JPS59145586A - 半導体レ−ザ用直流バイアス回路 - Google Patents
半導体レ−ザ用直流バイアス回路Info
- Publication number
- JPS59145586A JPS59145586A JP24873983A JP24873983A JPS59145586A JP S59145586 A JPS59145586 A JP S59145586A JP 24873983 A JP24873983 A JP 24873983A JP 24873983 A JP24873983 A JP 24873983A JP S59145586 A JPS59145586 A JP S59145586A
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- JP
- Japan
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- semiconductor laser
- circuit
- bias circuit
- direct current
- bias
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 19
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 7
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 3
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 101001062793 Homo sapiens Protein FAM171A1 Proteins 0.000 description 1
- 102100030534 Protein FAM171A1 Human genes 0.000 description 1
- 235000009508 confectionery Nutrition 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
- H01S5/06825—Protecting the laser, e.g. during switch-on/off, detection of malfunctioning or degradation
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体レーザ用直流バイアス回路に関する。
半導体レーザ（ＬＤ）は非線形性発光素子で閾値電流を
持っておシ、然もその闇値は温度によって変化する為、
半４１体レーザを用いてディジタル変調等された出力光
を得る場合、現在のところＡＰＣ（ＡＬＬｔｏ Ｐｏｗ
ｅｒ Ｃｏｎｔｒｏｌ ）回路が必要である。
持っておシ、然もその闇値は温度によって変化する為、
半４１体レーザを用いてディジタル変調等された出力光
を得る場合、現在のところＡＰＣ（ＡＬＬｔｏ Ｐｏｗ
ｅｒ Ｃｏｎｔｒｏｌ ）回路が必要である。
このＡＰＣ回路は、レーザ出力光か安定になるように半
導体レーザの直流バイアス値を変更せるもので、通常第
１図及び第２図に示すような回路格成が採用されている
。第１図示回路は、半導体レザ駆動回路４のモニタ電気
信号と比較することによシ制御伯号８を得、この制御信
号Ｓを曲流バイアス回路５の制御端子に加えて半導体レ
ーザ１の曲流バイアス飴を変更するように朽゛成したも
のである。この方法は、モニタ光の電気信号と駆動用電
気信号とがその平均値またはピーク値に於いて直接比較
されるので、いか々る信号形態でも制限を受けることは
ない。一方、第２図示回路は、半導体レーザ１のモニタ
光をモニタ回路２で電気信号に変換し、そのピーク値を
ヒーク検出回路６で検出してこのピーク値と基準電圧Ｖ
８とを比較することによシ制御信号８を得るもので、ピ
ーク値を基準電圧と比較するものであるから・０”の信
号が連続するような場合に問題があシ、信号形態によっ
て制限を受けるが比較的構成が単純になる。
導体レーザの直流バイアス値を変更せるもので、通常第
１図及び第２図に示すような回路格成が採用されている
。第１図示回路は、半導体レザ駆動回路４のモニタ電気
信号と比較することによシ制御伯号８を得、この制御信
号Ｓを曲流バイアス回路５の制御端子に加えて半導体レ
ーザ１の曲流バイアス飴を変更するように朽゛成したも
のである。この方法は、モニタ光の電気信号と駆動用電
気信号とがその平均値またはピーク値に於いて直接比較
されるので、いか々る信号形態でも制限を受けることは
ない。一方、第２図示回路は、半導体レーザ１のモニタ
光をモニタ回路２で電気信号に変換し、そのピーク値を
ヒーク検出回路６で検出してこのピーク値と基準電圧Ｖ
８とを比較することによシ制御信号８を得るもので、ピ
ーク値を基準電圧と比較するものであるから・０”の信
号が連続するような場合に問題があシ、信号形態によっ
て制限を受けるが比較的構成が単純になる。
ところで、半導体レーザはサージ電流によシ容易に破壊
する。そのため、半導体レーザの駆動にあたってはその
点に充分注意しなければならない。
する。そのため、半導体レーザの駆動にあたってはその
点に充分注意しなければならない。
しかし、従来のＡＰＣ回路にはサージ電流に対する対策
が全く為されていなかったので、電源のオン。
が全く為されていなかったので、電源のオン。
オフ時に生ずるサージ電流によシ、素子の破壊を引き起
こしてしまう虞れがあった。
こしてしまう虞れがあった。
本発明はこのような従来の欠点を改善したものであシ、
その目的は、半導体レーザの素子破壊につながるサージ
電流を防止することができる半導体レーザ用直流バイア
ス回路を提供することにある。以下実施例について詳細
に説明する。
その目的は、半導体レーザの素子破壊につながるサージ
電流を防止することができる半導体レーザ用直流バイア
ス回路を提供することにある。以下実施例について詳細
に説明する。
第６図は本発明の実施例を表わす１し気回路図であシ、
５１は定電流回路を構成する例えばトランジスタ、５２
は演算増幅器、５６はコンデンサ、５４はインダクタ、
５５は抵抗、−’ＥＲは電源であって亀１図及び第２図
と同一符号は同一部分を示す。
５１は定電流回路を構成する例えばトランジスタ、５２
は演算増幅器、５６はコンデンサ、５４はインダクタ、
５５は抵抗、−’ＥＲは電源であって亀１図及び第２図
と同一符号は同一部分を示す。
本実施例の直流バイアス回路５は、同図に示すように、
定電流回路を構成するトランジスタ５１０ベースとエミ
ッタ間にコンデンサ５６を接続し、且つコレクタにイン
ダクタ５４を接続して、比較回路５からの制御信号８を
演鏝、増幅器５２を介してトランジスタ５１のベースに
入力する構成としたものである。この場合、コンデンサ
５３およびインダクタ５４は電源のオン、オフ時に半導
体レーザ１をサージ電流が流れるのを防ぐものであり、
これらによって素子破壊を防止することかできる。
定電流回路を構成するトランジスタ５１０ベースとエミ
ッタ間にコンデンサ５６を接続し、且つコレクタにイン
ダクタ５４を接続して、比較回路５からの制御信号８を
演鏝、増幅器５２を介してトランジスタ５１のベースに
入力する構成としたものである。この場合、コンデンサ
５３およびインダクタ５４は電源のオン、オフ時に半導
体レーザ１をサージ電流が流れるのを防ぐものであり、
これらによって素子破壊を防止することかできる。
このようにオ発明は、半導体レーザ用直流ノ（イアス回
路において、定電流回路の入力端子にインダクタを接続
し、且つその制御端子と出力端子間にコンデンサを接続
する構成としたものであシ、コンデンサ及びインダクタ
の価）きによってサージ電流が防止できるので半導体レ
ーザがサージ電流によって破壊するのを防ぐ効果がある
。従って、本発明の直流バイアス回路をＡＰＣ回路に適
用すれば非常に有効である。
路において、定電流回路の入力端子にインダクタを接続
し、且つその制御端子と出力端子間にコンデンサを接続
する構成としたものであシ、コンデンサ及びインダクタ
の価）きによってサージ電流が防止できるので半導体レ
ーザがサージ電流によって破壊するのを防ぐ効果がある
。従って、本発明の直流バイアス回路をＡＰＣ回路に適
用すれば非常に有効である。
第１図及び第２図はＡＰＣＮ路の一般的構成を表わす’
Ｆｌ、＋、気回路図、第６図は本発明の実施例を表わす
相、気回路図である。 １は半導体レーザ、２はモニタ回路、３は比較器、４は
半導体レーザ駆動回路、５は直流バイアス回路、６はピ
ーク検出回路、５１はトランジスタ、５２は演鋳、増幅
器、５５はコンデンサ、５４はインダクタ、５５は抵抗
である。 特許出願人 住友電気工業株式会社 代理人弁理士 玉蟲久五部
Ｆｌ、＋、気回路図、第６図は本発明の実施例を表わす
相、気回路図である。 １は半導体レーザ、２はモニタ回路、３は比較器、４は
半導体レーザ駆動回路、５は直流バイアス回路、６はピ
ーク検出回路、５１はトランジスタ、５２は演鋳、増幅
器、５５はコンデンサ、５４はインダクタ、５５は抵抗
である。 特許出願人 住友電気工業株式会社 代理人弁理士 玉蟲久五部
Claims (1)
- 半導体レーザのモニタ光を処理して得た制御信号に基づ
きレーザ出力光か安定になるようにその直流バイアスを
変更する直流バイアス回路に於いて、半導体レーザに直
流バイアスを与える定電流回路の出力端子にインダクタ
を接続し、且つ、その制御端子と負電源′電圧端子間に
コンデンサを接続して前記制御信号を前記制御端子に入
力する構成としたことを特徴とする半導体レーザ用直流
バイアス回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24873983A JPS59145586A (ja) | 1983-12-27 | 1983-12-27 | 半導体レ−ザ用直流バイアス回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24873983A JPS59145586A (ja) | 1983-12-27 | 1983-12-27 | 半導体レ−ザ用直流バイアス回路 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4300880A Division JPS56140685A (en) | 1980-04-02 | 1980-04-02 | Dc bias circuit for semiconductor laser |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59145586A true JPS59145586A (ja) | 1984-08-21 |
Family
ID=17182640
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24873983A Pending JPS59145586A (ja) | 1983-12-27 | 1983-12-27 | 半導体レ−ザ用直流バイアス回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59145586A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0269982A (ja) * | 1988-03-04 | 1990-03-08 | British Telecommun Plc <Bt> | 光信号の増幅装置 |
| EP1873877A1 (en) * | 2006-06-27 | 2008-01-02 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Laser scanning device and image forming device including the laser scanning device |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53116794A (en) * | 1977-03-23 | 1978-10-12 | Mitsubishi Electric Corp | Laser device for optical communication |
-
1983
- 1983-12-27 JP JP24873983A patent/JPS59145586A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53116794A (en) * | 1977-03-23 | 1978-10-12 | Mitsubishi Electric Corp | Laser device for optical communication |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0269982A (ja) * | 1988-03-04 | 1990-03-08 | British Telecommun Plc <Bt> | 光信号の増幅装置 |
| EP1873877A1 (en) * | 2006-06-27 | 2008-01-02 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Laser scanning device and image forming device including the laser scanning device |
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