DE69109464T2 - Verfahren und vorrichtung zur hermetischen verkapselung von elektronischen bauteilen. - Google Patents
Verfahren und vorrichtung zur hermetischen verkapselung von elektronischen bauteilen.Info
- Publication number
- DE69109464T2 DE69109464T2 DE69109464T DE69109464T DE69109464T2 DE 69109464 T2 DE69109464 T2 DE 69109464T2 DE 69109464 T DE69109464 T DE 69109464T DE 69109464 T DE69109464 T DE 69109464T DE 69109464 T2 DE69109464 T2 DE 69109464T2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- layer
- housings
- components
- applying
- hermetic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 17
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 14
- 229910052500 inorganic mineral Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000011707 mineral Substances 0.000 claims description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 5
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims description 5
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims description 3
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 claims description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000009499 grossing Methods 0.000 claims description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 2
- 239000004922 lacquer Substances 0.000 claims 1
- 238000005121 nitriding Methods 0.000 claims 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 claims 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 40
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 4
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 4
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 3
- 229920000052 poly(p-xylylene) Polymers 0.000 description 3
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008439 repair process Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001154 acute effect Effects 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000007872 degassing Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002966 varnish Substances 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
- H05K3/28—Applying non-metallic protective coatings
- H05K3/284—Applying non-metallic protective coatings for encapsulating mounted components
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/01—Dielectrics
- H05K2201/0137—Materials
- H05K2201/0175—Inorganic, non-metallic layer, e.g. resist or dielectric for printed capacitor
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/01—Dielectrics
- H05K2201/0137—Materials
- H05K2201/0179—Thin film deposited insulating layer, e.g. inorganic layer for printed capacitor
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/07—Electric details
- H05K2201/0707—Shielding
- H05K2201/0715—Shielding provided by an outer layer of PCB
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/09—Shape and layout
- H05K2201/09818—Shape or layout details not covered by a single group of H05K2201/09009 - H05K2201/09809
- H05K2201/09872—Insulating conformal coating
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
- H05K2203/13—Moulding and encapsulation; Deposition techniques; Protective layers
- H05K2203/1305—Moulding and encapsulation
- H05K2203/1322—Encapsulation comprising more than one layer
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Credit Cards Or The Like (AREA)
- Non-Metallic Protective Coatings For Printed Circuits (AREA)
- Casings For Electric Apparatus (AREA)
Description
- Der Gegenstand der vorliegenden Erfindung liegt in einer Vorrichtung, die eine Verkapselung elektronischer Bauteile gewährleistet, die hermetisch ist, d.h. Gase und insbesondere Wasserdampf nicht durchläßt.
- So stellt bekanntlich das Problem der Unterdrückung oder gegebenenfalls der Begrenzung der Feuchtigkeit in der die elektronischen Bauteile umgebenden Atmosphäre ein akutes Problem dar; vgl. z.B. die EP-A-0 308 676.
- Es ist bekannt, daß der Wassergehalt der Umgebungsatmosphäre hinsichtlich der Zuverlässigkeit eines diskreten Bauteils oder einer integrierten Schaltung die wichtigste und schädlichste Verunreinigung darstellt. Die Feuchtigkeit kann nämlich insbesondere die Anschlußstifte der Schaltungen korrodieren; ebenso läßt sie eine Lösung der Ionen zu, womit die Korrosion verstärkt wird. Diese Wirkungen sind an den integrierten Schaltungen sehr spürbar, dies um so mehr, je höher der Integrationsgrad ist, d.h. je kleiner die Anschlußstifte sind.
- Für Anwendungen in strenger Umgebung sowie für Hochleistungsanwendungen wie im Bereich des Militärs oder der Raumfahrt ist die Verwendung von Gehäusen für Bauteile bekannt, deren Sockel aus Keramik und deren Haube aus Metall besteht und hermetisch an dem Sockel versiegelt ist, wobei ferner allgemein vor dem Verschließen der Haube eine Entgasung vorgesehen ist. Ein Nachteil dieser Lösung besteht in ihrem Gestehungspreis, der sehr hoch ist.
- Im übrigen sind Verkapselungsgehäuse aus Kunststoffmaterial bekannt, die viel weniger kosten, aber den Nachteil aufweisen, daß sie nicht hermetisch sind.
- Der Gegenstand der vorliegenden Erfindung liegt in einem Verfahren zur Verkapselung elektronischer Bauteile, die gleichzeitig hermetisch, leicht durchzuführen und kostengünstig ist.
- Zu diesem Zweck werden die Bauteile (wie Halbleiterchips) mit folgendem überdeckt:
- - einer ersten, relativ dicken Schicht aus einem organischen Material, die erhabene Bereiche im wesentlichen ausgleicht und die Winkel des Bauteils abrundet;
- - einer zweiten Schicht aus einem mineralischen Material, das viel feiner sein kann, die die Dichtigkeit der Einheit gewährleistet.
- Dieses Verfahren ist sowohl auf einzelne Bauteile wie auf (möglicherweise bereits verkapselte) Bauteile anzuwenden, die auf einer Leiterkarte angebracht sind: dann wird es auf die Einheit aus der Karte und den Bauteilen angewandt.
- Die Chips können auf diese Weise über ihre Gehäuse leicht auf der Karte angebracht werden, wobei dies auf bekannte Weise mit Hilfe von kostengünstigen Materialien (Gehäuse und gedruckte Schaltung) geschehen kann; die Abdichtung wird durch die zweite Schicht gewährleistet, und die Einheit kostet einerseits aufgrund der Wahl der Materialien (Gehäuse und/oder gedruckte Schaltung) und andererseits deshalb nicht viel, da diese Technik direkt auf jede Karte anzuwenden ist, die eine elektronische Schaltung trägt, ohne daß Bauteile erneut eingesetzt werden müssen, um beispielsweise einen Raum für Mittel vorzusehen, die die Dichtigkeit gewährleisten.
- Weitere Aufgaben, Besonderheiten und Ergebnisse der Erfindung ergeben sich aus der folgenden, beispielhaft und nicht einschränkend gegebenen Beschreibung, die durch die beigefügten Zeichnungen veranschaulicht ist; dabei zeigen:
- - Fig. 1 eine Ausführungsform der Vorrichtung nach der Erfindung;
- - Fig. 2 die verschiedenen Schritte einer Ausführungsform des Verfahrens nach der Erfindung.
- In diesen verschiedenen Figuren betreffen die gleichen Bezugszeichen einerseits die gleichen Elemente, und andererseits ist der wirkliche Maßstab für eine deutlichere Darstellung nicht eingehalten.
- Fig. 1 stellt also eine Ausführungsform der Vorrichtung nach der Erfindung dar und wird in Verbindung mit Fig. 2 beschrieben, die die verschiedenen Herstellungsschritte veranschaulicht.
- Bei dieser Ausführungsform werden elektronische Bauteile wie Halbleiterchips, die diskrete Bauteile oder integrierte Schaltungen bilden, auf herkömmliche Weise in den Gehäusen verkapseIt (Schritt 21, Fig. 2); da aber die Abdichtung auf andere Weise gewährleistet ist, müssen die Gehäuse für die Bauteile selbst nicht herinetisch sein; damit kann jeder beliebige Gehäusetyp verwendet werden, also beispielsweise Kunststoffgehäuse, die bekanntlich merklich kostengünstiger als Keramikgehäuse sind. Erfindungsgemäß können auch Gehäuse, die zur Flachmontage bestimmt sind, verwendet werden, die in Fig. 1 mit 10 bezeichnet sind, oder mit Klammern (oder Kontakten) versehene Gehäuse, die in Fig. 1 mit 11 bezeichnet sind; ihre Klammern 12 sind dabei dazu bestimmt, die Leiterplatte zu durchsetzen, auf der sie montiert sind.
- In einem zweiten Schritt, der in Fig. 2 mit 22 bezeichnet ist, schreitet man ebenfalls auf herkömmliche Weise zur Montage der obengenannten Gehäuse auf einem Leitersubstrat (oder einer Karte), das in Fig. 1 mit 50 bezeichnet ist. Wie oben ist es erfindungsgemäß möglich, jeden beliebigen Typ einer gedruckten Schaltung zu verwenden, also Keramik oder Epoxid, einlagig oder mehrlagig, einseitig oder doppelseitig, wobei für die Größe keine Beschränkung besteht. In der Figur ist beispielsweise eine mehrlagige Karte mit mehreren internen Verbindungsebenen dargestellt, die mit 52 bezeichnet; sie ist ferner doppelseitig, wobei die Bauteile 10 und/oder 11 sowohl auf der Oberseite (53) als auch auf der Unterseite (54) der Karte 50 angeordnet sind. Das gedruckte Schaltungssubstrat 50 weist ferner metallisierte Löcher 51 für Gehäuse (11) mit Verbindungsklammern (12) auf.
- Der folgende Schritt (23 in Fig. 2) besteht darin, im wesentlichen auf der gesamten gedruckten Schaltung und den Gehäusen 10 und 11 eine erste, aus einer organischen Verbindung bestehende Schicht 30 aufzubringen. Beispielhaft eignet sich ein Material, das unter dem Namen PARYLEN bekannt ist und von der Firma UNION CARBIDE hergestellt wird. Ebenso eignet sich ein Silicon-, Epoxid- oder Acryllack. Seine Funktion liegt darin, im wesentlichen die Flasche zu glätten, auf der die folgende Schicht aufgebracht wird; unter Glättung ist hier eine gewisse Abrundung der Winkel sowie eine gewisse Nivellierung der Oberfläche sowie eine Abdichtung der Zwischenräume (insbesondere zwischen Bauteilen 10 oder 11 und der Oberfläche der gedruckten Schaltung 50) zu verstehen, um eine im wesentlichen gleichmäßige Oberfläche zu bilden, wodurch das Aufbringen der folgenden Schicht vereinfacht wird und diese Schicht sehr dünn sein kann, ohne daß die Gefahr der Rißbildung besteht. Zu diesem Zweck weist diese erste Schicht bevorzugt eine relativ starke Dicke auf (typischerweise einige zehn Mikron).
- Der folgende Schritt (24 in Fig. 2) besteht darin, im wesentlichen auf der Gesamtheit der Schicht 30 eine zweite, mit 40 bezeichnete Schicht aus einem hermetischen mineralischen Material aufzubringen. Diese Schicht kann typischerweise aus einer Metallverbindung gebildet und dank der Anwesenheit der ersten Schicht sehr fein sein (typischerweise einige Mikron). Da der Gestehungspreis zum Aufbringen einer solchen Schicht 40 höher als für die Schicht 30 liegt, bildet dies also einen Vorteil. So eignen sich beispielsweise ein Metalloxid (z.B. von Aluminium, Silicium, Zirconium, Titan oder Zinn) oder ein Metallnitrid (z.B. Siliciumnitrid). Diese Schicht läßt sich entweder durch direktes Aufbringen der Metallverbindung oder durch Aufbringen des Metalls erhalten, das dann durch jedes bekannte Mittel oxidiert und/oder nitriert wird. Im übrigen muß das Material der Schicht 30 ferner elektrisch isolierend sein, falls das zur Herstellung der Schicht 40 gewählte Material elektrisch leitend ist.
- Bei einer (nicht dargestellten) Ausführungsvariante wird auf der mineralischen Schicht 40 eine dritte mechanische Schutzschicht aufgebracht: ist nämlich die Schicht 40 sehr dünn, dann wird sie vorzugsweise gegen Stöße oder Kratzer geschützt. Diese dritte Schicht kann beispielsweise aus einer dünnen Schicht (typischerweise von etwa 5 bis 10 µm) aus PARYLEN gebildet sein.
- Nach einer weiteren Variante werden immer noch auf der Schicht 40 eine dritte Schicht aus einem organischen Materal wie PARYLEN und dann eine vierte Schicht aus einem mineralischen Material wie demjenigen aufgebracht, aus dem die Schicht 40 gebildet ist (z.B. SiO&sub2;); die zweite und vierte Schicht bilden dann eine sandwichartige Struktur, die einen verstärkten mechanischen Halt besitzt.
- Es ist zu bemerken, daß es durch die Anwesenheit der ersten Schicht 30 unter der Schicht 40 leichter möglich wird, die so überdeckten Teile sowie solche, die nicht überdeckt sein sollen, gegebenenfalls freizumachen, also beispielsweise zu regelnde Elemente oder Umschalter. Ferner wird es beispielsweise durch lokale Bearbeitung mit dem Laser möglich, punktförmige Löcher zu realisieren, die das Anlegen einer Testspitze ermöglichen, ohne die Dichtigkeit der gesamten Karte zu gefährden.
- Das oben beschriebene Verfahren läßt sich auf die gleiche Weise zur Herstellung der hermetischen Abdichtung eines einzigen Gehäuse verwenden, das nicht auf einer Leiterplatte angebracht ist: dann wird nur der Schritt 22 von Fig. 2 weggelassen.
- Dies ist insbesondere für die Reparatur einer Karte interessant: in diesem Fall können das oder die ausgefallenen Gehäuse beispielsweise durch Gehäuse aus Kunststoff ersetzt werden, die vor ihrer Montage auf der Karte mit den zwei oben beschriebenen Schichten überdeckt wurden.
- Das Verfahren nach der Erfindung läßt sich auf die gleiche Weise zur Herstellung eines hermetischen Schutzes eines einzelnen Bauteils verwenden, das auf einer Leiterplatte angebracht ist oder nicht. Im zweiten Fall werden die Schritte 21 und 22 von Fig. 2 weggelassen, und das Bauteil wird direkt in die beiden im Schritt 23 bzw. 24 angesprochenen Schichten eingebettet. Im ersten Fall ist der Schritt 21 von Fig. 2 weggelassen: die Bauteile werden auf der gedruckten Schaltung angebracht und dann mit den beiden obengenannten Schichten, also der organischen und dann mineralischen Schicht überdeckt.
- Daraus ergibt sich, daß die Erfindung insbesondere die Herstellung der hermetischen Abdichtung der beiden Seiten einer beliebigen, auf einer gedruckten Schaltung angebrachten Schaltung ermöglicht, ohne daß sie modifiziert werden müßte, insbesondere beim Einbau oder bezüglich des Materials. Die Erfindung ermöglicht auch eine lokale Reparatur, ohne daß die hermetische Abdichtung der restlichen von der Karte getragenen Schaltung zerstört wird, wobei das oder die Austauschbauteile durch die gleiche Methode hermetisch gemacht sind. Da die so aufgebrachten Schichten außerdem gegenüber der Dicke der Schaltung selbst dünn sind, behindern sie nicht die Evakuierung der durch den Betrieb der Bauteile erzeugten Wärme. Da schließlich diese verschiedenen Schichten bei geringer Dicke transparent sind, sind die Markierungen durch die Schichten sichtbar und brauchen nicht auf der äußeren Schicht wiedergegeben werden.
Claims (13)
1. Verfahren zur hermetischen Verkapselung wenigstens eines
elektronischen Bauteils, dadurch gekennzeichnet, daß es
folgende Schritte aufweist:
- einen ersten Schritt des Aufbringens einer ersten Schicht aus
einem organischen Material auf dem Bauteil, deren Dicke es
erlaubt, die Fläche im wesentlichen zu glätten, auf der eine
zweite Schicht aufgebracht wird;
- einen zweiten Schritt des Aufbringens der zweiten Schicht aus
einem hermetischen mineralischen Material auf der ersten
Schicht.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß es
ferner vor dem ersten Schritt einen ersten zusätzlichen Schritt
der Verkapselung der Bauteile in jeweils einem Gehäuse
aufweist.
3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß es
ferner vor dem ersten Schritt einen ersten zusätzlichen Schritt
der Verkapselung der Bauteile in jeweils einem Gehäuse sowie
dann einen zweiten zusätzlichen Schritt der Montage der Gehäuse
auf einer Leiterplatte aufweist, und daß die erste und die
zweite Schicht im wesentlichen auf der Gesamtheit der Platte
und der Gehäuse aufgebracht sind.
4. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch
gekennzeichnet, daß die erste Schicht ferner elektrisch
isolierend ist.
5. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch
gekennzeichnet, daß die zweite Schicht aus einer
Metallverbindung besteht.
6. Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die
zweite Schicht ein Metalloxid und/oder -nitrid aufweist.
7. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die
zweite Schicht durch Aufbringen eines Metalls und dann durch
die Oxidation und/oder Nitrierung des Metalls erhalten ist.
8. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch
gekennzeichnet, daß es ferner nach dem zweiten Schritt einen
dritten Schritt des Aufbringens einer dritten mechanischen
Schutzschicht auf der zweiten Schicht aufweist.
9. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch
gekennzeichnet, daß es ferner nach dem zweiten Schritt einen dritten
Schritt des Aufbringens einer dritten Schicht aus einem
organischen Material und dann einer vierten Schicht aus einem
mineralischen Material auf der zweiten Schicht aufweist.
10. Vorrichtung zur hermetischen Verkapselung von
elektronischen Bauteilen mit Gehäusen, die jeweils Bauteile umschließen,
sowie einer Leiterplatte, auf der die Gehäuse montiert sind,
wobei die Vorrichtung ferner folgendes aufweist:
- eine erste Schicht aus einem organischen Material, die im
wesentlichen die Gesamtheit der Platte und der Gehäuse überdeckt,
und wobei sie dadurch gekennzeichnet ist, daß sie eine zweite
hermetische Schicht aus einem mineralischen Material aufweit,
die die erste Schicht überdeckt.
11. Vorrichtung nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß
die erste Einbettungsschicht aus PARYLEN oder Lack gebildet
ist.
12. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 10 oder 11, dadurch
gekennzeichnet, daß die zweite Einbettungsschicht ein
Aluminium-, Silicium-, Zirconium-, Titan- oder Zinnoxid auweit.
13. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 10 oder 11, dadurch
gekennzeichnet, daß die zweite Einbettungsschicht
Siliciumnitrid aufweist.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR9010631A FR2666190B1 (fr) | 1990-08-24 | 1990-08-24 | Procede et dispositif d'encapsulation hermetique de composants electroniques. |
| PCT/FR1991/000688 WO1992003902A1 (fr) | 1990-08-24 | 1991-08-23 | Procede et dispositif d'encapsulation hermetique de composants electroniques |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE69109464D1 DE69109464D1 (de) | 1995-06-08 |
| DE69109464T2 true DE69109464T2 (de) | 1995-09-14 |
Family
ID=9399835
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE69109464T Expired - Lifetime DE69109464T2 (de) | 1990-08-24 | 1991-08-23 | Verfahren und vorrichtung zur hermetischen verkapselung von elektronischen bauteilen. |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5461545A (de) |
| EP (1) | EP0497948B1 (de) |
| JP (1) | JPH05502142A (de) |
| CA (1) | CA2067784C (de) |
| DE (1) | DE69109464T2 (de) |
| FR (1) | FR2666190B1 (de) |
| WO (1) | WO1992003902A1 (de) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102020133098A1 (de) | 2020-12-11 | 2022-06-15 | Zf Cv Systems Europe Bv | Elektronisches Steuergerät eines Fahrzeugs |
| DE102020133099A1 (de) | 2020-12-11 | 2022-06-15 | Zf Cv Systems Global Gmbh | Leiterplatte für elektronische Schaltungen |
Families Citing this family (81)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2709020B1 (fr) * | 1993-08-13 | 1995-09-08 | Thomson Csf | Procédé d'interconnexion de pastilles semi-conductrices en trois dimensions, et composant en résultant. |
| TW311267B (de) * | 1994-04-11 | 1997-07-21 | Raychem Ltd | |
| FR2726151B1 (fr) * | 1994-10-25 | 1996-11-29 | Europ Composants Electron | Procede et dispositif de protection hermetique de circuit electronique |
| US5677511A (en) * | 1995-03-20 | 1997-10-14 | National Semiconductor Corporation | Overmolded PC board with ESD protection and EMI suppression |
| US5600181A (en) * | 1995-05-24 | 1997-02-04 | Lockheed Martin Corporation | Hermetically sealed high density multi-chip package |
| FR2737835B1 (fr) * | 1995-08-09 | 1997-10-17 | Matra Defense | Circuit electronique a micro-composants encapsule et procede de demontage d'un tel circuit |
| US5879808A (en) | 1995-10-27 | 1999-03-09 | Alpha Metals, Inc. | Parylene polymer layers |
| US6137125A (en) * | 1995-12-21 | 2000-10-24 | The Whitaker Corporation | Two layer hermetic-like coating for on-wafer encapsulatuon of GaAs MMIC's having flip-chip bonding capabilities |
| US5914508A (en) * | 1995-12-21 | 1999-06-22 | The Whitaker Corporation | Two layer hermetic-like coating process for on-wafer encapsulation of GaAs MMIC's |
| US5694300A (en) * | 1996-04-01 | 1997-12-02 | Northrop Grumman Corporation | Electromagnetically channelized microwave integrated circuit |
| US5689878A (en) * | 1996-04-17 | 1997-11-25 | Lucent Technologies Inc. | Method for protecting electronic circuit components |
| WO1998049878A1 (en) * | 1997-04-25 | 1998-11-05 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Method of manufacturing enveloped electric, electronic or electromechanical components of small dimensions |
| US6458512B1 (en) * | 1998-10-13 | 2002-10-01 | 3M Innovative Properties Company | Oxynitride encapsulated electroluminescent phosphor particles |
| US6495442B1 (en) * | 2000-10-18 | 2002-12-17 | Magic Corporation | Post passivation interconnection schemes on top of the IC chips |
| US6936531B2 (en) * | 1998-12-21 | 2005-08-30 | Megic Corporation | Process of fabricating a chip structure |
| US6623861B2 (en) | 2001-04-16 | 2003-09-23 | Battelle Memorial Institute | Multilayer plastic substrates |
| US6548912B1 (en) * | 1999-10-25 | 2003-04-15 | Battelle Memorial Institute | Semicoductor passivation using barrier coatings |
| US6413645B1 (en) | 2000-04-20 | 2002-07-02 | Battelle Memorial Institute | Ultrabarrier substrates |
| US6866901B2 (en) | 1999-10-25 | 2005-03-15 | Vitex Systems, Inc. | Method for edge sealing barrier films |
| US20100330748A1 (en) | 1999-10-25 | 2010-12-30 | Xi Chu | Method of encapsulating an environmentally sensitive device |
| US7198832B2 (en) * | 1999-10-25 | 2007-04-03 | Vitex Systems, Inc. | Method for edge sealing barrier films |
| FR2802706B1 (fr) * | 1999-12-15 | 2002-03-01 | 3D Plus Sa | Procede et dispositif d'interconnexion en trois dimensions de composants electroniques |
| US6304232B1 (en) | 2000-02-24 | 2001-10-16 | The Goodyear Tire & Rubber Company | Circuit module |
| JP3903701B2 (ja) * | 2000-08-17 | 2007-04-11 | 松下電器産業株式会社 | 多層回路基板とその製造方法 |
| DE10114897A1 (de) * | 2001-03-26 | 2002-10-24 | Infineon Technologies Ag | Elektronisches Bauteil |
| US6604281B2 (en) * | 2001-07-11 | 2003-08-12 | Power Mate Technology Co., Ltd. | Circuit board packaging process for preventing electromagnetic interference |
| FR2832136B1 (fr) * | 2001-11-09 | 2005-02-18 | 3D Plus Sa | Dispositif d'encapsulation hermetique de composant devant etre protege de toute contrainte |
| US7932603B2 (en) * | 2001-12-13 | 2011-04-26 | Megica Corporation | Chip structure and process for forming the same |
| US6798073B2 (en) * | 2001-12-13 | 2004-09-28 | Megic Corporation | Chip structure and process for forming the same |
| US8808457B2 (en) | 2002-04-15 | 2014-08-19 | Samsung Display Co., Ltd. | Apparatus for depositing a multilayer coating on discrete sheets |
| US8900366B2 (en) | 2002-04-15 | 2014-12-02 | Samsung Display Co., Ltd. | Apparatus for depositing a multilayer coating on discrete sheets |
| JP4178880B2 (ja) * | 2002-08-29 | 2008-11-12 | 松下電器産業株式会社 | モジュール部品 |
| DE10300958A1 (de) * | 2003-01-13 | 2004-07-22 | Epcos Ag | Modul mit Verkapselung |
| US7510913B2 (en) | 2003-04-11 | 2009-03-31 | Vitex Systems, Inc. | Method of making an encapsulated plasma sensitive device |
| US7648925B2 (en) | 2003-04-11 | 2010-01-19 | Vitex Systems, Inc. | Multilayer barrier stacks and methods of making multilayer barrier stacks |
| US6916994B2 (en) * | 2003-05-14 | 2005-07-12 | Visteon Global Technologies, Inc. | Conformal sealing film |
| AU2004302871A1 (en) * | 2003-09-01 | 2005-03-17 | Siemens Aktiengesellschaft | Protection device for electronic components |
| FR2875672B1 (fr) * | 2004-09-21 | 2007-05-11 | 3D Plus Sa Sa | Dispositif electronique avec repartiteur de chaleur integre |
| FR2884049B1 (fr) * | 2005-04-01 | 2007-06-22 | 3D Plus Sa Sa | Module electronique de faible epaisseur comprenant un empilement de boitiers electroniques a billes de connexion |
| US7767498B2 (en) | 2005-08-25 | 2010-08-03 | Vitex Systems, Inc. | Encapsulated devices and method of making |
| TWI266597B (en) * | 2005-09-27 | 2006-11-11 | Delta Electronics Inc | Electronic apparatus capable of dissipating heat uniformly |
| FR2894070B1 (fr) * | 2005-11-30 | 2008-04-11 | 3D Plus Sa Sa | Module electronique 3d |
| FR2895568B1 (fr) * | 2005-12-23 | 2008-02-08 | 3D Plus Sa Sa | Procede de fabrication collective de modules electroniques 3d |
| US20070235214A1 (en) * | 2006-03-30 | 2007-10-11 | Hall Stephen H | Moisture resistant printed circuit board |
| FR2905198B1 (fr) * | 2006-08-22 | 2008-10-17 | 3D Plus Sa Sa | Procede de fabrication collective de modules electroniques 3d |
| US8088502B2 (en) * | 2006-09-20 | 2012-01-03 | Battelle Memorial Institute | Nanostructured thin film optical coatings |
| FR2911995B1 (fr) * | 2007-01-30 | 2009-03-06 | 3D Plus Sa Sa | Procede d'interconnexion de tranches electroniques |
| US7939932B2 (en) * | 2007-06-20 | 2011-05-10 | Analog Devices, Inc. | Packaged chip devices with atomic layer deposition protective films |
| FR2923081B1 (fr) * | 2007-10-26 | 2009-12-11 | 3D Plus | Procede d'interconnexion verticale de modules electroniques 3d par des vias. |
| EP2187439A1 (de) * | 2007-12-28 | 2010-05-19 | Ibiden Co., Ltd. | Zwischenstück und verfahren zur herstellung des zwischenstücks |
| WO2009084300A1 (ja) | 2007-12-28 | 2009-07-09 | Ibiden Co., Ltd. | インターポーザー及びインターポーザーの製造方法 |
| JP5197175B2 (ja) * | 2008-06-16 | 2013-05-15 | キヤノン株式会社 | インクジェット記録ヘッドおよびその製造方法 |
| EP2161974A1 (de) * | 2008-09-09 | 2010-03-10 | Hegutechnik v. Gutwald KG | Bifunktionale EMV Beschichtung |
| FR2940521B1 (fr) | 2008-12-19 | 2011-11-11 | 3D Plus | Procede de fabrication collective de modules electroniques pour montage en surface |
| US9337446B2 (en) | 2008-12-22 | 2016-05-10 | Samsung Display Co., Ltd. | Encapsulated RGB OLEDs having enhanced optical output |
| US9184410B2 (en) | 2008-12-22 | 2015-11-10 | Samsung Display Co., Ltd. | Encapsulated white OLEDs having enhanced optical output |
| FR2943176B1 (fr) | 2009-03-10 | 2011-08-05 | 3D Plus | Procede de positionnement des puces lors de la fabrication d'une plaque reconstituee |
| JP5252378B2 (ja) * | 2009-03-26 | 2013-07-31 | ヤマハ株式会社 | ミキサ装置のウィンドウ制御方法、ミキサ装置、およびミキサ装置のウィンドウ制御プログラム |
| JP5501174B2 (ja) * | 2009-09-17 | 2014-05-21 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| US8590338B2 (en) | 2009-12-31 | 2013-11-26 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Evaporator with internal restriction |
| US8654537B2 (en) * | 2010-12-01 | 2014-02-18 | Apple Inc. | Printed circuit board with integral radio-frequency shields |
| US8279625B2 (en) | 2010-12-14 | 2012-10-02 | Apple Inc. | Printed circuit board radio-frequency shielding structures |
| WO2011137756A2 (zh) * | 2011-05-06 | 2011-11-10 | 华为终端有限公司 | 复合材料以及电子设备 |
| US9179538B2 (en) | 2011-06-09 | 2015-11-03 | Apple Inc. | Electromagnetic shielding structures for selectively shielding components on a substrate |
| JP5693515B2 (ja) * | 2012-01-10 | 2015-04-01 | エイチズィーオー・インコーポレーテッド | 内部耐水性被覆を備える電子デバイス |
| TWI484897B (zh) * | 2012-01-20 | 2015-05-11 | Lite On Technology Corp | 散熱結構與具有此散熱結構的電子裝置 |
| US9620430B2 (en) | 2012-01-23 | 2017-04-11 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Sawing underfill in packaging processes |
| EP3114911B1 (de) * | 2014-03-04 | 2023-05-03 | Medidata Solutions, Inc. | Flexibles mehrteiliges verkapselungsgehäuse für elektronische vorrichtungen |
| US9949359B2 (en) * | 2014-03-18 | 2018-04-17 | Apple Inc. | Multi-layer thin-film coatings for system-in-package assemblies in portable electronic devices |
| US9913412B2 (en) | 2014-03-18 | 2018-03-06 | Apple Inc. | Shielding structures for system-in-package assemblies in portable electronic devices |
| JP2015220241A (ja) * | 2014-05-14 | 2015-12-07 | 株式会社村田製作所 | 電子部品モジュール |
| US9820373B2 (en) | 2014-06-26 | 2017-11-14 | Apple Inc. | Thermal solutions for system-in-package assemblies in portable electronic devices |
| US9814142B1 (en) * | 2015-06-24 | 2017-11-07 | Automated Assembly Corporation | Electronic devices wire bonded to substrate through an adhesive layer and method of making the same |
| FR3061404B1 (fr) | 2016-12-27 | 2022-09-23 | Packaging Sip | Procede de fabrication collective de modules electroniques hermetiques |
| US9901016B1 (en) * | 2017-04-14 | 2018-02-20 | Kinsus Interconnect Technology Corp. | Electromagnetic-interference shielding device |
| US10399256B1 (en) * | 2018-04-17 | 2019-09-03 | Goodrich Corporation | Sealed circuit card assembly |
| US10834825B1 (en) | 2019-05-08 | 2020-11-10 | Raytheon Company | Hermetic chip on board |
| US11197376B2 (en) * | 2019-10-10 | 2021-12-07 | The Boeing Company | Method of forming a low loss electronics assembly |
| FR3114643B1 (fr) | 2020-09-25 | 2022-09-09 | Nexter Munitions | Fusee electronique pour projectile |
| US12127335B2 (en) * | 2022-02-24 | 2024-10-22 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | Electronic device |
| JP7460013B1 (ja) | 2023-11-30 | 2024-04-02 | ａｒｔｉｅｎｃｅ株式会社 | 電子部品搭載基板及び電子機器 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB956001A (en) * | 1960-08-17 | 1964-04-22 | Reyrolle A & Co Ltd | Improvements relating to the encapsulation of electrical components |
| US4063349A (en) * | 1976-12-02 | 1977-12-20 | Honeywell Information Systems Inc. | Method of protecting micropackages from their environment |
| US4300184A (en) * | 1979-07-11 | 1981-11-10 | Johnson Controls, Inc. | Conformal coating for electrical circuit assemblies |
| JPS60160145A (ja) * | 1984-01-30 | 1985-08-21 | Mitsubishi Electric Corp | 混成集積回路のパツケ−ジング |
| EP0308676A3 (de) * | 1987-09-25 | 1990-01-10 | Siemens Aktiengesellschaft | Spannungsarme Umhüllung für elektrische und elektronische Bauelemente, insbesondere Hybridschaltungen |
| JPH0278299A (ja) * | 1988-09-14 | 1990-03-19 | Hitachi Ltd | 電子部品塔載基板 |
| JP2505868B2 (ja) * | 1988-10-15 | 1996-06-12 | 富士通株式会社 | 半導体装置 |
-
1990
- 1990-08-24 FR FR9010631A patent/FR2666190B1/fr not_active Expired - Fee Related
-
1991
- 1991-08-23 WO PCT/FR1991/000688 patent/WO1992003902A1/fr active IP Right Grant
- 1991-08-23 EP EP91914937A patent/EP0497948B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1991-08-23 DE DE69109464T patent/DE69109464T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1991-08-23 JP JP3514366A patent/JPH05502142A/ja active Pending
- 1991-08-23 CA CA002067784A patent/CA2067784C/fr not_active Expired - Lifetime
-
1994
- 1994-09-13 US US08/305,424 patent/US5461545A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102020133098A1 (de) | 2020-12-11 | 2022-06-15 | Zf Cv Systems Europe Bv | Elektronisches Steuergerät eines Fahrzeugs |
| DE102020133099A1 (de) | 2020-12-11 | 2022-06-15 | Zf Cv Systems Global Gmbh | Leiterplatte für elektronische Schaltungen |
| WO2022122536A1 (de) | 2020-12-11 | 2022-06-16 | Zf Cv Systems Global Gmbh | Leiterplatte für elektronische schaltungen |
| WO2022122537A1 (de) | 2020-12-11 | 2022-06-16 | Zf Cv Systems Europe Bv | Elektronisches steuergerät eines fahrzeugs |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| FR2666190B1 (fr) | 1996-07-12 |
| EP0497948B1 (de) | 1995-05-03 |
| CA2067784C (fr) | 2001-10-23 |
| WO1992003902A1 (fr) | 1992-03-05 |
| FR2666190A1 (fr) | 1992-02-28 |
| CA2067784A1 (fr) | 1992-02-25 |
| DE69109464D1 (de) | 1995-06-08 |
| JPH05502142A (ja) | 1993-04-15 |
| EP0497948A1 (de) | 1992-08-12 |
| US5461545A (en) | 1995-10-24 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE69109464T2 (de) | Verfahren und vorrichtung zur hermetischen verkapselung von elektronischen bauteilen. | |
| DE3118298C2 (de) | ||
| DE2637667C2 (de) | Halbleiteranordnung | |
| DE2536316C2 (de) | Schaltungskarte für integrierte Halbleiterschaltungen | |
| DE10351761A1 (de) | Sensor für eine dynamische Grösse | |
| DE10325020B4 (de) | Verfahren zum Versiegeln eines Halbleiterbauelements und damit hergestellte Vorrichtung | |
| DE3511722A1 (de) | Elektromechanische baugruppe fuer integrierte schaltkreismatrizen | |
| DE19817359A1 (de) | Keramische Mehrlagenschaltung und Verfahren zu ihrer Herstellung | |
| EP0645953B1 (de) | Verfahren zur Herstellung einer zwei- oder mehrlagigen Verdrahtung und danach hergestellte zwei- oder mehrlagige Verdrahtung | |
| DE10144467A1 (de) | Elektronisches Sensorbauteil und Verfahren zu seiner Herstellung | |
| DE19522455A1 (de) | EMV-Abschirmung bei elektronischen Bauelementen | |
| DE4016953A1 (de) | Elektronisches bauelement mit abschirmung gegen elektromagnetische stoerstrahlung und verfahren zur herstellung | |
| DE4023776C2 (de) | Mehrschichtige Halbleiterstruktur, insbesondere Wandler und Verfahren zur Bildung von Kontaktflächen an Halbleiterbereichen solcher mehrschichtiger Halbleiterstrukturen | |
| EP0482419A1 (de) | Schaltungsmodul mit Sicherheitsgehäuse | |
| WO2000007239A1 (de) | Integriertes bauelement, verbundkörper aus einem integrierten bauelement und einer leiterstruktur, chip-karte und verfahren zur herstellung des integrierten bauelementes | |
| WO2002063687A2 (de) | Abschirmvorrichtung für integrierte schaltungen | |
| WO2013037698A1 (de) | Leiterplatte und elektrische bauteile zum einsatz in aggressiver umgebung und verfahren zur herstellung einer solchen leiterplatte | |
| EP1821091B1 (de) | Verfahren zur Herstellung von elektronischen Bauelementen und Drucksensor | |
| DE4315847A1 (de) | Verbindung zwischen einem Sender und/oder Empfänger sowie einer Antenne | |
| DE102019122661A1 (de) | Elektronisches Gerät für einen Einsatz in explosionsgefährdeten Bereichen und Verfahren zum Herstellen eines elektronischen Geräts für einen Einsatz in explosionsgefährdeten Bereichen | |
| DE102005061553B4 (de) | Chipmodul | |
| DE10121673A1 (de) | Gedruckte Leiterplatte | |
| DE1766688B1 (de) | Anordnung mehrerer Plaettchen,welche integrierte Halbleiterschaltungen enthalten,auf einer gemeinsamen Isolatorplatte sowie Verfahren zur Herstellung der Anordnung | |
| WO1986007191A1 (en) | Process for manufacturing an electric circuit using hybrid technology | |
| DE10219353B4 (de) | Halbleiterbauelement mit zwei Halbleiterchips |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| 8364 | No opposition during term of opposition |