JPH11330315A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 配線基板上に実装された半導体素子の熱を簡
単な構成で確実に放熱できるようにする。 【解決手段】 プリント基板１２上にはＩＣチップ１１
が搭載されており、そのＩＣチップ１１の熱はスルーホ
ール１９及び放熱層１７を通じて放熱される。ＩＣチッ
プ１１は封止樹脂１５で封止されており、その封止樹脂
１５の表面は凹凸状に形成されている。これにより、封
止樹脂の表面積は大であるので、ＩＣチップ１１の熱を
封止樹脂１５を通じて効率よく放熱することができる。
従って、プリント基板１２の裏面に放熱体を設ける必要
がなくなり、プリント基板１２の裏面にも部品を実装す
ることができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、配線基板上に実装
された半導体素子の熱を放熱する手段を改善した半導体
装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来より、配線基板に実装された半導体
素子の熱を放熱する手段として、種々の手段が提案され
ている。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】この種の手段の一例と
して、特開平８−７８７９５号公報のものがある。この
ものは、配線基板に半導体素子を直接実装したＣＯＢ
（Chip On Board ）実装に関し、図１６に示すように配
線基板１の表面上に半導体素子２が実装されている。ま
た、配線基板１の裏面には放熱体３が形成されている。
この放熱体３の表面は凹凸状に形成されており、その表
面積の増大が図られていることから、半導体装置の放熱
性を向上することができる。

【０００４】しかしながら、このような構成では、配線
基板１の表面には半導体素子２を実装できるものの、裏
面には放熱体３が形成されていることから、配線基板１
の裏面にチップ部品などを実装できなくなり、実装密度
が低下してしまうという問題がある。

【０００５】一方、ＣＯＢ実装において、その半導体素
子が大電力用である場合の放熱構造として、特開平２−
２８０３６４号公報のものが供されている。このもの
は、モールドＩＣの実施例を示しており、モールドパッ
ケージの上面に熱伝導良好な放熱板を接着して放熱効果
を高めるというものである。

【０００６】しかしながら、このような構成では、通常
の工程に、放熱板の接着という工程と、そのための設備
（マウント機、接着剤塗布装置等）が必要となる。ま
た、このような構成をＣＯＢ実装に適用した場合には、
次のような問題もある。即ち、ＣＯＢ実装では、半導体
素子に液状樹脂を塗布して封止するため、図１７に示す
ように、封止樹脂４の表面形状は曲面になり、個々の製
品の樹脂形状も異なるため、放熱板を封止樹脂に密着さ
せて添設することは困難である。また、封止樹脂４が硬
化しないうちに放熱板を載置するという手段も考えられ
るが、この場合も、放熱板が自重で沈み、ワイヤ５に接
触するなどの問題が発生する虞があるため、例えば特開
平５−２１１２４７号公報に示すように放熱板をキャッ
プ形状とするなど、ワイヤ５に当たらないように放熱板
の形状を工夫する必要があり、コストアップとなる。

【０００７】一方、ＣＯＢ実装において、半導体素子の
熱を放熱させる構造として、半導体素子の下面を直接別
部材（リードフレーム、ヒートシンク、配線基板上のＣ
ｕパターン等）に接着して放熱する方法が一般的に採用
されているものの、半導体装置の構造によっては半導体
素子の下面からの放熱が不可能な場合がある。このよう
な場合、半導体素子の上面から空気中に放熱させること
が考えられるものの、半導体素子の上面にはその外周部
にワイヤの接合部が位置しているため、他の部材を直接
接着することは簡単ではなく、例えば特開平２−２８０
３６４号公報に示すように半導体素子の表面からワイヤ
の高さ以上に離した位置に放熱板を設けるようにしてい
る。この場合、厚い樹脂層を通じての放熱となるので、
十分な放熱効果を得ることはできない。

【０００８】これを解決するため、例えば特開平５−６
３１１３号公報に示すものでは、半導体素子の上面にお
いてワイヤを避けた領域のみにヒートシンクを接着でき
るように、ヒートシンクを小さくしている。

【０００９】しかしながら、このような構成の場合、ヒ
ートシンク及びその下に介在させるポリイミドフィルム
を接着してから樹脂形成するという手順を採用してお
り、従来工程に比較して複雑となっている。

【００１０】そこで、ヒートシンクを用いた構成を簡単
化するためには、ヒートシンクだけを配線基板上に載置
する工程を採用することが望ましい。特に配線基板上に
半導体素子を直接実装したＣＯＢ実装構造においては、
樹脂封止または液状封止を塗布後硬化させる方法が一般
的であるため、樹脂塗布と略同時にヒートシンクを配線
基板上に載置すれば樹脂硬化と同時に接着もできるた
め、前述した構成を簡単に実現することができる。

【００１１】つまり、ＣＯＢ実装はもともと樹脂モール
ド工程に比較して簡単な樹脂封止工程が特徴であるた
め、そのメリットを生かすためにはヒートシンクを配線
基板上に載置するだけの簡単な工程が望まれる。

【００１２】また、特開平５−６３１１３号公報のもの
では、ヒートシンク材料としてアルミナのようなセラミ
ック材料及びＣｕ系合金のような金属材料が示してある
が、コストが安い割に熱伝導率が高い金属材料の使用が
当然望ましい。

【００１３】しかしながら、以上の課題を満足しようと
した場合、次のような問題を生じる。即ち、ヒートシン
クを配線基板上に載置しただけでは、半導体素子の表面
の電極との電気的な短絡の懸念、或いは、樹脂封止工程
等でヒートシンクがずれてしまうことによるワイヤの電
気的短絡の懸念がある。半導体素子の表面は一般に絶縁
保護膜が形成されているものの、このような場合、絶縁
信頼性の保証は困難である。さらに、ワイヤは絶縁性を
有していないためヒートシンクとの短絡の虞が大きい。

【００１４】本発明は上記事情に鑑みてなされたもの
で、配線基板上に実装された半導体素子の熱を簡単な構
成で確実に放熱することができる半導体装置を提供する
ことにある。

【００１５】

【課題を解決するための手段】請求項１の発明によれ
ば、半導体素子の熱は封止樹脂を通じて空気中に放熱さ
れる。ここで、半導体素子をコーティングしている封止
樹脂の表面は凹凸状に形成されてその表面積が増大され
ているので、封止樹脂による放熱効率を高めることがで
きる。

【００１６】請求項２の発明によれば、封止樹脂の表面
には熱硬化性放熱用部材が密着されているので、封止樹
脂に熱硬化性放熱用部材を簡単に添設することができる
と共に、硬化された熱硬化性放熱用部材を通じて半導体
素子の熱を効率よく放熱することができる。

【００１７】請求項３の発明によれば、熱硬化性放熱用
部材の表面は凹凸状に形成されてその表面が増大してい
るので、半導体素子の放熱効率を高めることができる。

【００１８】請求項４の発明によれば、熱硬化性放熱用
部材の封止樹脂への密着部位においてボンディングワイ
ヤ領域を外れた部位は半導体素子側に膨出形成されてい
るので、熱硬化性放熱用部材がボンディングワイヤに接
触してしまうことを防止しながら、熱硬化性放熱用部材
の表面積を増大しかつ熱硬化性放熱用部材と半導体素子
との距離を小さくして、半導体素子の放熱効率を高める
ことができる。

【００１９】請求項５の発明によれば、半導体素子の熱
はヒートシンクに伝熱されて放熱される。

【００２０】ここで、ヒートシンクの半導体素子との接
触面には絶縁被膜が形成されているので、ヒートシンク
が半導体素子と導通してしまうことはない。また、ヒー
トシンクのワイヤとの接触面にも絶縁被膜が形成されて
いるので、ヒートシンクがワイヤと導通してしまうこと
はない。

【００２１】請求項６の発明によれば、封止樹脂には絶
縁性フィラーが混入されているので、配線基板上に実装
された半導体素子を封止樹脂でコーティングしてから半
導体素子上のボンディングワイヤから外れた部位にヒー
トシンクを載置すると、ヒートシンクと半導体素子との
間に絶縁性フィラーが介在するので、ヒートシンクの半
導体素子との接触面に絶縁被膜を形成することなく半導
体素子上にヒートシンクを載置することができる。

【００２２】請求項７の発明によれば、半導体素子の熱
は、ボンディングワイヤ上に載置されたヒートシンクを
通じて放熱される。ここで、ヒートシンクにおけるワイ
ヤとの接触面には絶縁被膜が形成されているので、ヒー
トシンクがワイヤと導通してしまうことはない。

【００２３】請求項８の発明によれば、ヒートシンクの
上部は封止樹脂から露出しているので、ヒートシンクが
封止樹脂に完全に被覆されている場合に比較して、ヒー
トシンクの放熱効率を高めることができる。

【００２４】請求項９の発明によれば、ヒートシンクの
封止樹脂からの露出部位は側方に膨出形成されて表面積
が増大されているので、放熱効率を高めることができ
る。

【００２５】請求項１０の発明によれば、半導体素子全
体が封止樹脂でモールドされていることから、放熱性が
悪いものの、半導体素子上にはヒートシンクが絶縁状態
で載置されているので、半導体素子の熱はヒートシンク
に伝達されて放熱される。この場合、ヒートシンクは半
導体素子と絶縁されているので、ヒートシンクが半導体
素子と導通してしまうことはない。

【００２６】

【発明の実施の形態】（第１の実施の形態）以下、本発
明の第１の実施の形態を図１を参照して説明する。図１
は半導体装置の断面構造を模式的に示している。この図
１において、ＩＣチップ１１（半導体素子に相当）はプ
リント基板１２（配線基板に相当）上に高熱伝導接着剤
１３で接着されることにより実装されている。このＩＣ
チップ１１はワイヤ１４でプリント基板１２上の回路パ
ターンに接続されている。そして、ＩＣチップ１１全体
及びワイヤ１４並びにプリント基板１２上の回路パター
ンを保護する目的で封止樹脂１５により封止されてい
る。

【００２７】上記プリント基板１２は絶縁層１６間に放
熱層１７をはさんで形成されていると共に、その表面及
び裏面には回路パターン１８が形成されている。また、
プリント基板１２にはスルーホール１９が形成されてお
り、そのスルーホール１９及び放熱層１７を通じてＩＣ
チップ１１の熱が放熱されるようになっている。

【００２８】ここで、ＩＣチップ１１を覆っている封止
樹脂１５の表面は、次のようにして凹凸状に形成されて
いる。即ち、プリント基板１２上に液状の封止樹脂１５
をコーティングしてから、封止樹脂１５が硬化する前
に、表面に凹凸が形成された部材（図示せず）を封止樹
脂１５の表面に押し当て、封止樹脂１５が硬化してから
その部材を取り去ることにより封止樹脂１５の表面に凹
凸状を形成することができる。

【００２９】また、熱硬化性封止樹脂の場合、裏面に凹
凸が形成された部材を加熱して封止樹脂１５に押し当て
れば、その表面は仮硬化され、転写された凹凸形状はそ
の部材を取去った後も保持され、その後、本硬化を行
う。

【００３０】また、別の方法としては、封止樹脂１５を
硬化させてから、表面に凹凸が形成された部材を加熱し
た状態で封止樹脂１５に押し当てて封止樹脂の表面を溶
かすことにより、樹脂表面１５の表面に凹凸状を形成す
ることができる。

【００３１】このような構成によれば、ＩＣチップ１１
の熱は、スルーホール１９及び放熱層１７を通じて放熱
されるのに加えて、封止樹脂１５を通じても空気中に放
熱される。この場合、封止樹脂１５の表面は凹凸状をな
してその表面積は増大されていることから、封止樹脂１
５による放熱性を高めることができる。

【００３２】また、プリント基板１２の裏面にも回路パ
ターン１８を形成することができるので、プリント基板
の裏面に放熱体を形成する従来例に比較して、プリント
基板１２の裏面にチップ部品等を実装することができ、
これにより部品の高密度実装を達成することができる。

【００３３】尚、図２に示すようにプリント基板１２内
に放熱層１７が設けられていない構成であっても、封止
樹脂１５の表面を凹凸状に形成して表面積を増加させる
ことにより放熱性を向上することができる。この場合、
熱抵抗にて約３℃／Ｗ程度低減できる。但し、その数値
は、封止樹脂１５はエポキシ樹脂、封止樹脂１５の投影
面積は４平方ｃｍ程度、封止樹脂１５の表面積は従来の
ものに対して２倍程度の場合における条件での数値であ
る。

【００３４】（第２の実施の形態）以下、本発明の第２
の実施の形態を図３を参照して説明する。プリント基板
１２の断面を模式的に示す図３において、プリント基板
２０上にはＩＣチップ２１が実装され、そのＩＣチップ
２１上の電極とプリント基板２０上の電極とがワイヤ２
２により接続されている。その後、ＩＣチップ２１やワ
イヤ２２の保護のため、液状の封止樹脂２３が塗布され
ている。

【００３５】ここで、通常のＣＯＢ実装では、液状の封
止樹脂２３の塗布後に直ちに樹脂の熱硬化工程にはいる
が、本実施の形態では、樹脂塗布の後、熱伝導性の良好
な金属等の材料（例えばＡｇ，Ｃｕ，シリカ等）のペー
スト２４（熱硬化性放熱用部材に相当）を塗布してか
ら、封止樹脂２３と一緒に熱硬化を実施している。

【００３６】この場合、封止樹脂２３の熱伝導率は通常
０，７Ｗ／ｍ・ｋ程度であるが、例えばＡｇペーストは
通常７Ｗ／ｍ．ｋ程度、大きいものでは２３Ｗ／ｍ・ｋ
程度まであり、一般的な封止樹脂２３と比較して約３３
倍ほどあり、放熱効果は極めて大きくなる。但し、これ
らは既存のペースト材料の例であるが、それらは通常接
着剤として使用する目的で作られるため、機械的強度等
も考慮する必要から含有される金属成分は比較的少量と
なっている。また、ＩＣチップ用の封止樹脂も基本的に
はシリカ等の粉を含んだペーストと言えるが、これも、
機械的強度の他、ワイヤ等細部の封止性をよくするため
に粘度等にも配慮が必要で、シリカ等の成分は少なく設
定されている。

【００３７】しかしながら、本実施の形態で使用する金
属等のペースト２４は放熱性を重視して考慮すればよい
ため、金属等の成分を増大し、さらに熱伝導のよい材料
を選定することができる。また、封止樹脂２３と金属等
のペースト２４とのバインダーは通常樹脂同士であるた
め、両者の接着力を高めることができる。特に同じ樹脂
系（例えばエポキシ等）を用いれば、特にその効果は大
きい。また、プリント基板１２としては、アルミナ基板
等の絶縁基板全般に適用可能である。

【００３８】このような第２の実施の形態によれば、封
止樹脂２３の表面に放熱性の高いペースト２４を付着さ
せるようにしたので、曲面形状の樹脂表面にもペースト
を添設した状態で形成することができる。また、ＩＣチ
ップ２１のマウントや接着等の工程が不要で、特に２種
類の材料を塗布できる仕様の塗布装置を用いることによ
り、設備費、加工時間共、従来工程よりのアップ分を極
めて小さく抑制することができる。

【００３９】尚、図４に示すように封止樹脂２３を中央
部が陥没形状となるように塗布すると共に、その陥没部
に充填するようにペースト２４を封止樹脂２３上に吐出
するようにしてもよい。このように封止樹脂２３の中央
部が陥没形状となるように形成するには、封止樹脂２３
の塗布時に封止樹脂塗布用のノズルの動かしを工夫する
ことにより実施することができる。

【００４０】このようにペースト２４の中央部の厚みを
増大することにより、導電性のペースト２４がワイヤ２
２に接触してしまうことを防止しながら、ペースト２４
による放熱性を高めることができる。

【００４１】また、図５に示すように金属等のペースト
２４の表面が凹凸状となるように塗布するようにしても
よい。これは、ペースト塗布時にペースト塗布用のノズ
ルの動かし方及びペースト２４の粘度により調整するこ
とができる。このようにペースト２４の表面を凹凸状に
形成してペースト２４の表面積を増大させることにより
ペースト２４による放熱性を高めることができる。

【００４２】（第３の実施の形態）次に本発明の第３の
実施の形態を図６及び図７を参照して説明する。半導体
装置の断面を模式的に示す図６において、プリント基板
２５上に実装されたＩＣチップ２６上にはヒートシンク
２７が搭載されている。このヒートシンク２７は外周面
が絶縁被膜２７ａにより被覆されている。

【００４３】このようにＩＣチップ２６上にヒートシン
ク２７を載置する工程としては、まず、プリント基板２
５上にＩＣチップ２６を接着し、ワイヤ２８によりＩＣ
チップ２６上の電極とプリント基板２５上の回路パター
ンとを電気的に接続した後、ＩＣチップ２６上に外周全
面を絶縁コートされた金属性のヒートシンク２７を載置
する。このヒートシンク２７のサイズは、図７に示すよ
うにワイヤ２８に接触しない程度に小さく、ワイヤ２８
に接触しない位置に載置される。そして、ＩＣチップ２
６全体は封止樹脂２９で封止されている。

【００４４】ここで、ヒートシンク２７を絶縁被膜２７
ａでコートする方法としては、例えばカゴの中に多くの
ヒートシンク材料を収納し、カゴごと液状の絶縁樹脂材
料等に入れた後、引上げて乾燥する等、一括で大量の処
理が行える手法を採用することにより、１個当りのコス
トを低く抑制することができる。ここで、絶縁材料とし
て、ゴム系材料等弾力性とある程度（０．１ｍｍ程度）
の厚さのある材料を採用すれば、ＩＣチップ２６やワイ
ヤ２８へのダメージ低減及び封止樹脂後の樹脂の熱応力
に対する吸収の役目もする。

【００４５】尚、ヒートシンク２７を絶縁コートする他
の方法としては、金属材料の表面を熱若しくは薬品によ
り酸化、窒化等の変化を起こさせるという手法を用いて
もよい。

【００４６】この絶縁コートされたヒートシンク２７を
ＩＣチップ２６上に載置した後、液状樹脂をディスペン
ス塗布し、ＩＣチップ２６及びワイヤ２８を封止する。
このとき、ヒートシンク２７も同時に接着される。ここ
で、図６に示すようにヒートシンク２７の上面が封止樹
脂２９から露出するような塗布の仕方をすれば、放熱は
より効果的に行われる。

【００４７】このような第３の実施の形態によれば、Ｉ
Ｃチップ２６上にヒートシンク２７を絶縁して載置する
ようにしたので、ＩＣチップ２６の熱をヒートシンク２
７を通じて効率的に放熱することができる。この場合、
ヒートシンク２７として絶縁コートされたものを用いる
ようにしたので、ポリイミドフィルムを用いてヒートシ
ンクを半導体基板に接着する従来構成に比較して、ヒー
トシンク２７がＩＣチップ２６上の電極或いはワイヤ２
８に接触するにしても電気的な短絡を生じることはな
い。また、ヒートシンク２７は金属の外周面に絶縁被膜
２７ａを形成しているから、コストの安い金属を使用し
ながら容易に絶縁を図ることができる。

【００４８】尚、図８に示すように、封止樹脂３０には
通常フィラー（シリカ等の絶縁材料の粒子で、直径数十
μｍ程度）が含まれているため、ヒートシンク２７をプ
リント基板２５に樹脂塗布した直後に載置することによ
りヒートシンク２７とＩＣチップ２６との間にフィラー
３０（図８では強調して描かれている）を介在させるこ
とができ、ＩＣチップ２６とヒートシンク２７との間の
絶縁効果を高めることができる。

【００４９】このように絶縁フィラーが混合された封止
樹脂３０を使用する構成では、図９に示すようにヒート
シンク３１としては側面のみに絶縁被膜３１ａをコーテ
ィングするようにしてもよい。この場合、ヒートシンク
３１の側面にコーティングされた絶縁被膜３１ａにより
ワイヤ２８との絶縁性は保たれる。また、ヒートシンク
３１の上面及び下面は金属面が露出しているものの、上
記実施の形態と同様に、プリント基板２５への樹脂塗布
の直後にヒートシンク３１をＩＣチップ２６上に載置す
ることにより封止樹脂２９に含まれるフィラー３０によ
りＩＣチップ２６とヒートシンク３１との絶縁を保つこ
とができる。

【００５０】このヒートシンク３１の製法としては、図
１０に示すように長尺円柱状または長尺角柱状の材料の
外周面に絶縁被膜３１ａをコーティングしておき、後で
薄くスライスするこにとより薄肉のヒートシンク３１を
形成することにより、低コストで簡単に製作することが
できる。尚、ヒートシンク３１としては、樹脂被覆され
た電線等をそのままスライスして形成するようにしても
よい。

【００５１】また、ヒートシンクの形状としては、図１
１及び図１２に示すようにヒートシンク３２の頭部を側
方に膨出形成し、その頭部を封止樹脂２９の外部に露出
させるようにしてもよい。この場合、ヒートシンク３２
は樹脂塗布の後でＩＣチップ２６上に載置するもので、
封止樹脂２９から外部に露出している頭部は側方に膨出
形成されてその表面積が増大していることから、ヒート
シンク３２の放熱効果を一層高めることができる。ま
た、ヒートシンクの形状としては、図１３に示すように
きのこ形状であってもよい。

【００５２】（第４の実施の形態）次に本発明の第４の
実施の形態を図１４を参照して説明するに、第３の実施
の形態と同一部分には同一符号を付して説明を省略し、
異なる部分について説明する。

【００５３】半導体装置の断面を模式的に示す図１４に
おいて、ＩＣチップ２６とプリント基板２５とを電気的
に接続するワイヤ２８にはヒートシンク３３が載置され
ている。

【００５４】この場合、ワイヤ２８の高さが極力低くな
るようにワイヤボンディング条件を設定すれば、ＩＣチ
ップ２６の表面から１００〜１５０μｍの位置にヒート
シンク３３を設置することが可能となる。この場合、ヒ
ートシンク３３とＩＣチップ２６との間隙は上記の第３
の実施の形態に比較して大きくなるものの、大きな放熱
面積を得ることができる。また、図１１〜図１３に示し
たヒートシンク３２よりも簡単な構造のため、低コスト
で実施することができる。

【００５５】（第５の実施の形態）次に本発明をモール
ドＩＣに適用した第５の実施の形態を図１５を参照して
説明する。半導体装置の断面を模式的に示す図１５にお
いて、プリント基板３４上にはモードＩＣ３５が実装さ
れている。

【００５６】このモールドＩＣ３５において、ＩＣチッ
プ３６はリードフレーム３７上に実装されていると共
に、ＩＣチップ３６上の電極はワイヤ３８によりリード
３９と接続されている。

【００５７】ここで、ＩＣチップ３６上においてワイヤ
３８との接合領域から外れた部位には全周に絶縁被膜が
コーティングされたヒートシンク４０が搭載されてい
る。この場合、ヒートシンク４０を封止樹脂４１上面か
ら露出させると、モールド時の圧力がＩＣチップ３６に
直接かかるという問題を生じるが、露出させなければ可
能となる。このヒートシンク４０は全面に絶縁被膜がコ
ーティングされている。

【００５８】このような第５の実施の形態によれば、Ｉ
Ｃチップ３６上に絶縁被膜がコーティングされたヒート
シンク４０を添設した状態で樹脂モールドするようした
ので、簡単な構成でモールドＩＣ３５の放熱性を高める
ことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施の形態における半導体装置
の断面の模式図

【図２】変形の形態を示す図１相当図

【図３】本発明の第２の実施の形態における半導体装置
の断面の模式図

【図４】変形の形態を示す図３相当図

【図５】変形の形態を示す図３相当図

【図６】本発明の第３の実施の形態における半導体装置
の断面を示す模式図

【図７】ＩＣチップ及びヒートシンクの斜視図

【図８】変形の形態を示す図６相当図

【図９】変形の形態を示す図６相当図

【図１０】製造過程を示すためのヒートシンクの斜視図

【図１１】変形の形態を示す図６相当図

【図１２】ヒートシンクの斜視図

【図１３】変形の形態を示す図１２相当図

【図１４】本発明の第４の実施の形態における半導体装
置の断面を示す模式図

【図１５】本発明の第５の実施の形態におけるモールド
ＩＣの断面を示す模式図

【図１６】従来例における半導体装置の断面を示す模式
図

【図１７】他の従来例を示す図１６相当図

【符号の説明】

１１はＩＣチップ（半導体素子）、１２はプリント基板
（配線基板）、１４はワイヤ、１５は封止樹脂、１６は
絶縁層、１７は放熱層、１９はスルーホール、２０はプ
リント基板（配線基板）、２１はＩＣチップ（半導体素
子）、２２はワイヤ、２３は封止樹脂、２４はペースト
（熱硬化性放熱用部材）、２５はプリント基板（配線基
板）、２６はＩＣチップ（半導体素子）、２７はヒート
シンク、２７ａは絶縁被膜、２８はワイヤ、２９は封止
樹脂、３０は絶縁フィラー、３１〜３３はヒートシン
ク、３４はプリント基板（配線基板）、３５はモールド
ＩＣ、３６はＩＣチップ（半導体素子）、３７はリード
フレーム、３８はワイヤ、４０はヒートシンク、４１は
封止樹脂である。

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 配線基板上に実装された半導体素子を封
   止樹脂でコーティングする構成の半導体装置において、 前記封止樹脂の表面は凹凸状に形成されていることを特
   徴とする半導体装置。
2. 【請求項２】 配線基板上に実装された半導体素子を封
   止樹脂でコーティングする構成の半導体装置において、 前記封止樹脂の表面に熱硬化性放熱用部材を密着したこ
   とを特徴とする半導体装置。
3. 【請求項３】 前記熱硬化性放熱用部材の表面は凹凸状
   に形成されていることを特徴とする請求項２記載の半導
   体装置。
4. 【請求項４】 前記熱硬化性放熱用部材の前記封止樹脂
   への密着部位においてボンディングワイヤ領域を外れた
   部位は前記半導体素子側に膨出形成されていることを特
   徴とする請求項２または３記載の半導体装置。
5. 【請求項５】 配線基板に実装された半導体素子を封止
   樹脂でコーティングする構成の半導体装置において、 前記半導体素子上に添設され少なくとも当該半導体との
   接触面及びボンディングワイヤとの対向面に絶縁被膜が
   形成されたヒートシンクを備えていることを特徴とする
   半導体装置。
6. 【請求項６】 配線基板に実装された半導体素子を封止
   樹脂でコーティングする半導体装置の製造方法におい
   て、 前記配線基板に実装された前記半導体素子を絶縁性フィ
   ラーが混入された封止樹脂でコーティングしてから、前
   記半導体素子上のボンディングワイヤから外れた部位に
   ヒートシンクを載置したことを特徴とする半導体装置の
   製造方法。
7. 【請求項７】 配線基板に実装された半導体素子を封止
   樹脂でコーティングする構成の半導体装置において、 ボンディングワイヤ上に載置され少なくとも当該ボンデ
   ィングワイヤとの接触面に絶縁被膜が形成されたヒート
   シンクを備えたことを特徴とする半導体装置。
8. 【請求項８】 前記ヒートシンクは、その上部が前記封
   止樹脂から露出していることを特徴とする請求項７記載
   の半導体装置。
9. 【請求項９】 前記ヒートシンクの前記封止樹脂からの
   露出部位は側方に膨出形成されていることを特徴とする
   請求項８記載の半導体装置。
10. 【請求項１０】 配線基板上に実装された半導体素子全
    体を封止樹脂でモールドする構成の半導体装置におい
    て、 前記半導体素子上に当該半導体素子と絶縁状態で載置さ
    れたヒートシンクを備えていることを特徴とする半導体
    装置。