JPH02118653A - ２層フォトレジストを用いた微細パターンの形成方法 - Google Patents
２層フォトレジストを用いた微細パターンの形成方法Info
- Publication number
- JPH02118653A JPH02118653A JP63273613A JP27361388A JPH02118653A JP H02118653 A JPH02118653 A JP H02118653A JP 63273613 A JP63273613 A JP 63273613A JP 27361388 A JP27361388 A JP 27361388A JP H02118653 A JPH02118653 A JP H02118653A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- positive photoresist
- layer
- photoresist
- positive
- ultraviolet rays
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 title claims abstract description 75
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 13
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims abstract description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 20
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract description 4
- 230000005855 radiation Effects 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 23
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 5
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 3
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 210000000744 eyelid Anatomy 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M hydroxide Chemical compound [OH-] XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000009281 ultraviolet germicidal irradiation Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置等の製造方法に関し、特に、フォト
リソグラフィ工程における微細パターンの形成方法に関
する。
リソグラフィ工程における微細パターンの形成方法に関
する。
〔従来の技ｖＦｉ）
従来、この種のフォトリソグラフィ工程での微細パター
ン形成方法は、第３図（ａ）〜（Ｃ）に示すように、シ
リコン基板（あるいはシリコン酸化膜）１上に、高解像
度ポジ型フォトレジスト１３を通常１ｉＪ！１１以上の
所望の膜厚に塗布し、９０〜１００°Ｃの窒素または空
気雰囲気中で１へ・２分間プリベークした後（第３図（
ａ））、ステッパー等の目金露光機により、フォトマス
ク（あるいはレディクル）７をマスクにｑ線等の紫外線
（以下ＵＶ光ともいう）６を照射するとポジ型フォトレ
ジストはアルカリ可溶性になる（第３図（ｂ））。次に
、ポジレジスト現像液であるテトラメチルアンモニウム
ハイドロオキサイド水溶液で６０秒坦徴すると、微細フ
ォトレジストパターンが形成され、次に、フォトレジス
トとシリコン酸化膜等の密着性を向上させるためポスト
ベークを１３０〜１４０℃で２０〜４０分行ない、シリ
コン基板（シリコン酸化膜）１を微細加工する時のマス
クが形成される（第３図（Ｃ））。
ン形成方法は、第３図（ａ）〜（Ｃ）に示すように、シ
リコン基板（あるいはシリコン酸化膜）１上に、高解像
度ポジ型フォトレジスト１３を通常１ｉＪ！１１以上の
所望の膜厚に塗布し、９０〜１００°Ｃの窒素または空
気雰囲気中で１へ・２分間プリベークした後（第３図（
ａ））、ステッパー等の目金露光機により、フォトマス
ク（あるいはレディクル）７をマスクにｑ線等の紫外線
（以下ＵＶ光ともいう）６を照射するとポジ型フォトレ
ジストはアルカリ可溶性になる（第３図（ｂ））。次に
、ポジレジスト現像液であるテトラメチルアンモニウム
ハイドロオキサイド水溶液で６０秒坦徴すると、微細フ
ォトレジストパターンが形成され、次に、フォトレジス
トとシリコン酸化膜等の密着性を向上させるためポスト
ベークを１３０〜１４０℃で２０〜４０分行ない、シリ
コン基板（シリコン酸化膜）１を微細加工する時のマス
クが形成される（第３図（Ｃ））。
上述した従来の微細パターン形成方法は、高解像度ポジ
型フォトレジストを単層で用いているため、フォトレジ
スト膜厚が１趨以上と厚くなると、フォトレジスト表面
近くからフォトレジスト底面部になるにつれＵＶ光線の
照射積が順次減衰し、ポジレジストをアルカリ可溶性に
するエネルギーも減少し、フォトレジスト断面形状は第
３図（Ｃ）に示されるようにテーパー形状を有するよう
になるため、寸法の制御性が悪く、微細化を阻害すると
いう欠点がある。１ また、第３図の従来例のように、基板に段差を持つ場合
には、段差の部分においては、フォトレジスト膜厚が厚
くなり、基板四部間口部１５と基板凸部開口部１６を同
時に開口する場合、開口部１５と開口部１６の間では加
工［寸法が異なり、加工精度を低下させるという欠点が
ある。
型フォトレジストを単層で用いているため、フォトレジ
スト膜厚が１趨以上と厚くなると、フォトレジスト表面
近くからフォトレジスト底面部になるにつれＵＶ光線の
照射積が順次減衰し、ポジレジストをアルカリ可溶性に
するエネルギーも減少し、フォトレジスト断面形状は第
３図（Ｃ）に示されるようにテーパー形状を有するよう
になるため、寸法の制御性が悪く、微細化を阻害すると
いう欠点がある。１ また、第３図の従来例のように、基板に段差を持つ場合
には、段差の部分においては、フォトレジスト膜厚が厚
くなり、基板四部間口部１５と基板凸部開口部１６を同
時に開口する場合、開口部１５と開口部１６の間では加
工［寸法が異なり、加工精度を低下させるという欠点が
ある。
本発明の２層フォトレジストを用いた微細パターンの形
成方法は、 第１１！ｉｔポジ型フオトレジストを所望の膜厚の半分
程度塗布する工程と、 該第１層ポジ型フォトレジストをプリベークした後、紫
外線をその全面に照射する工程と、第１層ポジ型フォト
レジストと第２１ｉポジ型フオトレジストとを合せた膜
厚が前記所望の膜厚となるように、該第２層ポジ型フォ
トレジストを前記第１層ポジ型フォトレジスト上に塗布
する工程と、 該第２層ポジ型フォトレジストにフォトマスク等を介し
て選択的に紫外線を照射する工程と、ポジ型フォトレジ
スト用現像液を用いて現像する工程とを有している。
成方法は、 第１１！ｉｔポジ型フオトレジストを所望の膜厚の半分
程度塗布する工程と、 該第１層ポジ型フォトレジストをプリベークした後、紫
外線をその全面に照射する工程と、第１層ポジ型フォト
レジストと第２１ｉポジ型フオトレジストとを合せた膜
厚が前記所望の膜厚となるように、該第２層ポジ型フォ
トレジストを前記第１層ポジ型フォトレジスト上に塗布
する工程と、 該第２層ポジ型フォトレジストにフォトマスク等を介し
て選択的に紫外線を照射する工程と、ポジ型フォトレジ
スト用現像液を用いて現像する工程とを有している。
第１１８ポジ型フオトレジストに全面に紫外線を照射し
て、その後第２層ポジ型フォトレジストを塗布した後、
選択的に紫外線を照射することにより、パターン形成す
るための必要紫外線エネルギーが少なくてもポジレジス
トをアルカリ可溶性にすることができ、これにより、第
１層ポジ型フォトレジストの断面を垂直に形成すること
ができる。
て、その後第２層ポジ型フォトレジストを塗布した後、
選択的に紫外線を照射することにより、パターン形成す
るための必要紫外線エネルギーが少なくてもポジレジス
トをアルカリ可溶性にすることができ、これにより、第
１層ポジ型フォトレジストの断面を垂直に形成すること
ができる。
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
第１図（ａ）〜（ｅ）は本発明の２層フォ１〜レジメト
を用いた微細パターンの形成方法の一実施例の縦断面図
である。
を用いた微細パターンの形成方法の一実施例の縦断面図
である。
第１図（ａ）において、シリコン基板（またはシリコン
酸化膜）１は、表面に段差約０．３７ｍ、巾１〜２趨程
度の凹凸の断面を有している。第１廟ポジ型フォトレジ
スト２は、ノボラック樹脂を主成分とするフォトレジス
トであり、所望の膜厚の約半分である０、 ５ ｔｍ程
度になるよう、回転数および粘度を選定し塗布する。塗
布後、基板１とともに第１Ｍフォトレジスト中を９０〜
１００℃の窒素または空気のガス雰囲気中で１〜２分プ
リベークし、第１Ｍフォトレジスト中の溶媒を蒸発させ
フォトレジスト膜を安定化させる。
酸化膜）１は、表面に段差約０．３７ｍ、巾１〜２趨程
度の凹凸の断面を有している。第１廟ポジ型フォトレジ
スト２は、ノボラック樹脂を主成分とするフォトレジス
トであり、所望の膜厚の約半分である０、 ５ ｔｍ程
度になるよう、回転数および粘度を選定し塗布する。塗
布後、基板１とともに第１Ｍフォトレジスト中を９０〜
１００℃の窒素または空気のガス雰囲気中で１〜２分プ
リベークし、第１Ｍフォトレジスト中の溶媒を蒸発させ
フォトレジスト膜を安定化させる。
次に、第１図（ｂ）に示すように、平行な紫外線を用い
た露光機で、第１廟ポジ型フォトレジストを塗布した基
板上を均一に短時間照射する。これにより、アルカリ可
溶性ポジ型フォトレジスト４が得られる。
た露光機で、第１廟ポジ型フォトレジストを塗布した基
板上を均一に短時間照射する。これにより、アルカリ可
溶性ポジ型フォトレジスト４が得られる。
次に、第１図（Ｃ）のように、第２廟ポジ型フォトレジ
スト５を所望の膜厚の約半分である０、 ５ 趨程度塗
布し、基板の凹凸に影響されず第２層ポジ型フォトレジ
スト表面が平坦になるように塗布し、第１１Ｉポジレジ
ストと同様の条件でプリベークを行なう。
スト５を所望の膜厚の約半分である０、 ５ 趨程度塗
布し、基板の凹凸に影響されず第２層ポジ型フォトレジ
スト表面が平坦になるように塗布し、第１１Ｉポジレジ
ストと同様の条件でプリベークを行なう。
次に、第１図（ｄ）に示すように、ステッパー等の目金
露光機により、フォトマスク（またはレティクル）７を
マスクとしてｑ線等のＵＶ光線を１却１膜厚の単層レジ
ストの３７４程度照射すると、ＵＶ光線が選択的に照射
されたポジ型フォトレジストの部分はアルカリ可溶性領
域８となり、また、未照射部分は不可溶性のままである
。この時、第１層に与えるエネルギーは、全面ＵＶ照射
でポジ型レジストが可溶性になり始めているため、照射
量は少量でよく、全面ＵＶ照射エネルギーとフォトマス
ク又はレティクルをマスクにｑ線等のｔＪ Ｖ光を照射
したエネルギーの合算値が所定量に達していれば、充分
にフォトレジストを選択的に可溶性とづ゛ることが可能
である。
露光機により、フォトマスク（またはレティクル）７を
マスクとしてｑ線等のＵＶ光線を１却１膜厚の単層レジ
ストの３７４程度照射すると、ＵＶ光線が選択的に照射
されたポジ型フォトレジストの部分はアルカリ可溶性領
域８となり、また、未照射部分は不可溶性のままである
。この時、第１層に与えるエネルギーは、全面ＵＶ照射
でポジ型レジストが可溶性になり始めているため、照射
量は少量でよく、全面ＵＶ照射エネルギーとフォトマス
ク又はレティクルをマスクにｑ線等のｔＪ Ｖ光を照射
したエネルギーの合算値が所定量に達していれば、充分
にフォトレジストを選択的に可溶性とづ゛ることが可能
である。
次に、第１図（０）に示すように、ポジ型レジストの現
像液であるテトラメグールアンモニウムハイドロオキザ
イド水溶液で６０秒程度現像して、現像後の第１層およ
び第２層ポジ型フォｉ〜レジスト１０．９よりなる微細
パターンを得る。
像液であるテトラメグールアンモニウムハイドロオキザ
イド水溶液で６０秒程度現像して、現像後の第１層およ
び第２層ポジ型フォｉ〜レジスト１０．９よりなる微細
パターンを得る。
第２図は本発明の他の実施例の縦断面図である。
第１層ポジ型フＡ１〜レジスト２をシリコン基板または
シリコン酸化膜１の段差的０．３ ａｍに０．２ ｔｔ
ｘ＋程度加えた膜厚約０．５踊を塗布し、プリベークす
る（第２図（ａ））。次に、第１層ポジ型フォトレジス
トに全面ＵＶ照射し、ポジ型レジスト用現像液を用いて
、シリコン基板膜差部凸部と同程度の高さが得られるに
うに現像する（第２図（ｂ））。
シリコン酸化膜１の段差的０．３ ａｍに０．２ ｔｔ
ｘ＋程度加えた膜厚約０．５踊を塗布し、プリベークす
る（第２図（ａ））。次に、第１層ポジ型フォトレジス
トに全面ＵＶ照射し、ポジ型レジスト用現像液を用いて
、シリコン基板膜差部凸部と同程度の高さが得られるに
うに現像する（第２図（ｂ））。
次に、０２プラズマ処理方法により、基板凸部が川われ
る程度に除去し、基板主面ならびにフォトレジスト１１
表面を平坦化する（第２図（Ｃ））。次に、第２層ポジ
型フォトレジスト５を所望の膜厚である約１．０／ＩＩ
Ｒ塗布すると、第２１１ポジ型フォトレジスト５の膜厚
は、基板の凹凸によらず、均一な膜厚となり、基板凹部
および基板凸部のそれぞれに開口する現像後の寸法はそ
れぞれの開口部において等しい寸法となる（第２図（ｄ
））。次に、第２図（ｅ）に示すように、マスク７を介
して紫外線６を照射し、現像することにより、第２図（
ｆ）のようなレジスト１０．１２よりなる微細パターン
を得る。この実施例では、それぞれの開口部の寸法を等
しく形成ができるため、従来より、微細化ができる利点
がある。
る程度に除去し、基板主面ならびにフォトレジスト１１
表面を平坦化する（第２図（Ｃ））。次に、第２層ポジ
型フォトレジスト５を所望の膜厚である約１．０／ＩＩ
Ｒ塗布すると、第２１１ポジ型フォトレジスト５の膜厚
は、基板の凹凸によらず、均一な膜厚となり、基板凹部
および基板凸部のそれぞれに開口する現像後の寸法はそ
れぞれの開口部において等しい寸法となる（第２図（ｄ
））。次に、第２図（ｅ）に示すように、マスク７を介
して紫外線６を照射し、現像することにより、第２図（
ｆ）のようなレジスト１０．１２よりなる微細パターン
を得る。この実施例では、それぞれの開口部の寸法を等
しく形成ができるため、従来より、微細化ができる利点
がある。
以上説明したように本発明は、第１層ポジ型フォトレジ
ストの全面に紫外線を照射しておき、第２層ポジ型フォ
トレジストを塗布し、フォトマスクを用いて選択的に紫
外線照射することにより、パターン形成するための必要
紫外線エネルギーは従来より少なくてもポジレジストを
アルカリ可溶性にすることができ、現像後のポジ型フォ
トレジストの断面は、従来より垂直にパターン形成でき
る効果がある１、これにより、ポジ型フォトレジスト断
面の第１層ポジ型フォトレジスト部分は垂直な形状を有
し、フォトレジスト底部の寸法精度が向上し、また、よ
り微細化されたパターンを形成することができる効果が
ある。
ストの全面に紫外線を照射しておき、第２層ポジ型フォ
トレジストを塗布し、フォトマスクを用いて選択的に紫
外線照射することにより、パターン形成するための必要
紫外線エネルギーは従来より少なくてもポジレジストを
アルカリ可溶性にすることができ、現像後のポジ型フォ
トレジストの断面は、従来より垂直にパターン形成でき
る効果がある１、これにより、ポジ型フォトレジスト断
面の第１層ポジ型フォトレジスト部分は垂直な形状を有
し、フォトレジスト底部の寸法精度が向上し、また、よ
り微細化されたパターンを形成することができる効果が
ある。
第１図（ａ）〜（ｅ）は本発明の２層ノ４１〜レジメト
を用いた微細パターンの形成方法の一実施例の縦断面図
、第２図（ａ）〜（ｆ）は本発明の他の実施例の縦断面
図、第３図（ａ）〜（Ｃ）は従来例の縦断面図である。 １・・・シリ」ン基板（またはシリコン酸化膜）、２・
・・第１層ポジ型フォトレジスト、３・・・全面ＵＶ光
線、 ４・・・アルカリ可溶性ポジ型フォトレジスト、５・・
・第２層ポジ型ノｙ＋−ｔ−レジス（〜、６・・・ＵＶ
光線、 ７・・・フォトマスク（またはレティクル）、８・・・
選択的アルカリ可溶性領域、 ９・・・現像機箱１層ポジ型フォトレジスト、１０・・
・現像後筒２層ポジ型フォトレジスト、１１・・・基板
凸部と平坦化したポジ型フォトレジスト、 １２・・・現像後の基板と凸部と平坦化したフォトレジ
スト、 １３・・・１１１層高解像度ポジ型フォトレジスト、１
４・・・現像機単層ポジ型フォトレジスト、１５・・・
基板凹部開口部、 １６・・・基板凸部開口部。
を用いた微細パターンの形成方法の一実施例の縦断面図
、第２図（ａ）〜（ｆ）は本発明の他の実施例の縦断面
図、第３図（ａ）〜（Ｃ）は従来例の縦断面図である。 １・・・シリ」ン基板（またはシリコン酸化膜）、２・
・・第１層ポジ型フォトレジスト、３・・・全面ＵＶ光
線、 ４・・・アルカリ可溶性ポジ型フォトレジスト、５・・
・第２層ポジ型ノｙ＋−ｔ−レジス（〜、６・・・ＵＶ
光線、 ７・・・フォトマスク（またはレティクル）、８・・・
選択的アルカリ可溶性領域、 ９・・・現像機箱１層ポジ型フォトレジスト、１０・・
・現像後筒２層ポジ型フォトレジスト、１１・・・基板
凸部と平坦化したポジ型フォトレジスト、 １２・・・現像後の基板と凸部と平坦化したフォトレジ
スト、 １３・・・１１１層高解像度ポジ型フォトレジスト、１
４・・・現像機単層ポジ型フォトレジスト、１５・・・
基板凹部開口部、 １６・・・基板凸部開口部。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、第１層ポジ型フォトレジストを所望の膜厚の半分程
度塗布する工程と、 該第１層ポジ型フォトレジストをプリベークした後、紫
外線をその全面に照射する工程と、第１層ポジ型フォト
レジストと第２層ポジ型フォトレジストとを合せた膜厚
が前記所望の膜厚となるように、該第２層ポジ型フォト
レジストを前記第１層ポジ型フォトレジスト上に塗布す
る工程と、 該第２層ポジ型フォトレジストにフォトマスク等を介し
て選択的に紫外線を照射する工程と、ポジ型フォトレジ
スト用現像液を用いて現像する工程とを有する２層フォ
トレジストを用いた微細パターンの形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63273613A JP2712407B2 (ja) | 1988-10-28 | 1988-10-28 | ２層フォトレジストを用いた微細パターンの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63273613A JP2712407B2 (ja) | 1988-10-28 | 1988-10-28 | ２層フォトレジストを用いた微細パターンの形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02118653A true JPH02118653A (ja) | 1990-05-02 |
| JP2712407B2 JP2712407B2 (ja) | 1998-02-10 |
Family
ID=17530185
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63273613A Expired - Lifetime JP2712407B2 (ja) | 1988-10-28 | 1988-10-28 | ２層フォトレジストを用いた微細パターンの形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2712407B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20220004103A1 (en) * | 2018-11-16 | 2022-01-06 | Lam Research Corporation | Bubble defect reduction |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57100428A (en) * | 1980-12-16 | 1982-06-22 | Matsushita Electronics Corp | Method for photomechanical process |
| JPS62279630A (ja) * | 1986-05-28 | 1987-12-04 | Oki Electric Ind Co Ltd | レジストの塗布方法 |
| JPS63288020A (ja) * | 1987-05-20 | 1988-11-25 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 電極作成方法 |
| JPH01239928A (ja) * | 1988-03-22 | 1989-09-25 | Seiko Epson Corp | パターン形成方法 |
| JPH01293520A (ja) * | 1988-05-23 | 1989-11-27 | Fuji Xerox Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
-
1988
- 1988-10-28 JP JP63273613A patent/JP2712407B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57100428A (en) * | 1980-12-16 | 1982-06-22 | Matsushita Electronics Corp | Method for photomechanical process |
| JPS62279630A (ja) * | 1986-05-28 | 1987-12-04 | Oki Electric Ind Co Ltd | レジストの塗布方法 |
| JPS63288020A (ja) * | 1987-05-20 | 1988-11-25 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 電極作成方法 |
| JPH01239928A (ja) * | 1988-03-22 | 1989-09-25 | Seiko Epson Corp | パターン形成方法 |
| JPH01293520A (ja) * | 1988-05-23 | 1989-11-27 | Fuji Xerox Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20220004103A1 (en) * | 2018-11-16 | 2022-01-06 | Lam Research Corporation | Bubble defect reduction |
| US12248252B2 (en) * | 2018-11-16 | 2025-03-11 | Lam Research Corporation | Bubble defect reduction |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2712407B2 (ja) | 1998-02-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2654450B2 (ja) | レジスト・パターンの形成方法 | |
| JP3355239B2 (ja) | パターンの形成方法 | |
| JPH07235485A (ja) | 半導体装置の微細パターン製造法 | |
| JPH0210362A (ja) | 微細パターン形成方法 | |
| JPS6239817B2 (ja) | ||
| JPH02118653A (ja) | ２層フォトレジストを用いた微細パターンの形成方法 | |
| JPH02238457A (ja) | 厚膜フォトレジストパターンの形成方法 | |
| JPH02140914A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0544169B2 (ja) | ||
| JPH03283418A (ja) | レジストパターン形成方法 | |
| JPH0419697B2 (ja) | ||
| JPH02156244A (ja) | パターン形成方法 | |
| JPH09213609A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS58101427A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS58219738A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| KR100399889B1 (ko) | 반도체소자의감광층패턴형성방법 | |
| KR100250265B1 (ko) | 미세 패턴 형성 방법 | |
| KR20040001525A (ko) | 레티클 제조방법 및 이를 이용한 노광방법 | |
| JPH01239928A (ja) | パターン形成方法 | |
| JPS60106132A (ja) | パタ−ン形成方法 | |
| JPS58153932A (ja) | 写真蝕刻方法 | |
| JPH0513325A (ja) | パターン形成方法 | |
| JPH03147315A (ja) | パターン形成方法 | |
| JPH05259017A (ja) | レジストパターン形成方法 | |
| JPS63316438A (ja) | フォトレジストパタ−ンの形成方法 |