JPH02132843A - 半導体圧力センサ用ウェハの切断方法 - Google Patents
半導体圧力センサ用ウェハの切断方法Info
- Publication number
- JPH02132843A JPH02132843A JP63287163A JP28716388A JPH02132843A JP H02132843 A JPH02132843 A JP H02132843A JP 63287163 A JP63287163 A JP 63287163A JP 28716388 A JP28716388 A JP 28716388A JP H02132843 A JPH02132843 A JP H02132843A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- groove
- cutting
- yield
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
- B81C1/00—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
- B81C1/00865—Multistep processes for the separation of wafers into individual elements
- B81C1/00873—Multistep processes for the separation of wafers into individual elements characterised by special arrangements of the devices, allowing an easier separation
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Pressure Sensors (AREA)
- Dicing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
この発明は、工業計測等の産業用として用いられ、ある
いは自動車に積載される等の民生用として用いられる半
導体圧力センサを製造する方法に関し、とくにそのウェ
ハを切断してチップとする際の切断方法の改善に関する
．
いは自動車に積載される等の民生用として用いられる半
導体圧力センサを製造する方法に関し、とくにそのウェ
ハを切断してチップとする際の切断方法の改善に関する
．
半導体圧力センサはシリコンのビエゾ抵抗効果を利用し
た高感度な圧力センサである．これは、シリコンウェハ
上に半導体ブレーナ技術により拡散抵抗を作り、その裏
面をエッチングして薄くし、その薄い部分を圧力に応じ
て変形するダイアフラムとし、その後裏面にガラス台座
を接着し、さらにこれを所定の大きさに切断して多数の
チップ？作ることにより製造される．このように、半導
体圧力センサ用ウェハはシリコンウェハの裏面に厚いガ
ラス台座が接着された構造となっているため、このウェ
ハを切断して多数のチップを作る際、シリコンを切断す
るためのブレードを使用することは不可能で、レジンブ
レードを用いるようにしている．これを図示すると、第
４図のように、シリコンウェハ１の裏面にガラス台座２
が接着されたものを、レジンブレード３で切断すること
になる．
た高感度な圧力センサである．これは、シリコンウェハ
上に半導体ブレーナ技術により拡散抵抗を作り、その裏
面をエッチングして薄くし、その薄い部分を圧力に応じ
て変形するダイアフラムとし、その後裏面にガラス台座
を接着し、さらにこれを所定の大きさに切断して多数の
チップ？作ることにより製造される．このように、半導
体圧力センサ用ウェハはシリコンウェハの裏面に厚いガ
ラス台座が接着された構造となっているため、このウェ
ハを切断して多数のチップを作る際、シリコンを切断す
るためのブレードを使用することは不可能で、レジンブ
レードを用いるようにしている．これを図示すると、第
４図のように、シリコンウェハ１の裏面にガラス台座２
が接着されたものを、レジンブレード３で切断すること
になる．
しかしながら、レジンブレード３は粒度が粗い（＃３２
０〜＃ ６ ０ ．０ ＞ため、切断時にチップのコー
ナーが欠ける（これをチッピングという）ことがあり、
歩留まりを悪化させている。しがちこのチッピング４は
がなり大きいので、それを考慮して切断部の巾（切断し
ろ）を広くする必要があり、その結果、ウェハ当りの収
率（チップ取りの数）が小さいという問題もある． この発明は、歩留まり及び収率を向上させることができ
る、半導体圧力センサ用ウェハの切断方法を提供するこ
とを目的とする．
０〜＃ ６ ０ ．０ ＞ため、切断時にチップのコー
ナーが欠ける（これをチッピングという）ことがあり、
歩留まりを悪化させている。しがちこのチッピング４は
がなり大きいので、それを考慮して切断部の巾（切断し
ろ）を広くする必要があり、その結果、ウェハ当りの収
率（チップ取りの数）が小さいという問題もある． この発明は、歩留まり及び収率を向上させることができ
る、半導体圧力センサ用ウェハの切断方法を提供するこ
とを目的とする．
上記目的を達成するため、この発明による半導体圧力セ
ンサ用ウェハの切断方法においては、裏面にガラス台座
が接着されている半導体圧力センサ用ウェハの表面に、
実質的に傾斜している面を有する細長い溝をエッチング
により形成し、ブレードにより該傾斜面の部分において
上記ウェハ及びガラス台座を切断することが特徴となっ
ている．
ンサ用ウェハの切断方法においては、裏面にガラス台座
が接着されている半導体圧力センサ用ウェハの表面に、
実質的に傾斜している面を有する細長い溝をエッチング
により形成し、ブレードにより該傾斜面の部分において
上記ウェハ及びガラス台座を切断することが特徴となっ
ている．
溝の傾斜面の部分において、ブレードを用いてウェハと
ガラス台座とを切断するので、チッピングは発生しない
．そのため、切断によるチップ形成工程での歩留まりが
向上する。 また、チッピングが発生しないため切断部分の？（切断
しろ）が狭くて済み、ウェハ当りの収率の向上を図るこ
とができる． したがって、これらから半導体圧力センサの製造コスト
を低減できる。
ガラス台座とを切断するので、チッピングは発生しない
．そのため、切断によるチップ形成工程での歩留まりが
向上する。 また、チッピングが発生しないため切断部分の？（切断
しろ）が狭くて済み、ウェハ当りの収率の向上を図るこ
とができる． したがって、これらから半導体圧力センサの製造コスト
を低減できる。
つぎにこの発明の一実施例について図面を参照しながら
説明する．まず、第１図Ａに示すように、抵抗層１２、
電極１３等が設けられたシリコン基板１１の表裏両面に
ＳｉＮ膜１５を形成する．このシリコン基板１１は、こ
の実施例では、表裏の面が（１００）へき開面となって
おり、表面側にボロンを選択拡散してゲージ抵抗となる
抵抗層１２が作られ、その上にアルミニウム電極１３が
設けられている．１４は拡散マスク等に用いられたＳｉ
０２膜テアル．ＳｉＮ膜１５はｃＶＤ（化学気相堆積）
法により形成される。 その後、第１図Ｂに示すように、フォトリソグラフィに
よりＳｉＮ膜１５とＳｉＯ■膜１４の一部を選択的に除
去してエッチング用の窓１６、１７を形成する。この窓
１６はシリコン基板ｌ１の裏面に凹部を形成してダイア
フラム（薄い部分）を作るためのものであり、窓１７は
切断部となるＶ溝を形成するためのものであるから、そ
れぞれダイアフラム、切断部の位置に設ける必要がある
．つぎにエッチング液としてＫＯＨを用いて、窓１６、
１７の部分よりシリコン基板１１の表裏両面をエッチン
グする．その結果、第１図Ｃのように裏面に四部１８が
形成されることによって抵抗１１２付近が薄くされてダ
イアフラムとされる。 また、窓１７の部分では■溝１９が形成される．すなわ
ち、（１１１）面に対してはエッチングレートが遅くな
る（１／１８０程度となる》異方性エッチングのため、
エッチングにより（１１１）面が形成されることになる
．これは凹部１８及びＶ溝１９について同じであるが、
Ｖ溝１９については窓〕７が細長くなっていてその巾が
狭いため（１１１）面同士が交差するようになった後は
エッチングがほとんど進まず、結果的に（１１１）面同
士が交差するＶ字形となるからである．これに対して凹
部１８の場合はその巾が広いため、（１１１）面同士が
交差するまでには至らず台形の凹部となる．シリコン基
板１１の表裏の面はこの実施例では上記のように（１０
０）へき開面となっているため、表面とＶ溝１９を形成
する２つの（１１１）面との間の角度はそれぞれ５４．
７゜となる．このことは、表裏両面からエッチングを行
なう際、大きく、深い所定サイズの凹部１８が形成でき
るだけの条件でエッチングを行なえば、自動的に所定角
度の■溝１９が形成されることを意味し、Ｖ溝１９に関
してはその窓１７の巾のみで形状・深さを決めることが
でき、Ｖ溝１９に関してのエッチング条件は考慮しなく
てよいことになる．そのため、凹部１８の形成時に同時
にＶ溝１９を形成することが容易である。 こうして、凹部１８とＶ溝１９とを形成した後、表面側
のＳｉＮ膜１５の一部をフォトリングラフィにより除去
してコンタクトホールを形成し、あるいは裏面のＳｉ０
２膜１ ４ 、ＳｉＮ膜１５を全部除去するなどしてか
ら、その裏面を第１図Ｄに示すようにガラス台座２に接
着する．そしてレジンブレード３を■溝１９に入れるよ
うにして、Ｖ溝１９の両傾斜面において点線のように切
断して多数のチップを作る．すると切断端面（点線）が
Ｖ溝１９の傾斜面に位置するので、チッピングが生じる
ことなく歩留まりが向上する．また、従来３００一程度
必要であった切断部の巾（切断しろ）は２００一程度で
よくなり、その分１つのウェハから多数のチップが取れ
ることになり、収率が向上する．なお、上記では、Ｖ溝
１９を１つ形成してその両傾斜面の部分で切断するよう
にしたが、第２図に示すようにＶＩ１９を２つ設けて、
それぞれの傾斜面を利用してレジンブレード３で切断す
ることによりチッピングをなくすことができる．また、
レジンブレードで切断する際、傾斜面を利用すればチッ
ピングをなくすことができるので、必ずしも上記のよう
に異方性エッチングによって■溝１９を作ることだけに
限定されない．さらに、切断面が実質的に傾斜した面の
部分にあればよいので、■溝に限らず、Ｕ字形の溝を形
成し、その適当に傾斜した部分の面を選んでその部分で
切断することも考えられる．
説明する．まず、第１図Ａに示すように、抵抗層１２、
電極１３等が設けられたシリコン基板１１の表裏両面に
ＳｉＮ膜１５を形成する．このシリコン基板１１は、こ
の実施例では、表裏の面が（１００）へき開面となって
おり、表面側にボロンを選択拡散してゲージ抵抗となる
抵抗層１２が作られ、その上にアルミニウム電極１３が
設けられている．１４は拡散マスク等に用いられたＳｉ
０２膜テアル．ＳｉＮ膜１５はｃＶＤ（化学気相堆積）
法により形成される。 その後、第１図Ｂに示すように、フォトリソグラフィに
よりＳｉＮ膜１５とＳｉＯ■膜１４の一部を選択的に除
去してエッチング用の窓１６、１７を形成する。この窓
１６はシリコン基板ｌ１の裏面に凹部を形成してダイア
フラム（薄い部分）を作るためのものであり、窓１７は
切断部となるＶ溝を形成するためのものであるから、そ
れぞれダイアフラム、切断部の位置に設ける必要がある
．つぎにエッチング液としてＫＯＨを用いて、窓１６、
１７の部分よりシリコン基板１１の表裏両面をエッチン
グする．その結果、第１図Ｃのように裏面に四部１８が
形成されることによって抵抗１１２付近が薄くされてダ
イアフラムとされる。 また、窓１７の部分では■溝１９が形成される．すなわ
ち、（１１１）面に対してはエッチングレートが遅くな
る（１／１８０程度となる》異方性エッチングのため、
エッチングにより（１１１）面が形成されることになる
．これは凹部１８及びＶ溝１９について同じであるが、
Ｖ溝１９については窓〕７が細長くなっていてその巾が
狭いため（１１１）面同士が交差するようになった後は
エッチングがほとんど進まず、結果的に（１１１）面同
士が交差するＶ字形となるからである．これに対して凹
部１８の場合はその巾が広いため、（１１１）面同士が
交差するまでには至らず台形の凹部となる．シリコン基
板１１の表裏の面はこの実施例では上記のように（１０
０）へき開面となっているため、表面とＶ溝１９を形成
する２つの（１１１）面との間の角度はそれぞれ５４．
７゜となる．このことは、表裏両面からエッチングを行
なう際、大きく、深い所定サイズの凹部１８が形成でき
るだけの条件でエッチングを行なえば、自動的に所定角
度の■溝１９が形成されることを意味し、Ｖ溝１９に関
してはその窓１７の巾のみで形状・深さを決めることが
でき、Ｖ溝１９に関してのエッチング条件は考慮しなく
てよいことになる．そのため、凹部１８の形成時に同時
にＶ溝１９を形成することが容易である。 こうして、凹部１８とＶ溝１９とを形成した後、表面側
のＳｉＮ膜１５の一部をフォトリングラフィにより除去
してコンタクトホールを形成し、あるいは裏面のＳｉ０
２膜１ ４ 、ＳｉＮ膜１５を全部除去するなどしてか
ら、その裏面を第１図Ｄに示すようにガラス台座２に接
着する．そしてレジンブレード３を■溝１９に入れるよ
うにして、Ｖ溝１９の両傾斜面において点線のように切
断して多数のチップを作る．すると切断端面（点線）が
Ｖ溝１９の傾斜面に位置するので、チッピングが生じる
ことなく歩留まりが向上する．また、従来３００一程度
必要であった切断部の巾（切断しろ）は２００一程度で
よくなり、その分１つのウェハから多数のチップが取れ
ることになり、収率が向上する．なお、上記では、Ｖ溝
１９を１つ形成してその両傾斜面の部分で切断するよう
にしたが、第２図に示すようにＶＩ１９を２つ設けて、
それぞれの傾斜面を利用してレジンブレード３で切断す
ることによりチッピングをなくすことができる．また、
レジンブレードで切断する際、傾斜面を利用すればチッ
ピングをなくすことができるので、必ずしも上記のよう
に異方性エッチングによって■溝１９を作ることだけに
限定されない．さらに、切断面が実質的に傾斜した面の
部分にあればよいので、■溝に限らず、Ｕ字形の溝を形
成し、その適当に傾斜した部分の面を選んでその部分で
切断することも考えられる．
この発明の半導体圧力センサ用ウェハの切断方法によれ
ば、チッピングを防ぐことができて歩留まりを向上させ
ることができるとともに、切断部部の巾を狭くできるた
めウェ八当りの収率の向上を図ることができる．その結
果、半導体圧力センサの製造コストの低減に大きく寄与
できる．
ば、チッピングを防ぐことができて歩留まりを向上させ
ることができるとともに、切断部部の巾を狭くできるた
めウェ八当りの収率の向上を図ることができる．その結
果、半導体圧力センサの製造コストの低減に大きく寄与
できる．
第１図Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄはこの発明の一実施例にかかる半
導体圧力センサ用ウェハの切断方法を説明するための各
工程の断面図、第２図は変形例の断面図、第３図は従来
例の断面図である．１・・・シリコンウェハ、２・・・
ガラス台座、３・・・レジンブレード、４・・・チッピ
ング、１１・・・シリコン基板、１２・・・抵抗層、１
３・・・電極、１４・・・ＳｉＯｚｌｌ、１５・・・Ｓ
ｉＮ膜、１６、１７・・・エッチング用窓、１８・・・
凹部、１９・・・■溝．
導体圧力センサ用ウェハの切断方法を説明するための各
工程の断面図、第２図は変形例の断面図、第３図は従来
例の断面図である．１・・・シリコンウェハ、２・・・
ガラス台座、３・・・レジンブレード、４・・・チッピ
ング、１１・・・シリコン基板、１２・・・抵抗層、１
３・・・電極、１４・・・ＳｉＯｚｌｌ、１５・・・Ｓ
ｉＮ膜、１６、１７・・・エッチング用窓、１８・・・
凹部、１９・・・■溝．
Claims (1)
- （１）裏面にガラス台座が接着されている半導体圧力セ
ンサ用ウェハの表面に、実質的に傾斜している面を有す
る細長い溝をエッチングにより形成し、ブレードにより
該傾斜面の部分において上記ウェハ及びガラス台座を切
断することを特徴とする半導体圧力センサ用ウェハの切
断方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63287163A JPH02132843A (ja) | 1988-11-14 | 1988-11-14 | 半導体圧力センサ用ウェハの切断方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63287163A JPH02132843A (ja) | 1988-11-14 | 1988-11-14 | 半導体圧力センサ用ウェハの切断方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02132843A true JPH02132843A (ja) | 1990-05-22 |
Family
ID=17713894
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63287163A Pending JPH02132843A (ja) | 1988-11-14 | 1988-11-14 | 半導体圧力センサ用ウェハの切断方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02132843A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0574932A (ja) * | 1991-09-17 | 1993-03-26 | Fujitsu Ltd | 半導体ウエハのダイシング方法 |
| EP0567075A2 (en) * | 1992-04-22 | 1993-10-27 | Nippondenso Co., Ltd. | A method for producing semiconductor device |
| US5719069A (en) * | 1994-09-14 | 1998-02-17 | Delco Electronics Corporation | One-chip integrated sensor process |
| JP2001044141A (ja) * | 1999-07-30 | 2001-02-16 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 半導体基板の切断方法 |
-
1988
- 1988-11-14 JP JP63287163A patent/JPH02132843A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0574932A (ja) * | 1991-09-17 | 1993-03-26 | Fujitsu Ltd | 半導体ウエハのダイシング方法 |
| EP0567075A2 (en) * | 1992-04-22 | 1993-10-27 | Nippondenso Co., Ltd. | A method for producing semiconductor device |
| US5525549A (en) * | 1992-04-22 | 1996-06-11 | Nippondenso Co., Ltd. | Method for producing an acceleration sensor |
| EP0567075A3 (en) * | 1992-04-22 | 1997-09-24 | Nippon Denso Co | A method for producing semiconductor device |
| US5719069A (en) * | 1994-09-14 | 1998-02-17 | Delco Electronics Corporation | One-chip integrated sensor process |
| JP2001044141A (ja) * | 1999-07-30 | 2001-02-16 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 半導体基板の切断方法 |
| JP4581158B2 (ja) * | 1999-07-30 | 2010-11-17 | 富士ゼロックス株式会社 | 半導体基板の切断方法 |
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