JPH05199019A - 高周波回路パッケージ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 本発明は高周波回路パッケージに関し、入出
力部にスルーホールを使用した高周波回路パッケージの
性能向上と構造の簡単化を目的とする。 【構成】 誘電体基板１１の上面に形成された高周波回
路を外部より隔てる壁１２を備える高周波回路パッケー
ジにおいて、壁１２の内側の基板１１の上面のマイクロ
ストリップ線路導体１３と、基板１１の下面の接地導体
１４と、下面のコプレーナ線路導体１５と、マイクロス
トリップ線路導体１３とコプレーナ線路導体１５とを電
気的に接続するように導体が充填された基板１１の貫通
穴であるスルーホール１６とを備え、マイクロストリッ
プ線路導体１３と接地導体１４がマイクロストリップ線
路を形成し、コプレーナ線路導体１５と接地導体１４が
コプレーナウェーブガイド線路を形成し、両方の線路が
同じ特性インピーダンスを有するように構成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、誘電体基板上に形成さ
れた高周波回路の周囲に壁を設けて外部より隔離するよ
うにした高周波回路パッケージに関し、特にパッケージ
との信号の入出力部における反射損失及び挿入損失の小
さな高周波回路パッケージの実現に関する。

【０００２】

【従来の技術】誘電体基板上に形成したマイクロ波・ミ
リ波帯の高周波回路を周囲環境から隔離するため、誘電
体基板上に回路を囲むように壁を設けて密閉するハーメ
チックシールと呼ばれるシーリングを行うのが一般的で
ある。ハーメチックシールをした高周波回路パッケージ
では、内部との信号等の入出力のためには壁又は基板を
通過する線路を設ける必要があり、マイクロストリップ
線路や同軸線路が用いられている。

【０００３】図１６は壁を貫通するマイクロストリップ
線路を有する高周波パッケージを示す図である。図にお
いて１８１が誘電体基板であり、この上に回路が形成さ
れる。１８２はシール用の壁であり、形成した回路を囲
むように設けられている。実際には上面にもふたがあ
る。１８３，１８５及び１８８は線路導体であり、１８
４は接地導体である。高周波信号の線路では反射損失の
発生を防止するため経路各部の特性インピーダンスを一
致させる必要がある。

【０００４】図１６に示すような高周波回路パッケージ
では、線路導体の途中の部分１８８のすぐ上に壁１８２
を設ける必要がある。そのため線路導体１８３，１８
５，１８８と接地導体１８４で同一の特性インピーダン
スのマイクロストリップ線路を形成するには、図示のよ
うに壁１８２と接する線路導体の部分１８８の幅を狭く
する必要が生じる。但しこのような高周波パッケージ
は、高い周波数のマイクロ波に対しては、線路導体の幅
が狭くなり、図の１８８の部分は特に狭くなるため、製
造が非常に難しくなるという問題がある。

【０００５】高周波回路パッケージの入出力部の他の例
では、内部の信号経路を一旦スルーホールを介して基板
の下面に出す方式も使用される。このようなスルーホー
ルを使用するパッケージは比較的低い周波数のマイクロ
波回路用にも使用され、マイクロ波・ミリ波回路や半導
体素子のボンディングパッドと、ハーメチックシールさ
れた信号の入出力部を、単一誘電体基板上に同時製造す
ることができるために、製造コストを小さくできる利点
をもっている。

【０００６】図１７にスルーホールを使用した高周波パ
ッケージの従来例を示す。ここでは壁１９２で囲まれた
誘電体基板１９１の上面に線路導体１９３が設けらてお
り、誘電体基板１９１の下面の接地導体１９４とマイク
ロストリップ線路を形成している。誘電体基板１９１の
下面には、リード接続パターン１９５が設けられてお
り、外部への引き出し線であるリード１９７に接続され
ている。線路導体１９３とリード接続パターン１９５
は、誘電体基板１９１の貫通穴に導体を充填したスルー
ホール１９６を通じて電気的に接続されている。壁１９
２は図示の位置に設けられる。

【０００７】図１７のパッケージを外部に接続する方法
について簡単に説明する。まずリード１９７を外部回路
のマイクロストリップ線路に半田付などで接続する。そ
して外部回路のマイクロストリップ線路の接地導体とこ
のパッケージ内部のマイクロストリップ線路の接地導体
を使用する周波数帯で同電位にするために、外部回路基
板の接地導体と図１７の接地導体１９４を半田等で接続
する。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】しかし図１７に示すよ
うなスルーホールを用いた高周波パッケージでは、リー
ド接続パターン１９５の特性インピーダンスが誘電体基
板の影響を受けるため、外部回路のマイクロストリップ
線路の特性インピーダンスとは異なった特性インピーダ
ンスになり、この部分で信号の反射が発生してしまう。
従って図１７に示すようなスルーホールを入出力部に使
用したパッケージをマイクロ波・ミリ波回路に使用する
場合、信号の周波数が高いと反射損失が増えるという問
題がある。更にリードと接地導体が同一面にあるため、
外部のストリップ線路部品に線路導体と同一面の接続用
電極を設けて接地導体をこれに接続する必要があり、外
部回路が複雑になり製造コストが上昇するという問題が
ある。更にこれによりパッケージ下面でリードおよび接
地導体の接続を同時に行うために、半田量の制御や位置
合わせを正確に行う必要も生じる。

【０００９】以上のように入出力部にスルーホールを使
用した従来の高周波回路パッケージは、リード部での反
射損失の発生、及び外部回路にパッケージの接地のため
の接地電極とそのためのスルーホールを設ける必要があ
り、性能及びコスト面で充分とはいえなかった。本発明
は上記問題点に鑑みてなされたものであり、入出力部に
スルーホールを使用した高周波回路パッケージの性能向
上及び接続する外部回路の製造コスト低減を目的とす
る。

【００１０】

【課題を解決するための手段】図１は本発明の高周波回
路パッケージの第一の基本構成を示す図である。図にお
いて、１１はその上面に高周波回路が形成される誘電体
基板である。１２は形成した高周波回路を外部より隔て
るための壁である。１３はこの高周波回路との入出力線
路の一部をなすマイクロストリップ線路導体であり、壁
１２の内側の誘電体基板１１の上面に設けられている。
１４は誘電体基板１１の下面に設けられた接地導体であ
る。１５は入出力線路の一部をなすコプレーナ線路導体
であり、誘電体基板１１の下面に設けられている。１６
は誘電体基板１１の貫通穴に導体を充填したスルーホー
ルであり、マイクロストリップ線路導体１３とコプレー
ナ線路導体１５とを電気的に接続する。マイクロストリ
ップ線路導体１３と接地導体１４はマイクロストリップ
線路を形成し、所定の特性インピーダンスを有するよう
に形状等が定められている。コプレーナ線路導体１５と
接地導体１４はコプレーナウェーブガイド線路を形成
し、マイクロストリップ線路の特性インピーダンスと同
一の特性インピーダンスを有するように形状等が定めら
れる。

【００１１】図２は、本発明の高周波回路パッケージの
第二の基本構成を示す図である。図において、２１はそ
の上面に高周波回路が形成される誘電体基板である。２
２は形成した高周波回路を外部より隔てるための壁であ
る。２３はこの高周波回路との入出力線路の一部をなす
マイクロストリップ線路導体であり、壁２２の内側の誘
電体基板２１の上面に設けられている。２４は誘電体基
板２１の下面に設けられた第一接地導体である。２５は
入出力線路の一部をなすコプレーナ線路導体であり、誘
電体基板２１の下面に設けられている。２６は誘電体基
板２１の貫通穴に導体を充填したスルーホールであり、
マイクロストリップ線路導体２３とコプレーナ線路導体
２５とを電気的に接続する。２７は誘電体基板２１の上
面に設けられた第二接地導体であり、この上に壁２２の
一部が設けられる。マイクロストリップ線路導体２３と
第一接地導体２４はマイクロストリップ線路を形成し、
所定の特性インピーダンスを有するように形状等が定め
られている。コプレーナ線路導体２５と第一接地導体２
４と第二接地導体２７はコプレーナウェーブガイド線路
を形成し、マイクロストリップ線路の特性インピーダン
スと同一の特性インピーダンスを有するように形状等が
定められている。

【００１２】図３は本発明の高周波回路パッケージの第
三の基本構成を示す図である。図において、３１はその
上面に高周波回路が形成される誘電体基板である。３２
は形成した高周波回路を外部より隔てるための壁であ
る。３３はこの高周波回路との入出力線路の一部をなす
コプレーナ線路導体であり、壁３２の内側の誘電体基板
３１の上面に設けられている。３４は誘電体基板３１の
上面に設けられた接地導体であり、この上に壁３２の一
部が設けられる。３５は入出力線路の一部をなすマイク
ロストリップ線路導体であり、誘電体基板３１の下面に
設けられる。３６は誘電体基板３１の貫通穴に導体を充
填したスルーホールであり、コプレーナ線路導体３３と
マイクロストリップ線路導体３５とを電気的に接続す
る。コプレーナ線路導体３３と接地導体３４はコプレー
ナウェーブガイド線路を形成し、所定の特性インピーダ
ンスを有するように形状等が定められている。マイクロ
ストリップ線路導体３５と接地導体３４はマイクロスト
リップ線路を形成し、コプレーナウェーブガイド線路の
特性インピーダンスと同一の特性インピーダンスを有す
るように形状等が定められている。

【００１３】図４は本発明の高周波回路パッケージの第
四の基本構成を示す図である。図において４１はその上
面に高周波回路が形成される誘電体基板である。４２は
形成した高周波回路を外部より隔てるための壁である。
４３はこの高周波回路との入出力線路の一部をなすコプ
レーナ線路導体であり、壁４２の内側の誘電体基板４１
の上面に設けられている。４４は誘電体基板４１の上面
に設けられた第一接地導体であり、この上に壁４２の一
部が設けられる。４５は入出力線路の一部をなすマイク
ロストリップ線路導体であり、誘電体基板４１の下面に
設けられる。４６は誘電体基板４１の貫通穴に導体を充
填したスルーホールであり、コプレーナ線路導体４３と
マイクロストリップ線路導体４５とを電気的に接続す
る。４７は誘電体基板４１の下面に設けられた第二接地
導体である。コプレーナ線路導体４３と第一接地導体４
４と第二接地導体４７はコプレーナウェーブガイド線路
を形成し、所定の特性インピーダンスを有するように形
状等が定められている。マイクロストリップ線路導体４
５と第一接地導体４４はマイクロストリップ線路を形成
し、コプレーナウェーブガイド線路の特性インピーダン
スと同一の特性インピーダンスを有するように形状等が
定められている。

【００１４】図５は本発明の高周波回路パッケージの第
五の基本構成を示す図である。図において５１はその上
面に高周波回路が形成される誘電体基板である。５２は
形成した高周波回路を外部より隔てるための壁である。
５３はこの高周波回路との入出力線路の一部をなす第一
マイクロストリップ線路導体であり、壁５２の内側の誘
電体基板５１の上面に設けられている。５４は誘電体基
板５１の下面に設けられた第一接地導体である。５５は
入出力線路の一部をなす第二マイクロストリップ線路導
体であり、誘電体基板５１の下面に設けられる。５７は
誘電体基板５１の上面に設けられた第二接地導体であ
り、この上に壁４２の一部が設けられる。５６は誘電体
基板５１の貫通穴に導体を充填したスルーホールであ
り、第一マイクロストリップ線路導体５３と第二マイク
ロストリップ線路導体５５とを電気的に接続する。第一
マイクロストリップ線路導体５３と第一接地導体５４は
マイクロストリップ線路を形成し、第二マイクロストリ
ップ線路導体５５と第二接地導体５７もマイクロストリ
ップ線路を形成し、両方のマイクロストリップ線路の特
性インピーダンスは同一であるように形状等が定められ
る。

【００１５】

【作用】同軸ケーブルや導波管に比べて小型で製造が容
易であるため、回路の入出力部には平面形導波路が使用
される。この平面形導波路には、図６に示すマイクロス
トリップ線路及び図７に示すコプレーナウェーブガイド
が含まれる。図６のマイクロストリップ線路は、誘電体
基板１０１の上面に線路導体１０３を形成し、下面に接
地導体１０４を形成したもので、線路導体１０３の幅ｗ
に比べて接地導体１０４は充分に広い。誘電体基板１０
１の比誘電率等に応じて、誘電体基板１０１の厚さｈ、
線路導体１０３の幅ｗ及び厚さｔを定めることにより、
所定の特性インピーダンスを有する線路が実現できる。
通常は５０Ωに設定される。

【００１６】図７のコプレーナウェーブガイド線路には
基板裏面に接地導体の無いタイプ（ここではＣＰＷ型と
呼ぶ。）と基板裏面に接地導体のあるタイプ（ここでは
ＣＰＷＧ型と呼ぶ。）の二つのタイプがあり、ＣＰＷ型
は誘電体基板１１１上に線路導体１１３を形成し、その
両側に所定の間隔ｇだけ離して接地導体１１４を形成し
たものである。ＣＰＷＧ型は誘電体基板１２１上に線路
導体１２３と接地導体１２４を形成し、更に誘電体基板
１２１の下面に接地導体１２５を形成する。いずれの場
合にも誘電体基板の厚さｈ、線路導体の幅ｗ、導体の厚
さｔ、及び間隔ｇを基板の比誘電率等に応じて定めれば
所定の特性インピーダンスが得られる。ＣＰＷ型では、
誘電体基板１１１の厚さｈがある程度以上、例えば二つ
の接地導体の間隔以上であれば厚さｈの変化は特性イン
ピーダンスにほとんど影響しない。

【００１７】本発明の高周波パッケージの第一の基本構
成では、高周波回路側の線路をストリップ線路導体１３
と接地導体１４が形成するマイクロストリップ線路と
し、外側への線路をコプレーナ線路導体１５と接地導体
１４が形成するＣＰＷ型コプレーナウェーブガイド線路
とする。このマイクロストリップ線路とコプレーナウェ
ーブガイド線路は同一の特性インピーダンスＺ₀ を有す
るように設定されているため、この部分でのマイクロ波
・ミリ波の反射は発生しない。誘電体基板１１の厚さ
は、コプレーナ線路導体の幅や間隔に比べて同程度であ
れば、壁１２の存在はコプレーナウェーブガイド線路の
インピーダンスにはほとんど影響せず、これによる反射
は発生しない。また壁１２はマイクロストリップ線路に
対しても充分に離すことが可能であり、壁１２の影響は
ない。

【００１８】更に、一般的にマイクロ波・ミリ波用回路
で使用する誘電体基板１１の厚さは、伝送する信号の波
長に比べて十分に薄いため、スルーホール１６の部分の
電気的長さ、すなわち位相ずれは短く、反射は小さい。
またスルーホール１６には導体が充填されるため、壁内
部の気密性が保持される。従って図１に示すようなパッ
ケージを用いることにより、パッケージ入出力部でのマ
イクロ波・ミリ波信号の反射の非常に小さいハーメチッ
クシール可能な高周波回路パッケージが実現できる。

【００１９】以下第二から第五の基本構成は構成が異な
るが基本的作用は同一であり、説明の一部は省略する。
本発明の第二の基本構成は、第一基本構成のコプレーナ
ウェーブガイド線路をコプレーナ線路導体２５と第一接
地導体２４と第二接地導体２７で形成するＣＰＷＧ型と
する。壁２２は接地導体２７の上に設けられるため、コ
プレーナウェーブガイド線路のインピーダンスへの影響
は更に小さくなる。この基本構成でも、マイクロストリ
ップ線路とコプレーナウェーブガイド線路の特性インピ
ーダンスが同一に設定されているため、マイクロ波・ミ
リ波信号の反射は発生しない。

【００２０】本発明の第三の基本構成は、高周波回路側
の線路をコプレーナ線路導体３３と接地導体３４で形成
するコプレーナウェーブガイド線路とし、外側への線路
をストリップ線路導体３５と接地導体３４で形成するマ
イクロストリップ線路とする。このコプレーナウェーブ
ガイド線路とストリップ線路との特性インピーダンスは
同一であるため、マイクロ波・ミリ波信号の反射は生じ
ない。壁３２は接地導体３４の上にあるためマイクロス
トリップ線路の特性インピーダンスはほとんど影響を受
けない。

【００２１】本発明の第四の基本構成は、第三の基本構
成と同様に外側への線路はマイクロストリップ線路であ
るが、壁４２内の回路側のコプレーナウェーブガイド線
路をＣＰＷＧ型とするものである。本発明の第五の基本
構成は、回路側と外側の線路を共にマイクロストリップ
線路とするものである。壁５２は第二接地導体５７の上
に設けられているため、第二ストリップ線路導体５５と
第二接地導体５７が形成する第二マイクロストリップ線
路のインピーダンスにはほとんど影響しない。

【００２２】

【実施例】第一実施例の高周波回路パッケージを図８に
示す。(a) は上面図であり、(b)は下面図である。この
高周波回路はパッケージ内部にマイクロ波・ミリ波用半
導体素子及びその整合回路をマイクロストリップ線路で
構成したものである。実際にはパッケージの上部にもシ
ール板が設けられ、希ガス等を一緒に封止して回路部を
外部環境から保護する。

【００２３】図８の(a) において、１３３はマイクロス
トリップ線路を形成する線路導体であり、外側の端に近
い部分に導体を充填したスルーホールが設けられ、これ
を介して図８の(b) に示すコプレーナ線路導体１３５に
接続される。図８の(b) に示すようにパッケージの裏面
には、一部を除いて全面に接地導体が設けられており、
マイクロストリップ線路導体１３３とマイクロストリッ
プ線路を形成し、コプレーナ線路導体１３５とコプレー
ナウェーブガイド線路を形成する。なお図８の(a) にお
ける１３８は電源端子であり、これについてもスルーホ
ールを介して、(b) に示す裏面の電極１３９に接続され
ている。これらスルーホールはすべて導体が充填されて
おり、内部回路は完全にシールされる。

【００２４】本実施例では壁１３２は誘電体で作られて
いるが、導体とすることも可能であり、導体とする場合
には裏面の接地導体と電気的に接続することもできる
が、これについては第二実施例で示す。第一実施例にお
ける入出力部の構造をより詳細に示したのが図９であ
る。図９において、１３１は誘電体基板であり、１３２
はシール用壁であり、１３６は線路用スルーホールであ
り、他は図８と同じである。図９でＡ，Ｂ，Ｃ及びＤで
示した位置での断面を示したのが図１０である。Ａの部
分ではマイクロストリップ線路が形成され、Ｃの部分で
はコプレーナウェーブガイド線路が形成されているのは
明らかである。

【００２５】マイクロストリップ線路及びコプレーナウ
ェーブガイド線路の特性インピーダンスは形状や誘電体
基板の比誘電率等によって決定されることは前述した
が、実際の形状例を示す。マイクロストリップ線路につ
いては、図６に基づいて例を示す。誘電体基板１０１の
比誘電率ε_r を９．７とし、厚さｈを２００μm とし、
線路導体１０３と接地導体１０４の厚さｔを３μm と
し、抵抗率ρが２．４４×１０^-6Ωcmで表面粗さｒが０
で、損失角 tanδを０とすると、周波数５０GHz の信号
に対して特性インピーダンスを５０Ωとするには線路導
体１０３の幅を２０６．３８μm とする必要がある。

【００２６】同様にコプレーナウェーブガイド線路につ
いて図７に基づいて例を示す。誘電体基板１１１の比誘
電率ε_r 、厚さｈを上記と同様に９．７と２００μm と
し、導体の条件ｔ、ρ、ｒ及び tanδについても同様
に、３μm 、１、０及び０とすると、５０GHz で特性イ
ンピーダンスを５０Ωとするには、ＣＰＷ型で線路幅ｗ
を９７．０４μm に、間隔ｇを４０μm とする。またｗ
を１００μm に、ｇを４１．１２μm にする。第一実施
例では使用していないが、ＣＰＷＧ型であれば、ｗを８
０．９７μm に、ｇを４０μm にするか、又はｗを１０
０μm に、ｇを５３．３０μm にする通常接続される外
部回路も５０Ωの特性インピーダンスを有するように設
定されており、接続によって反射が生じないようにして
いる。

【００２７】次に第二実施例の高周波パッケージの入出
力部の構造を図１１に示す。(a) は上面の斜視図であ
り、(b) は下面の斜視図であり、(c) は (a)においてＥ
で示した位置での断面図である。図において、１４１は
誘電体基板であり、１４２はシール用の壁である。１４
３はマイクロストリップ線路導体であり、第一接地導体
１４４とマイクロストリップ線路を形成する。１４５は
コプレーナ線路導体であり、第一接地導体１４４と第二
接地導体１４７とのコプレーナウェーブガイド線路を形
成する。線路の形状等は前述のＣＰＷＧ型で５０Ωの特
性インピーダンスを有する条件を満足するように定めら
れている。１４６はスルーホールである。１４８は第一
接地導体１４４と第二接地導体１４７を電気的に接続す
るスルーホールで、内部には導体が充填されている。こ
のスルーホール１４８の替わりに誘電体基板の端に電気
メッキ等で導体を設けてもよい。

【００２８】図１１に示すように第二接地導体１４７は
壁１４２の外側に露出した部分を有している。そのため
外部のマイクロストリップ線路と接続する場合、コプレ
ーナ線路導体から延びるリードと第二接地導体１４７を
それぞれの面で接続すれば良く、接続作業が容易であ
る。第一実施例ではリードと接地導体が同じ面であるた
め外部のマイクロストリップ線路を接続する場合には、
外部のマイクロストリップ線路側で接地導体とスルーホ
ール等で接続された接続用電極を線路導体と同じ側に設
ける必要があったが図１１に示した第二実施例であれば
この必要はなく、接続する外部回路はそれだけ簡単な構
造になる。もちろん外部回路の線路と接地導体が同じで
あれば、図１１の第一接地導体１４４に接続すればよ
い。

【００２９】壁１４２は誘電体でも導体でも構わない。
もし導体であれば第二接地導体１４７に接続され、接地
される。その場合には外部回路との接続のために第二接
地導体１４７に露出部を設けることはかならずしも必要
でなく、壁１４２の側面を利用して接続することも可能
である。上記の露出部をなくした時には図９と類似の形
状になり、導体の壁と裏面とをスルーホールで接続する
ことになる。

【００３０】第三実施例は、パッケージ内部にマイクロ
波・ミリ波半導体素子及びその整合回路をコプレーナウ
ェーブガイド線路で形成した高周波回路パッケージであ
り、その全体図を図１２に示す。(a) が上面図であり、
(b) が下面図である。図において１５１が誘電体基板で
あり、その上面には回路部及び線路部を除いて接地導体
１５４が設けられており、その上に壁１５２が設けられ
ている。当然回路の上部にはふたがあり、シールされ
る。

【００３１】１５３はコプレーナ線路導体であり、接地
導体１５４と５０Ωの特性インピーダンスを有するコプ
レーナウェーブガイド線路を形成する。１５５は裏面に
設けられたマイクロストリップ線路導体であり、上面の
接地導体１５４とマイクロストリップ線路を形成する。
壁１５２は誘電体でも導体でもよい。また第二実施例で
述べたのと同様に、誘電体基板１５１と壁１５２が同一
の端面を有していてもよい。

【００３２】第三実施例の入出力部の構造を図１３に示
す。(a) は上面の斜視図であり、(b) は下面の斜視図で
あり、(c) と (d)は図中のＦとＧの位置での断面を示
す。図において１５６はスルーホールである。これによ
りそれぞれの部分でコプレーナウェーブガイド線路とマ
イクロストリップ線路が形成されていることがわかる。
もちろんそれぞれの特性インピーダンスは５０Ωに設定
されている。

【００３３】第四実施例の入出力部の構造を図１４に示
す。(a) は上面の斜視図であり、(b) は下面の斜視図で
あり、(c) は図中にＨで示した位置での断面図である。
本実施例は壁１６２の内側の線路をＣＰＷＧ型のコプレ
ーナウェーブガイド線路とした高周波回路パッケージで
ある。１６１は誘電体基板であり、１６２はシール用の
壁である。１６３はコプレーナ線路導体である。１６４
は第一接地導体であり、誘電体基板１６１の回路部と線
路部を除く全面に設けられている。１６５はマイクロス
トリップ線路導体である。１６６はコプレーナ線路導体
とマイクロストリップ線路導体１６５を電気的に接続す
るスルーホールである。１６７は誘電体基板１６１の下
面に設けられた第二接地導体であり、(c) の断面図に示
す接地用スルーホール１６８により第一接地導体１６４
と電気的に接続されている。

【００３４】コプレーナ線路導体１６３と第一接地導体
１６４と第二接地導体１６７とが５０Ωの特性インピー
ダンスを有するコプレーナウェーブガイド線路を形成す
る。マイクロストリップ線路導体１６５と第一接地導体
１６４とが、５０Ωの特性インピーダンスのマイクロス
トリップ線路を形成する。これにより信号の反射は発生
しない。

【００３５】第五実施例の入出力部の構造を図１５に示
す。(a) は上面の斜視図であり、(b) は下面の斜視図で
ある。本実施例は壁の内側と外側の線路を共にマイクロ
ストリップ線路とするものである。１７１は誘電体基板
であり、１７２はシール用の壁である。１７３は第一マ
イクロストリップ線路導体であり、下面に設けられた第
一接地導体１７４と５０Ωの特性インピーダンスを有す
る第一マイクロストリップ線路を形成する。１７５は第
二マイクロストリップ線路導体であり、誘電体基板１７
１の上面に設けられた第二接地導体１７７と５０Ωの特
性インピーダンスを有する第二マイクロストリップ線路
を形成する。１７６は第一マイクロストリップ線路導体
１７３と第二マイクロストリップ線路導体１７５とを電
気的に接続するスルーホールである。第一接地導体１７
４と第二接地導体１７７とは誘電体基板１７１の側面に
設けられた接続導体１７８によって電気的に接続されて
いる。

【００３６】壁１７２の一部は第二接地導体１７７の上
に設けられる。壁１７２は誘電体でも導体でもよい。以
上のように本発明の高周波回路パッケージでは、シール
した回路との信号の入出力を誘電体基板に設けたスルー
ホールを介して行うが、スルーホールを用いることによ
り構造が単純で、マイクロ波・ミリ波回路や半導体素子
のボンディングパッドなどを含む基板とパッケージ入出
力部を単一基板上に構成することができ、製造コストを
小さくすることが可能である。更にスルーホール部の位
相が短いために、図１６に示したストリップ線路や同軸
線路を使用したものより挿入損失を小さくすることが可
能である。

【００３７】

【発明の効果】本発明により、簡単な構造で良好な特性
を有するハーメチックシール構造のマイクロ波・ミリ波
用高周波回路パッケージが実現できる。これにより高い
周波数でも反射損失が少ないシステムが実現でき、製造
コストも低減される。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の高周波回路パッケージの第一の基本構
成を示す図である。

【図２】本発明の高周波回路パッケージの第二の基本構
成を示す図である。

【図３】本発明の高周波回路パッケージの第三の基本構
成を示す図である。

【図４】本発明の高周波回路パッケージの第四の基本構
成を示す図である。

【図５】本発明の高周波回路パッケージの第五の基本構
成を示す図である。

【図６】マイクロストリップ線路を示す図である。

【図７】コプレーナウェーブガイド線路を示す図であ
り、(a) はＣＰＷ型を示し、(b)はＣＰＷＧ型を示す。

【図８】第一実施例におけるパッケージ全体を示す図で
ある。

【図９】第一実施例での入出力部の構造を示す図であ
る。

【図１０】第一実施例での入出力部の各部の断面を示す
図である。

【図１１】第二実施例の入出力部の構造を示す図であ
る。

【図１２】第三実施例のパッケージ全体を示す図であ
る。

【図１３】第三実施例での入出力部の構造を示す図であ
る。

【図１４】第四実施例の入出力部の構造を示す図であ
る。

【図１５】第五実施例の入出力部の構造を示す図であ
る。

【図１６】外部への線路としてシール用の壁を貫通する
線路を有する高周波回路パッケージの従来例を示す図で
ある。

【図１７】外部への線路として基板のスルーホールを用
い、信号線路を下面に設けた従来例を示す図である。

【符号の説明】

１１…誘電体基板 １２…壁 １３…マイクロストリップ線路導体 １４…接地導体 １５…コプレーナ線路導体 １６…スルーホール

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 誘電体基板（１１）の上面に形成された
   高周波回路を外部より隔てる壁（１２）を備える高周波
   回路パッケージにおいて、 前記壁（１２）の内側の前記誘電体基板（１１）の上面
   に設けられたマイクロストリップ線路導体（１３）と、 前記誘電体基板（１１）の下面に設けられた接地導体
   （１４）と、 前記誘電体基板（１１）の下面に設けられたコプレーナ
   線路導体（１５）と、 前記誘電体基板（１１）の貫通穴であって、前記マイク
   ロストリップ線路導体（１３）と前記コプレーナ線路導
   体（１５）とを電気的に接続するように導体が充填され
   たスルーホール（１６）とを備え、 前記マイクロストリップ線路導体（１３）と前記接地導
   体（１４）がマイクロストリップ線路を形成し、前記コ
   プレーナ線路導体（１５）と前記接地導体（１４）がコ
   プレーナウェーブガイド線路を形成し、前記マイクロス
   トリップ線路と前記コプレーナウェーブガイド線路は同
   一の特性インピーダンスを有することを特徴とする高周
   波回路パッケージ。
2. 【請求項２】 誘電体基板（２１）の上面に形成された
   高周波回路を外部より隔てる壁（２２）を備える高周波
   回路パッケージにおいて、 前記壁（２２）の内側の前記誘電体基板（２１）の上面
   に設けられたマイクロストリップ線路導体（２３）と、 前記誘電体基板（２１）の下面に設けられた第一接地導
   体（２４）と、 前記誘電体基板（２１）の下面に設けられたコプレーナ
   線路導体（２５）と、 前記誘電体基板（２１）の貫通穴であって、前記マイク
   ロストリップ線路導体（２３）と前記コプレーナ線路導
   体（１５）とを電気的に接続するように導体が充填され
   たスルーホール（１６）と、 前記誘電体基板（２１）の上面に設けられ、前記壁（２
   ２）の一部が上面に設けられる第二接地導体（２７）と
   を備え、 前記マイクロストリップ線路導体（２３）と前記第一接
   地導体（２４）がマイクロストリップ線路を形成し、前
   記コプレーナ線路導体（２５）と前記第一接地導体（２
   ４）と前記第二接地導体（２７）がコプレーナウェーブ
   ガイド線路を形成し、前記マイクロストリップ線路と前
   記コプレーナウェーブガイド線路は同一の特性インピー
   ダンスを有することを特徴とする高周波回路パッケー
   ジ。
3. 【請求項３】 誘電体基板（３１）の上面に形成された
   高周波回路を外部より隔てる壁（３２）を備える高周波
   回路パッケージにおいて、 前記壁の内側の前記誘電体基板（３１）の上面に設けら
   れたコプレーナ線路導体（３３）と、 前記誘電体基板（３１）の上面に設けられ、前記壁（３
   ２）の一部が上面に設けられる接地導体（３４）と、 前記誘電体基板（３１）の下面に設けられたマイクロス
   トリップ線路導体（３５）と、 前記誘電体基板（３１）の貫通穴であって、前記コプレ
   ーナ線路導体（３３）と前記マイクロストリップ線路導
   体（３５）とを電気的に接続するように導体が充填され
   たスルーホール（３６）とを備え、 前記コプレーナ線路導体（３３）と前記接地導体（３
   ４）がコプレーナウェーブガイド線路を形成し、前記マ
   イクロストリップ線路導体（３５）と前記接地導体（３
   ４）がマイクロストリップ線路を形成し、前記コプレー
   ナウェーブガイド線路と前記マイクロストリップ線路は
   同一の特性インピーダンスを有することを特徴とする高
   周波回路パッケージ。
4. 【請求項４】 誘電体基板（４１）の上面に形成された
   高周波回路を外部より隔てる壁（４２）を備える高周波
   回路パッケージにおいて、 前記壁の内側の前記誘電体基板（４１）の上面に設けら
   れたコプレーナ線路導体（４３）と、 前記誘電体基板（４１）の上面に設けられ、前記壁（４
   ２）の一部が上面に設けられる第一接地導体（４４）
   と、 前記誘電体基板（４１）の下面に設けられたマイクロス
   トリップ線路導体（４５）と、 前記誘電体基板（４１）の貫通穴であって、前記コプレ
   ーナ線路導体（４３）と前記マイクロストリップ線路導
   体（４５）とを電気的に接続するように導体が充填され
   たスルーホール（４６）と、 前記誘電体基板（４１）の下面に設けられた第二接地導
   体（４７）とを備え、 前記コプレーナ線路導体（４３）と前記第一接地導体
   （４４）と第二接地導体（４７）がコプレーナウェーブ
   ガイド線路を形成し、前記マイクロストリップ線路導体
   （４５）と前記第一接地導体（４４）がマイクロストリ
   ップ線路を形成し、前記コプレーナウェーブブガイド線
   路と前記マイクロストリップ線路は同一の特性インピー
   ダンスを有することを特徴とする高周波回路パッケー
   ジ。
5. 【請求項５】 誘電体基板（５１）の上面に形成された
   高周波回路を外部より隔てる壁（５２）を備える高周波
   回路パッケージにおいて、 前記壁（５２）の内側の前記誘電体基板（５１）の上面
   に設けられた第一マイクロストリップ線路導体（５３）
   と、 前記誘電体基板（５１）の下面に設けられた第一接地導
   体（５４）と、 前記誘電体基板（５１）の下面に設けられた第二マイク
   ロストリップ線路導体（５５）と、 前記誘電体基板（５１）の上面に設けられ、前記壁（５
   ２）の一部が上面に設けられる第二接地導体（５７）
   と、 前記誘電体基板（５１）の貫通穴であって、前記第一マ
   イクロストリップ線路導体（５３）と前記第二マイクロ
   ストリップ線路導体（５５）とを電気的に接続するよう
   に導体が充填されたスルーホール（５６）とを備え、 前記第一マイクロストリップ線路導体（５３）と前記第
   一接地導体（５４）、及び前記第二マイクロストリップ
   線路導体（５５）と前記第二接地導体（５７）は、それ
   ぞれマイクロストリップ線路を形成し、両方のマイクロ
   ストリップ線路は同一の特性インピーダンスを有するこ
   とを特徴とする高周波回路パッケージ。