DE19844741C1 - Schaltungsanordnung zur Arbeitspunktstabilisierung eines Transistors - Google Patents

Abstract

Schaltungsanordnung zur Arbeitspunktstabilisierung eines ersten Transistors mit Emitter, Basis und Kollektor, dessen Emitter an ein erstes Versorgungspotential angeschlossen ist, mit DOLLAR A einem zweiten Transistor mit Emitter, Basis und Kollektor, dessen Kollektor mit der Basis des ersten Transistors und dessen Emitter mit dem Kollektor des ersten Transistors gekoppelt ist, DOLLAR A einem ersten Widerstand, der zwischen ein zweites Versorgungspotential einerseits und den Kollektor des ersten Transistors und den Emitter des zweiten Transistors andererseits geschaltet ist, DOLLAR A einem Strombegrenzungselement, das zwischen die Basis des zweiten Transistors und das erste Versorgungspotential geschaltet ist, DOLLAR A einem dritten Transistor mit Emitter, Basis und Kollektor, dessen Emitter mit dem zweiten Versorgungspotential und dessen Kollektor mit der Basis des zweiten Transistors verbunden ist, DOLLAR A einem zweiten Widerstand, der zwischen ein Referenzpotential und die Basis des dritten Transistors geschaltet ist, und DOLLAR A einem dritten Widerstand, der zwischen Basis und Kollektor des dritten Transistors geschaltet ist.

Description

Die Erfindung betrifft eine Schaltungsanordnung zur Ar­ beitspunktstabilisierung eines Transistors. Derartige Schal­ tungsanordnungen sind beispielsweise aus E. Böhmer, Elemente der angewandten Elektronik, 9. Auflage, Vieweg-Verlag, Braun­ schweig, Seiten 146 bis 149, Deutschland 1994 bekannt und be­ dienen sich der Parallelgegenkopplung bzw. der Reihengegen­ kopplung.

Aus der DE 41 12 697 C1 ist eine Schaltungsanordnung zur Kom­ pensation von Temperatureinflüssen in einem Halbleiter- Verstärker bekannt, wobei mit Hilfe eines Gleichspannungs­ signals die Verstärkung einstellbar ist. Sowohl die Tempera­ turschwelle, ab der eine temperaturabhängige Steuerspannung erzeugt wird, als auch der Proportionalitätsfaktor, der den Anstieg oder Abfall der Steuerspannung bestimmt, können bei der dort beschriebenen Schaltungsanordnung vorgegeben werden.

Die DE 197 32 437 C1 beschreibt eine Transistorverstärkerstu­ fe, die eine verbesserte Gleichstromstabilisierung des in der Transistorverstärkerstufe enthaltenen NPN-Verstärkertran­ sistors gewährleistet. Hierzu wird die Basis des NPN- Verstärkertransistors an einen Wechselspannungs- Eingangsanschluß angeschlossen. Der Emitter des NPN- Verstärker-Transistors liegt an einem festen Potential an und der Kollektor des NPN-Verstärkertransistors wird an einem Wechselspannungsausgangsanschluß gekoppelt. Zwischen einem Gleichspannungs-Eingangsanschluß und der Basis des NPN- Verstärkertransistors ist eine aktive Arbeits- Stabilisierungseinheit mit einem ersten und zweiten PNP- Transistor vorgesehen.

Bei der Parallelgegenkopplung wird parallel zur Kollektor- Basis-Strecke des zu regelnden Transistors ein Widerstand an­ geschlossen. Eine beispielsweise temperaturbedingte Erhöhung des Arbeitsstromes bewirkt eine Absenkung der Kollektor- Emitter-Spannung und gleichzeitig eine Absenkung des Basis­ stromes. Dadurch wird ein Gegenkopplungseffekt erzeugt.

Bei der Reihengegenkopplung ist in die Emitterzuleitung ein Widerstand geschaltet. Das Basispotential wird über einen Spannungsteiler eingestellt. Im Falle einer temperaturbeding­ ten Erhöhung des Arbeitsstromes wird das Emitterpotential an­ gehoben, wodurch die Basis-Emitter-Spannung und damit wieder­ um der Basisstrom abgesenkt wird. Dadurch ergibt sich wieder­ um ein Gegenkopplungseffekt.

Neben Temperaturschwankungen können auch Schwankungen der Versorgungsspannung und durch unvermeidbare Fertigungsstreu­ ungen verursachte Abweichungen der Stromverstärkung des zu regelnden Transistors vom Nennwert einen Weglauf des Arbeits­ stromes vom gewünschten Wert hervorrufen.

Besonders bei batteriebetriebenen elektronischen Geräten sind Schwankungen der Versorgungsspannung unvermeidbar. In Anbe­ tracht der zunehmenden Verbreitung mobiler elektronischer Ge­ räte wie beispielsweise Mobiltelefone oder Laptop-Computer gewinnt der Batteriebetrieb immer mehr an Bedeutung. Bei der Konzipierung von elektronischen Schaltungen müssen daher Schwankungen der Versorgungsspannung verstärkt berücksichtigt werden. Darüber hinaus sind im allgemeinen mobile elektroni­ sche Geräte großen Schwankungen der Umgebungstemperatur aus­ gesetzt.

Sowohl bei Schwankungen der Versorgungsspannung als auch bei Abweichungen der Stromverstärkung vom Nennwert gewährleistet die häufig eingesetzte Parallelgegenkopplung nur eine unzu­ reichende Arbeitsstromstabilisierung. In beiden Fällen kommt es zu bedeutenden Änderungen des Arbeitsstromes.

Mit der Reihengegenkopplung läßt sich zwar eine bessere Ar­ beitsstromstabilisierung bei schwankender Versorgungsspannung bzw. bei Abweichung der Stromverstärkung vom Nennwert reali­ sieren, sie besitzt jedoch den wesentlichen Nachteil, daß an dem in der Emitterzuleitung angeschlossenen Widerstand eine Spannung abfällt, die von der Versorgungsspannungsquelle zu­ sätzlich geliefert werden muß. Hinsichtlich der bei elektro­ nischen Geräten herrschenden Entwicklung hin zu immer niedri­ geren Versorgungsspannungen ist dies aber nicht vorteilhaft.

In der Patentschrift DE 195 05 269 C1 ist eine Schaltungsan­ ordnung bekannt, die eine Arbeitsstromstabilisierung auch bei geringeren Versorgungsspannungen ermöglicht. Demnach wird zur Stabilisierung des Arbeitsstromes zwischen den Kollektor und die Basis des zu regelnden Transistors eine strombestimmende Masche aus einer Reihenschaltung mindestens zweier Dioden, eines Widerstands und der Emitter-Basis-Strecke eines weite­ ren Transistors geschaltet. Für viele Anwendungen wird jedoch auch der bei dieser Schaltungsanordnung auftretende Span­ nungsabfall als zu hoch angesehen.

Aufgabe der Erfindung ist es daher, eine Schaltungsanordnung anzugeben, die den Arbeitsstrom eines Transistors auch bei niedriger Versorgungsspannung gewährleistet.

Diese Aufgabe wird gelöst durch eine Schaltungsanordnung ge­ mäß Patentanspruch 1. Ausgestaltungen und Weiterbildungen des Erfindungsgedankens sind Gegenstand von Unteransprüchen.

Eine erfindungsgemäße Schaltungsanordnung zur Ar­ beitspunktstabilisierung eines ersten Transistors mit Emit­ ter, Basis und Kollektor, dessen Emitter an ein erstes Ver­ sorgungspotential angeschlossen ist, umfaßt bevorzugt
einen zweiten Transistor mit Emitter, Basis und Kollektor, dessen Kollektor mit der Basis des ersten Transistors und dessen Emitter mit dem Kollektor des ersten Transistors ge­ koppelt ist,
einen ersten Widerstand, der zwischen ein zweites Versor­ gungspotential einerseits und den Kollektor des ersten Tran­ sistors und den Emitter des zweiten Transistors andererseits geschaltet ist,
ein Strombegrenzungselement, das zwischen die Basis des zwei­ ten Transistors und das erste Versorgungspotential geschaltet ist,
einen dritten Transistor mit Emitter, Basis und Kollektor, dessen Emitter mit dem zweiten Versorgungspotential und des­ sen Kollektor mit der Basis des zweiten Transistors verbunden ist,
einen zweiten Widerstand, der zwischen ein Referenzpotential und die Basis des dritten Transistors geschaltet ist, und
einen dritten Widerstand, der zwischen Basis und Kollektor des dritten Transistors geschaltet ist.

Insbesondere der dritte Transistor in Verbindung mit zweitem und drittem Widerstand sowie dem Referenzpotential bewirkt, daß die Spannung zum einen eingestellt werden kann und zum anderen so eingestellt werden kann, daß der Spannungsabfall über dem ersten Widerstand möglichst gering ist. Würden hin­ gegen zwei Dioden verwendet werden, dann würde eine der Dioden den Spannungsabfall über der Basis-Emitter-Strecke des zweiten Transistors kompensieren und die weitere Diode würde dann den Spannungsabfall über dem ersten Widerstand festle­ gen, nämlich auf die Durchlaßspannung der weiteren Diode. Bei zwei Dioden wäre demnach der Spannungsabfall über dem ersten Widerstand ungefähr 700 mV, während bei der erfindungsgemäßen Lösung der Spannungsabfall über dem ersten Widerstand bei­ spielsweise auf 100 mV und darunter eingestellt werden kann. Dies bringt eine Ersparnis von 0,6 V und mehr, was beispiels­ weise bei üblichen Versorgungsspannungen von 2,7 V eine Er­ sparnis von immerhin mehr als 22% ausmacht.

In Weiterbildung der Erfindung kann vorgesehen werden, daß die Basis des ersten Transistors mit dem Kollektor des zwei­ ten Transistors über einen vierten Transistors mit Emitter, Basis und Kollektor gekoppelt ist derart, daß die Basis des vierten Transistors mit dem Kollektor des zweiten Transi­ stors, der Emitter des vierten Transistors mit der Basis des ersten Transistors und der Kollektor des vierten Transistors mit dem zweiten Versorgungspotential verbunden ist.

Durch einen durch den vierten Transistors gebildeten zusätz­ lichen Stromverstärker kann die Abhängigkeit des stabilisier­ ten Stroms von der Stromverstärkung des ersten Transistors erheblich reduziert werden. Bei der niedrigen Spannung über dem ersten Widerstand, welche zur Arbeitspunkteinstellung ausgewertet wird, ist der Einfluß der Stromverstärkung des ersten Transistors deutlich störender als bei einem höheren Spannungsabfall über dem ersten Widerstand. Somit kann auch der insbesondere bei bipolaren Hochfrequenz-Transistoren durch endliche Stromverstärkung begrenzte Anwendungsbereich (maximaler Kollektorstrom) erweitert werden, weil ein höherer Basisstrom möglich ist. Darüber hinaus kann die Tempera­ turcharakteristik der gesamten Anordnung vorteilhafterweise stark verändert bis invertiert werden.

Die Temperaturcharakteristik kann vorteilhafterweise durch einen weiteren Widerstand so eingestellt werden, daß eine Temperaturkompensation eintritt. Dazu wird ein vierter Wider­ stand zwischen Basis und Emitter des vierten Transistors ge­ schaltet.

Des weiteren kann bei der Schaltungsanordnung das Referenzpo­ tential am Abgriff eines Spannungsteilers mit einem fünften und sechsten Widerstand abgenommen werden, der zwischen das erste Versorgungspotential und ein drittes Versorgungspoten­ tial geschaltet ist. Das dritte Versorgungspotential kann da­ bei gleich dem zweiten Versorgungspotential sein oder gleich dem Emitterpotential des zweiten Transistors.

Im einfachsten Fall wird das Strombegrenzungselement durch einen Widerstand gebildet. Damit wird der schaltungstechni­ sche Aufwand äußerst gering gehalten. Des weiteren kann al­ ternativ eine Stromquelle vorgesehen werden. Dadurch läßt sich die Spannungsabhängigkeit der Stromaufnahme der Schal­ tungsanordnung gegenüber Betriebsspannungsschwankungen ver­ bessern.

Eine derartige Stromquelle enthält bevorzugt einen fünften Transistor mit Emitter, Basis und Kollektor, dessen Kollektor an das erste Versorgungspotential ange­ schlossen ist, einen siebten Widerstand, der zwischen die Ba­ sis des zweiten Transistors und den Emitter des fünften Tran­ sistors geschaltet ist, einen sechsten Transistor mit Emit­ ter, Basis und Kollektor, dessen Emitter an das zweite Ver­ sorgungspotential angeschlossen ist und dessen Kollektor mit der Basis des fünften Transistors verbunden ist,
einen achten Widerstand, der zwischen den Kollektor des sech­ sten Transistors und das erste Versorgungspotential geschal­ tet ist,
einen neunten Widerstand, der zwischen den Emitter des fünf­ ten Transistors und die Basis des sechsten Transistors ge­ schaltet ist und
einen zehnten Widerstand, der zwischen Basis und Emitter des sechsten Widerstandes geschaltet ist.

Vorzugsweise sind bei der erfindungsgemäßen Schaltungsanord­ nung der erste Transistor und, wenn vorhanden, der vierte Transistor von einem Leistungstyp sowie der zweite Transi­ stor, der dritte Transistor und, wenn vorhanden, der fünfte Transistor und der sechste Transistor von einem dazu komple­ mentären Leistungstyp.

Die Erfindung wird nachfolgend anhand des in der einzigen Fi­ gur der Zeichnung dargestellten Ausführungsbeispiels näher erläutert.

Beim Ausführungsbeispiel soll der Arbeitspunkt eines Hochfre­ quenztransistors, nämlich des npn-Transistors T1 eingestellt werden. Der Emitter des Transistors T1 ist dabei an ein Be­ zugspotential 0 angeschlossen. Die Stabilisierung des Ar­ beitspunktes erfolgt mittels einer Ansteuerschaltung, die als integrierter Schaltkreis IC ausgeführt ist. Diese Ansteuer­ schaltung enthält einen pnp-Transistor T2, dessen Emitter mit dem Kollektor des Transistors T1 über einen Anschlußstift 2 der integrierten Schaltung IC verbunden ist. Zwischen dem Kollektor des Transistors T1 bzw. dem Emitter des Transistors T2 und einem positiven Versorgungspotential U ist ein Wider­ stand R1 und dazu parallel ein Widerstand R1' geschaltet. Der Widerstand R1 ist dabei in der integrierten Schaltung IC rea­ lisiert, während der Widerstand R1' extern über Anschlüsse 1, 2 dem Widerstand R1 parallel geschaltet ist. Der Anschluß 1 der integrierten Schaltung IC dient dabei auch zur Zuführung des positiven Versorgungspotentials U für die integrierten Schaltung IC. Durch den externen Widerstand R1' läßt sich nachträglich und kundenspezifisch die Arbeitspunkteinstellung ändern und damit optimieren.

Die Basis des Transistors T2 ist zum einen über eine Strom­ quelle mit einem Anschluß 4 der integrierten Schaltung IC verbunden, an dem das Bezugspotential 0 angelegt ist. Zum an­ deren ist die Basis des Transistors T2 mit dem Kollektor ei­ nes pnp-Transistors T3 verbunden, dessen Emitter mit dem An­ schluß 1 der integrierten Schaltung und damit mit dem positi­ ven Versorgungspotential U verschaltet ist. Zwischen Basis und Kollektor des Transistors T3 ist ein Widerstand R3 ge­ schaltet. Die Basis des Transistors T3 ist darüber hinaus über einen Widerstand R2 an den Abgriff eines Spannungstei­ lers angeschlossen. Der Spannungsteiler besteht aus einem Wi­ derstand R5, der zwischen den Abgriff und den Anschluß 4 der integrierten IC geschaltet ist, und einen Widerstand R6, der zwischen den Abgriff und ein Versorgungspotential V geschal­ tet ist. Das Versorgungspotential V kann dabei beispielsweise durch das positive Versorgungspotential U gegeben sein oder durch das Potential am Emitter des Transistors T2. Beim Aus­ führungsbeispiel ist das Emitterpotential des Transistors T2 vorgesehen und deshalb ist der Widerstand R6 zwischen den Ab­ griff und den Emitter des Transistors T2 geschaltet.

Die Stromquelle enthält beim Ausführungsbeispiel einen pnp- Transistor T5, dessen Kollektor an das Bezugspotential 0 an­ geschlossen ist. Weiterhin ist ein Widerstand R7 zwischen die Basis des Transistors T2 und den Emitter des Transistors T5 geschaltet. Ein weiterer pnp-Transistor T6 ist derart ver­ schaltet, daß sein Emitter an das Versorgungspotential U an­ geschlossen ist, sein Kollektor mit der Basis des Transistors T5 verbunden ist und seine Basis zum einen über einen Wider­ stand R9 mit dem Emitter des Transistors T5 und zum anderen über einen Widerstand R10 mit seinem eigenen Emitter gekop­ pelt ist. Ein Widerstand R8 ist schließlich zwischen das Be­ zugspotential 0 und die Basis des Transistors T5 bzw. den Kollektor des Transistors T6 geschaltet.

Die Erfindung weiterbildend erfolgt die Ansteuerung der Basis des Transistors T1 nicht direkt durch den Kollektor des Tran­ sistors T2, sondern unter Zwischenschaltung einer Treiberstu­ fe. Die Treiberstufe besteht aus einem npn-Transistor T4, dessen Basis mit dem Kollektor des Transistors T2, dessen Emitter über einen Anschluß 3 der integrierten Schaltung IC mit der Basis des Transistors T1 und dessen Kollektor mit dem Anschluß 1 der integrierten Schaltung IC und damit dem posi­ tiven Versorgungspotential U verbunden ist. Des weiteren ist bei der Treiberstufe zur Temperaturkompensation ein Wider­ stand R4 zwischen die Basis und den Emitter des Transistors T4 geschaltet.

Schließlich kann ein Widerstand R11 zwischen den Kollektor des Transistors T2 und den Anschluß 4 der integrierten Schal­ tung IC geschaltet werden, um eine definierte Last am Kollek­ tor des Transistors T2 zu erzeugen, und ein Schalter S vorge­ sehen werden, der zwischen den Anschluß 4 der integrierten Schaltung IC und das Bezugspotential 0 geschaltet ist.

Die Funktionsweise der erfindungsgemäßen Schaltungsanordnung beruht im wesentlichen darauf, daß der Spannungsabfall über dem Widerstand R1 bzw. R1' möglichst gering gehalten wird, in dem die zwischen Basis und Emitter des Transistors T3 ange­ legte Spannung möglichst gering und einstellbar gehalten wird. Der so eingestellte Spannungsabfall (U2) über dem Wi­ derstand R2 entspricht in etwa der Spannung (U1) über dem Wi­ derstand R1, da U1 + UBE2 = U2 + UBE3. Dabei steht UBE2 bzw. UBE3 für die Basis-Emitter-Spannung des Transistors T2 bzw. T3. Der Spannungsteiler ist einerseits an das Bezugspotential 0 angeschlossen und andererseits bei einer einfachen Lösung mit dem Emitter des Transistors T3 verbunden (nicht gezeigt), wird aber bevorzugt mit dem Emitter des Transistors T2 gekop­ pelt, was die Stabilisierung durch diese zusätzliche Gegen­ kopplung mittels des Widerstands R1 bzw. R1' verbessert.

Je nach Anwendungsfall kann nur der Widerstand R1 oder der Widerstand R1' oder aber auch beide Widerstände parallel ver­ wendet werden. Prinzipiell ist nur einer der beiden Wider­ stände erforderlich. So kann beispielsweise der interne Wi­ derstand R1 als Platzhalter für Prüfzwecke oder bei entspre­ chend niederohmiger Auslegung für integrierte Schaltungen oh­ ne externen Widerstand R1' dienen.

Wird dem Spannungsteiler am Abgriff ein betriebsspannungsab­ hängiger geringer Strom zugesetzt, so werden Referenzpotenti­ al an der Basis des Transistors T3 und somit stabilisierter Strom bei Betriebserhöhung zurückgefahren. Dieser Effekt wird bei geeigneter Dimensionierung dazu benutzt, den sonst bei Betriebsspannungserhöhungen wegen der Unzulänglichkeiten der Stabilisierungswirkung auftretenden Stromanstieg zu kompen­ sieren.

Am offenen Kollektor Transistor T2 der eigentlichen Regel­ schaltung kann ohne weiteres ein aus der Betriebsspannung ge­ speister Emitterfolger (Transistor T6) oder jegliche andere Art von Treiberschaltung eingefügt werden, da derartige Trei­ berschaltungen in der Regel oberhalb einer Betriebsspannung von ca. 1,6 V (UBE1 + UBE4 + UCE2s + U1) funktionsfähig sind und unterhalb dieser Spannung auch die restliche Schaltung nicht mehr funktionsbereit ist. Dabei steht UBE4 für die Ba­ sis-Emitter-Spannung des Transistors T4 und UCE2s für die Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung des Transistors T2. Durch die genannte Maßnahme werden Rückwirkungen des geregel­ ten Hochfrequenztransistors T1 auf die eigentliche Regel­ schaltung stark unterdrückt.

Ein zusätzlicher Effekt ist, daß bei Vorhandensein einer Treiberschaltung mit steigender Temperatur der Gesamtschal­ tung der Arbeitsstrom steigt, während ohne Treiberschaltung der Arbeitsstrom fällt. Ein zusätzlicher Widerstand R6 zwi­ schen Eingang und Ausgang der Treiberstufe bewirkt einen Kom­ promiß zwischen diesen beiden gegenläufigen Tendenzen, also eine Temperaturkompensation.

In die Basis des Transistors T2 muß ein negativer Strom ein­ gespeist werden, was beispielsweise mittels eines Widerstan­ des erfolgen kann. Dieser Strom muß zusätzlich von der Ver­ sorgung aufgebracht werden und darf insbesondere bei Nicht­ vorhandensein einer Treiberstufe bei kleiner Betriebsspannung (ca. 2 V) nicht zu klein sein. Er vervielfacht sich mit stei­ gender Betriebsspannung, da der Strom durch I = (U-U1)/R bestimmt ist. Dabei ist R der Widerstand zwischen der Basis des Transistors T2 und dem Anschluß 4 der integrierten Schal­ tung IC. Setzt man anstelle des Widerstandes eine Stromquel­ le, so schafft man definierte Verhältnisse und reduziert auch von vornherein die Spannungsabhängigkeit der Stromstabilisie­ rung des Transistors T1.

Claims (9)

1. Schaltungsanordnung zur Arbeitspunktstabilisierung eines ersten Transistors (T1) mit Emitter, Basis und Kollektor, dessen Emitter an ein erstes Versorgungspotential (0) ange­ schlossen ist, mit
einem zweiten Transistor (T2) mit Emitter, Basis und Kol­ lektor, dessen Kollektor mit der Basis des ersten Transistors (T1) und dessen Emitter mit dem Kollektor des ersten Transi­ stors (T1) gekoppelt ist,
einem ersten Widerstand (R1), der zwischen ein zweites Versorgungspotential (U) einerseits und den Kollektor des er­ sten Transistors (T1) und den Emitter des zweiten Transistors (T2) andererseits geschaltet ist,
einem Strombegrenzungselement, das zwischen die Basis des zweiten Transistors (T2) und das erste Versorgungspotential (0) geschaltet ist,
einem dritten Transistor (T3) mit Emitter, Basis und Kol­ lektor, dessen Emitter mit dem zweiten Versorgungspotential (U) und dessen Kollektor mit der Basis des zweiten Transi­ stors (T2) verbunden ist,
einem zweiten Widerstand (R2), der zwischen ein Referenz­ potential und die Basis des dritten Transistors (T3) geschal­ tet ist, und
einem dritten Widerstand (R3), der zwischen Basis und Kol­ lektor des dritten Transistors (T3) geschaltet ist.

2. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, bei der die Basis des ersten Transistors (T1) und der Kollektor des zweiten Transistors (T2) mittels eines vierten Transistors (T4) mit Emitter, Basis und Kollektor gekoppelt ist derart, daß die Basis des vierten Transistors (T4) mit dem Kollektor des zweiten Transistors (T2), der Emitter des vierten Transi­ stors (T4) mit der Basis des ersten Transistors (T1) und der Kollektor des vierten Transistors (T4) mit dem zweiten Ver­ sorgungspotential (U) verbunden ist.

3. Schaltungsanordnung nach Anspruch 2, bei der ein vierter Widerstand (R4) zwischen Basis und Kollektor des vierten Transistors (T4) geschaltet ist.

4. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, 2 oder 3, bei der das Referenzpotential am Abgriff eines einen fünften (R5) und sechsten (R6) Widerstand aufweisenden Spannungsteilers abge­ nommen wird, der zwischen das erste Versorgungspotential (0) und ein drittes Versorgungspotential (V, U) geschaltet ist.

5. Schaltungsanordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, bei der das Strombegrenzungselement durch eine Stromquelle gebil­ det wird.

6. Schaltungsanordnung nach Anspruch 5, bei der die Stromquelle enthält
einen fünften Transistor (T5) mit Emitter, Basis und Kol­ lektor, dessen Kollektor an das erste Versorgungspotential (0) angeschlossen ist,
einen siebten Widerstand (R7), der zwischen die Basis des zweiten Transistors (T2) und den Emitter des fünften Transi­ stors (T5) geschaltet ist,
einen sechsten Transistor (T6) mit Emitter, Basis und Kol­ lektor, dessen Emitter an das zweite Versorgungspotential (U) angeschlossen ist und dessen Kollektor mit der Basis des fünften Transistors (T5) verbunden ist,
einen achten Widerstand (R8), der zwischen den Kollektor des sechsten Transistors (T6) und das erste Versorgungspoten­ tial (0) geschaltet ist,
einen neunten Widerstand (R9), der zwischen den Emitter des fünften Transistors (T5) und die Basis des sechsten Tran­ sistors geschaltet ist, und
einen zehnten Widerstand (R10), der zwischen Basis und Emitter des sechsten Transistors (T6) geschaltet ist.

7. Schaltungsanordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 6, bei der der erste Transistor und, wenn vorhanden, der vierte Transistor von einem Leitungstyp sind sowie der zweite Tran­ sistor, der dritte Transistor und, wenn vorhanden, der fünfte Transistor und der sechste Transistor vom dazu komplementären Leitungstyp sind.

8. Schaltungsanordnung nach einem der Ansprüche 4 bis 7, bei der das dritte Versorgungspotential (V) gleich dem zweiten Versorgungspotential (U) ist.

9. Schaltungsanordnung nach einem der Ansprüche 4 bis 7, bei der das dritte Versorgungspotential (V) gleich dem Potential am Emitter des zweiten Transistors (T2) ist.