JPS58134471A - 双方向サイリスタ - Google Patents
双方向サイリスタInfo
- Publication number
- JPS58134471A JPS58134471A JP57018503A JP1850382A JPS58134471A JP S58134471 A JPS58134471 A JP S58134471A JP 57018503 A JP57018503 A JP 57018503A JP 1850382 A JP1850382 A JP 1850382A JP S58134471 A JPS58134471 A JP S58134471A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gate
- layer
- thyristor
- electrode
- type
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000002457 bidirectional effect Effects 0.000 title claims abstract description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 241000156753 Calycophyllum candidissimum Species 0.000 description 1
- 241000053451 Silis Species 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D18/00—Thyristors
- H10D18/80—Bidirectional devices, e.g. triacs
Landscapes
- Thyristors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は高感度双方向サイリスタに関するものである
。
。
第１図は従来の双方向Ｔイリスタ（トライアック）の構
成を示す断面図で、αＱはｎ形ペース（ｎ、）層、（１
１）はｐ形ペース（ｐ、）層、（ｌ乃はｐ形エミッタ（
ｐ、）層、（１！Ｉはｎ形エミッタ（ｎ、）層、Ｑ４ｉ
はリモートゲート側のｎ１層、ａ句はｎ形ゲート層、（
ｌ呻はゲート電極、Ｑｌ’ｌ’１電極、Ｑ樽はＴ、電極
である。
成を示す断面図で、αＱはｎ形ペース（ｎ、）層、（１
１）はｐ形ペース（ｐ、）層、（ｌ乃はｐ形エミッタ（
ｐ、）層、（１！Ｉはｎ形エミッタ（ｎ、）層、Ｑ４ｉ
はリモートゲート側のｎ１層、ａ句はｎ形ゲート層、（
ｌ呻はゲート電極、Ｑｌ’ｌ’１電極、Ｑ樽はＴ、電極
である。
ｊＩ２図はこの従来のトライアックのゲートＧとＴ１電
極との間の、電圧電流特性を示す特性図で、電圧Ｖ１に
対する電流を工１としたときＲ□＝ｖ１／工、で示され
る内部インピーダンスＲＱＫでゲー）ＧトＴ。
極との間の、電圧電流特性を示す特性図で、電圧Ｖ１に
対する電流を工１としたときＲ□＝ｖ１／工、で示され
る内部インピーダンスＲＱＫでゲー）ＧトＴ。
電極との間が短絡されていることになるので、キャリア
の注入に寄与しない無効電流が流れ、少なくともこの電
流以下ではこのトライアックは点弧しない。このような
理由によって、従”米のトライアックはさまざまの高感
度化の試みが行なわれているにもかかわらず、ゲートト
リガ電流工。１は少なくとも１ｍＡ以上を必要としてお
り、集積回路やフォトカプラなどで直接駆動をすること
ができなかった。
の注入に寄与しない無効電流が流れ、少なくともこの電
流以下ではこのトライアックは点弧しない。このような
理由によって、従”米のトライアックはさまざまの高感
度化の試みが行なわれているにもかかわらず、ゲートト
リガ電流工。１は少なくとも１ｍＡ以上を必要としてお
り、集積回路やフォトカプラなどで直接駆動をすること
ができなかった。
この発明は以上のような点に鑑みてなされたもので、ゲ
ートトリガ電流の小さいトライアックを得ることを目的
としている。
ートトリガ電流の小さいトライアックを得ることを目的
としている。
第３図はこの発明の一実施例の構成を示す断面図で、簡
単にいえば、通常のｐゲートサイリスタ（ＣＲＩ）とｎ
ゲートサイリスタ（ＣＲ２）とを組合わせたものである
。ｐゲー、トサイリスタ（ＣＲＩ）はｎ１層−１ｐ）層
■υ、ｐ□層磐およびｎ８層ｍ−・ら表り、９１層なり
にゲート電極−がｎ８層ｇｌＫＴ、電極−が設けられて
いる□ｎゲートサイリスタ（ＣＲ２）はｎ１層に）。
単にいえば、通常のｐゲートサイリスタ（ＣＲＩ）とｎ
ゲートサイリスタ（ＣＲ２）とを組合わせたものである
。ｐゲー、トサイリスタ（ＣＲＩ）はｎ１層−１ｐ）層
■υ、ｐ□層磐およびｎ８層ｍ−・ら表り、９１層なり
にゲート電極−がｎ８層ｇｌＫＴ、電極−が設けられて
いる□ｎゲートサイリスタ（ＣＲ２）はｎ１層に）。
９３層６υ、Ｒ３層（至）、リモート１ゲート側のｎ８
層−およびｎ形ゲート層に）からな□す、ｎ形ゲート層
−にゲート電極−が、９８層−にはでよ電極に）が設け
られている。そして、両すイリ、スタのゲート電極（２
）、、：′ および御が共通に接続され、Ｔ１電［１■および（２）
が共通に接続され、ｐゲートサイリスタ（ＣＲＩ）の２
１層（支）とｎゲートサイリスタ（ＣＲ２）のｎ８層■
とが共通にＴ２電極−に接続されている。
層−およびｎ形ゲート層に）からな□す、ｎ形ゲート層
−にゲート電極−が、９８層−にはでよ電極に）が設け
られている。そして、両すイリ、スタのゲート電極（２
）、、：′ および御が共通に接続され、Ｔ１電［１■および（２）
が共通に接続され、ｐゲートサイリスタ（ＣＲＩ）の２
１層（支）とｎゲートサイリスタ（ＣＲ２）のｎ８層■
とが共通にＴ２電極−に接続されている。
このような構成にすることによって、ｐゲートサイリス
タ（ＣＲＩ）とｎゲートサイリスタ（ＣＲ２）とは相互
に干渉することなく、各々の特性を十分発揮することが
でき、ゲートトリガ電流Ｉａｔが１０μＡ〜１００μＡ
のトライアックが実現できる。１２！に、纂１図の従来
のトライアックでは左右のサイリスタの相互干渉によプ
、ｄＶ／ｄｔ耐量は最大でも１００Ｖ／＃６程度である
が、この実施例になるトライアックの鳩舎は、ｐゲート
サイリスタ（ＣＲＩ）ではｐ１層ｍ０厚さおよびワーキ
ングポイントの制御により、また、ｎゲートサイリスタ
（ＣＲ２）ではｐ１層ｍ０厚さを調整し、ｎＭＩＮの構
造を第３図に示したようにエミッタショート構造にする
ことＫよって、工。、は１００／ＪＡ以下で、ｄＶ／ｄ
ｔ耐量が５００〜１００ＯＶ／＃１！の特性が得られる
。
タ（ＣＲＩ）とｎゲートサイリスタ（ＣＲ２）とは相互
に干渉することなく、各々の特性を十分発揮することが
でき、ゲートトリガ電流Ｉａｔが１０μＡ〜１００μＡ
のトライアックが実現できる。１２！に、纂１図の従来
のトライアックでは左右のサイリスタの相互干渉によプ
、ｄＶ／ｄｔ耐量は最大でも１００Ｖ／＃６程度である
が、この実施例になるトライアックの鳩舎は、ｐゲート
サイリスタ（ＣＲＩ）ではｐ１層ｍ０厚さおよびワーキ
ングポイントの制御により、また、ｎゲートサイリスタ
（ＣＲ２）ではｐ１層ｍ０厚さを調整し、ｎＭＩＮの構
造を第３図に示したようにエミッタショート構造にする
ことＫよって、工。、は１００／ＪＡ以下で、ｄＶ／ｄ
ｔ耐量が５００〜１００ＯＶ／＃１！の特性が得られる
。
譜
第４図はこの、、″発明の他の実施例の構成を示す断面
図で、ｐゲ］ト□・フィリータ（ＣＲ１）と・ゲートサ
イリスタ（ＣＲ２）との間の距離をある程度設ければ１
個の半導体チップ内に形成しても、第３図の実施例よ如
多少特性の低下はあるが、一応この発明の所期の特性が
得られる。
図で、ｐゲ］ト□・フィリータ（ＣＲ１）と・ゲートサ
イリスタ（ＣＲ２）との間の距離をある程度設ければ１
個の半導体チップ内に形成しても、第３図の実施例よ如
多少特性の低下はあるが、一応この発明の所期の特性が
得られる。
以上説明したように、仁の発明では、ｐゲートサイリス
タとｎゲートサイリスタとを互いに干渉せぬように逆並
列接続してトライアックを構成したのでゲートトリガ電
流の小さいｄＶ／ｉｔ耐量の大きいトライブックが得ら
れる。
タとｎゲートサイリスタとを互いに干渉せぬように逆並
列接続してトライアックを構成したのでゲートトリガ電
流の小さいｄＶ／ｉｔ耐量の大きいトライブックが得ら
れる。
１１１１図は従来のトライアックの構成を示す断面図、
第２図はこの従来のトライアックのゲートＧとＴ１電極
との間の電圧電流゛特性を示す特性図、第３図はこの発
明の一実施例の構成を示す断面図、第４図はこの発明の
他の実施例の構成を示す断面図である。 図において、（ＣＲ１）はｐゲートサイリス□り、（Ｃ
Ｒ２）はｎゲートサイリスタ、■はｐゲートサイリスタ
（ＣＲＩ）のｐ、 （アノード）層、翰はｐゲートサイ
リスタ（ＣＲＩ）のｎ、 （カソード）層、（ロ）はｐ
ゲートサイリスタ（（！Ｒ１）のＰｉ （ゲート）層、
に）はｎゲートサイリスタ（ＯＲ２）のｐ、 （アノー
ド）層、−ばｎゲートサイリスタ（ＣＲ２）のｎ、（カ
ンード珈、（至）はｎゲートサイリスタ（ＣＲ２）のｎ
形ゲート層、輪は金属板である。 なお、図中同一符号は同一または和尚部分を示す０ 代理人 葛野信−（外１名） 第１図 第２図 第３図 第４図
第２図はこの従来のトライアックのゲートＧとＴ１電極
との間の電圧電流゛特性を示す特性図、第３図はこの発
明の一実施例の構成を示す断面図、第４図はこの発明の
他の実施例の構成を示す断面図である。 図において、（ＣＲ１）はｐゲートサイリス□り、（Ｃ
Ｒ２）はｎゲートサイリスタ、■はｐゲートサイリスタ
（ＣＲＩ）のｐ、 （アノード）層、翰はｐゲートサイ
リスタ（ＣＲＩ）のｎ、 （カソード）層、（ロ）はｐ
ゲートサイリスタ（（！Ｒ１）のＰｉ （ゲート）層、
に）はｎゲートサイリスタ（ＯＲ２）のｐ、 （アノー
ド）層、−ばｎゲートサイリスタ（ＣＲ２）のｎ、（カ
ンード珈、（至）はｎゲートサイリスタ（ＣＲ２）のｎ
形ゲート層、輪は金属板である。 なお、図中同一符号は同一または和尚部分を示す０ 代理人 葛野信−（外１名） 第１図 第２図 第３図 第４図
Claims (2)
- （１） Ｐゲートサイリスタのアノードおよびカソー
ドをそれぞれｎゲートサイリスタのカソードおよびアノ
ードに接続し、上記ｐゲートサイリスタのｐゲートと上
記ｎゲートサイリスタのｎゲートとを接続して上記ｐゲ
ートサイリスタと上記ｎゲートサイリスタとを互いに干
渉しないように逆並列接続してなることを特徴とする双
方向サイリスタ０ - （２）ｐゲートサイリスタのアノードとｎゲートサイリ
スタのカソードとを一枚の金属板に互いに間隔をおいて
接続したことを特徴とする特許請求の範囲ｍ１項記載の
双方向サイリスタ０（３）ｐゲートサイリスタとｎゲー
トサイリスタとをともに１個の半導体チップ内に組み込
んでなることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
双方同サイリスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57018503A JPS58134471A (ja) | 1982-02-05 | 1982-02-05 | 双方向サイリスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57018503A JPS58134471A (ja) | 1982-02-05 | 1982-02-05 | 双方向サイリスタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58134471A true JPS58134471A (ja) | 1983-08-10 |
Family
ID=11973424
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57018503A Pending JPS58134471A (ja) | 1982-02-05 | 1982-02-05 | 双方向サイリスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58134471A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63253665A (ja) * | 1987-04-09 | 1988-10-20 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
| EP1524767A2 (fr) * | 2003-10-17 | 2005-04-20 | St Microelectronics S.A. | Structure de commutateur SCR à commande HF |
| EP3091572A1 (fr) * | 2015-05-05 | 2016-11-09 | STMicroelectronics (Tours) SAS | Commutateur bidirectionnel de puissance |
| EP3096456A1 (fr) * | 2015-05-20 | 2016-11-23 | STMicroelectronics (Tours) SAS | Commutateur bidirectionnel de puissance a performances en commutation ameliorees |
| FR3069957A1 (fr) * | 2017-08-02 | 2019-02-08 | Stmicroelectronics (Tours) Sas | Commutateur unidirectionnel a gachette referencee a l'electrode principale de face arriere |
| EP4398309A1 (en) * | 2022-12-30 | 2024-07-10 | Littelfuse Semiconductor (Wuxi) Co., Ltd. | High noise immunity triac structure with insulating trench |
-
1982
- 1982-02-05 JP JP57018503A patent/JPS58134471A/ja active Pending
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63253665A (ja) * | 1987-04-09 | 1988-10-20 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
| EP1524767A2 (fr) * | 2003-10-17 | 2005-04-20 | St Microelectronics S.A. | Structure de commutateur SCR à commande HF |
| FR2861228A1 (fr) * | 2003-10-17 | 2005-04-22 | St Microelectronics Sa | Structure de commutateur scr a commande hf |
| EP1524767A3 (fr) * | 2003-10-17 | 2005-08-10 | St Microelectronics S.A. | Structure de commutateur SCR à commande HF |
| US7161191B2 (en) | 2003-10-17 | 2007-01-09 | Stmicroelectronics S.A. | HF-control SCR switch structure |
| FR3036001A1 (fr) * | 2015-05-05 | 2016-11-11 | St Microelectronics Tours Sas | Commutateur bidirectionnel de puissance |
| EP3091572A1 (fr) * | 2015-05-05 | 2016-11-09 | STMicroelectronics (Tours) SAS | Commutateur bidirectionnel de puissance |
| US9997623B2 (en) | 2015-05-05 | 2018-06-12 | Stmicroelectronics (Tours) Sas | Bidirectional power switch |
| EP3096456A1 (fr) * | 2015-05-20 | 2016-11-23 | STMicroelectronics (Tours) SAS | Commutateur bidirectionnel de puissance a performances en commutation ameliorees |
| FR3036534A1 (fr) * | 2015-05-20 | 2016-11-25 | St Microelectronics Tours Sas | Commutateur bidirectionnel de puissance a performances en commutation ameliorees |
| FR3069957A1 (fr) * | 2017-08-02 | 2019-02-08 | Stmicroelectronics (Tours) Sas | Commutateur unidirectionnel a gachette referencee a l'electrode principale de face arriere |
| US10707337B2 (en) | 2017-08-02 | 2020-07-07 | Stmicroelectronics (Tours) Sas | One-way switch with a gate referenced to the main back side electrode |
| EP4398309A1 (en) * | 2022-12-30 | 2024-07-10 | Littelfuse Semiconductor (Wuxi) Co., Ltd. | High noise immunity triac structure with insulating trench |
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