JPH10284252A - 有機el素子 - Google Patents
有機el素子Info
- Publication number
- JPH10284252A JPH10284252A JP9101078A JP10107897A JPH10284252A JP H10284252 A JPH10284252 A JP H10284252A JP 9101078 A JP9101078 A JP 9101078A JP 10107897 A JP10107897 A JP 10107897A JP H10284252 A JPH10284252 A JP H10284252A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- group
- layer
- organic
- compound
- quinolinolato
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Luminescent Compositions (AREA)
Abstract
や組み合わせる有機材料に最適な仕事関数をもたせ、し
かも耐熱性の高い有機EL素子を提供する。 【解決手段】 1層以上の有機化合物層を有し、その1
層以上が一般式Iの化合物を含有する有機EL素子。 (R1 ,R3 、R5 は水素、アルキル基、アルコキシ
基、3−フェニル基、フェノキシ基またはジアリールア
ミノ基、R2 ,R4、R6 は水素、アルキル基、3−フ
ェニル基、アリールアミノ基またはジアリールアミノ基
を表す。但しR1 ,R2 ,R3 ,R4 ,R5 、R6の1
つ以上は3−フェニル基、アリールアミノ基またはジア
リールアミノ基である。)
Description
光)素子に関し、詳しくは、有機化合物からなる積層構
造薄膜に電界を印加して光を放出する素子に関する。さ
らに詳しくは、正孔注入層に特定なトリアリールアミン
多量体を用いることで、低駆動電圧、安定な駆動、安定
な発光、高表示品位、高耐熱性を持つ有機電界発光素子
に関する。
む薄膜を、陰極と陽極とで挟んだ構成を有し、前記薄膜
に電子および正孔を注入して再結合させることにより励
起子(エキシトン)を生成させ、このエキシトンが失活
する際の光の放出(蛍光・燐光)を利用して発光する素
子である。
圧で100〜100,000cd/m2程度の高輝度の面発
光が可能であり、また蛍光物質の種類を選択することに
より青色から赤色までの発光が可能なことである。
く、保存耐久性、信頼性が低いことであり、この原因と
しては、
じ、素子の電荷注入能の劣化・短絡・絶縁破壊の原因と
なる。特に分子量500以下の低分子化合物を用いると
結晶粒の出現・成長が起こり、膜性が著しく低下する。
また、ITO等の界面が荒れていても、顕著な結晶粒の
出現・成長が起こり、発光効率の低下や、電流のリーク
を起こし、発光しなくなる。また、部分的非発光部であ
るダークスポットの原因にもなる。)
としてNa・K・Li・Mg・Ca・Al等を用いて来
たが、これらの金属は大気中の水分や酸素と反応した
り、有機層と陰極の剥離が起こり、電荷注入出来なくな
る。特に高分子化合物などを用い、スピンコートなどで
成膜した場合、成膜時の残留溶媒・水分や分解物が電極
の酸化反応を促進し、電極の剥離が起こり部分的な非発
光部を生じさせる。)
機化合物を置かねばならず、発熱からは逃れられない。
その熱のため、有機化合物の溶融・結晶化・熱分解など
により素子の劣化・破壊が起こる。)
化学的変化 (有機物に電流を流すことで有機物が劣化し、電流トラ
ップ・励起子トラップ等の欠陥を生じ、駆動電圧の上
昇、輝度の低下等の素子劣化が起こる。)などが挙げら
れる。
下で用いられるが、特に高温の環境では、有機化合物の
物理的変化である結晶化・有機物の移動・拡散等の有機
分子の再配列を起こし、表示品位の低下や、素子の破壊
を引き起こす。
極や陰極界面、特に陽極界面は成膜時の有機物層の膜性
に大きな影響を及ぼし、状態によっては陽極上に有機物
層が不均一に成膜されたり、良好な界面が形成できない
等の不具合を生じる。
面に、フタロシアニン、ポリフェニレンビニレン、ポリ
チオフェン蒸着膜、アミン多量体等の材料を用いること
が報告されている。しかしながら、フタロシアニン(米
国特許第4720432号明細書あるいは特開昭63-
295695号公報)を用いるとフタロシアニン自身が
微結晶性で、上に載せる材料の結晶化を促進するため、
初期状態では良好でも長期的にはダークスポットや、発
光ムラ等の原因となり好ましくない。また、ポリフェニ
レンビニレンはスピンコート等のウエットプロセスを用
いるため、水分等空気中の不純物を巻き込んだり、前駆
体から変換する際の脱離基等のイオン性不純物が混入す
るため、電極の酸化が速く、著しい輝度劣化や駆動電圧
の上昇の原因となる。
ェンの重合度や蒸着時ののばらつきが大きく、良好な素
子作製の再現性が低い事や、ポリチオフェン自身が可視
光領域に光吸収を持っているため膜厚を厚くすることが
困難であり、ITOの表面状態を十分に改質出来ない等
の不具合が生じる。また、アミン系多量体としては、デ
ンドリマー材料(特開平4-308688号公報)やテ
トラアミン材料(米国特許第439627号明細書)・
トリアミン材料(特開平8-193191号公報)等が
報告されているが、十分な耐熱性、特に高温保存状態に
おいて陽極上での膜の均一性・安定性は得られていな
い。
物理的変化や光化学的変化、電気化学的変化の少ない光
・電子機能材料を用い、信頼性および発光効率の高い種
々の発光色を持った、有機EL素子を提供することであ
る。
性が高い化合物を蒸着法で形成した有機薄膜を用い、素
子の駆動時の駆動電圧上昇や輝度の低下、電流のリー
ク、部分的な非発光部の出現・成長を抑え、輝度の低下
が小さく、高耐熱性等の信頼性が高く、かつ高輝度な有
機EL素子を提供することである。
て、陽電極や組み合わせる有機材料に最適な仕事関数を
もたせ、かつ耐熱性の高い有機EL素子を提供すること
である。
(1)〜(4)の本発明により達成される。 (1) 少なくとも1層以上の有機化合物層を有し、こ
の有機物層の少なくとも1層が下記式(I)で表される
化合物を含有する有機EL素子。
およびR6は、それぞれ水素原子、アルキル基、アルコ
キシ基、3-フェニル基、フェノキシ基、アリールアミノ
基またはジアリールアミノ基を表す。但し、R1,R2,
R3,R4,R5およびR6の少なくとも1つは3-フェニル
基、アリールアミノ基またはジアリールアミノ基であ
る。) (2) 前記有機化合物層として、少なくとも正孔注入
輸送層と、発光層とを有し、前記正孔注入輸送層が上記
(1)の化合物を含有する有機EL素子。 (3) 前記有機化合物層として、正孔注入層と、発光
層とを有し、前記正孔注入層が上記(1)の化合物を含
有する有機EL素子。 (4) 発光層が、正孔注入輸送性化合物と、電子注入
輸送性化合物とを含有する上記(1)〜(3)のいずれ
かの有機EL素子。
る化合物を正孔(ホール)注入層もしくはホール注入輸
送層に用いるため、薄膜性が良好となりムラが無く均一
な発光が可能である。また、大気下で一年以上安定であ
り結晶化を起こさない。また、ホール注入効率を最適化
するため、分子構造に特定なトリアリールアミン多量体
を有することを特徴とする。また、高温駆動にも耐えら
れ、低駆動電圧・低駆動電流で効率よく発光する。さら
に、本発明の有機EL素子は、連続駆動時に駆動電圧の
上昇が小さい。なお、本発明のEL素子の発光極大波長
は、400〜700nm程度である。
合物層を有し、少なくとも1層の有機化合物層が上記式
(I)で表される骨格を有する化合物を含有する。
R2 ,R3 ,R4 ,R5 およびR6,は、水素原子、ア
ルキル基、アルコキシ基、3−フェニル基、フェノキシ
基、アリールアミノ基またはジアリールアミノ基を表
す。R1 とR3 とR5 、そしてR2 とR4 およびR
6 は、通常、それぞれ同一であるが異なっていてもよ
い。アルキル基としては、通常、炭素数1〜6の直鎖ま
たは分岐を有するアルキル基が挙げられる。アルコキシ
基としては、アルキル部分の炭素数1〜6のものが好ま
しく、具体的には、メトキシ基、エトキシ基、t−ブト
キシ基等が挙げられる。フェニル基は、置換基を有して
いてもよく、このような置換基としては、メチル基、エ
チル基、プロピル基、ブチル基等の炭素数1〜6のアル
キル基、メトキシ基、エトキシ基等の炭素数1〜6のア
ルコキシ基、フェノキシ基等が挙げられる。これらの置
換基は、母骨格の3−位に置換基を有することが好まし
い。アリールアミノ基またはジアリールアミノ基として
は、
2 は、それぞれフェニル基、(o,m,p)ビフェニル
基またはα,β−ナフチル基、アントリル基、フェナン
トリル基、ピレニル基またはペリレニル基を表し、これ
らは、炭素数1〜3のアルキル基、アリール基、アルコ
キシ基、アミノ基またはベンゾイル基で置換されていて
もよい。R7 は炭素数1〜5のアルキル基である。
〜3のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロ
ピル基等が挙げられ、またAr1 ,Ar2 を置換するア
リール基としては、単環または多環のものであってよ
く、総炭素数6〜20のものが好ましい。具体的には、
フェニル基、ナフチル基、アントリル基、フェナントリ
ル基およびピレニル基等が挙げられ、特にフェニル基が
好ましい。これらアリール基はさらに置換されていても
よく、このような置換基として、アルキル基、アリール
基、アルコキシ基、アリーロキシル基等が挙げられる。
Ar1 ,Ar2 を置換するアルコキシ基としては、アル
キル部分の炭素数1〜6のものが好ましく、具体的に
は、メトキシ基、エトキシ基、t−ブトキシ基等が挙げ
られる。これらはさらに置換されていてもよい。A
r1 ,Ar2 を置換するアミノ基としては、非置換でも
置換基を有していてもよいが、置換基を有するものとし
ては、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジフェニ
ルアミノ基、フェニルビフェニルアミノ基、ビス(ビフ
ェニル)アミノ基等の上記のAr1 ,Ar2 、R7 等を
持つジアリールアミノ基、アルキルアリールアミノ基、
ジアリールアミノ基等が挙げられる。ベンゾイル基は置
換基を有していてもよく、このような置換基としては、
アリール基で挙げたものと同様のものが挙げられる。
1つ、特に2〜6、さらには3〜6は、3フェニル基お
よび/またはアリールアミノ基および/またはジアリー
ルアミノ基である必要がある。
記に示す。
族と1級もしくは2級の芳香族アミンとを、ウルマン反
応により縮合する事で提供できる。特にヨウ化アリール
化合物と、アリールアミノまたはジアリールアミノ化合
物とをウルマン反応により縮合することで、好ましく合
成することができる。
ペクトル(IR)、 1H核磁気共鳴スペクトル(NM
R)等によって同定することができる。
00程度の分子量をもち、190〜300℃以上の高融
点を有し、80〜200℃の高ガラス転移温度を示し、
通常の真空蒸着等により透明で室温以上でも安定なアモ
ルファス状態を形成し、平滑で良好な膜として得られ、
しかもそれが長期間に渡って維持される。なお、本発明
の化合物のなかには融点を示さず、高温においてもアモ
ルファス状態を呈するものもある。従ってバインダー樹
脂を用いることなく、それ自体で薄膜化することができ
る。
機化合物層を有し、少なくとも1層の有機化合物層が本
発明の化合物を含有する。本発明の有機EL素子の構成
例を図1に示す。同図に示される有機EL素子は、陽極
3、正孔注入・輸送層4、発光層5、電子注入輸送層
6、陰極7を順次有し、さらにガラス基板2上に、カラ
ーフィルター8、蛍光変換フィルター9、前記有機EL
素子、封止層10、カバー11を順次積層、形成するこ
とにより有機ELカラーディスプレイとなる。
入機能、それらの輸送機能、正孔と電子の再結合により
励起子を生成させる機能を有する。正孔注入輸送層は、
陽極からの正孔の注入を容易にする機能、正孔を安定に
輸送する機能および電子の輸送を妨げる機能を有し、電
子注入輸送層は、陰極からの電子の注入を容易にする機
能、電子を安定に輸送する機能および正孔の輸送を妨げ
る機能を有するものであり、これらの層は、発光層へ注
入される正孔や電子を増大・閉じ込めるさせ、再結合領
域を最適化させ、発光効率を改善する。電子注入輸送層
および正孔注入輸送層は、発光層に用いる化合物の電子
注入、電子輸送、正孔注入、正孔輸送の各機能の高さを
考慮し、必要に応じて設けられる。例えば、発光層に用
いる化合物の正孔注入輸送機能または電子注入輸送機能
が高い場合には、正孔注入輸送層または電子注入輸送層
を設けずに、発光層が正孔注入輸送層または電子注入輸
送層を兼ねる構成とすることができる。また、場合によ
っては正孔注入輸送層および電子注入輸送層のいずれも
設けなくてよい。また、正孔注入輸送層および電子注入
輸送層は、それぞれにおいて、注入機能を持つ層と輸送
機能を持つ層とに別個に設けてもよい。
送層や、正孔注入輸送層などのキャリア移動度やキャリ
ア密度(イオン化ポテンシャル・電子親和力により決ま
る)を考慮しながら、膜厚をコントロールすることで、
再結合領域・発光領域を自由に設定することが可能であ
り、発光色の設計や、両電極の干渉効果による発光輝度
・発光スペクトルの制御や、発光の空間分布の制御を可
能にできる。
場合について説明する。正孔注入輸送層は、本発明の化
合物を蒸着するか、あるいは樹脂バインダー中に分散さ
せてコーティングして形成すればよい。特に蒸着を行え
ば良好なアモルファス膜が得られる。
場合、発光層に用いる蛍光性物質は、より長波長の蛍光
をもつものから選択すればよく、例えば、上記した発光
層において本発明の化合物と併用される蛍光性物質の1
種以上から適宜選択すればよい。なお、このような場合
発光層にも本発明の化合物を用いることができる。
注入輸送材料を組み合わせてもよい。特に好ましいの
は、組み合わせる正孔注入輸送材料をイオン化ポテンシ
ャルの小さい順にITO上に、例えば、正孔注入層、正
孔輸送層と積層することが好ましく、ITO表面には、
薄膜性が良好で、親水性にバラツキのあるITO表面上
でも均一な薄膜を形成することのできる正孔注入材料を
用いることが好ましい。素子化する場合、蒸着を用いる
事ができるので、1〜10nm程度の薄い膜も、均一かつ
ピンホールフリーとする事が出来る。また、膜厚、屈折
率などを調整することで、発光色や発光輝度、発光の空
間分布等の干渉光効果を利用して効率の低下を防ぐこと
が出来る。
昭63−295695号、特開平5−234681号、
特開平8−48656号等に開示されている化合物を用
いる事が好ましい。
本発明の化合物はフェニレンジアミン骨格を持っており
ドナー性が非常に強く、発光材料とエキサイプレックス
等の蛍光強度の低下するような相互作用をしやすい。そ
のため、発光効率の低下や、発光スペクトルのブロード
化による色純度低下等の弊害があり、好ましくない。し
かしながら、相互作用の無い発光材料を用いたときに
は、ホール(正孔)輸送材料として用いることが出来
る。
層、発光層あるいは正孔注入輸送層のいずれにも適用可
能であるが、正孔注入性が良好であるので、正孔注入層
あるいは正孔注入輸送層に用いることが好ましい。本発
明の化合物を正孔注入層に用い、TPD等の相互作用の
少ない正孔輸送層を設けることで、発光効率を高く維持
することができる。
てもよい。このような蛍光性物質としては、例えば、特
開昭63−264692号公報に開示されているような
化合物、例えばキナクリドン、ルブレン、スチリル系色
素等の化合物から選択される少なくとも1種が挙げられ
る。また、トリス(8−キノリノラト)アルミニウム等
の8−キノリノールないしその誘導体を配位子とする金
属錯体色素などのキノリン誘導体、テトラフェニルブタ
ジエン、アントラセン、ペリレン、コロネン、12−フ
タロペリノン誘導体等が挙げられる。さらには、特願平
6−110569号のフェニルアントラセン誘導体、特
願平6−114456号のテトラアリールエテン誘導体
等も挙げられる。
と組み合わせて使用することが好ましく、ドーパントと
しての使用が好ましい。
好ましく、さらには8−キノリノールないしその誘導体
を配位子とするアルミニウム錯体が好ましい。このよう
なアルミニウム錯体としては、特開昭63−26469
2号、特開平3−255190号、特開平5−7073
3号、特開平5−258859号、特開平6−2158
74号等に開示されているものを挙げることができる。
ラト)アルミニウム、ビス(8−キノリノラト)マグネ
シウム、ビス(ベンゾ{f}−8−キノリノラト)亜
鉛、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)アルミニウ
ムオキシド、トリス(8−キノリノラト)インジウム、
トリス(5−メチル−8−キノリノラト)アルミニウ
ム、8−キノリノラトリチウム、トリス(5−クロロ−
8−キノリノラト)ガリウム、ビス(5−クロロ−8−
キノリノラト)カルシウム、5,7−ジクロル−8−キ
ノリノラトアルミニウム、トリス(5,7−ジブロモ−
8−ヒドロキシキノリノラト)アルミニウム、ポリ[亜
鉛(II)−ビス(8−ヒドロキシ−5−キノリニル)メ
タン]、等がある。
のほかに他の配位子を有するアルミニウム錯体であって
もよく、このようなものとしては、ビス(2−メチル−
8−キノリノラト)(フェノラト)アルミニウム(III)
、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)(オルト−
クレゾラト)アルミニウム(III) 、ビス(2−メチル−
8−キノリノラト)(メタークレゾラト)アルミニウム
(III) 、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)(パラ
−クレゾラト)アルミニウム(III) 、ビス(2−メチル
−8−キノリノラト)(オルト−フェニルフェノラト)
アルミニウム(III) 、ビス(2−メチル−8−キノリノ
ラト)(メタ−フェニルフェノラト)アルミニウム(II
I) 、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)(パラ−
フェニルフェノラト)アルミニウム(III) 、ビス(2−
メチル−8−キノリノラト)(2,3−ジメチルフェノ
ラト)アルミニウム(III) 、ビス(2−メチル−8−キ
ノリノラト)(2,6−ジメチルフェノラト)アルミニ
ウム(III) 、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)
(3,4−ジメチルフェノラト)アルミニウム(III) 、
ビス(2−メチル−8−キノリノラト)(3,5−ジメ
チルフェノラト)アルミニウム(III) 、ビス(2−メチ
ル−8−キノリノラト)(3,5−ジ−tert−ブチルフ
ェノラト)アルミニウム(III) 、ビス(2−メチル−8
−キノリノラト)(2,6−ジフェニルフェノラト)ア
ルミニウム(III) 、ビス(2−メチル−8−キノリノラ
ト)(2,4,6−トリフェニルフェノラト)アルミニ
ウム(III) 、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)
(2,3,6−トリメチルフェノラト)アルミニウム(I
II) 、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)(2,
3,5,6−テトラメチルフェノラト)アルミニウム(I
II) 、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)(1−ナ
フトラト)アルミニウム(III) 、ビス(2−メチル−8
−キノリノラト)(2−ナフトラト)アルミニウム(II
I) 、ビス(2,4−ジメチル−8−キノリノラト)
(オルト−フェニルフェノラト)アルミニウム(III) 、
ビス(2,4−ジメチル−8−キノリノラト)(パラ−
フェニルフェノラト)アルミニウム(III) 、ビス(2,
4−ジメチル−8−キノリノラト)(メタ−フェニルフ
ェノラト)アルミニウム(III) 、ビス(2,4−ジメチ
ル−8−キノリノラト)(3,5−ジメチルフェノラ
ト)アルミニウム(III) 、ビス(2,4−ジメチル−8
−キノリノラト)(3,5−ジ−tert−ブチルフェノラ
ト)アルミニウム(III) 、ビス(2−メチル−4−エチ
ル−8−キノリノラト)(パラ−クレゾラト)アルミニ
ウム(III) 、ビス(2−メチル−4−メトキシ−8−キ
ノリノラト)(パラ−フェニルフェノラト)アルミニウ
ム(III) 、ビス(2−メチル−5−シアノ−8−キノリ
ノラト)(オルト−クレゾラト)アルミニウム(III) 、
ビス(2−メチル−6−トリフルオロメチル−8−キノ
リノラト)(2−ナフトラト)アルミニウム(III) 等が
ある。
ノラト)アルミニウム(III) −μ−オキソ−ビス(2−
メチル−8−キノリノラト)アルミニウム(III) 、ビス
(2,4−ジメチル−8−キノリノラト)アルミニウム
(III) −μ−オキソ−ビス(2,4−ジメチル−8−キ
ノリノラト)アルミニウム(III) 、ビス(4−エチル−
2−メチル−8−キノリノラト)アルミニウム(III) −
μ−オキソ−ビス(4−エチル−2−メチル−8−キノ
リノラト)アルミニウム(III) 、ビス(2−メチル−4
−メトキシキノリノラト)アルミニウム(III) −μ−オ
キソ−ビス(2−メチル−4−メトキシキノリノラト)
アルミニウム(III) 、ビス(5−シアノ−2−メチル−
8−キノリノラト)アルミニウム(III) −μ−オキソ−
ビス(5−シアノ−2−メチル−8−キノリノラト)ア
ルミニウム(III) 、ビス(2−メチル−5−トリフルオ
ロメチル−8−キノリノラト)アルミニウム(III) −μ
−オキソ−ビス(2−メチル−5−トリフルオロメチル
−8−キノリノラト)アルミニウム(III) 等であっても
よい。
−110569号に記載のフェニルアントラセン誘導体
や特願平6−114456号に記載のテトラアリールエ
テン誘導体なども好ましい。
合わせるものとする他、少なくとも一種以上の正孔注入
輸送性化合物と少なくとも1種以上の電子注入輸送性化
合物との混合層とすることも好ましく、この混合層中に
ドーパントを含有させることが好ましい。このような混
合層における化合物の含有量は、0.01〜20wt%、
さらには0.1〜15wt% とすることが好ましい。ま
た、化合物の含有量が多く(1wt%以上)、キャリア輸
送に影響する場合、前記ドーパントを混合層材料として
もよい。ホスト物質と組み合わせて使用することによっ
て、ホスト物質の発光波長特性を変化させることがで
き、長波長に移行した発光が可能になるとともに、素子
の発光効率や安定性が向上する。
スができるため、各キャリアは極性的に優勢な物質中を
移動し、逆の極性のキャリア注入は起こりにくくなるの
で、有機化合物がダメージを受けにくくなり、素子寿命
がのびるという利点があるが、前述のドーパントをこの
ような混合層に含有させることにより、混合層自体のも
つ発光波長特性を変化させることができ、発光波長を長
波長に移行させることができるとともに、発光強度を高
め、かつ素子の安定性が向上する。
および電子注入輸送性化合物は、各々、後記の正孔注入
輸送層用の化合物および電子注入輸送層用の化合物の中
から選択すればよい。なかでも、電子注入輸送性化合物
としては、キノリン誘導体、さらには8−キノリノール
ないしその誘導体を配位子とする金属錯体、特にトリス
(8−キノリノラト)アルミニウム(AlQ3)を用い
ることが好ましい。また、上記のフェニルアントラセン
誘導体、テトラアリールアミン誘導体を用いるのも好ま
しい。
蛍光を持ったアミン誘導体、例えば上記の正孔輸送材料
であるテトラフェニルジアミン誘導体、さらにはスチリ
ルアミン誘導体、芳香族縮合環を持つアミン誘導体を用
いるのが好ましい。
ャリア濃度を考慮する事で決定するが、一般的には、正
孔注入輸送性化合物の化合物/電子注入輸送機能を有す
る化合物の重量比が、1/99〜99/1、さらには1
0/90〜90/10、特には20/80〜80/20
程度)となるようにすることが好ましい。
する厚みから、有機化合物層の膜厚未満とすることが好
ましく、具体的には1〜85nmとすることが好ましく、
さらには5〜60nm、特には5〜50nmとすることが好
ましい。
蒸着源より蒸発させる共蒸着が好ましいが、蒸気圧(蒸
発温度)が同程度あるいは非常に近い場合には、予め同
じ蒸着ボード内で混合させておき、蒸着することもでき
る。混合層は化合物同士が均一に混合している方が好ま
しいが、場合によっては、化合物が島状に存在するもの
であってもよい。発光層は、一般的には、有機蛍光物質
を蒸着するか、あるいは樹脂バインダー中に分散させて
コーティングすることにより、発光層を所定の厚さに形
成する。
い。電子注入輸送層には、トリス(8−キノリノラト)
アルミニウム(AlQ3)等の8−キノリノールなしい
その誘導体を配位子とする有機金属錯体などのキノリン
誘導体、オキサジアゾール誘導体、ペリレン誘導体、ピ
リジン誘導体、ピリミジン誘導体、キノキサリン誘導
体、ジフェニルキノン誘導体、ニトロ置換フルオレン誘
導体等を用いることができる。電子注入輸送層は発光層
を兼ねたものであってもよく、このような場合はトリス
(8−キノリノラト)アルミニウム等を使用することが
好ましい。電子注入輸送層の形成は発光層と同様に蒸着
等によればよい。
孔注入輸送層および電子注入輸送層には、通常の有機E
L素子に用いられている各種有機化合物、例えば、特開
昭63−295695号公報、特開平2−191694
号公報、特開平3−792号公報等に記載されている各
種有機化合物を用いることができる。例えば、正孔注入
輸送層には、芳香族三級アミン、ヒドラゾン誘導体、カ
ルバゾール誘導体、トリアゾール誘導体、イミダゾール
誘導体、インドール誘導体等を用いることができ、ま
た、電子注入輸送層には、アルミキノリノールなどの有
機金属錯体誘導体・オキサジアゾール誘導体・ピリジン
誘導体・ピリミジン誘導体・キノリン誘導体・キノキサ
リン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、ペリレン誘導
体、フルオレン誘導体等を用いることができる。
び電子注入輸送層の厚さは特に限定されず、再結合領域
・発光領域の設計や形成方法によっても異なるが、通
常、5〜500nm程度、特に10〜200nmとすること
が好ましい。
層の厚さは、再結合・発光領域の設計によるが、発光層
の厚さと同程度もしくは1/10〜10倍程度とすれば
よい。
分ける場合は、注入層は1nm以上、輸送層は20nm以上
とするのが好ましい。
は、通常、注入層で100nm程度、輸送層で500nm程
度である。このような膜厚については注入輸送層を2層
設けるときも同じである。
層や正孔注入輸送層のキャリア移動度やキャリア密度
(イオン化ポテンシャル・電子親和力により決まる)を
考慮しながら、膜厚をコントロールすることで、再結合
領域・発光領域を自由に設設する事が可能であり、発光
色の設計や、両電極の干渉効果による発光輝度・発光ス
ペクトルの制御や、発光の空間分布の制御を可能に出来
る。
ば、Li、Na、K、Mg、Al、Ag、Inあるいは
これらの1種以上を含む合金を用いることが好ましい。
また、陰極は結晶粒が細かいことが好ましく、特に、ア
モルファス状態であることが好ましい。陰極の厚さは1
0〜1000nm程度とすることが好ましい。
化合物を蒸着・スパッタする事で封止効化が向上する。
とも一方の電極が透明ないし半透明である必要があり、
上記したように陰極の材料には制限があるので、好まし
くは発光光の透過率が80%以上となるように陽極の材
料および厚さを決定することが好ましい。具体的には、
例えば、ITO(錫ドープ酸化インジウム)、IZO
(亜鉛ドープ酸化インジウム)、SnO2 、Ni、A
u、Pt、Pd、ポリピロールなどを陽極に用いること
が好ましい。また、陽極の厚さは10〜500nm程度と
することが好ましい。また、素子の信頼性を向上するた
めに駆動電圧が低い事が必要であるが、好ましいものと
して10〜30Ω/□(厚み80〜300nm)のIT
Oが挙げられる。実際には、ITO界面での反射による
干渉効果が、高い光取り出し効率・高い色純度を満足で
きるようにITOの膜厚・光学定数を設計してやればよ
い。
においては、ITOの抵抗が大きくなるのでAl等の配
線をしても良い。
基板側から発光光を取り出すため、ガラスや樹脂等の透
明ないし半透明材料を用いる。また、基板にカラーフィ
ルター膜や、蛍光変換フィルター膜、誘電体反射膜を用
いたり、基板自身に着色したりして発光色をコントロー
ルしても良い
は、図1に示される積層順序を逆にしてもよい。
イ等で用いられているカラーフィルターを用いてもれば
良いが、有機ELの発光する光に合わせてカラーフィル
ターの特性を調整し、取り出し効率・色純度を最適化す
ればよい。
するような短波長の外光をカットできるカラーフィルタ
ーを用いれば、素子の耐光性・表示のコントラストも向
上する。
いてカラーフィルターの代わりにしても良い。
する。
の気相成長法により形成することが好ましい。
送層の形成には、均質な薄膜が形成できることから真空
蒸着法を用いることが好ましい。真空蒸着法を用いた場
合、アモルファス状態または結晶粒径が0.1μm 以下
の均質な薄膜が得られる。結晶粒径が0.1μm を超え
ていると、不均一な発光となり、素子の駆動電圧を高く
しなければならなくなり、電荷の注入効率も著しく低下
する。
0-5Torr以下の真空度とし、蒸着速度は0.01〜1nm
/sec 程度とすることが好ましい。また、真空中で連続
して各層を形成することが好ましい。真空中で連続して
形成すれば、各層の界面に不純物が吸着することを防げ
るため、高特性が得られる。また、素子の駆動電圧を低
くしたり、ダークスポットの成長・発生を抑えたりする
ことができる。
合において、1層に複数の化合物を含有させる場合、化
合物を入れた各ボートを個別に温度制御して共蒸着する
ことが好ましい。
EL素子として用いられるが、交流駆動またはパルス駆
動することもできる。印加電圧は、通常、2〜20V 程
度とされる。
をさらに詳細に説明する。
ビフェニル)-N- フェニルアミノ〕トリフェニルアミン
(HIM21:例示化合物No. 1)の合成
ドトリフェニルアミン28. 5gとN-(m- ビフェニ
ル)- アニリン57gと活性銅粉を4. 3gと炭酸カリ
ウム43gとデカリン50mlを加え、Ar雰囲気中、オ
イルバスの温度220℃で24時間加熱した。反応終了
後、トルエンを200ml加え、濾過して不溶物を取り除
き、濾液を水で洗浄し硫酸ナトリウムで乾燥した。乾燥
後この濾液より溶媒を留去し、残査を4回シリカゲルカ
ラム精製(展開溶媒 n- ヘキサン/トルエン混合溶
媒)し、ヘキサン/トルエン混合溶媒、酢酸エチルより
再結晶を繰り返し、真空乾燥後、4,4',4''- トリス〔-N
- (3-ビフェニル)-N- フェニルアミノ〕トリフェニル
アミン15gを得た。
の固形物1.8gを得た。
ス(3-ビフェニル)アミノ〕トリフェニルアミン(HI
M22:例示化合物No. 19)の合成 200mlの反応容器に4,4',4''- トリヨードトリフェニ
ルアミン18. 5gとビス(m-ビフェニル)アミン47
gと活性銅粉を2. 3gと炭酸カリウム27gとデカリ
ン50mlを加え、Ar雰囲気中、オイルバスの温度22
0℃で48時間加熱した。反応終了後、トルエンを20
0ml加え、濾過して不溶物を取り除き、濾液を水で洗浄
し硫酸ナトリウムで乾燥した。乾燥後この濾液より溶媒
を留去し、THFとメタノールで再沈して、濾取した固
形物をを4回シリカゲルカラム精製(展開溶媒 n- ヘ
キサン/トルエン混合溶媒)し、再度THFとメタノー
ルで再沈して、濾取した固形物を真空乾燥し、4,4',4''
- トリス〔-N,N- ビス(3-ビフェニル)アミノ〕トリフ
ェニルアミン18gを得た。
の固形物1.8gを得た。
フェニル-N-3- トリル- (アミノフェニル)〕-Nフェニ
ルアミノ}トリフェニルアミン(HIM23:例示化合
物No. 30)の合成 200mlの反応容器にN,N`- ジフェニル-1,4- フェニレ
ンジアミン17. 5gと 3-ヨードトルエン13gと活
性銅粉を0. 3gと炭酸カリウム50gとデカリン50
mlを仕込み、Ar雰囲気中、オイルバスの温度200℃
で24時間加熱した。反応終了後、トルエンを100ml
加え、濾過して不溶物を取り除き、濾液を水で洗浄し硫
酸ナトリウムで乾燥した。乾燥後この濾液より溶媒を留
去し、残査をアセトンで洗浄後、この残査を二回シリカ
ゲルカラム精製(展開溶媒 n-ヘキサン/トルエン混
合溶媒)し、N,N`- ジフェニル-N-3- トリル-1,4- フェ
ニレンジアミン20gを得た。
トリヨードトリフェニルアミン18. 5gとN,N`- ジフ
ェニル-N-3- トリル-1,4- フェニレンジアミン13. 8
gと活性銅粉を0. 3gと炭酸カリウム26gとデカリ
ン50mlを仕込み、Ar雰囲気中、オイルバスの温度2
00℃で48時間加熱した。反応終了後、トルエンを1
00ml加え、濾過して不溶物を取り除き、濾液を水で洗
浄し硫酸ナトリウムで乾燥した。乾燥後この濾液より溶
媒を留去し、残査を二回、シリカゲルカラム精製(展開
溶媒 n- ヘキサン/トルエン混合溶媒)し、4,4',4''
- トリス{-N-〔N-フェニル-N-3- トリル- (アミノフ
ェニル)〕-Nフェニルアミノ}トリフェニルアミン4.
0gを得た。
の固形物1.8gを得た。
フェニル-N-4- トリル- (アミノフェニル)〕-Nフェニ
ルアミノ}トリフェニルアミン(HIM24:例示化合
物No. 29)の合成 合成例1と同様に合成した。ただし、3-ヨードトルエン
の代わりに、4-ヨードトルエンを用いた。
極(陽極)を有するガラス基板を、中性洗剤、アセト
ン、エタノールを用いて超音波洗浄し、煮沸エタノール
中から引き上げて乾燥し、UVオゾン洗浄後、蒸着装置の
基板ホルダーに固定して、1×10-6Torrまで減圧し
た。
(-N-(3-ビフェニル)-N-フェニルアミノ)トリフェニルア
ミン(HIM21:例示化合物No. 1)を蒸着速度2nm
/secで50nmの厚さに蒸着し、正孔注入層とした。
(-m- ビフェニル)ベンジジン(TPD−105)を、
蒸着速度2nm/secで20nmの厚さに蒸着し、正孔輸送層
とした。
輸送層・発光層として、下記に示す構造のトリス(8-
キノリノラト)アルミニウム(AlQ3)を蒸着速度
0.2nm/sec で50nmの厚さに蒸着した。
(重量比10:1)を蒸着速度0.2nm/sec で200
nmの厚さに蒸着して陰極とし、保護層としてAlを10
0nm蒸着しEL素子を得た。
たところ、14V ・800mA/cm2で23800cd/m2
の緑色(発光極大波長λmax =520nm・色度座標x=
0.31y=0.57)の発光が確認され、この発光は
乾燥アルゴン雰囲気中で10000時間以上安定してい
た。部分的非発光部の出現および成長は全くなかったい
た。輝度の半減期は10mA/cm2 の定電流駆動駆動で5
00hr(初期輝度380cd/m2 駆動電圧上昇2. 5
V)であった。
の高温糟に放置したところ、500時間後も発光面にむ
らを生なかった。また、0.1mm以上のダークスポット
の発生・成長はなかった。
した。ただし、HIM21(例示化合物No. 1)の代わ
りに、HIM22(例示化合物No. 19)を用いた。
たところ、14V ・753mA/cm2で20480cd/m2
の緑色(発光極大波長λmax =520nm・色度座標x=
0.31y=0.56)の発光が確認され、この発光は
乾燥窒素雰囲気中で10000時間以上安定していた。
部分的非発光部の出現および成長は全くなかった。輝度
の半減期は10mA/cm2 の定電流駆動駆動で500hr
(393cd/m2 駆動電圧上昇2. 0V)、初であっ
た。
の高温糟に放置したところ、500時間後も発光面にむ
らを生なかった。また、0. 1mm以上のダークスポット
の発生・成長はなかった。
した。ただし、HIM21(例示化合物No. 1)の代わ
りにHIM23(例示化合物No. 30)を用いた。
たところ、13V ・553mA/cm2で19500cd/m2
の緑色(発光極大波長λmax =515nm・色度座標x=
0.3 y=0.57)の発光が確認され、この発光は
乾燥窒素雰囲気中で10000時間以上安定していた。
部分的非発光部の出現および成長は全くなかった。輝度
の半減期は10mA/cm2 の定電流駆動駆動で500hr
(340cd/m2 駆動電圧上昇2.0V)、
の高温糟に放置したところ、500時間後も発光面にむ
らを生なかった。また、0. 1mm以上のダークスポット
の発生・成長はなかった。
した。ただし、HIM21(例示化合物No. 1)の代わ
りにHIM24(例示化合物No. 29)を用いた。
たところ、14V ・753mA/cm2で21700cd/m2
の緑色(発光極大波長λmax =535nm・色度座標x=
0.32y=0.56)の発光が確認され、この発光は
乾燥窒素雰囲気中で10000時間以上安定していた。
部分的非発光部の出現および成長は全くなかった。輝度
の半減期は10mA/cm2 の定電流駆動駆動で500hr
(388cd/m2 駆動電圧上昇2.0V)、
の高温糟に放置したところ、500時間後も発光面にむ
らを生なかった。また、0. 1mm以上のダークスポット
の発生・成長はなかった。
した。ただし、上記正孔輸送層(TPD105)と電子
注入輸送・発光層(AlQ3)の界面を共蒸着で20nm
混合した(混合比1:1)。
たところ、16V ・980mA/cm2で21400cd/m2
の緑色(発光極大波長λmax =525nm・色度座標x=
0.3 y=0.56)の発光が確認され、この発光は
乾燥窒素雰囲気中で10,000時間以上安定してい
た。部分的非発光部の出現および成長は全くなかった。
輝度の半減期は10mA/cm2 の定電流駆動駆動で30,
00hr(330cd/m2駆動電圧上昇1.5V)であっ
た。
の高温槽に放置したところ、500時間後も発光面にム
ラを生じなかった。また、0.1mm以上のダークスポッ
トの発生・成長はなかった。
した。ただし、HIM21の代わりに、4,4',4''- トリ
ス(-N- (3-メチルフェニル)-N- フェニルアミノ)ト
リフェニルアミン(MTDATA)を用いた。
たところ、13V ・518mA/cm2で21700cd/m2
の緑色(発光極大波長λmax =520nm・色度座標x=
0.32y=0.56)の発光が確認された。輝度の半
減期は10mA/cm2 の定電流駆動駆動で500hr(初
期輝度381cd/m2、駆動電圧上昇2. 5V)、であっ
た。
の高温糟に放置したところ、10時間で発光面にむらを
生じた。また、ダークスポットの発生・成長も著しかっ
た。
した。ただし、HIM21の代わりに、銅フタロシアニ
ンニルを10nmの厚さで用いた。 このEL素子に電
圧を印加して電流を流したところ、14V ・532mA/
cm2 で21000cd/m2 の緑色(発光極大波長λmax =
528nm・色度座標x=0.32y=0.57)の発光
が確認された。輝度の半減期は10mA/cm2 の定電流駆
動駆動(初期輝度381cd/m2、駆動電圧上昇3. 0
V)したところ、200時間まで確認したがダークスポ
ットの成長が激しく正確な輝度の測定は出来なっかった
であった。
の高温糟に放置したところ、100時間で発光面にむら
を生じた。また、ダークスポットの発生・成長も著しか
った。
L素子は、素子の駆動時の駆動電圧上昇や輝度の低下、
電流のリーク、部分的な非発光部の出現・成長を抑え、
輝度の低下が小さく、高輝度で、高耐熱性等の信頼性が
高く、陽電極や組み合わせる有機材料に最適な仕事関数
を提供可能となり、連続発光信頼性の高い素子が得られ
る。
成図である。
る。
る。
Claims (4)
- 【請求項1】 少なくとも1層以上の有機化合物層を有
し、 この有機物層の少なくとも1層が下記式(I)で表され
る化合物を含有する有機EL素子。 【化1】 (式(I)中、R1,R2,R3,R4,R5およびR6は、
それぞれ水素原子、アルキル基、アルコキシ基、3−フ
ェニル基、フェノキシ基、アリールアミノ基またはジア
リールアミノ基を表す。但し、R1 ,R2 ,R3 ,
R4 ,R5 およびR6の少なくとも1つは3−フェニル
基、アリールアミノ基またはジアリールアミノ基であ
る。) - 【請求項2】 前記有機化合物層として、少なくとも正
孔注入輸送層と、発光層とを有し、 前記正孔注入輸送層が請求項1の化合物を含有する有機
EL素子。 - 【請求項3】 前記有機化合物層として、正孔注入層
と、発光層とを有し、 前記正孔注入層が請求項1の化合物を含有する有機EL
素子。 - 【請求項4】 発光層が、正孔注入輸送性化合物と、電
子注入輸送性化合物とを含有する請求項1〜3のいずれ
かの有機EL素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10107897A JP3871396B2 (ja) | 1997-04-03 | 1997-04-03 | 有機el素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10107897A JP3871396B2 (ja) | 1997-04-03 | 1997-04-03 | 有機el素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH10284252A true JPH10284252A (ja) | 1998-10-23 |
JP3871396B2 JP3871396B2 (ja) | 2007-01-24 |
Family
ID=14291074
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10107897A Expired - Lifetime JP3871396B2 (ja) | 1997-04-03 | 1997-04-03 | 有機el素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3871396B2 (ja) |
Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001092413A (ja) * | 1999-09-24 | 2001-04-06 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | El表示装置および電子装置 |
JP2002175883A (ja) * | 2000-09-20 | 2002-06-21 | Konica Corp | 有機エレクトロルミネッセンス素子、有機エレクトロルミネッセンス素子材料および表示装置 |
JP2002539292A (ja) * | 1999-03-12 | 2002-11-19 | ケンブリッジ ディスプレイ テクノロジー リミテッド | 重合体およびその調製方法と使用方法 |
US6830830B2 (en) * | 2002-04-18 | 2004-12-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Semiconducting hole injection materials for organic light emitting devices |
WO2005094133A1 (ja) * | 2004-03-25 | 2005-10-06 | Hodogaya Chemical Co., Ltd. | アリールアミン化合物および有機エレクトロルミネッセンス素子 |
JP2006063043A (ja) * | 2004-08-30 | 2006-03-09 | Mitsui Chemicals Inc | アミノ置換テトラフェニルチオフェン化合物、および該化合物を含有する有機電界発光素子 |
JP2007084439A (ja) * | 2004-03-25 | 2007-04-05 | Hodogaya Chem Co Ltd | アリールアミン化合物 |
JPWO2005094133A1 (ja) * | 2004-03-25 | 2008-02-14 | 保土谷化学工業株式会社 | アリールアミン化合物および有機エレクトロルミネッセンス素子 |
WO2009107574A1 (ja) | 2008-02-25 | 2009-09-03 | 昭和電工株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子、その製造方法およびその用途 |
US20100258788A1 (en) * | 2005-12-28 | 2010-10-14 | Nora Sabina Radu | Compositions comprising novel compounds and electronic devices made with such compositions |
US8937300B2 (en) | 2009-10-19 | 2015-01-20 | E I Du Pont De Nemours And Company | Triarylamine compounds for use in organic light-emitting diodes |
WO2015137391A1 (ja) * | 2014-03-14 | 2015-09-17 | 日産化学工業株式会社 | アニリン誘導体およびその利用 |
-
1997
- 1997-04-03 JP JP10107897A patent/JP3871396B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002539292A (ja) * | 1999-03-12 | 2002-11-19 | ケンブリッジ ディスプレイ テクノロジー リミテッド | 重合体およびその調製方法と使用方法 |
JP2001092413A (ja) * | 1999-09-24 | 2001-04-06 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | El表示装置および電子装置 |
US7786958B1 (en) | 1999-09-24 | 2010-08-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | EL display device and electronic device |
JP2002175883A (ja) * | 2000-09-20 | 2002-06-21 | Konica Corp | 有機エレクトロルミネッセンス素子、有機エレクトロルミネッセンス素子材料および表示装置 |
US6830830B2 (en) * | 2002-04-18 | 2004-12-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Semiconducting hole injection materials for organic light emitting devices |
US7862905B2 (en) * | 2004-03-25 | 2011-01-04 | Hodogaya Chemical Co., Ltd. | Arylamine compound and organic electroluminescent device |
WO2005094133A1 (ja) * | 2004-03-25 | 2005-10-06 | Hodogaya Chemical Co., Ltd. | アリールアミン化合物および有機エレクトロルミネッセンス素子 |
JP2007084439A (ja) * | 2004-03-25 | 2007-04-05 | Hodogaya Chem Co Ltd | アリールアミン化合物 |
JPWO2005094133A1 (ja) * | 2004-03-25 | 2008-02-14 | 保土谷化学工業株式会社 | アリールアミン化合物および有機エレクトロルミネッセンス素子 |
JP2012140434A (ja) * | 2004-03-25 | 2012-07-26 | Hodogaya Chem Co Ltd | アリールアミン化合物および有機エレクトロルミネッセンス素子 |
JP4491264B2 (ja) * | 2004-03-25 | 2010-06-30 | 保土谷化学工業株式会社 | アリールアミン化合物 |
JP2006063043A (ja) * | 2004-08-30 | 2006-03-09 | Mitsui Chemicals Inc | アミノ置換テトラフェニルチオフェン化合物、および該化合物を含有する有機電界発光素子 |
US20100258788A1 (en) * | 2005-12-28 | 2010-10-14 | Nora Sabina Radu | Compositions comprising novel compounds and electronic devices made with such compositions |
WO2009107574A1 (ja) | 2008-02-25 | 2009-09-03 | 昭和電工株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子、その製造方法およびその用途 |
US8937300B2 (en) | 2009-10-19 | 2015-01-20 | E I Du Pont De Nemours And Company | Triarylamine compounds for use in organic light-emitting diodes |
WO2015137391A1 (ja) * | 2014-03-14 | 2015-09-17 | 日産化学工業株式会社 | アニリン誘導体およびその利用 |
CN106103406A (zh) * | 2014-03-14 | 2016-11-09 | 日产化学工业株式会社 | 苯胺衍生物及其利用 |
KR20160133495A (ko) * | 2014-03-14 | 2016-11-22 | 닛산 가가쿠 고교 가부시키 가이샤 | 아닐린 유도체 및 그 이용 |
JPWO2015137391A1 (ja) * | 2014-03-14 | 2017-04-06 | 日産化学工業株式会社 | アニリン誘導体およびその利用 |
US10193075B2 (en) | 2014-03-14 | 2019-01-29 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | Aniline derivative and use thereof |
TWI672284B (zh) * | 2014-03-14 | 2019-09-21 | 日商日產化學工業股份有限公司 | 苯胺衍生物及其使用 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP3871396B2 (ja) | 2007-01-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4623223B2 (ja) | 有機el素子 | |
US6030715A (en) | Azlactone-related dopants in the emissive layer of an OLED | |
JP3925265B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子及びそれを用いた表示装置 | |
JP4788821B2 (ja) | 有機el素子用化合物および有機el素子 | |
JP3838816B2 (ja) | 有機el素子用化合物および有機el素子 | |
KR100915271B1 (ko) | 유기 전계발광 소자 및 표시 장치 | |
JP2004031004A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子及び表示装置 | |
JP2004071500A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子および表示装置 | |
JP4804661B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
JP2004079265A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子および表示装置 | |
JP3793607B2 (ja) | クマリン誘導体を用いた有機el素子 | |
JP4300788B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子および表示装置 | |
JP2004014334A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子及び表示装置 | |
JP3871396B2 (ja) | 有機el素子 | |
JP4364130B2 (ja) | 有機el素子 | |
JP2004014440A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子及び表示装置 | |
JP4788012B2 (ja) | 有機el素子用化合物および有機el素子 | |
JP3742176B2 (ja) | 有機el素子用化合物および有機el素子 | |
JP4656111B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
JP2004152527A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子および表示装置 | |
KR100354861B1 (ko) | 유기 엘렉트로루미넷센스 소자 | |
JP3997937B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置 | |
US7037600B2 (en) | Red-emitting organic electroluminescent elements | |
JP3452128B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
JP4211267B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子及び表示装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040401 |
|
RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20040708 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20041209 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060620 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060821 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20061010 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20061017 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091027 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101027 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111027 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121027 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121027 Year of fee payment: 6 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313117 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121027 Year of fee payment: 6 |
|
R360 | Written notification for declining of transfer of rights |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121027 Year of fee payment: 6 |
|
R370 | Written measure of declining of transfer procedure |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R370 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313117 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131027 Year of fee payment: 7 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |