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JPH06202934A - プログラム可能なタイミングを有するメモリコントローラ - Google Patents

プログラム可能なタイミングを有するメモリコントローラ

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Publication number
JPH06202934A
JPH06202934A JP5239006A JP23900693A JPH06202934A JP H06202934 A JPH06202934 A JP H06202934A JP 5239006 A JP5239006 A JP 5239006A JP 23900693 A JP23900693 A JP 23900693A JP H06202934 A JPH06202934 A JP H06202934A
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JP
Japan
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signal
timing control
bit
timing
memory
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Application number
JP5239006A
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Scott A Dresser
スコット・エイ・ドレッサー
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HP Inc
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Hewlett Packard Co
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Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=25472168&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=JPH06202934(A) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by Hewlett Packard Co filed Critical Hewlett Packard Co
Publication of JPH06202934A publication Critical patent/JPH06202934A/ja
Application granted granted Critical
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    • G11C11/401Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells
    • G11C11/4063Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing
    • G11C11/407Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing for memory cells of the field-effect type
    • G11C11/4076Timing circuits
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
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    • G11C7/22Read-write [R-W] timing or clocking circuits; Read-write [R-W] control signal generators or management 
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
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    • G11C8/18Address timing or clocking circuits; Address control signal generation or management, e.g. for row address strobe [RAS] or column address strobe [CAS] signals

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Dram (AREA)
  • Memory System (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 プログラム可能なタイミングを有するメモリ
信号をメモリコントローラから得られ、かつ異なるクロ
ック周波数とメモリタイミング条件を有するシステムに
適用できるプログラム可能なタイミングを有するメモリ
コントローラを提供することを目的とする。 【構成】 メモリコントローラ内の制御レジスタ30A
のタイミング制御ビット26〜31からの値に応じて、
メモリコントローラ内のDRAM制御ユニット24のセ
レクタ32,34,36,38,40,42のいずれか
がタイミング制御パラメータを選択して、これに対応し
てタイミング制御ユニット33,35,37,39,4
1,43のうちのいずれかがタイミング制御パラメータ
と、アドレス信号及び制御信号を含むメモリ信号とによ
り、メモリコントローラのタイミングのプログラム可能
なタイミング制御信号を発生する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、広義にはデータ処理
システムに関し、より詳細には、プログラム可能なタイ
ミングを有するメモリコントローラに関する。
【0002】
【従来の技術】典型的なコンピュータシステムでは、中
央処理装置がメモリコントローラを介して主メモリに接
続されている。メモリコントローラは中央処理装置から
物理アドレスを受け取り、このアドレスをメモリ中の装
置にコンパチブルな形式に変換する。さらに、メモリコ
ントローラはメモリのための制御信号を提供する。典型
的なダイナミックランダムアクセスメモリ(以下DRA
Mと言う)は行アドレスと列アドレスが各メモリに順次
ストローブされる多重化アドレス指定法を用いる。メモ
リコントローラは多重化動作用の信号を提供する。メモ
リに供給される信号は適正な動作のためには厳密なタイ
ミング条件を満たさねばならない。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】メモリコントローラ集
積回路(以下ICと言う)は特定の種類のメモリととも
に動作するようにカスタム設計されることが多い。残念
ながら、かかるメモリコントローラICの開発費用は非
常に高い。メモリコントローラICによって提供される
メモリ信号のタイミングは固定されているため、かかる
カスタムメモリコントローラICはその設計目的となっ
たメモリあるいは同じタイミング条件を有するメモリに
のみ用いることができる。したがって、メモリの設計者
に可能な選択としては、新しいシステム設計に既存のメ
モリシステムを用いるか、あるいは高い費用をかけて新
しいカスタムメモリコントローラICを開発することで
あった。したがって、異なるタイミング条件を有するメ
モリに用いることができる十分なフレキシビリティを有
するメモリコントローラを提供することが望まれる。
【0004】従来のメモリコントローラICに対する別
の制約は、同じDRAMチップを用いてもタイミングを
変更することができないことである。したがって、メモ
リ信号の速度を増すことができない。
【0005】
【課題を解決するための手段】この発明によれば、メモ
リへのアクセスを制御するためのメモリコントローラは
物理アドレスに応じてメモリにアクセスするためのアド
レス信号と制御信号を含むメモリ信号を生成する手段と
メモリのタイミング条件を定義する所定のタイミング制
御情報に応じてメモリ信号のタイミングをプログラムす
る手段とを有する。
【0006】このプログラミングするための手段は好適
には1つあるいはそれ以上のタイミング制御ビットを記
憶するための手段とこのタイミング制御ビットに応じて
所定のタイミング制御パラメータ群からタイミング制御
信号を選択するセレクタ手段を有する。このプログラミ
ングするための手段は好適にはさらにタイミング制御パ
ラメータと選択されたメモリ信号とに応じてタイミング
制御信号を生成するための手段を有する。タイミング制
御信号はメモリ信号のタイミングを制御する。このタイ
ミング制御信号を生成するための手段は好適には選択さ
れたメモリ信号における所定の事象後の経過時間を判定
するための手段とこの所定の事象後の経過時間がタイミ
ング制御パラメータに等しいときタイミング制御信号を
生成するための手段とを有する。
【0007】
【作用】この発明によれば、行アドレスストローブ、列
アドレスストローブ、行アドレスおよび列アドレスのよ
うなメモリ信号はプログラム可能なタイミングを有す
る。さらに、(メモリコントローラの内部信号である)
読み出しデータのラッチ制御はプログラム可能なタイミ
ングを有する。このメモリコントローラのプログラム可
能な機能によってメモリコントローラをタイミング条件
の異なるメモリに用いることができ、またメモリインタ
ーフェースにおけるタイミングの調整に用いることがで
きる。タイミング制御ビットは好適にはシステムの初期
設定時にメモリコントローラの制御レジスタにロードさ
れる。タイミング制御ビットから得られたタイミング制
御パラメータはシステムクロックサイクルの倍数でタイ
ミングを指定する。
【0008】
【実施例】この発明によれば、メモリコントローラはプ
ログラム可能なタイミングを有するアドレス信号と制御
信号を提供する。この発明のメモリコントローラは異な
るクロック周波数とメモリタイミング条件を有するシス
テムに用いることができる。
【0009】図1はこの発明の実施に適したデータ処理
システム10のブロック図である。データ処理システム
10はこのデータ処理システムの動作を指示するマイク
ロプロセッサ12を有する。マイクロプロセッサ12は
トランザクションバス14に接続されており、このバス
を介してデータ処理システム10の他の構成要素と通信
する。データ処理システム10はさらにメモリコントロ
ーラ16とメモリ18を含むメモリサブシステムを有す
る。メモリコントローラ16はトランザクションバス1
4に接続され、メモリ18へのアクセスを制御する。メ
モリ18は多重化されたアドレスラインを有するダイナ
ミックランダムアクセスメモリである。メモリコントロ
ーラは状態情報と制御情報を保持するレジスタ26Aと
メモリ18中のDRAMチップと直接インターフェース
するダイナミックランダムアクセスメモリ(以下DRA
Mと言う)制御ユニット24を有する。データ処理シス
テム10はさらにI/Oコントローラ20とI/O装置
22を含む入力/出力(I/O)サブシステムを有す
る。I/Oコントローラ20はトランザクションバス1
4に接続され、I/O装置22へのアクセスを制御す
る。
【0010】図2はメモリコントローラ16(図1)の
一部のブロック図である。特に、図2はレジスタ26A
(図1)の制御レジスタ30AとDRAM制御ユニット
24(図2)を示す。制御レジスタ30AとDRAM制
御ユニット24はメモリ18に提供されるアドレス信号
と制御信号のタイミングを決定する。制御レジスタ30
Aはメモリサブシステムの構成に用いられる制御ビット
を保持する。制御レジスタ30Aは合計32ビットを保
持するが、特にこの発明に関係するのはタイミング制御
ビット26−31だけである。タイミング制御ビット2
6は短列アドレスストローブ(以下SCASと言う)ビ
ット、タイミング制御ビット27は初期列アドレススト
ローブ(以下ECASと言う)ビット、タイミング制御
ビット28はストレッチリフレッシュサイクル(以下S
RFRSHと言う)ビット、タイミング制御ビット29
は行アドレスストローブプリチャージ(以下RASPC
と言う)ビット、タイミング制御ビット30Aは初期行
アドレスストローブ(以下ERASと言う)ビット、タ
イミング制御ビット31は列アドレスストローブプリチ
ャージ(以下CASPCと言う)ビットである。これら
のタイミング制御ビットの重要性については次に詳細に
論じる。制御レジスタ30Aはシステムが電源投入され
るときに読み出し専用メモリ(図示せず)からの情報を
用いて初期設定される。
【0011】DRAM制御ユニット24は制御レジスタ
30Aに含まれるタイミング制御ビット26−31の値
に基づいてメモリアドレス信号と制御信号のタイミング
制御パラメータを選択するセレクタ32,34,36,
38,40および42を有する。各タイミング制御ビッ
トには別々のセレクタが設けられる。セレクタは制御レ
ジスタ30AからのSCASビットをライン50a,5
0b,50cおよび50d上の4つのタイミング制御パ
ラメータを生成するための選択ビットとして用いるSC
ASセレクタ32を有する。ECASセレクタ34は制
御レジスタ30AからのECASビットをライン52
a,52b,52cおよび52d上のタイミング制御パ
ラメータを生成するための選択ビットとして用いる。同
様に、SRFRSHセレクタ36は制御レジスタ30A
からのSRFRSHビットをライン54a,54b,5
4cおよび54d上のタイミング制御パラメータを生成
するための選択ビットとして用いる。RASPCセレク
タ38,ERASセレクタ40およびCASPCセレク
タ42は制御レジスタ30AからのRASPCビット,
ERASビットおよびCASPCビットをライン56,
58および60上のタイミング制御パラメータを生成す
るための選択ビットとして用いる。
【0012】ライン50a−50d,52a−52d,
54a−54d,56,58および60上のタイミング
制御パラメータはそれぞれタイミング制御ユニット3
3,35,37,39,41および43に入力される。
これらのタイミング制御ユニットはタイミング制御パラ
メータをメモリ18に供給されるアドレス信号および制
御信号のタイミングを制御するタイミング制御信号に変
換する。タイミング制御ユニットの動作を次に説明す
る。タイミング制御ユニット33,35,37,39,
41および43は状態機械46へのタイミング制御信号
を提供する。状態機械46はまたトランザクションバス
14上の入力を受け取り、アドレス信号と制御信号をメ
モリ18に提供する。一般に、状態機械46の構成と動
作はここに説明するようなプログラム可能なタイミング
制御信号を受け取ることを除いて、従来のメモリコント
ローラと同様である。その結果、メモリ18に供給され
るアドレス信号と制御信号はプログラム可能なタイミン
グを有する。メモリ18への出力信号には行アドレスス
トローブ(RAS),列アドレスストローブ(CA
S),行アドレス,列アドレスおよび書き込みデータが
ある。メモリ18からメモリコントローラに読み込まれ
るデータをラッチする内部読み出しデータラッチ信号も
またプログラム可能なタイミングを有する。
【0013】一般に、図2の構成要素は次のように動作
する。制御レジスタ30Aのタイミング制御ビット26
−31はそれぞれ「0」あるいは「1」の値を取る。制
御レジスタ30Aのタイミング制御ビット26−31の
取る値が対応するセレクタ32,34,36,38,4
0および42に入力され、適当なタイミング制御パラメ
ータが選択される。次に、タイミング制御パラメータが
対応するタイミング制御ユニット33,35,37,3
9,41および43に入力される。タイミング制御ユニ
ットはタイミング制御パラメータと選択されたメモリ信
号を用いてタイミング制御信号を生成する。タイミング
制御信号によって次に説明するようにCAS,RASあ
るいはデータラッチといったメモリ信号の1つが発生し
たり、消えたりする。状態機械46はタイミング制御信
号とトランザクションバス14上で受け取られた情報に
したがってメモリ18を制御するための信号を生成す
る。制御レジスタ30Aのタイミング制御ビット26−
31の位置にロードされるタイミング制御ビットの値を
選択することによって、メモリコントローラのタイミン
グがプログラムされる。それぞれの場合に、タイミング
はシステムクロックサイクルの倍数でプログラムされ
る。
【0014】図3はSCASセレクタ32をより詳細に
示す。SCASセレクタ32は4つのマルチプレクサ6
2,64,66および68を有する。マルチプレクサ6
2,64,66および68はそれぞれ2つの入力を有す
る。入力のうち1つはマルチプレクサへの選択入力が
「1」であるとき(図3のラベル「1」参照)選択さ
れ、他の入力は選択入力が「0」であるとき(図3のラ
ベル「0」参照)選択される。
【0015】マルチプレクサ62はCAS動作時間を2
クロックサイクルあるいは3クロックサイクルのいずれ
かに選択する。SCASビットが「1」である場合、C
AS動作時間は2サイクルに選択される。SCASビッ
トが「0」である場合、CAS動作時間は3サイクルに
選択される。マルチプレクサ62によって選択されるタ
イミング制御パラメータ(たとえば2サイクルあるいは
3サイクル)はタイミング制御ユニット33(図2)へ
のライン50a上に出力される。
【0016】マルチプレクサ64はCAS信号が発せら
れた後、列アドレスがどれだけの期間保持されるかを決
定する。SCASビットが「1」である場合、列アドレ
スは1サイクル保持される。SCASビットが「0」で
ある場合、列アドレスは2サイクル保持される。選択さ
れたタイミング制御パラメータはタイミング制御ユニッ
ト33(図2)へのライン50b上に出力される。
【0017】マルチプレクサ66は最初のCAS信号の
発信と読み出しデータラッチ信号の各発信の間の時間を
制御する。SCASビットが「1」である場合、CAS
信号と読み出しデータラッチ信号は1サイクルの間隔が
ある。SCASビットが「0」である場合、CAS信号
と読み出しデータラッチ信号は2サイクルの間隔があ
る。選択されたタイミング制御パラメータはタイミング
制御ユニット33(図2)へのライン50c上に出力さ
れる。
【0018】マルチプレクサ68はCAS信号が発せら
れた後、書き込みデータがどれだけの期間保持されるか
を決定する。SCASビットが「1」である場合、書き
込みデータは0サイクル保持される。SCASビットが
「0」である場合、書き込みデータは1サイクル保持さ
れる。選択されたタイミング制御パラメータはタイミン
グ制御ユニット33(図2)へのライン50d上に出力
される。
【0019】図4はECASセレクタ34をより詳細に
示す。ECASセレクタ34は4つのマルチプレクサ7
0,72,74および76を有する。制御レジスタ30
(図2)中のECASビットはマルチプレクサ70,7
2,74および76(図4)のそれぞれに対する選択入
力である。マルチプレクサ70はRAS信号の発信とC
AS信号の発信の間の遅延を選択する。ECASビット
が「1」である場合、遅延は3サイクルであり、ECA
Sビットが「0」である場合、遅延は4サイクルであ
る。選択された遅延はタイミング制御ユニット35(図
2)へのライン52a上に出力される。
【0020】マルチプレクサ72(図4)はRAS信号
の発信と行アドレスから列アドレスへのアドレスライン
の切り換えの間のサイクル数を選択する。ECASビッ
トが「1」である場合、RAS信号の発信と行アドレス
から列アドレスへのアドレスラインの切り換えの間は2
サイクルである。ECASビットが「0」である場合、
これらの事象は3サイクル離れている。選択されたサイ
クル数はタイミング制御ユニット35(図2)へのライ
ン52b上に出力される。
【0021】マルチプレクサ74(図4)は読み出しサ
イクル中のCAS信号の発信と読み出し・修正・書き込
みサイクルにおけるCAS信号の発信の間の間隔を選択
する。ECASビットが「1」である場合、遅延は6サ
イクルであり、ECASビットが「0」である場合、遅
延は7サイクルである。選択されたサイクル数はタイミ
ング制御ユニット35(図2)へのライン52c上に出
力される。
【0022】マルチプレクサ76(図4)は書き込みサ
イクル中のCAS信号の発信と読み出し・修正・書き込
みサイクルにおけるCAS信号の発信の間の遅延を選択
する。この遅延は3サイクルあるいは4サイクルのいず
れかである。マルチプレクサ76はECASビットが
「1」の値を有するときこの遅延を3サイクルとして選
択し、ビットが「0」の値を有するとき遅延を4サイク
ルとして選択する。選択された遅延はタイミング制御ユ
ニット35(図2)へのライン52d上に出力される。
【0023】図5はSRFRSHセレクタ36をより詳
細に示す。SRFRSHセレクタ36はRASリフレッ
シュサイクル前のCASのタイミング制御パラメータの
選択に用いられる。RASリフレッシュサイクル前のC
ASはメモリ18のDRAMチップの内容がリフレッシ
ュされるタイミングサイクルである。SRFRSHセレ
クタ36はCAS信号がRAS信号に先行するサイクル
数を決定する。SRFRSHビットが「1」である場
合、CAS信号はRASのセットアップに2サイクルま
で先行し、SRFRSHビットが「0」である場合、C
AS信号はRASのセットアップに3サイクルまで先行
する。選択されたサイクル数はタイミング制御ユニット
37(図2)へのライン54a上に出力される。
【0024】セレクタ36はマルチプレクサ80を有す
る。マルチプレクサ80はCAS信号がリフレッシュサ
イクルの前に充電されるサイクル数を選択する。SRF
RSHビットが「1」である場合、CAS信号は3サイ
クル充電され、SRFRSHビットが「0」である場
合、CAS信号は4サイクル充電される。選択されたタ
イミング制御パラメータはタイミング制御ユニット37
へのライン54b上に出力される。
【0025】また、SRFRSHセレクタ36はRAS
信号の発信後CAS信号が保持される期間を決定するマ
ルチプレクサ82を有する。SRFRSHが「1」の値
を有する場合、CAS信号は3サイクル保持され、SR
FRSHビットが「0」の値を有する場合、CAS信号
は4サイクル保持される。選択されたタイミング制御パ
ラメータはタイミング制御ユニット37へのライン54
c上に出力される。
【0026】最後に、SRFRSHセレクタ36はRA
S信号の動作時間を選択するマルチプレクサ84を有す
る。SRFRSHが「1」の値を有する場合、RAS動
作時間は5サイクルであり、SRFRSHビットが
「0」の値を有する場合、RAS動作時間は7サイクル
である。選択された動作時間はタイミング制御ユニット
37(図2)へのライン54d上に出力される。
【0027】図6はRASPCセレクタ38,ERAS
セレクタ40およびCASPC42をより詳細に示す。
RASPCセレクタ38はその選択入力としてRASP
Cビットを有するマルチプレクサ90からなる。マルチ
プレクサ90はRAS信号充電の長さとして4サイクル
(RASPCビットが「1」であるとき)あるいは6サ
イクル(RASPCビットが「0」であるとき)のいず
れかに選択する。選択されたサイクル長がタイミング制
御ユニット39(図2)へのライン56上に出力され
る。
【0028】ERASセレクタ40(図6)は行アドレ
スがアドレスラインに置かれる時間とRAS信号の発信
の間の遅延を決定するマルチプレクサ92を有する。E
RASビットはマルチプレクサ92への選択入力であ
る。ERASビットが「1」であるとき出力は0であ
り、ERASビットが「0」であるとき出力は1であ
る。選択された出力はライン58(図6)上をタイミン
グ制御ユニット41(図2)に送られる。
【0029】CASPCセレクタ42(図6)は高速ペ
ージモードアクセス中のCAS信号の充電の長さを決定
するマルチプレクサ94を有する。CASPCビットは
マルチプレクサ94への選択入力である。CAS充電の
長さはCASPCビットが「1」であるとき1サイクル
あるいはCASPCビットが「0」であるとき2サイク
ルのいずれかである。選択された充電長さはタイミング
制御ユニット43(図2)へのライン60上の出力であ
る。
【0030】代表的なタイミング制御ユニットのブロッ
ク図を図7に示す。図7に示す回路は小さな変更がある
だけで各タイミング制御パラメータに共通である。状態
機械46からのメモリ制御信号がカウンタ47をイネー
ブルする。カウンタ47はシステムクロックによってイ
ンクリメントされ、入力メモリ信号が特定の状態
(「1」あるいは「0」等)であるクロックサイクルの
数をカウントするように構成されている。。たとえば、
メモリ信号はCAS信号であり、カウンタ47はCAS
信号が動作状態であるクロックサイクルの数を判定する
ことができる。カウンタ47は入力メモリ信号が特定の
状態であったクロックサイクルの数を表わす2進数であ
る。カウンタ47の出力はコンパレータ49の1つの入
力に供給される。対応するセレクタ(図3から図6)か
らのタイミング制御パラメータはコンパレータ49の他
の入力に供給される。カウンタ47がCAS信号の動作
時間を判定する上述した例では、セレクタ62(図3)
の出力はコンパレータ49に入力される。上述したよう
なタイミング制御パラメータはCAS信号の動作時間が
2サイクルであるか3サイクルであるかを決定する。コ
ンパレータ49はカウンタ47の出力が対応するタイミ
ング制御パラメータに等しいと判定すると、状態機械4
6に状態変更出力信号を提供する。次に、状態機械はタ
イミング制御パラメータによって決定されたようにCA
S信号を2サイクルあるいは3サイクルで終了する。
【0031】図7に示す回路は各タイミング制御パラメ
ータとそれらに対応するメモリ信号に共通である。タイ
ミング制御パラメータが選択された信号の持続時間を示
す場合がある。選択された信号はカウンタ47に入力さ
れ、その持続時間が判定される。所望の持続時間に達し
たとき、選択された信号は状態変更信号に応じて状態機
械によって終了される。他の場合には、タイミング制御
パラメータは第1の信号中の所定の事象と第2の信号中
の所定の事象の間の経過時間を示す。たとえば、タイミ
ング制御パラメータは動作状態あるいは非動作状態にな
る第1の信号と動作状態あるいは非動作状態になる第2
の信号の間の遅延を示す場合がある。この場合、第1の
信号はカウンタ47に入力され、対応するセレクタから
のタイミング制御パラメータはコンパレータ49に入力
される。コンパレータ49は状態機械46に状態変更信
号を提供し、第2の信号を開始あるいは終了させる。
【0032】上述したように、制御レジスタ30A(図
2)中の6つのタイミング制御ビット(ビット26−3
1)を設定することによって、製造者あるいは設計者は
特定のシステムのメモリタイミングに対応することがで
きる。たとえば、あるシステムの製造者がメモリコント
ローラ16が高速動作モードでページ単位の読み出しを
行うことを必要とすると仮定する。この例では、図8は
RAS信号100,CAS信号102,アドレス信号1
04,およびデータラッチ信号106のタイミングを示
す。このタイミングを確立するために、製造者は制御レ
ジスタ30A(図1)中のSCASビット(タイミング
制御ビット26),ECASビット(タイミング制御ビ
ット27),RASPCビット(タイミング制御ビット
29),ERASビット(タイミング制御ビット30)
およびCASPCビット(タイミング制御ビット31)
をそれぞれ「1」の値を有するように設定する。
【0033】制御ビットの設定によって図8に示すタイ
ミングがどのように実施されるかを理解するために、図
3−図6に示すセレクタ32,34,36,38,40
および42を参照する。図3に示すように、SCASビ
ット26はSCASセレクタ32のマルチプレクサ6
2,64,66および68への選択入力である。SCA
Sビットは「1」であるため、マルチプレクサ62,6
4,66および68のそれぞれの第1入力(「1」で示
すもの)が選択される。したがって、マルチプレクサ6
2はCAS信号を2サイクルの動作状態に選択する。図
8には、CAS信号102の動作期間の一例が期間11
4として示されている。
【0034】SCASビットが「1」であるため、マル
チプレクサ64は列アドレスをCAS信号の発信後1サ
イクル保持されるように選択する(図8の期間114参
照)。
【0035】SCASビットの「1」の値はマルチプレ
クサ66および68(図3)にも入力される。マルチプ
レクサ66において、CAS信号と読み出しデータラッ
チ発信の間の時間が1サイクルに設定される。図8にお
いて、期間120はサイクル4の始めのCAS信号10
2の発信とサイクル5の始めのデータラッチ信号106
の発信との間の間隔を示す。これらの事象の間の間隔は
1サイクルである。マルチプレクサ68の出力は読み出
し動作中には用いられず、書き込み動作中に用いられ
る。したがって、マルチプレクサ68の動作は図8の例
については説明しない。
【0036】ECASビットを「1」に設定すると、マ
ルチプレクサ70,72,74および76のための図4
に示すタイミング制御パラメータが選択される。ECA
Sビットの「1」の値はマルチプレクサ70に送られ、
RAS信号の発信とCAS信号の発信との間の3サイク
ルの遅延が選択される。図8には、サイクル1の始めの
RAS信号100の発信とサイクル4の始めのCAS信
号102の発信との間の遅延を期間110で示す。
【0037】ECASビットはまたマルチプレクサ72
にも入力され、RAS信号の発信と行アドレスから列ア
ドレスへの切り換えの間の時間が選択される。2サイク
ルの期間が選択される。図8において、RAS信号10
0がまずサイクル1中に発信され、行アドレスから列ア
ドレスへの切り換えがサイクル3の始めに発生する。し
たがって、図8の期間112は2サイクルである。
【0038】ECASビット27とマルチプレクサ74
および76の効果は図8の例の核心には関係しない。し
たがって、この選択の効果についてはここでは説明しな
い。マルチプレクサ78,80,82および84(図
5)のSRFRSHビットの効果もまた無関係であり、
この例に関しては説明しない。
【0039】図8に示す例では、RASPCビット、E
RASビット、およびCASPCビットはすべて“1”
の値を有する。図6に示すように、RASPCビットの
「1」の値はマルチプレクサ90に入力され、このマル
チプレクサ90はRAS信号の充電時間の長さを4サイ
クルと選択する。したがって、RAS信号100中の期
間118は4サイクルである。同様に、ERASビット
は、行アドレスがアドレスラインに加えられる時間とR
AS信号が最初に発信される時間の間の1サイクルの遅
延に対する追加遅延なしを選択する(図8の期間121
参照)。マルチプレクサ92は典型的な1サイクルの遅
延があることを示すゼロの出力を選択する。1の出力が
選択されると、遅延は1サイクルから2サイクルに増え
る。
【0040】最後に、CASPCビットの「1」の値が
マルチプレクサ94(図6)に入力されて、CAS信号
充電時間の長さが1サイクルに選択される。図8におい
て、期間116はCAS信号充電時間102に対応す
る。
【0041】図9は低速動作モードのページ読み出し中
のRAS信号100,CAS信号102,アドレス信号
104およびデータラッチ信号106の例を示す。この
例では、SCASビット,ECASビット,RASPC
ビット,ERASビットおよびCASPCビットはすべ
て「0」に設定されている。したがって、マルチプレク
サ62,64,66(図3),70,72(図4)9
0,92および94(図6)はすべて図8の例で選択さ
れた値と異なる値を選択する。
【0042】SCASビットが「0」である場合、CA
S信号の動作時間は3サイクルである(図3のマルチプ
レクサ62参照)。図9の期間128はCAS信号10
2の動作時間に対応する。SCASビットの「0」の値
もまた列アドレスがCAS信号の発信後2サイクル保持
されることを示す(図3のマルチプレクサ64参照)。
図9の期間132は列アドレスの保持時間が2サイクル
であることを示す。さらに、SCASビット値「0」
は、CAS信号の最初の発信と読み出しデータラッチの
発信の間の時間を2サイクルと指定する(図3のマルチ
プレクサ66参照)。期間132はCAS信号102の
最初の発信と読み出しデータラッチ信号106の発信の
間の時間に対応する。
【0043】ERASビットは「0」の値を有するた
め、RAS信号の最初の発信とCAS信号の最初の発信
の間の遅延の長さは4サイクルである(図4のマルチプ
レクサ70参照)。図9において、RAS信号100と
CAS信号102の間の遅延は期間124によって示
す。また、RAS信号の最初の発信と行アドレスから列
アドレスへの切り換えの間の時間は3サイクルである
(図4のマルチプレクサ72参照)。図9の期間126
はRAS信号100の発信とアドレス信号104の行ア
ドレスから列アドレスへの切り換えの間の時間を示す。
【0044】図9の例においてRASPCビットは
「0」の値を有するものとして設定されているため、R
AS信号の充電の長さは6サイクルである(図6のマル
チプレクサ90参照)。図9の期間134はRAS信号
100の充電時間を表わす。さらに、ERASビットは
「0」の値を有するため、アドレスラインに行アドレス
が加えられる時間とRAS信号の最初の発信の間には追
加の遅延サイクル(期間122)がある(図6のマルチ
プレクサ92参照)。したがって、図9において、行ア
ドレスがサイクル0中に始めにアドレスラインに置か
れ、RAS信号100がまずサイクル2中に発信され
る。最後に、CASPCビットが「0」の値を有するた
め、CAS信号は2サイクルの充電期間を有する(図6
のマルチプレクサ94参照)。CAS信号102上の充
電期間を図9に期間130として示す。
【0045】これらの例は、制御レジスタ30A(図
2)のビット26−31の設定によって製造者あるいは
設計者はタイミングを調整してこのメモリコントローラ
16(図1)が用いられるメモリの条件を整合させるこ
とができることを示す。図8と図9の2つの例は網羅的
なものではなく、例として掲げるにすぎない。当業者に
は他のさまざまな組合せを用いうることが理解されるで
あろう。
【0046】以上に図示・説明したプログラム可能なメ
モリコントローラは各タイミング制御パラメータについ
て2つの選択可能な値を有する。当業者には、3つ以上
の選択可能なタイミング制御パラメータ値を用い得るこ
とが理解されるであろう。この場合、セレクタは3つ以
上の入力と2つ以上の制御ビットを有する。さらに、図
7に示すタイミング制御ユニットはタイミング制御パラ
メータのタイミング制御信号への変換にさまざまな回路
を用いることができる。
【0047】一実施例において、ここに図示・説明した
メモリコントローラは自動化された設計技術を用いて大
規模集積回路に実施される。所望の回路機能を記述する
式が所定の設計基準にしたがってこれらの機能を実施す
るコンピュータプログラムに入力される。したがって、
実際の回路の実施態様はここに図示・説明したものと異
なる場合がある。
【0048】以上、この発明の現在考えられる好適な実
施例を図示・説明したが、当業者には特許請求の範囲に
定義するこの発明の範囲から離れることなくさまざまな
変更や修正を行いうることは明らかであろう。
【0049】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、この発明に
よれば、メモリコントローラのレジスタを制御する制御
レジスタの所定のタイミング制御ビットの値に応じて対
応するセレクタでタイミング制御パラメータを選択し、
タイミング制御ユニットでこの選択したタイミング制御
パラメータとアドレス信号および制御信号を含むメモリ
信号とからメモリコントローラのタイミングのプログラ
ム可能なタイミング制御信号を出力するように構成した
ので、プログラム可能なタイミングを有するメモリ信号
をメモリコントローラから得られるとともに、異なるク
ロック周波数とメモリタイミング条件を有するシステム
に用いることができると言う効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の好適な実施例に実施するために適す
るデータ処理システムのブロック図である。
【図2】図1のメモリコントローラ16の一部のブロッ
ク図である。
【図3】図2のSCASセレクタ32のより詳細なブロ
ック図である。
【図4】図2のECASセレクタ34のより詳細なブロ
ック図である。
【図5】図2のSRFRSHセレクタ36のより詳細な
ブロック図である。
【図6】図2のRASPCセレクタ38,ERASセレ
クタ40およびCASPCセレクタ42のより詳細なブ
ロック図である。
【図7】図2のタイミング制御ユニットの一つのブロッ
ク図である。
【図8】高速動作モードの使用例のRAS,CAS,ア
ドレス信号とラッチ信号の実施タイミング図である。
【図9】低速動作モードにおけるRAS,CAS,アド
レス信号およびデータラッチ信号の実施タイミング図で
ある。
【符号の説明】
10 データ処理システム 12 マイクロプロセッサ 14 トランザクションバス 16 メモリコントローラ 18 メモリ 20 I/Oコントローラ 22 I/O装置 24 DRAM制御ユニット 26〜31 タイミング制御ビット 26A レジスタ 30A 制御レジスタ 32 SCASセレクタ 33,35,37,39,41,43 タイミング制御
ユニット 34 ECASセレクタ 36 SRFRSHセレクタ 38 RASPCセレクタ 40 CASPCセレクタ 46 状態機械 47 カウンタ 49 コンパレータ

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 物理アドレスに応じてメモリにアクセス
    するためのアドレス信号と制御信号を含むメモリ信号を
    生成するための手段(46)と、前記メモリのタイミン
    グ条件を定義する所定のタイミング制御情報に応じて前
    記メモリ信号のタイミングをプログラムするための手段
    (26−31,32−43)とからなるプログラム可能
    なタイミングを有するメモリコントローラ。
JP23900693A 1992-08-31 1993-08-31 プログラム可能なタイミングを有するメモリコントローラ及びメモリアクセス制御方法 Expired - Lifetime JP3521941B2 (ja)

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002181902A (ja) * 2000-12-19 2002-06-26 Advantest Corp 半導体デバイス試験装置
US7096349B1 (en) * 2002-12-16 2006-08-22 Advanced Micro Devices, Inc. Firmware algorithm for initializing memory modules for optimum performance
US7725665B2 (en) 2004-06-30 2010-05-25 Renesas Technology Corp. Data processor
JP2022501710A (ja) * 2018-09-20 2022-01-06 エーティーアイ・テクノロジーズ・ユーエルシーAti Technologies Ulc メモリタイミングパラメータの動的構成

Families Citing this family (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5530944A (en) * 1991-02-27 1996-06-25 Vlsi Technology, Inc. Intelligent programmable dram interface timing controller
TW390446U (en) * 1992-10-01 2000-05-11 Hudson Soft Co Ltd Information processing system
US5522069A (en) * 1993-04-30 1996-05-28 Zenith Data Systems Corporation Symmetric multiprocessing system with unified environment and distributed system functions
US5809340A (en) * 1993-04-30 1998-09-15 Packard Bell Nec Adaptively generating timing signals for access to various memory devices based on stored profiles
US5552991A (en) * 1993-12-09 1996-09-03 Pitney Bowes Inc. Control system for an electronic pastage meter having a programmable application specific intergrated circuit
US5737566A (en) * 1993-12-20 1998-04-07 Motorola, Inc. Data processing system having a memory with both a high speed operating mode and a low power operating mode and method therefor
US5918242A (en) * 1994-03-14 1999-06-29 International Business Machines Corporation General-purpose customizable memory controller
EP0700001B1 (en) * 1994-08-31 1999-11-03 Motorola, Inc. Method for synchronously accessing memory
US5727005A (en) * 1994-08-31 1998-03-10 Le; Chinh H. Integrated circuit microprocessor with programmable memory access interface types
JP3595942B2 (ja) * 1994-11-07 2004-12-02 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社 プログラマブルras/cas発生回路
US5694585A (en) * 1994-11-10 1997-12-02 International Business Machines Corporation Programmable memory controller and data terminal equipment
US5504877A (en) * 1994-11-29 1996-04-02 Cordata, Inc. Adaptive DRAM timing set according to sum of capacitance valves retrieved from table based on memory bank size
AU5368696A (en) * 1995-03-22 1996-10-08 Ast Research, Inc. Rule-based dram controller
US5687393A (en) * 1995-06-07 1997-11-11 International Business Machines Corporation System for controlling responses to requests over a data bus between a plurality of master controllers and a slave storage controller by inserting control characters
US5701438A (en) * 1995-09-29 1997-12-23 Intel Corporation Logical relocation of memory based on memory device type
US5802597A (en) * 1995-12-22 1998-09-01 Cirrus Logic, Inc. SDRAM memory controller while in burst four mode supporting single data accesses
US5890196A (en) * 1996-03-28 1999-03-30 Motorola, Inc. Method and apparatus for performing page mode accesses
US5740382A (en) * 1996-03-28 1998-04-14 Motorola, Inc. Method and apparatus for accessing a chip-selectable device in a data processing system
US5761736A (en) * 1996-05-16 1998-06-02 Advanced Micro Devices, Inc. Apparatus and method for implementing multiple scaled states in a state machine
US6092165A (en) * 1996-08-16 2000-07-18 Unisys Corporation Memory control unit using a programmable shift register for generating timed control signals
US6047361A (en) * 1996-08-21 2000-04-04 International Business Machines Corporation Memory control device, with a common synchronous interface coupled thereto, for accessing asynchronous memory devices and different synchronous devices
SE512773C2 (sv) * 1998-10-28 2000-05-08 Imsys Ab Metod och anordning för kontroll/access av DRAM-minnen
KR100389916B1 (ko) * 2000-08-28 2003-07-04 삼성전자주식회사 메모리 모듈 및 메모리 컨트롤러
US6678811B2 (en) * 2001-04-07 2004-01-13 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Memory controller with 1X/MX write capability
US6633965B2 (en) * 2001-04-07 2003-10-14 Eric M. Rentschler Memory controller with 1×/M× read capability
TWI220940B (en) * 2002-04-02 2004-09-11 Via Tech Inc Method and system for writing data to a memory
DE10231954B4 (de) 2002-07-15 2006-03-02 Infineon Technologies Ag Schaltungsbaustein mit Zeitsteuerung
JP2004213337A (ja) * 2002-12-27 2004-07-29 Nec Computertechno Ltd 半導体記憶装置及び実装型半導体装置
US7127622B2 (en) * 2003-03-04 2006-10-24 Micron Technology, Inc. Memory subsystem voltage control and method
US6925542B2 (en) * 2003-03-21 2005-08-02 Freescale Semiconductor, Inc. Memory management in a data processing system
US8327104B2 (en) * 2006-07-31 2012-12-04 Google Inc. Adjusting the timing of signals associated with a memory system
US8122232B2 (en) * 2007-06-21 2012-02-21 Arm Limited Self programming slave device controller

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3333862A1 (de) * 1982-10-12 1984-04-12 International Computers Ltd., London Datenspeichereinheit
US4755964A (en) * 1985-04-19 1988-07-05 American Telephone And Telegraph Company Memory control circuit permitting microcomputer system to utilize static and dynamic rams
US5097437A (en) * 1988-07-17 1992-03-17 Larson Ronald J Controller with clocking device controlling first and second state machine controller which generate different control signals for different set of devices
US5276856A (en) * 1989-09-28 1994-01-04 Pixel Semiconductor, Inc. Memory controller flexible timing control system and method

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002181902A (ja) * 2000-12-19 2002-06-26 Advantest Corp 半導体デバイス試験装置
US7096349B1 (en) * 2002-12-16 2006-08-22 Advanced Micro Devices, Inc. Firmware algorithm for initializing memory modules for optimum performance
US7725665B2 (en) 2004-06-30 2010-05-25 Renesas Technology Corp. Data processor
US7953941B2 (en) * 2004-06-30 2011-05-31 Renesas Electronics Corporation Data processor with memory controller having burst access operation
JP2022501710A (ja) * 2018-09-20 2022-01-06 エーティーアイ・テクノロジーズ・ユーエルシーAti Technologies Ulc メモリタイミングパラメータの動的構成

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JP3521941B2 (ja) 2004-04-26
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DE4307564C2 (de) 1998-03-19

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