JPH05324489A - 記憶装置 - Google Patents
記憶装置Info
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- JPH05324489A JPH05324489A JP12302392A JP12302392A JPH05324489A JP H05324489 A JPH05324489 A JP H05324489A JP 12302392 A JP12302392 A JP 12302392A JP 12302392 A JP12302392 A JP 12302392A JP H05324489 A JPH05324489 A JP H05324489A
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- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04W—WIRELESS COMMUNICATION NETWORKS
- H04W88/00—Devices specially adapted for wireless communication networks, e.g. terminals, base stations or access point devices
- H04W88/02—Terminal devices
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
- G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
- G11C16/34—Determination of programming status, e.g. threshold voltage, overprogramming or underprogramming, retention
- G11C16/3436—Arrangements for verifying correct programming or erasure
- G11C16/3454—Arrangements for verifying correct programming or for detecting overprogrammed cells
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
- G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
- G11C16/34—Determination of programming status, e.g. threshold voltage, overprogramming or underprogramming, retention
- G11C16/3436—Arrangements for verifying correct programming or erasure
- G11C16/3454—Arrangements for verifying correct programming or for detecting overprogrammed cells
- G11C16/3459—Circuits or methods to verify correct programming of nonvolatile memory cells
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
- G11C29/70—Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring
- G11C29/78—Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring using programmable devices
- G11C29/80—Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring using programmable devices with improved layout
- G11C29/816—Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring using programmable devices with improved layout for an application-specific layout
- G11C29/82—Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring using programmable devices with improved layout for an application-specific layout for EEPROMs
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
- G11C29/70—Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring
- G11C29/88—Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring with partially good memories
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Read Only Memory (AREA)
- Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明はE2 PROMへのデータ書き込み回
数の限度を結果的に引き上げることができる記憶装置を
提供することを目的としている。 【構成】 本発明はデータを書き込む複数の記憶領域に
区分けされたメモリ(E2 PROM2に相当)を有する
記憶装置において、前記各記憶領域毎に前記データが正
しく書き込まれたか否かを判定する判定手段(CPU1
に相当)と、この判定手段によってデータが正しく書き
込まれていないと判定された記憶領域を抜かして前記デ
ータを各記憶領域に書き込む書込手段(CPU1に相
当)とを具備した構成を有する。
数の限度を結果的に引き上げることができる記憶装置を
提供することを目的としている。 【構成】 本発明はデータを書き込む複数の記憶領域に
区分けされたメモリ(E2 PROM2に相当)を有する
記憶装置において、前記各記憶領域毎に前記データが正
しく書き込まれたか否かを判定する判定手段(CPU1
に相当)と、この判定手段によってデータが正しく書き
込まれていないと判定された記憶領域を抜かして前記デ
ータを各記憶領域に書き込む書込手段(CPU1に相
当)とを具備した構成を有する。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は電気的に消去可能なRO
M(略称名E2 PROM)に対するデータの書込方式に
関する。
M(略称名E2 PROM)に対するデータの書込方式に
関する。
【0002】
【従来の技術】従来、小型電子機器に使用される記憶素
子として電気的に消去可能なE2 PROM(Elect
rically Erasable Programa
bleROM)が用いられることがあった。このような
記憶素子はS−RAMのようにバックアップ電源を用い
ることなく、データを保存できるため、小型の電子機器
等で不揮発性メモリとして使用されることがあった。し
かし、このE2 PROMには各アドレス毎にデータを書
き込める回数に限度(1万回程度)があるため、データ
を書き込む頻度が高い機器には前記限度が直ぐにきてし
まうので使用できないという不具合があった。
子として電気的に消去可能なE2 PROM(Elect
rically Erasable Programa
bleROM)が用いられることがあった。このような
記憶素子はS−RAMのようにバックアップ電源を用い
ることなく、データを保存できるため、小型の電子機器
等で不揮発性メモリとして使用されることがあった。し
かし、このE2 PROMには各アドレス毎にデータを書
き込める回数に限度(1万回程度)があるため、データ
を書き込む頻度が高い機器には前記限度が直ぐにきてし
まうので使用できないという不具合があった。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】上記の如く従来のE2
PROMには各アドレス毎に書き込み回数の限度(1万
回程度)があり、データの書き込み頻度が高い機器には
使用できないという不具合があった。
PROMには各アドレス毎に書き込み回数の限度(1万
回程度)があり、データの書き込み頻度が高い機器には
使用できないという不具合があった。
【0004】そこで本発明は上記の欠点を除去するもの
で、E2 PROMへのデータ書き込み回数の限度を結果
的に引き上げることができる記憶装置を提供することを
目的としている。
で、E2 PROMへのデータ書き込み回数の限度を結果
的に引き上げることができる記憶装置を提供することを
目的としている。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明はデータを書き込
む複数の記憶領域に区分けされたメモリを有する記憶装
置において、前記各記憶領域毎に前記データが正しく書
き込まれたか否かを判定する判定手段と、この判定手段
によってデータが正しく書き込まれていないと判定され
た記憶領域を抜かして前記データを各記憶領域に書き込
む書込手段とを具備した構成を有する。
む複数の記憶領域に区分けされたメモリを有する記憶装
置において、前記各記憶領域毎に前記データが正しく書
き込まれたか否かを判定する判定手段と、この判定手段
によってデータが正しく書き込まれていないと判定され
た記憶領域を抜かして前記データを各記憶領域に書き込
む書込手段とを具備した構成を有する。
【0006】上記構成とは別の構成として、データを書
き込む複数の記憶領域に区分けされたメモリを有する記
憶装置において、前記各記憶領域毎に前記データが正し
く書き込まれたか否かを判定する判定手段と、この判定
手段によってデータが正しく書き込まれていないと判定
された記憶領域が出ると、前記メモリへのデータの書き
込みを停止する制御手段とを具備した構成を有する。
き込む複数の記憶領域に区分けされたメモリを有する記
憶装置において、前記各記憶領域毎に前記データが正し
く書き込まれたか否かを判定する判定手段と、この判定
手段によってデータが正しく書き込まれていないと判定
された記憶領域が出ると、前記メモリへのデータの書き
込みを停止する制御手段とを具備した構成を有する。
【0007】
【作用】本発明の記憶装置において、判定手段は各記憶
領域毎にデータが正しく書き込まれたか否かを判定す
る。書込手段は前記判定手段によってデータが正しく書
き込まれていないと判定された記憶領域を抜かして前記
データを各記憶領域に書き込む。
領域毎にデータが正しく書き込まれたか否かを判定す
る。書込手段は前記判定手段によってデータが正しく書
き込まれていないと判定された記憶領域を抜かして前記
データを各記憶領域に書き込む。
【0008】上記作用とは別の作用として、判定手段は
各記憶領域毎にデータが正しく書き込まれたか否かを判
定する。制御手段は前記判定手段によってデータが正し
く書き込まれていないと判定された記憶領域が出ると、
前記メモリへのデータの書き込みを停止する。
各記憶領域毎にデータが正しく書き込まれたか否かを判
定する。制御手段は前記判定手段によってデータが正し
く書き込まれていないと判定された記憶領域が出ると、
前記メモリへのデータの書き込みを停止する。
【0009】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図面を参照して説
明する。図1は本発明の記憶装置の一実施例を示したブ
ロック図である。1はE2 PROM2に対するデータの
読み出し書込制御を行なうCPU、2はE2 PROM
で、n個のデータ書き込み領域2−1〜2−nに区分け
されているものとする。但し、この領域2−1〜2−n
は最小でもアドレス単位以上とする。
明する。図1は本発明の記憶装置の一実施例を示したブ
ロック図である。1はE2 PROM2に対するデータの
読み出し書込制御を行なうCPU、2はE2 PROM
で、n個のデータ書き込み領域2−1〜2−nに区分け
されているものとする。但し、この領域2−1〜2−n
は最小でもアドレス単位以上とする。
【0010】次に本実施例の動作について図2に示した
フローチャートに従って説明する。ステップ201にて
CPU1は送られてきたデータ100をE2 PROM2
の領域2−1に書き込み、ステップ202に進む。ステ
ップ202にてCPU1は前記領域2−1に書き込んだ
データの一部を読み出して、これを書き込む前のデータ
と比較することにより、データの書き込みが正常か否か
を判定し、正常でない場合はステップ207へ進み、正
常である場合ステップ203へ進む。ステップ203に
てCPU1は次に送られてきたデータ100をE2 PR
OM2の領域2−2に書き込み、ステップ204へ進
む。ステップ204にてCPU1は領域2−2に書き込
んだデータの一部を読み出して、これを書き込む前のデ
ータと比較することにより、前記データが正常に書き込
まれたか否かを判断し、正常に書き込まれていないとき
はステップ207へ進み、正常に書き込まれている場合
は次のデータの書き込みステップへ進む。
フローチャートに従って説明する。ステップ201にて
CPU1は送られてきたデータ100をE2 PROM2
の領域2−1に書き込み、ステップ202に進む。ステ
ップ202にてCPU1は前記領域2−1に書き込んだ
データの一部を読み出して、これを書き込む前のデータ
と比較することにより、データの書き込みが正常か否か
を判定し、正常でない場合はステップ207へ進み、正
常である場合ステップ203へ進む。ステップ203に
てCPU1は次に送られてきたデータ100をE2 PR
OM2の領域2−2に書き込み、ステップ204へ進
む。ステップ204にてCPU1は領域2−2に書き込
んだデータの一部を読み出して、これを書き込む前のデ
ータと比較することにより、前記データが正常に書き込
まれたか否かを判断し、正常に書き込まれていないとき
はステップ207へ進み、正常に書き込まれている場合
は次のデータの書き込みステップへ進む。
【0011】ここで、CPU1は上記ステップ201〜
204で示したのと同様の書き込み動作をE2 PROM
の残りの領域2−3〜2−(n−1)に対して行ない、
ステップ205へ進んだとする。ステップ205にてC
PU1は送られてきたデータ100をステップ203に
てE2 PROM2の領域2−nに書き込み、ステップ2
06へ進む。ステップ206にてCPU1は領域2−n
に書き込んだデータの一部を読み出して、これを書き込
む前のデータと比較することにより、前記データが正常
に書き込まれたか否かを判断し、正常に書き込まれてい
ない時はステップ207へ進み、正常に書き込まれてい
る場合はステップ201へ戻る。ステップ207にてC
PU1はE2 PROM2へのデータの書き込みを中止し
て処理を終了する。
204で示したのと同様の書き込み動作をE2 PROM
の残りの領域2−3〜2−(n−1)に対して行ない、
ステップ205へ進んだとする。ステップ205にてC
PU1は送られてきたデータ100をステップ203に
てE2 PROM2の領域2−nに書き込み、ステップ2
06へ進む。ステップ206にてCPU1は領域2−n
に書き込んだデータの一部を読み出して、これを書き込
む前のデータと比較することにより、前記データが正常
に書き込まれたか否かを判断し、正常に書き込まれてい
ない時はステップ207へ進み、正常に書き込まれてい
る場合はステップ201へ戻る。ステップ207にてC
PU1はE2 PROM2へのデータの書き込みを中止し
て処理を終了する。
【0012】本実施例によれば、E2 PROM2の記憶
領域をn個に分割し、CPU1はデータを各領域に順番
に書き込むため、一つの領域を見るとそのデータの書き
込み回数は1/nとなる。従って、各領域へのデータの
書き込み限度回数が例えば10000回であったとして
も、上記のようなデータの書込方式をとれば、このE2
PROM2に対するデータの書き込み限度回数は100
00nとなり、結果的にE2 PROM2の書き込み限度
回数を上げて、同E2 PROM2をデータの書き込み頻
度の高い機器にも使用できるようにしている。
領域をn個に分割し、CPU1はデータを各領域に順番
に書き込むため、一つの領域を見るとそのデータの書き
込み回数は1/nとなる。従って、各領域へのデータの
書き込み限度回数が例えば10000回であったとして
も、上記のようなデータの書込方式をとれば、このE2
PROM2に対するデータの書き込み限度回数は100
00nとなり、結果的にE2 PROM2の書き込み限度
回数を上げて、同E2 PROM2をデータの書き込み頻
度の高い機器にも使用できるようにしている。
【0013】図3は本発明の他の実施例を示したブロッ
ク図である。CPU1はE2 PROM2に対してデータ
の書き込み読み出し制御を行ない。E2 PROM2はそ
の記憶領域がn個に分割されており、CPU1は図4に
示したフローチャートに従った前記E2 PROM2に対
するデータの書き込み方式を採る。CPU1はステップ
401にて送られてきたデータをE2 PROM2の領域
2−1に書き込み、ステップ402に進む。ステップ4
02にてCPU1は前記領域2−1に書き込んだデータ
の一部を読み出して、これを書き込み前のデータと比較
し、ステップ403にて両者が同一であるか否かを判定
し、同一である場合は正常に書き込まれたと判定して、
ステップ401に戻る。ステップ403にて両データが
一致しなかった場合は正常に書き込まれなかったと判断
してステップ404へ進む。この場合、CPU1はE2
PROM2の領域2−1が使用不能になったという情報
をメモリ3に格納しておく。ステップ404にてCPU
1は送られてきたデータをE2 PROM2の領域2−2
に書き込み、ステップ405に進む。ステップ405に
てCPU1は前記領域2−2に書き込んだデータの一部
を読み出して、これを書き込み前のデータと比較し、ス
テップ406にて両者が同一であるか否かを判定し、同
一である場合は正常に書き込まれたと判定して、ステッ
プ404に戻る。ステップ406にて両データが一致し
なかった場合は正常に書き込まれなかったと判断して次
のステップに進む。この場合、CPU1はE2 PROM
2の領域2−2が使用不能になった情報をメモリ3に格
納しておく。但し、メモリ3は不揮発性メモリとする。
ク図である。CPU1はE2 PROM2に対してデータ
の書き込み読み出し制御を行ない。E2 PROM2はそ
の記憶領域がn個に分割されており、CPU1は図4に
示したフローチャートに従った前記E2 PROM2に対
するデータの書き込み方式を採る。CPU1はステップ
401にて送られてきたデータをE2 PROM2の領域
2−1に書き込み、ステップ402に進む。ステップ4
02にてCPU1は前記領域2−1に書き込んだデータ
の一部を読み出して、これを書き込み前のデータと比較
し、ステップ403にて両者が同一であるか否かを判定
し、同一である場合は正常に書き込まれたと判定して、
ステップ401に戻る。ステップ403にて両データが
一致しなかった場合は正常に書き込まれなかったと判断
してステップ404へ進む。この場合、CPU1はE2
PROM2の領域2−1が使用不能になったという情報
をメモリ3に格納しておく。ステップ404にてCPU
1は送られてきたデータをE2 PROM2の領域2−2
に書き込み、ステップ405に進む。ステップ405に
てCPU1は前記領域2−2に書き込んだデータの一部
を読み出して、これを書き込み前のデータと比較し、ス
テップ406にて両者が同一であるか否かを判定し、同
一である場合は正常に書き込まれたと判定して、ステッ
プ404に戻る。ステップ406にて両データが一致し
なかった場合は正常に書き込まれなかったと判断して次
のステップに進む。この場合、CPU1はE2 PROM
2の領域2−2が使用不能になった情報をメモリ3に格
納しておく。但し、メモリ3は不揮発性メモリとする。
【0014】ここで、CPU1は、上記ステップ401
〜406で示す如く、データ書き込み動作を行っている
現領域が使えなくなる毎に書き込み先の領域を更新し、
E2PROM2の領域(n−1)にデータが書き込めな
くなると、ステップ407へ進む。CPU1はステップ
407にて送られてきたデータをE2 PROM2の領域
2−nに書き込み、ステップ408に進む。ステップ4
08にてCPU1は前記領域2−nに書き込んだデータ
の一部を読み出して、これを書き込み前のデータと比較
し、ステップ409にて両者が同一であるか否かを判定
し、同一である場合は正常に書き込まれたと判定して、
ステップ407に戻る。ステップ409にて両データが
一致しなかった場合は正常に書き込まれなかったと判断
してステップ410へ進み、ここでE2 PROM2を使
用不能としてデータ書き込み処理を終了する。尚、前記
記憶装置の電源を一旦オンして再度使用するような場
合、CPU1はメモリ3に格納されている領域使用不能
情報により、今回書き込むべき領域を判断して図4に示
したフロ−チャ−トに従ったデ−タ書き込み動作を行な
う。
〜406で示す如く、データ書き込み動作を行っている
現領域が使えなくなる毎に書き込み先の領域を更新し、
E2PROM2の領域(n−1)にデータが書き込めな
くなると、ステップ407へ進む。CPU1はステップ
407にて送られてきたデータをE2 PROM2の領域
2−nに書き込み、ステップ408に進む。ステップ4
08にてCPU1は前記領域2−nに書き込んだデータ
の一部を読み出して、これを書き込み前のデータと比較
し、ステップ409にて両者が同一であるか否かを判定
し、同一である場合は正常に書き込まれたと判定して、
ステップ407に戻る。ステップ409にて両データが
一致しなかった場合は正常に書き込まれなかったと判断
してステップ410へ進み、ここでE2 PROM2を使
用不能としてデータ書き込み処理を終了する。尚、前記
記憶装置の電源を一旦オンして再度使用するような場
合、CPU1はメモリ3に格納されている領域使用不能
情報により、今回書き込むべき領域を判断して図4に示
したフロ−チャ−トに従ったデ−タ書き込み動作を行な
う。
【0015】本実施例によれば、E2 PROM2の記憶
領域をn個に分割し、CPU1はデータを当初領域2−
1に書き込み、この領域が使用不能になると次の領域2
−2にデータを書き込み、この領域が使用不能になると
次の領域にデータを書き込む動作を、領域2−nまで繰
り返すため、各領域へのデータの書き込み限度回数が例
えば10000回であったとしても、上記のようなデー
タの書込方式をとれば、このE2 PROM2に対するデ
ータの書き込み限度回数は10000nとなり、結果的
にE2 PROM2の書き込み限度を上げてデータの書き
込み頻度の高い機器にも使用することができるようにな
る。特にこの例ではE2 PROM2の全ての領域が書き
込み不能になったとき、このE2 PROM2を書き込み
不能処理とするため、前実施例に比べてE2 PROM2
を有効に使用することができる。
領域をn個に分割し、CPU1はデータを当初領域2−
1に書き込み、この領域が使用不能になると次の領域2
−2にデータを書き込み、この領域が使用不能になると
次の領域にデータを書き込む動作を、領域2−nまで繰
り返すため、各領域へのデータの書き込み限度回数が例
えば10000回であったとしても、上記のようなデー
タの書込方式をとれば、このE2 PROM2に対するデ
ータの書き込み限度回数は10000nとなり、結果的
にE2 PROM2の書き込み限度を上げてデータの書き
込み頻度の高い機器にも使用することができるようにな
る。特にこの例ではE2 PROM2の全ての領域が書き
込み不能になったとき、このE2 PROM2を書き込み
不能処理とするため、前実施例に比べてE2 PROM2
を有効に使用することができる。
【0016】図5は本発明の他の実施例を示したブロッ
ク図である。CPU1はE2 PROM2に対してデータ
の書き込み読み出し制御を行ない。E2 PROM2はそ
の記憶領域がn個に分割されており、CPU1は図6に
示したフローチャートに従った前記E2 PROM2に対
するデータの書き込み方式を採る。まず、CPU1は送
られてきたデ−タ100をステップ601にてE2 PR
OM2の領域2−1に書き込み、ステップ602に進
む。ステップ602にてCPU1はE2 PROM2の領
域2−1からデ−タの一部を読み出して、これを書き込
み前のデ−タと比較し、ステップ603にて前記比較し
た両デ−タが同一であるかないかを判定し、同一でない
場合はステップ604へ進み、同一である場合はステッ
プ605に進む。ステップ604ではE2 PROM2の
領域2−1は使用不能であると判断して、この情報をメ
モリ3に書き込んだ後ステップ605へ進む。CPU1
はステップ605にて送られてきたデ−タ100をE2
PROM2の領域2−2に書き込み、ステップ606に
進む。ステップ606にてCPU1はE2 PROM2の
領域2−2からデ−タの一部を読み出して、これを書き
込み前のデ−タと比較し、ステップ607にて前記比較
した両デ−タが同一であるかないかを判定し、同一であ
る場合は次の書き込みステップへ進み、同一でない場合
はステップ608に進む。ステップ608ではE2 PRO
M2の領域2−2は使用不能であると判断して、この情
報をメモリ3に書き込んだ後、次のステップへ進む。
ク図である。CPU1はE2 PROM2に対してデータ
の書き込み読み出し制御を行ない。E2 PROM2はそ
の記憶領域がn個に分割されており、CPU1は図6に
示したフローチャートに従った前記E2 PROM2に対
するデータの書き込み方式を採る。まず、CPU1は送
られてきたデ−タ100をステップ601にてE2 PR
OM2の領域2−1に書き込み、ステップ602に進
む。ステップ602にてCPU1はE2 PROM2の領
域2−1からデ−タの一部を読み出して、これを書き込
み前のデ−タと比較し、ステップ603にて前記比較し
た両デ−タが同一であるかないかを判定し、同一でない
場合はステップ604へ進み、同一である場合はステッ
プ605に進む。ステップ604ではE2 PROM2の
領域2−1は使用不能であると判断して、この情報をメ
モリ3に書き込んだ後ステップ605へ進む。CPU1
はステップ605にて送られてきたデ−タ100をE2
PROM2の領域2−2に書き込み、ステップ606に
進む。ステップ606にてCPU1はE2 PROM2の
領域2−2からデ−タの一部を読み出して、これを書き
込み前のデ−タと比較し、ステップ607にて前記比較
した両デ−タが同一であるかないかを判定し、同一であ
る場合は次の書き込みステップへ進み、同一でない場合
はステップ608に進む。ステップ608ではE2 PRO
M2の領域2−2は使用不能であると判断して、この情
報をメモリ3に書き込んだ後、次のステップへ進む。
【0017】ここで、CPU1は上記ステップ601〜
608までの動作をE2 PROM2の残りの領域に対し
て順次行ない、これを領域(n−1)のところまで行う
とステップ609へ進む。CPU1はステップ609に
て送られてきたデ−タ100をE2 PROM2の領域2
−nに書き込み、ステップ610に進む。ステップ61
0にてCPU1はE2 PROM2の領域2−nからデ−
タの一部を読み出して、これを書き込み前のデ−タと比
較し、ステップ611にて前記比較した両デ−タが同一
であるかないかを判定し、同一でない場合はステップ6
12へ進み、同一である場合はステップ601へ戻る。
ステップ612ではE2 PROM2の領域2−nは使用
不能であると判断して、ステップ613へ進み、E2 P
ROM2の全領域を使用不能として処理を終了する。
尚、CPU1は送られてきたデ−タ100をE2 PRO
M2の領域2−1〜2−nに順次書き込んでステップ60
1〜ステップ611の動作を行うとメモリ3の内容を見
て、使用不能の領域がない場合は図5に示した通りステ
ップ601へ戻るが、例えば、領域2−1が使用不能で
あるという情報がメモリ3に入っていた場合はステップ
611からステップ605へ戻る。即ち、CPU1はメ
モリ3内に入っている使用不能の領域を抜かして送られ
てきたデ−タ100をE2 PROM2の各領域に書き込
み、全ての領域が使用不能になった時点でデ−タ100
のE2 PROM2への書き込み動作を停止する。又、電
源オン時にもCPU1はメモリ3の内容をチェックし
て、前記したE2 PROM2に対する書き込み動作を行
なう。但し、メモリ3は不揮発性メモリとする。
608までの動作をE2 PROM2の残りの領域に対し
て順次行ない、これを領域(n−1)のところまで行う
とステップ609へ進む。CPU1はステップ609に
て送られてきたデ−タ100をE2 PROM2の領域2
−nに書き込み、ステップ610に進む。ステップ61
0にてCPU1はE2 PROM2の領域2−nからデ−
タの一部を読み出して、これを書き込み前のデ−タと比
較し、ステップ611にて前記比較した両デ−タが同一
であるかないかを判定し、同一でない場合はステップ6
12へ進み、同一である場合はステップ601へ戻る。
ステップ612ではE2 PROM2の領域2−nは使用
不能であると判断して、ステップ613へ進み、E2 P
ROM2の全領域を使用不能として処理を終了する。
尚、CPU1は送られてきたデ−タ100をE2 PRO
M2の領域2−1〜2−nに順次書き込んでステップ60
1〜ステップ611の動作を行うとメモリ3の内容を見
て、使用不能の領域がない場合は図5に示した通りステ
ップ601へ戻るが、例えば、領域2−1が使用不能で
あるという情報がメモリ3に入っていた場合はステップ
611からステップ605へ戻る。即ち、CPU1はメ
モリ3内に入っている使用不能の領域を抜かして送られ
てきたデ−タ100をE2 PROM2の各領域に書き込
み、全ての領域が使用不能になった時点でデ−タ100
のE2 PROM2への書き込み動作を停止する。又、電
源オン時にもCPU1はメモリ3の内容をチェックし
て、前記したE2 PROM2に対する書き込み動作を行
なう。但し、メモリ3は不揮発性メモリとする。
【0018】本実施例によれば、E2 PROM2の記憶
領域をn個に分割し、CPU1はデータを各領域に順番
に書き込むため、一つの領域を見るとそのデータの書き
込み回数は1/nとなる。従って、各領域へのデータの
書き込み限度回数が例えば10000回であったとして
も、上記のようなデータの書込方式をとれば、このE2
PROM2に対するデータの書き込み限度回数は100
00nとなり、結果的にE2 PROM2の書き込み限度
回数を上げてデータの書き込み頻度の高い機器にも使用
することができるようになる。しかも、本例ではE2 P
ROM2の各領域にデ−タを順番に書き込んでいって、
ある領域が使用不可能になった場合、次はこの領域を抜
かして前記デ−タをE2 PROM2の残りの領域に順番
に書き込んでいくため、図1に示した実施例に比べてE
2 PROM2の書き込み領域を全て有効に使うことがで
きる。
領域をn個に分割し、CPU1はデータを各領域に順番
に書き込むため、一つの領域を見るとそのデータの書き
込み回数は1/nとなる。従って、各領域へのデータの
書き込み限度回数が例えば10000回であったとして
も、上記のようなデータの書込方式をとれば、このE2
PROM2に対するデータの書き込み限度回数は100
00nとなり、結果的にE2 PROM2の書き込み限度
回数を上げてデータの書き込み頻度の高い機器にも使用
することができるようになる。しかも、本例ではE2 P
ROM2の各領域にデ−タを順番に書き込んでいって、
ある領域が使用不可能になった場合、次はこの領域を抜
かして前記デ−タをE2 PROM2の残りの領域に順番
に書き込んでいくため、図1に示した実施例に比べてE
2 PROM2の書き込み領域を全て有効に使うことがで
きる。
【0019】
【発明の効果】以上記述した如く本発明の記憶装置によ
れば、E2 PROMへのデータ書き込み回数の限度を結
果的に引き上げることができる。
れば、E2 PROMへのデータ書き込み回数の限度を結
果的に引き上げることができる。
【図1】本発明の記憶装置の一実施例を示したブロック
図。
図。
【図2】図1に示した記憶装置のメモリ書き込み方式を
示したフロ−チャ−ト。
示したフロ−チャ−ト。
【図3】本発明の他の実施例を示したブロック図。
【図4】図3に示した記憶装置のメモリ書き込み方式を
示したフロ−チャ−ト。
示したフロ−チャ−ト。
【図5】本発明の更に他の実施例を示したブロック図。
【図6】図5に示した記憶装置のメモリ書き込み方式を
示したフロ−チャ−ト。
示したフロ−チャ−ト。
1…CPU 2…E2 PROM 3…メモリ
Claims (2)
- 【請求項1】 データを書き込む複数の記憶領域に区分
けされたメモリを有する記憶装置において、前記各記憶
領域毎に前記データが正しく書き込まれたか否かを判定
する判定手段と、この判定手段によってデータが正しく
書き込まれていないと判定された記憶領域を抜かして前
記データを各記憶領域に書き込む書込手段とを具備した
ことを特徴とする記憶装置。 - 【請求項2】 データを書き込む複数の記憶領域に区分
けされたメモリを有する記憶装置において、前記各記憶
領域毎に前記データが正しく書き込まれたか否かを判定
する判定手段と、この判定手段によってデータが正しく
書き込まれていないと判定された記憶領域が出ると、前
記メモリへのデータの書き込みを停止する制御手段とを
具備したことを特徴とする記憶装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12302392A JPH05324489A (ja) | 1992-05-15 | 1992-05-15 | 記憶装置 |
US08/060,831 US5809556A (en) | 1992-05-15 | 1993-05-14 | Data storage system for highly frequent repetitive data writing |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12302392A JPH05324489A (ja) | 1992-05-15 | 1992-05-15 | 記憶装置 |
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---|---|
JPH05324489A true JPH05324489A (ja) | 1993-12-07 |
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Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP12302392A Withdrawn JPH05324489A (ja) | 1992-05-15 | 1992-05-15 | 記憶装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
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JP (1) | JPH05324489A (ja) |
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