JPH03267113A - 高周波沿面放電を用いたガス処理方法および装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野コ 本発明は空気あるいは燃焼ガス等は含まれるＮＯｘ、　
　ＳＯｘ、）いし分解除去し、安全かつ清浄なガスとし
て外部仁排出するための、有効かつ安価なガス処理方法
およびガス処理装置番二間するもので、特にガス量が中
低塵ないし比較的少ない場合に適したものである。

［従来の技術］ 従来この種の方法ないし装置としては、触媒を用いて対
象ガス成分を接触反応（こより分解するもの、固体ない
し液体吸収剤を用いて対象ガス成分を吸収・除去するも
の、活性炭やモレキュラーシーブ等の吸着剤で対象ガス
成分を吸着・除去するもの、バーナー等の燃焼器で対象
ガス成分を熱分解するもの５等々が用いられてきた。し
かし、上記従来のガス処理方式は、いずれも設備費や運
転費か高く、ガス量が中低度ないし比較的少ない場合に
は経済性が極度に悪（なって適用が困難であったーまた
対象ガス成分の種類によってはこれらの従来技術では効
果が低く、対象ガスの充分な無害化ないし浄化か不可能
であった７ ［本発明が解決しようとする課題］ 本発明の目的は、従来のガス処理技術仁おける上記の問
題を克服し、殆どあらゆる対象ガス成分を有効がっ安価
に処理して無害化ないし浄化し、かつガス量が中低度な
いし比較的少ない場合でも充分な経済性を有する様な、
新規のガス処理方法およびガス処理装置を提供するにあ
る［問題を解決するための手段］ 本発明は上記の目的を、極めて小型かつ安価でありなが
ら強力なプラズマ化学作用を有する高周波沿面放電を利
用し、処理すべき対象ガス成分を含むガスをその放電域
の近傍に通過せしめて、該プラズマ化学作用で豊富に生
成せるラジカル。

各種化学的活性種、０３等を該対象ガス成分に反応せし
め。

これによって殆どす八での種類の対象ガス成分を完全に
無害化ないし浄化する事によって達成する。

すなわち本発明による。高周波沿面放電を用いたガス処
理方法は、ガスの入り口とガスの出口を有するガス処理
部に。

誘電体層を介してその一方の表面上にコロナ放電極を他
方の表面上に面状誘導電極を設けてなる所の少なくとも
１個の高周波沿面放電素子を、少なくともその該コロナ
放電極か設けられた高周波沿面放電発生面が該ガス処理
部内のガス通路に露出する如くに配設し、該コロナ放電
極と該面状誘導電極を高周波沿面放電発に接続して両電
極間り高周波高電圧を印加して該コロナ放電極よりその
周囲の該誘電体層表面に沿って高周波沿面放電を発生せ
しめ、該ガス入り口より該ガス処理部内に処理すべきガ
スを導入して、該高周波沿面放電発生面の近傍を通過せ
しめ、該高周波沿面放電発のプラズマ化学作用によって
該ガスを処理したうえ、処理後のガスを該ガス出口より
外部に排出する事を特徴とする。

この場合、処理後のガス中には、対象ガス成分がプラズ
マ化学作用を受けて生じたガス状、固体状または液体状
の２次的反応生成物（以下、これらを反応生成物と総称
する）が含まれており、これを更に除去する必要が生ず
ることもあるかかる場合には、該ガス処理部のガス出口
に接続して上記反応生成物を主ガス流から除去するため
の後処理部を設ける事が望ましく、このような後処理部
を設ける事が、本発明による高周波沿面放電を用いたガ
ス処理方法のの一部を構成する、また、かかるガス処理
方法を実現するための本発明による高周波沿面放電を用
いたガス処理装置は、ガスの入り口とガスの出口を有す
るガス処理部を有し、誘電体層を介してその一方の表面
上にコロナ放電極を他方の表面上に面状誘導電極を設け
てなる所の少なくとも１個の高周波沿面放電素子を、少
なくともその該コロナ放電極が設けられた高周波沿面放
電発生面が該ガス処理部内のガス通路に露出する如くに
配設し。

該コロナ放電極と該面状誘導電極に接続して両電極間に
高周波高電圧を印加し、該コロナ放電極よりその周囲の
該誘電体層表面に沿って高周波沿面放電を発生せしめる
ための高周波沿面放電発を有し、該ガス入り口より該ガ
ス処理部内に処理す事も１本発明による高周波沿面放電
を用いたガス処理装置の発明の一部を構成する。

本発明によるガス処理装置シこ使用する該高周波沿面放
電素子はその誘電体層が平板状であっても、円筒状もし
くは適当ないかなる形状であってもよい。そして該誘電
体層が円筒状であるときは、該コロナ放電極を該円筒状
誘電体層の外表面上桟、該面状誘導電極をその内表面上
桟設けても、あるいは該コロナ放電極を該円筒状誘電体
層の内表面上に、該面状誘導電極をその外表面上に設け
てもよい。

また本発明によるガス処理装置のガス処理部を、少な（
とも１個の円筒状誘電体層で構成し、その内表面上桟コ
ロナ放電極を、その外表面上に面状誘導電極を配設し、
これによって該ガス処理部に該高周波沿面放電素子を兼
ねしめてもよい事は言うまでもない。この場合、ガス処
理部を構成する円筒状誘電体層の内部に、これと同心的
にガスの通過を阻止する円筒状筒体を配設し、該円筒状
誘電体層と該円筒状筒体との反応生成物が含まれている
ときは、該ガス処理部のガス出口に接続して上記反応生
成物を主ガス流から除去するための後処理部を設ける事
が望ましく、このような後処理部を設ける成する円筒状
沿面放電素子の内部に、これと同心的６：、コロナ放電
極を外表面、面状誘導電極を内表面に配設し且つないぶ
のガス通過を許さない様な別個の円筒状高周波沿面放電
素子を設け、両日筒の間の間隙４ニガスを通過させる様
シニすると、ガスが内外両方の素子の放電域のごく近傍
のみを通過し、ガス処理効果がさらに一層向上する。

本発明に用いる該高周波沿面放電素子は、そのコロナ放
電極を線状とし、その対向部位の全体を覆うごとく１面
状誘導電極を配設し、且つ該面状誘導電極をの外側を覆
って別の誘電体層を設け、これによって該面状誘導電極
が実質的に一つの誘電体層の内部ζ：埋設する様に構成
すると、たとえ所要印加電圧を下げるため両電極間の誘
電体層をＯ，ｌ　−１，０ｍｍ程度仁薄くしても、充分
な機械的強度を該高周波沿面放電素子に付与する事が出
来て好適である。

本発明仁使用する該高周波沿面放電素子は放電に伴う損
失及び該誘電体層重発生する誘電体損のため、時として
過熱する事があるが、その時は、該誘電体層の面状誘導
電極を配設せる側の表面を水冷または空冷すると好適で
ある。

また該高周波沿面放電素子のコロナ放電極側の表面は、
と耐洗浄装置等々、適当な清掃機構を該ガス処理部に設
けて該コロナ放電極側の表面を常仁清浄に保つのが望ま
しい。

本発明によるガス処理装置において、固体又は液体状の
反応生成物が微細なエアロゾルとして生成する事かある
か、かかる場合仁はこれを除去する為の該後処理装置に
は、適当な集塵装置を用いる必要がある。かかる集塵装
置には、電気集塵装置、濾過集塵装置、あるいは湿式の
スクラッハー等、適当ないかなる種類のものを用いても
よい。

また本発明によるガス処理装置において、気体状の反応
生成物が生成し、これを除去する必要が生ずる事かある
が、かかる場合には該後処理部に各個の気体状反応生成
物仁適合した気体除去装置を用いる事が望ましい。この
様な気体除去装置には、気体状反応生物の組成仁よって
、これを吸収除去するための固体吸収剤を充填した乾式
ガス吸収装置、これを吸着除去酸するための固活性炭や
モレキュラーシーブ等の適当な吸着剤を充填した乾式ガ
ス吸着収装置、これを接触反応により変成して分解した
り除去しやすい組成に変化するための触媒を充填した接
触反応装置、あるいは気体状反応生物を吸収するための
液体吸収剤を処理後のガスに接触せしめる湿式ガス吸収
装置等々、適当な任意の装置を用いる事が８来る。。

また本発明のガス処理装置において、該ガス処理部の上
流に処理すムき対象ガス成分の種類に応して、その処理
を促進する作用を持った適当な添加ガス、例えば対象ガ
ス成分がＮＯＸ　　ＳＯｘ等の場合にはアンモニアガス
等を注入する事が出来る。かかる添加ガスには、高周波
沿面放電によってメタステーブルステート状態を形成し
、それを通してより効果的にラジカルを生成する作用を
持ったヘリウム、アルゴン、ネオン等のガスを用いても
よく、そのほか適当ないかなる添加ガスを用いてもよい
事は言うまでもない。

また本発明によるガス処理装置仁おいては、該ガス処理
部の上流、内部、下流の少な（ともいずれかに、処理す
べき対象ガス成分の処理を促進する光、例えば紫外線光
を照射すること仁よって、処理効果を大幅に向上できる
事があり、またこの光化学効果は上記添加ガスと併用す
る事によって一層高める事が可能なこともある、。

［作　用］ 高周波沿面放電の強力なプラズマ化学作用により、その
放電域に、Ｏ，Ｏｆ（、ＮＨ４等の反応性に富んたラジ
カル、励起状態の０２やＮ２　、あるいは０２．　Ｎ２
．１（２０，ＣＯ２等のイオン。

更には０３等、多量の化学的活性種か生成され、これら
が処理すにき対象ガス成分であるＮＯＸ、　ＳＯｘ、　
　フロン、ダイオキシン、水銀蒸気、溶媒その他のハイ
ドロカーボン蒸気と直ちに反応して、これらを分解した
り、或いは処理の容易な２次的反応生成物（固体・液体
のエアロツル状、気体状）に変成する事によって、これ
らをガス処理部または後処理部で除去するものである３
、この場合１例えば、Ｎｏｌ、　ＳＯＸ等の対象ガス成
分に対してアンモニアガス等の添加ガスを注入すると。

エアロツル状の固体硫硝安複塩がガス中（ニ生成し、電
気集塵装置を後処理装置として用いる事により、これを
完全にガス中から除去出来る。

［実施例］ 第１図は本発明を燃焼排ガス中に含まれるＳＯＸおよび
Ｎｏｌの除去に適用した実施例の縦断面図、第２図はそ
の横断面図を示す、図において１はガス処理部で、ガス
入り［コ２とガス出口３を有し、その上流側ダクト４に
はアンモニアガスをガス流中に注入するための注入バイ
ブ５および注入口６を備えたアンモニアガス注入部７と
ガスの流速分布を均一化するためのスクリーン８がもう
けられている。９および１０はガス処理部１の内部にガ
ス流方向１互いに平行に等間隔に垂直に配設された平板
状高周波沿面放電素子である　それらの構造は第３図（
ａ）ないしくｂ）示す様に１例えば純度９２％のアルミ
ナセラミックよりなる平板状誘電体層１１の片側の表面
１２．あるいは両側の表面１３．１４上にタングステン
の内部に厚み０．０１−０、Ｏ５ｉｎ程度の面状誘導電
極１６か埋設されている。この場合該面状誘導電極１６
は、該誘電体層の一部をなす厚み０．１−１、Ｏ程度の
薄いアルミナ誘電体層１７．１８を介して該線状コロナ
放電極群１５に対向し、且つその対向部位の全体を覆う
広がりを有している。

該画電極１５及び１６はそれぞれ導線１２０を介して高
周波沿面放電発２１に接続されて高周波高電圧が印加さ
れ。

第４図（ａ）の２２に示される様な高周波沿面放電２２
が各コロナ放電極群５の両端縁１５−ａ、１５−ｂから
発生し、該誘電体１１の表面１２に沿って伸展する。こ
の場合、第３図（ａ）に示す平板状高周波沿面放電素子
９は、その誘電体層１１の片側表面１２のみ４ニコロナ
放電極群が配設されているので、第２図の９に示す様は
ダクトの内壁に付設するのに適しており、また第３図（
ｂ）に示す平板状高周波沿面放電素子ｌＯは、その誘電
体層１１の両側表面１３．１４にそれぞれコロナ放電極
群が配設されているので、第２図の１０に示す様にダク
トの内部に設けて、その両側にガスを通すのに適してい
る。

該コロナ放電極群１５は、第４図（ｂ）に示す様に放電
化学的に極度ζ二強い純度９９％、厚み１０−５０　ミ
クロン程度の環部であり、本例では電気集塵装置からな
る７また２５は吸引ファン、２６は排出ダクトでスタッ
クへと浄化後のガスを導（ いま５０２　およびＮＯを含む燃焼排ガスがボイラーか
ら上流側ダクト４を通り、アンモニアガス注入部７から
注入バイブ５、注入口６を介してアンモニアガスを注入
添加された後。

スクリーン８を通過し、均一なガス流速分布をもって該
ガス処理部１のガス入口２より、その内部２７に導入さ
れる、そして該平板状高周波沿面放電素子群９，１０、
−ｍ−の間の間隙２８．２−−一を流れる間型高周波沿
面放電のプラズマ化学作用で生成された豊富なラジカル
、化学的活性種、あるいは０３等の作用で、　５０２は
５０３に、またＮＯはＮＯ２に酸化され、更に両者がア
ンモニアガスと反応して硫硝安複塩の固体エアロゾル粒
子となり、ガス出口３をへて電気集塵装置２４に至り、
ここで完全仁ガス流から除去される。清浄になったガス
は吸引ファン２５、排出ダクト２６を経てスタックよ突
によるスパッタリングや腐食性の強い硫酸、硝酸等の反
応生成物で犯かされるのを防ぐ。この様な薄い保護膜２
３を施しても、高周波沿面放電の発生及び伸展は殆ど妨
げられない。

第１図の２４はガス出口３の下流に設けられたガスの後
処断面図である。図において３０はガス処理部を兼ねた
円筒状の高周波沿面放電素子で、例えば純度９２％のア
ルミナセラミックよりなる円筒状誘電体３１の内表面３
２に、環状電極３３−ａ、３３−ｂで両端を終端された
線状コロナ放電極群３４か円筒軸に平行に、かつ相互に
平行で等間隔に配設され。

該線状コロナ放電極群３４を含む内表面３２の全体を純
度９９％、厚み１０−　Ｓｏ　ミクロンの高純度アルミ
ナ保護膜３５で被覆しである１、また３６は面状誘導電
極で、該円筒状誘電体３１の肉厚内は、該環状電極３３
−ａ、３３−ｂ及び該線状コロナ放電極群３４仁対抗す
る部位全体を覆うごと（に埋設しである。そして該線状
コロナ放電極群３４１面状誘導電極３６は夫々導線１９
，２０を介して高周波沿面放電発２Ｈニ接続されて両型
極間仁高周波高電圧が印加され、その結果該線状コロナ
放電極群３４の夫々の両端縁上部のアルミナ保護膜３５
部分から、該保護膜３５４：沿って高周波沿面放電が伸
展し、その強力なプラズマ化学作用によって大量のラジ
カル、化学的活性種、０３等を生成し、ガス処理部を兼
ねた該円筒状高周波沿面放電素子３０内を通過するガス
中に供給する。

３７は該円筒状高周波沿面放電素子３０の外側面３８を
水密仁囲繞する水冷ジャケットで、水入口３９から供給
された４２の方向に流動しつつ該円筒状高周波沿面放電
素子３ｏを冷却し、放電損失と誘電体損で該高周波沿面
放電素子３０が過熱してそのプラズマ化学作用が低下す
るのを防止し、水出口４３より放出される。

４４は反応生成物を除去する為の後処理部、２５は吸引
ファン、２６は清浄ガスの排出ダクトである。

いま上流側ダクト４からスクリーン８．ガス入口２を経
てガス処理部を兼ねた円筒状高周波沿面放電素子３ｏの
内部に進入したガス中に含まれる処理対象ガス成分は、
該素子３゜の内面状に発生する高周波沿面放電域から供
給される大量の上記ラジカル、化学的活性種、０３等の
作用を受けて分解ないし変成した後、ガス出口３より後
処理部４４に至り、ここで反応生成物が除去された後、
吸引ファン２５．ガス排出ダクトを経てスタックより大
気中に排出される。

この場合、第７図に示す様に該円筒状高周波沿面放電素
子３０の内部にこれと同軸にガスの通過を阻止する筒体
４５を挿入し、その外側面４６と該素子３０の内面との
間の狭い環状空隙４７に沿ってガスを通過させる様仁す
ると、処理対象ガス成分と上記ラジカル、化学的活性種
、０３等との接触がより促進され９分解・変成効果がよ
り向上する６なお場合により上記平板状ないし円筒状高
周波沿面放電素子の放電域にダスト、ミスト、放電生成
物等が付着して高周波沿面放電の発生を阻止し、これに
よってガス処理性能が妨げられるる事がある７この様な
場合には上記平板状ないし円筒状等の高周波沿面放電素
子の放電域に適当な清浄ガス、例えば清浄空気、乾燥空
気、酸素、その他適当な組成の清浄ガスを供給して所要
のラジカル類、化学的活性種、０３等を生成し、これを
上記清浄ガスと共に処理すパきガスの流れに添加して、
対象ガス成分を分解・変成し、必要に応して更に適当な
後処理部を設けて反応生成物を除去すると言う方法をと
ってもよい第８図はその一例で、３０は第５図に示され
た円筒型高周波沿面放電素子でその外側面３８の周囲に
多数のアルミの空冷フィン４８が設けられ、これを囲繞
する空冷ジャケット４９内を通って冷却用空気を空気入
口５０がら空気出口５１へと流動させる事により、該素
子３ｏを強制空冷する。

５２はオイルレス・コンプレッサーで外気人口５３より
吸入した空気をエアフィルター５４を通して浄化し、腹
式エアドライヤー５５を通して露点−４０′Ｃまで乾燥
したうえ上記円筒型高周波沿面放電素子３０の内部２７
に、その入口５６より供給する。該素子の内面の高周波
沿面放電域で生成された大量のラジカル類、化学的活性
種、０３等は空気に混入してを強力に混合撹拌し、これ
によって上記活性ガス及び添加ガスと処理対象ガス成分
の充分な混合を行なう。その結果該処理対象ガス成分は
迅速に上記ラジカル類、化学的活性種、０３等と反応し
て分解・変成され、その反応生成物は更に上記添加ガス
成分と反応して処理の容易な物質、本例では固体エアロ
ツルになってガス出口３を経て電気集塵装置２４で除去
され、さらに触媒層６４を通って余分な活性成分を接触
反応で分解・除去した後、下流側ダクト６５より外気に
放出する。

［効　果］ 本発明によるガス処理装置は、殆どすべての種類の処理
対象ガス成分に対して極めて強力な分解・変成作用を有
する各種ラジカル、化学的活性種、０３等を、高周波沿
面放電の強力なプラズマ化学作用で有効且つ大量ζ二生
成のうえ作用させて処理するので、その処理効果は極め
て高く、また処理対象ガスの種類を問わない、また装置
が極めて小型となって、中添加ガス注入部６０より注入
管６１、注入口６２を介してアンモニア等、適当な添加
ガスを添加された後、スクリーン８゜ガス入口２を経て
該ガス処理部１内進入する６ガス処理部１内には多数の
多孔板６３がガス流に垂直に設けられ流動ガスいて上記
各種ラジカル、化学的活性種、０３等を生成、これらを
含む活性ガスを処理対象ガスに添加するときは高周波沿
面放電素子の汚れによる性能低下が防止でき常に最高の
ガス処理性能を維持でとる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例の縦断面図、第２図はその横
断面図、第３図および第４図はこの実施例に用いられる
平板状高周波沿面放電素子の構造を示す図である。第５
図は本発明の別の実施例の縦断面図、第６図はその横断
面図、第７図は本実施例に用いられる円筒状高周波沿面
放電素子の改良型の構造を示す横断面図である。また第
８図は本発明のいま一つ別の実施例の縦断面図である。 図において１−−−−−ガス処理部 ２−−−−−ガス入口 ３−−−−−ガス出口 ４−−−−一上流側ダクト ７−−−−−アンモニア注入部 ８−−−−−スクリーン １０−一平板状高周波沿面放電素子 １−−−−一円筒状誘電体層 ５．３４−一線状コロナ電極 ６．３６一−面状誘導電極 ２０−一導線 １−−−−一高周波沿面放電発 ２−−−−一高周波沿面放電 ２３．３５−一保護膜 ２４−−−−一電気集塵装置 ２５−−−−一吸引フアン ２６−−−−−排出ダクト ３０−−−ｍ−円筒状高周波沿面放電素子３１−−−−
一円筒状誘電体層 ３７−−−−−水冷ジャケット ３９、−−−−一水入口 ４３−−−−一水出口 ４４−−−−一後処理部 ４５−−−−一筒体 ４６−−−−筒体外側面 ４７−−−−−環状空隙 ４８−−−−一空冷フイン ４９−−−−一空冷ジャケット ５０−一一一一空気入口 ５１−−−−一空気出口 ５２−−−−一オイルレス・コンプレッサ５３−−−−
一外気入口 ５４−−−−一エアフィルタ ５５−一−−−腹式エアドライヤ ５６−−−−−ガス入口 ５７−−−−−ガス出口 ５８−−−−一活性ガス供給管 ５９−一一一一活性ガス供給口 ６０−一−−−添加ガス注入部 ６１−−−−一添加ガス注入管 ６２−−−−一添加ガス注入口 ６３−−−−一多孔板 ６４−−−−一触媒層 ６５−−−−一下流側ダクト 手続補正書 （自発） 平成２年９月２３日差出 平成２年７月１７日

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、ガスの入り口とガスの出口を有するガス処理部に、
   誘電体層を介してその一方の表面上にコロナ放電極を他
   方の表面上に面状誘導電極を設けてなる所の少なくとも
   １個の高周波沿面放電素子を、少なくともその該コロナ
   放電極が設けられた高周波沿面放電発生面が該ガス処理
   部内のガス通路に露出する如くに配設し、該コロナ放電
   極と該面状誘導電極を高周波高圧電源に接続して両電極
   間に高周波高電圧を印加し、該コロナ放電極よりその周
   囲の該誘電体層表面に沿って高周波沿面放電を発生せし
   め、該ガス入り口より該ガス処理部内に処理すべきガス
   を導入して、該高周波沿面放電発生面の近傍を通過せし
   め、該高周波沿面放電発のプラズマ化学作用によつて該
   ガスを処理したうえ、処理後のガスを該ガス出口より外
   部に排出する事を特徴とするガス処理方法。 ２、請求項１記載のガス処理方法に於て、該ガス出口に
   接続して処理後のガス中に含まれる反応生成物を除去す
   るための後処理部を設け、該反応生成物を除去した後に
   外部に排出する事を特徴とするガス処理方法。 ３、ガスの入り口とガスの出口を有するガス処理部を有
   し、誘電体層を介してその一方の表面上にコロナ放電極
   を他方の表面上に面状誘導電極を設けてなる所の少なく
   とも１個の高周波沿面放電素子を、少なくともその該コ
   ロナ放電極が設けられた高周波沿面放電発生面が該ガス
   処理部内のガス通路に露出する如くに配設し、該コロナ
   放電極と該面状誘導電極に接続して両電極間に高周波高
   電圧を印加し、該コロナ放電極よりその周囲の該誘電体
   層表面に沿って高周波沿面放電を発生せしめるための高
   周波高圧電源を有し、該ガス入り口より該ガス処理部内
   に処理すべきガスを導入して、該高周波沿面放電発生面
   の近傍を通過せしめた後、該ガス出口より外部に排出す
   る事を特徴とするガス処理装置。 ４、請求項３に記載のガス処理装置に於て、該ガス出口
   に接続して処理後のガス中に含まれる反応生成物を除去
   するための後処理部を設けた事を特徴とするガス処理装
   置。 ５、請求項３及び４に記載のガス処理装置において、該
   高周波沿面放電素子の誘電体層が平板状でる事を特徴と
   するガス処理装置。 ６、請求項３及び４に記載のガス処理装置において、該
   高波沿面放電素子の誘電体層が円筒状であり、該コロナ
   放電極が該円筒状誘電体層の外表面上に設けられており
   、該面状誘導電極が該円筒状誘電体層の内表面上に設け
   られている事を特徴とするガス処理装置。 ７、請求項３及び４に記載のガス処理装置において、該
   高周波沿面放電素子の誘電体層が円筒状であり、該コロ
   ナ放電極が該円筒状誘電体層の内表面上に設けられてお
   り、該面状誘導電極が該円筒状誘電体層の外表面上に設
   けられている事を特徴とする請求項３に記載のガス処理
   装置。 ８、請求項３及び４に記載のガス処理装置において、該
   ガス処理部が少なくとも１個の円筒状誘電体層で構成さ
   れ、その外表面上に面状誘導電極を配設、その内表面上
   にコロナ放電極を配設してその内部をガス通路とし、こ
   れによつて該ガス処理部が該高周波沿面放電素子を兼ね
   ている事を特徴とするガス処理装置。 ９、請求項８のガス処理装置において、該ガス処理部を
   構成する円筒状誘電体層の内部に、これと同心的にガス
   の通過を遮る円筒状筒体を配設し、該円筒状誘電体層と
   該円筒状筒体との間の空隙にガス通路を形成した事を特
   徴とするガス処理装置。 １０、請求項８のガス処理装置において、該ガス処理部
   を構成する円筒状高周波沿面放電素子の内部に同心的に
   、外表面上にコロナ放電極、内表面上に面状誘導電極を
   配設してなり且つその内部にガスを通過させない別個の
   円筒状高周波沿面放電素子を設け、両素子間の空隙にガ
   ス通路を形成したた事を特徴とするガス処理装置。 １１、請求項３から１０までいずれか１項に記載のガス
   処理装置において、該コロナ放電極が線状であり、該面
   状誘導電極の外側を覆って別の誘電体層を設け、これに
   よって該面状誘導電極が実質的に一つの誘電体層の内部
   に埋設されている事を特徴とするガス処理装置。 １２、請求項３から１１までいずれか１項に記載のガス
   処理装置において、該高周波沿面放電素子の該面状誘導
   電極側表面を水冷するための水冷部と冷却水供給部を設
   けた事を特徴とするガス処理装置。 １３、請求項３から１１までいずれか１項に記載のガス
   処理装置において、該高周波沿面放電素子の該面状誘導
   電極側表面を空冷するための空冷部と冷却用空気供給部
   を設けた事を特徴とするガス処理装置、 １４、請求項３から１３までいずれか１項に記載のガス
   処理装置において、該高周波沿面放電素子の該コロナ放
   電極側表面を清掃するための清機構を設けた事を特徴と
   するガス処理装置。 １５、請求項４に記載のガス処理装置において、該後処
   理部が固体又は液体状反応生成物を除去するための電気
   集塵装置である事を特徴とするガス処理装置。 １６、請求項４に記載のガス処理装置において、該後処
   理部が固体状反応生成物を除去するための濾過集塵装置
   である事を特徴とするガス処理装置。 １７、請求項４に記載のガス処理装置において、該後処
   理部が固体又は液体状反応生成物を除去するためのスク
   ラッバーである事を特徴とするガス処理装置 １８、請求項４に記載のガス処理装置において、該後処
   理部が気体または液体状反応生物を吸収除去するための
   固体吸収剤を充填したガス吸収装置である事を特徴とす
   るガス処理装置。 １９、請求項４に記載のガス処理装置において、該後処
   理部が気体状反応生物を吸着除去収するための吸着剤を
   充填した乾式ガス吸着収装置である事を特徴とするガス
   処理装置。 ２０、請求項４に記載のガス処理装置において、該後処
   理部が気体状反応生物を更に接触反応により変成するた
   めの触媒を充填した接触反応装置である事を特徴とする
   ガス処理装置。 ２１、請求項４に記載のガス処理装置において、該後処
   理部が気体または液体状反応生物を吸収するための液体
   吸収剤を処理後のガスに接触せしめる湿式ガス吸収装置
   である事を特徴とするガス処理装置。 ２２、請求項３または４のいずれか１項に記載のガス処
   理装置において、該ガス処理部の上流に処理すべき対象
   ガス成分の処理を促進する添加ガスを注入するための添
   加ガス注入部を設けた事を特徴とするガス処理装置。 ２３、請求項３または４のいずれか１項に記載のガス処
   理装置において、該ガス処理部の上流、内部、下流の少
   なくともいずれかに、処理すべき対象ガス成分の処理を
   促進する光を照射する為の光源を設けた事を特徴とする
   ガス処理装置。