JPH02231773A - 非晶質太陽電池 - Google Patents
非晶質太陽電池Info
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- JPH02231773A JPH02231773A JP1051767A JP5176789A JPH02231773A JP H02231773 A JPH02231773 A JP H02231773A JP 1051767 A JP1051767 A JP 1051767A JP 5176789 A JP5176789 A JP 5176789A JP H02231773 A JPH02231773 A JP H02231773A
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
《産業上の利用分野》
本発明は非晶質半導体を用いた太陽電池、特に非晶質シ
リコンを用いた太陽電池に関する．《従来の技術》 非晶質シリコン太陽電池に用いる光入射側電極としては
，面積抵抗の低い透明導伝性材料が望まれてきた３抵抗
の低い透明電極としては絹をドーＩＬた′＃ｊＩ１ヒイ
゛〉ジウム（ＩＴＯ）が従来からよく知られているが、
その一方でＩＴＯは耐薬品性、耐プラズマ性の裸な１ヒ
字的安定性に劣るという欠点を有していた． 近年では、フッ素をドープしたｖＩＣヒ＃！Ｉｔ！（以
下ＳｎＯＩＦと略す》において、比抵抗が３．５×１０
’（Ωｃｍ）程度の低いものが得られることがわかり．
化学的安定性に優れていることとあいまって、この材料
が非晶質シリコン太陽電池の透明電極とし，て広く利用
され始めた， ところで非晶質シリコン膜をｆ１：製するには普通プラ
ズマＣＶＤ法が好んで用いられる．しかしながらこの膜
付けの際、ラジカル状水素などを含む非常に還元力の強
いプラズマにより酸化錫といえども劣化され、ひいては
太陽電池の効率を低ｆヒさせてしまうことが問題となっ
ていた． 《発明が解決しようとしている間Ｕ点》本発明ではこう
したプラズマによっても容易に劣１ヒしない，いわゆる
優れた耐フ゛ラズマ性能を有するＳｎ０２：Ｆｌｌを提
供し、もって効率の高い非晶質太陽電池を得ようとする
ものである７《問題点を解決する手段》 発明者はＳｎＯｚ：ＦｗＡの種々の物性と耐プラズマ性
能、言い換えると還元されにくさとの関係をつぶさに調
査した結果、Ｓｎ０２：Ｆ膜の結晶配向性と耐フ゛ラズ
マ性の間に一定の関係があることを見いだした．またこ
の配向性の違いによる耐プラズマ性能の差異が、非晶質
シリコン太陽電池の特性に大きな影響を与えることをつ
きとめ、従来良好とされていた低抵抗のＳｎ０２：Ｆｌ
ｌｌｌは耐プラズマ性能が悪く，この膜を透明電極とし
，て用いた非晶質シリコン太陽電池において、その特性
に限界がある原因の一つであると考えた． 上記Ｕｔヒ錫の桔晶配向性はＸ線回折実験により調べろ
ことができる、酸１ヒ絹膜の場合．Ｘ線回折パターンに
現れる主なピークは低回折角から順に（１１０）．（１
０１）、（２００１、（２１１）（２２０）、（３１０
）．（３０１）となる，二のうち特に強いピーク強度が
得られるのは（１１０），（２００）、（２１１＞の３
つでありこれらのピーク強度の動向が酸１ヒＰ膜の桔晶
配向性の目安となりうる， また、酸１ヒ覇膜の腔厚と耐プラズマ性能の関１系の検
討らおこなった、太陽電池基板としては、直列抵抗との
関係からｌＯΩ／口程度の面積抵抗の膜が必要である，
そのためには０．３μｍ程度の膜厚が必要で、膜厚と耐
プラズマ性能との関係を調べたところ，以上であればほ
ぼ同等の各面積強度の比が０．２５以上０．４７５以下
にある＃！ｉ１ヒ絹膜はそれ以外の領域にあるＲ（ヒ錫
膜に比べて耐プラズマ性能が良好であることが明らかと
なった，またいろいろな面強度比を持つａｔヒ錫膜につ
いて、非晶質シリコン太陽電池を形成しその変換効率を
調べなところ、前述の耐プラズマ性能が良好なものは太
陽電池の効率も高いことがわかった．こうしたＳｎ０２
：Ｆ透明電極膜を得る方法としてはスプレー法，ＣＶＤ
法、スパッタリング法、ディ・ツプ法など種々の方法が
あるが、なかでもＣＶＤ法が得られる膜の特性の面から
も優れており、また経済性をも兼ね備えた成膜方法とし
て広く利用されている，ＣＶＤ法において用いられる鍋
原料として−はＳｎＣｌ４、（ Ｃｎ Ｈ ２ｒ１ヤ＋
）４ Ｓ ｎ （ただしｎ＝１〜４）、Ｃ４Ｈ９Ｓｎ
Ｃ１３ （ＣＨ３）２ＳｎＣ１２等を筺用するのが
一般的である，また、フッ素をドーピングするための原
科としてはＨＦ、ＣＣｌ２Ｆ２、ＣＨＣＩＦ２、ＣＨ３
ＣＨ・Ｆ２、Ｃ ＦｓＢｒ等がよく用いられている， これら原科を用いてＳｎ０２：Ｆ膜を作製するに当たっ
て，そのｆｔ！製条件によって上記配向性は変化する傾
向にある．具体的にはＳｎＯｚ：ＦＷＡの形成温度，膜
厚の池に酸化削である水蒸気の導入量ら重要である．配
向性が耐プラズマ性能と密接に関係するその１１綱な機
構は現在のところ明らかではないが，最表面に露出する
面における原子の単位面積当りのＩＩＩ数密度または絽
原子と酸素原子の個数比等が結晶面により．異なること
が原因の一つになっていよう， 実施例ｌ 大きさが１００ＸＩＯＯｍｍ、厚さ１．９ｍｍのソーダ
ライムガラスを十分洗浄乾燥しガラス基板とした７こめ
基板上に以下のようにして透明電極を形成した， 四塩化覇《無水》と水蒸気、酸素ガス、塩素を含まない
フレオンガスである１．１−ジフルフル才口エタンガス
および窒素ガスよりなる混合気体において，水蒸気と四
塩１ヒ覇の混合割合またはガラスの加熱温度を変化させ
ながらＣＶＤ法によりＳｎＯｚ：Ｆｌｉｇを１１！製し
た，得られた透明電極の膜厚は０．６μｍであり膜の面
積抵抗は約６Ω／口であった． 以山の手続きにより得られたＳｎＯｚ：Ｆ膜に対して太
陽光透過率（Ｔｇ）を測定し、さらにこれら膜の配向性
をＸ線回折実験から調べた．第１図に代表的なＸ線回折
パターンを示す．Ｘ線回折強度の評価としては、簡単の
ためにＳｎ０２：Ｆ膜のＸ線回折パターン中、主要なピ
ークである（１１０），（２００）．、（２１１）の３
つに絞り次のように各ピークの相対的強度比を求めた，
これらの値をＳｎＯｚ：Ｆｉｌｌの結晶形態に対する評
価の尺度として用いた， 次にこ７ｔらｓｎｏｚ：Ｆｉ！の耐プラズマ性能につい
て検討すろために水素ガスプラズマに基板を次のような
手続きで曝した，すなわち、ＳｎＯＩＦ暎けきガラスを
十分洗浄乾燥した後、水素ガスを１ ７０Ｐａ程（支）
の圧力下で容量結合型高周波グロー放電装置により周波
数１３．５６ＭＨｚ，放電電力２４Ｗ，基板温度２２０
℃で一分間の処理を行なった， こうして得られた処理基板の大陽光透過率Ｔｇを測定す
ることにより、処理前後におけるＴｇの変１ヒを調べ、
耐プラズマ性能の尺度とした。
リコンを用いた太陽電池に関する．《従来の技術》 非晶質シリコン太陽電池に用いる光入射側電極としては
，面積抵抗の低い透明導伝性材料が望まれてきた３抵抗
の低い透明電極としては絹をドーＩＬた′＃ｊＩ１ヒイ
゛〉ジウム（ＩＴＯ）が従来からよく知られているが、
その一方でＩＴＯは耐薬品性、耐プラズマ性の裸な１ヒ
字的安定性に劣るという欠点を有していた． 近年では、フッ素をドープしたｖＩＣヒ＃！Ｉｔ！（以
下ＳｎＯＩＦと略す》において、比抵抗が３．５×１０
’（Ωｃｍ）程度の低いものが得られることがわかり．
化学的安定性に優れていることとあいまって、この材料
が非晶質シリコン太陽電池の透明電極とし，て広く利用
され始めた， ところで非晶質シリコン膜をｆ１：製するには普通プラ
ズマＣＶＤ法が好んで用いられる．しかしながらこの膜
付けの際、ラジカル状水素などを含む非常に還元力の強
いプラズマにより酸化錫といえども劣化され、ひいては
太陽電池の効率を低ｆヒさせてしまうことが問題となっ
ていた． 《発明が解決しようとしている間Ｕ点》本発明ではこう
したプラズマによっても容易に劣１ヒしない，いわゆる
優れた耐フ゛ラズマ性能を有するＳｎ０２：Ｆｌｌを提
供し、もって効率の高い非晶質太陽電池を得ようとする
ものである７《問題点を解決する手段》 発明者はＳｎＯｚ：ＦｗＡの種々の物性と耐プラズマ性
能、言い換えると還元されにくさとの関係をつぶさに調
査した結果、Ｓｎ０２：Ｆ膜の結晶配向性と耐フ゛ラズ
マ性の間に一定の関係があることを見いだした．またこ
の配向性の違いによる耐プラズマ性能の差異が、非晶質
シリコン太陽電池の特性に大きな影響を与えることをつ
きとめ、従来良好とされていた低抵抗のＳｎ０２：Ｆｌ
ｌｌｌは耐プラズマ性能が悪く，この膜を透明電極とし
，て用いた非晶質シリコン太陽電池において、その特性
に限界がある原因の一つであると考えた． 上記Ｕｔヒ錫の桔晶配向性はＸ線回折実験により調べろ
ことができる、酸１ヒ絹膜の場合．Ｘ線回折パターンに
現れる主なピークは低回折角から順に（１１０）．（１
０１）、（２００１、（２１１）（２２０）、（３１０
）．（３０１）となる，二のうち特に強いピーク強度が
得られるのは（１１０），（２００）、（２１１＞の３
つでありこれらのピーク強度の動向が酸１ヒＰ膜の桔晶
配向性の目安となりうる， また、酸１ヒ覇膜の腔厚と耐プラズマ性能の関１系の検
討らおこなった、太陽電池基板としては、直列抵抗との
関係からｌＯΩ／口程度の面積抵抗の膜が必要である，
そのためには０．３μｍ程度の膜厚が必要で、膜厚と耐
プラズマ性能との関係を調べたところ，以上であればほ
ぼ同等の各面積強度の比が０．２５以上０．４７５以下
にある＃！ｉ１ヒ絹膜はそれ以外の領域にあるＲ（ヒ錫
膜に比べて耐プラズマ性能が良好であることが明らかと
なった，またいろいろな面強度比を持つａｔヒ錫膜につ
いて、非晶質シリコン太陽電池を形成しその変換効率を
調べなところ、前述の耐プラズマ性能が良好なものは太
陽電池の効率も高いことがわかった．こうしたＳｎ０２
：Ｆ透明電極膜を得る方法としてはスプレー法，ＣＶＤ
法、スパッタリング法、ディ・ツプ法など種々の方法が
あるが、なかでもＣＶＤ法が得られる膜の特性の面から
も優れており、また経済性をも兼ね備えた成膜方法とし
て広く利用されている，ＣＶＤ法において用いられる鍋
原料として−はＳｎＣｌ４、（ Ｃｎ Ｈ ２ｒ１ヤ＋
）４ Ｓ ｎ （ただしｎ＝１〜４）、Ｃ４Ｈ９Ｓｎ
Ｃ１３ （ＣＨ３）２ＳｎＣ１２等を筺用するのが
一般的である，また、フッ素をドーピングするための原
科としてはＨＦ、ＣＣｌ２Ｆ２、ＣＨＣＩＦ２、ＣＨ３
ＣＨ・Ｆ２、Ｃ ＦｓＢｒ等がよく用いられている， これら原科を用いてＳｎ０２：Ｆ膜を作製するに当たっ
て，そのｆｔ！製条件によって上記配向性は変化する傾
向にある．具体的にはＳｎＯｚ：ＦＷＡの形成温度，膜
厚の池に酸化削である水蒸気の導入量ら重要である．配
向性が耐プラズマ性能と密接に関係するその１１綱な機
構は現在のところ明らかではないが，最表面に露出する
面における原子の単位面積当りのＩＩＩ数密度または絽
原子と酸素原子の個数比等が結晶面により．異なること
が原因の一つになっていよう， 実施例ｌ 大きさが１００ＸＩＯＯｍｍ、厚さ１．９ｍｍのソーダ
ライムガラスを十分洗浄乾燥しガラス基板とした７こめ
基板上に以下のようにして透明電極を形成した， 四塩化覇《無水》と水蒸気、酸素ガス、塩素を含まない
フレオンガスである１．１−ジフルフル才口エタンガス
および窒素ガスよりなる混合気体において，水蒸気と四
塩１ヒ覇の混合割合またはガラスの加熱温度を変化させ
ながらＣＶＤ法によりＳｎＯｚ：Ｆｌｉｇを１１！製し
た，得られた透明電極の膜厚は０．６μｍであり膜の面
積抵抗は約６Ω／口であった． 以山の手続きにより得られたＳｎＯｚ：Ｆ膜に対して太
陽光透過率（Ｔｇ）を測定し、さらにこれら膜の配向性
をＸ線回折実験から調べた．第１図に代表的なＸ線回折
パターンを示す．Ｘ線回折強度の評価としては、簡単の
ためにＳｎ０２：Ｆ膜のＸ線回折パターン中、主要なピ
ークである（１１０），（２００）．、（２１１）の３
つに絞り次のように各ピークの相対的強度比を求めた，
これらの値をＳｎＯｚ：Ｆｉｌｌの結晶形態に対する評
価の尺度として用いた， 次にこ７ｔらｓｎｏｚ：Ｆｉ！の耐プラズマ性能につい
て検討すろために水素ガスプラズマに基板を次のような
手続きで曝した，すなわち、ＳｎＯＩＦ暎けきガラスを
十分洗浄乾燥した後、水素ガスを１ ７０Ｐａ程（支）
の圧力下で容量結合型高周波グロー放電装置により周波
数１３．５６ＭＨｚ，放電電力２４Ｗ，基板温度２２０
℃で一分間の処理を行なった， こうして得られた処理基板の大陽光透過率Ｔｇを測定す
ることにより、処理前後におけるＴｇの変１ヒを調べ、
耐プラズマ性能の尺度とした。
以上の結果を第１表に示す．ピーク（ｌｔｏ＞に対する
（１１０）＋（２００）±（２１１）との割合を示す相
対的強度比を（１１０）の記号で示した．同様に，他の
ピークのものについて（２ｏｏ＞．ｌｔｌ＞で示し．た
ゆまた各面強度比《１１０）、（２００）、（２１１）
と太陽光透過率Ｔｇの関係を第２図から第４図に示す６
各図中《０》はプラズマ処理前におけるＴｇ、《●》は
プラズマ処理後のＴｇの値を示している，口２から（ｌ
ｔｏ＞面強度比が０．２７５以下になると耐プラズマ性
能が低下すること、また口３から（２００》面強度比が
０．２７５以下または０．４７ ５ Ｌ：ｊ．上である
と酎プラズマ性能が低下すること，図４から（２１１）
面強度比が０．２７５以下または０．４７５ＬＵ上では
耐プラズマ性能が低下することがわかった， 実施例２ 実緒例ｌと同様の手順に従いＳｎ０２：Ｆ膜の膜厚が０
．２、０，４、０．９μｍのものを得た．この基板に実
施例と同様のＸ線回折実験による評酒ならびに水素ガス
プラズマ処理を施した，その結果を第２表に示す．，・
また各面強度比（１１０）、（２００）．＜２１１）と
太陽光透過率Ｔｇの関係を第２図から第４ｅ？ｌに示す
，各図中く口、■》は２０００人，（Δ、▲〉は４００
０人、（◇、◆》は９ｏｏｏＡの膜厚の場合の結果であ
る．２０００人の場合をのぞき面強度比と耐プラズマ性
能の関係はおおむね実施例１の結果に合致した，実施例
３ 実施例１で得られなＳｎＯｇ：ＦＩｉＲ付きガラスを十
分に洗浄乾燥したｔ＆ ．水素およびモノシランガス等
を成分とする混合ガスを用いて１７０Ｐａ程度の圧力下
で容量結合型高周波グロー放電装置を用いて非晶質シリ
コン太陽電池をこれら基板上に形成した，非晶質シ．リ
コン太陽電池の楕成ならびに成Ｒ粂件は以下に示すとお
りである．（１）ρ層 ａ−ＳｉＣ：Ｈ ＩＯＯＡモ
ノシラン ５５ｓｃｃｍ メタン １５ｓｃｃｍ ジボラン ３０ｓｃｃｍ 放電電力 ５ ＳＶ １板温度 ２２０℃ 《２》１層 ａ−Ｓｌ：Ｈ ４０００Ａモノシラン１
００ｓｃｃｍ 放電電力 ５Ｗ 基板温度 ２２０℃ 《３》ｎ層 ＪＪＣ−Ｓｌ：Ｈ ５００Ａモノシラン
２５ｓｅｃｍ フオスフイン２５ｓｃｃｍ 放電電力 ５０Ｗ 基仮温度 ２２０℃ 以上の手順にし．たがって形成された非晶質シリコン上
に裏面電極とし．てＡ！層を１３３Ｐａ程度の圧力下で
真空蒸着し太陽電池とした，太陽電池の特性の評償はソ
ーラーシュミレー夕を用いＡＭ１、１００ｍＷ／Ｃｍ’
の疑似太陽光を非晶質シリコン太陽電池に照射し行なっ
た，結果は第３表に示される．また太陽電池の変換効率
（従来品との相対値》とＳｎｏｗ：Ｆｌ！中のフ・ソ素
濃度との関係を第５図に示した， 第 ３ 表 Ｎｏ Ｖｏｃ Ｉｓｃ ｌ／．Ｆ
変換効率１−１ １．０２
０．９７ ０．９９ ０．９８１
−３ １．０３ １．０２
０．９６ １．０１１−４ １．０５
０．９４ １．０？
１．０５１−５ １．０１ ０．９？
１．０１ ０．９８１−９
１．００ ０．９６ １．０２
０．９８１−１３ １．・０４
１．０Ｇ １．０６ １．１１１−
１６ １．０５ １．Ｑ２
１．０２ １．０９１−１？ １．０
６ １．０１ １．０４ １
．３０１−１１１ １．０６ ０．９
３ １．１０ １．０８１−１９
０．９８ １．０３ １．０１
１．０２１−２１ １．００
１．０４ ０．９９ ３．０３與
施例１の基板を用いた太陽電池ではフッ素濃度が０．２
３以下０．０４重量９６以上の基板で従来品より優れた
特性を示した，また夷施例３のフッ素を含まない基板で
は実施例３に述べたように耐プラズマ性能では優れてい
たものの、面積抵抗が高く従来品より良い特性とはなら
なかった，《発明の効果》 以上のように本発明によれば、非晶質太陽電池において
その基板にＳｎ０２：Ｆを用いる際、ＳｎＯｚ：Ｆｒｌ
Ａの結晶配向性・について、胴のＸ線回折強度のうち、
主要ピークの（１１０）、（２００）、（２１１）の３
つのピーク強度の総和に対する各ピーク強度の比が０．
２５以上．０．４７５以下の範囲に収めれば、耐プラズ
マ性能に優れた基板となり良好な特性を示す太陽電池を
得ることが可能になった，
（１１０）＋（２００）±（２１１）との割合を示す相
対的強度比を（１１０）の記号で示した．同様に，他の
ピークのものについて（２ｏｏ＞．ｌｔｌ＞で示し．た
ゆまた各面強度比《１１０）、（２００）、（２１１）
と太陽光透過率Ｔｇの関係を第２図から第４図に示す６
各図中《０》はプラズマ処理前におけるＴｇ、《●》は
プラズマ処理後のＴｇの値を示している，口２から（ｌ
ｔｏ＞面強度比が０．２７５以下になると耐プラズマ性
能が低下すること、また口３から（２００》面強度比が
０．２７５以下または０．４７ ５ Ｌ：ｊ．上である
と酎プラズマ性能が低下すること，図４から（２１１）
面強度比が０．２７５以下または０．４７５ＬＵ上では
耐プラズマ性能が低下することがわかった， 実施例２ 実緒例ｌと同様の手順に従いＳｎ０２：Ｆ膜の膜厚が０
．２、０，４、０．９μｍのものを得た．この基板に実
施例と同様のＸ線回折実験による評酒ならびに水素ガス
プラズマ処理を施した，その結果を第２表に示す．，・
また各面強度比（１１０）、（２００）．＜２１１）と
太陽光透過率Ｔｇの関係を第２図から第４ｅ？ｌに示す
，各図中く口、■》は２０００人，（Δ、▲〉は４００
０人、（◇、◆》は９ｏｏｏＡの膜厚の場合の結果であ
る．２０００人の場合をのぞき面強度比と耐プラズマ性
能の関係はおおむね実施例１の結果に合致した，実施例
３ 実施例１で得られなＳｎＯｇ：ＦＩｉＲ付きガラスを十
分に洗浄乾燥したｔ＆ ．水素およびモノシランガス等
を成分とする混合ガスを用いて１７０Ｐａ程度の圧力下
で容量結合型高周波グロー放電装置を用いて非晶質シリ
コン太陽電池をこれら基板上に形成した，非晶質シ．リ
コン太陽電池の楕成ならびに成Ｒ粂件は以下に示すとお
りである．（１）ρ層 ａ−ＳｉＣ：Ｈ ＩＯＯＡモ
ノシラン ５５ｓｃｃｍ メタン １５ｓｃｃｍ ジボラン ３０ｓｃｃｍ 放電電力 ５ ＳＶ １板温度 ２２０℃ 《２》１層 ａ−Ｓｌ：Ｈ ４０００Ａモノシラン１
００ｓｃｃｍ 放電電力 ５Ｗ 基板温度 ２２０℃ 《３》ｎ層 ＪＪＣ−Ｓｌ：Ｈ ５００Ａモノシラン
２５ｓｅｃｍ フオスフイン２５ｓｃｃｍ 放電電力 ５０Ｗ 基仮温度 ２２０℃ 以上の手順にし．たがって形成された非晶質シリコン上
に裏面電極とし．てＡ！層を１３３Ｐａ程度の圧力下で
真空蒸着し太陽電池とした，太陽電池の特性の評償はソ
ーラーシュミレー夕を用いＡＭ１、１００ｍＷ／Ｃｍ’
の疑似太陽光を非晶質シリコン太陽電池に照射し行なっ
た，結果は第３表に示される．また太陽電池の変換効率
（従来品との相対値》とＳｎｏｗ：Ｆｌ！中のフ・ソ素
濃度との関係を第５図に示した， 第 ３ 表 Ｎｏ Ｖｏｃ Ｉｓｃ ｌ／．Ｆ
変換効率１−１ １．０２
０．９７ ０．９９ ０．９８１
−３ １．０３ １．０２
０．９６ １．０１１−４ １．０５
０．９４ １．０？
１．０５１−５ １．０１ ０．９？
１．０１ ０．９８１−９
１．００ ０．９６ １．０２
０．９８１−１３ １．・０４
１．０Ｇ １．０６ １．１１１−
１６ １．０５ １．Ｑ２
１．０２ １．０９１−１？ １．０
６ １．０１ １．０４ １
．３０１−１１１ １．０６ ０．９
３ １．１０ １．０８１−１９
０．９８ １．０３ １．０１
１．０２１−２１ １．００
１．０４ ０．９９ ３．０３與
施例１の基板を用いた太陽電池ではフッ素濃度が０．２
３以下０．０４重量９６以上の基板で従来品より優れた
特性を示した，また夷施例３のフッ素を含まない基板で
は実施例３に述べたように耐プラズマ性能では優れてい
たものの、面積抵抗が高く従来品より良い特性とはなら
なかった，《発明の効果》 以上のように本発明によれば、非晶質太陽電池において
その基板にＳｎ０２：Ｆを用いる際、ＳｎＯｚ：Ｆｒｌ
Ａの結晶配向性・について、胴のＸ線回折強度のうち、
主要ピークの（１１０）、（２００）、（２１１）の３
つのピーク強度の総和に対する各ピーク強度の比が０．
２５以上．０．４７５以下の範囲に収めれば、耐プラズ
マ性能に優れた基板となり良好な特性を示す太陽電池を
得ることが可能になった，
第１図は典型的なＳｎＯｚ：Ｆ膜のＸ線回折パターン、
第２〜４因は各々（１１０）、（２００）、（２１１）
の面のＸ線回折強度相対比とプラズマ処理前後における
太陽光透過率Ｔｇの関係を示したもの、また第５ｃｉＩ
ハ（１１゜０》、（２００）、（２１１）の面のＸ線回
折強度相対比と非晶質シリ．コン太陽電池変換効率との
関係を図示したものである． 第２図 （１１Ｇ）−←（２００）＋（２１１）（２ １０）＋
（２０Ｇ）＠Ｚ１ １ ）第４図 （１１０）◆（２０Ｇ）＋（２１１） （１３０）＋（２００）÷（２１１）
第２〜４因は各々（１１０）、（２００）、（２１１）
の面のＸ線回折強度相対比とプラズマ処理前後における
太陽光透過率Ｔｇの関係を示したもの、また第５ｃｉＩ
ハ（１１゜０》、（２００）、（２１１）の面のＸ線回
折強度相対比と非晶質シリ．コン太陽電池変換効率との
関係を図示したものである． 第２図 （１１Ｇ）−←（２００）＋（２１１）（２ １０）＋
（２０Ｇ）＠Ｚ１ １ ）第４図 （１１０）◆（２０Ｇ）＋（２１１） （１３０）＋（２００）÷（２１１）
Claims (3)
- （１）透明基板上に酸化錫を主成分とする透明電極、非
晶質層および電極を被着させた非晶質太陽電池において
、該酸化錫を生成分とする透明電極のＸ線回折パターン
中（１１０）、（２００）、（２１１）の３つの面から
の回折ピークについて、二の３つの回折強度の和に対す
る各々の回折強度の比がいずれも０．２５ないしは０．
４７５の範囲にあることを特徴とする非晶質太陽電池 - （２）該酸化錫を主成分とする透明電極が熱分解酸化反
応により透明基板上に付着されたものであることを特徴
とする特許請求の範囲第１項記載の非晶質太陽電池 - （３）該酸化錫を主成分とする透明電極の厚みが０．３
μｍないし１．０μｍの範囲にあることを特徴とする特
許請求の範囲第１項あるいは第２項記載の非晶質太陽電
池
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1051767A JPH02231773A (ja) | 1989-03-03 | 1989-03-03 | 非晶質太陽電池 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1051767A JPH02231773A (ja) | 1989-03-03 | 1989-03-03 | 非晶質太陽電池 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02231773A true JPH02231773A (ja) | 1990-09-13 |
Family
ID=12896100
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1051767A Pending JPH02231773A (ja) | 1989-03-03 | 1989-03-03 | 非晶質太陽電池 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02231773A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999025029A1 (en) * | 1997-11-10 | 1999-05-20 | Kaneka Corporation | Method of producing silicon thin-film photoelectric transducer and plasma cvd apparatus used for the method |
| US7718091B2 (en) * | 2003-10-02 | 2010-05-18 | Nederlandse Organisatie Voor Toegepast-Natuurwetenschappelijk Onderzoek Tno | Coating which is applied to substrate, a solar cell, and method for applying the coating to the substrate |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61115354A (ja) * | 1984-11-12 | 1986-06-02 | Agency Of Ind Science & Technol | 非晶質半導体太陽電池 |
-
1989
- 1989-03-03 JP JP1051767A patent/JPH02231773A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61115354A (ja) * | 1984-11-12 | 1986-06-02 | Agency Of Ind Science & Technol | 非晶質半導体太陽電池 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999025029A1 (en) * | 1997-11-10 | 1999-05-20 | Kaneka Corporation | Method of producing silicon thin-film photoelectric transducer and plasma cvd apparatus used for the method |
| EP2251913A3 (en) * | 1997-11-10 | 2012-02-22 | Kaneka Corporation | Method of Manufacturing Silicon-Based Thin Film Photoelectric Converter and Plasma CVD Apparatus Used for Such Method |
| US7718091B2 (en) * | 2003-10-02 | 2010-05-18 | Nederlandse Organisatie Voor Toegepast-Natuurwetenschappelijk Onderzoek Tno | Coating which is applied to substrate, a solar cell, and method for applying the coating to the substrate |
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