JP2006286716A

JP2006286716A - 半導体デバイスの製造方法

Info

Publication number: JP2006286716A
Application number: JP2005101357A
Authority: JP
Inventors: Takashi Yokogawa; 貴史横川; Masanori Sakai; 正憲境; Shinya Sasaki; 伸也佐々木; Hirohisa Yamazaki; 裕久山崎
Original assignee: Hitachi Kokusai Electric Inc
Current assignee: Kokusai Denki Electric Inc
Priority date: 2005-03-31
Filing date: 2005-03-31
Publication date: 2006-10-19

Abstract

【課題】リングボートを使用しても充分な膜厚の面内均一性が得られない問題を解決し、
膜厚の面内均一性を更に向上することのできる半導体デバイスの製造方法を提供すること
にある。
【解決手段】
少なくとも第１の処理ガスと第２の処理ガスとを交互に処理室内に供給し、基板表面に
所望の膜を形成する半導体デバイスの製造方法であって、処理室内に前記第１の処理ガス
を供給する工程と、前記処理室内に残留する前記第１の処理ガスを前記処理室から除去す
る工程と、処理室内に前記第２の処理ガスを供給する工程と、前記処理室内に残留する前
記第２の処理ガスを前記処理室から除去する工程と、を含み、少なくとも前記第１の処理
ガス供給工程と第２の処理ガス供給工程のいずれかの工程において、処理ガスと共にキャ
リアガスが同時に供給され、前記キャリアガスの供給量を変化させて供給する半導体デバ
イスの製造方法。
【選択図】図５

Description

本発明は半導体デバイスの製造方法に関し、特に、基板処理装置を用いて、シリコンウ
エハなどの基板表面にＣＶＤ法の中の１つであるＡＬＤ（ＡｔｏｍｉｃＬａｙｅｒＤ
ｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法により薄膜を形成して、半導体デバイスを製造する方法に関する
。

基板処理装置の一例として、複数枚の基板を一括処理するバッチ式の縦型炉を用いた半
導体製造装置が用いられているが、この様な縦型炉にあっては、基板を垂直方向に平行に
等間隔で保持し、反応管と基板の間に付設したノズルより原料を基板面に対して平行に導
入して成膜を実施した場合、成膜に使用する原料によっては、基板周辺部の膜厚が極めて
厚くなり、膜厚の面内均一性が非常に悪化する場合がある。

この様な縦型炉においては、膜厚の面内均一性の悪化に対して、リングボートの使用に
より均一性改善が図られている。このリングボートとは、基板と基板の間にドーナッツ状
のリングが配置されている基板保持治具で、基板周辺部への多量な成膜を基板周辺部を覆
うリングにも成膜させることで消費させ、膜厚の面内均一性を向上させるものである。

しかし、リングボートの使用により、ＡＬＤ法によるＡｌ_２Ｏ_３（酸化アルミニウム）
膜のように膜厚の面内均一性の充分な改善が得られる膜種もあるが、ＡＬＤ法によるＨｆ
Ｏ_２（酸化ハフニウム）膜のように膜厚の面内均一性は向上するものの充分な改善には到
らない膜種もある。

本発明の目的は、ＡＬＤ法における一部膜種において、リングボートを使用しても充分
な膜厚の面内均一性が得られない問題を解決し、膜厚の面内均一性を更に向上することの
できる半導体デバイスの製造方法を提供することにある。

本発明によれば、
少なくとも第１の処理ガスと第２の処理ガスとを交互に処理室内に供給し、基板表面に
所望の膜を形成する半導体デバイスの製造方法であって、
処理室内に前記第１の処理ガスを供給する工程と、
前記処理室内に残留する前記第１の処理ガスを前記処理室から除去する工程と、
前記処理室内に前記第２の処理ガスを供給する工程と、
前記処理室内に残留する前記第２の処理ガスを前記処理室から除去する工程と、
を含み、
少なくとも前記第１の処理ガス供給工程と第２の処理ガス供給工程のいずれかの工程に
おいて、処理ガスと共にキャリアガスが同時に供給され、前記キャリアガスの供給量を変
化させて供給することを特徴とする半導体デバイスの製造方法が提供される。

本発明によれば、基板表面に生成された薄膜の膜厚面内均一性を向上させた半導体デバ
イスの製造方法が提供できる。

次に、本発明の好ましい実施形態を説明する。
まず、図１、図２を参照して本発明の好ましい実施形態の基板処理装置の概略を説明す
る。

＜基板処理装置の構成＞
本発明の基板処理装置の構成を図面を用いて説明する。
尚、以下の説明では、基板処理装置として基板に拡散処理やＣＶＤ処理などを行う縦型
の装置（以下、単に処理装置という）を適用した場合について述べる。図１は、本発明に
適用される処理装置の外観斜視図である。なお、この図は透視図として描かれている。ま
た、図２は図１に示す処理装置の側面図である。

本発明の処理装置は、シリコン等からなるウエハ（基板）２００を収納したポッド（基
板収納容器）１００を、外部から筐体１０１内へ挿入するため、およびその逆に筐体１０
１内から外部へ払出すためのＩ／Ｏステージ（保持具授受部材）１０５が筐体１０１の前
面に付設され、筐体１０１内には挿入されたポッド１００を保管するためのカセット棚（
載置手段）１０９が敷設されている。また、ウエハ２００の搬送エリアであり、後述のボ
ート（基板保持手段）２１７のローディング、アンローディング空間となるＮ_２パージ室
（気密室）１０２が設けられている。ウエハ２００に処理を行うときのＮ２パージ室１０
２の内部は、ウエハ２００の自然酸化膜を防止するためにＮ_２ガスなどの不活性ガスが充
満されるように、Ｎ_２パージ室１０２は密閉容器となっている。

上述したポッド１００としては、現在ＦＯＵＰというタイプが主流で使用されており、
ポッド１００の一側面に設けられた開口部を蓋体（図示せず）で塞ぐことで大気からウエ
ハ２００を隔離して搬送でき、蓋体を取り去る事でポッド１００内へウエハ２００を入出
させることができる。このポッド１００の蓋体を取外し、ポッド内の雰囲気とＮ_２パージ
室１０２の雰囲気とを連通させるために、Ｎ_２パージ室１０２の前面側には、ポッドオー
プナ（開閉手段）１０８が設けられている。ポッドオープナ１０８、カセット棚１０９、
およびＩ／Ｏステージ１０５間のポッド１００の搬送は、カセット移載機１１４によって
行なわれる。このカセット移載機１１４によるポッド１００の搬送空間には、筐体１０１
に設けられたクリーンユニット（図示せず）によって清浄化した空気をフローさせるよう
にしている。

Ｎ_２パージ室１０２の内部には、複数のウエハ２００を多段に積載するボート２１７と
、ウエハ２００のノッチ（又はオリエンテーションフラット）の位置を任意の位置に合わ
せる基板位置合わせ装置１０６と、ポッドオープナ１０８上のポッド１００と基板位置合
わせ装置１０６とボート２１７との間でウエハ２００の搬送を行うウエハ移載機（搬送手
段）１１２とが設けられている。また、Ｎ_２パージ室１０２の上部にはウエハ２００を処
理するための処理炉２０２が設けられており、ボート２１７はボートエレベータ（昇降手
段）１１５によって処理炉２０２へローディング、又は処理炉２０２からアンローディン
グすることができる。

＜基板処理装置の動作＞
次に、本発明の基板処理装置の動作について説明する。

先ず、ＡＧＶやＯＨＴなどにより筐体１０１の外部から搬送されてきたポッド１００は
、Ｉ／Ｏステージ１０５に載置される。Ｉ／Ｏステージ１０５に載置されたポッド１００
は、カセット移載機１１４によって、直接ポッドオープナ１０８上に搬送されるか、また
は、一旦カセット棚１０９にストックされた後にポッドオープナ１０８上に搬送される。
ポッドオープナ１０８上に搬送されたポッド１００は、ポッドオープナ１０８によってポ
ッド１００の蓋体を取外され、ポッド１００の内部雰囲気がＮ_２パージ室１０２の雰囲気
と連通される。

次に、ウエハ搬送機１１２によって、Ｎ_２パージ室１０２の雰囲気と連通した状態のポ
ッド１００内からウエハ２００を取出す。取出されたウエハ２００は、基板位置合わせ装
置１０６によって任意の位置にノッチが定まる様に位置合わせが行なわれ、位置合わせ後
、ボート２１７へ搬送される。

ボート２１７へのウエハ２００の搬送が完了したならば、処理室２０１の炉口シャッタ
１１６を開けて、ボートエレベータ１１５によりウエハ２００を搭載したボート２１７を
ローディングする。

ローディング後は、処理炉２０２にてウエハ２００に任意の処理が実施され、処理後は
上述の逆の手順で、ウエハ２００およびポッド１００は筐体１０１の外部へ払出される。

次に、図３、図４を参照して本発明の好ましい実施形態に係る基板処理装置の処理炉の
概略を説明する。

なお、本発明の実施の形態にて行った、ウエハ等の基板へのプロセス処理例としてＡＬ
Ｄ法を用いた成膜処理について、簡単に説明する。

ＡＬＤ法は、ある成膜条件（温度、時間等）の下で、成膜に用いる２種類（またはそれ
以上）の原料となるガスを１種類ずつ交互に基板上に供給し、１原子層単位で吸着させ、
表面反応を利用して成膜を行う手法である。

即ち、利用する化学反応は、例えばＨｆＯ_２膜形成の場合ＡＬＤ法ではＴＥＭＡＨ（Ｈ
ｆ[ＮＣＨ_３Ｃ_２Ｈ_５]_４、テトラキスメチルエチルアミノハフニウム）とＯ_３（オゾン）
を用いて１８０〜２５０℃の低温で高品質の成膜が可能である。また、ガス供給は、複数
種類の反応性ガスを１種類ずつ交互に供給する。そして、膜厚制御は、反応性ガス供給の
サイクル数で制御する。（例えば、成膜速度が１Å／サイクルとすると、２０Åの膜を形
成する場合、処理を２０サイクル行う。）

＜処理炉の構成＞
図３は、本実施の形態にかかる縦型の基板処理炉の概略構成図であり、処理炉部分を縦
断面で示し、図４は本実施の形態にかかる縦型の基板処理炉の概略構成図であり、処理炉
部分を横断面で示す。加熱手段であるヒータ２０７の内側に、基板であるウエハ２００を
処理する反応容器として反応管２０３が設けられ、この反応管２０３の下端開口は蓋体で
あるシールキャップ２１９により気密部材であるＯリング２２０を介して気密に閉塞され
、少なくとも、このヒータ２０７、反応管２０３、及びシールキャップ２１９により処理
炉２０２を形成している。シールキャップ２１９には石英キャップ２１８を介して基板保
持手段であるボート２１７が立設され、前記石英キャップ２１８はボートを保持する保持
体となっている。そして、ボート２１７は処理炉２０２に挿入される。ボート２１７には
バッチ処理される複数のウエハ２００が水平姿勢で管軸方向に多段に積載される。前記ヒ
ータ２０７は処理炉２０２に挿入されたウエハ２００を所定の温度に加熱する。

そして、処理炉２０２へは複数種類、ここでは２種類のガスを供給する供給管としての
２本のガス供給管２３２ａ、２３２ｂが設けられる。第１のガス供給管２３２ａから供給
される原料が液体の場合、第１のガス供給管２３２ａからは流量制御手段である液体マス
フローコントローラ２４０、気化器２４１及び開閉弁である第１のバルブ２４３ａを介し
、第１のキャリアガス供給管２３４ａと合流し、更に第１のノズル２３３ａを介して処理
炉２０２に反応ガスが供給されている。第１のガス供給管２３２ａから供給される原料が
気体の場合には、液体マスフローコントローラ２４０を気体用に交換し、気化器２４１は
不要となる。また、第２のガス供給管２３２ｂからは流量制御手段である第１のマスフロ
ーコントローラ２４１ａ及び開閉弁である第２のバルブ２４３ｂを介し、第２のキャリア
ガス供給管２３４ｂと合流し、更に第２のノズル２３３ｂを介して処理炉２０２に反応ガ
スが供給されている。

処理炉２０２はガスを排気する排気管であるガス排気管２３１により第５のバルブ２４
３ｅを介して排気手段である真空ポンプ２４６に接続され、真空排気されるようになって
いる。尚、この第５のバルブ２４３ｅは弁を開閉して処理炉２０２の真空排気・真空排気
停止ができ、更に弁開度を調節して圧力調整可能になっている開閉弁である。

処理炉２０２を構成している反応管２０３の内壁とウエハ２００との間における円弧状
の空間には、反応管２０３の下部より上部の内壁にウエハ２００の積載方向に沿って、第
１のノズル２３３ａ及び第２のノズル２３３ｂが設けられており、第１のノズル２３３ａ
及び第２のノズル２３３ｂの側面にはガスを供給する供給孔である第１のガス供給孔２４
８ａ及び第２のガス供給孔２４８ｂがそれぞれ設けられている。この第１のガス供給孔２
４８ａ及び第２のガス供給孔２４８ｂは反応管２０３の中心へ向けて開口している。この
第１のガス供給孔２４８ａ及び第２のガス供給孔２４８ｂは、下部から上部にわたってそ
れぞれ同一の開口面積を有し、更に同じ開口ピッチで設けられている。

反応管２０３内の中央部には複数枚のウエハ２００を多段に同一間隔で載置するボート
２１７が設けられており、このボート２１７は図中省略のボートエレベータ機構により反
応管２０３に出入りできるようになっている。また処理の均一性を向上する為にボート２
１７を回転するための回転手段であるボート回転機構２６７が設けてあり、ボート回転機
構２６７を回転することにより、石英キャップ２１８に保持されたボート２１７を回転す
るようになっている。

制御手段であるコントローラ１２１は、液体マスフローコントローラ２４０、第１〜第
３のマスフローコントローラ２４１ａ、２４１ｂ、２４１ｃ、第１〜第５のバルブ２４３
ａ、２４３ｂ、２４３ｃ、２４３ｄ、２４３ｅ、ヒータ２０７、真空ポンプ２４６、ボー
ト回転機構２６７、図中省略のボート昇降機構に接続されており、液体マスフローコント
ローラ２４０、第１〜第４のマスフローコントローラ２４１ａ、２４１ｂ、２４１ｃ、の
流量調整、第１〜第４のバルブ２４３ａ、２４３ｂ、２４３ｃ、２４３ｄの開閉動作、第
５のバルブ２４３ｅの開閉及び圧力調整動作、ヒータ２０７温度調節、真空ポンプ２４６
の起動・停止、ボート回転機構２６７の回転速度調節、ボート昇降機構の昇降動作制御が
行われる。

＜処理炉の動作および成膜例＞
次にＡＬＤ法による成膜例について、ＴＥＭＡＨ及びＯ３を用いてＨｆＯ_２膜を成膜す
る例で説明する。

まず成膜しようとするウエハ２００をボート２１７に装填し、処理炉２０２に搬入する
。搬入後、次の３つのステップを順次実行する。

［ステップ１］
ステップ１では、ＴＥＭＡＨとキャリアガス（Ｎ_２）を流す。まず第１のガス供給管２
３２ａに設けた第１のバルブ２４３ａ、第１のキャリアガス供給管２３４ａに設けた第３
のバルブ２４３ｃ、及びガス排気管２３１に設けた第５のバルブ２４３ｅを共に開けて、
第１のガス供給管２３２ａから液体マスフローコントローラ２４０により流量調整され、
気化器２４２により気化されたＴＥＭＡＨと第１のキャリアガス供給管２３４ａから第２
のマスフローコントローラ２４１ｂにより流量調整されたキャリアガスを混合し、第１の
ノズル２３３ａの第１のガス供給孔２４８ａから処理炉２０２に供給しつつガス排気管２
３１から排気する。液体マスフローコントローラ２４０で制御するＴＥＭＡＨの供給流量
は０．０１〜０．１ｇ／ｍｉｎである。ＴＥＭＡＨガスにウエハ２００を晒す時間は３０
〜１８０秒間である。このときのヒータ２０７温度はウエハが１８０〜２５０℃になるよ
う設定してある。

［ステップ２］
ステップ２では、第１のガス供給管２３２ａの第１のバルブ２４３ａおよび第１のキャ
リアガス供給管２３４ａの第３のバルブ２４３ｃを閉めて、ＴＥＭＡＨとキャリアガスの
供給を止める。ガス排気管２３１の第５のバルブ２４３ｅは開いたままにし真空ポンプ２
４６により、処理炉２０２を２０Ｐａ以下に排気し、残留ＴＥＭＡＨを処理炉２０２から
排除する。また、この時にはＮ_２等の不活性ガスを処理炉２０２に供給すると、更に残留
ＴＥＭＡＨを排除する効果が高まる。

［ステップ３］
ステップ３では、Ｏ_３とキャリアガス（Ｎ_２）を流す。まず第２のガス供給管２３２ｂ
に設けた第２のバルブ２４３ｂ、第２のキャリアガス供給管２３４ｂに設けた第４のバル
ブ２４３ｄを共に開けて、第２のガス供給管２３２ｂから第１のマスフローコントローラ
２４１ａにより流量調整されたＯ_３と第２のキャリアガス供給管２３４ｂから第３のマス
フローコントローラ２４１ｃにより流量調整されたキャリアガスを混合し、第２のノズル
２３３ｂの第２のガス供給孔２４８ｂから処理炉２０２に供給しつつガス排気管２３１か
ら排気する。Ｏ_３にウエハ２００を晒す時間は１０〜１２０秒間である。このときのウエ
ハ温度はＴＥＭＡＨガスの供給時と同じく、１８０〜２５０℃である。Ｏ_３の供給により
、下地膜上のＴＥＭＡＨとＯ_３とが表面反応して、ウエハ２００上にＨｆＯ膜が成膜され
る。成膜後、第２のバルブ２４３ｂ及び第４のバルブ２４３ｄを閉じ、真空ポンプ２４６
により処理炉２０２を真空排気し、残留するＯ_３の成膜に寄与した後のガスを排除する。
また、この時にはＮ_２等の不活性ガスを処理炉２０２に供給すると、更に残留するＯ_３の
成膜に寄与した後のガスを処理炉２０２から排除する効果が高まる。

上記ステップ１〜３を１サイクルとし、このサイクルを複数回繰り返すことによりウエ
ハ上に所定膜厚のＨｆＯ膜を成膜する。

＜実施例＞
本発明の好ましい実施例を図を用いて説明する。なお、図５〜図１０における、第1の
キャリアガスは第1の原料に混合するキャリアガス、第２のキャリアガスは第２の原料に
混合するキャリアガスである。

（１）キャリアガスの流量を少量から多量に変化させる実施例（図５）。
第１の原料および／または第２の原料に混合するキャリアガスの流量を、前半は少量、
後半は多量に変化させる。これにより、第１の原料および／または第２の原料の供給時に
おける前半は基板の外延部を中心に原料を吸着、後半は基板の中央部を中心に原料を吸着
させる。

（２）キャリアガスの流量を多量から少量に変化させる実施例（図６）。
前述の実施例（１）とは逆に、第１の原料および／または第２の原料に混合するキャリ
アガスの流量を、前半は多量、後半は少量に変化させる。これにより、第１の原料および
／または第２の原料の供給時における前半は基板の中心部を中心に原料を吸着、後半は基
板の外延部を中心に原料を吸着させる。

（３）キャリアガスの流量を三段階以上に変化させる実施例（図７）。
前述の実施例（１）（２）におけるキャリアガスの流量の変化は二段階であったが、こ
の手法では、第１の原料および／または第２の原料に混合するキャリアガスの流量を三段
階以上に変化させる。これにより、第１の原料および／または第２の原料の供給時におけ
る序盤は基板の外延部を中心に、中盤は基板の外延部と中央部の中間あたりを中心に、終
盤は基板の中央部を中心に原料を吸着させる。

（４）キャリアガスの流量を直線的に変化させる実施例（図８）。
前述の実施例（１）〜（３）ではキャリアガスの流量を段階的に変化させていたが、こ
の手法では、第１の原料および／または第２の原料に混合するキャリアガスの流量を直線
的に変化させる。これにより、基板上における原料分子の密度の高い箇所を外延部から中
央部へと徐々に推移させ、基板全面に原料を吸着させる。

（５）キャリアガスの流量を少量から多量、多量から再び少量に変化させる実施例（図９
）。
前述の実施例（１）〜（４）ではキャリアガスの流量の変化は少量から多量またはその
逆のみであったが、この手法では、第１の原料および／または第２の原料に混合するキャ
リアガスの流量を少量から多量、多量から再び少量に変化させる。これにより、第１の原
料および／または第２の原料の供給時における序盤は基板の外延部を中心に、中盤は基板
の中央部を中心に、終盤は再び基板の外延部を中心に原料を吸着させる。

（６）キャリアガスの流量を多量から少量、少量から再び多量に変化させる実施例（図１
０）。
前述の実施例（５）とは逆に、この手法では、第１の原料および／または第２の原料に混
合するキャリアガスの流量を多量から少量、少量から再び多量に変化させる。これにより
、第１の原料および／または第２の原料の供給時における序盤は基板の中央部を中心に、
中盤は基板の外延部を中心に、終盤は再び基板の中央部を中心に原料を吸着させる。

以上説明したように、本発明の好ましい実施形態によれば、ＡＬＤ法における一部膜種
において、リングボートを使用しても充分な膜厚の面内均一性が得られない問題を解決で
きる。

即ち、従来、原料の供給時に混合するキャリアガスの流量は一定であるが、このキャリ
アガスの流量を変化させた場合、膜厚の面内分布に次のような変化が表れた。

キャリアガスの流量を少量にした場合、膜厚の分布は基板の外延部が厚く、中央部が薄
い分布となる。これは、原料とキャリアガスの総量が少量のため原料が中央部まで入り込
まず、基板上の原料分子の密度は外延部よりも中央部が低くなり、基板の外延部における
原料分子の吸着量が多くなるためと考えられる。

一方、キャリアガスの流量を多量にした場合、膜厚の分布は基板の外延部が薄く、中央
部が厚い分布となる。これは、原料とキャリアガスの総量が多量のため原料が中央部まで
入り込み、基板上の原料分子の密度は外延部よりも中央部で高くなり、基板の中央部にお
ける原料分子の吸着量が多くなるためと考えられる。

実施例（１）を例にとり説明すれば、原料に混合するキャリアガスの流量により膜厚の
面内分布が変化する現象を利用し、ＡＬＤ法の各周期における第１の原料および／または
第２の原料の供給時に、第１の原料および／または第２の原料に混合するキャリアガスの
流量を、前半は少量、後半は多量というように変化させる。
これにより、第１の原料および／または第２の原料の供給時における前半は基板の外延
部を中心に原料を吸着、後半は基板の中央部を中心に原料を吸着させることで、第１の原
料および／または第２の原料の供給時における基板上の吸着の偏りを無くし、積層されて
いく各層毎の面内均一性を向上させ、最終的に成膜される膜の面内均一性が得られる。

図１は本発明の実施の形態にかかる縦型の基板処理装置の概略構成図であり、基板処理装置を外観斜視で示した図である。図２は図１に示す基板処理装置の側面図である。図３は本発明の実施の形態にかかる縦型の基板処理炉の概略構成図であり、処理炉部分を縦断面で示した図である。図４は図３に示す基板処理炉の処理炉部分を横断面で示した図である。図５は本発明の実施例を示す図である。図６は本発明の実施例を示す図である。図７は本発明の実施例を示す図である。図８は本発明の実施例を示す図である。図９は本発明の実施例を示す図である。図１０は本発明の実施例を示す図である。

符号の説明

１００ポッド
１０１筐体
１０２Ｎ_２パージ室
１０５Ｉ／Ｏステージ
１０６基板位置合せ装置
１０８ポッドオープナ
１０９カセット棚
１１２ウエハ移載機
１１４カセット移載機
１１５ボートエレベータ
１１６炉口シャッタ
１２１コントローラ
２００ウエハ
２０２処理炉
２０３反応管
２０７ヒータ
２１７ボート
２１８石英キャップ
２１９シールキャップ
２２０Ｏリング
２３１ガス排気管
２３２ａ第１のガス供給管
２３２ｂ第２のガス供給管
２３３ａ第１のノズル
２３３ｂ第２のノズル
２３４ａ第１のキャリアガス供給管
２３４ｂ第２のキャリアガス供給管
２４０液体マスフローコントローラ
２４１ａ第１のマスフローコントローラ
２４１ｂ第２のマスフローコントローラ
２４１ｃ第３のマスフローコントローラ
２４２気化器
２４３ａ第１のバルブ
２４３ｂ第２のバルブ
２４３ｃ第３のバルブ
２４３ｄ第４のバルブ
２４３ｅ第５のバルブ
２４６真空ポンプ
２４８ａ第１のガス供給孔
２４８ｂ第２のガス供給孔
２６７ボート回転機構

Claims

少なくとも第１の処理ガスと第２の処理ガスとを交互に処理室内に供給し、基板表面に
所望の膜を形成する半導体デバイスの製造方法であって、
処理室内に前記第１の処理ガスを供給する工程と、
前記処理室内に残留する前記第１の処理ガスを前記処理室から除去する工程と、
前記処理室内に前記第２の処理ガスを供給する工程と、
前記処理室内に残留する前記第２の処理ガスを前記処理室から除去する工程と、
を含み、
少なくとも前記第１の処理ガス供給工程と第２の処理ガス供給工程のいずれかの工程に
おいて、処理ガスと共にキャリアガスが同時に供給され、前記キャリアガスの供給量を変
化させて供給することを特徴とする半導体デバイスの製造方法。