JPH0814668B2 - マトリックス型液晶表示パネル - Google Patents
マトリックス型液晶表示パネルInfo
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- JPH0814668B2 JPH0814668B2 JP3369188A JP3369188A JPH0814668B2 JP H0814668 B2 JPH0814668 B2 JP H0814668B2 JP 3369188 A JP3369188 A JP 3369188A JP 3369188 A JP3369188 A JP 3369188A JP H0814668 B2 JPH0814668 B2 JP H0814668B2
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
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- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
-
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- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
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- G02F1/1368—Active matrix addressed cells in which the switching element is a three-electrode device
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- G02F1/13629—Multilayer wirings
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Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は，薄膜トランジスタをアドレス表示素子とし
て用いたマトリックス型液晶表示パネルの改良に関し，
特に薄膜トランジスタの電極に接続される配線パターン
部分を改良したものに関する。
て用いたマトリックス型液晶表示パネルの改良に関し，
特に薄膜トランジスタの電極に接続される配線パターン
部分を改良したものに関する。
（従来の技術） 逆スタガー型の薄膜トランジスタをアドレス表示素子
として用いた従来のマトリックス型液晶表示パネルの一
例を第３図および第４図に示す。なお，第４図（ａ）お
よび（ｂ）は，それぞれ，第３図の線Ｏ−Ｐおよび線Ｑ
−Ｒに沿う断面図である。
として用いた従来のマトリックス型液晶表示パネルの一
例を第３図および第４図に示す。なお，第４図（ａ）お
よび（ｂ）は，それぞれ，第３図の線Ｏ−Ｐおよび線Ｑ
−Ｒに沿う断面図である。
この液晶表示パネルでは，絶縁性基板１上に基板保護
膜２が形成されている。そして，基板保護膜２上に，ゲ
ート電極3,ゲート絶縁膜4,アモルファスシリコン膜（ａ
−Si膜）5,保護絶縁膜6,n+a−Si膜７並びにソース電極
およびドレイン電極８が順に形成されて逆スタガー型の
薄膜トランジスタが構成されている。表示用絵素電極９
はソースまたはドレイン電極８に電気的に接続されてい
る。なお，第４図（ａ）において,10は保護膜を示して
いる。
膜２が形成されている。そして，基板保護膜２上に，ゲ
ート電極3,ゲート絶縁膜4,アモルファスシリコン膜（ａ
−Si膜）5,保護絶縁膜6,n+a−Si膜７並びにソース電極
およびドレイン電極８が順に形成されて逆スタガー型の
薄膜トランジスタが構成されている。表示用絵素電極９
はソースまたはドレイン電極８に電気的に接続されてい
る。なお，第４図（ａ）において,10は保護膜を示して
いる。
上記のマトリックス型液晶表示パネルでは，各薄膜ト
ランジスタのゲート電極３に接続される配線パターン3a
を第３図の横方向に接続している複数の信号線に垂直走
査信号が入力される。他方，各薄膜トランジスタのソー
ス電極に接続されているソース配線パターン8aを配線パ
ターン8bで垂直方向に接続している複数の信号線に画像
信号が入力されて，各薄膜トランジスタの表示用絵素電
極９に順次通電して液晶が駆動されるものである。
ランジスタのゲート電極３に接続される配線パターン3a
を第３図の横方向に接続している複数の信号線に垂直走
査信号が入力される。他方，各薄膜トランジスタのソー
ス電極に接続されているソース配線パターン8aを配線パ
ターン8bで垂直方向に接続している複数の信号線に画像
信号が入力されて，各薄膜トランジスタの表示用絵素電
極９に順次通電して液晶が駆動されるものである。
（発明が解決しようとする課題） このような従来のマトリックス型液晶表示パネルで
は，薄膜トランジスタの各電極3,8に接続される配線パ
ターン3a,8a,8bが，製造に際してのエッチング工程でオ
ーバーエッチされることがある。そのような場合には，
該配線パターン3a,8a,8bの幅が狭くなり，はなはだしき
場合には断線に至ることもある。その結果，配線抵抗が
高くなって信号が減衰したり，断線が発生した場合には
ライン欠陥が発生し，実用に耐え得ない表示となること
がある。そのためマトリックス型液晶表示パネルの製造
歩留まりを大きく低下させていた。
は，薄膜トランジスタの各電極3,8に接続される配線パ
ターン3a,8a,8bが，製造に際してのエッチング工程でオ
ーバーエッチされることがある。そのような場合には，
該配線パターン3a,8a,8bの幅が狭くなり，はなはだしき
場合には断線に至ることもある。その結果，配線抵抗が
高くなって信号が減衰したり，断線が発生した場合には
ライン欠陥が発生し，実用に耐え得ない表示となること
がある。そのためマトリックス型液晶表示パネルの製造
歩留まりを大きく低下させていた。
本発明の目的は，薄膜トランジスタの各電極に接続さ
れる配線に於ける欠陥が生じ難く，安定な表示品位のマ
トリックス型液晶表示パネルを提供することにある。
れる配線に於ける欠陥が生じ難く，安定な表示品位のマ
トリックス型液晶表示パネルを提供することにある。
（課題を解決するための手段） 本発明のマトリックス型液晶表示パネルは，絵素電極
に接続される薄膜トランジスタをアドレス表示素子とし
て用いたマトリックス型液晶表示パネルであって，該薄
膜トランジスタの電極に接続される少なくとも１の配線
パターン上に形成され，該配線パターンよりも幅が広
く，該絵素電極に用いる透明導電材料よりなる導電膜を
備えており，そのことにより上記目的が達成される。
に接続される薄膜トランジスタをアドレス表示素子とし
て用いたマトリックス型液晶表示パネルであって，該薄
膜トランジスタの電極に接続される少なくとも１の配線
パターン上に形成され，該配線パターンよりも幅が広
く，該絵素電極に用いる透明導電材料よりなる導電膜を
備えており，そのことにより上記目的が達成される。
（発明の作用） 本発明によれば，配線パターン上に該配線パターンよ
りも幅の広い導電膜を形成することにより，オーバーエ
ッチに起因する配線パターンの欠陥を該導電膜により補
償することができる。従って，製造されたマトリックス
型液晶表示パネルに於いて，配線パターンの幅の減少や
断線等が発生していたとしても，その部分における通電
は該導電膜により果たされる。それ故，配線パターンの
電気抵抗が上昇することがなく，減衰のない信号が入力
され，表示画面にライン欠陥が発生しない。また、この
ような断線補償用の導電膜は絵素電極に用いる透明導電
材料よりなっているので、この導電膜を形成するための
別工程を必要とせず、透明導電材料で絵素電極を形成す
る製造工程で同時に断線補償用の導電膜が形成されるこ
とになる。
りも幅の広い導電膜を形成することにより，オーバーエ
ッチに起因する配線パターンの欠陥を該導電膜により補
償することができる。従って，製造されたマトリックス
型液晶表示パネルに於いて，配線パターンの幅の減少や
断線等が発生していたとしても，その部分における通電
は該導電膜により果たされる。それ故，配線パターンの
電気抵抗が上昇することがなく，減衰のない信号が入力
され，表示画面にライン欠陥が発生しない。また、この
ような断線補償用の導電膜は絵素電極に用いる透明導電
材料よりなっているので、この導電膜を形成するための
別工程を必要とせず、透明導電材料で絵素電極を形成す
る製造工程で同時に断線補償用の導電膜が形成されるこ
とになる。
（実施例） 以下に本発明の実施例について説明する。
第１図は，本発明の一実施例の部分平面図であり，第
２図（ａ）および（ｂ）は，それぞれ，第１図の線Ａ−
Ｂおよび線Ｃ−Ｄに沿う断面図である。なお，第１図で
は，後述する最上層の保護膜10を省略して図示してあ
る。
２図（ａ）および（ｂ）は，それぞれ，第１図の線Ａ−
Ｂおよび線Ｃ−Ｄに沿う断面図である。なお，第１図で
は，後述する最上層の保護膜10を省略して図示してあ
る。
この実施例の構造を，その製造工程を説明することに
より明らかにする。ガラスからなる絶縁性基板１上に，
スパッタリングにより五酸化タンタルからなる基板保護
膜２を3000Åの厚さに形成する。次に，スパッタリング
により，タンタルを3000Åの厚さに形成し，さらにフォ
トエッチングによりゲート電極３を形成する。
より明らかにする。ガラスからなる絶縁性基板１上に，
スパッタリングにより五酸化タンタルからなる基板保護
膜２を3000Åの厚さに形成する。次に，スパッタリング
により，タンタルを3000Åの厚さに形成し，さらにフォ
トエッチングによりゲート電極３を形成する。
次に，プラズマCVD法により,3000Åの厚さのSiNxから
なるゲート絶縁膜４と,200Åの厚さのａ−Si膜５と,200
0Åの厚さのSiNxからなる絶縁層６とを連続的に堆積す
る。
なるゲート絶縁膜４と,200Åの厚さのａ−Si膜５と,200
0Åの厚さのSiNxからなる絶縁層６とを連続的に堆積す
る。
さらに，上記ａ−Si膜５および絶縁層６をフォトエッ
チングによりパターン化した後，これらの上に400Åの
厚さのn+a−Si膜７を形成し，同様にフォトエッチング
によりパターン化する。
チングによりパターン化した後，これらの上に400Åの
厚さのn+a−Si膜７を形成し，同様にフォトエッチング
によりパターン化する。
次に，ソース・ドレイン金属膜を3000Åの厚さに形成
し，フォトエッチングによりパターン化してソースおよ
びドレイン電極8,ならびにソースバスラインとして配線
パターン8a,8bを同時に形成する。
し，フォトエッチングによりパターン化してソースおよ
びドレイン電極8,ならびにソースバスラインとして配線
パターン8a,8bを同時に形成する。
次に,ITOのような透明導電材料よりなる透明導電膜を
1000Åの厚さに形成し，フォトエッチングによりパター
ン化して，絵素電極９およびソースバスライン断線補償
用導電膜11を形成する。さらに,5000Åの厚さの保護膜1
0を最上層にコーティングする。第１図及び第２図に示
すように，断線補償用導電膜11の幅は配線パターン8a,8
bの幅よりも大きい。
1000Åの厚さに形成し，フォトエッチングによりパター
ン化して，絵素電極９およびソースバスライン断線補償
用導電膜11を形成する。さらに,5000Åの厚さの保護膜1
0を最上層にコーティングする。第１図及び第２図に示
すように，断線補償用導電膜11の幅は配線パターン8a,8
bの幅よりも大きい。
上記の製造工程の説明から明らかなように，この実施
例では，配線パターン8a,8bよりも幅の広い断線補償用
導電膜11が，配線パターン8a,8bの上に形成されてい
る。従って，第５図に示すように，配線パターン8bのエ
ッチングによるパターン化に際し，オーバーエッチによ
り幅の狭い部分8cが生じたとしても，該断線補償用導電
膜11により配線の抵抗の上昇が防止される。
例では，配線パターン8a,8bよりも幅の広い断線補償用
導電膜11が，配線パターン8a,8bの上に形成されてい
る。従って，第５図に示すように，配線パターン8bのエ
ッチングによるパターン化に際し，オーバーエッチによ
り幅の狭い部分8cが生じたとしても，該断線補償用導電
膜11により配線の抵抗の上昇が防止される。
また，第６図（ａ）および（ｂ）に示すように配線パ
ターン8bに断線が生じた場合，従来の構成では配線パタ
ーン8b直上の導電膜11が該配線パターン8bの断差部を覆
いきれないことがある。従って断線補償用導電膜11の幅
が配線パターン8bの幅以下の場合は，第６図（ｃ）に示
すように，導電膜11が断線し，断線の補償を行えないこ
とがあり得る。ところが，本発明によれば，第６図
（ａ）に示すように，導電膜11の幅が配線パターン8bの
幅よりも広く形成されるので，たとえ配線パターン8b直
上の導電膜11が該配線8bの断差部を覆いきれない場合で
あっても，導電膜11は断線することなく，それにより導
通が保たれる。従って，ライン欠陥に基づく表示品位の
低下のおそれのない液晶表示パネルを構成し得ることが
わかる。
ターン8bに断線が生じた場合，従来の構成では配線パタ
ーン8b直上の導電膜11が該配線パターン8bの断差部を覆
いきれないことがある。従って断線補償用導電膜11の幅
が配線パターン8bの幅以下の場合は，第６図（ｃ）に示
すように，導電膜11が断線し，断線の補償を行えないこ
とがあり得る。ところが，本発明によれば，第６図
（ａ）に示すように，導電膜11の幅が配線パターン8bの
幅よりも広く形成されるので，たとえ配線パターン8b直
上の導電膜11が該配線8bの断差部を覆いきれない場合で
あっても，導電膜11は断線することなく，それにより導
通が保たれる。従って，ライン欠陥に基づく表示品位の
低下のおそれのない液晶表示パネルを構成し得ることが
わかる。
なお，上記した実施例では，ソースバスラインを構成
する配線パターンに対して断線補償用導電膜11を形成し
たが，同様の断線補償用導電膜をゲートバスバーに対し
て形成することも可能である。要するに，薄膜トランジ
スタのゲート，ソースおよびドレイン電極に接続される
任意の配線パターンに対して断線補償用導電膜を形成す
れば，本発明の効果を得ることができる。
する配線パターンに対して断線補償用導電膜11を形成し
たが，同様の断線補償用導電膜をゲートバスバーに対し
て形成することも可能である。要するに，薄膜トランジ
スタのゲート，ソースおよびドレイン電極に接続される
任意の配線パターンに対して断線補償用導電膜を形成す
れば，本発明の効果を得ることができる。
（発明の効果） 以上のように，本発明によれば，薄膜トランジスタを
アドレス表示素子として用いるマトリックス型液晶表示
パネルにおいて，薄膜トランジスタの各電極に接続され
る配線パターン上に，該配線パターンよりも広い幅の導
電膜が形成されているので，製造時のオーバーエッチ等
に基づく配線パターンの細りや断線に起因するライン欠
陥を補償することができる。よって，高品位の表示が安
定に得られるマトリックス型の液晶表示パネルを実現す
ることができ，その製造歩留まりを大幅に向上すること
が可能となる。
アドレス表示素子として用いるマトリックス型液晶表示
パネルにおいて，薄膜トランジスタの各電極に接続され
る配線パターン上に，該配線パターンよりも広い幅の導
電膜が形成されているので，製造時のオーバーエッチ等
に基づく配線パターンの細りや断線に起因するライン欠
陥を補償することができる。よって，高品位の表示が安
定に得られるマトリックス型の液晶表示パネルを実現す
ることができ，その製造歩留まりを大幅に向上すること
が可能となる。
また、このような断線補償用の導電膜は絵素電極に用
いた透明導電材料と同じ材料を用いているため、この導
電膜を形成するための別工程を必要とせず、透明導電材
料で絵素電極を形成する製造工程で同時に断線補償用の
導電膜を形成することができて、ライン欠陥を補償する
際の製造工程をより簡略化することができる。
いた透明導電材料と同じ材料を用いているため、この導
電膜を形成するための別工程を必要とせず、透明導電材
料で絵素電極を形成する製造工程で同時に断線補償用の
導電膜を形成することができて、ライン欠陥を補償する
際の製造工程をより簡略化することができる。
第１図は本発明の一実施例の部分平面図，第２図（ａ）
および（ｂ）はそれぞれ第１図の線Ａ−Ｂおよび線Ｃ−
Ｄに沿う断面図，第３図は従来例の部分平面図，第４図
（ａ）および（ｂ）はそれぞれ第３図の線Ｏ−Ｐおよび
線Ｑ−Ｒに沿う断面図，第５図は配線パターンの細りが
生じた場合の導電膜の機能を説明するための平面図，第
６図（ａ）および（ｃ）は配線パターンに断線が生じた
場合の導電膜の機能を説明するための平面図，第６図
（ｂ）は第６図（ａ）および（ｃ）の線Ｅ−Ｆに沿う断
面図である。 ３……ゲート電極,5……ａ−Si膜,7……n+a−Si膜,8…
…ソース・ドレイン電極,8a,8b……配線パターン,11…
…導電膜。
および（ｂ）はそれぞれ第１図の線Ａ−Ｂおよび線Ｃ−
Ｄに沿う断面図，第３図は従来例の部分平面図，第４図
（ａ）および（ｂ）はそれぞれ第３図の線Ｏ−Ｐおよび
線Ｑ−Ｒに沿う断面図，第５図は配線パターンの細りが
生じた場合の導電膜の機能を説明するための平面図，第
６図（ａ）および（ｃ）は配線パターンに断線が生じた
場合の導電膜の機能を説明するための平面図，第６図
（ｂ）は第６図（ａ）および（ｃ）の線Ｅ−Ｆに沿う断
面図である。 ３……ゲート電極,5……ａ−Si膜,7……n+a−Si膜,8…
…ソース・ドレイン電極,8a,8b……配線パターン,11…
…導電膜。
Claims (1)
- 【請求項１】絵素電極に接続される薄膜トランジスタを
アドレス表示素子として用いたマトリックス型液晶表示
パネルであって、 該薄膜トランジスタの電極に接続される少なくとも１の
配線パターン上に形成され、該配線パターンよりも幅が
広く、該絵素電極に用いる透明導電材料よりなる導電膜
を備えたマトリックス型液晶表示パネル。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3369188A JPH0814668B2 (ja) | 1988-02-16 | 1988-02-16 | マトリックス型液晶表示パネル |
| DE3850092T DE3850092T2 (de) | 1988-02-16 | 1988-09-30 | Flüssigkristallmatrixanzeigetafel. |
| US07/251,562 US5103330A (en) | 1988-02-16 | 1988-09-30 | Matrix-type liquid-crystal display panel having redundant conductor structures |
| EP88309135A EP0328810B1 (en) | 1988-02-16 | 1988-09-30 | A matrix-type liquid-crystal display panel |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3369188A JPH0814668B2 (ja) | 1988-02-16 | 1988-02-16 | マトリックス型液晶表示パネル |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01207721A JPH01207721A (ja) | 1989-08-21 |
| JPH0814668B2 true JPH0814668B2 (ja) | 1996-02-14 |
Family
ID=12393445
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3369188A Expired - Lifetime JPH0814668B2 (ja) | 1988-02-16 | 1988-02-16 | マトリックス型液晶表示パネル |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5103330A (ja) |
| EP (1) | EP0328810B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0814668B2 (ja) |
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