DE20873250T1 - Systeme und herstellungsverfahren für anzeigetafeln mit integrierter mikrolinsenanordnung - Google Patents
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Abstract
Lichtemittierende Pixeleinheit, umfassend:
mindestens eine auf einem Substrat gebildete Mesa; und
eine Mikrolinse, die aus einer Mikrolinsenschicht gebildet wird, die mindestens eine Oberseite der mindestens einen Mesa bedeckt;
wobei:
das Material der Mikrolinsenschicht sich von dem Material der mindestens einen Mesa unterscheidet, und
die Mikrolinsenschicht in direktem physischen Kontakt mit der mindestens einen Mesa steht.
mindestens eine auf einem Substrat gebildete Mesa; und
eine Mikrolinse, die aus einer Mikrolinsenschicht gebildet wird, die mindestens eine Oberseite der mindestens einen Mesa bedeckt;
wobei:
das Material der Mikrolinsenschicht sich von dem Material der mindestens einen Mesa unterscheidet, und
die Mikrolinsenschicht in direktem physischen Kontakt mit der mindestens einen Mesa steht.
Claims (29)
- Lichtemittierende Pixeleinheit, umfassend: mindestens eine auf einem Substrat gebildete Mesa; und eine Mikrolinse, die aus einer Mikrolinsenschicht gebildet wird, die mindestens eine Oberseite der mindestens einen Mesa bedeckt; wobei: das Material der Mikrolinsenschicht sich von dem Material der mindestens einen Mesa unterscheidet, und die Mikrolinsenschicht in direktem physischen Kontakt mit der mindestens einen Mesa steht.
- Lichtemittierende Pixeleinheit nach
Anspruch 1 , wobei die Mikrolinse einzeln um die Oberseite der mindestens einen Mesa herum ausgebildet ist. - Lichtemittierende Pixeleinheit nach einem der
Ansprüche 1 bis2 , wobei zwischen der mindestens einen Mesa und der Mikrolinse ein Abstandshalter aus der gleichen Mikrolinsenschicht gebildet wird. - Lichtemittierende Pixeleinheit nach
Anspruch 3 , wobei die Dicke des Abstandshalters nicht mehr als 1 Mikrometer beträgt. - Lichtemittierende Pixeleinheit nach einem der
Ansprüche 3 bis4 , wobei das Material des Abstandshalters dasselbe ist wie das Material der Mikrolinse. - Lichtemittierende Pixeleinheit nach einem der
Ansprüche 1 -5 , wobei die Mikrolinse aus einem dielektrischen Material besteht. - Lichtemittierende Pixeleinheit nach
Anspruch 6 , wobei das dielektrische Material Siliziumoxid umfasst. - Lichtemittierende Pixeleinheit nach einem der
Ansprüche 1 -7 , wobei das Material der Mikrolinse Fotolack ist. - Lichtemittierende Pixeleinheit nach einem der
Ansprüche 1 -8 , wobei die Höhe der Mikrolinse nicht mehr als 2 Mikrometer beträgt. - Lichtemittierende Pixeleinheit nach einem der
Ansprüche 1 bis9 , wobei die Breite der Mikrolinse nicht mehr als 4 Mikrometer beträgt. - Lichtemittierende Pixeleinheit nach einem der
Ansprüche 1 bis10 , wobei sich auf dem Substrat die mindestens eine Mesa in einer Matrix von Mesa-Anordnung befindet und die Mikrolinse in einer Matrix von Mikrolinsen-Anordnung, die entsprechend der Platzierung der Mesa-Anordnung angeordnet sind. - Lichtemittierende Pixeleinheit nach einem der
Ansprüche 1 bis11 , wobei die Oberseite der mindestens einen Mesa flach ist und die Form der Mikrolinse halbkugelförmig ist. - Lichtemittierende Pixeleinheit nach einem der
Ansprüche 1 bis12 , wobei die mindestens eine Mesa mindestens eine lichtemittierende Vorrichtung enthält. - Lichtemittierende Pixeleinheit nach
Anspruch 13 , wobei die lichtemittierende Vorrichtung einen PN-Übergang aufweist. - Verfahren zur Herstellung einer lichtemittierenden Pixeleinheit, umfassend: Bereitstellen eines Substrats; Ausbilden mindestens einer Mesa auf dem Substrat; und Abscheiden einer Mikrolinsenmaterialschicht direkt auf mindestens eine Oberseite der mindestens einen Mesa, wobei die Mikrolinsenmaterialschicht an eine Form der mindestens einen Mesa angepasst ist und eine Halbkugelform auf der mindestens einen Mesa aufweist.
- Verfahren zur Herstellung einer lichtemittierenden Pixeleinheit nach
Anspruch 15 , wobei die Mikrolinsenmaterialschicht durch eine chemische Gasphasenabscheidungstechnologie abgeschieden wird. - Verfahren zur Herstellung einer lichtemittierenden Pixeleinheit nach
Anspruch 16 , wobei die Parameter der chemischen Gasphasenabscheidungstechnologie, die zur Abscheidung der Mikrolinsenmaterialschicht verwendet wird, Folgendes umfassen: eine Leistung von 0 W bis 1000 W, einen Druck von 100 milli-torr bis 2000 milli-torr, eine Temperatur von 23 °C bis 500 °C, eine Gasflussrate von 0 sccm bis 3000 sccm und eine Zeit von 1 Stunde bis 3 Stunden. - Verfahren zur Herstellung einer lichtemittierenden Pixeleinheit nach einem der
Ansprüche 15 -17 , wobei die Mikrolinsenmaterialschicht aus einem dielektrischen Material besteht. - Verfahren zur Herstellung einer lichtemittierenden Pixeleinheit nach einem der
Ansprüche 15 bis18 , ferner umfassend: Strukturieren der Mikrolinsenmaterialschicht, um einen Elektrodenbereich des Substrats freizulegen. - Verfahren zur Herstellung einer lichtemittierenden Pixeleinheit nach
Anspruch 19 , wobei das Strukturieren ferner umfasst: Ausbilden einer Maske auf der Oberfläche des Mikrolinsenmaterials; Strukturieren der Maske mittels eines fotolithografischen Prozesses, wodurch Öffnungen in der Maske gebildet werden und die Mikrolinsenmaterialschicht über dem Elektrodenbereich der mindestens einen Mesa freigelegt wird; und mit dem Schutz der Maske in Position, Ätzen von Teilen der durch die Öffnungen freigelegten Mikrolinsenmaterialschicht. - Verfahren zur Herstellung einer lichtemittierenden Pixeleinheit nach
Anspruch 20 , wobei das Ätzen ein Nassätzverfahren ist. - Verfahren zur Herstellung einer lichtemittierenden Pixeleinheit, umfassend: Bereitstellen eines Substrats; Ausbilden mindestens einer Mesa auf dem Substrat; Abscheiden einer Mikrolinsenmaterialschicht direkt auf mindestens eine Oberseite der mindestens einen Mesa, wobei die Mikrolinsenmaterialschicht die Oberseite der mindestens einen Mesa bedeckt und die Fläche der Oberseite des Mikrolinsenmaterials flach ist; und Strukturieren der Mikrolinsenmaterialschicht von oben nach unten, wodurch mindestens eine Halbkugel in der Mikrolinsenmaterialschicht gebildet wird, ohne die Mikrolinsenmaterialschicht zu durchdringen, wobei die Halbkugel über der mindestens einen Mesa angeordnet ist.
- Verfahren zur Herstellung einer lichtemittierenden Pixeleinheit nach
Anspruch 22 , ferner umfassend: Abscheiden einer Maskenschicht auf die Oberfläche der Mikrolinsenmaterialschicht; Strukturieren der Maskenschicht zum Bilden eines Halbkugelmusters in der Maskenschicht; und Verwenden des Halbkugelmusters als eine Maske, Ätzen der Mikrolinsenmaterialschicht, um die Halbkugel in der Mikrolinsenmaterialschicht zu bilden. - Verfahren zur Herstellung einer lichtemittierenden Pixeleinheit nach
Anspruch 23 , wobei nach dem Ätzen der Mikrolinsenmaterialschicht die Mikrolinsenmaterialschicht nicht durchgeätzt wird, um die Fläche der Oberseite der mindestens einen Mesa freizulegen, wodurch ein Abstandshalter auf der Oberseite der mindestens einen Mesa gebildet wird. - Verfahren zur Herstellung einer lichtemittierenden Pixeleinheit nach einem der
Ansprüche 22 -24 , wobei die Mikrolinsenmaterialschicht durch Schleuderbeschichtung abschieden wird. - Verfahren zur Herstellung einer lichtemittierenden Pixeleinheit nach einem der
Ansprüche 23 -25 , wobei die Maskenschicht zunächst durch einen fotolithographischen Prozess und dann durch einen Reflow-Prozess strukturiert wird. - Verfahren zur Herstellung einer lichtemittierenden Pixeleinheit nach einem der
Ansprüche 23 -26 , wobei das Ätzen der Mikrolinsenmaterialschicht durch einen fotolithographischen Prozess erfolgt. - Verfahren zur Herstellung einer lichtemittierenden Pixeleinheit nach einem der
Ansprüche 22 -27 , ferner umfassend: nach dem Ausbilden der mindestens einen Mesa und vor dem Abscheiden der Mikrolinsenmaterialschicht, Ausbilden einer Markierungsschicht mit Markierungen zum Ausrichten auf die Mikrolinsenmaterialschicht im Strukturierungsprozess. - Verfahren zur Herstellung einer lichtemittierenden Pixeleinheit nach einem der
Ansprüche 22 -28 , ferner umfassend: nach dem Strukturieren der Mikrolinsenmaterialschicht, Strukturieren der Mikrolinsenmaterialschicht, um einen Elektrodenbereich des Substrats freizulegen.
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