JPH01111356A - バンプ電極 - Google Patents
バンプ電極Info
- Publication number
- JPH01111356A JPH01111356A JP62269582A JP26958287A JPH01111356A JP H01111356 A JPH01111356 A JP H01111356A JP 62269582 A JP62269582 A JP 62269582A JP 26958287 A JP26958287 A JP 26958287A JP H01111356 A JPH01111356 A JP H01111356A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- bump
- bump electrode
- substrate
- electrode
- recess
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/11—Manufacturing methods
Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体装置より外部へ電気的接続を取るバン
プ電極構造に関するものである。
プ電極構造に関するものである。
従来のバンプ電極構造は、３（＋１ｉｄ ５ｔａｔｅ
Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ａｐｒｉｌ １９８０
版ｐ２８よりｐ３１にある様に、平担坦基板上に、配線
用金層薄膜を形成して外部電極パッド部とし、その上に
、バンプ用金属を形成し、第２図にある様な構造のバン
プ電極としていた。
Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ａｐｒｉｌ １９８０
版ｐ２８よりｐ３１にある様に、平担坦基板上に、配線
用金層薄膜を形成して外部電極パッド部とし、その上に
、バンプ用金属を形成し、第２図にある様な構造のバン
プ電極としていた。
（発明が解決しようとする問題点〕
しかし、従来のバンプ電極構造では、バンプサイズを小
さくした場合に、バンプ下部の面積が大きく取れなくな
り、バンプ電極の下地に対する接着強度が下がり、実装
時のストレス等で破壊されたり、信頼性が低い等の問題
があった。
さくした場合に、バンプ下部の面積が大きく取れなくな
り、バンプ電極の下地に対する接着強度が下がり、実装
時のストレス等で破壊されたり、信頼性が低い等の問題
があった。
そこで、本発明はのとような問題点を解決するもので、
その目的とするところは、バンプ電極下の構造を変える
ことにより十分な接む強度を有するバンプ電極を提供す
ると・ころにある。
その目的とするところは、バンプ電極下の構造を変える
ことにより十分な接む強度を有するバンプ電極を提供す
ると・ころにある。
本発明のバンプ電極は、下地の基板に凹部を予め形成す
ることにより、基板とバンプ電極の接着面積を増大させ
ることを特徴とする。
ることにより、基板とバンプ電極の接着面積を増大させ
ることを特徴とする。
本発明の上記の構成によれば、基板とバンプ電極の接着
面積が増大し、それにより基板とバンプ電極の接着強度
が増大し、サイズの小さいパンプ電極においても十分な
接着強度を「するようにできるものである。
面積が増大し、それにより基板とバンプ電極の接着強度
が増大し、サイズの小さいパンプ電極においても十分な
接着強度を「するようにできるものである。
第１図は本発明の実施例における断面図であって、基本
的な構造を示している。第１図よりわかる様に、半導体
基板１１の平担な表面に凹部１６をまず形成する。凹部
の形成は選択的な基板エツチングにより所定の形状に加
工する。しかる後、絶縁１）２１２を形成し、さらに配
線用金Ｉｉ１層１４を形成する。この後、絶縁保護膜１
３を、形成した後、配線金属層１４の上に開口部を形成
する。この後、公知の方法によりバンプ電極１５を形成
する。本実施例ではバリア膜１７の上にメツキ法で形成
した金バンプの構造例を示しである。
的な構造を示している。第１図よりわかる様に、半導体
基板１１の平担な表面に凹部１６をまず形成する。凹部
の形成は選択的な基板エツチングにより所定の形状に加
工する。しかる後、絶縁１）２１２を形成し、さらに配
線用金Ｉｉ１層１４を形成する。この後、絶縁保護膜１
３を、形成した後、配線金属層１４の上に開口部を形成
する。この後、公知の方法によりバンプ電極１５を形成
する。本実施例ではバリア膜１７の上にメツキ法で形成
した金バンプの構造例を示しである。
第１図よりわかる様にバンプ電極の下に凹部を設けるこ
とにより、バンプｔｎ極１５と基板１１の接する面積は
平坦時に比べて大幅に増加することができるものである
。なお、本実施例ではバンプの外周部に凹部を形成する
例で説明したが、これ以外にも、中心部に凹部を形成す
る方法、又、バンプ下にすじ伏に複数の凹部を形成する
方法等により接地する面積を増加させることができるも
のである。
とにより、バンプｔｎ極１５と基板１１の接する面積は
平坦時に比べて大幅に増加することができるものである
。なお、本実施例ではバンプの外周部に凹部を形成する
例で説明したが、これ以外にも、中心部に凹部を形成す
る方法、又、バンプ下にすじ伏に複数の凹部を形成する
方法等により接地する面積を増加させることができるも
のである。
以上述べた様に本発明によれば、バンプ電極と基板との
接着面積を同じ投影面積の中で′Ａ質的に増大させるこ
とができ、バンプ電極と基板との接わ強度を増大するこ
とができるという効果をｑするものである。また、下地
の基板に凹部を設けることにより、ただ単純にｔｌｌｆ
ｆ面積が増大する以外に、ｖｉ雑な形状の組合せとなる
ことにより、ただ単純に接着面積が増大する以外に、複
雑な形状の組合せとなることにより、外力に対する機械
的強度が増し、合せて接着強度の増大がはかれるという
効果も存するものである。
接着面積を同じ投影面積の中で′Ａ質的に増大させるこ
とができ、バンプ電極と基板との接わ強度を増大するこ
とができるという効果をｑするものである。また、下地
の基板に凹部を設けることにより、ただ単純にｔｌｌｆ
ｆ面積が増大する以外に、ｖｉ雑な形状の組合せとなる
ことにより、ただ単純に接着面積が増大する以外に、複
雑な形状の組合せとなることにより、外力に対する機械
的強度が増し、合せて接着強度の増大がはかれるという
効果も存するものである。
第１図は本発明のバンプ電極の一実施例を示す断面図。
ｍ２図は従来のバンプ電極を示す断面図。
１１・・・半導体基板
１２・・・絶縁膜
１３・・・絶縁保護膜
１４・・・配Ｉａ膜
１５・・・バンプｆｆ電極
１６・・・基板上の凹部
１７・・・バリア金ｒｇ４膜
２１・・・半導体基板
２２・・・絶縁膜
２３・・・絶縁保護膜
２４・・・配線段
２５・・・バンプｆｆ電極
２６・・・バリア金属膜
以 上
出願人 セイコーエプソン株式会社
Claims (1)
- 半導体回路基板の外部接続用電極上に、金属の凸部を
形成するバンプ構造において、前記半導体回路基板に凹
部を形成し、その上にバンプ用金属を形成することを特
徴とするバンプ電極。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62269582A JPH01111356A (ja) | 1987-10-26 | 1987-10-26 | バンプ電極 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62269582A JPH01111356A (ja) | 1987-10-26 | 1987-10-26 | バンプ電極 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01111356A true JPH01111356A (ja) | 1989-04-28 |
Family
ID=17474369
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62269582A Pending JPH01111356A (ja) | 1987-10-26 | 1987-10-26 | バンプ電極 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01111356A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012005033A (ja) * | 2010-06-21 | 2012-01-05 | Kyocera Corp | 弾性波装置 |
-
1987
- 1987-10-26 JP JP62269582A patent/JPH01111356A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012005033A (ja) * | 2010-06-21 | 2012-01-05 | Kyocera Corp | 弾性波装置 |
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