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JPH07314123A - Ge、Si又はGe−Si合金材料の溶融成形方法 - Google Patents

Ge、Si又はGe−Si合金材料の溶融成形方法

Info

Publication number
JPH07314123A
JPH07314123A JP6116189A JP11618994A JPH07314123A JP H07314123 A JPH07314123 A JP H07314123A JP 6116189 A JP6116189 A JP 6116189A JP 11618994 A JP11618994 A JP 11618994A JP H07314123 A JPH07314123 A JP H07314123A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
pressure
melt
molding
forming
mold
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP6116189A
Other languages
English (en)
Inventor
Koichi Kawasaki
宏一 川崎
Toshio Osono
敏雄 大薗
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
TOKYO DENSHI YAKIN KENKYUSHO
TOKYO DENSHI YAKIN KENKYUSHO KK
Original Assignee
TOKYO DENSHI YAKIN KENKYUSHO
TOKYO DENSHI YAKIN KENKYUSHO KK
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by TOKYO DENSHI YAKIN KENKYUSHO, TOKYO DENSHI YAKIN KENKYUSHO KK filed Critical TOKYO DENSHI YAKIN KENKYUSHO
Priority to JP6116189A priority Critical patent/JPH07314123A/ja
Priority to US08/453,005 priority patent/US5685358A/en
Publication of JPH07314123A publication Critical patent/JPH07314123A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22DCASTING OF METALS; CASTING OF OTHER SUBSTANCES BY THE SAME PROCESSES OR DEVICES
    • B22D27/00Treating the metal in the mould while it is molten or ductile ; Pressure or vacuum casting
    • B22D27/09Treating the metal in the mould while it is molten or ductile ; Pressure or vacuum casting by using pressure
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22DCASTING OF METALS; CASTING OF OTHER SUBSTANCES BY THE SAME PROCESSES OR DEVICES
    • B22D17/00Pressure die casting or injection die casting, i.e. casting in which the metal is forced into a mould under high pressure

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Molds, Cores, And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
  • Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
  • Lenses (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 一成形工程によって後加工の不用な赤外領域
の光学部品又は半導体デバイス製造用のウエハーを量産
できるGe、Si又はGe−Si合金材料の溶融成形方
法を提供する。 【構成】 成形型への融液の注入圧力や保持圧力を制御
し得る成形手段を用い、Ge、Si又はGe−Si合金
材料からなる原料をその融点以上に加熱して溶融させる
とともに、成形型を原料の融点以上に加熱した後、原料
の融液を前記成形型のキャビティ内に所定の圧力にて注
入し、それから注入圧力を強めて比較的高い成形圧力を
維持した状態で冷却し、その冷却過程において、凝固点
付近で注入圧力を弱めて低い保持圧力を維持し、凝固点
を通過すると圧力を再度強めて所定の保持圧力を維持し
てなる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、Ge、Si又はGe−
Si合金材料の溶融成形方法に係わり、更に詳しくは一
成形工程によって後加工の不用な赤外領域の光学部品又
は半導体デバイス製造用のウエハーを量産できるGe、
Si又はGe−Si合金材料の溶融成形方法に関する。
【0002】
【従来の技術】従来から赤外透過材料として、NaCl
等のアルカリハライド、ゲルマニウム(Ge)やシリコ
ン(Si)等が知られている。その中でもGeやSi
は、赤外線の透過領域が広く、化学的に極めて安定で、
機械的強度、耐湿性等に最も優れており、Ge又はSi
レンズは赤外カメラ等の赤外の画像を扱う装置に使われ
る最高級のレンズである。
【0003】代表的なGeレンズの材料特性の特徴を以
下に示す。 屈折率が大きい(波長2〜15μm領域で屈折率は約
4.0)ために、薄い材料で短焦点のレンズを作ること
ができる。 広い波長範囲で屈折率の分散が小さいので、普通の用
途では色収差の補償が省略できる。 硬度や機械的強度が強く、広い使用環境に適応でき
る。 幅広い透過波長範囲をもっており、CO2 、CO等の
吸収帯がある3〜5μm領域でも、人体や室温近傍の温
度領域の熱輻射である8〜10μm領域でも使用でき
る。 大きなインゴットを得られるので、大型レンズの製作
が可能である。 単結晶でも多結晶でも使用されており、結晶粒界のな
い単結晶の方が屈折率の均一性等の特性が優れていると
されているが、その差は小さく規格範囲内であると言え
る。また、Siレンズの材料特性もGeレンズと同様に
屈折率が大きく(波長2〜10μm領域で屈折率は約
3.42〜3.45)、比較的広い波長範囲で屈折率の
分散が小さいのである。
【0004】このGeレンズは、CO2 やCO、更には
NOX やSOX 等の測定に使用する赤外分析計や気象・
地球資源観測や温度計測等の大気汚染防止のための環境
計測や、炎を監視する防犯・防災装置、化学・半導体プ
ロセス等の熱管理装置の中で熱や赤外線を検出できる検
出装置に使用されている。
【0005】従来のGeレンズの製造方法は、次のよう
な工程である。 Geインゴット→ブロック加工→荒擦り→光学研磨 ここで、球面レンズの場合は光学研磨機械が円回転すれ
ば加工できるが、非球面レンズの場合にはNC(数値制
御)加工法で一個毎加工するしかない。更に、複数の曲
面を持つレンズ群を組み合わせたものでは、その組み合
わせ性能が加工機や職人の技術に依存している。従っ
て、従来の製造方法では、大量生産が困難で、高価なた
めに、Geレンズは高級レンズのイメージが固定してい
る。
【0006】赤外光学レンズへの成形法の適用として
は、従来から有機材料(ポリエチレン)を用いた射出成
形法でフレネルレンズを製造している例がある。更に、
無機材料の成形法では、アルカリハライド固形材料の塑
性変形しやすい特徴を生かし、赤外ファイバー、レンズ
の形状に圧縮成形、ホットプレス等によって成形するこ
とも提案されている。一方、溶融状態からの成形法は、
実際には極めて難しい技術であり、唯一ガラス材料のみ
が工業化に成功している。
【0007】また、Ge、Siは赤外透過材料であり、
耐衝撃性が強く、高温型から冷却して取り出しても、ク
ラック等は発生し難い材料である。この性質は、高温の
固形状態でも溶融状態でも加圧成形することで、成形品
を製造できる可能性があることを示唆し、現にGeの成
形法として特開昭63−157754号公報にて、溶融
状態から真空中での注型成形方式が提案されている。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】しかし、前述の公報記
載の注型成形方式では、真空制御しても脱泡に効果があ
るのみで、型温度を制御はできるが、この方式では量産
効果がないので、高品質の量産成形方法ではない。しか
も決定的な欠陥は、キャビティ内の圧力を自由に制御で
きないので、いろいろな形状の成形品の内部を高密度に
することには限界がある手法である。単なる注型方法で
は、成形時のキャビティ内への融液の注入圧力や、冷却
時の融液への保持圧力や、更に材料自身の冷却時の凝固
膨張の圧力を制御できないので、成形品にクラック、脹
らみ、陥没が発生するのである。
【0009】一方、成形型の材料においては、Ge融液
は極めて反応性が高く、普通の金属では反応し、更に反
応性は低くても高純度のGe融液を維持するには金属の
僅かな汚染も避けなければならない。そのため、成形型
(金型及び鋳型を含む)材料の選択が重要である。一般
の炭素型を使用して、光学研磨を施すと、一般の炭素材
料は極めて多孔質であるので、使用に耐ええない表面と
なる。また、ダイヤモンド薄膜コーティングをした金属
型は、コーティング層と金属との接合、剥離等の問題が
あり、更に成形型は極めて高価であるばかりでなく、コ
ーティング層の摩耗は避けられない。致命的な欠陥は、
酸素雰囲気では燃焼して薄膜コーティングが簡単に消滅
するので、ダイヤモンド薄膜コーティングは量産用の形
成型へのコーティングには採用できない。
【0010】そこで、本発明が前述の状況に鑑み、解決
しようとするところは、押出し成形方式、射出成形方式
若しくはトランスファー成形方式によって、Ge、Si
又はGe−Si合金からなる原料の融液を、成形型のキ
ャビティ内に注入してなる成形方法を採用するととも
に、成形時のキャビティ内への融液の注入圧力や、冷却
時の融液への保持圧力や、更に材料自身の冷却時の凝固
膨張の圧力を制御して、成形品にクラック、脹らみ、陥
没が発生することがなく、しかも量産化に適応したG
e、Si又はGe−Si合金材料の溶融成形方法を提供
する点にある。
【0011】
【課題を解決するための手段】本発明は、前述の課題解
決のために、成形型への融液の注入圧力や保持圧力を制
御し得る成形手段を用い、Ge、Si又はGe−Si合
金材料からなる原料をその融点以上に加熱して溶融させ
るとともに、成形型を原料の融点以上に加熱した後、原
料の融液を前記成形型のキャビティ内に所定の圧力にて
注入し、それから注入圧力を強めて比較的高い成形圧力
を維持した状態で冷却し、その冷却過程において、凝固
点付近で注入圧力を弱めて低い保持圧力を維持し、凝固
点を通過すると圧力を再度強めて所定の保持圧力を維持
してなるGe、Si又はGe−Si合金材料の溶融成形
方法を確立した。
【0012】ここで、成形手段として、押出し成形方
式、射出成形方式若しくはトランスファー成形方式を用
い、成形型に原料の融液を注入してなることが好ましい
実施例である。
【0013】また、前記成形型として、高密度炭素材料
からなる型材のキャビティ内面を光学研磨した成形型、
若しくは金属上にセラミックコーティングした型材のキ
ャビティ内面を光学研磨した成形型を用いることが好ま
しい。
【0014】そして、成形品としては、特に赤外領域の
光学部品、あるいは半導体デバイス製造用のウエハーを
対象としている。
【0015】
【作用】以上の如き内容からなる本発明のGe、Si又
はGe−Si合金材料の溶融成形方法は、Ge、Si又
はGe−Si合金からなる原料をその融点以上に加熱し
て溶融させるとともに、成形型を原料の融点以上に加熱
した後、成形手段によって原料の融液を前記成形型のキ
ャビティ内に所定の注入圧力にて注入することにより、
原料の融液が成形型によって冷却されても融液が部分的
に凝固することがなく、成形型のキャビティ内に均一に
加圧注入されるのである。また、成形型のキャビティ内
に原料の融液を注入した後、成形型に原料を注入する圧
力を強めて比較的高い成形圧力を維持した状態で冷却す
ることにより、融液の密度を高めることが可能となる。
そして、冷却過程において、凝固点付近で注入圧力を弱
めて低い保持圧力を維持することにより、材料の凝固膨
張の圧力を吸収して内部歪みの発生を防止するのであ
る。それから、凝固点を通過すると圧力を再度強めて所
定の保持圧力を維持することにより、成形品の密度を高
めるとともに、高い寸法精度を出すことが可能となり、
しかも成形品にクラック、脹らみ、陥没が発生しないの
である。この溶融成形方法によって、一成形工程でG
e、Si又はGe−Si合金材料からなる成形品を製造
するのである。
【0016】この場合、前記成形手段として、押出し成
形方式、射出成形方式若しくはトランスファー成形方式
を用い、成形型に原料の融液を注入してなることによっ
て、成形プロセスが簡単になり量産化を達成でき、しか
も成形圧力を高めることができ、高密度の成形品を得る
のである。
【0017】また、前記成形型として、高密度炭素材料
からなる型材のキャビティ内面を光学研磨した成形型、
若しくは金属上にセラミックコーティングした型材のキ
ャビティ内面を光学研磨した成形型を用いることによ
り、融液に不純物が混入することがなく、しかも成形型
の耐久性に優れ量産化に適応し、後加工の必要がない光
学的表面を有する成形品、例えば赤外領域の光学部品、
あるいは半導体デバイス製造用のウエハーを得るのであ
る。
【0018】
【実施例】本発明の溶融成形方法は、赤外線領域で高い
透過率と屈折率を有するGe、Si又はGe−Si合金
材料を用い、レンズ等の光学的鏡面を持つ光学部品を高
精度に成形し、量産化を図って低価格で提供することが
できるものである。
【0019】図1は本発明の溶融成形方法に係る圧力
(P)と温度(T)の成形サイクルを簡略化して示した
ものであり、横軸は型締めシリンダーの圧力、縦軸は融
液又は成形型の温度である。この成形サイクルを説明す
れば、成形型への融液の注入圧力や保持圧力を制御し得
る成形手段を用い、Ge、Si又はGe−Si合金材料
をその融点以上に加熱して溶融させる(A→B:加熱過
程)とともに、成形型を材料の融点以上に加熱した後、
材料の融液を前記成形型のキャビティ内に所定の注入圧
力にて注入し(B→C:注入過程)、それから注入圧力
を強めて比較的高い成形圧力を維持した状態で冷却し
(C→D:成形・冷却過程)、その冷却過程において、
凝固点付近で圧力を弱めて低い保持圧力を維持し(D→
E→F:減圧・保圧過程)、凝固点を通過すると圧力を
再度強めて所定の保持圧力を維持し(F→G→H:加圧
・保圧過程)、それから室温程度まで冷却した後、減圧
して成形型から成形品を取り出す(H→A:減圧・離型
過程)のである。
【0020】ここで、Ge、SiあるいはGe−Si合
金材料からなる原料の融液(Ge:m.p.=958.5
℃、Si:m.p.=1414℃)を、同じく原料の融点以
上に加熱した成形型に押出し成形、射出成形あるいはト
ランスファー成形によって注入して成形するのである。
成形型(鋳型)のキャビティは、レンズ等の目的に応じ
た鋳型加工され、その内面は光学研磨されており、原料
を溶融状態にして、成形型内で凝固点(一般的に融点と
一致する)以下に冷却した後、剥離すると、後加工の不
用なGe、SiあるいはGe−Si合金の光学研磨レベ
ルの鏡面外観を持つ高精度の赤外レンズ等の成形品が成
形される。
【0021】また、成形型の材料には、以下に示す選択
基準が必要である。 (1)GeやSiは、高純度の半導体材料であり、金属汚
染が生じると、赤外透過領域等の性能を劣化させるの
で、融液に接する材料は汚染や反応が生じない材料を使
用すること。 (2)成形型は、光学研磨して鏡面となる表面を保つ材料
であること。 (3)GeやSi融液の固化時の特徴的な物性(熱伝導
率、膨張係数)とよく似た物性の材料であること。 以上の条件を満たす成形型として、本発明では内面光学
研磨された高密度炭素型(鋳型)又は耐熱性金属にセラ
ミックコーティングをして、そのコーティング層の表面
を光学研磨処理をした複合型(鋳型)を採用している。
【0022】本発明の成形方法は、真空注型方式よりは
充填密度の高い成形ができる押出し成形方式、トランス
ファー成形方式や量産効果の大きい射出成形方式が最適
である。これらの方法では、成形品の充填密度が高く、
レンズに成形した場合には透過度が結晶体と同じような
優れた性能となる。これらの成形手段を採用して、融液
の注入圧力、型冷却時の保持圧力、材料自身の冷却時の
凝固膨張等を制御するのである。つまり、成形型内へ融
液を所定の注入圧力で注入した後、注入圧力を強めて比
較的高い成形圧力を維持して冷却し、その高い成形圧力
を融液の凝固点まで保ち、それから凝固点付近で注入圧
力を弱めて圧力を下げ、凝固点を通過すると再び圧力を
強めて圧力を上昇させ、十分に温度が下がるまでその保
持圧力を維持する等の制御を行うのである。
【0023】次に本発明の実施例を添付した図面に基づ
き説明する。図2に示した第1実施例は、成形方式とし
てトランスファー成形方式を採用し、成形型として高密
度炭素型を採用してGeの赤外レンズを製造する成形装
置に関するものである。また、図3に示した第2実施例
は、成形方式として射出成形方式を採用し、成形型とし
て耐熱性金属にセラミックコーティングした複合型を採
用してGeの特殊形状成形品を製造する成形装置に関す
るものである。それらを以下に詳説する。
【0024】(第1実施例)本実施例の成形型1は、G
eを溶融する高周波溶融炉の材料として使用している炭
素材料で加工した型が使用され、更にキャビティに対応
する部分は高密度炭素材料の加工品で組立てられ、その
内面を光学研磨したものである。高密度炭素材料は、従
来の多孔質の炭素材料では得られなかった高性能の光学
研磨面を加工で得ることができるのである。また、キャ
ビティ以外のGe融液に接する部分は、全て炭素材料で
あるので、融液が汚染される心配がない。
【0025】本実施例の成形装置を図2に基づいて説明
する。この成形装置は、前記成形型1を保持枠2の中央
部に配設し、該保持枠2の上部にはエアシリンダー3を
配設して、そのエアシリンダー3に供給する空気圧に応
じて変位し、成形型1内に挿入するプランジャ4を備え
るとともに、エアシリンダー3を操作する圧縮空気供給
系5を備え、更に成形型1の周囲に950〜1100℃
の温度範囲で制御できる加熱炉6を配設したものであ
る。また、プランジャ4には、ロードセル4aを取付け
て圧力を計測し、制御するようにしている。前記エアシ
リンダー3にはプランジャ4を押出し操作するための第
1給気口3aと引込み操作する第2給気口3bを有し、
それらの給気口3a,3bに前記圧縮空気供給系5から
圧縮空気を供給するのである。ここで、圧縮空気供給系
5は、図示しないコンプレッサーから供給された圧縮空
気を二つに分岐してそれぞれ第1減圧弁7と第2減圧弁
8に供給し、それから第1減圧弁7から圧力計9を介し
て電磁弁10に供給し、一方、第2減圧弁8から圧力計
11を介して二つの電磁弁12,13に分岐して供給
し、そして前記電磁弁10と電磁弁12の出口側を合流
して前記第1給気口3aに供給するとともに、前記電磁
弁13から前記第2給気口3bに供給するのである。前
記給気口3a,3bに供給する空気の圧力は、コンプレ
ッサーの供給圧(15kg/cm2 〜30kg/c
2 )をそれぞれ減圧弁7,8を調節することによって
所定値に減圧して設定する。本実施例では、第1減圧弁
7を高い圧力に設定し、第2減圧弁8を低い圧力に設定
している。尚、前記各電磁弁10,12,13の出口側
の配管をそれぞれライン10a,12a,13aと称す
る。
【0026】前述の成形装置によってGe赤外レンズを
製造するには、先ず粒子状のGe原料粉末(約2〜3m
mφ)を前記成形型1内に入れ、成形型1の下部に配管
したガス供給管14から還元性ガス、例えばフォーミン
グガスを流して、原料粉末中の水分等を置換し、前記電
磁弁13を開いてライン13aからエアシリンダー3の
第2給気口3bに圧縮空気を供給してプランジャ4を上
の位置に設定した状態で、加熱炉6を操作して原料粉末
及び成形型1を加熱する。ここで、前記成形型1の温度
及び加熱炉6内の温度は、温度モニター15で測定して
温度制御する。そして、温度モニター15で成形型1の
温度が原料の融点以上になると、前記電磁弁10を開い
てライン10aからエアシリンダー3の第1給気口3a
に高い圧力の圧縮空気を供給するとともに、電磁弁13
を閉じて、プランジャ4を下方へ移動させて成形型1に
圧力を加えて、原料の融液をキャビティ内で加圧し、そ
れを維持する。この圧力が成形圧力である。次に、加熱
炉6の温度を下げて又は加熱炉6の加熱を停止して、あ
るいは強制空冷等によって成形型1を冷却する。この冷
却速度は、成形品の厚みや熱容量に応じて最適に設定さ
れる。そして、冷却を継続して原料の凝固点付近まで温
度が下がると、電磁弁10を閉じるとともに、電磁弁1
2を開いてライン12aから低い圧力の圧縮空気を第1
給気口3aに供給し、プランジャ4によって成形型1に
加える圧力を下げ、その保持圧力を維持する。その後、
成形型1の温度が原料の凝固点を通過して下がると、前
記電磁弁12を閉じるとともに、電磁弁10を開いてラ
イン10aかち第1給気口3aに高い圧力の圧縮空気を
供給し、プランジャ4によって成形型1に加える圧力を
上げ、その高い保持圧力を維持する。この保圧工程は、
基本的には射出圧を高くし、冷却時の保持圧力を十分に
保つことが高密度成形の制御条件となる。
【0027】(第2実施例)次に、本実施例の成形装置
を図3に基づいて説明する。本実施例の成形型16は、
耐熱性金属(SK鋼、ハステロイ等)で組み合わされ、
原料と接触する内部は全てセラミックコーティングされ
たものである。この成形装置は、前記成形型16の一方
の型をハウジング17内に垂直に配設した固定盤18に
固定し、成形型16の他方の型を型締めシリンダー19
の型締めラム20の先端に取付けた可動盤21に固定
し、またハウジング17内には原料溜部22とそれに連
通する射出シリンダー23を横設するとともに、射出シ
リンダー23には射出・保圧シリンダー25のピストン
25が圧縮空気等の駆動によって挿入可能となってい
る。また、射出シリンダー23の先端のノズル部は前記
固定盤18を貫通して成形型16に接続されている。そ
して、前記射出シリンダー23の周囲には原料粉末を溶
融するための横型加熱炉26を配設するとともに、成形
型16の周囲には型温度を制御するためのヒーター27
を配設している。更に、前記ハウジング17の上部に
は、成形型16を収容した区画と、原料溜部22の内部
と、横型加熱炉26を設けた区画とにそれぞれガス供給
口28,…が設けられ、ガス供給系29からフォーミン
グガスをハウジング17内の各部に供給している。ここ
で、原料が溶融する前記射出シリンダー23の内面もセ
ラミックコーティングしている。また、前記射出・保圧
シリンダー24の第1給気口24a及び第2給気口24
bには、図示しない前記同様の圧縮空気供給系を接続し
て、該射出・保圧シリンダー24に供給する圧縮空気の
圧力や流路を変更してピストン25によって成形型16
へ加える圧力を調節するのである。
【0028】前述の成形装置によってGeの特殊形状成
形品を製造するには、先ず粒子状のGe原料粉末を原料
溜部22に充填し、上部からフォーミングガスを流して
原料表面の精製をする。そして、型締めシリンダー19
に圧力流体を供給して型締めラム20を前進させて成形
型16を閉じる。次に、前記ピストン25を後退させた
状態で、原料を射出シリンダー23内に導き、それから
ピストン25を前進させて原料粉末を横型加熱炉26の
部分に移動させてそれを加熱して溶融する。一方、前記
成形型16は、周囲のヒーター27によって原料の融点
以上の温度に加熱されており、この状態でピストン25
を前進させて原料の融液を一定の射出圧で成形型16の
キャビティ内に注入する。このピストン25には、圧力
変動を監視するロードセルが取付けられており、融液が
成形型16のキャビティ内部で必要な保持される圧力
(保持圧力)や型温度の制御のためのヒーター27で、
成形、冷却を制御する。そして、保持圧力を加えなが
ら、融液を冷却成形し、型締めラム20を後退させて成
形型16を離型して成形品を取り出すのである。この場
合における圧力や温度制御の詳細は、第1実施例と同様
であるので、その説明は省略する。
【0029】(第3実施例)本実施例は、第1実施例で
用いたものと同様な高密度炭素材料からなる成形型を用
い、第2実施例に示したものと同様な射出成形方式を採
用して、溶融Siを成形型内に射出成形して二次元成形
品を製造するものである。詳細は前記同様であるのでそ
の説明は省略する。
【0030】(第4実施例)本実施例は、第2実施例で
用いたものと同様な金属にセラミックコーティングした
成形型を用い、第1実施例に示したものと同様なトラン
スファー成形方式を採用して、Ge−Si合金からなる
ウエハー状成形品を製造するものである。詳細は前記同
様であるのでその説明は省略する。
【0031】最後に、本発明によって製造することが可
能な成形品の用途とその代表的な寸法を以下に示す。 家庭用:赤外センサ用レンズ・窓 赤外センサ用窓材料 8〜10mmφ 窓・小型レンズ 4〜8mmφ 廉価標準レンズ 10〜50mmφ 複合・アレーレンズ 特殊形状 ──────────────────────── 工業用:簡易赤外応用製品用レンズ 赤外カメラ用(CaF2の代替用)15〜50mmφ 従来赤外窓の代替 20〜30mmφ 工業用標準レンズ 10〜50mmφ ──────────────────────── 計測用:高級レンズ・特殊加工品 最高級レンズ(組み合わせ) 8〜10mmφ 赤外画像用 10〜30mm角 特殊レンズの開発1) 特殊形状 窓・レンズ基板 10〜50mmφ 光学デバイス用レンズ基板 10〜50mmφ マイクロレンズ基板 10〜100mmφ ──────────────────────── 特殊加工品:ファイバー・容器等 特殊形状 ──────────────────────── 1)特殊加工品(従来には不可能であった形状、コスト
で製作可能)、特殊容器、ME用特殊容器、ビーズ形
状、ファイバー形状等
【0032】
【発明の効果】以上にしてなる本発明のGe、Si又は
Ge−Si合金材料の溶融成形方法によれば、以下の顕
著な効果を有する
【0033】請求項1によれば、材料の凝固膨張の圧力
を吸収して内部歪みの発生を防止し、成形品の密度を高
めることができるとともに、高い寸法精度を出すことが
でき、しかも成形品にクラック、脹らみ、陥没が発生す
ることがないのである。この溶融成形方法は、溶融成形
の冷却過程が単純で、1回の成形工程で赤外レンズ等を
成形でき、大量生産が可能であるのでコスト低減化を図
ることができる。また、材料費の高いGe、Si又はG
e−Si合金材料の無駄のない利用が可能となる。
【0034】請求項2によれば、成形プロセスが簡単に
なり量産化を達成でき、成形品の密度を高めることがで
き、それにより赤外領域の光学特性を結晶体に近づける
ことができる。また、成形品の多数個取りや、2次元配
列の複合レンズなど成形法の利点をそのまま生かせる。
【0035】請求項3及び4によれば、融液に不純物が
混入することがなく、しかも成形型の耐久性に優れ量産
化に適応し、後加工の必要がない光学的表面を有する成
形品を安価に製作できる。
【0036】請求項5及び6によれば、赤外領域のレン
ズ等の光学部品、あるいは半導体デバイス製造用のウエ
ハーを低コストで製作できる。また、複雑な光学系では
要求される非球面レンズ等の光学研磨ができない形状の
曲面のレンズを同一性能で大量に製作できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の溶融成形方法における注入用シリンダ
ー圧力と材料の温度との関係を示す成形サイクルのグラ
フである。
【図2】第1実施例のトランスファー成形方式を採用し
た成形装置を示す簡略説明図である。
【図3】第2実施例の射出成形方式を採用した成形装置
を示す簡略説明図である。
【符号の説明】
1 成形型 2 保持枠 3 エアシリンダー 3a 第1給気口 3b 第2給気口 4 プランジャ 4a ロードセル 5 圧縮空気供給系 6 加熱炉 7 第1減圧弁 8 第2減圧弁 9,11 圧力計 10,12,13 電磁弁 14 ガス供給管 15 温度モニター 16 成形型 17 ハウジング 18 固定盤 19 型締めシリンダー 20 型締めラム 21 可動盤 22 原料溜部 23 射出シリンダー 24 射出・保圧シリンダー 24a 第1給気口 24b 第2給気口 25 ピストン 26 横型加熱炉 27 ヒーター 28 ガス供給口 29 ガス供給系
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 // H01L 21/208 Z

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 成形型への融液の注入圧力や保持圧力を
    制御し得る成形手段を用い、Ge、Si又はGe−Si
    合金材料からなる原料をその融点以上に加熱して溶融さ
    せるとともに、成形型を原料の融点以上に加熱した後、
    原料の融液を前記成形型のキャビティ内に所定の圧力に
    て注入し、それから注入圧力を強めて比較的高い成形圧
    力を維持した状態で冷却し、その冷却過程において、凝
    固点付近で注入圧力を弱めて低い保持圧力を維持し、凝
    固点を通過すると圧力を再度強めて所定の保持圧力を維
    持してなることを特徴とするGe、Si又はGe−Si
    合金材料の溶融成形方法。
  2. 【請求項2】 前記成形手段として、押出し成形方式、
    射出成形方式若しくはトランスファー成形方式を用い、
    成形型に原料の融液を注入してなる請求項1記載のG
    e、Si又はGe−Si合金材料の溶融成形方法。
  3. 【請求項3】 前記成形型として、高密度炭素材料から
    なる型材のキャビティ内面を光学研磨した成形型を用い
    てなる請求項1又は2記載のGe、Si又はGe−Si
    合金材料の溶融成形方法。
  4. 【請求項4】 前記成形型として、金属上にセラミック
    コーティングした型材のキャビティ内面を光学研磨した
    成形型を用いてなる請求項1又は2記載のGe、Si又
    はGe−Si合金材料の溶融成形方法。
  5. 【請求項5】 成形品が赤外領域の光学部品である請求
    項1又は2又は3又は4記載のGe、Si又はGe−S
    i合金材料の溶融成形方法。
  6. 【請求項6】 成形品が半導体デバイス製造用のウエハ
    ーである請求項1又は2又は3又は4記載のGe、Si
    又はGe−Si合金材料の溶融成形方法。
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