제거장치가 형성된다. 공급챔버(110)에 연결되는 공급체(120)는 카트리지 및 권취롤로 형성되는 모재(10)가 유입되도록 내부에 유입홀이 형성된다. 이와 같은 모재공급장치(100)는 가스분출장치(300)의 측면에 적어도 하나 이상 형성되며, 공급챔버(110)가 가스분출장치(300)의 측면에 형성된다. 그리고 공급체(120)는 가스분출부의 하단에 형성되도록 사선으로 형성됨이 바람직하며, 모재(10)의 일단부 및 공급체(120)의 일단부에 형성되는 전류 이동에 가스가 공급된다. 이에 따라 모재(10)의 일단부가 용융되며, 용융된 모재(10)는 가스에 의하여 하강하며 모재 분말(20)로 가공된다.The present invention relates to a metal powder processing apparatus, specifically for processing metal into powder. The metal processed in this metal powder processing apparatus is variously formed such as titanium (ti), tungsten, molybdenum, nickel, and the like, and a material that is difficult to process due to its high strength is processed into the base material powder 20 by using plasma. In general, the high-strength base material 10 such as titanium has a problem in that it is difficult to form, so it is processed into a powder and attached or used in a 3D printer. Such a base material 10 is formed in a cylindrical shape like an ingot or is formed in a cartridge type to move, and is melted and processed by plasma. And the base material 10 is formed in a plate shape and can be wound, and as it is formed in a roll shape, when the winding roll is unwound, it is introduced into the plasma. The base material 10 is supplied from the base material supply device 100, and the base material supply device 100 generates plasma with the supply chamber 110 and the supply chamber 110 in which the base material 10 formed of a cartridge and a winding roll is accommodated. A feeder 120 is formed connecting the device 200 . At this time, the supply chamber 110 moves the base material 10 to the plasma generating device 200 by winding or unwinding the base material 10 formed by the winding roll, and when the base material 10 is formed into a cartridge, the base material 10 is pressurized. And it can move by a cylinder. And the supply chamber 110 can adjust the internal temperature of the supply chamber 110 by combining the heat insulating material 130 on the inside and the outside, and at the same time to remove the foreign substances inside the supply chamber 110 and at the same time to remove the inflow of foreign substances. A foreign material removal device is formed. The supply body 120 connected to the supply chamber 110 has an inlet hole formed therein so that the base material 10 formed of the cartridge and the winding roll is introduced. At least one such base material supply device 100 is formed on the side surface of the gas ejection device 300 , and the supply chamber 110 is formed on the side surface of the gas ejection device 300 . In addition, the supply body 120 is preferably formed in an oblique line so as to be formed at the lower end of the gas outlet, and gas is supplied to the current movement formed at one end of the base material 10 and one end of the supply body 120 . Accordingly, one end of the base material 10 is melted, and the molten base material 10 descends by the gas and is processed into the base material powder 20 .

따라서, 본 발명의 금속 분말 가공장치는 티타늄 등의 모재(10)를 플라즈마에 의하여 용융하여 하강시킴에 따라 모재 분말(20)로 생성하는 것이다.Therefore, in the metal powder processing apparatus of the present invention, the base material 10 such as titanium is melted by plasma and descended to produce the base material powder 20 .

(실시예 1-6) 본 발명의 금속 분말 가공장치는 실시예 1-5에 있어서, 상기 모재(10)공급부는 액상의 상기 모재(10)가 공급되는 액상챔버(140);를 포함한다.(Example 1-6) In Example 1-5, the metal powder processing apparatus of the present invention includes a liquid chamber 140 to which the base material 10 in a liquid state is supplied to the base material 10 supply unit.

본 발명은 모재(10)공급부에 대한 것이며, 구체적으로 모재(10)공급부는 모재(10)를 고온으로 용융하여 액상으로 저장하는 액상챔버(140)가 형성된다. 이때, 액상챔버(140)는 가스분출장치(300)의 중심을 관통하도록 형성되며, 내부의 액상 모재(10)가 굳지 않도록 가열장치가 형성된다. 가열장치는 열선, 히터 등으로 형성되는 것이며, 액상챔버(140)의 외측에 형성된다. 그리고 액상챔버(140)의 측면으로 가스가 배출되는 배출통로가 형성되며, 배출통로는 플라즈마 발생장치(200)로 연결된다. 그에 따라 전류가 이동하는 위치에 가스가 공급되어 플라즈마가 발생되는 것이다. 그리고 액상챔버(140)는 압력에 의하여 액상 모재(10)를 공급하여 플라즈마 발생장치(200)로 전달한다.The present invention relates to the base material 10 supply unit, and specifically, the base material 10 supply unit has a liquid chamber 140 that melts the base material 10 at a high temperature and stores it in a liquid phase. At this time, the liquid chamber 140 is formed to pass through the center of the gas ejection device 300, and a heating device is formed so that the liquid base material 10 inside does not harden. The heating device is formed of a heating wire, a heater, or the like, and is formed outside the liquid chamber 140 . And a discharge passage through which gas is discharged is formed on the side of the liquid chamber 140 , and the discharge passage is connected to the plasma generating device 200 . Accordingly, the gas is supplied to the position where the current moves to generate plasma. And the liquid chamber 140 supplies the liquid base material 10 by pressure and delivers it to the plasma generator 200 .

(실시예 1-7) 본 발명의 금속 분말 가공장치는 실시예 1-5에 있어서, 상기 모재(10)공급부는 상기 모재(10)가 상기 가스분출부를 관통하는 관통챔버(150); 상기 관통챔버(150)에 형성되며, 상기 모재(10)를 세척하는 세척장치(160);를 포함한다.(Example 1-7) In Example 1-5, the metal powder processing apparatus of the present invention includes: a through chamber 150 through which the base material 10 supply unit passes through the gas outlet; It is formed in the through chamber 150, the cleaning device 160 for cleaning the base material (10); includes.

(실시예 1-8) 본 발명의 금속 분말 가공장치는 실시예 1-7에 있어서, 상기 모재(10)는 잉곳으로 형성되는 것;을 포함한다.(Example 1-8) The metal powder processing apparatus of the present invention includes, in Examples 1-7, wherein the base material 10 is formed of an ingot.

본 발명은 모재(10)공급부에 대한 것이며, 구체적으로 모재(10)공급부는 잉곳으로 형성되는 모재(10)가 관통하며, 용융되는 것이다. 이러한 모재(10)공급부는 가스분출부의 중심으로 잉곳의 모재(10)가 관통되도록 관통챔버(150)가 형성되며, 관통챔버(150)를 관통하는 모재(10)가 하부로 이동함에 따라 플라즈마에 의하여 용융된다. 그리고 모재(10)는 잉곳 등의 카트리지 타입으로 형성되어 롤, 실린더 등에 의하여 하강하며, 관통챔버(150) 내부의 세척장치(160)에 의하여 이물질이 제거된다. 이때, 세척장치(160)는 고압으로 모재(10)를 세척하는 것으로 이물질이 배출되는 가스배출구(510)가 형성된다. 그리고 관통챔버(150)의 측면으로 가스가 배출되는 배출통로가 형성되어 전류의 이동하는 위치에 가스가 공급됨에 따라 플라즈마가 발생한다. 이때, 잉곳은 플라즈마에 의하여 단부부터 용융되어 하강하는 것으로 용융된 모재(10)가 냉각됨에 따라 모재 분말(20)이 형성된다.The present invention relates to the base material 10 supply part, and specifically, the base material 10 supply part penetrates and melts the base material 10 formed of the ingot. In this base material 10 supply part, the through chamber 150 is formed so that the base material 10 of the ingot penetrates through the center of the gas ejection part, and as the base material 10 penetrating the through chamber 150 moves downward, the plasma melted by And the base material 10 is formed in a cartridge type such as an ingot and descends by a roll, a cylinder, etc., and foreign substances are removed by the cleaning device 160 inside the through chamber 150 . At this time, the cleaning device 160 washes the base material 10 with high pressure, and a gas outlet 510 through which foreign substances are discharged is formed. In addition, an exhaust passage through which the gas is discharged is formed on the side of the through chamber 150, and as the gas is supplied to the moving position of the current, plasma is generated. At this time, the base material powder 20 is formed as the molten base material 10 is cooled as the ingot is melted and descended from the end by the plasma.

(실시예 2-1) 본 발명은 금속 분말 가공장치에 대한 것이며, 실시예 1-1에있어서, 상기 플라즈마 발생장치(200)에 형성되며, 상기 모재(10)로 전류를 공급하는 전류공급부(210); 복수의 상기 모재(10) 사이로 플라즈마가 발생되는 플라즈마 발생부(220);를 포함한다.(Example 2-1) The present invention relates to a metal powder processing apparatus, and in Example 1-1, a current supply unit ( 210); and a plasma generating unit 220 for generating plasma between a plurality of the base materials 10 .

(실시예 2-2) 본 발명의 금속 분말 가공장치는 실시예 2-1에 있어서, 상기 전류공급부(210)는 적어도 하나 이상의 모재(10)에 AC전류를 공급하는 것;을 포함한다.(Embodiment 2-2) The metal powder processing apparatus of the present invention according to Embodiment 2-1, wherein the current supply unit 210 supplies AC current to at least one or more base materials 10; includes.

(실시예 2-3) 본 발명의 금속 분말 가공장치는 실시예 2-1에 있어서, 상기 플라즈마 발생부(220)는 복수의 상기 모재(10) 사이에 형성되며, 전류가 이동할 때 가스가 결합되어 플라즈마를 발생시키는 것;을 포함한다.(Embodiment 2-3) In the metal powder processing apparatus of the present invention, in Embodiment 2-1, the plasma generating unit 220 is formed between the plurality of the base materials 10, and when the current moves, the gas is combined and to generate plasma.

(실시예 2-4) 본 발명의 금속 분말 가공장치는 실시예 1-6 또는 실시예 2-3에 있어서, 상기 전류공급부(210)는 복수의 모재(10)가 결합되는 상기 전류유입부(230)로 (+)극과 (-)극을 각각 공급하는 것;을 포함한다.(Embodiment 2-4) In the metal powder processing apparatus of the present invention, in Embodiment 1-6 or Embodiment 2-3, the current supply unit 210 includes the current inlet unit ( 230) to supply a (+) pole and a (-) pole, respectively; includes.

본 발명은 플라즈마 발생장치(200)에 대한 것이며, 구체적으로 플라즈마 발생장치(200)는 전류의 이동 중에 가스가 공급되어 플라즈마를 발생시키는 것이다. 이러한 플라즈마 발생장치(200)는 AC전류(병렬)에 의하여 플라즈마가 발생되는 것이며, 이는 DC 전류(직류)와 달리 복수의 모재(10) 단부의 온도가 동일하도록 형성할 수 있다. 그리고 플라즈마 발생장치(200)는 모재(10)로 전류를 공급하는 전류공급부(210)가 형성되며, 전류공급부(210)는 하나 이상의 모재(10)에 AC전류를 공급한다. 그리고 전류공급부(210)는 전선이 연결되어 (+)극과 (-)극을 각각 모재(10)에 공급한다. 이때, 전류공급부(210)에서 모재(10) 및 모재공급장치(100)의 공급체(120)로 전류가 공급되면 복수의 모재(10) 사이로 전류가 이동하는 플라즈마 발생부(220)가 형성된다. 플라즈마 발생부(220)에는 전류가 이동할 때 아르곤(Ar; Argon), 헬륨(He; helium) 등의 가스가 공급되어 초고온 상태로 가열되는 플라즈마가 발생하는 것이다.The present invention relates to a plasma generating device 200, and specifically, the plasma generating device 200 generates plasma by supplying gas during the movement of current. This plasma generating device 200 is to generate plasma by AC current (parallel), which can be formed so that the temperature of the ends of the plurality of base materials 10 is the same, unlike DC current (direct current). And the plasma generator 200 is formed with a current supply unit 210 for supplying current to the base material 10 , the current supply unit 210 supplies AC current to one or more base materials 10 . And the current supply unit 210 is connected to the electric wire and supplies (+) and (-) poles to the base material 10, respectively. At this time, when current is supplied from the current supply unit 210 to the base material 10 and the supply body 120 of the base material supply device 100, the plasma generating unit 220 in which the current moves between the plurality of base materials 10 is formed. . When the current moves to the plasma generator 220 , a gas such as argon (Ar) or helium (He; helium) is supplied to generate plasma heated to an ultra-high temperature state.

따라서, 플라즈마가 발생한 플라즈마 발생부(220)로 모재(10)가 공급되어 모재(10)가 용융되는 것이다.Accordingly, the base material 10 is supplied to the plasma generating unit 220 in which the plasma is generated, and the base material 10 is melted.

(실시예 2-5) 본 발명의 금속 분말 가공장치는 실시예 2-4에 있어서, 상기 플라즈마 발생부(220)는 상기 공급체(120)에 형성되며, 상기 전류공급부(210)에 의하여 전류가 유입되는 전류유입부(230);를 포함한다.(Embodiment 2-5) In the metal powder processing apparatus of the present invention, in Embodiment 2-4, the plasma generating unit 220 is formed in the supply body 120, and the current is generated by the current supply unit 210. includes a current inlet 230 into which is introduced.

(실시예 2-6) 본 발명의 금속 분말 가공장치는 실시예 2-5에 있어서, 전류가 상기 모재공급장치(100)로 전달되는 것을 방지하는 전류차단부(240);를 포함한다.(Example 2-6) In Example 2-5, the metal powder processing apparatus of the present invention includes a current blocking unit 240 for preventing the current from being transmitted to the base material supply device 100 .

본 발명은 플라즈마 발생부(220)에 대한 것이며, 구체적으로 플라즈마 발생부(220)는 전류가 공급되어 플라즈마를 발생시키는 것이다. 이러한 플라즈마 발생부(220)는 전류공급부(210)에서 전류가 공급되면 가스분출부의 일측에 형성되는 공급체(120)에서 타측의 공급체(120)로 전류가 이동한다. 이때. 플라즈마 발생부(220)는 공급체(120)에 형성되는 전류유입부(230)에 의하여 전류공급부(210)의 전선이 연결되고, 전류유입부(230)는 전도체로 형성되어 전류가 이동될 수 있다. 이와 같이 전류가 공급되는 공급체(120)는 DC 전류(직류), AC 전류(병렬)로 형성되는 것이며, 하나의 공급체(120)는 (+)극이 연결되고 다른 공급체(120)는 (-)극이 연결된다. 이때, 모재공급장치(100)가 하나로 형성될 경우 전류유입부(230)에는 (+)극이 연결되고 모재(10)의 단부에는 타 모재(10)가 수용되지 않는 전극판이 형성될 수 있다. 이와 같이 복수의 공급체(120) 및 공급체(120)와 전극판 사이로 전류가 이동할 때 적어도 하나 이상의 가스를 공급하면 플라즈마가 발생하는 것이다. 또한, 공급체(120)는 전류가 공급챔버(110)로 이동하지 않도록 전류차단부(240)가 형성되며, 전류차단부(240)는 공급체(120)와 공급챔버(110) 사이에 형성되어 전류가 플라즈마 발생장치(200) 방면으로 이동하는 것이다. 그리고 모재(10)는 전류가 흐르는 전도 물질로 형성됨에 따라 전류를 모재(10)에 직접 연결하여 모재(10)의 단부에서 타 모재(10)로 전류가 이동하도록 유도할 수 있다. 이러한 모재(10)는 전류가 직접 연결되지 않을 때 공급체(120)의 일단부로 돌출되어 플라즈마 발생부(220)의 플라즈마에 의하여 모재(10)가 용융되는 것이다The present invention relates to the plasma generating unit 220 , and specifically, the plasma generating unit 220 generates plasma by supplying current. In the plasma generator 220 , when current is supplied from the current supply unit 210 , the current moves from the supply body 120 formed on one side of the gas outlet to the supply body 120 on the other side. At this time. The plasma generating unit 220 is connected to the electric wire of the current supply unit 210 by the current inlet 230 formed in the supply body 120, and the current inlet 230 is formed of a conductor so that the current can be moved. have. As such, the supply body 120 to which the current is supplied is formed of DC current (direct current) and AC current (parallel), and one supply body 120 is connected to a (+) pole and the other supply body 120 is The (-) pole is connected. At this time, when the base material supply device 100 is formed as one, a (+) electrode is connected to the current inlet 230 and an electrode plate in which the other base material 10 is not accommodated may be formed at the end of the base material 10 . As such, when at least one gas is supplied when the current moves between the plurality of supply bodies 120 and the supply body 120 and the electrode plate, plasma is generated. In addition, in the supply body 120 , a current blocking unit 240 is formed so that the current does not move to the supply chamber 110 , and the current blocking unit 240 is formed between the supply body 120 and the supply chamber 110 . and the current moves toward the plasma generating device 200 . And, as the base material 10 is formed of a conductive material through which current flows, the current may be directly connected to the base material 10 to induce the current to move from the end of the base material 10 to the other base material 10 . When the current is not directly connected, the base material 10 protrudes from one end of the supply body 120 and the base material 10 is melted by the plasma of the plasma generator 220 .

따라서, 본 발명의 플라즈마 발생부(220)는 모재(10)가 내부에 유입되는 공급체(120)에 전류유입부(230)가 형성되며, 전류가 공급되어 플라즈마 발생부(220)에 플라즈마가 발생하는 것이다.Accordingly, in the plasma generating unit 220 of the present invention, the current inlet 230 is formed in the supply body 120 into which the base material 10 is introduced, and the current is supplied to the plasma generating unit 220 to generate plasma. it will happen

(실시예 2-7) 본 발명의 금속 분말 가공장치는 실시예 2-1에 있어서, 상기 전류공급부(210)는 상기 모재공급장치(100)의 하단에 형성되며, 전류가 공급되는 전류공급바(250);를 포함한다.(Embodiment 2-7) In the metal powder processing apparatus of the present invention in Example 2-1, the current supply unit 210 is formed at the lower end of the base material supply apparatus 100, and a current supply bar to which current is supplied (250);

(실시예 2-8) 본 발명의 금속 분말 가공장치는 실시예 2-5에 있어서, 복수의 상기 전류공급바(250)의 간격은 서로 조절되는 것;을 포함한다.(Example 2-8) In Example 2-5, the metal powder processing apparatus of the present invention, the spacing of the plurality of current supply bars 250 is adjusted to each other; includes.

본 발명은 전류공급부(210)에 대한 것이며, 구체적으로 전류공급부(210)는 모재(10)의 하단에 전류가 이동하는 전류공급바(250)가 형성되어 전류의 이동에 의하여 플라즈마를 발생하는 것이다. 이러한 전류공급바(250)는 적어도 하나 이상의 모재(10)의 하단에 형성되는 것으로 전류가 공급되어 플라즈마를 발생시킨다. 이때, 전류공급바(250)는 모재(10)의 하단 양측면에 각각 형성되며, 전류공급바(250)의 간격은 서로 조절되어 플라즈마의 온도를 조절한다. 그리고 전류공급바(250)는 전도체로 형성되며, 각각 (+)극과 (-)극의 전류가 공급되는 것이다. 이와 같은 전류공급바(250)는 별도의 챔버에 수용되며, 플라즈마가 발생함에 따라 모재(10)를 용융하는 것이다.The present invention relates to a current supply unit 210, and specifically, the current supply unit 210 is formed with a current supply bar 250 through which a current moves at the lower end of the base material 10 to generate plasma by the movement of the current. . The current supply bar 250 is formed at the lower end of at least one or more base materials 10, and current is supplied to generate plasma. At this time, the current supply bar 250 is formed on both sides of the lower end of the base material 10, respectively, the distance between the current supply bar 250 is adjusted to each other to control the temperature of the plasma. In addition, the current supply bar 250 is formed of a conductor, and currents of (+) pole and (-) pole are supplied, respectively. Such a current supply bar 250 is accommodated in a separate chamber, and as plasma is generated, the base material 10 is melted.

따라서, 전류공급부(210)는 모재(10)의 하단 양측에 전류공급바(250)가 형성되며, 복수의 전류공급바(250)에 전류를 공급하여 전류가 이동함에 따라 플라즈마가 발생하는 특징을 가진다.Accordingly, the current supply unit 210 has a current supply bar 250 is formed on both sides of the lower end of the base material 10, and supplies current to the plurality of current supply bars 250 to generate plasma as the current moves. have

(실시예 3-1) 본 발명은 금속 분말 가공장치에 대한 것이며, 실시예 2-1에 있어서, 상기 가스분출장치(300)에 형성되며, 가스가 저장되는 저장탱크(310); 상기 저장탱크(310)에서 공급되는 가스가 분출되는 분출장치(320);를 포함한다.(Embodiment 3-1) The present invention relates to a metal powder processing apparatus. In Embodiment 2-1, the gas ejection apparatus 300 includes: a storage tank 310 for storing gas; and an ejection device 320 through which the gas supplied from the storage tank 310 is ejected.

(실시예 3-2) 본 발명의 금속 분말 가공장치는 실시예 3-1에 있어서, 상기 저장탱크(310)는 적어도 하나 이상의 가스가 각각 저장되도록 복수로 형성되는 것;을 포함한다.(Embodiment 3-2) The apparatus for processing metal powder of the present invention according to Embodiment 3-1, wherein the storage tank 310 is formed in plurality to store at least one gas, respectively.

(실시예 3-3) 본 발명의 금속 분말 가공장치는 실시예 3-1에 있어서, 상기 분출장치(320)는 상기 저장탱크(310)에서 연장되며, 가스가 이송되는 분출관(321); 상기 분출관(321)의 단부에 형성되며, 가스가 분출되는 분출노즐(322);을 포함한다.(Embodiment 3-3) The metal powder processing apparatus of the present invention according to Embodiment 3-1, wherein the ejection device 320 extends from the storage tank 310 and includes: a ejection pipe 321 through which gas is transported; It is formed at the end of the ejection pipe 321, the ejection nozzle 322 from which the gas is ejected; includes.

(실시예 3-4) 본 발명의 금속 분말 가공장치는 실시예 3-3에 있어서, 상기 분출관(321)은 복수의 가스가 혼합되는 혼합관(323);을 포함한다.(Example 3-4) In Example 3-3, the metal powder processing apparatus of the present invention includes a mixing pipe 323 in which a plurality of gases are mixed in the jet pipe 321.

본 발명은 가스분출장치(300)에 대한 것이며, 구체적으로 가스분출장치(300)는 아르곤, 헬륨 등 플라즈마를 발생시키는 복수의 가스를 플라즈마 발생부(220)로 분출한다. 이러한 가스분출장치(300)는 플라즈마 발생장치(200)의 상단에 형성되며, 전류가 이동하는 플라즈마 발생부(220)로 가스를 분사하여 플라즈마를 발생시킨다. 여기서 플라즈마 발생부(220)로 공급되는 가스는 아르곤, 헬륨 등으로 형성되나 본 발명에서는 플라즈마를 발생시키는 가스의 종류를 한정하지 않는다. 그리고 가스분출장치(300)에서 분출되는 가스에 의하여 용융된 모재(10)를 하강하는 것이며, 이때, 모재(10)가 분말로 하강하도록 일정한 압력으로 광범위하게 가스를 분출하는 것이다. 가스분출장치(300)는 가스가 저장되는 저장탱크(310)가 형성되며, 저장탱크(310)는 복수의 가스가 저장되도록 복수로 형성된다. 그리고 저장탱크(310)는 플라즈마 발생장치(200)의 플라즈마 발생부(220)로 가스가 분출되도록 분출관(321)이 형성되며, 분출관(321)의 단부에는 분출노즐(322)이 형성된다. 이때, 분출관(321)은 저장탱크(310)에서 플라즈마 발생부(220)로 복수의 가스가 혼합 및 각각 분출되도록 형성된다. 그리고 분출관(321)은 복수의 가스가 혼합되도록 혼합관(323)이 형성되며, 혼합관(323)은 헬륨과 아르곤을 다양한 비율로 공급한다. 또한, 분출관(321)은 서로 혼합되지 않고 분출노즐(322)에 각각 연결되어 각각의 가스를 동시에 분출할 수 있다.The present invention relates to a gas ejection device 300 , and specifically, the gas ejection device 300 ejects a plurality of gases that generate plasma, such as argon and helium, to the plasma generating unit 220 . The gas ejection device 300 is formed on the upper end of the plasma generator 200 , and generates plasma by injecting gas into the plasma generator 220 through which a current moves. Here, the gas supplied to the plasma generator 220 is formed of argon, helium, or the like, but the present invention does not limit the type of gas for generating plasma. And it descends the base material 10 melted by the gas ejected from the gas ejection device 300, at this time, the base material 10 is to eject a wide range of gas at a constant pressure so as to descend into powder. In the gas ejection device 300, a storage tank 310 for storing gas is formed, and a plurality of storage tanks 310 are formed to store a plurality of gases. And the storage tank 310 is formed with a jet pipe 321 so that gas is jetted to the plasma generating unit 220 of the plasma generating device 200, and a jet nozzle 322 is formed at the end of the jet pipe 321. . At this time, the ejection pipe 321 is formed so that a plurality of gases are mixed and ejected from the storage tank 310 to the plasma generating unit 220 . In addition, a mixing pipe 323 is formed in the jet pipe 321 to mix a plurality of gases, and the mixing pipe 323 supplies helium and argon in various ratios. In addition, the ejection pipe 321 may be connected to the ejection nozzle 322 without being mixed with each other to eject each gas at the same time.

따라서, 가스분출장치(300)는 플라즈마를 발생시키기 위하여 플라즈마 발생부(220)에서 전류가 이동할 때 가스를 분출하는 특징을 가진다.Accordingly, the gas ejection device 300 ejects gas when a current moves in the plasma generating unit 220 to generate plasma.

(실시예 4-1) 본 발명은 금속 분말 가공장치에 대한 것이며, 실시예 3-1에 있어서, 상기 가스분출장치(300)에 의하여 하강하는 용융된 모재 분말(20)을 냉각시키는 냉각장치(400);를 포함한다.(Example 4-1) The present invention relates to a metal powder processing apparatus, and in Example 3-1, a cooling apparatus for cooling the molten base material powder 20 descending by the gas ejection apparatus 300 ( 400);

(실시예 4-2) 본 발명의 금속 분말 가공장치는 실시예 4-1에 있어서, 상기 냉각장치(400)는 상기 모재 분말(20)이 하강하는 케이싱(410);, 상기 케이싱(410)의 하단에 형성되며, 상기 모재 분말(20)이 투입되어 냉각되는 냉각부(420);를 포함한다.(Embodiment 4-2) In the metal powder processing apparatus of the present invention, in Embodiment 4-1, the cooling apparatus 400 includes a casing 410 in which the base material powder 20 descends; and the casing 410 and a cooling unit 420 formed at the lower end of the base material powder 20 and cooled therein.

(실시예 4-3) 본 발명의 금속 분말 가공장치는 실시예 4-2에 있어서, 상기 케이싱(410)을 감싸도록 형성되며, 상기 모재 분말(20)의 형태를 일정하게 유지하도록 열을 공급하는 열공급체(430);를 포함한다.(Example 4-3) In Example 4-2, the metal powder processing apparatus of the present invention is formed to surround the casing 410, and heat is supplied to keep the shape of the base material powder 20 constant. It includes a heat supply 430;

(실시예 4-4) 본 발명의 금속 분말 가공장치는 실시예 4-3에 있어서, 상기 케이싱(410)은 내부에 가스가 충진되도록 이중으로 형성되는 것;을 포함한다.(Embodiment 4-4) The metal powder processing apparatus of the present invention according to Embodiment 4-3, wherein the casing 410 is formed to be doubly filled with gas therein.

본 발명은 냉각장치(400)에 대한 것이며, 구체적으로 냉각장치(400)는 모재(10)가 용융되어 가스에 의하여 분사되는 모재 분말(20)을 냉각시키는 것이다. 이러한 냉각장치(400)는 모재 분말(20)이 하강하는 케이싱(410)이 형성되며, 케이싱(410)의 하단에는 모재 분말(20)이 투입되는 냉각부(420)가 형성된다. 케이싱(410)은 다양한 형상으로 형성되며, 상부에 모재공급장치(100)와 플라즈마 발생장치(200)가 형성된다. 그리고 케이싱(410)은 내부의 온도가 일정하게 유지되도록 이중으로 형성되며, 이중으로 형성되는 케이싱(410) 사이에 아르곤 등의 가스가 충진되어 단열 성능을 향상시킨다. 그리고 케이싱(410)의 상부에서 용융되어 가스에 의하여 분사되는 모재 분말(20)은 플라즈마 영역을 이탈하는 순간 냉각이 되지만 모재 분말(20)의 형상이 규칙적이지 않게 형성된다. 그리하여 모재 분말(20)의 형상을 구 형상으로 형성하기 위하여 케이싱(410)에는 열공급체(430)가 형성되며, 열공급체(430)는 케이싱(410)에 열선으로 형성된다. 이때, 열공급체(430)에 의하여 케이싱(410)의 내부 온도가 상승하여 모재 분말(20)의 냉각 시간을 조절할 수 있으며, 이는 모재 분말(20)의 형상이 완전한 구로 형성되도록 유도한다. 그리고 냉각부(420)는 모재 분말(20)이 순간적으로 급 냉각되도록 케이싱(410)의 외측에서 냉각수를 공급하거나 냉각수가 저장된다. The present invention relates to a cooling device 400 , and specifically, the cooling device 400 cools the base material powder 20 that is sprayed by the gas by melting the base material 10 . In the cooling device 400 , a casing 410 from which the base material powder 20 descends is formed, and a cooling unit 420 into which the base material powder 20 is fed is formed at the lower end of the casing 410 . The casing 410 is formed in various shapes, and the base material supply device 100 and the plasma generator 200 are formed thereon. In addition, the casing 410 is formed to be double so that the internal temperature is kept constant, and a gas such as argon is filled between the casing 410 formed double to improve thermal insulation performance. And the base material powder 20 melted in the upper part of the casing 410 and sprayed by the gas is cooled as soon as it leaves the plasma region, but the shape of the base material powder 20 is not regular. Thus, in order to form the shape of the base material powder 20 in a spherical shape, a heat supply body 430 is formed in the casing 410 , and the heat supply body 430 is formed in the casing 410 as a heating wire. At this time, the internal temperature of the casing 410 is increased by the heat supplier 430 to adjust the cooling time of the base material powder 20 , which induces the shape of the base material powder 20 to be formed into a perfect sphere. In addition, the cooling unit 420 supplies cooling water or stores cooling water from the outside of the casing 410 so that the base material powder 20 is rapidly cooled.

따라서, 냉각장치(400)는 플라즈마 발생장치(200)의 하단에 형성되며, 모재 분말(20)이 구 형상으로 냉각되도록 유도할 수 있는 특징을 가진다. Accordingly, the cooling device 400 is formed at the lower end of the plasma generating device 200, and has a feature that can induce the base material powder 20 to be cooled in a spherical shape.

(실시예 4-5) 본 발명의 금속 분말 가공장치는 실시예 4-1에 있어서, 상기 케이싱(410)은 내측면에 적어도 하나 이상 형성되며, 상기 모재 분말(20)의 하강 방향을 조절하는 하강조절장치(500);를 포함한다.(Example 4-5) In the metal powder processing apparatus of the present invention, in Example 4-1, at least one casing 410 is formed on the inner surface, and the descending direction of the base material powder 20 is adjusted. It includes a descending control device (500).

(실시예 4-6) 본 발명의 금속 분말 가공장치는 실시예 4-5에 있어서, 상기 하강조절장치(500)는 상기 케이싱(410)에 복수로 형성되며, 각각 동일한 방향으로 가스를 분출하는 것;을 포함한다.(Example 4-6) In the metal powder processing apparatus of the present invention, in Example 4-5, a plurality of the down-regulating devices 500 are formed in the casing 410, and each of the gas is ejected in the same direction. include;

(실시예 4-7) 본 발명의 금속 분말 가공장치는 실시예 4-6에 있어서, 상기 하강조절장치(500)는 상기 케이싱(410) 내측면에 개방되어 가스가 배출되는 가스배출구(510);, 상기 공급구의 전면에서 가스의 배출 각도를 조절하는 각도조절판(520);을 포함한다.(Example 4-7) In the metal powder processing apparatus of the present invention, in Example 4-6, the down-regulating device 500 is opened on the inner surface of the casing 410 to discharge the gas gas outlet 510 ;, an angle adjusting plate 520 for adjusting the angle of discharge of the gas from the front side of the supply port; includes.

본 발명은 케이싱(410)에 대한 것이며, 구체적으로 케이싱(410)은 모재 분말(20)이 와류에 의하여 하강 속도가 조절되도록 하강조절장치(500)가 형성되는 것이다. 이러한 하강조절장치(500)는 케이싱(410)의 내부에 회전각도가 조절되도록 복수로 형성되며, 하강조절장치(500)는 가스를 일방향으로 분출하여 케이싱(410)의 내부에서 모재 분말(20)이 일정한 방향으로 하강하도록 형성된다. 그리고 하강조절장치(500)는 케이싱(410)의 내측면에 결합되거나 케이싱(410)의 내부에 형성되며, 아르곤, 헬륨 등의 가스가 공급되어 모재 분말(20)의 하강 속도를 조절한다. 이는 모재 분말(20)이 냉각되기 전에 구 형상으로 유지되거나 하강 중에 복수의 모재 분말(20)이 서로 접합되는 것을 방지할 수 있다. 그리고 하강조절장치(500)는 케이싱(410) 내측면에 형성될 경우 케이싱(410) 내측면에는 가스배출구(510)가 형성되며, 가스배출구(510)에는 수직, 수평으로 가스의 배출 각도를 조절하는 각도조절판(520)이 형성된다.The present invention relates to the casing 410, and specifically, the casing 410 is a descending control device 500 is formed so that the descending speed of the base material powder 20 is adjusted by the vortex. The lowering control device 500 is formed in plurality so that the rotation angle is adjusted inside the casing 410, and the lowering control device 500 ejects gas in one direction to the base material powder 20 in the casing 410. It is formed to descend in a certain direction. And the descending control device 500 is coupled to the inner surface of the casing 410 or is formed inside the casing 410, argon, helium, etc. gas is supplied to adjust the descending speed of the base material powder (20). This can prevent the base material powder 20 from being maintained in a spherical shape before being cooled or from bonding the plurality of base material powders 20 to each other during descent. And when the lowering control device 500 is formed on the inner surface of the casing 410, a gas outlet 510 is formed on the inner surface of the casing 410, and the gas outlet 510 adjusts the gas discharge angle vertically and horizontally. An angle adjusting plate 520 is formed.

따라서, 하강조절장치(500)는 케이싱(410) 내부에서 하강하는 모재 분말(20)의 하강 속도를 줄이며, 모재 분말(20)을 와류가 발생되도록 하강시켜 모재 분말(20)이 서로 접합되는 것을 방지할 수 있다.Therefore, the descending control device 500 reduces the descending speed of the base material powder 20 descending inside the casing 410, and lowers the base material powder 20 so that a vortex is generated so that the base material powder 20 is bonded to each other. can be prevented

(실시예 4-8) 본 발명의 금속 분말 가공장치는 실시예 4-1에 있어서, 상기 케이싱(410)의 하단에 형성되며, 상기 모재 분말(20)을 완충시키는 완충장치(600);를 포함한다.(Example 4-8) The metal powder processing apparatus of the present invention according to Example 4-1, is formed at the lower end of the casing 410, the buffer 600 for buffering the base material powder 20; include

(실시예 4-9) 본 발명의 금속 분말 가공장치는 실시예 4-8에 있어서, 상기 완충장치(600)는 상기 케이싱(410) 내부로 공급되는 가스를 순환하여 형성되는 것;을 포함한다.(Example 4-9) The metal powder processing apparatus of the present invention according to Example 4-8, wherein the shock absorber 600 is formed by circulating the gas supplied to the inside of the casing 410; .

본 발명은 완충장치(600)에 대한 것이며, 구체적으로 완충장치(600)는 케이싱(410) 하단에 형성되어 모재 분말(20)이 냉각부(420)에 충격을 가하는 것을 방지한다. 이러한 완충장치(600)는 가스의 농도가 높게 형성되어 재료 분말이 하강하는 속도를 줄일 수 있으며, 완충장치(600)는 아르곤, 헬륨 등이 공급되어 형성된다. 그리고 완충장치(600)는 케이싱(410) 내부로 공급되는 가스를 순환하여 형성되며, 가스분출장치(300)에서 공급되어 케이싱(410)에 충진된 가스를 순환시켜 완충장치(600)로 전달한다.The present invention relates to a shock absorber 600 , and specifically, the shock absorber 600 is formed at the bottom of the casing 410 to prevent the base material powder 20 from applying an impact to the cooling unit 420 . The buffer 600 is formed with a high concentration of gas to reduce the rate at which the material powder descends, and the buffer 600 is formed by supplying argon, helium, or the like. And the shock absorber 600 is formed by circulating the gas supplied into the casing 410 , and circulates the gas supplied from the gas ejection device 300 and filled in the casing 410 to deliver it to the shock absorber 600 . .

(실시예 5-1) 본 발명은 금속 분말 가공방법에 대한 것이며, 실시예 4-1의 모재공급장치(100)에서 모재(10)가 공급되는 공급단계(S1100);, 복수의 상기 모재(10) 사이로 가스가 분출되는 가스분출단계(S1200);, 상기 모재(10)에 전류가 공급되어 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 발생단계(S1300);, 상기 모재(10)의 일단부가 용융되며, 하강함에 따라 냉각되는 냉각단계(S1400);를 포함한다.(Example 5-1) The present invention relates to a metal powder processing method, and a supply step (S1100) in which the base material 10 is supplied in the base material supply device 100 of Example 4-1 (S1100); 10) Gas ejection step (S1200) in which gas is ejected through; Plasma generation step (S1300) in which current is supplied to the base material 10 to generate plasma; One end of the base material 10 is melted, and in descending It includes; a cooling step (S1400) to be cooled accordingly.

(실시예 6-1) 본 발명은 금속 분말에 대한 것이며, 실시예 5-1의 금속 분말 가공방법에 의하여 가공되는 것;을 포함한다.(Example 6-1) The present invention relates to a metal powder, which is processed by the metal powder processing method of Example 5-1; includes.

10: 모재 20: 모재 분말
100: 모재공급장치 110: 공급챔버
120: 공급체 130: 단열재
140: 액상챔버 150: 관통챔버
160: 세척장치 200: 플라즈마 발생장치
210: 전류공급부 220: 플라즈마 발생부
230: 전류유입부 240: 전류차단부
250: 전류공급바 300: 가스분출장치
310: 저장탱크 320: 분출장치
321: 분출관 322: 분출노즐
323: 혼합관 400: 냉각장치
410: 케이싱 420: 냉각부
430: 열공급체 500: 하강조절장치
510: 가스배출구 520: 각도조절판
600: 완충장치 S1100: 공급단계
S1200: 가스분출단계 S1300: 플라즈마 발생단계
S1400: 냉각단계10: base material 20: base material powder
100: base material supply device 110: supply chamber
120: supplier 130: insulation material
140: liquid chamber 150: through chamber
160: cleaning device 200: plasma generator
210: current supply 220: plasma generator
230: current inlet 240: current blocking unit
250: current supply bar 300: gas ejection device
310: storage tank 320: ejection device
321: ejection pipe 322: ejection nozzle
323: mixing tube 400: cooling device
410: casing 420: cooling unit
430: heat supply 500: down control device
510: gas outlet 520: angle adjustment plate
600: shock absorber S1100: supply stage
S1200: gas ejection step S1300: plasma generation step
S1400: cooling stage

Claims (6)

모재(10)가 공급되는 모재공급장치(100);,
상기 모재공급장치(100)에 형성되며, 전류가 공급되어 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 발생장치(200);
상기 플라즈마 발생장치(200)에 형성되며, 적어도 하나의 가스가 분출되는 가스분출장치(300);
상기 플라즈마 발생장치(200)에 형성되며, 상기 모재(10)로 전류를 공급하는 전류공급부(210);
복수의 상기 모재(10) 사이로 플라즈마가 발생되는 플라즈마 발생부(220);를 포함하는 금속 분말 가공장치.
The base material supply device 100 to which the base material 10 is supplied;
a plasma generating device 200 formed in the base material supply device 100 and supplied with a current to generate plasma;
a gas ejection device 300 formed in the plasma generator 200 and ejecting at least one gas;
a current supply unit 210 formed in the plasma generator 200 and supplying current to the base material 10;
A metal powder processing apparatus including a; a plasma generating unit 220 for generating plasma between the plurality of the base materials 10 .
 삭제delete 청구항 1에 있어서,
상기 가스분출장치(300)에 형성되며, 가스가 저장되는 저장탱크(310);
상기 저장탱크(310)에서 공급되는 가스가 분출되는 분출장치(320);를 포함하는 금속 분말 가공장치.
The method according to claim 1,
a storage tank 310 formed in the gas ejection device 300 and storing gas;
A metal powder processing apparatus including a; an ejection device (320) for ejecting the gas supplied from the storage tank (310).
 청구항 1에 있어서,
상기 가스분출장치(300)에 의하여 하강하는 용융된 모재 분말(20)을 냉각시키는 냉각장치(400);를 포함하는 금속 분말 가공장치.
The method according to claim 1,
A metal powder processing apparatus including a;
 금속 분말 가공방법에 있어서,
청구항 1의 모재공급장치(100)에서 모재(10)가 공급되는 공급단계(S1100);,
복수의 상기 모재(10) 사이로 가스가 분출되는 가스분출단계(S1200);,
상기 모재(10)에 전류가 공급되어 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 발생단계(S1300);
상기 모재(10)의 일단부가 용융되며, 하강함에 따라 냉각되는 냉각단계(S1400);를 포함하는 금속 분말 가공방법.
In the metal powder processing method,
A supply step (S1100) in which the base material 10 is supplied from the base material supply device 100 of claim 1 (S1100);
Gas ejection step (S1200) in which gas is ejected between the plurality of the base materials 10;
Plasma generating step (S1300) of generating plasma by supplying current to the base material (10);
A metal powder processing method comprising a; a cooling step (S1400) in which one end of the base material 10 is melted and cooled as it descends.
 삭제delete
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