[go: up one dir, main page]

JP2018081956A - ガスインジェクタ、及び縦型熱処理装置 - Google Patents

ガスインジェクタ、及び縦型熱処理装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2018081956A
JP2018081956A JP2016221523A JP2016221523A JP2018081956A JP 2018081956 A JP2018081956 A JP 2018081956A JP 2016221523 A JP2016221523 A JP 2016221523A JP 2016221523 A JP2016221523 A JP 2016221523A JP 2018081956 A JP2018081956 A JP 2018081956A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
gas
injector
film forming
heat treatment
hcd
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2016221523A
Other languages
English (en)
Other versions
JP6737139B2 (ja
Inventor
池内　俊之
Toshiyuki Ikeuchi
俊之 池内
裕巳 島
Hiromi Shima
裕巳 島
鈴木　啓介
Keisuke Suzuki
鈴木　　啓介
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Priority to JP2016221523A priority Critical patent/JP6737139B2/ja
Priority to KR1020170145735A priority patent/KR102224424B1/ko
Priority to TW106138554A priority patent/TWI701737B/zh
Priority to US15/810,768 priority patent/US20180135179A1/en
Priority to CN201711121710.XA priority patent/CN108070847B/zh
Publication of JP2018081956A publication Critical patent/JP2018081956A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6737139B2 publication Critical patent/JP6737139B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
    • C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/46—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for heating the substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C23C16/40—Oxides
    • C23C16/401—Oxides containing silicon
    • C23C16/402—Silicon dioxide
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4412—Details relating to the exhausts, e.g. pumps, filters, scrubbers, particle traps
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
    • C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
    • C23C16/45527—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the ALD cycle, e.g. different flows or temperatures during half-reactions, unusual pulsing sequence, use of precursor mixtures or auxiliary reactants or activations
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
    • C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
    • C23C16/45544—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
    • C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
    • C23C16/45544—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus
    • C23C16/45548—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus having arrangements for gas injection at different locations of the reactor for each ALD half-reaction
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45563—Gas nozzles
    • C23C16/45578—Elongated nozzles, tubes with holes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
    • C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
    • H01L21/02123—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon
    • H01L21/02164—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material being a silicon oxide, e.g. SiO2
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
    • H01L21/02123—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon
    • H01L21/0217—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material being a silicon nitride not containing oxygen, e.g. SixNy or SixByNz
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
    • H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
    • H01L21/02271—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
    • H01L21/0228—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition deposition by cyclic CVD, e.g. ALD, ALE, pulsed CVD

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Formation Of Insulating Films (AREA)

Abstract

【課題】ノズルの大型化を抑えつつ、縦型熱処理装置に適した成膜ガスの供給を行うことが可能なガスインジェクタなどを提供する。【解決手段】上下方向に複数の基板Ｗを棚状に並べて保持した基板保持具２を用い、縦型の反応容器１内で熱処理を行う縦型熱処理装置に設けられ、前記反応容器１内に成膜ガスを供給するためのガスインジェクタ３において、筒状のインジェクタ本体３２は反応容器１内に上下方向に伸びるように配置され、前記上下方向に沿って、複数のガス供給孔３１が形成されている。筒状のガス導入管３３は、前記インジェクタ本体３２と一体となるように設けられ、成膜ガスを受け入れる下部側のガス受入口と、インジェクタ本体３２の内部空間３２１に成膜ガスを導入するガス導入口３３１とを備える。【選択図】図２

Description

本発明は、基板への成膜を行う縦型熱処理装置に成膜ガスを供給する技術に関する。
半導体装置の製造工程において、基板である半導体ウエハ（以下、「ウエハ」という）の表面に成膜を行う手法として、金属原料などを含む原料ガスと、この原料ガスと反応する反応ガスとを交互に供給し、ウエハの表面に金属膜を形成する原子層堆積（Atomic Layer Deposition、ＡＬＤ）法や、前記金属を含む化合物の膜を形成する分子層堆積（Molecular Layer Deposition、ＭＬＤ）法が知られている。以下の説明では、これらＡＬＤ法及びＭＬＤ法を総称して「ＡＬＤ法」と呼ぶ。
また、上述のＡＬＤ法を実施する装置の一種として、縦型の反応容器内で複数枚のウエハに対して一括して成膜を行うバッチ式の縦型熱処理装置が知られている。縦型熱処理装置においては、複数のウエハを上下方向に棚状に並べて保持した基板保持具を反応容器内に搬入して成膜が行われる。
このため、縦型熱処理装置を用いる場合には、ウエハの面間で均一な膜厚分布を有する膜を成膜する観点で、基板保持具に保持された各ウエハに対して、できるだけ均一に原料ガスや反応ガス（以下、これらを総称して「成膜ガス」と呼ぶ場合がある）を供給することが好ましい。
ここで特許文献１には、処理容器内の下部側から上部側まで伸びた後、Ｕ字状に折り返し、その先端部が処理容器内の下部側まで伸びたノズルを備える縦型熱処理が記載されている。ノズル内では、上流側ほどガスの圧力が高いので、上流側に設けられたガス噴射孔の方が、噴射されるガスの流量が多くなる。そこで、ノズルをＵ字に折り返すことにより、折り返し前のノズル部分に設けられたガス噴射孔の列から供給されるガスの流量の分布と、折り返し後のノズル部分に設けられたガス噴射孔の列から供給されるガスの流量の分布とを組み合わせ、ノズル全体として上下方向に均等なガスの供給を図っている。
一方で、Ｕ字状に折り返されたノズルは大型化しやすく、予め決まった大きさの処理容器内に配置することができないおそれもある。このとき、ノズルを配置する目的だけで、処理容器を含む縦型熱処理装置全体を大型化することは現実的ではない。
なお特許文献２には、パージガスが供給される中心管と処理ガスが供給される外周管とを備えた二重管構造のノズルが記載されているが、基板保持具に保持された各ウエハに均一に処理ガスを供給する技術ではない。
特開２００８−７８４５２号公報：請求項５、段落００３０〜００３１、図１ 特開２００８−２０５１５１号公報：請求項１、段落００３３〜００３７、図４
本発明はこのような事情の下になされたものであり、その目的は、ノズルの大型化を抑えつつ、縦型熱処理装置に適した成膜ガスの供給を行うことが可能なガスインジェクタ、及びこのインジェクタを備えた縦型熱処理装置を提供することにある。
本発明のガスインジェクタは、上下方向に複数の基板を棚状に並べて保持した基板保持具を、周囲に加熱部が配置された縦型の反応容器内に搬入して熱処理を行う縦型熱処理装置に設けられ、前記反応容器内に、基板への成膜用の成膜ガスを供給するためのガスインジェクタにおいて、
前記反応容器内に上下方向に伸びるように配置され、前記上下方向に沿って、複数のガス供給孔が形成された筒状のインジェクタ本体と、
前記上下方向に沿って前記インジェクタ本体と一体となるように設けられ、前記成膜ガスを受け入れる下部側のガス受入口と、前記インジェクタ本体の内部空間に連通し、当該内部空間に成膜ガスを導入するガス導入口とを備えた筒状のガス導入管と、を備えたことを特徴とする。
本発明は、反応容器内に上下方向に伸びるように配置されるインジェクタ本体の内部空間に、当該インジェクタ本体と一体に設けられたガス導入管を介して成膜ガスを導入するので、インジェクタの大型化を抑えつつ、縦型熱処理装置に適した成膜ガスの供給を行うことができる。
実施の形態に係るガスインジェクタを備えた縦型熱処理装置の縦断側面図である。 前記ガスインジェクタの縦断側面図である。 従来型のガスインジェクタの説明図である。 Ｕ字状の折り返しガスインジェクタの説明図である。 前記インジェクタ本体内の内圧を変化させる手法に係る説明図である。 前記ガスインジェクタの変形例を示す説明図である。 前記ガスインジェクタの他の変形例を示す説明図である。 実施例及び比較例に係る実験結果を示す説明図である。
はじめに、図１を参照しながら本発明の実施の形態に係るガス供給孔３１を備えた縦型熱処理装置の構成例について説明する。本例では、原料ガスであるＨＣＤ（Hexachlorodisilane）ガスと、反応ガスであるＯラジカル及びＯＨラジカルを含む活性種とを反応させて、ウエハＷに対してＡＬＤ法によりＳｉＯ２膜を形成する縦型熱処理装置について説明する。
縦型熱処理装置は、上端側が塞がれ、下端側が開口した石英製の円筒状の反応管１１を備えている。反応管１１の下方には、当該反応管１１の開口部と気密に接続されたステンレス製の筒状部材からなるマニホールド５が設けられ、マニホールド５の下端には、フランジが形成されている。これら反応管１１及びマニホールド５は、本例の反応容器１を構成する。
反応管１１の周囲には、当該反応管１１の側面を全周に亘って外方側から囲むように、抵抗発熱体からなる加熱部１２が設けられている。加熱部１２は、反応管１１の周囲の空間を上方側から覆う不図示の断熱体に保持されている。
マニホールド５の下面側の開口は、石英製の円板形状の蓋体５６によって塞がれる。蓋体５６は、ボートエレベータ５１上に設けられ、このボートエレベータ５１を昇降させることによって、蓋体５６が前記マニホールド５の開口を塞いだ状態と、開放した状態とを切り替えることができる。さらに蓋体５６及びボートエレベータ５１には、これらを貫通する回転軸５３が設けられ、回転軸５３は蓋体５６の上面から上方側へ向けて伸び出している。回転軸５３は、ボートエレベータ５１の下方に設けられた駆動部５２により鉛直軸周りに回転することができる。
回転軸５３の上端には、反応管１１の側周壁によって囲まれる位置に、基板保持具であるウエハボート２が設けられている。ウエハボート２は、ウエハＷの直径（３００ｍｍ）よりも大きな直径を有する円形の石英板で構成された天板２１と、リング状の底板２２と、を備えている。天板２１と底板２２とは、上下に対向するように配置され、その周縁部における半周の領域に亘って等間隔に配置された複数本の支柱２３によって互いに連結されている。天板２１と底板２２との間には、ウエハＷが１枚ずつ載置される複数の載置部（不図示）が上下方向に間隔を開けて棚状に設けられている。
また、蓋体５６とウエハボート２との間には、断熱ユニット５０が設けられている。断熱ユニット５０は、例えば石英板からなる円環状の複数の断熱フィン５４を備え、これら断熱フィン５４は、蓋体５６の上面に周方向に間隔を開けて設けられた複数の支柱５５によって棚状に支持されている。円環状の断熱フィン５４の内側には、既述の回転軸５３が挿入され、当該回転軸５３の側周面を外方側から囲むように断熱ユニット５０が配置される。
ウエハボート２及び断熱ユニット５０は、既述のボートエレベータ５１によって蓋体５６と共に昇降し、ウエハボート２を反応管１１の内側に位置させた処理位置（図１に示す位置）と、反応容器１内からウエハボート２を抜き出し、不図示の受け渡し機構とウエハボート２との間でウエハＷの受け渡しを行う受け渡し位置との間を移動する。
処理位置に配置されたウエハボート２と、反応管１１の側周壁との間には、反応管１１内に、ＨＣＤガスを供給するためのガスインジェクタ３と、各々、酸素ガスまたは水素ガスを供給するためのガスインジェクタ４（酸素ガスインジェクタ４ａ、水素ガスインジェクタ４ｂ）とが配置されている。
これらのガスインジェクタ３、４のうち、ＨＣＤガス用のガスインジェクタ３は、本発明の実施の形態に係る構成を備える点については、図２を参照しながら後段で詳細に説明する。
一方、図１、３に示すように、酸素ガス用及び水素ガス用のガスインジェクタ４（４ａ、４ｂ）は、末端が塞がれた細長い筒状の石英管の側面に、長手向に沿って複数のガス供給孔４１を互いに間隔を開けて形成した、従来構造のものが採用されている。ガスインジェクタ４は、ガス供給孔４１の形成面をウエハボート２側に向けて、上下方向に伸びるように反応管１１内に配置される。反応管１１内にガスインジェクタ４を配置した状態において、複数のガス供給孔４１はウエハボート２における最下段のウエハＷの載置位置から、最上段の載置位置までの領域に亘って、ほぼ等間隔で形成されている。
なお図１においては、図示の便宜上、ガスインジェクタ４ａ、４ｂは、反応管１１の横断面を見たとき、径方向にずれた位置に配置されているように示してある。但し、実際にはこれらのガスインジェクタ４ａ、４ｂは、ウエハボート２側から見て、反応管１１の内壁面に沿うように、並べて配置してよい。
各ガスインジェクタ３、４の下部側（基端部側）はマニホールド５側まで伸び出し、マニホールド５の側周壁面に向けて折れ曲がった後、ＨＣＤガスや酸素ガス及び水素ガスの供給ラインを構成する配管と接続されている。ガスインジェクタ３、４における、ガスの供給配管との接続部に形成された開口は、ガス受入口に相当する。
これらガスの供給ラインは、マニホールド５を貫通し、各々、開閉バルブＶ１１、Ｖ１２、Ｖ１３や流量調節部Ｍ１１、Ｍ１２、Ｍ１３を介してＨＣＤガス供給源７１、酸素ガス供給源７２及び水素ガス供給源７３に接続されている。ＨＣＤガス供給源７１、開閉バルブＶ１１、流量調節部Ｍ１１、及びＨＣＤガスの供給ラインは、本実施の形態の成膜ガス供給部に相当する。
さらにこれらガスの供給ラインに対しては、反応管１１内からＨＣＤガスや酸素ガス、水素ガスを排出するために、窒素ガスなどの不活性ガスをパージガスとして供給する不図示のパージガス供給源を設けてもよい。
さらにマニホールド５には排気管６１が接続され、当該排気管６１の下流側には、排気流量調節用の圧力調整部（例えばバタフライバルブ）６２を介して真空排気部６３が接続されている。排気管６１がマニホールド５に接続されていることにより、ガスインジェクタ３、４から反応管１１内に供給された成膜ガス（ＨＣＤガス、酸素ガス、水素ガス）は、反応管１１内を下方側へ向けて流れた後、外部へ排気されることになる。排気管６１、圧力調整部６２、及び真空排気部６３は、本例の排気部に相当する。
この他、縦型熱処理装置には制御部８が設けられている。制御部８は例えば図示しないＣＰＵ（Central Processing Unit）と記憶部とを備えたコンピュータからなり、記憶部には縦型熱処理装置により実施される成膜処理（熱処理）、即ち、処理対象のウエハＷを保持したウエハボート２を処理位置に移動させて反応管１１内に搬入した後、予め決められた順番や流量で原料ガスや反応ガスを切り替えながら供給し、成膜処理を実行する制御についてのステップ（命令）群が組まれたプログラムが記録されている。このプログラムは、例えばハードディスク、コンパクトディスク、マグネットオプティカルディスク、メモリーカードなどの記憶媒体に格納され、そこからコンピュータにインストールされる。
以上に説明した構成を備えた縦型熱処理装置において、ＨＣＤガスの供給を行うガスインジェクタ３は、上下方向に伸びるように反応管１１内に配置され、縦型熱処理装置に適した特別な構造を備えている。
以下、図２を参照しながら当該ガスインジェクタ３の具体的な構成について説明する。
ガスインジェクタ４の構成を詳細に説明する前に、図３に示す従来型のガスインジェクタ４を用いてＨＣＤガスの供給を行った場合の問題点について説明する。
細長い筒状のガスインジェクタ４内を流れるガスの圧力は、流れ方向の下流側（ガスインジェクタ４の先端側）よりも上流側（ガスインジェクタ４の基端側）の方が高くなる。この結果、各ガス供給孔４１から供給されるガスは、基端側に位置するガス供給孔４１ほど流量が大きく、先端側に位置するガス供給孔４１へ向けて次第に流量が小さくなる流量分布が形成される。
なお、図２〜図８に示す各種のガスインジェクタ３、３ａ〜３ｅ、４（４ａ、４ｂ）、４ｃの図には、ガス供給孔３１、４１から供給されるガスの流量に応じて、ガスの流れを示す矢印の長さを変化させている。これらの図では、破線の矢印が長いほど、ガスの流量が大きいことを示しているが、各矢印の長さは、ガスの流量を厳密に示すものではない。
上述の流量分布を有するガスインジェクタ４を用いてＨＣＤガスの供給を行うと、ウエハボート２の下部側に保持されたウエハＷに対しては、高濃度のＨＣＤガスが供給され、上部側に保持されたウエハＷに対しては、下部側と比較して低濃度のＨＣＤガスが供給されることなる。この結果、下部側に保持されたウエハＷに対して比較的多くのＨＣＤが吸着し、上部側に保持されたウエハＷにおいてはＨＣＤの吸着量が少なくなり、ウエハＷの面間でＨＣＤの吸着量が相違する分布が形成される。
よって、ウエハＷの表面に吸着したＨＣＤをＯラジカル及びＯＨラジカルと反応させて得られたＳｉＯ２の各層においてもウエハＷの面間で厚さが相違するので、異なる厚さのＳｉＯ２層が積層され、面間で異なる膜厚分布を有するＳｉＯ２膜が成膜されてしまう（後述の図８（ｂ）に示す比較例参照）。
特に、反応管１１内の成膜ガスを下方側に向けて排気する構成の縦型熱処理装置は、ウエハボート２の下部領域に供給された比較的高い濃度のＨＣＤガスが反応管１１内の上部側の空間へ向けて十分に拡散しないうちに排気されてしまう。このため、ウエハＷの面間の膜厚分布のばらつきが、より顕著になるおそれもある。
上述の問題を改善するため、図４に示すように、Ｕ字状に折り返された形状のガスインジェクタ４ｃを用いる手法も考えられる。当該ガスインジェクタ４ｃは、反応管１１の上部側の空間に、より高い濃度のＨＣＤガスを供給することができる。このとき、反応管１１内のＨＣＤガスが下方排気されると、上部側に供給された高濃度のＨＣＤガスが下部側の空間内を拡散しながら排気されるので、ウエハボート２の下部側に保持されたウエハＷにも高濃度のＨＣＤガスが供給され、面間の膜厚分布のばらつきを改善できる可能性もある。
しかしながら、Ｕ字状に折り返されたガスインジェクタ４ｃは、大型化しやすいため、反応管１１内に配置することが難しい場合もある。また、ＨＣＤガスの圧力が比較的高く、且つ、流れの向きが変化するガスインジェクタ４ｃの折り返し部分の内壁面には、熱分解などに伴ってＳｉ膜などが形成されやすくなる。このＳｉ膜がガスインジェクタ４ｃの内壁面から剥がれると、パーティクルとなって反応管１１内に流れ込み、ウエハＷの汚染源となってしまうおそれもある。
図２は実施の形態に係るガスインジェクタ３を示している。図３を用いて説明した従来のガスインジェクタ４と同様に、本例のガスインジェクタ３は、末端が塞がれた細長い筒状の石英管（例えば従来のガスインジェクタ４と共通の管径を有する）の側面に、複数のガス供給孔３１が互いに間隔を開けて形成されている。以下、当該ガスインジェクタ３において、ガス供給孔３１が形成された上部側の領域をインジェクタ本体３２と呼ぶ。本例のガスインジェクタ３は、前記インジェクタ本体３２内に、インジェクタ本体３２よりも管径が細い、石英製のガス導入管３３を挿入した構造となっている。
ガス導入管３３の上端面には、ガス導入口３３１が形成され、ガス導入管３３内の空間はインジェクタ本体３２の内部空間３２１と連通している。一方、ガス導入管３３の下端部においては、インジェクタ本体３２の側周壁とガス導入管３３の外周面との間の隙間が、円環形状の仕切り部材３３２によって塞がれ、且つ、ガス導入管３３の下端面は開口している。
この結果、ガスインジェクタ３における仕切り部材３３２の配置位置よりも下方側の部分（ＨＣＤガスの流れ方向に見て上流側部分）は、ガス導入管３３の基端側管部３３ｂを構成しているといえる。これに対して、インジェクタ本体３２に挿入された領域は、ガス導入管３３の縮径管部３３ａを構成している。
このように、インジェクタ本体３２とガス導入管３３とは、仕切り部材３３２を介して、上下方向に沿って一体となってガスインジェクタ３を構成している。このガスインジェクタ３内には、ＨＣＤガス供給源７１側から供給されたＨＣＤガスが、ガス導入管３３内を通過してインジェクタ本体３２の内部空間３２１に流入する流路が形成されていると言える。
また前記内部空間３２１内においてガス導入管３３は、インジェクタ本体３２の中心軸に対して、ガス導入管３３の中心軸がガス供給孔３１の形成面から遠ざかる方向にずれた位置に配置されている。この結果、ガス供給孔３１が形成されている向きのインジェクタ本体３２の内周面とガス導入管３３の外周面との間の隙間が広がり、内部空間３２１内に流入したＨＣＤガスが各ガス供給孔３１に到達しやすくなっている。
以下、上述のガスインジェクタ３を備えた縦型熱処理装置の作用について説明する。
はじめに、受け渡し位置までウエハボート２を降下させ、図示しない外部の基板搬送機構によりウエハボート２のすべての載置部にウエハＷを載置する。また、加熱部１２により、反応管１内にウエハＷを搬入したとき、各ウエハＷが予め設定した温度になるように加熱を開始する。
しかる後、ボートエレベータ５２を上昇させ、ウエハボート２を反応容器１内の処理位置に配置すると共に、マニホールド５の開口を蓋体５６によって密閉する。続いて反応容器１の内圧が予め設定された真空度になるように、真空排気部６３によって真空引きを行うと共に、回転軸５３によりウエハボート２を予め設定された回転速度で回転させる。
こうして、ＡＬＤ法による成膜を行う準備ができたら、予め設定された流量にてＨＣＤガス供給源７１よりＨＣＤガスの供給を開始する。図２に破線で示すように、供給ラインからガスインジェクタ３の基端部（ガス受入口）に供給されたＨＣＤガスは、上方側へ向けて流れた後、管径の細いガス導入管３３内に流れ込む。そして、当該ガス導入管３３内を通過したＨＣＤガスはガス導入口３３１よりインジェクタ本体３２の内部空間３２１に導入され、さらに当該内部空間３２１に広がった後、各ガス供給孔３１から反応管１１へ供給される。
ここで図２に示すように、本例のガスインジェクタ３においてガス導入口３３１は、最も上方側に形成されたガス供給孔３１よりもさらに高い位置に開口しているので、ガス導入口３３１から導入されて内部空間３２１内を広がるＨＣＤガスは、ガスインジェクタ３の先端側にて圧力が高く、基端側にて圧力が低くなる。この結果、図４に示すガスインジェクタ４ｃの場合と同様に、反応管１１の上部側の空間に、より高い濃度のＨＣＤガスを供給し、下部側の空間には上部側よりも低い濃度のＨＣＤガスを供給することが可能となる。
またガス導入管３３（縮径管部３３ａ）は、インジェクタ本体３２よりも管径が細いので、流路の狭い絞り部を構成し、当該ガス導入管３３内を流れる際にＨＣＤガスの圧力が低下する。さらに、ガス導入口３３１は、塞がれた状態のインジェクタ本体３２の末端面に向けて開口しているので、内部空間３２１内に導入された後のＨＣＤガスは大きく向きを変えた後、内部空間３２１内を広がっていく。この流れ変化方向の変化に際してもＨＣＤガスの圧力が低下する。この観点で、インジェクタ本体３２の内部空間３２１は、ＨＣＤガスが流れる勢いを穏やかにする、緩衝空間の役割を果たしていると言える。
流れる勢いが弱まったＨＣＤガスが内部空間３２１内を広がる際には、拡散の影響が大きくなる。このため、ガス導入口３３１に近い、ガスインジェクタ３の先端側のＨＣＤガスの圧力と、ガス導入口３３１から遠い、基端側のＨＣＤガスの圧力との圧力差が小さくなる。この結果、図３に示す従来のガスインジェクタ４と比較して、インジェクタ本体３２の上下方向に沿って形成された複数のガス供給孔３１から、より均一にＨＣＤガスを供給することができる。
以上に説明したように、本例のガスインジェクタ３は、図４に示すＵ字状のガスインジェクタ４ｃと同様に、反応管１１の上部側の空間と下部側の空間とを比較したとき、上部側の空間に高濃度のＨＣＤガスを供給することができる。また、当該ガスインジェクタ３は、インジェクタ本体３２の内部空間３２１が緩衝空間の役割を果たすことにより、Ｕ字状のガスインジェクタ４ｃと比較して、各ガス供給孔３１からより均一にＨＣＤガスを供給することができる。
さらに本例のガスインジェクタ３は、内部空間３２１のＨＣＤガスの圧力を低くして、ＨＣＤの分子間距離を大きくすることにより、ＨＣＤガスの熱分解が発生しにくくなるので、インジェクタ本体３２内におけるＳｉ膜の形成を抑え、パーティクルの発生を抑制する効果もある。
ガスインジェクタ３の各ガス供給孔３１から供給されたＨＣＤガスは、反応管１１内に広がり、回転軸５３回りに回転するウエハボート２に保持された各ウエハＷに到達してその表面に吸着する。このとき、反応管１１（反応容器１）内は下方側へ向けて排気されているので、上部側の比較的、高濃度のＨＣＤガスが下部側の空間内を拡散しながら排気さていく。この結果、反応管１１の下部側に保持されたウエハＷに対しても、上部側から流れ込んだＨＣＤガスが供給され、ウエハＷに吸着するＨＣＤガスの量をウエハボート２の高さ方向に沿って均一化することができる。
こうして、各ウエハＷに所定量のＨＣＤガスを吸着させるのに必要な時間が経過したら、ＨＣＤガス供給源７１からのＨＣＤガスの供給を停止すると共に、必要に応じてパージガスを供給し、反応管１１内に残存しているＨＣＤガスを排出する。
しかる後、酸素ガス供給源７２及び水素ガス供給源７３から反応管１１内に予め設定された流量の酸素ガス及び水素ガスを供給する。低圧高温雰囲気となっている反応管１１内に供給された酸素ガス及び水素ガスからはＯラジカル及びＯＨラジカルを含む活性種を生成する。これらＯラジカル及びＯＨラジカルが、ウエハＷに吸着したＨＣＤと反応することにより、ＳｉＯ２が形成される。
上述の反応において、例えばウエハボート２の各段に保持されたウエハＷに供給されるＯラジカル及びＯＨラジカルの濃度の分布がウエハＷの面間の膜厚分布のばらつきに及ぼす影響が小さい場合は、図３に示した単管構造のガスインジェクタ４を用いてＯラジカル及びＯＨラジカルの供給を行ってよい。言い換えると、仮にウエハＷの面間で均一にＨＣＤを吸着させたとき、各ウエハＷに供給されるＯラジカル及びＯＨラジカルの濃度が異なっていても、ＨＣＤを反応させるのに十分な量のＯラジカル及びＯＨラジカルを供給すれば、面間で均一な膜厚分布のＳｉＯ２膜を形成することが可能な場合には、単管構造のガスインジェクタ４を採用すれば十分であるといえる。
この点、酸素ガスインジェクタ４ａ、水素ガスインジェクタ４ｂの各ガス供給孔４１からの酸素ガスまたは水素ガスの流量の分布がウエハＷの面間の膜厚分布のばらつきに及ぼす影響が大きい場合には、酸素ガスや水素ガス（反応ガス）の供給においても図２に示す緩衝空間型のガスインジェクタ３を利用してもよい。この場合には、酸素ガス供給源７２、水素ガス供給源７３や開閉バルブＶ１２、Ｖ１３、流量調節部Ｍ１２、Ｍ１３、酸素ガスや水素ガスの供給ラインは、本実施の形態の成膜ガス供給部に相当することとなる。
そして、各ウエハＷに吸着したＨＣＤガスを反応させるのに必要な所定の時間が経過したら、酸素ガス供給源７２、水素ガス供給源７３からの酸素ガス及び水素ガスの供給を停止し、必要に応じてパージガスを供給し、反応管１１内に残存している酸素ガス及び水素ガスを排出する。しかる後、ＨＣＤガス供給源７１からのＨＣＤガスの供給を再開してウエハＷへのＨＣＤの吸着を行う。
こうして、ＨＣＤガスの供給と酸素ガス及び水素ガスの供給とを含むサイクルを繰り返し実施し、当該サイクルを予め設定された回数だけ実施したら、最終サイクルにおける酸素ガス及び水素ガスの供給停止後、反応管１１内をパージする。そして反応容器１内の圧力を大気圧に戻してからウエハボート２を降下させて成膜が行われたウエハＷを搬出し、一連の動作を終了する。
本実施の形態に係る縦型熱処理装置によれば以下の効果がある。反応容器１内に上下方向に伸びるようにインジェクタ３を配置し、当該インジェクタ３を構成するインジェクタ本体３２の内部空間３２１に、当該インジェクタ本体３２と一体にガス導入管３３を設け、このガス導入管３３を介してＨＣＤガスの導入を行う。この結果、ガスインジェクタ３の大型化を抑えつつ、（１）ガスインジェクタ３の先端側と基端側とに形成されたガス供給孔３１からのＨＣＤガス（成膜ガス：原料ガスや反応ガス）の供給流量を比較したとき、基端側のガス供給孔３１からの供給流量が相対的に小さくなる流量分布を形成し、且つ、（２）これら先端側と基端側との間の供給流量の差を小さく抑えることができる。
ここで、インジェクタ本体３２内にガス導入管３３を挿入したガスインジェクタ３において、ＨＣＤガス供給源７１側から供給される成膜ガスの流量が一定である場合、内部空間３２１の容積が小さくなるほど、内部空間３２１内の平均の圧力は高くなる。そして、内部空間３２１の容積を大きくすれば、前記平均の圧力（以下、図５の説明において「内圧」ともいう）を低くすることができる。
そこで、図５（ａ）〜（ｃ）に示すように、インジェクタ本体３２内に挿入されたガス導入管３３の長さを変えると、内部空間３２１の容積が変化し、内部空間３２１内の内圧を変化させることができる。図５に示す例では、インジェクタ本体３２内に挿入されたガス導入管３３の長さが最長であるガスインジェクタ３において内部空間３２１内の内圧が最も高くなり（図５（ａ））、ガス導入管３３の長さが最短であるガスインジェクタ３ｂにおいて前記内圧が最も低くなる（図（ｃ））。
縦型熱処理装置において、図５（ａ）〜（ｃ）のいずれのガスインジェクタ３、３ａ、３ｂを採用するかについては、反応管１１側で要求される成膜ガスの供給流用の分布や、インジェクタ本体３２内にＳｉ膜が形成されにくくなる内圧条件などを事前に把握し、適切なものを選択すればよい。
ここで図５（ｂ）、（ｃ）に示すガスインジェクタ３ａ、３ｂのように、ガス導入管３３を短くすると、ガス導入口３３１の開口位置は、最も上方側に形成されたガス供給孔３１よりも下方側に位置することとなる。この場合においても、ガス導入管３３の上端面にガス導入口３３１を形成すると、内部空間３２１内に導入された成膜ガスは、ガス導入管３３からの導入方向に沿ってインジェクタ本体３２内を上方側へ向けて流れた後、インジェクタ本体３２の上端面に到達して流れ方向を変える流れを形成する。この結果、ガス導入口３３１よりも上方側に配置されているガス供給孔３１側の領域に対しても、比較的高い圧力の成膜ガスを供給し、先端側に形成されたガス供給孔３１からの成膜ガスの供給流量が相対的に大きくなる流量分布を形成することができる。
このようにガス導入管３３の長さによって内部空間３２１の容積を変化させる手法を採用する場合は、ガス導入管３３の先端のガス導入口３３１の高さ位置は、インジェクタ本体３２に形成された複数のガス供給孔３１のうち、最も下方側に形成されたガス供給孔３１よりも高い位置に設定する。より好ましくは、ガス供給孔３１の形成範囲の２分の１の高さ位置よりも上方側にガス導入口３３１が配置されるように、ガス導入管３３の長さを決定するとよい。
また、インジェクタ本体３２とガス導入管３３とを一体に設ける構成は、管径の細いガス導入管３３をインジェクタ本体３２内に挿入する場合に限られない。例えば図６に示すガス導入管３３のように、基端側から先端側までの管径が変化しない直管状のガス導入管３３に対し、当該ガス導入管３３の上部側の領域を、管径の大きなインジェクタ本体３２によって覆ってもよい。
また、図６に示したガス導入管３３は、ガス導入管３３の側面に、当該ガス導入管３３の管径よりも小さな開口面積のガス導入口３３１ａを設けた例を示している。この例では縮径管部３３ａに替わってガス導入口３３１ａが絞り部として機能し、内部空間３２１に成膜ガスが導入される際の圧力を下げている。
なお、ガス導入管３３の側面にガス導入口３３１ａを設ける場合には、ガス導入口３３１ａからガス供給孔３１への成膜ガスの吹き抜けを防止する必要がある。そこで図６に示すように、ガス導入口３３１ａは、最も上方側に形成されたガス供給孔３１よりも高い位置に配置するか、ガス供給孔３１の形成面とは異なる方向へ向けて成膜ガスが導入される向きに配置することが好ましい。
さらには、インジェクタ本体３２とガス導入管３３とを一体に設ける構成は、インジェクタ本体３２内にガス導入管３３を挿入する場合に限らず、例えば図７（ａ）、（ｂ）に示すガスインジェクタ３ｄ、３ｅのように、インジェクタ本体３２とガス導入管３３とを隣り合わせに並べて一体とする構成としてもよい。
図７（ａ）のガスインジェクタ３ｄは、インジェクタ本体３２とガス導入管３３の側壁面同士を接続し、この接続面の上方側の位置に絞り部であるガス導入口３３１ａを設けた例である。
また、図７（ｂ）のガスインジェクタ３ｅは、インジェクタ本体３２に、ガス導入管３３の側面の一部及び上面の一部を挿入する切り欠きを設け、当該切り欠き内にガス導入管３３を挿入して前記ガス導入管３３の側面の一部及び上面の一部を覆い、インジェクタ本体３２によって覆われたガス導入管３３の上面に、絞り部であるガス導入口３３１を設けた例である。
これらの例においてもインジェクタ本体３２とガス導入管３３とが一体に設けられているので、図４に示したＵ字型のガスインジェクタ４ｃと比較して、ガスインジェクタ３ｄ、３ｅのサイズをコンパクトにすることができる。
さらにまた本例のガスインジェクタ３、３ａ〜３ｅを備えた縦型熱処理装置にて使用する成膜ガスの種類や成膜される膜の種類は、上述の例（原料ガスであるＨＣＤガスと反応ガスである酸素ガス及び水素ガスとを用いたＳｉＯ２膜（金属酸化膜）の成膜に限られない。
例えば、金属原料を含む原料ガスと、窒素を含む反応ガスとの反応による金属窒化物の成膜、金属原料を含む原料ガスと、当該原料ガスを分解、還元させるガスとの反応による金属膜の成膜などを、ＡＬＤ法により実施してもよい。
（実験）
図１を用いて示したものと同等の下方排気方式の縦型熱処理装置を用い、ウエハボート２に保持されたウエハＷに対してＡＬＤ法によりＳｉＯ２膜の成膜を行い、各ウエハＷの膜厚分布を測定した。
Ａ．実験条件
（実施例）図２に示す実施の形態に係るガスインジェクタ３を用いてＨＣＤガスの供給を行う一方、図３に示す従来型のガスインジェクタ４を用いて酸素ガスの供給を行い、ＡＬＤ法によりＳｉＯ２膜を成膜した。ＨＣＤガスの供給時には、ＨＣＤガス供給源７１より流量２００ｓｃｃｍのＨＣＤガスを６秒間供給し、酸素ガス及び水素ガスの供給時には、酸素ガス供給源７２、水素ガス供給源７３より流量３，０００ｓｃｃｍの酸素ガスと１，０００ｓｃｃｍの水素ガスとを１０秒間供給した。これらのガス供給を含むサイクルを１００回実施して成膜を行った。反応容器１内の圧力は４０Ｐａ、加熱部１２によるウエハＷの加熱温度は６００℃、回転軸５３まわりのウエハボート２の回転速度は２．０ｒｐｍである。ウエハＷを保持するウエハボート２の最下段から数えて２０段目、６０段目、９０段目、１３０段目、１６０段目の載置位置に載置された５枚のウエハＷの膜厚分布を膜厚計により測定した。
（比較例）図３に示す従来型のガスインジェクタ４を用いてＨＣＤガスの供給を行った点を除いて実施例と同様の条件で成膜、膜厚分布測定を行った。
Ｂ．実験結果
実施例、比較例の結果を各々図８（ａ）、（ｂ）に示す。各図中に示した実線は、ウエハＷの中心を通る横断面を見たときのＳｉＯ２膜の膜厚分布を模式的に示している。各図においては、膜厚測定を行ったウエハＷのうち、最下段のウエハＷの膜厚分布を右端に表示し、順次、上段側のウエハＷの膜厚分布が左側に表示されるように、膜厚分布の測定結果を並べてある。
図８（ａ）に示した実施例の結果によれば、いずれの載置位置にて成膜されたＳｉＯ２膜についても、ウエハＷの中央側で膜厚が厚く、周縁側で薄くなる上に凸の膜厚分布が確認された。さらに、膜厚が最大となるウエハＷの中央位置に着目して、各ウエハＷの膜厚の変化を確認すると、ウエハボート２の上段側に保持されたウエハＷの方が、下段側に保持されたウエハＷよりも厚いＳｉＯ２膜が形成されることが確認できた。この膜厚の変化は、ガスインジェクタ３からのＨＣＤガスの吐出流量の分布に対応している。一方で、膜厚分布の測定を行った５枚のウエハＷ間で、膜厚の最大値のばらつきは、最大でも２倍以内の範囲に収まった。
これに対して図８（ｂ）に示した比較例の結果においても、すべてのウエハＷにおいて、中央側で膜厚が厚く、周縁側で薄くなる上に凸の膜厚分布を有するＳｉＯ２膜が成膜された。そして、ウエハＷの膜厚（ウエハＷの中央位置における膜厚の最大値）は、ウエハボート２の下段側に保持されたウエハＷの方が、上段側に保持されたウエハＷよりも厚いＳｉＯ２膜が形成されていることが確認された。この膜厚の変化は、従来型のガスインジェクタ４からのＨＣＤガスの吐出流量の分布に対応している。さらには、膜厚分布の測定を行った５枚のウエハＷ間で、膜厚の最大値のばらつきは、２倍以上に広がっていた。
以上の実験結果を踏まえると、実施の形態に係るガスインジェクタ３を利用してＨＣＤガスを供給することにより、従来のガスインジェクタ４を用いる場合と比較して、ウエハボート２に保持されたウエハＷに成膜される膜の膜厚分布を面間で揃えることができると評価できる。
Ｗ ウエハ
１ 反応容器
１２ 加熱部
２ ウエハボート
３、３ａ〜３ｅ
ガスインジェクタ
３１ ガス供給孔
３２ インジェクタ本体
３２１ 内部空間
３３ ガス導入管
ガス導入口
４、４ａ、４ｂ
ガスインジェクタ
６３ 真空排気部
７１ ＨＣＤガス供給源
７２ 酸素ガス供給源
７３ 水素ガス供給源
８ 制御部

Claims (8)

  1. 上下方向に複数の基板を棚状に並べて保持した基板保持具を、周囲に加熱部が配置された縦型の反応容器内に搬入して熱処理を行う縦型熱処理装置に設けられ、前記反応容器内に、基板への成膜用の成膜ガスを供給するためのガスインジェクタにおいて、
    前記反応容器内に上下方向に伸びるように配置され、前記上下方向に沿って、複数のガス供給孔が形成された筒状のインジェクタ本体と、
    前記上下方向に沿って前記インジェクタ本体と一体となるように設けられ、前記成膜ガスを受け入れる下部側のガス受入口と、前記インジェクタ本体の内部空間に連通し、当該内部空間に成膜ガスを導入するガス導入口とを備えた筒状のガス導入管と、を備えたことを特徴とするガスインジェクタ。
  2. 前記ガス導入管は、前記内部空間に挿入された状態となっていることにより、前記インジェクタ本体と一体となっていることを特徴とする請求項１に記載のガスインジェクタ。
  3. 前記ガス導入口は、前記内部空間に挿入されたガス導入管の上端面に開口していることを特徴とする請求項２に記載のガスインジェクタ。
  4. 前記ガス導入口が設けられている高さ位置は、前記複数のガス供給孔のうち、最も下方側に形成された前記ガス供給孔よりも高い位置であることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか一つに記載のガスインジェクタ。
  5. 前記ガス導入管内の成膜ガスの圧力よりも、前記内部空間に導入された成膜ガスの圧力を低下させるために、前記ガス導入管には、成膜ガスが流れる流路を狭くする絞り部が設けられていることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか一つに記載のガスインジェクタ。
  6. 請求項１ないし５のいずれか一つに記載のガスインジェクタを備えたことを特徴とする縦型熱処理装置。
  7. 前記反応容器には、前記ガスインジェクタから反応容器内に供給された成膜ガスが、当該反応容器内を下方側へ向けて流れた後、外部へ排気される位置に排気部が設けられていることを特徴とする請求項６に記載の縦型熱処理装置。
  8. 前記ガス導入管のガス受入口へ向けて、成膜ガスを供給する成膜ガス供給部を備え、前記成膜ガスは、熱により分解してインジェクタ本体またはガス導入管の内面に膜を形成する成分を含むことを特徴とする請求項６または７に記載の縦型熱処理装置。
JP2016221523A 2016-11-14 2016-11-14 ガスインジェクタ、及び縦型熱処理装置 Active JP6737139B2 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016221523A JP6737139B2 (ja) 2016-11-14 2016-11-14 ガスインジェクタ、及び縦型熱処理装置
KR1020170145735A KR102224424B1 (ko) 2016-11-14 2017-11-03 가스 인젝터 및 종형 열처리 장치
TW106138554A TWI701737B (zh) 2016-11-14 2017-11-08 氣體噴射器及立式熱處理裝置
US15/810,768 US20180135179A1 (en) 2016-11-14 2017-11-13 Gas Injector and Vertical Heat Treatment Apparatus
CN201711121710.XA CN108070847B (zh) 2016-11-14 2017-11-14 气体喷射器和立式热处理装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016221523A JP6737139B2 (ja) 2016-11-14 2016-11-14 ガスインジェクタ、及び縦型熱処理装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2018081956A true JP2018081956A (ja) 2018-05-24
JP6737139B2 JP6737139B2 (ja) 2020-08-05

Family

ID=62106396

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2016221523A Active JP6737139B2 (ja) 2016-11-14 2016-11-14 ガスインジェクタ、及び縦型熱処理装置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20180135179A1 (ja)
JP (1) JP6737139B2 (ja)
KR (1) KR102224424B1 (ja)
CN (1) CN108070847B (ja)
TW (1) TWI701737B (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2020057704A (ja) * 2018-10-02 2020-04-09 東京エレクトロン株式会社 インジェクタ及びこれを用いた基板処理装置、並びに基板処理方法
KR20210089578A (ko) 2020-01-08 2021-07-16 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 가스 공급 구조 및 기판 처리 장치

Families Citing this family (355)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10378106B2 (en) 2008-11-14 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming insulation film by modified PEALD
US9394608B2 (en) 2009-04-06 2016-07-19 Asm America, Inc. Semiconductor processing reactor and components thereof
US8802201B2 (en) 2009-08-14 2014-08-12 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species
US9312155B2 (en) 2011-06-06 2016-04-12 Asm Japan K.K. High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules
US10364496B2 (en) 2011-06-27 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Dual section module having shared and unshared mass flow controllers
US10854498B2 (en) 2011-07-15 2020-12-01 Asm Ip Holding B.V. Wafer-supporting device and method for producing same
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US9017481B1 (en) 2011-10-28 2015-04-28 Asm America, Inc. Process feed management for semiconductor substrate processing
US9659799B2 (en) 2012-08-28 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Systems and methods for dynamic semiconductor process scheduling
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US9484191B2 (en) 2013-03-08 2016-11-01 Asm Ip Holding B.V. Pulsed remote plasma method and system
US9589770B2 (en) 2013-03-08 2017-03-07 Asm Ip Holding B.V. Method and systems for in-situ formation of intermediate reactive species
US9240412B2 (en) 2013-09-27 2016-01-19 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor structure and device and methods of forming same using selective epitaxial process
US10683571B2 (en) 2014-02-25 2020-06-16 Asm Ip Holding B.V. Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same
US10167557B2 (en) 2014-03-18 2019-01-01 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
US9890456B2 (en) 2014-08-21 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method and system for in situ formation of gas-phase compounds
US9657845B2 (en) 2014-10-07 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Variable conductance gas distribution apparatus and method
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
KR102263121B1 (ko) 2014-12-22 2021-06-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 및 그 제조 방법
US10529542B2 (en) 2015-03-11 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Cross-flow reactor and method
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10600673B2 (en) 2015-07-07 2020-03-24 Asm Ip Holding B.V. Magnetic susceptor to baseplate seal
US9960072B2 (en) 2015-09-29 2018-05-01 Asm Ip Holding B.V. Variable adjustment for precise matching of multiple chamber cavity housings
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US10322384B2 (en) 2015-11-09 2019-06-18 Asm Ip Holding B.V. Counter flow mixer for process chamber
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10468251B2 (en) 2016-02-19 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Method for forming spacers using silicon nitride film for spacer-defined multiple patterning
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10501866B2 (en) 2016-03-09 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution apparatus for improved film uniformity in an epitaxial system
US10343920B2 (en) 2016-03-18 2019-07-09 Asm Ip Holding B.V. Aligned carbon nanotubes
US9892913B2 (en) 2016-03-24 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Radial and thickness control via biased multi-port injection settings
US10865475B2 (en) 2016-04-21 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides and silicides
US10190213B2 (en) 2016-04-21 2019-01-29 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
US10032628B2 (en) 2016-05-02 2018-07-24 Asm Ip Holding B.V. Source/drain performance through conformal solid state doping
KR102592471B1 (ko) 2016-05-17 2023-10-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 배선 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US10388509B2 (en) 2016-06-28 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Formation of epitaxial layers via dislocation filtering
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US10714385B2 (en) 2016-07-19 2020-07-14 Asm Ip Holding B.V. Selective deposition of tungsten
US10381226B2 (en) 2016-07-27 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Method of processing substrate
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US10395919B2 (en) 2016-07-28 2019-08-27 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
KR102613349B1 (ko) 2016-08-25 2023-12-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배기 장치 및 이를 이용한 기판 가공 장치와 박막 제조 방법
US10410943B2 (en) 2016-10-13 2019-09-10 Asm Ip Holding B.V. Method for passivating a surface of a semiconductor and related systems
US10643826B2 (en) 2016-10-26 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for thermally calibrating reaction chambers
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10435790B2 (en) 2016-11-01 2019-10-08 Asm Ip Holding B.V. Method of subatmospheric plasma-enhanced ALD using capacitively coupled electrodes with narrow gap
US10229833B2 (en) 2016-11-01 2019-03-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10643904B2 (en) 2016-11-01 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a semiconductor device and related semiconductor device structures
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10134757B2 (en) 2016-11-07 2018-11-20 Asm Ip Holding B.V. Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US10340135B2 (en) 2016-11-28 2019-07-02 Asm Ip Holding B.V. Method of topologically restricted plasma-enhanced cyclic deposition of silicon or metal nitride
KR102762543B1 (ko) 2016-12-14 2025-02-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
KR102700194B1 (ko) 2016-12-19 2024-08-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10867788B2 (en) 2016-12-28 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10655221B2 (en) 2017-02-09 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10283353B2 (en) 2017-03-29 2019-05-07 Asm Ip Holding B.V. Method of reforming insulating film deposited on substrate with recess pattern
KR102457289B1 (ko) 2017-04-25 2022-10-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10892156B2 (en) 2017-05-08 2021-01-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10446393B2 (en) 2017-05-08 2019-10-15 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming silicon-containing epitaxial layers and related semiconductor device structures
US10504742B2 (en) 2017-05-31 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Method of atomic layer etching using hydrogen plasma
US10886123B2 (en) 2017-06-02 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures
US12040200B2 (en) 2017-06-20 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
US10685834B2 (en) 2017-07-05 2020-06-16 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10605530B2 (en) 2017-07-26 2020-03-31 Asm Ip Holding B.V. Assembly of a liner and a flange for a vertical furnace as well as the liner and the vertical furnace
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10312055B2 (en) 2017-07-26 2019-06-04 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing film by PEALD using negative bias
TWI815813B (zh) 2017-08-04 2023-09-21 荷蘭商Ａｓｍ智慧財產控股公司 用於分配反應腔內氣體的噴頭總成
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US10249524B2 (en) 2017-08-09 2019-04-02 Asm Ip Holding B.V. Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
USD900036S1 (en) 2017-08-24 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Heater electrical connector and adapter
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
KR102401446B1 (ko) 2017-08-31 2022-05-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10607895B2 (en) 2017-09-18 2020-03-31 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming a semiconductor device structure comprising a gate fill metal
KR102630301B1 (ko) 2017-09-21 2024-01-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치
US10844484B2 (en) 2017-09-22 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10319588B2 (en) 2017-10-10 2019-06-11 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
US10910262B2 (en) 2017-11-16 2021-02-02 Asm Ip Holding B.V. Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure
KR102443047B1 (ko) 2017-11-16 2022-09-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
WO2019103610A1 (en) 2017-11-27 2019-05-31 Asm Ip Holding B.V. Apparatus including a clean mini environment
TWI779134B (zh) 2017-11-27 2022-10-01 荷蘭商Ａｓｍ智慧財產控股私人有限公司 用於儲存晶圓匣的儲存裝置及批爐總成
US10290508B1 (en) 2017-12-05 2019-05-14 Asm Ip Holding B.V. Method for forming vertical spacers for spacer-defined patterning
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
US11482412B2 (en) 2018-01-19 2022-10-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a gap-fill layer by plasma-assisted deposition
TWI852426B (zh) 2018-01-19 2024-08-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 沈積方法
USD903477S1 (en) 2018-01-24 2020-12-01 Asm Ip Holdings B.V. Metal clamp
US11018047B2 (en) 2018-01-25 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Hybrid lift pin
USD880437S1 (en) 2018-02-01 2020-04-07 Asm Ip Holding B.V. Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus
US10535516B2 (en) 2018-02-01 2020-01-14 Asm Ip Holdings B.V. Method for depositing a semiconductor structure on a surface of a substrate and related semiconductor structures
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
CN116732497B (zh) 2018-02-14 2025-06-17 Asmip私人控股有限公司 通过循环沉积工艺在衬底上沉积含钌膜的方法
US10731249B2 (en) 2018-02-15 2020-08-04 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10658181B2 (en) 2018-02-20 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
JP7023147B2 (ja) * 2018-03-13 2022-02-21 東京エレクトロン株式会社 断熱構造体及び縦型熱処理装置
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
SG11202008792XA (en) * 2018-03-23 2020-10-29 Kokusai Electric Corp Substrate processing apparatus, method of manufacturing semiconductor device and program
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US10510536B2 (en) 2018-03-29 2019-12-17 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing a co-doped polysilicon film on a surface of a substrate within a reaction chamber
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
KR102501472B1 (ko) 2018-03-30 2023-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
KR102600229B1 (ko) 2018-04-09 2023-11-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 장치, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102709511B1 (ko) 2018-05-08 2024-09-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 산화물 막을 주기적 증착 공정에 의해 증착하기 위한 방법 및 관련 소자 구조
US12025484B2 (en) 2018-05-08 2024-07-02 Asm Ip Holding B.V. Thin film forming method
US12272527B2 (en) 2018-05-09 2025-04-08 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for use with hydrogen radicals and method of using same
TWI816783B (zh) 2018-05-11 2023-10-01 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 用於基板上形成摻雜金屬碳化物薄膜之方法及相關半導體元件結構
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
TWI840362B (zh) 2018-06-04 2024-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 水氣降低的晶圓處置腔室
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
CN112292478A (zh) 2018-06-27 2021-01-29 Asm Ip私人控股有限公司 用于形成含金属的材料的循环沉积方法及包含含金属的材料的膜和结构
JP7515411B2 (ja) 2018-06-27 2024-07-12 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 金属含有材料ならびに金属含有材料を含む膜および構造体を形成するための周期的堆積方法
KR102686758B1 (ko) 2018-06-29 2024-07-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10767789B2 (en) 2018-07-16 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components
US10483099B1 (en) 2018-07-26 2019-11-19 Asm Ip Holding B.V. Method for forming thermally stable organosilicon polymer film
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US10883175B2 (en) 2018-08-09 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein
US10829852B2 (en) 2018-08-16 2020-11-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution device for a wafer processing apparatus
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102707956B1 (ko) 2018-09-11 2024-09-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
WO2020053996A1 (ja) * 2018-09-12 2020-03-19 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ 基板処理装置、半導体装置の製造方法およびプログラム
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
CN110970344B (zh) 2018-10-01 2024-10-25 Asmip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
US10847365B2 (en) 2018-10-11 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD
US10811256B2 (en) 2018-10-16 2020-10-20 Asm Ip Holding B.V. Method for etching a carbon-containing feature
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US10381219B1 (en) 2018-10-25 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR102748291B1 (ko) 2018-11-02 2024-12-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US10559458B1 (en) 2018-11-26 2020-02-11 Asm Ip Holding B.V. Method of forming oxynitride film
US12040199B2 (en) 2018-11-28 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
TWI874340B (zh) 2018-12-14 2025-03-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成裝置結構之方法、其所形成之結構及施行其之系統
TWI866480B (zh) 2019-01-17 2024-12-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ 私人控股有限公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR102727227B1 (ko) 2019-01-22 2024-11-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
JP1648531S (ja) * 2019-01-28 2019-12-23
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
TWI873122B (zh) 2019-02-20 2025-02-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充一基板之一表面內所形成的一凹槽的方法、根據其所形成之半導體結構、及半導體處理設備
TWI845607B (zh) 2019-02-20 2024-06-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
TWI838458B (zh) 2019-02-20 2024-04-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於3d nand應用中之插塞填充沉積之設備及方法
TWI842826B (zh) 2019-02-22 2024-05-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備及處理基材之方法
US11742198B2 (en) 2019-03-08 2023-08-29 Asm Ip Holding B.V. Structure including SiOCN layer and method of forming same
KR102782593B1 (ko) 2019-03-08 2025-03-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
JP2020167398A (ja) 2019-03-28 2020-10-08 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ドアオープナーおよびドアオープナーが提供される基材処理装置
KR102809999B1 (ko) 2019-04-01 2025-05-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
US11447864B2 (en) 2019-04-19 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP7612342B2 (ja) 2019-05-16 2025-01-14 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP7598201B2 (ja) 2019-05-16 2024-12-11 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141002A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법
KR20200141931A (ko) 2019-06-10 2020-12-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 석영 에피택셜 챔버를 세정하는 방법
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
JP7340170B2 (ja) * 2019-06-25 2023-09-07 東京エレクトロン株式会社 ガス導入構造、熱処理装置及びガス供給方法
CN110396677A (zh) * 2019-06-26 2019-11-01 南京爱通智能科技有限公司 一种超大规模原子层沉积设备的快速加热方法
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
TWI839544B (zh) 2019-07-19 2024-04-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法
KR20210010817A (ko) 2019-07-19 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 토폴로지-제어된 비정질 탄소 중합체 막을 형성하는 방법
CN112309843A (zh) 2019-07-29 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US12169361B2 (en) 2019-07-30 2024-12-17 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
CN112323048B (zh) 2019-08-05 2024-02-09 Asm Ip私人控股有限公司 用于化学源容器的液位传感器
KR20210018761A (ko) 2019-08-09 2021-02-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 냉각 장치를 포함한 히터 어셈블리 및 이를 사용하는 방법
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR102806450B1 (ko) 2019-09-04 2025-05-12 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR102733104B1 (ko) 2019-09-05 2024-11-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
TWI846953B (zh) 2019-10-08 2024-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理裝置
KR20210042810A (ko) 2019-10-08 2021-04-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
TWI846966B (zh) 2019-10-10 2024-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成光阻底層之方法及包括光阻底層之結構
US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
US11450529B2 (en) 2019-11-26 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively forming a target film on a substrate comprising a first dielectric surface and a second metallic surface
TWI838594B (zh) 2019-11-26 2024-04-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理設備
CN112885693B (zh) 2019-11-29 2025-06-10 Asmip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP7527928B2 (ja) 2019-12-02 2024-08-05 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR102256105B1 (ko) * 2019-12-13 2021-05-27 주식회사 금강쿼츠 반도체 제조에 사용되는 예열용 2중관 노즐
US11885013B2 (en) 2019-12-17 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming vanadium nitride layer and structure including the vanadium nitride layer
US11527403B2 (en) 2019-12-19 2022-12-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures
KR20210089079A (ko) 2020-01-06 2021-07-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 채널형 리프트 핀
KR20210089077A (ko) 2020-01-06 2021-07-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 가스 공급 어셈블리, 이의 구성 요소, 및 이를 포함하는 반응기 시스템
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
KR20210093163A (ko) 2020-01-16 2021-07-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고 종횡비 피처를 형성하는 방법
KR102675856B1 (ko) 2020-01-20 2024-06-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TW202513845A (zh) 2020-02-03 2025-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 半導體裝置結構及其形成方法
KR20210100010A (ko) 2020-02-04 2021-08-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 대형 물품의 투과율 측정을 위한 방법 및 장치
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
KR20210103956A (ko) 2020-02-13 2021-08-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 수광 장치를 포함하는 기판 처리 장치 및 수광 장치의 교정 방법
US11781243B2 (en) 2020-02-17 2023-10-10 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon
TW202203344A (zh) 2020-02-28 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 專用於零件清潔的系統
TW202139347A (zh) 2020-03-04 2021-10-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 反應器系統、對準夾具、及對準方法
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
US11876356B2 (en) 2020-03-11 2024-01-16 Asm Ip Holding B.V. Lockout tagout assembly and system and method of using same
KR102775390B1 (ko) 2020-03-12 2025-02-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 타겟 토폴로지 프로파일을 갖는 층 구조를 제조하기 위한 방법
US12173404B2 (en) 2020-03-17 2024-12-24 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing epitaxial material, structure formed using the method, and system for performing the method
JP7365946B2 (ja) * 2020-03-18 2023-10-20 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及びクリーニング方法
KR102755229B1 (ko) 2020-04-02 2025-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
KR102719377B1 (ko) 2020-04-03 2024-10-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배리어층 형성 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US11437241B2 (en) 2020-04-08 2022-09-06 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and methods for selectively etching silicon oxide films
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
KR20210128343A (ko) 2020-04-15 2021-10-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 크롬 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 크롬 나이트라이드 층을 포함하는 구조
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
KR20210130646A (ko) 2020-04-21 2021-11-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판을 처리하기 위한 방법
KR20210132612A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 화합물들을 안정화하기 위한 방법들 및 장치
KR20210132605A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 냉각 가스 공급부를 포함한 수직형 배치 퍼니스 어셈블리
JP2021172884A (ja) 2020-04-24 2021-11-01 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化バナジウム含有層を形成する方法および窒化バナジウム含有層を含む構造体
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
TW202208671A (zh) 2020-04-24 2022-03-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括硼化釩及磷化釩層的結構之方法
KR102783898B1 (ko) 2020-04-29 2025-03-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
JP2021177545A (ja) 2020-05-04 2021-11-11 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板を処理するための基板処理システム
KR102788543B1 (ko) 2020-05-13 2025-03-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
TW202146699A (zh) 2020-05-15 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成矽鍺層之方法、半導體結構、半導體裝置、形成沉積層之方法、及沉積系統
KR20210143653A (ko) 2020-05-19 2021-11-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210145079A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판을 처리하기 위한 플랜지 및 장치
KR102795476B1 (ko) 2020-05-21 2025-04-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
KR102702526B1 (ko) 2020-05-22 2024-09-03 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 과산화수소를 사용하여 박막을 증착하기 위한 장치
TWI876048B (zh) 2020-05-29 2025-03-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202212620A (zh) 2020-06-02 2022-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 處理基板之設備、形成膜之方法、及控制用於處理基板之設備之方法
TW202208659A (zh) 2020-06-16 2022-03-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 沉積含硼之矽鍺層的方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TWI873359B (zh) 2020-06-30 2025-02-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202202649A (zh) 2020-07-08 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
KR20220010438A (ko) 2020-07-17 2022-01-25 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법
KR20220011092A (ko) 2020-07-20 2022-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 전이 금속층을 포함하는 구조체를 형성하기 위한 방법 및 시스템
TWI878570B (zh) 2020-07-20 2025-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
US12322591B2 (en) 2020-07-27 2025-06-03 Asm Ip Holding B.V. Thin film deposition process
KR20220021863A (ko) 2020-08-14 2022-02-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
US12040177B2 (en) 2020-08-18 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes
TW202228863A (zh) 2020-08-25 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 清潔基板的方法、選擇性沉積的方法、及反應器系統
KR20220027026A (ko) 2020-08-26 2022-03-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 실리콘 산화물 및 금속 실리콘 산질화물 층을 형성하기 위한 방법 및 시스템
TW202229601A (zh) 2020-08-27 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成圖案化結構的方法、操控機械特性的方法、裝置結構、及基板處理系統
TW202217045A (zh) 2020-09-10 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 沉積間隙填充流體之方法及相關系統和裝置
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
KR20220036866A (ko) 2020-09-16 2022-03-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 산화물 증착 방법
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
JP7361223B2 (ja) * 2020-09-24 2023-10-13 株式会社Kokusai Electric 基板処理方法、半導体装置の製造方法、基板処理装置、およびプログラム
KR20220041751A (ko) 2020-09-25 2022-04-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 처리 방법
US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
KR20220045900A (ko) 2020-10-06 2022-04-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 함유 재료를 증착하기 위한 증착 방법 및 장치
CN114293174A (zh) 2020-10-07 2022-04-08 Asm Ip私人控股有限公司 气体供应单元和包括气体供应单元的衬底处理设备
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
KR20220050048A (ko) 2020-10-15 2022-04-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자의 제조 방법, 및 ether-cat을 사용하는 기판 처리 장치
KR20220053482A (ko) 2020-10-22 2022-04-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 금속을 증착하는 방법, 구조체, 소자 및 증착 어셈블리
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
TW202229620A (zh) 2020-11-12 2022-08-01 特文特大學 沉積系統、用於控制反應條件之方法、沉積方法
TW202229795A (zh) 2020-11-23 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 具注入器之基板處理設備
TW202235649A (zh) 2020-11-24 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充間隙之方法與相關之系統及裝置
KR20220076343A (ko) 2020-11-30 2022-06-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치의 반응 챔버 내에 배열되도록 구성된 인젝터
US12255053B2 (en) 2020-12-10 2025-03-18 Asm Ip Holding B.V. Methods and systems for depositing a layer
TW202233884A (zh) 2020-12-14 2022-09-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成臨限電壓控制用之結構的方法
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
TW202232639A (zh) 2020-12-18 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 具有可旋轉台的晶圓處理設備
TW202242184A (zh) 2020-12-22 2022-11-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 前驅物膠囊、前驅物容器、氣相沉積總成、及將固態前驅物裝載至前驅物容器中之方法
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
TW202226899A (zh) 2020-12-22 2022-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 具匹配器的電漿處理裝置
KR20220143222A (ko) 2021-04-15 2022-10-25 삼성전자주식회사 박막 증착 장치 및 박막 증착 방법
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
CN113755823B (zh) * 2021-09-07 2023-10-13 北京北方华创微电子装备有限公司 半导体热处理设备的气体喷射装置及半导体热处理设备
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate
USD1060598S1 (en) 2021-12-03 2025-02-04 Asm Ip Holding B.V. Split showerhead cover

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH046825A (ja) * 1990-04-24 1992-01-10 Nec Corp 半導体成長装置
US6146461A (en) * 1999-09-17 2000-11-14 Samsung Electronics Co., Ltd. Chemical vapor deposition apparatus having a gas diffusing nozzle designed to diffuse gas equally at all levels
JP2004006898A (ja) * 1992-05-22 2004-01-08 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置の製造方法および製造装置
JP2004363142A (ja) * 2003-06-02 2004-12-24 Sumitomo Mitsubishi Silicon Corp 縦型熱処理炉及び該熱処理炉のガス導入方法
JP2015138913A (ja) * 2014-01-23 2015-07-30 株式会社日立国際電気 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3957549B2 (ja) * 2002-04-05 2007-08-15 株式会社日立国際電気 基板処埋装置
KR100829327B1 (ko) * 2002-04-05 2008-05-13 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 기판 처리 장치 및 반응 용기
US7132103B2 (en) * 2003-08-01 2006-11-07 Enhan Technology Holdings International Co., Ltd. Effects of sporoderm-broken germination activated ganoderma spores on treatment of spinal cord injury
JP4899744B2 (ja) 2006-09-22 2012-03-21 東京エレクトロン株式会社 被処理体の酸化装置
JP4879041B2 (ja) 2007-02-20 2012-02-15 株式会社日立国際電気 基板処理装置
JP5520552B2 (ja) * 2009-09-11 2014-06-11 株式会社日立国際電気 半導体装置の製造方法及び基板処理装置
KR101867364B1 (ko) * 2012-01-03 2018-06-15 삼성전자주식회사 배치 타입 반도체 장치
JP6113626B2 (ja) * 2013-10-21 2017-04-12 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
JP6320824B2 (ja) * 2014-03-31 2018-05-09 株式会社東芝 ガス供給管、およびガス処理装置

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH046825A (ja) * 1990-04-24 1992-01-10 Nec Corp 半導体成長装置
JP2004006898A (ja) * 1992-05-22 2004-01-08 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置の製造方法および製造装置
US6146461A (en) * 1999-09-17 2000-11-14 Samsung Electronics Co., Ltd. Chemical vapor deposition apparatus having a gas diffusing nozzle designed to diffuse gas equally at all levels
JP2001102306A (ja) * 1999-09-17 2001-04-13 Samsung Electronics Co Ltd 化学蒸着用チューブ
JP2004363142A (ja) * 2003-06-02 2004-12-24 Sumitomo Mitsubishi Silicon Corp 縦型熱処理炉及び該熱処理炉のガス導入方法
JP2015138913A (ja) * 2014-01-23 2015-07-30 株式会社日立国際電気 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2020057704A (ja) * 2018-10-02 2020-04-09 東京エレクトロン株式会社 インジェクタ及びこれを用いた基板処理装置、並びに基板処理方法
JP7109331B2 (ja) 2018-10-02 2022-07-29 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
US11846023B2 (en) 2018-10-02 2023-12-19 Tokyo Electron Limited Injector and substrate processing apparatus using the same, and substrate processing method
KR20210089578A (ko) 2020-01-08 2021-07-16 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 가스 공급 구조 및 기판 처리 장치

Also Published As

Publication number Publication date
US20180135179A1 (en) 2018-05-17
JP6737139B2 (ja) 2020-08-05
TWI701737B (zh) 2020-08-11
KR20180054447A (ko) 2018-05-24
CN108070847A (zh) 2018-05-25
KR102224424B1 (ko) 2021-03-05
TW201834062A (zh) 2018-09-16
CN108070847B (zh) 2021-05-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6737139B2 (ja) ガスインジェクタ、及び縦型熱処理装置
JP5287592B2 (ja) 成膜装置
JP4506677B2 (ja) 成膜方法、成膜装置及び記憶媒体
TWI517215B (zh) 薄膜形成方法及膜形成設備
JP4595702B2 (ja) 成膜方法、成膜装置及び記憶媒体
JP6284285B2 (ja) 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム
US8753984B2 (en) Method and apparatus for forming silicon nitride film
KR101434345B1 (ko) 성막 방법 및 성막 장치
US20070292974A1 (en) Substrate Processing Method and Substrate Processing Apparatus
US8734901B2 (en) Film deposition method and apparatus
US20120199067A1 (en) Film-forming apparatus
JP2011129879A (ja) 半導体装置の製造方法、基板処理方法および基板処理装置
TW201347037A (zh) ＳｉＣＮ膜之形成方法及裝置
JP2014007378A (ja) 成膜方法及び成膜装置
JP7024087B2 (ja) 半導体装置の製造方法、基板処理装置、プログラム及び基板処理方法
JP2016192528A (ja) 縦型熱処理装置
JP2013232624A (ja) 半導体装置の製造方法、基板処理方法、基板処理装置、気化システムおよびミストフィルタ
JP2011238832A (ja) 基板処理装置
JP2010080657A (ja) 成膜装置及びこの使用方法
JP3960987B2 (ja) 反応容器
JP2006286716A (ja) 半導体デバイスの製造方法
JP2022050047A (ja) ガス導入構造及び処理装置
JP7616767B2 (ja) 処理装置及び処理方法
JP2011142347A (ja) 基板処理装置
JP2010123752A (ja) 基板処理装置

Legal Events

Date Code Title Description
RD02 Notification of acceptance of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422

Effective date: 20180117

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20190416

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20200109

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20200204

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20200331

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20200529

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20200616

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20200629

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6737139

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250