JPH03114224A - 電極の形成方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、半導体基板上への電極の形成方法に関する
。

〔発明の概要〕

電極をスパッタリング法で形成する際、使用するターゲ
ットをアルミニウムに０．７５〜０．８５ｗｔ％Ｓｉを
含有させたターゲットを使用することで、低いＳｉ濃度
の電極が得られる形成方法を提供する。

〔従来の技術〕

従来、スパッタリング法で電極を形成する際、アルミニ
ウムに１．Ｏｗｔ％Ｓｔを含有させたターゲットを使用
する事が知られている。

（発明が解決しようとする課題〕 電極形成後の熱処理での電極中のＳｉ溶解度は０゜５！
１ｔ％であり、従来のターゲットを使用した形成方法で
は、余分な０．５ｗｔ％のＳｉがコンタクトホール内の
半導体基板と電極の界面に析出し、接触抵抗を増大させ
半導体装置の動作を妨げる。

（ｆｆｌａを解決するための手段〕 上記の問題点を解決するために、電極を形成するスパッ
タリングに使用するターゲットを、アルミニウムに０．
７５〜０．８５ｗｔ％Ｓｉ含有の物を使う事で、形成さ
れた電極中の３１４度を０．７５〜０．８５ｗｔ％とな
るようにした。

〔作用〕

上記のようなターゲットを用いて、スパッタリングにて
電極を形成する事で、後の熱処理工程においてコンタク
トホール内の半導体基板と、電極界面のＳｉ析出を少な
（する事ができ、接触抵抗の増加を防止する。

〔実施例〕

以下にこの発明の実施例を図面に基づいて説明する。第
１図ｔａｌにおいてコンタクトホール部の電極表面から
半導体基板までのＳｉ濃度分布グラフを示す。斜線で示
されている面積に相当するＳｉが析出するＳｉｌであり
、第１図ｆｂｌのコンタクトホール内の電極２と半導体
基板４の界面に析出したＳｉ５として示す、この世は第
２図で示される従来の形成方法のものより少ない。

〔発明の効果〕

この発明は、以上説明したように半導体基板上にスパッ
タリング法で電極を形成する際、アルミニウムに０．７
５〜０．８５ｗｔ％Ｓｉ含有のターゲットを使うことで
、電極形成後の熱処理において電極と半導体基板界面に
析出する５ｉｉｉを少なくし、接触抵抗の増大を防止で
き、微細パターンの金属配線層を実現できる。

【図面の簡単な説明】

第１図１ａ）は本発明の形成方法の５ｉｆＱ度分布を示
すグラフ、（ｂｌは本発明により形成された半導体装置
の断面図、第２図＋ａｌは従来の形成方法のＳｉ’４度
分布を示すグラフ、（ｂｌは従来の方法により形成され
た半導体装置の断面図である。 ・析出するＳｉ ・電極 ・絶縁膜 ・半導体基板 ・析出したＳｔ 以上

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. アルミニウム合金を半導体基板上にスパッタリング法で
   形成する工程において、アルミニウムに０．７５〜０．
   ８５ｗｔ％Ｓｉを含有させたターゲットを使用すること
   を特徴とした電極の形成方法。