JPH07228564A - シアノ酢酸エステルの製造法 - Google Patents
シアノ酢酸エステルの製造法Info
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C255/00—Carboxylic acid nitriles
- C07C255/01—Carboxylic acid nitriles having cyano groups bound to acyclic carbon atoms
- C07C255/19—Carboxylic acid nitriles having cyano groups bound to acyclic carbon atoms containing cyano groups and carboxyl groups, other than cyano groups, bound to the same saturated acyclic carbon skeleton
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C253/00—Preparation of carboxylic acid nitriles
- C07C253/30—Preparation of carboxylic acid nitriles by reactions not involving the formation of cyano groups
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】安価で入手が容易なシアノ酢酸エステルとアル
コールを原料として、医農薬中間体および工業製品中間
体として有用な高級シアノ酢酸エステルを、従来法に比
べて簡便かつ高収率で製造する方法の提供。 【構成】一般式NCCH2 COOR1 (式中R1 は炭素
数1〜3のアルキル基を示す)で表わされるシアノ酢酸
エステルと、一般式R’OH(式中R’は炭素数4〜2
0のアルキル基を示す)で表わされるアルコールを、特
定の錫化合物を触媒として用いてエステル交換反応させ
ることにより、一般式NCCH2 COOR’(式中R’
は炭素数4〜20のアルキル基を示す)で表わされる高
級シアノ酢酸エステルを製造する。
コールを原料として、医農薬中間体および工業製品中間
体として有用な高級シアノ酢酸エステルを、従来法に比
べて簡便かつ高収率で製造する方法の提供。 【構成】一般式NCCH2 COOR1 (式中R1 は炭素
数1〜3のアルキル基を示す)で表わされるシアノ酢酸
エステルと、一般式R’OH(式中R’は炭素数4〜2
0のアルキル基を示す)で表わされるアルコールを、特
定の錫化合物を触媒として用いてエステル交換反応させ
ることにより、一般式NCCH2 COOR’(式中R’
は炭素数4〜20のアルキル基を示す)で表わされる高
級シアノ酢酸エステルを製造する。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、医農薬中間体および工
業製品中間体として有用な高級シアノ酢酸エステルの製
造法に関する。本明細書で用いる高級シアノ酢酸エステ
ルなる表現は、一般式NCCH2 COOR’(式中R’
は炭素数4〜20のアルキル基を示す)で表わされるシ
アノ酢酸エステルを意味する。
業製品中間体として有用な高級シアノ酢酸エステルの製
造法に関する。本明細書で用いる高級シアノ酢酸エステ
ルなる表現は、一般式NCCH2 COOR’(式中R’
は炭素数4〜20のアルキル基を示す)で表わされるシ
アノ酢酸エステルを意味する。
【0002】
【従来技術とその問題点】シアノ酢酸エステルの製造法
としては、クロロ酢酸エステルとNaCNあるいはKC
Nを反応させる方法、シアノアセチルハライドとアルコ
ールとを塩基触媒の存在下反応させる方法、クロロアセ
トニトリルとCOとアルコールを反応させるアルコキシ
カルボニレーション法、シアノ酢酸とアルコールを酸触
媒存在下で脱水反応させる方法、シアノ酢酸エステルを
アルコールとエステル交換反応させる方法などが一般に
良く知られている。
としては、クロロ酢酸エステルとNaCNあるいはKC
Nを反応させる方法、シアノアセチルハライドとアルコ
ールとを塩基触媒の存在下反応させる方法、クロロアセ
トニトリルとCOとアルコールを反応させるアルコキシ
カルボニレーション法、シアノ酢酸とアルコールを酸触
媒存在下で脱水反応させる方法、シアノ酢酸エステルを
アルコールとエステル交換反応させる方法などが一般に
良く知られている。
【0003】例えば、シアノ酢酸t−ブチルの製造法と
しては、クロロ酢酸t−ブチルとNaCNあるいはK
CNを反応させる方法[DE1951032;Hel
v.Chim.Acta.,42,1214,1222
(1959);J.Am.Chem.Soc.,64,
2274(1942)]シアノアセチルハライドとt
−ブタノールとN、N−ジメチルアニリンを反応させる
方法[J.Chem.Soc.,(1955)423,
426;Org.Synth.,Coll.Vol.
5,171]およびクロロアセトニトリルとCOとt
−ブタノールを反応させるアルコキシカルボニレーショ
ン法[DE2403483]などが知られている。
しては、クロロ酢酸t−ブチルとNaCNあるいはK
CNを反応させる方法[DE1951032;Hel
v.Chim.Acta.,42,1214,1222
(1959);J.Am.Chem.Soc.,64,
2274(1942)]シアノアセチルハライドとt
−ブタノールとN、N−ジメチルアニリンを反応させる
方法[J.Chem.Soc.,(1955)423,
426;Org.Synth.,Coll.Vol.
5,171]およびクロロアセトニトリルとCOとt
−ブタノールを反応させるアルコキシカルボニレーショ
ン法[DE2403483]などが知られている。
【0004】しかしながら、の方法は、原料のクロロ
酢酸t−ブチルを入手するのが容易でなく、別途煩雑な
方法で原料を合成をしなくてはならない。さらには、反
応に伴って副生するNaClなどの廃棄物が多量に生じ
る。また、の方法は、原料のシアノアセチルハライド
を得るために腐蝕性の高いPCl5 などを用いる必要が
あり、装置材質上の制約が大きくなる。さらに、N、N
−ジメチルアニリンをシアノアセチルハライドと等量以
上必要とし、反応の進行に伴いその塩酸塩が副生し、多
量の廃棄物を生じてしまう。また、の方法は、COを
高圧で反応させなくてはならないため設備的制約が生じ
る。
酢酸t−ブチルを入手するのが容易でなく、別途煩雑な
方法で原料を合成をしなくてはならない。さらには、反
応に伴って副生するNaClなどの廃棄物が多量に生じ
る。また、の方法は、原料のシアノアセチルハライド
を得るために腐蝕性の高いPCl5 などを用いる必要が
あり、装置材質上の制約が大きくなる。さらに、N、N
−ジメチルアニリンをシアノアセチルハライドと等量以
上必要とし、反応の進行に伴いその塩酸塩が副生し、多
量の廃棄物を生じてしまう。また、の方法は、COを
高圧で反応させなくてはならないため設備的制約が生じ
る。
【0005】また、シアノ酢酸とアルコールを酸触媒存
在下で脱水反応させる方法としては、例えばAnn.C
him.,(Paris),9(9)69(191
8);Tetrahedron,305(1967)な
どに記載されている。しかしながら、この方法は炭素数
の少ないアルコール、特に第1級アルコールを用いる場
合には反応性が優れているが、高級アルコールや第3級
アルコールを用いる場合には反応性が低いという欠点が
ある。さらに、生成するシアノ酢酸エステルが酸に不安
定な第3級エステルのような場合にもこの方法は適さな
い。
在下で脱水反応させる方法としては、例えばAnn.C
him.,(Paris),9(9)69(191
8);Tetrahedron,305(1967)な
どに記載されている。しかしながら、この方法は炭素数
の少ないアルコール、特に第1級アルコールを用いる場
合には反応性が優れているが、高級アルコールや第3級
アルコールを用いる場合には反応性が低いという欠点が
ある。さらに、生成するシアノ酢酸エステルが酸に不安
定な第3級エステルのような場合にもこの方法は適さな
い。
【0006】さらにまた、シアノ酢酸エステルをアルコ
ールとエステル交換反応させる方法としては、チタンア
ルコキサイドを触媒として用いる方法が知られている
[Org.Synth.,65、230(1987);
Helv.Chim.Acta.,65、1197(1
982);Helv.Chim.Acta.,65、4
95(1982);Synthesis(1982),
138]。しかしながら、これらに記載されている方法
は、アルコールとしてメチルアルコール、エチルアルコ
ール、イソプロピルアルコールなどの第1級あるいは2
級アルコールを用いる反応であり、エステル交換反応が
進行しにくいことが知られているt−ブタノールのよう
な第3級アルコールを用いる反応についての記載はな
い。また、シアノ酢酸エステルとt−ブタノールのエス
テル交換反応については未だ見当たらない。
ールとエステル交換反応させる方法としては、チタンア
ルコキサイドを触媒として用いる方法が知られている
[Org.Synth.,65、230(1987);
Helv.Chim.Acta.,65、1197(1
982);Helv.Chim.Acta.,65、4
95(1982);Synthesis(1982),
138]。しかしながら、これらに記載されている方法
は、アルコールとしてメチルアルコール、エチルアルコ
ール、イソプロピルアルコールなどの第1級あるいは2
級アルコールを用いる反応であり、エステル交換反応が
進行しにくいことが知られているt−ブタノールのよう
な第3級アルコールを用いる反応についての記載はな
い。また、シアノ酢酸エステルとt−ブタノールのエス
テル交換反応については未だ見当たらない。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上述の従来
技術の諸々の問題を解決するためになされたものであ
り、その目的は原料として安価で入手が容易なシアノ酢
酸エステルとアルコールを用い、高収率で高級シアノ酢
酸エステルを製造することのできる方法を提供すること
にある。
技術の諸々の問題を解決するためになされたものであ
り、その目的は原料として安価で入手が容易なシアノ酢
酸エステルとアルコールを用い、高収率で高級シアノ酢
酸エステルを製造することのできる方法を提供すること
にある。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、前記目的
を達成するために鋭意検討したところ、特定の錫化合物
がシアノ酢酸エステルとアルコールのエステル交換反応
に顕著な触媒作用を発揮することを見出した。本発明
は、このような知見に基づき達成されたものである。
を達成するために鋭意検討したところ、特定の錫化合物
がシアノ酢酸エステルとアルコールのエステル交換反応
に顕著な触媒作用を発揮することを見出した。本発明
は、このような知見に基づき達成されたものである。
【0009】すなわち、本発明は、一般式NCCH2 C
OOR1 (式中R1 は炭素数1〜3のアルキル基を示
す)で表わされるシアノ酢酸エステルと一般式R’OH
(式中R’は炭素数4〜20のアルキル基を示す)で表
わされるアルコールとを、触媒として下記の(1)〜
(4)群から選ばれた少なくとも一種の錫化合物の存在
下にエステル交換反応させることを特徴とする一般式N
CCH2 COOR’(式中R’は炭素数4〜20のアル
キル基を示す)で表わされる高級シアノ酢酸エステルの
製造法に関する。
OOR1 (式中R1 は炭素数1〜3のアルキル基を示
す)で表わされるシアノ酢酸エステルと一般式R’OH
(式中R’は炭素数4〜20のアルキル基を示す)で表
わされるアルコールとを、触媒として下記の(1)〜
(4)群から選ばれた少なくとも一種の錫化合物の存在
下にエステル交換反応させることを特徴とする一般式N
CCH2 COOR’(式中R’は炭素数4〜20のアル
キル基を示す)で表わされる高級シアノ酢酸エステルの
製造法に関する。
【0010】 [式中、R2 およびR3 は炭素数1〜18のアルキル
基、X1 およびX2 は−H、−R6 、−OR6 、−OC
OR6 、−OCOCH=CHCOOR6 (R6 は炭素数
1〜18のアルキル基を示す)またはハロゲンを示す]
で表わされる錫化合物、
基、X1 およびX2 は−H、−R6 、−OR6 、−OC
OR6 、−OCOCH=CHCOOR6 (R6 は炭素数
1〜18のアルキル基を示す)またはハロゲンを示す]
で表わされる錫化合物、
【0011】 [式中、R2 およびR3 は炭素数1〜18のアルキル基
を示す]で表わされる錫化合物、
を示す]で表わされる錫化合物、
【0012】 [式中、R2 およびR3 は炭素数1〜18のアルキル
基、Aは−COCH=CHOC−を示す]で表わされる
錫化合物、
基、Aは−COCH=CHOC−を示す]で表わされる
錫化合物、
【0013】 [式中、R2 、R3 、R4 およびR5 は炭素数1〜18
のアルキル基、X3 およびX4 は−R6 または−OR6
(R6 は炭素数1〜18のアルキル基を示す)、Bは−
OCOCH=CH−COO−または−O−を示す]で表
わされる錫化合物。
のアルキル基、X3 およびX4 は−R6 または−OR6
(R6 は炭素数1〜18のアルキル基を示す)、Bは−
OCOCH=CH−COO−または−O−を示す]で表
わされる錫化合物。
【0014】以下、本発明を詳しく説明する。本発明で
原料として用いるシアノ酢酸エステルとしては、一般式
NCCH2 COOR1 (式中R1 は炭素数1〜3のアル
キル基を示す)で表わされるもので、具体的にはシアノ
酢酸メチル、シアノ酢酸エチル、シアノ酢酸プロピル、
シアノ酢酸イソプロピルを挙げることができる。
原料として用いるシアノ酢酸エステルとしては、一般式
NCCH2 COOR1 (式中R1 は炭素数1〜3のアル
キル基を示す)で表わされるもので、具体的にはシアノ
酢酸メチル、シアノ酢酸エチル、シアノ酢酸プロピル、
シアノ酢酸イソプロピルを挙げることができる。
【0015】本発明に用いるアルコールR’OH(式中
R’は炭素数4〜20のアルキル基を示す)としては、
n−ブタノール、iso−ブタノール、t−ブタノー
ル、1−ペンタノール、2−ペンタノール、3−ペンタ
ノール、2−メチル−1−ブタノール、3−メチル−1
−ブタノール、2−メチル−2−ブタノール、3−メチ
ル−2−ブタノール、2、2−ジメチル−1−プロパノ
ール、シクロペンタノール、1−ヘキサノール、2−ヘ
キサノール、3−ヘキサノール、4−メチル−1−ペン
タノール、4−メチル−2−ペンタノール、3−メチル
−3−メタノール、2、3−ジメチル−2−ブタノー
ル、3、3−ジメチル−2−ブタノール、シクロヘキサ
ノール、1−へプタノール、2−へプタノール、3−へ
プタノール、4−へプタノール、3−エチル−3−ペン
タノール、2、4−ジメチル−3−ペンタノール、2、
3、3−トリメチル−2−ブタノール、1−オクタノー
ル、2−オクタノール、2−エチル−1−ヘキサノー
ル、1、1、3、3−テトラメチル−1−ブタノール、
1−ノナノール、2−ノナノール、2、6−ジメチル−
4−へプタノール、1−デカノール、1−ウンデカノー
ル、1−ドデカノール、1−トリデカノール、1−テト
ラデカノール、1−ペンタデカノール、1−ヘキサデカ
ノール、1−ヘプタデカノール、1−オクタデカノー
ル、トリフェニルメタノールなどが挙げられる。
R’は炭素数4〜20のアルキル基を示す)としては、
n−ブタノール、iso−ブタノール、t−ブタノー
ル、1−ペンタノール、2−ペンタノール、3−ペンタ
ノール、2−メチル−1−ブタノール、3−メチル−1
−ブタノール、2−メチル−2−ブタノール、3−メチ
ル−2−ブタノール、2、2−ジメチル−1−プロパノ
ール、シクロペンタノール、1−ヘキサノール、2−ヘ
キサノール、3−ヘキサノール、4−メチル−1−ペン
タノール、4−メチル−2−ペンタノール、3−メチル
−3−メタノール、2、3−ジメチル−2−ブタノー
ル、3、3−ジメチル−2−ブタノール、シクロヘキサ
ノール、1−へプタノール、2−へプタノール、3−へ
プタノール、4−へプタノール、3−エチル−3−ペン
タノール、2、4−ジメチル−3−ペンタノール、2、
3、3−トリメチル−2−ブタノール、1−オクタノー
ル、2−オクタノール、2−エチル−1−ヘキサノー
ル、1、1、3、3−テトラメチル−1−ブタノール、
1−ノナノール、2−ノナノール、2、6−ジメチル−
4−へプタノール、1−デカノール、1−ウンデカノー
ル、1−ドデカノール、1−トリデカノール、1−テト
ラデカノール、1−ペンタデカノール、1−ヘキサデカ
ノール、1−ヘプタデカノール、1−オクタデカノー
ル、トリフェニルメタノールなどが挙げられる。
【0016】特に好ましくは、t−ブタノール、1−ペ
ンタノール、1−ヘキサノール、シクロペンタノール、
シクロヘキサノールなどが用いられる。
ンタノール、1−ヘキサノール、シクロペンタノール、
シクロヘキサノールなどが用いられる。
【0017】原料のシアノ酢酸エステルとアルコールの
使用量は、シアノ酢酸エステル1モルに対してアルコー
ルを通常1.5〜30倍モルの範囲、好ましくは2〜2
0倍モルの範囲で用いるがよい。
使用量は、シアノ酢酸エステル1モルに対してアルコー
ルを通常1.5〜30倍モルの範囲、好ましくは2〜2
0倍モルの範囲で用いるがよい。
【0018】シアノ酢酸エステルとアルコールとの反応
は、錫化合物を触媒とし、その存在下で行われる。錫化
合物としては、下記の(1)〜(4)に示す錫化合物が
用いられる。
は、錫化合物を触媒とし、その存在下で行われる。錫化
合物としては、下記の(1)〜(4)に示す錫化合物が
用いられる。
【0019】 [式中、R2 およびR3 は炭素数1〜18のアルキル
基、X1 およびX2 は−H、−R6 、−OR6 、−OC
OR6 、−OCOCH=CHCOOR6 (R6 は炭素数
1〜18のアルキル基を示す)またはハロゲンを示す]
で表わされる錫化合物としては、ジブチル錫ジメトキサ
イド、ジブチル錫ジエトキサイド、ジオクチル錫ジメト
キサイド、ジオクチル錫ジエトキサイド、ジブチル錫ジ
(t−ブトキサイド)、ジオクチル錫ジ(t−ブトキサ
イド)、ジブチル錫ジハイドライド、ジオクチル錫ジハ
イドライド、ジブチル錫ジアセテート、ジオクチル錫ジ
アセテート、ジブチル錫ジオクテート、ジオクチル錫ジ
オクテート、ジブチル錫ジラウレート、ジオクチル錫ジ
ラウレート、ジブチル錫ジステアレート、ジオクチル錫
ジステアレート、トリブチル錫アセテート、トリオクチ
ル錫アセテート、トリブチル錫オクテート、トリオクチ
ル錫オクテート、トリブチル錫ラウレート、トリオクチ
ル錫ラウレート、トリブチル錫ステアレート、トリオク
チル錫ステアレート、トリブチル錫メトキサイド、トリ
オクチル錫メトキサイド、トリブチル錫エトキサイド、
トリオクチル錫エトキサイド、トリブチル錫t−ブトキ
サイド、トリオクチル錫t−ブトキサイド、ジブチル錫
ビス(モノメチルマレエート)、ジオクチル錫ビス(モ
ノメチルマレエート)、ジブチル錫ビス(モノオクチル
マレエート)、ジオクチル錫ビス(モノオクチルマレエ
ート)、ジブチル錫ビス(モノラウリルマレエート)、
ジオクチル錫ビス(モノラウリルマレエート)、ジブチ
ル錫ジクロライド、ジオクチル錫ジクロライドなどが挙
げられる。
基、X1 およびX2 は−H、−R6 、−OR6 、−OC
OR6 、−OCOCH=CHCOOR6 (R6 は炭素数
1〜18のアルキル基を示す)またはハロゲンを示す]
で表わされる錫化合物としては、ジブチル錫ジメトキサ
イド、ジブチル錫ジエトキサイド、ジオクチル錫ジメト
キサイド、ジオクチル錫ジエトキサイド、ジブチル錫ジ
(t−ブトキサイド)、ジオクチル錫ジ(t−ブトキサ
イド)、ジブチル錫ジハイドライド、ジオクチル錫ジハ
イドライド、ジブチル錫ジアセテート、ジオクチル錫ジ
アセテート、ジブチル錫ジオクテート、ジオクチル錫ジ
オクテート、ジブチル錫ジラウレート、ジオクチル錫ジ
ラウレート、ジブチル錫ジステアレート、ジオクチル錫
ジステアレート、トリブチル錫アセテート、トリオクチ
ル錫アセテート、トリブチル錫オクテート、トリオクチ
ル錫オクテート、トリブチル錫ラウレート、トリオクチ
ル錫ラウレート、トリブチル錫ステアレート、トリオク
チル錫ステアレート、トリブチル錫メトキサイド、トリ
オクチル錫メトキサイド、トリブチル錫エトキサイド、
トリオクチル錫エトキサイド、トリブチル錫t−ブトキ
サイド、トリオクチル錫t−ブトキサイド、ジブチル錫
ビス(モノメチルマレエート)、ジオクチル錫ビス(モ
ノメチルマレエート)、ジブチル錫ビス(モノオクチル
マレエート)、ジオクチル錫ビス(モノオクチルマレエ
ート)、ジブチル錫ビス(モノラウリルマレエート)、
ジオクチル錫ビス(モノラウリルマレエート)、ジブチ
ル錫ジクロライド、ジオクチル錫ジクロライドなどが挙
げられる。
【0020】とくに、ジブチル錫ジメトキサイド、ジブ
チル錫ジエトキサイド、ジオクチル錫ジメトキサイド、
ジオクチル錫ジエトキサイド、ジブチル錫ジ(t−ブト
キサイド)、ジオクチル錫ジ(t−ブトキサイド)、ジ
ブチル錫ジハイドライド、ジオクチル錫ジハイドライ
ド、ジブチル錫ジアセテート、ジオクチル錫ジアセテー
ト、ジブチル錫ジオクテート、ジオクチル錫ジオクテー
ト、ジブチル錫ジラウレート、ジオクチル錫ジラウレー
ト、ジブチル錫ジステアレート、ジオクチル錫ジステア
レート、トリブチル錫メトキサイド、トリオクチル錫メ
トキサイド、トリブチル錫t−ブトキサイド、トリオク
チル錫t−ブトキサイドなどを用いるのが好ましい。
チル錫ジエトキサイド、ジオクチル錫ジメトキサイド、
ジオクチル錫ジエトキサイド、ジブチル錫ジ(t−ブト
キサイド)、ジオクチル錫ジ(t−ブトキサイド)、ジ
ブチル錫ジハイドライド、ジオクチル錫ジハイドライ
ド、ジブチル錫ジアセテート、ジオクチル錫ジアセテー
ト、ジブチル錫ジオクテート、ジオクチル錫ジオクテー
ト、ジブチル錫ジラウレート、ジオクチル錫ジラウレー
ト、ジブチル錫ジステアレート、ジオクチル錫ジステア
レート、トリブチル錫メトキサイド、トリオクチル錫メ
トキサイド、トリブチル錫t−ブトキサイド、トリオク
チル錫t−ブトキサイドなどを用いるのが好ましい。
【0021】 [式中、R2 およびR3 は炭素数1〜18のアルキル基
を示す]で表わされる錫化合物としては、ジブチル錫オ
キサイド、ジオクチル錫オキサイド、ジシクロヘキシル
錫オキサイドなどが挙げられ、とくに、ジブチル錫オキ
サイド、ジオクチル錫オキサイドを用いるのが好まし
い。
を示す]で表わされる錫化合物としては、ジブチル錫オ
キサイド、ジオクチル錫オキサイド、ジシクロヘキシル
錫オキサイドなどが挙げられ、とくに、ジブチル錫オキ
サイド、ジオクチル錫オキサイドを用いるのが好まし
い。
【0022】 [式中、R2 およびR3 は炭素数1〜18のアルキル
基、Aは−COCH=CHOC−を示す]で表わされる
錫化合物としては、ジブチル錫マレエート、ジオクチル
錫マレエートを挙げることができる。
基、Aは−COCH=CHOC−を示す]で表わされる
錫化合物としては、ジブチル錫マレエート、ジオクチル
錫マレエートを挙げることができる。
【0023】 [式中、R2 、R3 、R4 およびR5 は炭素数1〜18
のアルキル基、X3 およびX4 は−R6 または−OR6
(R6 は炭素数1〜18のアルキル基を示す)、Bは−
OCOCH=CH−COO−または−O−を示す]で表
わされる錫化合物としては、ビス(トリブチル錫)オキ
サイド、ビス(トリオクチル錫)オキサイド、ビス(ト
リブチル錫)マレエート、ビス(トリオクチル錫)マレ
エート、ビス(ジブチルメトキシ錫)マレエート、ビス
(ジオクチルメトキシ錫)マレエート、ビス(ジブチル
メトキシ錫)オキサイド、ビス(ジオクチルメトキシ
錫)オキサイド、ビス{ジブチル(t−ブトキシ)錫}
マレエート、ビス{ジオクチル(t−ブトキシ)錫}マ
レエート、ビス{ジブチル(t−ブトキシ)錫}オキサ
イド、ビス{ジオクチル(t−ブトキシ)錫}オキサイ
ド、ビス(ジブチルラウロキシ錫)マレエート、ビス
(ジオクチルラウロキシ錫)マレエート、ビス(ジブチ
ルラウロキシ錫)オキサイド、ビス(ジオクチルラウロ
キシ錫)オキサイドなどを挙げることができる。
のアルキル基、X3 およびX4 は−R6 または−OR6
(R6 は炭素数1〜18のアルキル基を示す)、Bは−
OCOCH=CH−COO−または−O−を示す]で表
わされる錫化合物としては、ビス(トリブチル錫)オキ
サイド、ビス(トリオクチル錫)オキサイド、ビス(ト
リブチル錫)マレエート、ビス(トリオクチル錫)マレ
エート、ビス(ジブチルメトキシ錫)マレエート、ビス
(ジオクチルメトキシ錫)マレエート、ビス(ジブチル
メトキシ錫)オキサイド、ビス(ジオクチルメトキシ
錫)オキサイド、ビス{ジブチル(t−ブトキシ)錫}
マレエート、ビス{ジオクチル(t−ブトキシ)錫}マ
レエート、ビス{ジブチル(t−ブトキシ)錫}オキサ
イド、ビス{ジオクチル(t−ブトキシ)錫}オキサイ
ド、ビス(ジブチルラウロキシ錫)マレエート、ビス
(ジオクチルラウロキシ錫)マレエート、ビス(ジブチ
ルラウロキシ錫)オキサイド、ビス(ジオクチルラウロ
キシ錫)オキサイドなどを挙げることができる。
【0024】とくに、ビス(ジブチルメトキシ錫)マレ
エート、ビス(ジオクチルメトキシ錫)マレエート、ビ
ス(ジブチルメトキシ錫)オキサイド、ビス(ジオクチ
ルメトキシ錫)オキサイド、ビス{ジブチル(t−ブト
キシ)錫}マレエート、ビス{ジオクチル(t−ブトキ
シ)錫}マレエート、ビス{ジブチル(t−ブトキシ)
錫}オキサイド、ビス{ジオクチル(t−ブトキシ)
錫}オキサイドを用いるのが好ましい。
エート、ビス(ジオクチルメトキシ錫)マレエート、ビ
ス(ジブチルメトキシ錫)オキサイド、ビス(ジオクチ
ルメトキシ錫)オキサイド、ビス{ジブチル(t−ブト
キシ)錫}マレエート、ビス{ジオクチル(t−ブトキ
シ)錫}マレエート、ビス{ジブチル(t−ブトキシ)
錫}オキサイド、ビス{ジオクチル(t−ブトキシ)
錫}オキサイドを用いるのが好ましい。
【0025】本発明の方法に用いるこれら触媒は反応原
料に溶解するため、活性の発現が早く、反応速度を著し
く速めることができる。また、反応中に活性の低下がほ
とんどない。触媒は反応開始時に反応系に一度に加えれ
ばよく、操作が簡単である。
料に溶解するため、活性の発現が早く、反応速度を著し
く速めることができる。また、反応中に活性の低下がほ
とんどない。触媒は反応開始時に反応系に一度に加えれ
ばよく、操作が簡単である。
【0026】また、これら触媒は、従来の触媒に比べて
反応系に微量の水分が存在していてもその影響が少ない
ので、予め反応系内の水分を完全に除去する必要はな
い。さらに、これら触媒のSn化合物は、塩化ビニル樹
脂の安定剤あるいは農薬として用いられたり、その製造
原料となるものが多いため通常経済的に容易に入手する
ことができる。
反応系に微量の水分が存在していてもその影響が少ない
ので、予め反応系内の水分を完全に除去する必要はな
い。さらに、これら触媒のSn化合物は、塩化ビニル樹
脂の安定剤あるいは農薬として用いられたり、その製造
原料となるものが多いため通常経済的に容易に入手する
ことができる。
【0027】上記触媒の使用量は、シアノ酢酸エステル
に対して0.1〜50モル%の範囲、好ましくは0.5
〜25モル%の範囲とするのがよい。
に対して0.1〜50モル%の範囲、好ましくは0.5
〜25モル%の範囲とするのがよい。
【0028】本発明の方法における反応温度は、40〜
250℃の範囲、好ましくは、60〜200℃で適用さ
れる。反応時間は、原料モル比、触媒量、反応温度など
の反応条件によって変動するが、通常は12時間以内、
3〜10時間の範囲で適用される。
250℃の範囲、好ましくは、60〜200℃で適用さ
れる。反応時間は、原料モル比、触媒量、反応温度など
の反応条件によって変動するが、通常は12時間以内、
3〜10時間の範囲で適用される。
【0029】反応は、常圧、減圧または加圧の何れでも
可能であるが、副生するアルコールを速やかに系外に留
出させながら行なうと有利である。反応により副生する
アルコールは蒸留塔に導き、適当な還流比で反応系内に
還流させながら系外に抜き出すと効率的である。この場
合、還流比は1:1〜30:1の間で、通常は1:1〜
15:1の間に適宜選択して行うのがよい。
可能であるが、副生するアルコールを速やかに系外に留
出させながら行なうと有利である。反応により副生する
アルコールは蒸留塔に導き、適当な還流比で反応系内に
還流させながら系外に抜き出すと効率的である。この場
合、還流比は1:1〜30:1の間で、通常は1:1〜
15:1の間に適宜選択して行うのがよい。
【0030】本反応では、通常溶媒を必要としないが、
用いても差し支えない。用いられる溶媒の種類として
は、例えば、ベンゼン、トルエンおよびキシレンなどが
挙げられる。
用いても差し支えない。用いられる溶媒の種類として
は、例えば、ベンゼン、トルエンおよびキシレンなどが
挙げられる。
【0031】本発明の一般的実施態様について説明する
と、まず、温度計、蒸留塔を備えた反応器に所定量の原
料シアノ酢酸エステルNCCH2 COOR1 (式中R1
は炭素数1〜3のアルキル基を示す)、アルコールR’
OH(式中R’は炭素数4〜20のアルキル基を示
す)、触媒、必要に応じて溶媒を仕込んで加熱し、全還
流下しばらく反応させ、還流が激しくなった時点で所定
の還流比にて副生するアルコールを系外に抜き出す。
と、まず、温度計、蒸留塔を備えた反応器に所定量の原
料シアノ酢酸エステルNCCH2 COOR1 (式中R1
は炭素数1〜3のアルキル基を示す)、アルコールR’
OH(式中R’は炭素数4〜20のアルキル基を示
す)、触媒、必要に応じて溶媒を仕込んで加熱し、全還
流下しばらく反応させ、還流が激しくなった時点で所定
の還流比にて副生するアルコールを系外に抜き出す。
【0032】反応後、反応液を常法に従い減圧蒸留する
ことにより、まず、過剰量の原料アルコールR’OH
(式中R’は炭素数4〜20のアルキル基を示す)を留
去させ、次いで、目的生成物である高級シアノ酢酸エス
テルNCCH2 COOR’(式中R’は炭素数4〜20
のアルキル基を示す)を留出させ取得する。
ことにより、まず、過剰量の原料アルコールR’OH
(式中R’は炭素数4〜20のアルキル基を示す)を留
去させ、次いで、目的生成物である高級シアノ酢酸エス
テルNCCH2 COOR’(式中R’は炭素数4〜20
のアルキル基を示す)を留出させ取得する。
【0033】
【実施例】次に、実施例により本発明を更に具体的に説
明するが、本発明はこれら実施例に何ら限定されるもの
でない。
明するが、本発明はこれら実施例に何ら限定されるもの
でない。
【0034】実施例1 撹拌器、温度計およびマクマホン充填塔を備えたフラス
コに、シアノ酢酸メチル9.9g、t−ブタノール74
g、ジブチル錫ジメトキサイド1.5gを加え、110
℃にて加熱しリフラックスさせた。反応液を10分間全
還流させた後、還流比10:1にて発生するメタノール
を系外に留去しつつ反応させた。蒸留塔の塔頂温度を反
応中80℃〜85℃に保ち、8時間反応させた。反応
後、反応混合物をガスクロマトグラフィーにて分析した
結果、シアノ酢酸メチルの転化率は95%、シアノ酢酸
t−ブチルの選択率は100%であった。
コに、シアノ酢酸メチル9.9g、t−ブタノール74
g、ジブチル錫ジメトキサイド1.5gを加え、110
℃にて加熱しリフラックスさせた。反応液を10分間全
還流させた後、還流比10:1にて発生するメタノール
を系外に留去しつつ反応させた。蒸留塔の塔頂温度を反
応中80℃〜85℃に保ち、8時間反応させた。反応
後、反応混合物をガスクロマトグラフィーにて分析した
結果、シアノ酢酸メチルの転化率は95%、シアノ酢酸
t−ブチルの選択率は100%であった。
【0035】実施例2 実施例1の反応装置を用いて、シアノ酢酸エチル11.
3g、t−ブタノール65g、ジブチル錫ジ(t−ブト
キサイド)1.5gを120℃にて加熱しリフラックス
させた。発生するエタノールを系外に留去しつつ8時間
反応させた。反応後、反応混合物をガスクロマトグラフ
ィーにて分析した結果、シアノ酢酸エチルの転化率は9
3%、シアノ酢酸t−ブチルの選択率は100%であっ
た。
3g、t−ブタノール65g、ジブチル錫ジ(t−ブト
キサイド)1.5gを120℃にて加熱しリフラックス
させた。発生するエタノールを系外に留去しつつ8時間
反応させた。反応後、反応混合物をガスクロマトグラフ
ィーにて分析した結果、シアノ酢酸エチルの転化率は9
3%、シアノ酢酸t−ブチルの選択率は100%であっ
た。
【0036】実施例3 実施例1の反応装置を用いて、シアノ酢酸メチル9.9
g、シクロヘキサノール75g、ジブチル錫ジメトキサ
イド1.6gを160℃にて加熱しリフラックスさせ
た。発生するメタノールを系外に留去しつつ8時間反応
させた。反応後、反応混合物をガスクロマトグラフィー
にて分析した結果、シアノ酢酸メチルの転化率は95
%、シアノ酢酸シクロヘキシルの選択率は100%であ
った。
g、シクロヘキサノール75g、ジブチル錫ジメトキサ
イド1.6gを160℃にて加熱しリフラックスさせ
た。発生するメタノールを系外に留去しつつ8時間反応
させた。反応後、反応混合物をガスクロマトグラフィー
にて分析した結果、シアノ酢酸メチルの転化率は95
%、シアノ酢酸シクロヘキシルの選択率は100%であ
った。
【0037】実施例4 実施例1の反応装置を用いて、シアノ酢酸エチル11.
3g、シクロペンタノール65g、ジブチル錫オキサイ
ド1.5gを160℃にて加熱しリフラックスさせた。
発生するエタノールを系外に留去しつつ8時間反応させ
た。反応後、反応混合物をガスクロマトグラフィーにて
分析した結果、シアノ酢酸エチルの転化率は93%、シ
アノ酢酸シクロペンチルの選択率は100%であった。
3g、シクロペンタノール65g、ジブチル錫オキサイ
ド1.5gを160℃にて加熱しリフラックスさせた。
発生するエタノールを系外に留去しつつ8時間反応させ
た。反応後、反応混合物をガスクロマトグラフィーにて
分析した結果、シアノ酢酸エチルの転化率は93%、シ
アノ酢酸シクロペンチルの選択率は100%であった。
【0038】実施例5 実施例1において、t−ブタノールの代わりに1−ヘキ
サノール80gを用いて180℃で同様に反応を行なっ
た。反応後、反応混合物をガスクロマトグラフィーにて
分析した結果、シアノ酢酸メチルの転化率は98%、シ
アノ酢酸(1−ヘキシル)の選択率は98%であった。
サノール80gを用いて180℃で同様に反応を行なっ
た。反応後、反応混合物をガスクロマトグラフィーにて
分析した結果、シアノ酢酸メチルの転化率は98%、シ
アノ酢酸(1−ヘキシル)の選択率は98%であった。
【0039】実施例6 実施例5において、ジブチル錫ジメトキサイドの代わり
にジブチル錫ジエトキサイド1.7gを用い、1−ヘキ
サノールの代わりに1−ペンタノール68gを用いて同
様に反応を行なった。反応後、反応混合物をガスクロマ
トグラフィーにて分析した結果、シアノ酢酸メチルの転
化率は98%、シアノ酢酸(1−ペンチル)の選択率は
99%であった。
にジブチル錫ジエトキサイド1.7gを用い、1−ヘキ
サノールの代わりに1−ペンタノール68gを用いて同
様に反応を行なった。反応後、反応混合物をガスクロマ
トグラフィーにて分析した結果、シアノ酢酸メチルの転
化率は98%、シアノ酢酸(1−ペンチル)の選択率は
99%であった。
【0040】実施例7〜14 実施例1において、触媒を下記のものに代えた以外は同
様の方法で反応を行なった。その結果を表1に示す。
様の方法で反応を行なった。その結果を表1に示す。
【0041】 表1 実施例 触媒 反応時間 転化率 選択率 (g) (hr) (%) (%) 7 ジオクチル錫ジメトキサイド 1.5 8 95 100 8 ジオクチル錫ジエトキサイド 1.5 8 93 100 9 ジブチル錫ジ(t−ブトキサイド) 1.5 8 98 100 10 ジオクチル錫ジ(t−ブトキサイド) 1.5 8 96 100 11 ジブチル錫ジハイドライド 2.0 10 92 90 12 ジオクチル錫ジハイドライド 2.0 10 90 90 13 ジブチル錫オキサイド 2.5 10 88 100 14 ジオクチル錫オキサイド 1.5 10 80 100
【0042】実施例15〜24 実施例1において、触媒を下記のものに代え、反応温度
を130℃としたこと以外は同様の方法で反応を行なっ
た。その結果を表2に示す。
を130℃としたこと以外は同様の方法で反応を行なっ
た。その結果を表2に示す。
【0043】 表2 実施例 触媒 反応時間 転化率 選択率 (g) (hr) (%) (%) 15 ジブチル錫ジアセテート 5.0 10 70 92 16 ジオクチル錫ジアセテート 5.0 10 70 90 17 ジブチル錫ジオクテート 5.0 10 85 93 18 ジオクチル錫ジオクテート 5.0 10 83 93 19 ジブチル錫ジラウルレート 5.0 10 88 93 20 ジオクチル錫ジラウルレート 5.0 10 88 92 21 ジブチル錫ジステアレート 5.0 10 87 91 22 ジオクチル錫ジステアレート 5.0 10 86 94 23 ジブチル錫マレエート 5.5 10 85 95 24 ジオクチル錫マレエート 5.5 10 85 95
【0044】実施例25〜36 実施例2において、触媒を下記のものに代えた以外は同
様の方法で反応を行なった。その結果を表3に示す。
様の方法で反応を行なった。その結果を表3に示す。
【0045】 表3 実施例 触媒 反応時間 転化率 選択率 (g) (hr) (%) (%) 25 ビス(ジブチルメトキシ錫) マレエート 8.0 9 86 89 26 ビス(ジオクチルメトキシ錫) マレエート 8.0 9 84 88 27 ビス(ジブチルメトキシ錫) オキサイド 8.0 9 80 82 28 ビス(ジオクチルメトキシ錫) オキサイド 8.0 9 80 83 29 ビス〔ジブチル(t−ブトキシ) 錫〕 マレエート 9.0 7 85 90 30 ビス〔ジオクチル(t−ブトキシ) 錫〕 マレエート 9.0 7 83 92 31 ビス〔ジブチル(t−ブトキシ) 錫〕 オキサイド 9.0 8 82 91 32 ビス〔ジオクチル(t−ブトキシ) 錫〕 オキサイド 9.0 8 81 93 33 トリブチル錫メトキサイド 5.0 10 83 98 34 トリオクチル錫メトキサイド 5.0 10 80 96 35 トリブチル錫t-ブトキサイド 5.5 10 83 95 36 トリオクチル錫t-ブトキサイド 5.5 10 82 94
【0046】
【発明の効果】本発明の方法によれば、従来、エステル
交換反応が進行しにくいことが知られている一般式R’
OH(式中R’は炭素数4〜20のアルキル基を示す)
で表わされるアルコールを、触媒として特定の錫化合物
を用いることによって、一般式NCCH2 COOR
1 (式中R1 は炭素数1〜3のアルキル基を示す)で表
わされるシアノ酢酸エステルとエステル交換反応させる
ことができ、しかも高収率で一般式NCCH2 COO
R’(式中R’は炭素数4〜20のアルキル基を示す)
で表わされる高級シアノ酢酸エステルを取得できる。ま
た、本反応は、副生物の生成が少ないため精製が容易で
あり、廃棄物も大幅に低減する。
交換反応が進行しにくいことが知られている一般式R’
OH(式中R’は炭素数4〜20のアルキル基を示す)
で表わされるアルコールを、触媒として特定の錫化合物
を用いることによって、一般式NCCH2 COOR
1 (式中R1 は炭素数1〜3のアルキル基を示す)で表
わされるシアノ酢酸エステルとエステル交換反応させる
ことができ、しかも高収率で一般式NCCH2 COO
R’(式中R’は炭素数4〜20のアルキル基を示す)
で表わされる高級シアノ酢酸エステルを取得できる。ま
た、本反応は、副生物の生成が少ないため精製が容易で
あり、廃棄物も大幅に低減する。
Claims (6)
- 【請求項1】一般式NCCH2 COOR1 (式中R1 は
炭素数1〜3のアルキル基を示す)で表わされるシアノ
酢酸エステルと一般式R’OH(式中R’は炭素数4〜
20のアルキル基を示す)で表わされるアルコールと
を、触媒として下記の(1)〜(4)群から選ばれた少
なくとも一種の錫化合物の存在下にエステル交換反応さ
せることを特徴とする一般式NCCH2 COOR’(式
中R’は炭素数4〜20のアルキル基を示す)で表わさ
れる高級シアノ酢酸エステルの製造法。 [式中、R2 およびR3 は炭素数1〜18のアルキル
基、X1 およびX2 は−H、−R6 、−OR6 、−OC
OR6 、−OCOCH=CHCOOR6 (R6 は炭素数
1〜18のアルキル基を示す)またはハロゲンを示す]
で表わされる錫化合物、 [式中、R2 およびR3 は炭素数1〜18のアルキル基
を示す]で表わされる錫化合物、 [式中、R2 およびR3 は炭素数1〜18のアルキル
基、Aは−COCH=CHOC−を示す]で表わされる
錫化合物、 [式中、R2 、R3 、R4 およびR5 は炭素数1〜18
のアルキル基、X3 およびX4 は−R6 または−OR6
(R6 は炭素数1〜18のアルキル基を示す)、Bは−
OCOCH=CH−COO−または−O−を示す]で表
わされる錫化合物。 - 【請求項2】(1)の式で表わされる錫化合物が、ジブ
チル錫ジメトキサイド、ジブチル錫ジエトキサイド、ジ
オクチル錫ジメトキサイド、ジオクチル錫ジエトキサイ
ド、ジブチル錫ジ(t−ブトキサイド)、ジオクチル錫
ジ(t−ブトキサイド)、ジブチル錫ジハイドライド、
ジオクチル錫ジハイドライド、ジブチル錫ジアセテー
ト、ジオクチル錫ジアセテート、ジブチル錫ジオクテー
ト、ジオクチル錫ジオクテート、ジブチル錫ジラウレー
ト、ジオクチル錫ジラウレート、ジブチル錫ジステアレ
ート、ジオクチル錫ジステアレート、トリブチル錫アセ
テート、トリオクチル錫アセテート、トリブチル錫オク
テート、トリオクチル錫オクテート、トリブチル錫ラウ
レート、トリオクチル錫ラウレート、トリブチル錫ステ
アレート、トリオクチル錫ステアレート、トリブチル錫
メトキサイド、トリオクチル錫メトキサイド、トリブチ
ル錫エトキサイド、トリオクチル錫エトキサイド、トリ
ブチル錫t−ブトキサイド、トリオクチル錫t−ブトキ
サイド、ジブチル錫ビス(モノメチルマレエート)、ジ
オクチル錫ビス(モノメチルマレエート)、ジブチル錫
ビス(モノオクチルマレエート)、ジオクチル錫ビス
(モノオクチルマレエート)、ジブチル錫ビス(モノラ
ウリルマレエート)、ジオクチル錫ビス(モノラウリル
マレエート)、ジブチル錫ジクロライドおよびジオクチ
ル錫ジクロライドからなる群から選ばれた少なくとも1
種である請求項1記載の高級シアノ酢酸エステルの製造
法。 - 【請求項3】(2)の式で表わされる錫化合物が、ジブ
チル錫オキサイド、ジオクチル錫オキサイドおよびジシ
クロヘキシル錫オキサイドからなる群から選ばれた少な
くとも1種である請求項1記載の高級シアノ酢酸エステ
ルの製造法。 - 【請求項4】(3)の式で表わされる錫化合物が、ジブ
チル錫マレエートおよびジオクチル錫マレエートからな
る群から選ばれた少なくとも1種である請求項1記載の
高級シアノ酢酸エステルの製造法。 - 【請求項5】(4)の式で表される錫化合物が、ビス
(トリブチル錫)オキサイド、ビス(トリオクチル錫)
オキサイド、ビス(トリブチル錫)マレエート、ビス
(トリオクチル錫)マレエート、ビス(ジブチルメトキ
シ錫)マレエート、ビス(ジオクチルメトキシ錫)マレ
エート、ビス(ジブチルメトキシ錫)オキサイド、ビス
(ジオクチルメトキシ錫)オキサイド、ビス{ジブチル
(t−ブトキシ)錫}マレエート、ビス{ジオクチル
(t−ブトキシ)錫}マレエート、ビス{ジブチル(t
−ブトキシ)錫}オキサイド、ビス{ジオクチル(t−
ブトキシ)錫}オキサイド、ビス(ジブチルラウロキシ
錫)マレエート、ビス(ジオクチルラウロキシ錫)マレ
エート、ビス(ジブチルラウロキシ錫)オキサイドおよ
びビス(ジオクチルラウロキシ錫)オキサイドからなる
群から選ばれた少なくとも1種である請求項1記載の高
級シアノ酢酸エステルの製造法。 - 【請求項6】一般式R’OHで表わされアルコールがt
−ブタノール、1−ペンタノール、1−ヘキサノール、
シクロペンタノール、シクロヘキサノールであり、一般
式NCCH2 COOR’で表わされる高級シアノ酢酸エ
ステルがシアノ酢酸(t−ブチル)、シアノ酢酸(1−
ペンチル)、シアノ酢酸(1−ヘキシル)、シアノ酢酸
シクロペンチル、シアノ酢酸シクロヘキシルである請求
項1記載の高級シアノ酢酸エステルの製造法。
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CN94191232.9A CN1035942C (zh) | 1993-12-20 | 1994-12-19 | 高级氰基醋酸酯 |
DE69419009T DE69419009T2 (de) | 1993-12-20 | 1994-12-19 | Verfahren zur herstellung höherer cyanoessigsäureester |
PCT/JP1994/002134 WO1995017377A1 (fr) | 1993-12-20 | 1994-12-19 | Procede de production d'un ester cyanoacetique superieur |
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US6420590B1 (en) * | 2000-10-31 | 2002-07-16 | Closure Medical Corporation | Continuous processes and apparatus for forming cyanoacetate and cyanoacrylate |
DE102009000861A1 (de) * | 2009-02-13 | 2010-08-19 | Henkel Ag & Co. Kgaa | Verfahren zur Herstellung von Cyanacrylsäureestern |
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DE2403483A1 (de) * | 1974-01-25 | 1975-08-07 | Dynamit Nobel Ag | Verfahren zur herstellung von cyanessigsaeurealkylestern |
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-
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-
1996
- 1996-12-18 US US08/769,702 patent/US5698730A/en not_active Expired - Lifetime
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---|---|---|---|
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