JP2003303793A

JP2003303793A - 研磨装置および半導体装置の製造方法

Info

Publication number: JP2003303793A
Application number: JP2002109902A
Authority: JP
Inventors: Hiroyuki Kojima; 弘之小島; Norikazu Suzuki; 教和鈴木
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 2002-04-12
Filing date: 2002-04-12
Publication date: 2003-10-24

Abstract

(57)【要約】【課題】半導体製造方法のＣＭＰ工程におけるウェハ面
内の研磨量分布の経時的安定性を改善することを目的と
する。【解決手段】２層構造を持った研磨パッドの第１層の第
２層との接着面側に複数の溝を設け、前記溝に負圧を掛
けることで研磨パッド第２層の表面にスラリ導入のため
の凹みを形成するようにした。また、前記複数の溝を研
磨パッド半径方向に３つの領域に区分し、各々独立して
制御された負圧を与えることにより研磨パッド表面の凹
み量を前記領域毎に任意に制御できるようにした。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は研磨装置および半導
体装置の製造方法に係り、特に半導体製造方法における
半導体ウェハ表面を均一に研磨するか、または該半導体
ウェハの外周部分と中央部分で研磨量を任意の量異なら
しめるのに適した研磨装置ならびに半導体装置の製造方
法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年の半導体装置において動作の高速化
や低消費電力化を目的とした素子の微細化や配線の微細
化、多層化が進んでいる。このような半導体装置の製造
過程においては、半導体ウェハの表面に形成された素子
や配線による凹凸が生じる。このような凹凸は次の層を
形成する際のフォトリソグラフィ工程における焦点深度
不足によるパターン形成不良を引き起こしたり、凹凸の
段差部分で配線の欠損を招く場合がある。

【０００３】このため、高密度半導体装置の製造工程に
おいて層間絶縁膜の平坦化にＣＭＰ法（Chemical Mecha
nical Polishing）が導入されている。さらに、近年で
は金属埋め込み配線の研磨工程にもＣＭＰ法が用いられ
ている。

【０００４】ＣＭＰ法は研磨対象の材料に対しエッチン
グ性等の化学的作用を持った溶媒に砥粒が混入されたス
ラリを、ポリウレタン等の樹脂からなる研磨パッド上に
散布し、研磨対象である半導体ウェハを研磨パッドに押
し付けて摺動することにより研磨を行う方法である。

【０００５】層間絶縁膜のＣＭＰ工程では、研磨後の膜
厚が半導体ウェハ全面に渡り均一であることが重要とな
る。半導体装置の製造工程ではＣＭＰ法による平坦化を
行った層間絶縁膜にドライエッチングによるコンタクト
ホール形成を行う。この際、半導体ウェハ面内の層間絶
縁膜の膜厚分布に応じたエッチング量の分布制御を行う
ことは困難であるため、ウェハ面内の膜厚にばらつきが
あると，膜の厚い箇所に合わせてエッチングを行うと膜
の薄い箇所では配線層までエッチングを行ってしまい配
線が損傷する。一方、膜厚の薄い箇所に合わせてエッチ
ングを行うと膜の厚い箇所ではコンタクトホールが配線
層の表面まで到達せず接続不良となる。

【０００６】また，金属埋め込み配線のＣＭＰ工程につ
いては余剰の金属膜をウェハ全面に渡り均一に研磨し、
除去する必要がある。ウェハ面内で研磨量に差が生じた
場合、研磨が早期に進行し配線が形成された箇所は，ウ
ェハ全面に渡り配線が形成されるまで過剰に研磨され
る。このため、早期に形成された配線は研磨後の配線高
さが少なくなり所望の電気特性が得られなくなる場合が
生じたり，極端な場合は配線が失われてしまう。

【０００７】以上説明したように半導体装置の製造方法
におけるＣＭＰ工程では、ウェハ全面に渡る均一な研磨
が重要である。ところが、一般的な研磨装置ではウェハ
中央部の研磨量が少なく、外周部が大きい研磨量分布を
持つ傾向がある。これはウェハ面内におけるスラリ供給
量の差に起因する。

【０００８】すなわち、一般的な研磨装置においてスラ
リは研磨パッド上へ滴下され、研磨パッドの回転に伴っ
てウェハ外周部分から中央部分に向かって供給される。
この際、研磨パッド上のスラリはウェハ外縁により排除
されやすく、ウェハ中央部分まで到達するスラリ量はウ
ェハ外周部分より少なくなる。このため、研磨量分布は
ウェハ外周部分が大きく、ウェハ中央部分が小さくな
る。

【０００９】このようなウェハ面内におけるスラリの不
均一な分布を修正するために、従来は特開平５−１４６
９６９号公報、あるいは特開２００１−５４８５６号公
報に開示されているように、ウェハと研磨パッド間への
スラリの導入を促進し，ウェハ面内のスラリ供給量を均
等化する目的で研磨パッド表面に溝を設けることが行わ
れている。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな研磨パッド上に設けた溝による研磨量均一性の改善
方法は、前記溝が研磨パッドのコンディショニングによ
り順次浅くなるため、安定した効果が得られる期間が短
いという問題がある。

【００１１】スラリの導入を促進する他の方法として
は、特開２０００−２９６４５８号公報に開示されてい
るように、研磨パッド裏面からの負圧によって研磨パッ
ド表面に凹みを形成する方法がある。このような方法で
は研磨パッドの消耗によらずウェハと研磨パッド間への
安定したスラリの導入が期待できる。

【００１２】しかしながら，特開２０００−２９６４５
８号公報では研磨パッド表面への凹みの形成と、研磨パ
ッドの研磨定盤への吸引による固定に同一の真空源を使
用しているため、研磨パッドの固定に適切な負圧の大き
さと研磨パッド表面に適切な凹み量を得るために必要な
負圧の大きさが異なった場合、所望の効果が得られない
恐れがある。

【００１３】また、以上説明したウェハ面内の研磨量の
均一性に加え、研磨後の膜厚の均一性を損なう要因とし
て研磨前の膜厚分布の問題がある。成膜後の層間絶縁膜
や金属膜は一般にウェハ内外周で概略数％の膜厚差を持
っている。このような膜厚分布を持ったウェハを均一に
研磨した場合、研磨後に研磨前の膜厚差がそのまま残留
してしまう。このような場合にはＣＭＰ工程で成膜工程
における膜厚分布を補正した研磨を行う必要がある。

【００１４】本発明は上記の問題点を鑑み、半導体ウェ
ハ表面を均一に研磨するか、または該半導体ウェハの外
周部分と中央部分で研磨量を任意の量異ならしめるのに
適した研磨装置ならびに半導体装置の製造方法を提供す
ることを目的とする。

【００１５】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明は、下記（１）〜（２）に示す研磨装置、な
らびに下記（３）〜（６）に示す半導体装置の製造方法
を提供する。（１）真空吸引手段に連通する通気孔が形成され、回転
軸周りに回転する研磨定盤と、前記研磨定盤に貼付され
た第１層、および前記第１層に接着された第２層で構成
され、前記第１層の前記第２層との接着面に前記研磨定
盤の通気孔に連通する複数の溝が形成された研磨パッド
と、前記真空吸引手段の吸引圧力を制御する圧力制御手
段と、前記研磨パッドと半導体ウェハとの間に相対運動
を与えるための半導体ウェハ保持手段と、前記研磨パッ
ドと半導体ウェハとの間に研磨荷重を与えるための半導
体ウェハ加圧手段と、前記研磨パッド上にスラリを供給
するスラリ供給手段とを備えたことを特徴とする研磨装
置。

【００１６】（２）各々独立した真空吸引手段に連通し
た複数の通気孔が形成され、回転軸周りに回転する研磨
定盤と、前記研磨定盤に貼付された第１層、および前記
第１層に接着された第２層で構成され、前記第１層の前
記第２層との接着面に所定の領域毎に前記研磨定盤の各
通気孔に連通する複数の溝が形成された研磨パッドと、
前記独立した真空吸引手段の吸引圧力を個別に制御する
圧力制御手段と、前記研磨パッドと半導体ウェハとの間
に相対運動を与えるための半導体ウェハ保持手段と、前
記研磨パッドと半導体ウェハとの間に研磨荷重を与える
ための半導体ウェハ加圧手段と、前記研磨パッド上にス
ラリを供給するスラリ供給手段とを備えたことを特徴と
する研磨装置。

【００１７】（３）半導体ウェハ上に配線を形成する工
程と、前記配線を被覆する層間絶縁膜を形成する工程
と、研磨パッドの研磨面上に研磨の際に所望の凹みを形
成する手段を有する研磨装置により前記層間絶縁膜を研
磨する工程とを有する半導体装置の製造方法。

【００１８】（４）半導体ウェハ上の所定の領域に溝を
形成する工程と、前記溝の内部を含む前記半導体ウェハ
上に金属膜を形成する工程と、研磨パッドの研磨面上に
研磨の際に所望の凹みを形成する手段を有する研磨装置
により前記金属膜を研磨する工程とを有する半導体装置
の製造方法。

【００１９】（５）半導体ウェハ上に配線を形成する工
程と、前記配線を被覆する層間絶縁膜を形成する工程
と、研磨パッドの研磨面上に研磨の際に所定の領域毎に
所望の凹みを形成する手段を有する研磨装置により前記
層間絶縁膜を研磨する工程とを有する半導体装置の製造
方法。

【００２０】（６）半導体ウェハ上の所定の領域に溝を
形成する工程と、前記溝の内部を含む前記半導体ウェハ
上に金属膜を形成する工程と、前記配線を被覆する層間
絶縁膜を形成する工程と、研磨パッドの研磨面上に研磨
の際に所定の領域毎に所望の凹みを形成する手段を有す
る研磨装置により前記金属膜を研磨する工程とを有する
半導体装置の製造方法。

【００２１】本発明の研磨装置では、ウェハ研磨の際に
研磨パッド表面にスラリ導入のための適切な深さを持っ
た凹みを形成できるため、研磨パッド表面に溝を形成す
る方法と比較して、研磨パッド消耗等の影響を受けずに
長期にわたり研磨量均一性を維持した研磨が可能とな
る。さらに、ウェハ外周部分と中央部分の研磨量を個別
に制御できるため、半導体ウェハ全面に渡る均一な研磨
が可能となる。また、全面に渡って均一な研磨がなされ
た半導体ウェハを用いた半導体装置の製造が可能とな
る。

【００２２】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照しながら、本発
明に係る実施の形態について説明する。（実施例１）図１は第１の実施例に用いた研磨装置の概
略図である。本研磨装置は、研磨定盤１に貼付された研
磨パッド２上に、スラリ３を滴下しながら、研磨パッド
２にウェハキャリア４を介して任意の研磨圧でウェハ５
を押し付け、研磨定盤１を回転することで研磨パッド２
とウェハ５に相対運動を与えることで研磨を行う。

【００２３】以上周知の研磨装置の形態に加え、本実施
形態では研磨パッド２が軟質の発泡ポリウレタンからな
る第１層２ａ、硬質の発泡ポリウレタンからなる第２層
２ｂから構成され、第１層の第２層との接着面に研磨定
盤１に設けられた通気孔６に連通する複数の溝８が形成
されており、研磨の際に通気孔６に接続された真空ポン
プ７により溝８内を真空吸引することにより研磨パッド
の第２層２ｂの研磨面にスラリ導入のための凹み９を形
成することが特徴である。なお、真空ポンプ７の発生す
る負圧は圧力制御器１０によって任意に制御できる。

【００２４】図３は本実施例における研磨パッドの第１
層２ａの例を示している。図３（ａ）は平面図、図３
（ｂ）は断面図である。第１層２ａに設けられた複数の
溝８は研磨パッド中心を軸とした円形同心であり、前記
円形溝８の寸法は幅５ｍｍ、ピッチ１０ｍｍ、深さ０．
５ｍｍである。また、これらの複数の円形溝は溝３１に
より連通しており、真空吸引の際にすべての溝が等しく
減圧される。なお、研磨パッド第１層に設けられた溝の
形態は上述の寸法に限定されるものではなく、例えば図
４に示すように、研磨パッドの第１層４１に格子状に溝
４２を配置しても良い。

【００２５】図９中の９１は上記研磨装置を用いて直径
２００ｍｍのウェハ上に成膜したＳｉＯ_２膜を研磨した
際の研磨パッドの使用時間とウェハ面内の研磨量均一性
の相関を示している。また、比較のため従来の研磨方法
による結果９２も併記している。なお、研磨量均一性Ｕ
はウェハ面内の４８点について測定した研磨量の最大値
Ｒｍａｘと最小値Ｒｍｉｎより以下の式で計算した値で
ある。Ｕ（％）＝（Ｒｍａｘ−Ｒｍｉｎ）／（Ｒｍａｘ＋Ｒｍｉｎ）×１００ (式１) 研磨条件は研磨圧力２８０ｇｆ／ｃｍ^２、研磨定盤回転
数９３ｒｐｍとし、研磨パッド表面に凹みを形成するた
めの負圧は−５００ｇｆ／ｃｍ^２とした。図９の結果よ
り、本発明によれば従来の研磨方法に比較してウェハ研
磨開始当初の研磨量の均一性が長期に亘り維持されるこ
とがわかる。

【００２６】（実施例２）図２は第２の実施例に用いた
研磨装置の概略図である。本装置は第１の実施例におい
て示した研磨パッドにおいて全て連通していた複数の溝
２１２を研磨パッドの半径上で３つの領域毎に連通さ
せ、各領域毎に連通した通気孔２１、２２、２３を介し
て独立した真空ポンプ２４、２５、２６により吸引する
構成にしたものである。

【００２７】各真空ポンプの発生する負圧は個別に設け
られた圧力制御装置２７、２８、２９により各々独立し
て制御され、研磨パッド２１０の第２層２１０ｂの研磨
面に前記３つの領域毎に異なった深さの凹み２１１を形
成することができる。

【００２８】図５は本実施例における研磨パッド２１０
の第１層２１０ａの例を示している。図５（ａ）は平面
図、図５（ｂ）は断面図である。第１層２１０ａに設け
られた複数の溝２１２は研磨パッド中心を軸とした円形
同心であり、前記円形溝２１２の寸法は幅５ｍｍ、ピッ
チ１０ｍｍ、深さ０．５ｍｍである。また、これらの複
数の溝２１２はウェハ１５の中央部分が接する領域５１
と、その内側の領域５２および外側の領域５３毎に溝５
４、５５、５６により連通している。

【００２９】ウェハ５の中央部が接する領域５１の幅は
大略ウェハ径の１／３が好ましく、本実施例では直径２
００ｍｍのウェハを研磨するために約７０ｍｍとした。
なお、第１の実施例同様に研磨パッド第１層に設けられ
た溝の形態は上述の寸法に限定されるものではなく、図
６に示すように格子状の溝６２を研磨パッドの第1層６
１に設けても良い。

【００３０】図１０は上記研磨装置を用いて直径２００
ｍｍのウェハ上に成膜したＳｉＯ_２膜を研磨した際のウ
ェハ直径方向の研磨量分布を示している。図１０（ａ）
〜（ｃ）はウェハ中央部分が接する領域５１の負圧を−
５００ｇｆ／ｃｍ^２の一定とし、領域５２および５３の
負圧を同一として、その値を−８００ｇｆ／ｃｍ^２、−
３００ｇｆ／ｃｍ^２、０ｇｆ／ｃｍ^２とした時の結果で
ある。

【００３１】図１０より、ウェハ中央部分が接する領域
５１の負圧よりも、その他の領域５２および５３の負圧
を大きくすることでウェハ外周部分の研磨量が増大し、
小さくすることでウェハ外周部分の研磨量が減少するこ
とがわかる。以上より、研磨パッド２１０の領域５１、
５２、５３に加える負圧を制御することによりウェハ中
央部分と外周部分の研磨量を個別に制御できることが確
認された。

【００３２】続いて、図１１中の１１１に示すようなウ
ェハ外周部分の膜厚が中央部分より約８０ｎｍ厚い分布
を持つ約１５００ｎｍのＳｉＯ_２膜が成膜されたウェハ
を、ウェハ外周部分の研磨量が大きくなる図１０（ａ）
の条件で研磨したところ、図１１中の１１２に示すよう
に、研磨後の膜厚はウェハ全面に渡り約１２００ｎｍと
なり、研磨前の膜厚分布を修正できることが確認され
た。

【００３３】（実施例３）次に、本発明による半導体ウ
ェハ表面の平坦化を用いた半導体装置の製造方法の実施
例を従来技術の欄で用いた図７を参照して説明する。図
７中の（１）〜（６）は各工程の順番を示す。まず、
（１）の工程では半導体ウェハの表面層７１にトランジ
スタ等の素子（不図示）を形成し、層間絶縁膜７２を成
膜する。続いて金属膜を５００ｎｍ成膜し、ドライエッ
チング法によるパターニングを行い配線層７３を形成す
る。（２）の工程では層間絶縁膜７４としてＣＶＤ法に
よりＳｉＯ_２膜を１０００ｎｍ形成する。

【００３４】次に（３）の工程で第２の実施例の研磨装
置を用いたＣＭＰ法により層間絶縁膜７４の表面を研磨
し平坦化する。この際、成膜時に生じたウェハ外周部分
と中央部分の層間絶縁膜７４の膜厚差が修正されるた
め、研磨後の層間絶縁膜７４はウェハ全面に渡り均等な
厚みとなる。

【００３５】（４）の工程では配線層７３とこれから形
成される上部配線層を接続するためにコンタクトホール
７５を形成する。続いて、バリア膜として窒化チタン膜
を成膜した後、コンタクトホール７５を充填するように
タングステン膜を成膜する。

【００３６】（５）の工程ではコンタクトホール７５外
の余剰タングステン膜を第２の実施例の研磨装置を用い
たＣＭＰ法により除去し、コンタクトプラグ７６を形成
する。

【００３７】次に（６）の工程において金属膜の成膜と
パターニングにより上部配線層７７を形成し、半導体装
置が完成する。

【００３８】このようにして完成した半導体装置は層間
絶縁膜７４の厚さが工程（３）によりウェハ全面に渡り
均等になっているため、コンタクトホール７５の形成に
伴う配線の損傷や接続不良の問題は生じない。したがっ
て製品不良が減少すると共に、製造された半導体装置の
信頼性が向上する。また，工程（５）では余剰タングス
テン膜のウェハ面内の膜厚分布に応じて研磨量分布を調
整することにより、コンタクトプラグ７６の形成がウェ
ハ全面に渡りほぼ同時に行われる。

【００３９】したがって、ウェハ面内で早期に形成され
たコンタクトプラグが過剰に研磨されて高さが減少して
しまうことや、余剰タングステン膜の研磨残りによるコ
ンタクトプラグ間のショート不良を引き起こすことがな
い。したがって製品不良が減少すると共に、製造された
半導体装置の信頼性が向上する。

【００４０】（実施例４）本発明を用いた金属埋め込み
配線の形成金属埋め込み配線の形成による半導体装置の
製造方法の例を図８により説明する。図８中の（１）〜
（７）は各工程の順番を示す。（１）の工程では下層の
コンタクトプラグ８１が露出した絶縁膜８２の表面上に
絶縁膜８３を成膜し、さらにドライエッチング等により
コンタクトプラグ８１とこれから形成される配線層が接
続されるように絶縁膜８３に配線パターンの溝８４を形
成する。（２）の工程では配線パターンの溝８４を充填
するように金属膜８５をスパッタ法等で成膜する。

【００４１】（３）の工程では絶縁膜８３上の余剰の金
属膜を第２の実施例の研磨装置を用いたＣＭＰ法で研
磨、除去して配線層８６を形成する。（４）の工程では
配線層８６上に絶縁膜８７を成膜し、これから形成され
る上部配線層を接続するためにコンタクトホール８８を
形成する。（５）の工程ではスパッタ法等によりコンタ
クトホール８８を充填するようにタングステン等の金属
膜を成膜する。（６）の工程ではコンタクトホール８８
外の余剰金属膜を第２の実施例の研磨装置を用いたＣＭ
Ｐ法により除去し、コンタクトプラグ８９を形成する。

【００４２】（７）の工程ではコンタクトプラグ８９の
接続面が露出した絶縁膜８７の表面上に絶縁膜８１０を
成膜し、さらにドライエッチング等によりコンタクトプ
ラグ８９とこれから形成される上部配線層が接続される
ように絶縁膜８１０に配線パターンの溝８１１を形成す
る。上記（１）〜（７）の工程を繰り返すことにより多
層配線構造を持つ半導体装置が形成される。

【００４３】このようにして完成した半導体装置は，図
８の工程（３）および（６）において余剰タングステン
膜のウェハ面内の膜厚分布に応じて研磨量分布を調整す
ることにより、工程（３）では金属埋め込み配線がウェ
ハ全面に渡りほぼ同時に形成される。また，工程（６）
ではコンタクトプラグ７６の形成がウェハ全面に渡りほ
ぼ同時に行われる。

【００４４】このため、ウェハ面内の一部分で過剰な研
磨が生じ金属埋め込み配線，あるいはコンタクトプラグ
の高さが所望の値より減少してしまうことや、余剰金属
膜の研磨残りによるコンタクトプラグ間のショート不良
を引き起こすことがない。したがって製品不良が減少す
ると共に、製造された半導体装置の信頼性が向上する。

【００４５】

【発明の効果】以上説明したように、本発明の研磨装置
では、ウェハ研磨の際に研磨パッド表面にスラリ導入の
ための適切な深さを持った凹みを形成できるため、研磨
パッド表面に溝を形成する方法と比較して、研磨パッド
消耗等の影響を受けずに長期にわたり研磨量均一性を維
持した研磨が可能となる。さらに、ウェハ外周部分と中
央部分の研磨量を個別に制御できるため、半導体ウェハ
全面に渡る均一な研磨が可能となる。したがって、半導
体装置の製造工程におけるウェハ面内の膜厚あるいは研
磨量の不均一に起因した製品不良が減少すると共に、製
造された半導体装置の信頼性が向上する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施例に係る研磨装置の構成を
示した図である。

【図２】本発明の第２の実施例に係る研磨装置の構成を
示した図である。

【図３】本発明の第１の実施例に係る研磨パッド第１層
の構成を示した図である。

【図４】本発明の第１の実施例に係る研磨パッド第１層
の構成を示した図である。

【図５】本発明の第２の実施例に係る研磨パッド第１層
の構成を示した図である。

【図６】本発明の第２の実施例に係る研磨パッド第１層
の構成を示した図である。

【図７】ウェハ表面の平坦化を用いた半導体装置の製造
方法の例を示した図である。

【図８】金属埋め込み配線の形成による半導体装置の製
造方法の例を示した図である。

【図９】研磨パッド使用時間と研磨量均一性との相関を
示した図である。

【図１０】本発明の実施の形態に係る研磨装置を使用し
た際の研磨量分布を示した図である。

【図１１】研磨前後の膜厚分布を示した図である。

【符号の説明】

１…研磨定盤、２…研磨パッド、２ａ…研磨パッドの第
１層、２ｂ…研磨パッドの第２層、３…スラリ、４…ウ
ェハキャリア、５…ウェハ、６…通気孔、７…真空ポン
プ、８…研磨パッド第１層の溝、９…研磨パッド第２層
表面の凹み、１０…圧力制御器、２１、２２、２３…通
気孔、２４、２５、２６…真空ポンプ、２７、２８、２
９…圧力制御器、２１０…研磨パッド、２１０ａ…研磨
パッドの第１層、２１０ｂ…研磨パッドの第２層、２１
１…研磨パッド第２層表面の凹み、２１２、３１、４２
…研磨パッド第１層の溝、４１…研磨パッドの第１層、
５１、５２、５３…研磨パッド上の領域、５４、５５、
５６、６１…研磨パッドの第１層、６２…研磨パッド第
１層の溝、７１…ウェハの表面層、７２、７４…層間絶
縁膜、７３、７７、８６…配線層、７５、８８…コンタ
クトホール、７６、８１、８９…コンタクトプラグ、８
２、８３、８７、８１０…絶縁膜、８４…配線パターン
の溝、８５…金属膜、８１１…配線パターンの溝、９１
…本発明における研磨量均一性特性、９２…従来の方法
による研磨量均一性特性、１１１…研磨前の膜厚分布曲
線、１１２…研磨後の膜厚分布曲線

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】真空吸引手段に連通する通気孔が形成さ
れ、回転軸周りに回転する研磨定盤と、前記研磨定盤に
貼付された第１層、および前記第１層に接着された第２
層で構成され、前記第１層の前記第２層との接着面に前
記研磨定盤の通気孔に連通する複数の溝が形成された研
磨パッドと、前記真空吸引手段の吸引圧力を制御する圧
力制御手段と、前記研磨パッドと半導体ウェハとの間に
相対運動を与えるための半導体ウェハ保持手段と、前記
研磨パッドと前記半導体ウェハとの間に研磨荷重を与え
るための半導体ウェハ加圧手段と、前記研磨パッド上に
スラリを供給するスラリ供給手段とを備えたことを特徴
とする研磨装置。
【請求項２】各々独立した真空吸引手段に連通した複数
の通気孔が形成され、回転軸周りに回転する研磨定盤
と、前記研磨定盤に貼付された第１層、および前記第１
層に接着された第２層で構成され、前記第１層の前記第
２層との接着面に所定の領域毎に前記研磨定盤の各通気
孔に連通する複数の溝が形成された研磨パッドと、前記
独立した真空吸引手段の吸引圧力を個別に制御する圧力
制御手段と、前記研磨パッドと半導体ウェハとの間に相
対運動を与えるための半導体ウェハ保持手段と、前記研
磨パッドと前記半導体ウェハとの間に研磨荷重を与える
ための半導体ウェハ加圧手段と、前記研磨パッド上にス
ラリを供給するスラリ供給手段とを備えたことを特徴と
する研磨装置。
【請求項３】半導体ウェハ上に配線を形成する工程と、
前記配線を被覆する層間絶縁膜を形成する工程と、研磨
パッドの研磨面上に研磨の際に所望の凹みを形成する手
段を有する研磨装置により前記層間絶縁膜を研磨する工
程とを有する半導体装置の製造方法。
【請求項４】半導体ウェハ上の所定の領域に溝を形成す
る工程と、前記溝の内部を含む前記半導体ウェハ上に金
属膜を形成する工程と、研磨パッドの研磨面上に研磨の
際に所望の凹みを形成する手段を有する研磨装置により
前記金属膜を研磨する工程とを有する半導体装置の製造
方法。
【請求項５】半導体ウェハ上に配線を形成する工程と、
前記配線を被覆する層間絶縁膜を形成する工程と、研磨
パッドの研磨面上に研磨の際に所定の領域毎に所望の凹
みを形成する手段を有する研磨装置により前記層間絶縁
膜を研磨する工程とを有する半導体装置の製造方法。
【請求項６】半導体ウェハ上の所定の領域に溝を形成す
る工程と、前記溝の内部を含む前記半導体ウェハ上に金
属膜を形成する工程と、前記配線を被覆する層間絶縁膜
を形成する工程と、研磨パッドの研磨面上に研磨の際に
所定の領域毎に所望の凹みを形成する手段を有する研磨
装置により前記金属膜を研磨する工程とを有する半導体
装置の製造方法。