JPH04239759A - 電子装置 - Google Patents
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- JPH04239759A JPH04239759A JP3024062A JP2406291A JPH04239759A JP H04239759 A JPH04239759 A JP H04239759A JP 3024062 A JP3024062 A JP 3024062A JP 2406291 A JP2406291 A JP 2406291A JP H04239759 A JPH04239759 A JP H04239759A
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 23
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 19
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 16
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 abstract description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 6
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
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- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Logic Circuits (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は電子装置に関し、特に
電子装置を構成する複数の単位回路ブロックへの入力信
号の供給方法の改良に関するものである。
電子装置を構成する複数の単位回路ブロックへの入力信
号の供給方法の改良に関するものである。
【0002】
【従来の技術】この発明に関する従来技術の一例を図3
を用いて説明する。一般に1つの電子装置は複数のブロ
ックに分割することができ、図3はこのように回路構成
を分割した従来の電子装置の構成を示している。図にお
いて10はクロック信号を入力するクロック信号入力端
子である。21〜27は上記電子装置を構成する第1〜
第7の単位回路ブロックである。101〜107は上記
入力端子10から各単位回路ブロック21〜27にクロ
ック信号を供給する第1〜第7のクロック信号配線であ
る。ここで、これらのクロック信号配線101〜107
は図に示すように単位回路ブロック1つにつき1つは存
在する。41〜43は上記第1,第3,第7の単位回路
ブロック21,23,27のクロック入力端子以外の端
子である出力端子である。
を用いて説明する。一般に1つの電子装置は複数のブロ
ックに分割することができ、図3はこのように回路構成
を分割した従来の電子装置の構成を示している。図にお
いて10はクロック信号を入力するクロック信号入力端
子である。21〜27は上記電子装置を構成する第1〜
第7の単位回路ブロックである。101〜107は上記
入力端子10から各単位回路ブロック21〜27にクロ
ック信号を供給する第1〜第7のクロック信号配線であ
る。ここで、これらのクロック信号配線101〜107
は図に示すように単位回路ブロック1つにつき1つは存
在する。41〜43は上記第1,第3,第7の単位回路
ブロック21,23,27のクロック入力端子以外の端
子である出力端子である。
【0003】このような電子装置では、入力端子10に
供給されたクロック信号は、上記各クロック信号配線1
01〜107を介して各単位回路ブロック21〜27に
供給される。そして各ブロック21〜27では上記クロ
ック信号に基づいて所定の動作を行う。
供給されたクロック信号は、上記各クロック信号配線1
01〜107を介して各単位回路ブロック21〜27に
供給される。そして各ブロック21〜27では上記クロ
ック信号に基づいて所定の動作を行う。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】ところが、一般にクロ
ック信号入力端子10から各単位回路ブロック21〜2
7までのクロック信号配線101〜107はそれぞれそ
の配線長が異なっている。そのため、該配線長の差に起
因して、各クロック信号配線101〜107ではクロッ
ク信号の伝搬遅延時間に差が生じ、各単位回路ブロック
21〜27間での動作タイミングが一致しなくなる。
ック信号入力端子10から各単位回路ブロック21〜2
7までのクロック信号配線101〜107はそれぞれそ
の配線長が異なっている。そのため、該配線長の差に起
因して、各クロック信号配線101〜107ではクロッ
ク信号の伝搬遅延時間に差が生じ、各単位回路ブロック
21〜27間での動作タイミングが一致しなくなる。
【0005】また各クロック信号配線の長さを概ね等し
くして、各クロック信号配線での伝搬遅延時間差を小さ
くすることも可能であるが、完全に等しくはできない。 また各単位回路ブロックの回路構成等が同一でない場合
、各単位回路ブロックの面積が異なることとなり、この
ため各単位回路ブロックを、これらに対応するクロック
信号配線の長さが等しくなるように配置するのが困難に
なる。さらに配線の抵抗、容量成分、さらに隣接する配
線間の干渉等による波形のなまりや伝搬遅延時間差が発
生するという問題は避けられない。
くして、各クロック信号配線での伝搬遅延時間差を小さ
くすることも可能であるが、完全に等しくはできない。 また各単位回路ブロックの回路構成等が同一でない場合
、各単位回路ブロックの面積が異なることとなり、この
ため各単位回路ブロックを、これらに対応するクロック
信号配線の長さが等しくなるように配置するのが困難に
なる。さらに配線の抵抗、容量成分、さらに隣接する配
線間の干渉等による波形のなまりや伝搬遅延時間差が発
生するという問題は避けられない。
【0006】また電子装置では、これを構成する電子回
路に光が入射すると、電子回路の信号値が変化すること
がある。これは光が電子回路の信号の媒体である電子や
陽極のエネルギーに影響を与えるからであるが、上記電
子回路の信号値の変化は電子装置の誤動作を招くことに
もなる。
路に光が入射すると、電子回路の信号値が変化すること
がある。これは光が電子回路の信号の媒体である電子や
陽極のエネルギーに影響を与えるからであるが、上記電
子回路の信号値の変化は電子装置の誤動作を招くことに
もなる。
【0007】この発明は、上記のような問題を解消する
ためになされたもので、各単位回路ブロックへの信号の
伝搬遅延時間差の発生を、各単位回路ブロックのレイア
ウト上の制約を招くことなく低減することができる電子
装置を提供することを目的とする。
ためになされたもので、各単位回路ブロックへの信号の
伝搬遅延時間差の発生を、各単位回路ブロックのレイア
ウト上の制約を招くことなく低減することができる電子
装置を提供することを目的とする。
【0008】またこの発明は、信号の伝搬遅延時間差の
発生を防止できるだけでなく、光の入射による誤動作の
少ない電子装置を得ることを目的とする。
発生を防止できるだけでなく、光の入射による誤動作の
少ない電子装置を得ることを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】この発明に係る電子装置
は、基板上に形成された複数の単位回路ブロック毎に、
受光素子を有し入力信号を光信号として受けこれを電気
信号に変換する光信号処理部を配置したものである。
は、基板上に形成された複数の単位回路ブロック毎に、
受光素子を有し入力信号を光信号として受けこれを電気
信号に変換する光信号処理部を配置したものである。
【0010】またこの発明は、上記電子装置において、
上記基板上の、受光素子の配置部以外の部分を遮光性材
料で遮光したものである。
上記基板上の、受光素子の配置部以外の部分を遮光性材
料で遮光したものである。
【0011】
【作用】この発明においては、複数の単位回路ブロック
毎に、入力信号を光信号として受けこれを電気信号に変
換する光信号処理部を配置したから、入力信号を各単位
回路ブロックに直接供給することができ、入力信号を配
線を介して入力端子から各単位回路ブロックまで伝搬す
る必要がなくなる。このため配線長の差,配線間の干渉
や各配線の抵抗,容量成分のばらつきの影響をなくすと
ともに、これらに起因して生ずる伝搬遅延時間差をなく
すことができる。またこれと同時に、電気信号の伝搬用
配線を必要としないので、各単位回路ブロックを、所定
の入力端子等からの配線経路長の差を考慮することなく
、自由に配置することができる。
毎に、入力信号を光信号として受けこれを電気信号に変
換する光信号処理部を配置したから、入力信号を各単位
回路ブロックに直接供給することができ、入力信号を配
線を介して入力端子から各単位回路ブロックまで伝搬す
る必要がなくなる。このため配線長の差,配線間の干渉
や各配線の抵抗,容量成分のばらつきの影響をなくすと
ともに、これらに起因して生ずる伝搬遅延時間差をなく
すことができる。またこれと同時に、電気信号の伝搬用
配線を必要としないので、各単位回路ブロックを、所定
の入力端子等からの配線経路長の差を考慮することなく
、自由に配置することができる。
【0012】また、基板上の、受光素子の配置部以外の
部分を遮光したので、受光素子以外の回路部分への光の
入射を防止でき、これにより光の照射による回路の誤動
作を抑制することができる。
部分を遮光したので、受光素子以外の回路部分への光の
入射を防止でき、これにより光の照射による回路の誤動
作を抑制することができる。
【0013】
【実施例】図1は本発明の一実施例による電子装置を説
明するための図であり、図において、61は半導体基板
60上に設けられた半導体回路であり、第1〜第8の単
位論理回路ブロック(単位回路ブロック)31〜38を
有している。該各単位論理回路ブロックは、受光素子ブ
ロック(光信号処理部)15とともに、該受光素子ブロ
ック15の出力をクロック信号として動作する、アンド
ゲート,オアゲート等の論理回路、及びカウンタやメモ
リなどを有している。80は上記半導体基板60の全面
に一括照射され、論理回路の動作クロック周波数に基づ
いて強弱を繰り返す平行な光入力信号である。ここで上
記受光素子ブロック15は該光入力信号80を電気信号
に変換するフォトダイオード(受光素子)16とその光
の強弱に応じて ’H ’レベルと ’L ’レベルを
出力する増幅器17とから構成されている。また51〜
53は所定の単位論理回路ブロック間の配線、41〜4
5は単位論理回路ブロックの出力端子である。
明するための図であり、図において、61は半導体基板
60上に設けられた半導体回路であり、第1〜第8の単
位論理回路ブロック(単位回路ブロック)31〜38を
有している。該各単位論理回路ブロックは、受光素子ブ
ロック(光信号処理部)15とともに、該受光素子ブロ
ック15の出力をクロック信号として動作する、アンド
ゲート,オアゲート等の論理回路、及びカウンタやメモ
リなどを有している。80は上記半導体基板60の全面
に一括照射され、論理回路の動作クロック周波数に基づ
いて強弱を繰り返す平行な光入力信号である。ここで上
記受光素子ブロック15は該光入力信号80を電気信号
に変換するフォトダイオード(受光素子)16とその光
の強弱に応じて ’H ’レベルと ’L ’レベルを
出力する増幅器17とから構成されている。また51〜
53は所定の単位論理回路ブロック間の配線、41〜4
5は単位論理回路ブロックの出力端子である。
【0014】なお、図では第1の単位論理回路ブロック
31についてのみ受光素子ブロック15の詳細な構成,
つまりフォトダイオード16と増幅器17を示し、その
他の単位論理回路ブロック32〜38については受光素
子ブロックを円形の斜線領域15で示している。
31についてのみ受光素子ブロック15の詳細な構成,
つまりフォトダイオード16と増幅器17を示し、その
他の単位論理回路ブロック32〜38については受光素
子ブロックを円形の斜線領域15で示している。
【0015】次に作用効果について説明する。上記動作
クロック周波数で強弱を繰り返す光入力信号80を半導
体基板61上に一括照射すると、各単位論理回路ブロッ
ク31〜38の受光素子ブロック15は上記光入力信号
80の動作クロック周波数で’H ’レベル, ’L
’レベルを出力するクロック信号発生器として動く。こ
のとき光はその性質として各フォトダイオード16に同
時に到達するので、各受光素子ブロック15間でクロッ
ク信号の伝搬遅延時間差を発生することがない。また半
導体基板60の全体に光入力信号80を照射するように
しているので、信号を半導体基板上に固定した配線でお
くる必要がなく、配線長を考慮することなく各単位論理
回路ブロック31〜38を半導体基板60上の任意の位
置に自由に配置することが可能である。また各単位論理
回路ブロックについてクロック信号配線を設ける必要が
ないため、配線の長さや配線間の干渉や各配線の抵抗,
容量成分のばらつきの影響もない。つまり配線の持つ容
量や抵抗成分の長さの違いからくる信号の劣化や伝搬遅
延時間差の違いを著しく減らすことができる。
クロック周波数で強弱を繰り返す光入力信号80を半導
体基板61上に一括照射すると、各単位論理回路ブロッ
ク31〜38の受光素子ブロック15は上記光入力信号
80の動作クロック周波数で’H ’レベル, ’L
’レベルを出力するクロック信号発生器として動く。こ
のとき光はその性質として各フォトダイオード16に同
時に到達するので、各受光素子ブロック15間でクロッ
ク信号の伝搬遅延時間差を発生することがない。また半
導体基板60の全体に光入力信号80を照射するように
しているので、信号を半導体基板上に固定した配線でお
くる必要がなく、配線長を考慮することなく各単位論理
回路ブロック31〜38を半導体基板60上の任意の位
置に自由に配置することが可能である。また各単位論理
回路ブロックについてクロック信号配線を設ける必要が
ないため、配線の長さや配線間の干渉や各配線の抵抗,
容量成分のばらつきの影響もない。つまり配線の持つ容
量や抵抗成分の長さの違いからくる信号の劣化や伝搬遅
延時間差の違いを著しく減らすことができる。
【0016】次に本発明の第2の実施例について説明す
る。図2は本発明の第2の実施例による電子装置の構成
を示す模式図であり、図において、31,32は第1,
第2の単位論理回路ブロック、60は半導体基板、15
は光入力信号80を受け、その光の強弱に応じて ’H
’レベルと ’L ’レベルを出力する受光素子ブロ
ックであり、フォトダイオード16と増幅器17とから
なっている。これらは図1で説明した第1の実施例装置
と同一のものである。
る。図2は本発明の第2の実施例による電子装置の構成
を示す模式図であり、図において、31,32は第1,
第2の単位論理回路ブロック、60は半導体基板、15
は光入力信号80を受け、その光の強弱に応じて ’H
’レベルと ’L ’レベルを出力する受光素子ブロ
ックであり、フォトダイオード16と増幅器17とから
なっている。これらは図1で説明した第1の実施例装置
と同一のものである。
【0017】そして、70は半導体基板60上の、各単
位回路ブロック31,32のフォトダイオード16配置
部に対応する部分にのみ開口部71を有する遮光材料で
、上記半導体基板60全面を被覆している。なお理解を
助けるため、図2(b) に図2(a) のIIb−I
Ib線で切断した断面構造を示している。
位回路ブロック31,32のフォトダイオード16配置
部に対応する部分にのみ開口部71を有する遮光材料で
、上記半導体基板60全面を被覆している。なお理解を
助けるため、図2(b) に図2(a) のIIb−I
Ib線で切断した断面構造を示している。
【0018】一般に半導体回路に光が入射すると、半導
体回路の信号である電子や陽極の原子を励起し、誤動作
を引き起こすことがあるが、本実施例装置では、上記実
施例の効果に加えて、フォトダイオード16配置部に対
応する部分に開口部71を有する遮光膜により半導体基
板60を被覆しているので、フォトダイオード16の部
分だけ光入力信号80が入射し、他の回路部分への光の
入射が遮断されることとなり、光に起因する半導体回路
61の誤動作を防止できる効果もある。
体回路の信号である電子や陽極の原子を励起し、誤動作
を引き起こすことがあるが、本実施例装置では、上記実
施例の効果に加えて、フォトダイオード16配置部に対
応する部分に開口部71を有する遮光膜により半導体基
板60を被覆しているので、フォトダイオード16の部
分だけ光入力信号80が入射し、他の回路部分への光の
入射が遮断されることとなり、光に起因する半導体回路
61の誤動作を防止できる効果もある。
【0019】なお上記各実施例では、光信号を電気信号
に変換する受光素子としてフォトダイオードを示したが
、フォトトランジスタ等の光−電気変換素子を用いても
よい。
に変換する受光素子としてフォトダイオードを示したが
、フォトトランジスタ等の光−電気変換素子を用いても
よい。
【0020】また上記実施例では、各単位論理回路ブロ
ックに1つの受光素子をオン・チップした半導体回路を
例に挙げて説明したが、各単位論理回路ブロックを、そ
れぞれ1つ又は複数のICなどの電子部品と、1つ又は
複数の光電変換素子とから構成し、その各光電変換素子
に例えば長さの等しい光ファイバ等で光入力信号を入力
するようにしてもよい。
ックに1つの受光素子をオン・チップした半導体回路を
例に挙げて説明したが、各単位論理回路ブロックを、そ
れぞれ1つ又は複数のICなどの電子部品と、1つ又は
複数の光電変換素子とから構成し、その各光電変換素子
に例えば長さの等しい光ファイバ等で光入力信号を入力
するようにしてもよい。
【0021】また上記実施例では、強,弱2つのレベル
を持つ光入力信号をディジタルのクロック信号入力とす
る例を示したが、入力信号はクロック入力以外のディジ
タルデータ入力信号でもよく、また入力信号はディジタ
ル信号ではなく光の強弱の変化がアナログ的な信号でも
よく、これをアナログ信号処理回路やアナログディジタ
ル変換回路を有する複数の単位回路ブロックに同一のタ
イミングで供給するようにしてもよい。
を持つ光入力信号をディジタルのクロック信号入力とす
る例を示したが、入力信号はクロック入力以外のディジ
タルデータ入力信号でもよく、また入力信号はディジタ
ル信号ではなく光の強弱の変化がアナログ的な信号でも
よく、これをアナログ信号処理回路やアナログディジタ
ル変換回路を有する複数の単位回路ブロックに同一のタ
イミングで供給するようにしてもよい。
【0022】さらに各受光素子毎に特定の波長のみを透
過するフィルタを設け、あるいは受光素子として特定の
波長の信号に対してのみ動作する光電変換素子を用い、
波長に応じてデータ,つまり強弱のタイミング等を変え
るようにすれば、各単位回路ブロックの受光素子を異な
るタイミングで動作させることができ、また異なるデー
タ,つまり異なる単位論理回路ブロックがそれぞれ必要
とするデータを各単位論理回路ブロックに同時に送るこ
とが可能である。
過するフィルタを設け、あるいは受光素子として特定の
波長の信号に対してのみ動作する光電変換素子を用い、
波長に応じてデータ,つまり強弱のタイミング等を変え
るようにすれば、各単位回路ブロックの受光素子を異な
るタイミングで動作させることができ、また異なるデー
タ,つまり異なる単位論理回路ブロックがそれぞれ必要
とするデータを各単位論理回路ブロックに同時に送るこ
とが可能である。
【0023】
【発明の効果】以上のように本発明に係る電子装置によ
れば、複数の単位回路ブロック毎に、受光素子を有し入
力信号を光信号として受けこれを電気信号に変換する光
信号処理部を配置したので、入力信号を各単位回路ブロ
ックに直接供給することができ、入力信号を配線を介し
て入力端子から各単位回路ブロックまで伝搬する必要が
なくなり、配線長の差,配線間の干渉や各配線の抵抗,
容量成分のばらつきに起因して生ずる伝搬遅延時間差を
なくすことができる効果がある。また、電気信号の伝搬
用配線を必要としないので、各単位回路ブロックを、所
定の入力端子等からの配線経路長の差を考慮することな
く、自由に配置することができる効果がある。
れば、複数の単位回路ブロック毎に、受光素子を有し入
力信号を光信号として受けこれを電気信号に変換する光
信号処理部を配置したので、入力信号を各単位回路ブロ
ックに直接供給することができ、入力信号を配線を介し
て入力端子から各単位回路ブロックまで伝搬する必要が
なくなり、配線長の差,配線間の干渉や各配線の抵抗,
容量成分のばらつきに起因して生ずる伝搬遅延時間差を
なくすことができる効果がある。また、電気信号の伝搬
用配線を必要としないので、各単位回路ブロックを、所
定の入力端子等からの配線経路長の差を考慮することな
く、自由に配置することができる効果がある。
【0024】また、この発明によれば、上記電子装置に
おいて、基板上の、受光素子の配置部以外の部分を遮光
したので、上記効果に加えて、受光素子以外の回路部分
への光の入射を防止でき、これにより光の照射による回
路の誤動作を抑制することができる効果がある。
おいて、基板上の、受光素子の配置部以外の部分を遮光
したので、上記効果に加えて、受光素子以外の回路部分
への光の入射を防止でき、これにより光の照射による回
路の誤動作を抑制することができる効果がある。
【図1】本発明の第1の実施例による電子装置の構成図
である。
である。
【図2】本発明の第2の実施例による電子装置の構成図
である。
である。
【図3】従来例の電子装置の構成例を示す図である。
15 受光素子ブ
ロック(光信号処理部) 16 フォトダイ
オード(受光素子)31〜38
第1〜第8の単位論理回路ブロック
ロック(光信号処理部) 16 フォトダイ
オード(受光素子)31〜38
第1〜第8の単位論理回路ブロック
Claims (2)
- 【請求項1】 基板上に形成され、所定の入力信号に
基づいて動作する複数の単位回路ブロックを有する電子
装置において、上記単位回路ブロックのそれぞれに、受
光素子を有し上記入力信号を光信号として受けこれを電
気信号に変換する光信号処理部を配設したことを特徴と
する電子装置。 - 【請求項2】 上記基板上の、受光素子の配置部以外
の領域を遮光性材料で遮光したことを特徴とする請求項
1記載の電子装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3024062A JPH04239759A (ja) | 1991-01-22 | 1991-01-22 | 電子装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3024062A JPH04239759A (ja) | 1991-01-22 | 1991-01-22 | 電子装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04239759A true JPH04239759A (ja) | 1992-08-27 |
Family
ID=12127960
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3024062A Pending JPH04239759A (ja) | 1991-01-22 | 1991-01-22 | 電子装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04239759A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001237411A (ja) * | 2000-02-21 | 2001-08-31 | Sony Corp | 光電子集積回路装置 |
US7863062B2 (en) | 2007-05-31 | 2011-01-04 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor device with a shielding section to prevent condensation and optical device module having the semiconductor device |
US7999284B2 (en) | 2007-05-31 | 2011-08-16 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor device and optical device module having the same |
-
1991
- 1991-01-22 JP JP3024062A patent/JPH04239759A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001237411A (ja) * | 2000-02-21 | 2001-08-31 | Sony Corp | 光電子集積回路装置 |
US7863062B2 (en) | 2007-05-31 | 2011-01-04 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor device with a shielding section to prevent condensation and optical device module having the semiconductor device |
US7999284B2 (en) | 2007-05-31 | 2011-08-16 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor device and optical device module having the same |
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