JPH0455542B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0455542B2 JPH0455542B2 JP63170690A JP17069088A JPH0455542B2 JP H0455542 B2 JPH0455542 B2 JP H0455542B2 JP 63170690 A JP63170690 A JP 63170690A JP 17069088 A JP17069088 A JP 17069088A JP H0455542 B2 JPH0455542 B2 JP H0455542B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pressure
- diffused
- resistance layer
- semiconductor
- bridge circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 230000002706 hydrostatic effect Effects 0.000 claims description 33
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 22
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 15
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 9
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 230000003068 static effect Effects 0.000 claims description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 41
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 11
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000009931 pascalization Methods 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 3
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 3
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 2
- 238000009530 blood pressure measurement Methods 0.000 description 2
- 229910015365 Au—Si Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 239000006023 eutectic alloy Substances 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 230000006355 external stress Effects 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
- Pressure Sensors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は半導体のピエゾ抵抗効果を利用して
流体圧力の測定等を行う半導体圧力測定装置に関
する。
流体圧力の測定等を行う半導体圧力測定装置に関
する。
半導体プレーナ技術の応用により、シリコンや
ゲルマニウム等の半導体単結晶板の一部に肉薄の
ダイヤフラムを設け、このダイヤフラムに感圧素
子として拡散抵抗層を形成して、このピエゾ抵抗
効果を利用した圧力変換装置が実用化されてい
る。実際の流体圧力測定は、ダイヤフラムに設け
た2個の拡散抵抗と2個の固定外部抵抗を用いて
ブリツジ回路を組んで行われる。この場合、2個
の拡散抵抗は、一方が流体圧力により抵抗値が増
大するもの、他方が同じ流体圧力により抵抗値が
減少するものとする。このような抵抗値変化の異
方性は、拡散抵抗層をダイヤフラムのどの領域に
どのようなパターンで設けるかによつて決まる。
ゲルマニウム等の半導体単結晶板の一部に肉薄の
ダイヤフラムを設け、このダイヤフラムに感圧素
子として拡散抵抗層を形成して、このピエゾ抵抗
効果を利用した圧力変換装置が実用化されてい
る。実際の流体圧力測定は、ダイヤフラムに設け
た2個の拡散抵抗と2個の固定外部抵抗を用いて
ブリツジ回路を組んで行われる。この場合、2個
の拡散抵抗は、一方が流体圧力により抵抗値が増
大するもの、他方が同じ流体圧力により抵抗値が
減少するものとする。このような抵抗値変化の異
方性は、拡散抵抗層をダイヤフラムのどの領域に
どのようなパターンで設けるかによつて決まる。
肉薄のダイヤフラムに設けられた拡散抵抗層は
検知しようとする流体圧力以外の全ての外部応力
に対して感応しないようにしなければならない。
これは、圧力変換基板の周辺肉厚部をシリンコ等
の固定台に強固に接着固定することでほぼ実現で
きる。
検知しようとする流体圧力以外の全ての外部応力
に対して感応しないようにしなければならない。
これは、圧力変換基板の周辺肉厚部をシリンコ等
の固定台に強固に接着固定することでほぼ実現で
きる。
ところが、このような圧力変換装置を高静水圧
下で使用すると、大気圧中の場合にはみられない
誤差が生ずる。高静水圧の発生する例としては、
ダムの底部で放出流量を測定する場合や蒸気ター
ビン等200〜300℃に熱せられた加熱加圧水流を測
定する場合などで、圧力的には20〜300Kg/cm3と
様々である。このような高静水圧下で誤差は、ブ
リツジオフセツト電圧(零点のずれ)として現わ
れる。
下で使用すると、大気圧中の場合にはみられない
誤差が生ずる。高静水圧の発生する例としては、
ダムの底部で放出流量を測定する場合や蒸気ター
ビン等200〜300℃に熱せられた加熱加圧水流を測
定する場合などで、圧力的には20〜300Kg/cm3と
様々である。このような高静水圧下で誤差は、ブ
リツジオフセツト電圧(零点のずれ)として現わ
れる。
具体的に例えば、高圧流体の流速或いは流量を
半導体圧力センサを用いて測定する場合の様子を
第6図により説明する。高圧流体22が流れる配
管21内に図示のように絞り部23を設けること
により、流速の変化による圧力の変化を生じさ
せ、上流側の圧力P1と下流側の圧力P2を圧力セ
ンサ24に導く。圧力センサ24のダイヤフラム
25の一方の面には上流側の圧力P1が伝達され、
他方の面には下流側の圧力P2が伝達されるよう
になつている。即ちこの圧力センサ24は差圧計
測を行つているのであつて、上流側の圧力P1と
下流側の圧力P2の差ΔP=P1−P2に感応して出力
を出す。この差圧ΔPが流速に依存することから、
これを測定することにより流体22の流速或いは
流量を求めることができる。例えば、P1=101
Kg/cm2,P2=100Kg/cm2の場合、測定すべき圧力
差即ち差圧ΔPは1Kg/cm2である。ところがこの
場合、100Kg/cm2という大きい圧力が半導体セン
サ24のダイヤフラム25全体に均一に静水圧と
してかかる。これはダイヤフラム25にとつて極
めて大きい圧縮応力となり、これが大気圧におけ
る場合にはない誤差の原因となるのである。
半導体圧力センサを用いて測定する場合の様子を
第6図により説明する。高圧流体22が流れる配
管21内に図示のように絞り部23を設けること
により、流速の変化による圧力の変化を生じさ
せ、上流側の圧力P1と下流側の圧力P2を圧力セ
ンサ24に導く。圧力センサ24のダイヤフラム
25の一方の面には上流側の圧力P1が伝達され、
他方の面には下流側の圧力P2が伝達されるよう
になつている。即ちこの圧力センサ24は差圧計
測を行つているのであつて、上流側の圧力P1と
下流側の圧力P2の差ΔP=P1−P2に感応して出力
を出す。この差圧ΔPが流速に依存することから、
これを測定することにより流体22の流速或いは
流量を求めることができる。例えば、P1=101
Kg/cm2,P2=100Kg/cm2の場合、測定すべき圧力
差即ち差圧ΔPは1Kg/cm2である。ところがこの
場合、100Kg/cm2という大きい圧力が半導体セン
サ24のダイヤフラム25全体に均一に静水圧と
してかかる。これはダイヤフラム25にとつて極
めて大きい圧縮応力となり、これが大気圧におけ
る場合にはない誤差の原因となるのである。
この発明は上記した点に鑑みてなされたもの
で、静水圧による誤差を補償して高精度に差圧を
測定し得るようにした半導体圧力測定装置を提供
するものである。
で、静水圧による誤差を補償して高精度に差圧を
測定し得るようにした半導体圧力測定装置を提供
するものである。
この発明における圧力変換素子は、半導体単結
晶基板に感圧素子としての拡散抵抗層とは別に静
水圧による誤差を補償するための拡散抵抗層を肉
厚部に設けたことを基本とし、この素子を用いた
本発明の第1の測定装置は、感圧素子としての拡
散抵抗層を用いて構成されて、静水圧誤差を含む
差圧出力を得る第1のブリツジ回路と、補償用拡
散抵抗層を用いて構成されて静水圧出力を得る第
2のブリツジ回路を設ける。第2の測定装置は、
感圧素子としての拡散抵抗層と補償用拡散抵抗層
とを組込んで、静水圧による誤差が補償された出
力を得る一個のブリツジ回路を構成する。
晶基板に感圧素子としての拡散抵抗層とは別に静
水圧による誤差を補償するための拡散抵抗層を肉
厚部に設けたことを基本とし、この素子を用いた
本発明の第1の測定装置は、感圧素子としての拡
散抵抗層を用いて構成されて、静水圧誤差を含む
差圧出力を得る第1のブリツジ回路と、補償用拡
散抵抗層を用いて構成されて静水圧出力を得る第
2のブリツジ回路を設ける。第2の測定装置は、
感圧素子としての拡散抵抗層と補償用拡散抵抗層
とを組込んで、静水圧による誤差が補償された出
力を得る一個のブリツジ回路を構成する。
以下、図面を参照してこの発明の実施例を説明
する。第1図は第1の発明の実施例に用いる圧力
変換素子の概略断面構造を示している。即ち、1
は例えばn型のシリコン単結晶板であり、その中
央部に肉薄のダイヤフラム2を設け、このダイヤ
フラム2にp型の拡散抵抗層3を形成している。
表面は絶縁層4で覆われその上にAl等からなる
電極配線層5が配設されている。電極配線層5は
絶縁層4に設けたコンタクトホールを介して拡散
抵抗層3に端部で接触し拡散抵抗層3の内部配線
や外部への電極取出し端子の役割を果たしてい
る。従つて、電極配線層5には必要に応じてリー
ド線6がボンデイングされている。単結晶板1は
ガラスあるいはAu−Si共晶合金等の接着層7に
よりシリコン等からなる固定台8に接着固定され
ている。固定台8には貫通孔9が設けられてい
て、この貫通孔9を介してダイヤフラム2の裏面
に伝えられる圧力Pが表面側からの圧力との差に
応じてダイヤフラム2の変形をもたらし、拡散抵
抗層3の抵抗値変化をもたらすことになる。
する。第1図は第1の発明の実施例に用いる圧力
変換素子の概略断面構造を示している。即ち、1
は例えばn型のシリコン単結晶板であり、その中
央部に肉薄のダイヤフラム2を設け、このダイヤ
フラム2にp型の拡散抵抗層3を形成している。
表面は絶縁層4で覆われその上にAl等からなる
電極配線層5が配設されている。電極配線層5は
絶縁層4に設けたコンタクトホールを介して拡散
抵抗層3に端部で接触し拡散抵抗層3の内部配線
や外部への電極取出し端子の役割を果たしてい
る。従つて、電極配線層5には必要に応じてリー
ド線6がボンデイングされている。単結晶板1は
ガラスあるいはAu−Si共晶合金等の接着層7に
よりシリコン等からなる固定台8に接着固定され
ている。固定台8には貫通孔9が設けられてい
て、この貫通孔9を介してダイヤフラム2の裏面
に伝えられる圧力Pが表面側からの圧力との差に
応じてダイヤフラム2の変形をもたらし、拡散抵
抗層3の抵抗値変化をもたらすことになる。
第2図は拡散抵抗層の配置を示す平面パターン
である。3a,3b,3c,3dが差圧に感応す
る拡散抵抗層であり、これらとは別に単結晶板1
の周辺肉厚部に補償用の拡散抵抗層13a,13
b,13c,13dを設けている。補償用拡散抵
抗層13a,13b,13c,13dは勿論感圧
素子としての拡散抵抗層3a,3b,3c,3d
と同時に形成されるものでよい。
である。3a,3b,3c,3dが差圧に感応す
る拡散抵抗層であり、これらとは別に単結晶板1
の周辺肉厚部に補償用の拡散抵抗層13a,13
b,13c,13dを設けている。補償用拡散抵
抗層13a,13b,13c,13dは勿論感圧
素子としての拡散抵抗層3a,3b,3c,3d
と同時に形成されるものでよい。
このように構成された圧力変換基板を用いて第
1の発明においては、第3図のように測定回路を
組む。即ち、感圧素子としての拡散抵抗層のうち
互いに抵抗値変化の異方性を示す2個、例えば3
aと3bを選び別に2個の固定外部抵抗Ra,Rb
を用意して第1のブリツジ回路B1を組む。一方、
差圧に感応せず静水圧に感応する補償用拡散抵抗
層のうちの2個、例えば13aと13bと固定外
部抵抗Ra,Rbにより別に第2のブリツジ回路B2
を組む。そして、これらのブリツジ回路B1,B2
の出力をそれぞれ差動アンプ141,142で取出
し、更に差動アンプ143を通す。差動アンプ1
41には固定の帰還抵抗15を接続し、差動アン
プ142には可変の帰還抵抗16を接続する。
1の発明においては、第3図のように測定回路を
組む。即ち、感圧素子としての拡散抵抗層のうち
互いに抵抗値変化の異方性を示す2個、例えば3
aと3bを選び別に2個の固定外部抵抗Ra,Rb
を用意して第1のブリツジ回路B1を組む。一方、
差圧に感応せず静水圧に感応する補償用拡散抵抗
層のうちの2個、例えば13aと13bと固定外
部抵抗Ra,Rbにより別に第2のブリツジ回路B2
を組む。そして、これらのブリツジ回路B1,B2
の出力をそれぞれ差動アンプ141,142で取出
し、更に差動アンプ143を通す。差動アンプ1
41には固定の帰還抵抗15を接続し、差動アン
プ142には可変の帰還抵抗16を接続する。
このように構成して、ある静水圧下で差圧を測定
すると、第1のブリツジ回路B1には静水圧誤差
を含んだ差圧出力が得られ、第2のブリツジ回路
B2には静水圧による誤差出力が得られる。静水
圧による拡散抵抗層の抵抗値変化には微妙なばら
つきがあるので、予め静水圧を与えた状態で、可
変帰還抵抗16により差動アンプ142の利得を
調整し、差動アンプ143の出力が零となるよう
にしておけば、差動アンプ143の出力には静水
圧誤差が除去された所望の差圧出力のみが得られ
ることになる。
すると、第1のブリツジ回路B1には静水圧誤差
を含んだ差圧出力が得られ、第2のブリツジ回路
B2には静水圧による誤差出力が得られる。静水
圧による拡散抵抗層の抵抗値変化には微妙なばら
つきがあるので、予め静水圧を与えた状態で、可
変帰還抵抗16により差動アンプ142の利得を
調整し、差動アンプ143の出力が零となるよう
にしておけば、差動アンプ143の出力には静水
圧誤差が除去された所望の差圧出力のみが得られ
ることになる。
なお、静水圧を与えたときの差動アンプ141,
142の出力の極性が互いに逆の場合は、拡散抵
抗層13aと13bの配置を入れ替えるあるいは
差動アンプ142の入力極性を入れ替えればよい。
142の出力の極性が互いに逆の場合は、拡散抵
抗層13aと13bの配置を入れ替えるあるいは
差動アンプ142の入力極性を入れ替えればよい。
第4図は、第2の発明の実施例における測定回
路である。圧力変換基板は第1の発明でのそれと
同じである。感圧素子としての拡散抵抗層3a,
3bと補償用拡散抵抗層13a,13bにより一
つのブリツジ回路を組んでいる。静水圧に対する
感度が、3aと13aが近く、3bと13bが近
い場合には、このような簡単な構成でも静水圧誤
差をある程度除くことができる。この構成は簡単
であるばかりでなく、第3図のように拡散抵抗と
固定抵抗を用いた場合の両者の温度係数の差によ
る測定誤差等がなくなるといつた利点を有する。
路である。圧力変換基板は第1の発明でのそれと
同じである。感圧素子としての拡散抵抗層3a,
3bと補償用拡散抵抗層13a,13bにより一
つのブリツジ回路を組んでいる。静水圧に対する
感度が、3aと13aが近く、3bと13bが近
い場合には、このような簡単な構成でも静水圧誤
差をある程度除くことができる。この構成は簡単
であるばかりでなく、第3図のように拡散抵抗と
固定抵抗を用いた場合の両者の温度係数の差によ
る測定誤差等がなくなるといつた利点を有する。
第4図の構成で静水圧誤差が十分除かれない場
合には、第5図に示すように調整用可変抵抗rを
入れることで静水圧誤差をほぼ零にもつていくこ
とができる。
合には、第5図に示すように調整用可変抵抗rを
入れることで静水圧誤差をほぼ零にもつていくこ
とができる。
以上説明したように、この発明によれば、差圧
検出用の拡散抵抗層の他に同じ半導体単結晶板上
に静水圧に感応する拡散抵抗層を設け、これらの
拡散抵抗層を用いて静水圧誤差を相殺するように
ブリツジ回路を組むことで、静水圧の影響を除去
した高精度の流体圧測定が可能となる。静水圧誤
差を含む差圧を出力する第1のブリツジ回路と、
静水圧のみを出力する第2のブリツジ回路とを別
個に構成する第1の発明では、第2のブリツジ回
路の出力アンプを可変利得型とすることにより、
高精度の補償が可能となる。一個のブリツジ回路
内に感圧素子としての拡散抵抗と補償用拡散抵抗
を組込む第2の発明は、簡便な構成で静水圧誤差
の補償ができる。また、静水圧誤差を補償するた
めの拡散抵抗層を流体圧に感応する拡散抵抗層と
同時に同一基板上に作ることにより、温度変動に
よる特性変動を補償する効果も得られる。
検出用の拡散抵抗層の他に同じ半導体単結晶板上
に静水圧に感応する拡散抵抗層を設け、これらの
拡散抵抗層を用いて静水圧誤差を相殺するように
ブリツジ回路を組むことで、静水圧の影響を除去
した高精度の流体圧測定が可能となる。静水圧誤
差を含む差圧を出力する第1のブリツジ回路と、
静水圧のみを出力する第2のブリツジ回路とを別
個に構成する第1の発明では、第2のブリツジ回
路の出力アンプを可変利得型とすることにより、
高精度の補償が可能となる。一個のブリツジ回路
内に感圧素子としての拡散抵抗と補償用拡散抵抗
を組込む第2の発明は、簡便な構成で静水圧誤差
の補償ができる。また、静水圧誤差を補償するた
めの拡散抵抗層を流体圧に感応する拡散抵抗層と
同時に同一基板上に作ることにより、温度変動に
よる特性変動を補償する効果も得られる。
なお、実施例では、静水圧に感じる拡散抵抗層
を半導体単結晶板の周辺肉厚部に形成したが結晶
軸を適当に選ぶことにより肉薄部に配置すること
もできる、例えば(100)面シリコン単結晶板を
用いた場合、〈100〉方向を長手方向とした拡散抵
抗層を形成すれば、これは肉薄部に配置されても
差圧には感応せず、従つてこの拡散抵抗層を静水
圧誤差の補償用として用いることができる。
を半導体単結晶板の周辺肉厚部に形成したが結晶
軸を適当に選ぶことにより肉薄部に配置すること
もできる、例えば(100)面シリコン単結晶板を
用いた場合、〈100〉方向を長手方向とした拡散抵
抗層を形成すれば、これは肉薄部に配置されても
差圧には感応せず、従つてこの拡散抵抗層を静水
圧誤差の補償用として用いることができる。
以上の説明において用いた「差圧」は、所謂差
圧計における狭義のものに限られない。即ちダイ
ヤフラムに対してその両面側にそれぞれ圧力導入
孔を設けるのが差圧計であり、これに対し一方を
解放端としたものがゲージ圧計であるが、ゲージ
圧計の場合にも本質的に圧力差を測定するもので
あることは差圧計と変りなく、本発明はゲージ圧
計として構成した場合にも、これを高静水圧下と
いう条件で用いる場合に有効である。
圧計における狭義のものに限られない。即ちダイ
ヤフラムに対してその両面側にそれぞれ圧力導入
孔を設けるのが差圧計であり、これに対し一方を
解放端としたものがゲージ圧計であるが、ゲージ
圧計の場合にも本質的に圧力差を測定するもので
あることは差圧計と変りなく、本発明はゲージ圧
計として構成した場合にも、これを高静水圧下と
いう条件で用いる場合に有効である。
第1図はこの発明における半導体圧力変換装置
の概略構造例を示す断面図、第2図はその拡散抵
抗層の配置を示す平面パターン、第3図は上記圧
力変換装置を用いて組んだ第1の発明による流体
圧測定回路構成例を示す図、第4図および第5図
は第2の発明による流体圧測定回路構成例を示す
図、第6図は静水圧誤差を説明するための図であ
る。 1……シリコン単結晶板、2……ダイヤフラム
(肉薄部)、3,3a,3b,3c,3d……拡散
抵抗層(感圧素子)、4……絶縁層、5……電極
配線層、6……リード線、7……接着層、8……
固定台、9……貫通孔、13a,13b,13
c,13d……補償用拡散抵抗層、141,14
2,143……差動アンプ、15……固定帰還抵
抗、16……可変帰還抵抗、Ra,Rb……固定外
部抵抗、B1,B2……ブリツジ回路。
の概略構造例を示す断面図、第2図はその拡散抵
抗層の配置を示す平面パターン、第3図は上記圧
力変換装置を用いて組んだ第1の発明による流体
圧測定回路構成例を示す図、第4図および第5図
は第2の発明による流体圧測定回路構成例を示す
図、第6図は静水圧誤差を説明するための図であ
る。 1……シリコン単結晶板、2……ダイヤフラム
(肉薄部)、3,3a,3b,3c,3d……拡散
抵抗層(感圧素子)、4……絶縁層、5……電極
配線層、6……リード線、7……接着層、8……
固定台、9……貫通孔、13a,13b,13
c,13d……補償用拡散抵抗層、141,14
2,143……差動アンプ、15……固定帰還抵
抗、16……可変帰還抵抗、Ra,Rb……固定外
部抵抗、B1,B2……ブリツジ回路。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 半導体単結晶基板に肉薄部を設け、その肉薄
部に感圧素子としての拡散抵抗層を形成した圧力
変換基板を固定台に接着固定して構成される半導
体圧力測定装置において、前記半導体単結晶基板
の肉厚部に前記感圧素子としての拡散抵抗層とは
別に静水圧による誤差を補償するための拡散抵抗
層が設けられ、前記感圧素子としての拡散抵抗層
を用いて構成されて静水圧誤差を含む差圧出力を
得る第1のブリツジ回路と、前記静水圧による誤
差を補償するための拡散抵抗層を用いて構成され
て静水圧出力を得る第2のブリツジ回路とを有す
ることを特徴とする半導体圧力測定装置。 2 第1のブリツジ回路には利得固定の出力アン
プが接続され、第2のブリツジ回路には利得可変
の出力アンプが接続されて、これらの出力アンプ
の差をとることにより、静水圧による誤差を補償
するようにしたことを特徴とする特許請求の範囲
第1項記載の半導体圧力測定装置。 3 半導体単結晶基板に肉薄部を設け、その肉薄
部に感圧素子としての拡散抵抗層を形成した圧力
変換基板を固定台に接着固定して構成される半導
体圧力変換素子を用いた圧力測定装置において、
前記半導体単結晶基板の肉厚部に前記感圧素子と
しての拡散抵抗層とは別に静水圧による誤差を補
償するための拡散抵抗層が設けられ、前記感圧素
子としての拡散抵抗層と前記静水圧による誤差を
補償するための拡散抵抗層とから構成されて、静
水圧による誤差が補償された出力を得るブリツジ
回路を有することを特徴とする半導体圧力測定装
置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17069088A JPS6427275A (en) | 1988-07-08 | 1988-07-08 | Semiconductor pressure measuring apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17069088A JPS6427275A (en) | 1988-07-08 | 1988-07-08 | Semiconductor pressure measuring apparatus |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6427275A JPS6427275A (en) | 1989-01-30 |
JPH0455542B2 true JPH0455542B2 (ja) | 1992-09-03 |
Family
ID=15909590
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP17069088A Granted JPS6427275A (en) | 1988-07-08 | 1988-07-08 | Semiconductor pressure measuring apparatus |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6427275A (ja) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03218412A (ja) * | 1990-01-24 | 1991-09-26 | Rohm Co Ltd | 角度センサ |
JP2689744B2 (ja) * | 1990-03-19 | 1997-12-10 | 株式会社日立製作所 | 複合センサとそれを用いた複合伝送器とプラントシステム |
EP1640696B1 (de) * | 2004-09-24 | 2010-06-09 | Grundfos A/S | Drucksensor |
US7554666B2 (en) * | 2006-05-25 | 2009-06-30 | Ric Investments, Llc. | Sensor with optical pressure transducer and method of manufacturing a sensor component |
DE102012102020A1 (de) * | 2012-03-09 | 2013-09-12 | Epcos Ag | Mikromechanisches Messelement |
JP6318760B2 (ja) * | 2014-03-25 | 2018-05-09 | セイコーエプソン株式会社 | 物理量センサー、高度計、電子機器および移動体 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5016486A (ja) * | 1973-06-11 | 1975-02-21 | ||
JPS5182680A (ja) * | 1974-11-27 | 1976-07-20 | Itt |
-
1988
- 1988-07-08 JP JP17069088A patent/JPS6427275A/ja active Granted
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5016486A (ja) * | 1973-06-11 | 1975-02-21 | ||
JPS5182680A (ja) * | 1974-11-27 | 1976-07-20 | Itt |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS6427275A (en) | 1989-01-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4986127A (en) | Multi-functional sensor | |
US4333349A (en) | Binary balancing apparatus for semiconductor transducer structures | |
US5259248A (en) | Integrated multisensor and static and differential pressure transmitter and plant system using the integrated multisensor | |
US5471884A (en) | Gain-adjusting circuitry for combining two sensors to form a media isolated differential pressure sensor | |
US3270554A (en) | Diffused layer transducers | |
US7775117B2 (en) | Combined wet-wet differential and gage transducer employing a common housing | |
US7866215B2 (en) | Redundant self compensating leadless pressure sensor | |
KR20040079323A (ko) | 다이어프램을 갖는 반도체 압력 센서 | |
JPH038482B2 (ja) | ||
US20020086460A1 (en) | Pressure transducer employing on-chip resistor compensation | |
JPH01197621A (ja) | デュアルサイド形圧力センサ | |
US7284440B2 (en) | Line pressure compensated differential pressure transducer assembly | |
JPH0455542B2 (ja) | ||
JPS6222272B2 (ja) | ||
WO2002006786A1 (fr) | Capteur de pression | |
JP2730152B2 (ja) | 圧力・温度複合検出装置 | |
JPH05107090A (ja) | 差圧流量計 | |
JP2512220B2 (ja) | 複合機能形センサ | |
JP3081352B2 (ja) | 圧力センサ | |
JPS59217374A (ja) | 半導体ひずみ変換器 | |
JPH03249532A (ja) | 半導体圧力計 | |
JPH06102128A (ja) | 半導体複合機能センサ | |
JP2002039888A (ja) | 半導体圧力センサのゲージ抵抗の位置設定方法 | |
JPH0542610B2 (ja) | ||
JPH04114478A (ja) | 半導体装置 |