DE19648949C2 - Sondenkarte zur Messung von äußerst niedrigen Strömen - Google Patents
Sondenkarte zur Messung von äußerst niedrigen StrömenInfo
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Description
Die vorliegende Erfindung betrifft Sondenkarten, wie sie zum
Abtasten von Prüflingen, beispielsweise von integrierten Schal
tungen auf einem Wafer, verwendet werden, und insbesondere Son
denkarten, die zur Messung äußerst niedriger Ströme geeignet
sind. Derartige Sondenkarten sind z. B. aus der DE 43 10 111 A1
oder der US 4.731.577 bekommt.
Typischerweise wird beim Aufbau einer solchen Sondenkarte eine dielek
trische Platine als Grundelement verwendet. Eine Mehrzahl von
Abtastvorrichtungen, im folgenden auch als Abtastmeßgeräte bezeichnet, ist radial um eine Öffnung in der Platine herum
angeordnet, so daß die Abtastelemente dieser Vorrichtung, wobei es
sich beispielsweise um schmale leitende Nadeln handeln kann,
unterhalb der Öffnung in einer musterartigen Anordnung enden,
die zum Abtasten der Kontaktstellen des Prüflings geeignet ist.
Die Abtastmeßgeräte sind über eine Mehrzahl von Verbindungslei
tungen einzeln an entsprechende Kanäle eines Testinstruments
angeschlossen, wobei der Abschnitt einer jeden Leitung, der
zwischen dem entsprechenden Abtastmeßgerät und dem äußeren Rand
der dielektrischen Platine verläuft, ein Verbindungskabel oder
ein direkt auf der Platine ausgebildetes Leiterzugmuster sein
kann. Bei einer herkömmlichen Art von Aufbau, bei dem die Prüf
linge auf einem Halbleiterwafer ausgebildete integrierte Schal
tungen sind, wird die Sondenkarte mittels einer Halterung oder
eines Tastkopfs über dem Wafer befestigt, und eine Haltevorrich
tung unter dem Wafer bewegt den Wafer derart, daß jede darauf
befindliche Einheit der Reihe nach mit den Nadeln oder Abtastele
menten der Sondenkarte in Kontakt gebracht wird.
Im besonderen Hinblick auf Sondenkarten, die zur Messung äußerst
geringer Ströme (d. h. in einem Wertebereich von Femto-Ampere
oder noch kleiner) besonders geeignet sind, waren die Konstruk
teure von Sondenkarten bislang mit der Aufgabenstellung konfron
tiert, Techniken zur Eliminierung oder zumindest Verringerung
der Auswirkungen von Kriechströmen zu entwickeln. Derartige
Kriechströme sind unerwünschte Ströme, die von umgebenden Kabeln
oder Kanälen in ein bestimmtes Kabel oder einen bestimmten Kanal
fließen können und dabei den in diesem bestimmten Kabel oder
Kanal gemessenen Strom verzerren. Bei einer gegebenen Potential
differenz zwischen zwei beabstandeten Leitern schwankt der Be
trag des zwischen diesen fließenden Kriechstroms in Abhängigkeit
vom Volumenwiderstand des die Leiter trennenden Isoliermateri
als, d. h. bei Verwendung eines Isolators mit verhältnismäßig
geringerem Widerstand ergibt sich ein vergleichsweise höherer
Kriechstrom. Daher wird ein Konstrukteur von Sondenkarten für
niedrige Ströme im Normalfall die Verwendung von einadrigen
Drähten mit Gummiisolierung auf einer Glas-Epoxy-Platine ver
meiden, da Gummi und Glas-Epoxy-Materialien bekanntlich Isolato
ren mit relativ geringem Widerstand sind, durch die relativ
große Kriechströme fließen können.
Eine Technik zur Unterdrückung von Kriechströmen zwischen Kanä
len sieht vor, den inneren Kern eines jeden Eingangsdrahts mit
einem zylindrischen "Abschirmungs"-Leiter zu umgeben, wobei
dieser Leiter durch eine Rückkopplungsschaltung im Ausgangskanal
des Testinstruments auf demselben Potential gehalten wird wie
der innere Kern. Aufgrund der Tatsache, daß die Spannungspoten
tiale des äußeren Abschirmungs-Leiters und des inneren leitenden
Kerns einander im wesentlichen nachlaufen, fließt ein vernach
lässigbarer Kriechstrom über das diese Leiter trennende, innere
Dielektrikum, unabhängig davon, ob das innere Dielektrikum aus
einem Material mit geringem oder mit hohem Widerstand herge
stellt ist. Obwohl es noch immer zu einem fließen von Kriech
strom zwischen den Abschirmungs-Leitern der entsprechenden Kabel
kommen kann, stellt dies im typischen Fall kein Problem dar, da
diese Abschirmungs-Leiter im Gegensatz zu den inneren leitenden
Kernen eine geringe Impedanz haben. Durch Verwendung dieser
Abschirmungstechnik läßt sich eine wesentliche Verbesserung der
Fähigkeit von gewissen Auslegungen von Sondenkarten zur Messung
niedriger Ströme erzielen.
Zur weiteren Verbesserung der Fähigkeit zur Messung niedriger
Ströme sind Sondenkarten derart ausgelegt worden, daß sie
Kriechströme zwischen den einzelnen Abtastmeßgeräten, die die
Abtastnadeln oder andere Elemente halten, minimieren. Bei diesen
Vorrichtungen wurden isolierende Materialien mit höherem Widerstand
anstelle von Materialien mit geringerem Widerstand verwendet und
zusätzliche leitende Oberflächen um jede Vorrichtung herum vorgese
hen, um als Abschirmung bezüglich dieser Vorrichtung zu fungieren.
Bei einer Art von Aufbau ist beispielsweise jedes Abtastmeßgerät
unter Verwendung eines dünnen Plättchens aus keramischem Materi
al hergestellt, d. h. einem Material, das bekanntlich einen rela
tiv hohen Volumenwiderstand hat. Ein länglicher Leiterzug ist
auf einer Seite des Plättchens als Signalleitung vorgesehen, und
eine leitende Oberfläche auf der Rückseite ist auf der anderen
Seite des Plättchens zum Zwecke der Abschirmung vorgesehen. Das
Abtastelement dieser Vorrichtung wird von einer schmalen leitenden
Nadel gebildet, beispielsweise aus Wolfram, die einseitig einge
spannt vom Signalleiterzug weg verläuft. Derartige Vorrichtungen sind
im Handel erhältlich, zum Beispiel von der Cerprobe Corporation,
Tempe, Arizona, Vereinigte Staaten von Amerika. Während des
Zusammenbaus der Sondenkarte werden die Keramikplättchen radial
um die Öffnung in der Karte herum am Rand angeordnet, so daß die
Nadeln innerhalb der Öffnung in einer musterartigen Anordnung
auslaufen, die zum Abtasten des Prüflings geeignet ist. Die
leitende Rückseite eines jeden Plättchens ist mit dem Abschir
mungsleiter des entsprechenden Kabels verbunden ebenso wie mit
dem entsprechenden leitenden Flecken oder "Land" in der Nähe der
Öffnung in der Sondenkarte. Auf diese Weise ist jeder leitende
Pfad durch den Leiter auf der Rückseite auf der gegenüberliegen
den Seite des Plättchens und durch den leitenden Flecken dar
unter abgeschirmt.
Es wurde jedoch festgestellt, daß selbst bei Verwendung von
abgeschirmten Kabeln und Abtastmeßgeräten aus Keramik der gerade
beschriebenen Art und auch bei derartigen Abtastmeßgeräten wie
sie in der DE 43 16 111 A1 und der US 4 731 577, die eingangs erwähnt wurden, beschrieben
sind, der Pegel unerwünschten Hintergrundstroms immer noch nicht
so verringert ist, daß er den Fähigkeiten der letzten Generation
von im Handel erhältlichen Testinstrumenten gleichkäme, die in
der Lage sind, Ströme bis zu einem Wert von einem Femto-Ampere
oder noch weniger zu messen. Somit lag die Schlußfolgerung nahe,
daß andere Änderungen an Sondenkartenauslegungen vorgenommen
werden mußten, um mit der Technologie der Auslegung von
Testinstrumenten Schritt halten zu können.
Die US 5 382 898 beschreibt eine Sondenkarte, bei der das
Auftreten von Kriechströmen durch einen genügend großen Abstand
zwischen Abtastmeßgeräten und Sondenkarte verhindert werden
soll.
In der letzten Generation von Sondenkarten gingen die Bestrebun
gen dahin, Kriechstromwege mit geringem Widerstand innerhalb der
Sondenkarte systematisch zu eliminieren und umfangreiche und
ausgefeilte Abschirmungsaufbauten vorzusehen, die die Leiter
entlang dem Signalpfad umgeben sollen (vgl. EP 0 574 149 A1). In
einer neueren Auslegung wurde beispielsweise die gesamte
Hauptplatine aus Glas-Epoxy-Material durch eine Platine aus
Keramikmaterial ersetzt, wobei dieses Material, wie bereits
voranstehend erwähnt, einen relativ hohen Widerstand gegenüber
Kriechströmen hat. In dieser Auslegung wurden die Eingangsdrähte
durch Signalleiterzüge ersetzt, die direkt auf der Hauptplatine
aufgebracht wurden, wobei diese Leiterzüge von einem äußeren
Rand der Hauptplatine zu entsprechenden leitenden Flecken
verlaufen, die die Öffnung der Platine umgeben. Jeder Flecken
ist wiederum mit dem Signalleiterzug eines korrespondierenden
keramischen Plättchens verbunden. Außerdem ist ein Paar
Abschirmungs-Leiterzüge auf jeder Seite eines jeden
Signalleiterzugs vorgesehen, um jeden Leiterzug weiter gegenüber
Kriechströmen zu isolieren.
In einer weiteren dieser neueren Auslegungen wird eine Haupt
platine aus Keramikmaterial mit drei aktiven Schichten verwen
det, um eine dreidimensionale Abschirmung zu erhalten. Über die
ser Hauptplatine und in Verbindung mit dieser befindet sich eine
Schnittstellenplatine mit vier Quadranten, die weitere Abschir
mungsaufbauten enthält. Zwischen diesen zwei Platinenaufbauten
befindet sich eine dritte Einheit mit einem "gefederten Karus
sell ("pogo carousel"). In diesem gefederten Karussell werden
gefederte Stifte verwendet, um eine Mehrzahl von Signalleitungen
zu bilden, die die Schnittstellenplatine mit der unteren Haupt
platine verbinden. Es versteht sich, daß bezüglich dieser gefe
derten Stifte das Ziel des Ersetzens von Isolatoren mit geringe
rem Widerstand durch solche mit höherem Widerstand seine prakti
sche Grenze erreicht hat, d. h. der Isolator, der normalerweise
den inneren Leiter umgeben würde, wurde vollkommen eliminiert.
Die soeben beschriebenen Auslegungsformen von Sondenkarten stel
len den aktuellen Stand der Technik dar. Aus den voranstehenden
Beispielen ergibt sich, daß ein grundlegender Aspekt im Stand
der Technik die Unterdrückung von Kriechströmen zwischen Kanälen
ist. Durch Verwendung dieser neueren Auslegungsformen wurde es
möglich, Ströme bis fast in den Femto-Ampere-Bereich zu messen.
Jedoch ist das in diesen neueren Auslegungen verwendete Keramik
material relativ teurer als das zuvor verwendete Glas-Epoxy-
Material. Ein weiteres Problem bei Keramikmaterialien ist ihre
relativ große Neigung zur Absorption von Oberflächenverunreini
gungen, wie sie beispielsweise während der Handhabung der Son
denkarte von der Haut auf dieser abgelagert werden. Diese Ver
unreinigungen können den Oberflächenwiderstand des Keramikmate
rials in einem solchen Maße verringern, daß sich eine erhebliche
Steigerung von Kriechstrompegeln ergibt. Außerdem schlagen die
teureren und ausgefeilteren Abschirmungsstrukturen, die in die
sen neueren Auslegungen verwendet werden, mit einer starken
Erhöhung der Auslegungs- und Montagekosten zu Buche. Aus diesen
Entwicklungen läßt sich erahnen, daß Verbesserungen der Fähig
keit der Karten zur Messung niedriger Ströme aller Wahrschein
lichkeit nach nur allmählich erzielt werden können, wobei der
artige Verbesserungen beispielsweise auf immer ausgefeiltere
Abschirmungssysteme oder auf weitere Forschung im Bereich von
Isoliermaterialien mit hohem Widerstand zurückzuführen sein
werden.
Es ist ebenfalls zu beachten, daß es auch andere, von der Aus
legung unabhängige Faktoren gibt, die Einfluß darauf nehmen, ob
das Potential einer bestimmten Sondenkarte zur Messung geringer
Ströme vollkommen realisiert wird oder nicht. Wenn bei der Mon
tage der Karte nicht besondere Sorgfalt aufgewandt wird, dann
können beispielsweise Oberflächenverunreinigungen, beispiels
weise Öle und Salze von der Haut oder Lötzinnreste, die Ober
fläche der Karte verunreinigen und ihre Leistung verschlechtern
(aufgrund ihrer ionischen Natur können derartige Verunreinigun
gen unerwünschte elektrochemische Wirkungen haben). Selbst unter
der Annahme, daß die Karte korrekt ausgelegt und montiert wurde,
kann es ferner passieren, daß die Karte vielleicht nicht richtig
an das Testinstrument angeschlossen ist, oder daß das Testin
strument vielleicht nicht richtig kalibriert ist, um beispiels
weise die Wirkungen von Spannungs- und Stromoffsets vollkommen
auszuschalten. Außerdem können die Sondenkarte oder die Verbin
dungsleitungen als Aufnahmestellen für Wechselstromfelder die
ne, wobei diese Wechselstromfelder von der Eingangsschaltung
des Testinstruments gleichgerichtet werden können, so daß Fehler
in den angezeigten Gleichstromwerten auftreten. Somit müssen
geeignete Abschirmungsvorgänge bezüglich der Sondenkarte, der
Verbindungsleitungen und des Testinstruments angewandt werden,
um diese Feldstörungen abzuschirmen. Aufgrund dieser Faktoren
kann es beim Testen einer neuen Sondenkartenauslegung äußerst
schwierig sein, die Ursachen für unerwünschten Hintergrundstrom
in der neuen Auslegung zu isolieren, aufgrund der zahlreichen
und möglicherweise interagierenden Faktoren, die für eine der
artige Störung verantwortlich sein können.
Demgemäß ist es Aufgabe der Erfindung, eine Sonden
karte bereitzustellen, die zur Messung äußerst niedriger Strompegel
verwendbar ist und gleichzeitig aus relativ billigen Materialien
in einem relativ unkomplizierten Montageprozess kostengünstig
hergestellt werden kann.
Diese Aufgabe wird mit dem Gegenstand des Anspruchs 1 gelöst.
Es wurde nämlich festgestellt, daß das primäre
Problem, zumindest in einer bestimmten Stufe der Auslegung,
nicht darin besteht, wie man die zwischen den verschiedenen
Signalkanälen fließenden Kriechströme unterdrückt, sondern viel
mehr darin liegt, wie diejenigen Ströme, die als Ergebnis der
reibungselektrischen Wirkung intern in jedem Kabel oder Signal
kanal auftreten, am besten unterdrückt. In einem abgeschirmten
Kabel können reibungselektrische Ströme aufgrund von Reibung
zwischen dem Abschirmungsleiter und dem inneren Dielektrikum
zwischen diesen auftreten, wodurch freie Elektronen den Leiter
verlassen und ein Ladungsungleichgewicht entsteht, das zum Flie
ßen von Strom führt. Hatte man erst einmal erkannt, daß diese
reibungselektrische Wirkung vielleicht der kritische Punkt ist,
wurde diese Erkenntnis getestet, indem rauscharme Kabel anstelle
der bis dahin verwendeten Abschirmungskabel verwendet wurden.
Diese rauscharmen Kabel, die aufgrund der vorgeschriebenen Grö
ßenverhältnisse maßgefertigt werden mußten, wirkten sich in
einer erheblichen Änderung der Fähigkeit der Karte zur Messung
niedriger Ströme aus. Obwohl diese Kabel in Verbindung mit einer
relativ kostengünstigen Glas-Epoxy-Platine verwendet wurden, und
obwohl nach herkömmlicher Betrachtungsweise diese Art von Mate
rial nicht ausreichend hohen Widerstand hat, um Messungen von
äußerst niedrigen Strömen zu ermöglichen, war es tatsächlich
möglich, Strommessungen bis in den Femto-Ampere-Bereich hinein
durchzuführen.
Es versteht sich, daß der Erfinder im vorliegenden Fall keines
falls für sich beansprucht, eine neue Lösung für das Problem des
reibungselektrischen Effekts gefunden zu haben. Eine relativ
einfache Lösung dieses Problem findet sich auf dem Gebiet der
Kabeltechnologie, wo bekannt ist, wie ein rauscharmes Kabel
durch Verwendung einer zusätzlichen Materialschicht zwischen dem
äußeren Leiter und dem inneren Dielektrikum herzustellen ist,
wobei dieses Material eine geeignete Zusammensetzung zur Unter
drückung des reibungselektrischen Effekts hat. Diese Schicht
enthält insbesondere einen nichtmetallischen Anteil, der physi
kalisch mit dem inneren Dielektrikum kompatibel ist, so daß ver
hindert wird, daß sie übermäßig gegen dieses Dielektrikum reibt,
und sie enthält andererseits einen ausreichend leitenden Anteil,
der sofort jedwedes Ladungsungleichgewicht beseitigt, das von
freien Elektronen verursacht wird, die den äußeren Leiter durch
Reibung verlassen haben. Es wird nicht vom Erfinder beansprucht,
daß diese bestimmte Lösung des durch Reibungselektrizität be
dingten Problems seine Erfindung ist. Vielmehr ist es die Er
kenntnis, daß dieses spezifische Problem eine Hauptursache für
eine Leistungsverschlechterung auf dem Gebiet der Auslegung von
Sondenkarten zur Messung geringer Ströme darstellt, die der
Erfinder als seine Erfindung betrachtet.
Zurückblickend läßt sich darüber spekulieren, warum die Bedeu
tung des reibungselektrischen Effekts nicht früher von Forschern
auf dem Gebiet der Auslegung von Sondenkarten entdeckt wurde.
Ein möglicher Grund hierfür mag darin liegen, daß die Überprü
fung der Bedeutung dieses Effekts nicht bloß eine Frage des
Ersetzens von Abschirmungskabeln durch rauscharme Kabel ist. Wie
bereits im vorhergehenden erwähnt, wurden in der neueren Genera
tion von Sondenkartenauslegungen Abschirmungskabel größtenteils
durch direkt auf der dielektrischen Hauptplatine aufgebrachte
Leiterzüge ersetzt. Daher muß, um mit einer Auslegung zu begin
nen, bei der dieses Problem einer unkomplizierten Lösung zugäng
lich ist, auf eine ältere und vermutlich weniger effektive Tech
nologie zurückgegriffen werden. Außerdem würde der Durch
schnittsfachmann, der eine Sondenkarte mit rauscharmen Kabeln
zusammengebaut und anschließend getestet hat, aufgrund der vor
anstehend erwähnten, von der Auslegung unabhängigen Faktoren
nicht unbedingt die Überlegenheit dieser Sondenkarte zur Messung
von geringen Strömen erkennen. Beispielsweise könnte sich der
Hintergrundpegel von Strom aufgrund von Oberflächenverunreini
gungen, die sich während der Montage der Sondenkarte auf dieser
abgelagert haben, derart erhöhen, daß die Wirkung der rauschar
men Kabel nicht zu Tage tritt. Hinzu kommt, daß die auf dem
Gebiet der Auslegung von Sondenkarten eingeschlagene Richtung,
wo die Betonung auf dem Problem der Unterdrückung von Kriech
strömen zwischen Kanälen liegt, zu Lösungen geführt hat, die
zufällig auch im wesentlichen zu einer Lösung des Problems des
reibungselektrischen Effekts geführt haben. Diese Lösungen, die
ein Ersetzen der Kabel durch Leiterzüge auf Keramikplatinen oder
die Verwendung von Signalleitungen, in denen der Signalleiter
(wie im Fall von Signalleitungen, die durch gefederte Stifte
gebildet wurden) keinen ihn umgebenden Isolator hat, vorsehen,
sind im Vergleich zu der relativ unkomplizierten Lösung des
Erfinders für das Problem des reibungselektrischen Effekts rela
tiv kompliziert und teuer. Die indirekte und abschwächende Wir
kung dieser alternativen Lösungen, die zur Verhüllung des Pro
blems beitrug, liefert auch eine Erklärung, warum eine direktere
Lösung des Problems des reibungselektrischen Effekts selbst von
raffinierten Entwicklern von Sondenkarten aus dem Stand der
Technik nicht erkannt wurde.
Gemäß vorliegender Erfindung wird also eine Sondenkarte zur
Verwendung bei der Messung von äußerst geringen Strömen bereit
gestellt, wobei diese Sondenkarte folgendes enthält: eine die
lektrische Platine, eine Mehrzahl von Abtastmeßgeräten, die
radial am Rande einer Öffnung in der Platine angebracht sind,
und eine Mehrzahl von Kabeln zum Anschluß eines jeden Abtastmeß
geräts an einen entsprechenden Kanal eines Testinstruments.
Diese Kabel haben einen geeigneten Aufbau, der es ermöglicht,
daß sie in einem abgeschirmten Modus verwendet werden können,
d. h. sie enthalten einen äußeren Leiter, der den inneren Leiter
oder Kern des Kabels umgibt, wobei der äußere Leiter als Ab
schirmungsleiter bezüglich des inneren Leiters verwendet werden
kann. Des weiteren enthalten diese Kabel eine innere Material
schicht zwischen dem äußeren Leiter und dem darunter befindli
chen inneren Dielektrikum, wobei diese Schicht eine geeignete
Zusammensetzung hat, um die Erzeugung von reibungselektrischen
Strom zwischen dem inneren Dielektrikum und dem äußeren Leiter
auf weniger als das Maß zu verringern, das auftreten würde, wenn
das innere Dielektrikum und der äußere Leiter direkt beieinan
derlägen.
Mit dem voranstehend beschriebenen Aufbau wird eine Sondenkarte
bereitgestellt, in der eine wesentliche Quelle von Hintergrund
strom auf relativ einfache Art und Weise unterdrückt wird, wo
durch das Erfordernis von komplizierten und teuren Aufbauten zur
Unterdrückung anderer, weniger bedeutender Quellen, um die Fä
higkeit zur Messung äußerst geringer Ströme zu erzielen, ent
fällt.
Die Unteransprüche geben Ausführungsarten der Erfindung an.
Im folgenden wird im Ausführungsbeispiel der Erfindung
an Hand der Zeichnung näher erläutert.
Es zeigen
Fig. 1 eine Ansicht von oben auf eine Sondenkarte zur Messung
geringer Ströme, wobei ein Teil
einer auf der Karte vorgesehenen leitenden Abdeckung entfernt
wurde, um darunter befindliche Elemente sichtbar zu machen;
Fig. 2 ein Seitenansicht der Sondenkarte zur Messung geringer
Ströme aus Fig. 1;
Fig. 3 eine aufgebrochene Ansicht im Aufriß der Sondenkarte zur
Messung geringer Ströme aus Fig. 1 in dem Bereich, der die Öff
nung in der Karte umgibt, wobei in dieser Darstellung die Ab
deckung weggelassen wurde, um die darunter befindlichen Elemente
sichtbar zu machen;
Fig. 4 eine Schnittansicht entlang den Linien 4-4 aus Fig. 3;
Fig. 5 eine Querschnittsansicht des Eingangsabschnitts eines
bestimmten Kabels, entlang der Schnittlinie 5-5 aus Fig. 1;
Fig. 6 eine Querschnittsansicht des auf der Platine befindlichen
Teiles eines bestimmten Kabels, entlang der Schnittlinie 6-6 aus
Fig. 1.
Fig. 1 zeigt eine
Sondenkarte 20 zur Messung geringer Ströme. Wie auch
in den Fig. 2 und 4 gezeigt ist, enthält diese Karte eine Mehr
zahl von Abtastelementen 22. In der dargestellten bevorzugten
Ausführungsform bestehen diese Abtastelemente aus Wolframnadeln,
die in allgemein radialer Anordnung verlaufen, so daß ihre Spit
zen in einem Muster auslaufen, das zur Abtastung der Kontakt
stellen auf einem (nicht dargestellten) Prüfling geeignet ist
Handelt es sich beispielsweise bei der zu prüfenden Einheit um
eine individuelle Schaltung auf einem Halbleiterwafer mit qua
dratischer Anordnung der Kontaktstellen, würden die Nadeln ent
sprechend in einem quadrat-ähnlichem Muster auslaufen. Weiter
auf der Sondenkarte vorgesehen ist eine Mehrzahl von Kabeln 24.
Bei Verwendung der Sondenkarte wird jedes dieser Kabel mit einem
separaten Kanal eines (nicht dargestellten) Testinstruments
verbunden, um auf diese Weise eine elektrische Verbindung zwi
schen jedem Kanal und einem entsprechenden der Abtastelemente
herzustellen. Es versteht sich hierbei, daß, obgleich nur sechs
Kabel und Abtastelemente in den Zeichnungen dargestellt sind,
diese kleine Anzahl lediglich zur Vereinfachung der Darstellung
gewählt wurde. Tatsächlich enthält die in den Zeichnungen dar
gestellte Sondenkarte jedoch vierundzwanzig Kabel und Abtast
elemente, obwohl auch eine größere Anzahl als diese vorgesehen
werden kann, wie nachstehend ausgeführt ist.
Die Sondenkarte 20 enthält eine dielektrische
Platine 26, die in der dargestellten bevorzugten Ausführungsform
aus FR4 Glas-Epoxy-Material hergestellt ist. Diese Platine dient
allgemein als Grundelement für die Sondenkarte, auf dem die
anderen Kartenkomponenten angeordnet sind. Wie in Fig. 1 ge
zeigt, enthält jedes Kabel einen Eingangsabschnitt 28 und einen
auf der Platine verlaufenden Abschnitt 30, wobei diese jeweili
gen Abschnitte mittels eines Steckverbinders 32 lösbar mitein
ander verbunden sind, was ein separates Testen der Eingangsab
schnitte der Kabel erleichtert. Wie weiterhin nachstehend be
schrieben ist, enthalten diese Kabel koaxial zueinander angeord
nete leitende und dielektrische Schichten sowie ferner zumindest
eine Materialschicht innerhalb eines jeden Kabels, die zur Un
terdrückung des reibungselektrischen Effekts ausgelegt ist, um
jedwede unerwünschten Ströme zu minimieren, die ansonsten auf
grund dieses Effekts intern in jedem Kabel entstehen würden.
Diese Materialschicht ermöglicht zusammen mit bestimmten ande
ren, auf der Sondenkarte vorgesehenen Aufbauten eine Verwendung
der Karte zur Messung äußerst geringer Ströme von einem Wert bis
zu einem Femto-Ampere oder darunter. Im Vergleich zu einer Aus
legung, bei der Leiterzüge auf einer Keramikplatine verwendet
werden, ist die vorliegende Auslegung nicht nur kostengünstiger
in der Herstellung, sondern auch weniger empfindlich gegenüber
Oberflächenverunreinigungen und kann beispielsweise in Testumge
bungen mit niedrigen Temperaturen, in denen sich Feuchtigkeit
auf der Hauptplatine niederschlagen kann, weiterhin zufriedens
tellend betrieben werden.
Wie in Fig. 3 und 4 gezeigt ist, ist der auf der Platine be
findliche Teil 30 eines jeden Kabels elektrisch mit einem Ende
eines Abtastmeßgeräts 34 verbunden, während das andere Ende
dieses Geräts das Abtastelement oder die Abtastnadel 22 enthält.
Bei der beispielhaft dargestellten Sondenkarte 20 enthält jedes
Abtastmeßgerät ein dielektrisches Substrat 36, welches vorzugs
weise aus Keramik oder einem vergleichbaren Isoliermaterial mit
hohem Widerstand besteht. Dieses Keramiksubstrat oder "Plätt
chen" hat ein Paar breite parallele Seiten, die durch einen
dünnen Rand miteinander verbunden sind. Auf einer Seite eines
jeden Plättchens ist ein länglicher Leiterzug 38 ausgebildet,
während die andere Seite eine leitende Oberfläche 40 auf der
Rückseite aufweist. Ein (nicht dargestellter) unterer Leiter ist
entlang einem unteren Abschnitt eines jeden Rands ausgebildet,
wobei dieser Leiter mit dem entsprechenden länglichen Leiterzug
38 elektrisch verbunden ist. Jedes Abtastelement oder jede Ab
tastnadel 22 ist wiederum elektrisch an einen entsprechenden
dieser Leiter angeschlossen, so daß das Element oder die Nadel
einseitig befestigt über das entsprechende Substrat 36 hinaus
verläuft, wie in Fig. 4 gezeigt. In der bestimmten dargestellten
Ausführungsform hat das Substrat oder Plättchen 36 ein allgemein
L-förmiges Profil und ist auf der dielektrischen Platine 26 am
Rand befestigt, so daß der kurze Arm eines jeden L-förmigen
Plättchens durch eine Öffnung 42 in der Platine verläuft, wo
durch ermöglicht wird, daß die Nadeln unterhalb der Öffnung
enden. Wie voranstehend erwähnt, sind Plättchen mit dem gerade
beschriebenen Typ von Aufbau im Handel erhältlich von der Fa.
Cerprobe Corporation, Tempe, Arizona, Vereinigte Staaten von
Amerika.
Wie in Fig. 3 gezeigt, sind auf der dielektrischen Platine 26 um
die Öffnung 42 herum mehrere innere leitende Bereiche 44 aus
gebildet, die im Umfang voneinander beabstandet angeordnet sind.
Ebenfalls auf der Platine ausgebildet ist ein äußerer leitender
Bereich 46, der die inneren leitenden Bereiche in Abstand zu
diesen umgibt. Dieser äußere leitende Bereich verläuft nach
außen zu den vier Ränder der Platine. Wie in den Fig. 3-4 zu
sehen ist, bildet eine Lötverbindung 48 die elektrische Verbin
dung zwischen der leitenden Oberfläche 40 der Rückseite eines
jeden Keramikplättchens 36 und einem entsprechenden der inneren
leitenden Bereiche 44, so daß die Keramikplättchen in radialer
Anordnung um die Öffnung 42 herum am Rand befestigt sind. Die
Keramikplättchen sind dann zum Anschluß an die auf der Platine
befindlichen Abschnitte 30 der Kabel bereit, wie nun beschrieben
werden wird.
Fig. 6 zeigt eine querverlaufende Schnittansicht durch den auf
der Platine befindlichen Abschnitt 30 eines der Kabel 24, wobei
der Schnitt entlang den Linien 6-6 aus Fig. 1 verläuft. Dieser
Abschnitt, der koaxial aufgebaut ist, enthält einen inneren
Leiter oder Kern 50, ein inneres Dielektrikum 52, eine innere
Schicht 54, einen äußeren Leiter 56 und eine isolierende Umhül
lung 58. Die Zusammensetzung der inneren Schicht 54 ist geeig
net, die Erzeugung von reibungselektrischem Strom zwischen dem
inneren Dielektrikum und dem äußeren Leiter auf weniger als das
Maß zu verringern, das erzeugt würde, wenn das innere Dielek
trikum und der äußere Leiter direkt beieinander lägen. Wie vor
anstehend ausgeführt, sollte diese innere Schicht 54 physikali
sche Eigenschaften ähnlich denjenigen des inneren Dielektrikums
52 haben, damit sie trotz Kabelbiegung oder Temperaturverände
rungen nicht übermäßig gegen das innere Dielektrikum reibt.
Gleichzeitig sollte diese innere Schicht ausreichend leitende
Eigenschaften haben, um jegliche Ladungsungleichgewichte, die
aufgrund irgendwelcher freier Elektronen auftreten können, wel
che den äußeren Leiter durch Reibung verlassen haben, zu besei
tigen. Ein geeignetes Material für diesen Zweck ist ein Fluor
polymer wie beispielsweise TEFLONTM oder ein anderes isolierendes
Material wie Polyvinylchlorid oder Polyethylen in Verbindung mit
Graphit oder einem anderen ausreichend leitfähigen Zusatz.
Auf dem Gebiet der Hochfrequenz- (HF-) Kabeltechnologie werden
Kabel mit einer Schicht des soeben beschriebenen Typs allgemein
als "rauscharme" Kabel bezeichnet. Bezugsquellen für diese Art
von Kabel sind die Firmen Belden Wire and Cable Company, Rich
mond, Indiana, U.S.A. und Suhner HF-Kabel, Herisau, Schweiz. Bei
der dargestellten bevorzugten Ausführungsform stammte das ver
wendete Kabel von der Fa. Times Microwave Systems, Wallingford,
Connecticut, U.S.A.. Zur Bereitstellung der gewünschten 24-Ka
nal-Kapazität wurden diese Kabel auf Maß bestellt, so daß ihr
Durchmesser nicht über demjenigen eines Kabels der Norm RG178
lag.
Es ist zu beachten, daß bei der Verbindung des auf der Platine
befindlichen Abschnitts 30 eines jeden Kabels mit dem entspre
chenden Abtastmeßgerät 34 sorgfältig vorgegangen werden muß, um
Beschädigungen zu vermeiden, die die Fähigkeit der Sondenkarte
zur Messung von geringen Strömen erheblich beeinträchtigen wür
den.
Wie in den Fig. 3-4 gezeigt ist, verbindet eine Lötverbindung
60 den inneren Leiter 50 eines jeden Kabels mit dem hinteren
Ende des länglichen Leiterzugs 38 des entsprechenden Abtastmeß
geräts 34. Vor der Herstellung dieser Verbindung sollte das
Kabel derart positioniert werden, daß die den inneren Kern 50
umgebenden leitenden und dielektrischen Schichten im Kabel um
einen gewissen Abstand 62 vom hinteren Rand des Abtastmeßgeräts
34 zurückversetzt sind. Hierdurch verringert sich die Möglich
keit, daß eine dünne Haarsträhne oder eine andere Verunreinigung
eine niederohmige oder leitende Brücke bildet, was zu einem
niederohmigen Nebenschluß oder Kurzschluß der Signalleitung
führen würde. Bei der Herstellung dieser Verbindung ist es eben
falls wichtig, das Kabel nicht zu überhitzen, um nicht die
strukturellen Eigenschaften des Materials, das das innere Die
lektrikum 52 bildet, zu beeinträchtigen, wobei dieses Material
zur maximalen Temperaturstabilität beispielsweise "luftgestreck
tes" TEFLONTM umfassen kann. Schließlich sollten nach der Her
stellung der Verbindung jegliche verbleibenden Lötflußmittel
reste von der Platine entfernt werden, um unerwünschte elektro
chemische Effekte zu verhindern und den Oberflächenwiderstand
der Glas-Epoxy-Platine 26 auf einem brauchbaren Niveau zu hal
ten.
Um die Möglichkeit unerwünschter Nebenschlußverbindungen weiter
zu verringern, ist der äußere Leiter oder die Metallumflechtung
56 des Kabels über den entsprechenden inneren leitenden Bereich
44 indirekt mit der leitenden Oberfläche 40 der Rückseite ver
bunden, d. h. eine Lötverbindung 64 verbindet die Metallumflech
tung elektrisch mit dem inneren leitenden Bereich, und eine
zweite Lötverbindung 48 verbindet den inneren leitenden Bereich
elektrisch mit der leitenden Oberfläche 40 der Rückseite. Wie
derum muß darauf geachtet werden, daß das Kabel nicht überhitzt
wird oder daß keine Lötflußmittelreste auf der Schaltungsplatine
zurückbleiben. Während der Verwendung der Sondenkarte wird die
Signaländerung oder Spannung über den inneren Leiter 50, den
länglichen Leiterzug 38 und das Abtastelement 22 die Karte ent
lang übertragen. Vorzugsweise sind die Testgeräte derart ange
schlossen, daß eine Rückkoppelschaltung im Ausgangskanal der
Testgeräte eine "Abschirmungs"-Spannung liefert, die der momen
tanen Signalspannung entspricht, wobei diese Abschirmungsspan
nung an den äußeren Leiter 56 und den entsprechenden inneren
leitenden Bereich 44 angeschlossen wird. Auf diese Weise ist
dann jeder längliche Leiterzug durch die leitende Oberfläche 40
der Rückseite auf der gegenüberliegenden Seite des Plättchens 36
und durch den entsprechenden inneren leitenden Bereich 44, der
unter dem Leiterzug angeordnet ist, abgeschirmt. Durch eine
Minimierung der Kriechströme in jeden bzw. aus jedem länglichen
Leiterzug verringert dieses Abschirmungssystem die Pegel uner
wünschter Hintergrundströme und verbessert somit die bezüglich
der Kabel aufgrund der Unterdrückung des reibungselektrischen
Effekts erhaltene Wirkung.
Eine weitere mögliche Quelle von Stromstörungen kann sich anhand
von Wechselstromfeldern in der externen Umgebung um die Sonden
karte herum ergeben. Eine herkömmliche Lösung dieses Problems
besteht darin, Testinstrument, Verbindungskabel und Sondenkarte
allesamt in einen "Drahtkäfig" zu setzen, um diese Komponenten
gegen Wechselstrom-Einstreuungen abzuschirmen.
Bei der Sondenkarte 20 wird das Problem von Wech
selstrom-Einstreuungen direkter angegangen. In Fig. 5 ist eine
querverlaufende Schnittansicht des Eingangsabschnittes 28 eines
bestimmten der Kabel 24 dargestellt, wobei der Schnitt entlang
den Linien 5-5 aus Fig. 1 verläuft. Ähnlich dem auf der Platine
befindlichen Abschnitt 30 des in Fig. 6 gezeigten Kabels enthält
der Eingangsabschnitt einen inneren Leiter oder Kern 50a, ein
inneres Dielektrikum 52a, eine innere Schicht 54a, einen äußeren
Leiter 56a und eine isolierende Umhüllung 58a. Der Eingangsab
schnitt des Kabels enthält jedoch ferner ein zweites inneres
Dielektrikum 66 und einen zweiten äußeren Leiter 68. In der Tat
ist der Eingangsabschnitt des Kabels ein Triaxialkabel des "rau
scharmen" Typs, bei dem der zweite äußere Leiter derart ange
schlossen werden kann, daß er als Abschirmungsleiter zur Selbst
abschirmung der Eingangsabschnitte der Kabel dient.
Der zweite äußere oder Abschirmungsleiter 68 ist über einen
Steckverbinder 32 elektrisch mit dem äußeren leitenden Bereich
46 der dielektrischen Platine 26 verbunden, wobei dieser Ver
binder eine metallisierte äußere Oberfläche hat, die zur Her
stellung einer solchen Verbindung geeignet ist. Der äußere lei
tende Bereich 46 ist wiederum mit einer leitenden Abdeckung 70
elektrisch verbunden. Wenn der zweite äußere Leiter vom Test
instrument auf das Abschirmungspotential eingestellt ist, wobei
dieses Potential typischerweise auf Masse liegt, dann sind nicht
nur die Eingangsabschnitte der Kabel, sondern auch die auf der
Platine befindlichen Sondenkartenkomponenten im wesentlichen
gegen Wechselstromfelder abgeschirmt. Insbesondere bilden der
äußere leitende Bereich 46 und die leitende Abdeckung 70 ein in
sich selbst abgeschlossenes und kompaktes Abschirmungsgehäuse,
das die auf der dielektrischen Platine angeordneten Sondenkar
tenkomponenten im wesentlichen umgibt und abschirmt. Im Oberteil
der leitenden Abdeckung ist eine Schauöffnung 72 ausgebildet, in
die das Schaurohr eines Mikrokops eingesetzt werden kann, um das
Betrachten der Abtastelemente oder -nadeln 22 bei ihrer Positio
nierung auf den Kontaktstellen des Prüflings zu erleichtern.
In einer alternativen Ausführungsart der Sondenkarte können
eine größere Anzahl von Kanälen gehandhabt werden, indem die
Sondenkarte derart modifiziert wird, daß die eine größere
Anzahl von Kabeln aufnehmen kann, indem ein Kabelverbinder ver
wendet wird, bei dem die Kabel entlang von zwei Gliedern anstel
le von nur einem befestigt sind.
Claims (9)
1. Sondenkarte (20) zur Messung von geringer Ströme mittels
Abtasten eines Prüflings, mit:
- a) einer dielektrischen Platine (26), in der eine Öffnung (42) ausgebildet ist;
- b) einer Mehrzahl von Abtastvorrichtungen (34) zum Abtasten einer entsprechenden Anzahl von Kontaktstellen des Prüflings, wobei jede Abtastvorrichtung (34) folgendes aufweist: ein dielektrisches Substrat (36) mit einer ersten und einer zweiten Seite, mit einem länglichen Leiterzug (38) auf der ersten Seite und mit einem längliches Abtastelement oder einer längliche Abtastnadel (22), das bzw. die mit einem Ende des länglichen Leiterzugs (38) verbunden ist, so daß es einseitig befestigt über das Substrat (36) hinaus verläuft, wobei die Abtastvorrichtungen (34) auf der Platine (26) in radialer Anordnung um die Öffnung (42) herum befestigt sind, so daß die Abtastelemente bzw. die Abtastnadeln (22) unter der Öffnung (42) enden und dort ein Muster bilden, das zum Abtasten der Kontaktstellen geeignet ist; und
- c) einer Mehrzahl von Kabeln (24) zum Verbinden einer jeden Abtastvorrichtung (34) mit einem entsprechenden Signalkanal eines Testinstruments, wobei jedes Kabel (24) einen inneren Leiter (50), ein inneres Dielektri kum (52) und einen äußeren Leiter (56) aufweist, wobei jeder innere Leiter (50) elektrisch mit dem Leiterzug (38) verbunden ist und wobei jedes Kabel (24) durch eine innere Materialschicht (54) zwischen dem inneren Dielektrikum (52) und dem äußeren Leiter (56) rauscharm ist.
2. Sondenkarte nach Anspruch 1, bei der jede Abtastvorrichtung
(34) eine leitende Oberfläche (40) auf der zweiten Seite
aufweist, der jeweilige äußere Leiter (56) elektrisch mit der
leitenden Oberfläche (40) verbunden ist, und die
Abtastvorrichtungen (34) derart angeordnet sind, daß sich in
einer Abfolge die leitenden Oberflächen (40) mit den
Leiterzügen (38) abwechseln.
3. Sondenkarte nach Anspruch 2, bei der die dielektrische
Platine (26) eine Mehrzahl innerer leitender Bereiche (44)
aufweist, die voneinander beabstandet die Öffnung (42)
radial umgeben, und jede leitende Oberfläche (40)
elektrisch mit einem der inneren leitenden Bereiche (44)
verbunden ist.
4. Sondenkarte nach Anspruch 3, gekennzeichnet durch eine
leitende Abdeckung (70), die über der dielektrischen Plati
ne (26) angeordnet ist.
5. Sondenkarte nach Anspruch 4, bei der die dielektrische
Platine (26) einen äußeren leitenden Bereich (46) aufweist,
der die Mehrzahl von inneren leitenden Bereichen (44) im
Abstand zu diesen umgibt, und die Abdeckung (70) einen
unteren Rand hat, entlang dem die Abdeckung (70) elektrisch
mit dem äußeren leitenden Bereich (46) verbunden ist.
6. Sondenkarte nach Anspruch 4, bei der jedes Kabel (24) einen
Eingangsabschnitt (28) aufweist, der zu der Platine (26)
führt und der Eingangsabschnitt (28) einen abschirmenden
Leiter (68) enthält, der den äußeren Leiter (56a) in
radialem Abstand umgibt, wobei der abschirmende Leiter
(68) elektrisch mit der Abdeckung (70) verbunden ist.
7. Sondenkarte nach Anspruch 6, gekennzeichnet durch einen
Kabelverbinder, durch den die Kabel (24) direkt in die
abschirmende Abdeckung (70) hinein verlaufen, wobei der Kabelver
binder einen elektrischen Verbindungspfad bildet, der die
abschirmenden Leiter (68) und die Abdeckung (70)
miteinander verbindet.
8. Sondenkarte nach Anspruch 1, bei der die dielektrische Pla
tine (26) eine Mehrzahl innerer leitender Bereiche (44)
enthält, die radial zueinander und beabstandet voneinander
die Öffnung (42) umgeben und jede Abtastvorrichtung (34)
derart befestigt ist, daß jeder längliche Leiterzug (38)
über einem der inneren leitenden Bereiche (44) positioniert
ist sowie jeder äußere Leiter (56) direkt mit einem der
inneren leitenden Bereiche (44) verbunden ist.
9. Sondenkarte nach Anspruch 1, bei der die dielektrische
Platine (26) aus Glas-Epoxy-Material
besteht.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE29623282U DE29623282U1 (de) | 1995-12-01 | 1996-11-26 | Sondenkarte zur Messung von äußerst niedrigen Strömen |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US08/566,137 US5729150A (en) | 1995-12-01 | 1995-12-01 | Low-current probe card with reduced triboelectric current generating cables |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE19648949A1 DE19648949A1 (de) | 1997-06-05 |
DE19648949C2 true DE19648949C2 (de) | 2001-05-31 |
Family
ID=24261652
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19648949A Expired - Fee Related DE19648949C2 (de) | 1995-12-01 | 1996-11-26 | Sondenkarte zur Messung von äußerst niedrigen Strömen |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (5) | US5729150A (de) |
JP (1) | JPH09178775A (de) |
KR (1) | KR100292438B1 (de) |
DE (1) | DE19648949C2 (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7042241B2 (en) | 1997-06-10 | 2006-05-09 | Cascade Microtech, Inc. | Low-current pogo probe card |
Families Citing this family (80)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5345170A (en) | 1992-06-11 | 1994-09-06 | Cascade Microtech, Inc. | Wafer probe station having integrated guarding, Kelvin connection and shielding systems |
US6380751B2 (en) | 1992-06-11 | 2002-04-30 | Cascade Microtech, Inc. | Wafer probe station having environment control enclosure |
US7064566B2 (en) * | 1993-11-16 | 2006-06-20 | Formfactor, Inc. | Probe card assembly and kit |
US5876528A (en) * | 1995-02-17 | 1999-03-02 | Bently Nevada Corporation | Apparatus and method for precluding fluid wicking |
US6232789B1 (en) | 1997-05-28 | 2001-05-15 | Cascade Microtech, Inc. | Probe holder for low current measurements |
US5561377A (en) | 1995-04-14 | 1996-10-01 | Cascade Microtech, Inc. | System for evaluating probing networks |
US6075376A (en) * | 1997-12-01 | 2000-06-13 | Schwindt; Randy J. | Low-current probe card |
US5729150A (en) * | 1995-12-01 | 1998-03-17 | Cascade Microtech, Inc. | Low-current probe card with reduced triboelectric current generating cables |
US5914613A (en) | 1996-08-08 | 1999-06-22 | Cascade Microtech, Inc. | Membrane probing system with local contact scrub |
US6586954B2 (en) * | 1998-02-10 | 2003-07-01 | Celadon Systems, Inc. | Probe tile for probing semiconductor wafer |
US6201402B1 (en) | 1997-04-08 | 2001-03-13 | Celadon Systems, Inc. | Probe tile and platform for large area wafer probing |
US6002263A (en) | 1997-06-06 | 1999-12-14 | Cascade Microtech, Inc. | Probe station having inner and outer shielding |
JP3586106B2 (ja) * | 1998-07-07 | 2004-11-10 | 株式会社アドバンテスト | Ic試験装置用プローブカード |
US6256882B1 (en) | 1998-07-14 | 2001-07-10 | Cascade Microtech, Inc. | Membrane probing system |
US6456099B1 (en) | 1998-12-31 | 2002-09-24 | Formfactor, Inc. | Special contact points for accessing internal circuitry of an integrated circuit |
US6293005B1 (en) | 1999-03-01 | 2001-09-25 | Bently Nevada Corporation | Cable and method for precluding fluid wicking |
US6578264B1 (en) | 1999-06-04 | 2003-06-17 | Cascade Microtech, Inc. | Method for constructing a membrane probe using a depression |
US6476628B1 (en) * | 1999-06-28 | 2002-11-05 | Teradyne, Inc. | Semiconductor parallel tester |
US6445202B1 (en) | 1999-06-30 | 2002-09-03 | Cascade Microtech, Inc. | Probe station thermal chuck with shielding for capacitive current |
US6468098B1 (en) * | 1999-08-17 | 2002-10-22 | Formfactor, Inc. | Electrical contactor especially wafer level contactor using fluid pressure |
JP4183859B2 (ja) * | 1999-09-02 | 2008-11-19 | 株式会社アドバンテスト | 半導体基板試験装置 |
US6684340B1 (en) * | 1999-10-07 | 2004-01-27 | Endress + Hauser Gmbh + Co. | Measuring instrument having two pairs of lines connected to two indentical pairs of terminals, via which signal current flows through one pair and supply current flows through the other pair |
US6838890B2 (en) | 2000-02-25 | 2005-01-04 | Cascade Microtech, Inc. | Membrane probing system |
US6914423B2 (en) | 2000-09-05 | 2005-07-05 | Cascade Microtech, Inc. | Probe station |
US6965226B2 (en) | 2000-09-05 | 2005-11-15 | Cascade Microtech, Inc. | Chuck for holding a device under test |
US6515499B1 (en) * | 2000-09-28 | 2003-02-04 | Teradyne, Inc. | Modular semiconductor tester interface assembly for high performance coaxial connections |
DE20114544U1 (de) | 2000-12-04 | 2002-02-21 | Cascade Microtech, Inc., Beaverton, Oreg. | Wafersonde |
FR2820825B1 (fr) * | 2001-02-13 | 2006-08-04 | Agilent Technologies Inc | Carte de sondes |
US7396236B2 (en) | 2001-03-16 | 2008-07-08 | Formfactor, Inc. | Wafer level interposer |
US6856150B2 (en) | 2001-04-10 | 2005-02-15 | Formfactor, Inc. | Probe card with coplanar daughter card |
WO2003052435A1 (en) | 2001-08-21 | 2003-06-26 | Cascade Microtech, Inc. | Membrane probing system |
EP1432546A4 (de) | 2001-08-31 | 2006-06-07 | Cascade Microtech Inc | Optische prüfvorrichtung |
US6816031B1 (en) | 2001-12-04 | 2004-11-09 | Formfactor, Inc. | Adjustable delay transmission line |
US6956362B1 (en) | 2001-12-14 | 2005-10-18 | Lecroy Corporation | Modular active test probe and removable tip module therefor |
US6777964B2 (en) | 2002-01-25 | 2004-08-17 | Cascade Microtech, Inc. | Probe station |
JP2005527823A (ja) | 2002-05-23 | 2005-09-15 | カスケード マイクロテック インコーポレイテッド | デバイスのテスト用プローブ |
TWI327226B (en) * | 2002-06-28 | 2010-07-11 | Celadon Systems Inc | Shielded probe apparatus |
US6847219B1 (en) * | 2002-11-08 | 2005-01-25 | Cascade Microtech, Inc. | Probe station with low noise characteristics |
US6724205B1 (en) | 2002-11-13 | 2004-04-20 | Cascade Microtech, Inc. | Probe for combined signals |
US7250779B2 (en) | 2002-11-25 | 2007-07-31 | Cascade Microtech, Inc. | Probe station with low inductance path |
US6861856B2 (en) | 2002-12-13 | 2005-03-01 | Cascade Microtech, Inc. | Guarded tub enclosure |
US7170305B2 (en) * | 2005-02-24 | 2007-01-30 | Celadon Systems, Inc. | Apparatus and method for terminating probe apparatus of semiconductor wafer |
US6963207B2 (en) * | 2003-03-06 | 2005-11-08 | Celadon Systems, Inc. | Apparatus and method for terminating probe apparatus of semiconductor wafer |
US6975128B1 (en) | 2003-03-28 | 2005-12-13 | Celadon Systems, Inc. | Electrical, high temperature test probe with conductive driven guard |
US7221172B2 (en) | 2003-05-06 | 2007-05-22 | Cascade Microtech, Inc. | Switched suspended conductor and connection |
US7057404B2 (en) | 2003-05-23 | 2006-06-06 | Sharp Laboratories Of America, Inc. | Shielded probe for testing a device under test |
US7492172B2 (en) | 2003-05-23 | 2009-02-17 | Cascade Microtech, Inc. | Chuck for holding a device under test |
US7250626B2 (en) | 2003-10-22 | 2007-07-31 | Cascade Microtech, Inc. | Probe testing structure |
DE202004021093U1 (de) | 2003-12-24 | 2006-09-28 | Cascade Microtech, Inc., Beaverton | Aktiver Halbleiterscheibenmessfühler |
US7187188B2 (en) | 2003-12-24 | 2007-03-06 | Cascade Microtech, Inc. | Chuck with integrated wafer support |
DE202005021434U1 (de) * | 2004-06-07 | 2008-03-20 | Cascade Microtech, Inc., Beaverton | Thermooptische Einspannvorrichtung |
US7330041B2 (en) | 2004-06-14 | 2008-02-12 | Cascade Microtech, Inc. | Localizing a temperature of a device for testing |
US7368927B2 (en) | 2004-07-07 | 2008-05-06 | Cascade Microtech, Inc. | Probe head having a membrane suspended probe |
WO2006031646A2 (en) | 2004-09-13 | 2006-03-23 | Cascade Microtech, Inc. | Double sided probing structures |
US7535247B2 (en) | 2005-01-31 | 2009-05-19 | Cascade Microtech, Inc. | Interface for testing semiconductors |
US7656172B2 (en) | 2005-01-31 | 2010-02-02 | Cascade Microtech, Inc. | System for testing semiconductors |
US7449899B2 (en) | 2005-06-08 | 2008-11-11 | Cascade Microtech, Inc. | Probe for high frequency signals |
JP5080459B2 (ja) | 2005-06-13 | 2012-11-21 | カスケード マイクロテック インコーポレイテッド | 広帯域能動/受動差動信号プローブ |
US7671613B1 (en) | 2006-01-06 | 2010-03-02 | Lecroy Corporation | Probing blade conductive connector for use with an electrical test probe |
US9404940B1 (en) | 2006-01-06 | 2016-08-02 | Teledyne Lecroy, Inc. | Compensating probing tip optimized adapters for use with specific electrical test probes |
US9140724B1 (en) | 2006-01-06 | 2015-09-22 | Lecroy Corporation | Compensating resistance probing tip optimized adapters for use with specific electrical test probes |
WO2007146285A2 (en) | 2006-06-09 | 2007-12-21 | Cascade Microtech, Inc. | Differential signal probe with integral balun |
US7723999B2 (en) | 2006-06-12 | 2010-05-25 | Cascade Microtech, Inc. | Calibration structures for differential signal probing |
US7443186B2 (en) | 2006-06-12 | 2008-10-28 | Cascade Microtech, Inc. | On-wafer test structures for differential signals |
US7764072B2 (en) | 2006-06-12 | 2010-07-27 | Cascade Microtech, Inc. | Differential signal probing system |
US7403028B2 (en) | 2006-06-12 | 2008-07-22 | Cascade Microtech, Inc. | Test structure and probe for differential signals |
US7728609B2 (en) * | 2007-05-25 | 2010-06-01 | Celadon Systems, Inc. | Replaceable probe apparatus for probing semiconductor wafer |
US7876114B2 (en) | 2007-08-08 | 2011-01-25 | Cascade Microtech, Inc. | Differential waveguide probe |
US7888957B2 (en) | 2008-10-06 | 2011-02-15 | Cascade Microtech, Inc. | Probing apparatus with impedance optimized interface |
US8410806B2 (en) | 2008-11-21 | 2013-04-02 | Cascade Microtech, Inc. | Replaceable coupon for a probing apparatus |
US8319503B2 (en) | 2008-11-24 | 2012-11-27 | Cascade Microtech, Inc. | Test apparatus for measuring a characteristic of a device under test |
CN104377101B (zh) | 2013-08-14 | 2017-08-08 | Fei 公司 | 用于带电粒子束系统的电路探头 |
MY186784A (en) * | 2015-05-07 | 2021-08-20 | Technoprobe Spa | Testing head having vertical probes, in particular for reduced pitch applications |
CN107894521B (zh) * | 2016-10-04 | 2021-08-20 | 旺矽科技股份有限公司 | 同轴探针卡装置 |
KR102653197B1 (ko) * | 2016-10-18 | 2024-04-01 | 삼성전기주식회사 | 프로브 설치 시스템, 프로브 유닛 및 전기 특성 검사 장치 |
CN107831338B (zh) * | 2017-09-26 | 2023-05-30 | 杭州西湖电子研究所 | 一种具有双屏蔽功能的线缆接头组件 |
KR102682284B1 (ko) * | 2018-08-29 | 2024-07-10 | 삼성디스플레이 주식회사 | 프로브 카드 및 이를 포함하는 테스트 장치 |
US11199438B2 (en) | 2019-08-16 | 2021-12-14 | Advanced Energy Industries, Inc. | Triboelectric-based cable sensors |
KR102118618B1 (ko) * | 2020-02-26 | 2020-06-04 | 주식회사 엠시스 | 노이즈 차단구조를 갖는 마이크로 캔틸레버 프로브 핀카드 |
JPWO2022153631A1 (de) * | 2021-01-14 | 2022-07-21 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4731577A (en) * | 1987-03-05 | 1988-03-15 | Logan John K | Coaxial probe card |
EP0574149A1 (de) * | 1992-06-11 | 1993-12-15 | Cascade Microtech, Inc. | Wafer Prüfstation mit integrierten einrichtungen für Erdung, Kelvinverbindung und Abschirmung |
DE4316111A1 (de) * | 1993-05-13 | 1994-11-17 | Ehlermann Eckhard | Für Hochtemperaturmessungen geeignete Prüfkarte für integrierte Schaltkreise |
US5382898A (en) * | 1992-09-21 | 1995-01-17 | Cerprobe Corporation | High density probe card for testing electrical circuits |
Family Cites Families (247)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3445770A (en) * | 1965-12-27 | 1969-05-20 | Philco Ford Corp | Microelectronic test probe with defect marker access |
US3700998A (en) | 1970-08-20 | 1972-10-24 | Computer Test Corp | Sample and hold circuit with switching isolation |
US3849728A (en) | 1973-08-21 | 1974-11-19 | Wentworth Labor Inc | Fixed point probe card and an assembly and repair fixture therefor |
US4382228A (en) * | 1974-07-15 | 1983-05-03 | Wentworth Laboratories Inc. | Probes for fixed point probe cards |
US4045737A (en) * | 1975-12-22 | 1977-08-30 | Charles Wheeler Coberly | Integrated circuit probe |
US4161692A (en) * | 1977-07-18 | 1979-07-17 | Cerprobe Corporation | Probe device for integrated circuit wafers |
US4195259A (en) * | 1978-04-04 | 1980-03-25 | Texas Instruments Incorporated | Multiprobe test system and method of using same |
FR2418466A1 (fr) | 1978-02-24 | 1979-09-21 | Telecommunications Sa | Appareil pour etablir des prises de contact temporaires sur des circuits electriques |
JPS5830013Y2 (ja) | 1978-05-31 | 1983-07-01 | 東芝熱器具株式会社 | 調理器 |
JPS5830013A (ja) | 1980-10-08 | 1983-02-22 | レイケム・コ−ポレイシヨン | 低ノイズケ−ブル及びその製造方法 |
US4697143A (en) | 1984-04-30 | 1987-09-29 | Cascade Microtech, Inc. | Wafer probe |
US4626775A (en) * | 1984-05-04 | 1986-12-02 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Radio frequency probing apparatus for surface acoustic wave devices |
US4593243A (en) * | 1984-08-29 | 1986-06-03 | Magnavox Government And Industrial Electronics Company | Coplanar and stripline probe card apparatus |
GB8422338D0 (en) | 1984-09-04 | 1984-10-10 | Watkiss Automation Ltd | Valve mechanism |
NL8403755A (nl) * | 1984-12-11 | 1986-07-01 | Philips Nv | Werkwijze voor de vervaardiging van een meerlaags gedrukte bedrading met doorverbonden sporen in verschillende lagen en meerlaags gedrukte bedrading vervaardigd volgens de werkwijze. |
US4686463A (en) * | 1984-12-24 | 1987-08-11 | Logan John K | Microwave probe fixture |
US4678865A (en) * | 1985-04-25 | 1987-07-07 | Westinghouse Electric Corp. | Low noise electroencephalographic probe wiring system |
US4749942A (en) | 1985-09-26 | 1988-06-07 | Tektronix, Inc. | Wafer probe head |
US5829128A (en) * | 1993-11-16 | 1998-11-03 | Formfactor, Inc. | Method of mounting resilient contact structures to semiconductor devices |
US5476211A (en) * | 1993-11-16 | 1995-12-19 | Form Factor, Inc. | Method of manufacturing electrical contacts, using a sacrificial member |
US5917707A (en) | 1993-11-16 | 1999-06-29 | Formfactor, Inc. | Flexible contact structure with an electrically conductive shell |
US6330164B1 (en) | 1985-10-18 | 2001-12-11 | Formfactor, Inc. | Interconnect assemblies and methods including ancillary electronic component connected in immediate proximity of semiconductor device |
US6043563A (en) * | 1997-05-06 | 2000-03-28 | Formfactor, Inc. | Electronic components with terminals and spring contact elements extending from areas which are remote from the terminals |
US4727319A (en) | 1985-12-24 | 1988-02-23 | Hughes Aircraft Company | Apparatus for on-wafer testing of electrical circuits |
EP0230348A2 (de) | 1986-01-07 | 1987-07-29 | Hewlett-Packard Company | Testsonde |
EP0231834B1 (de) * | 1986-01-24 | 1993-05-05 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Blattfilmkassette und Vorrichtung zum Beladen von Blattfilmen |
JPS62239050A (ja) | 1986-04-10 | 1987-10-19 | Kobe Steel Ltd | 渦流探傷装置 |
JP2609232B2 (ja) * | 1986-09-04 | 1997-05-14 | 日本ヒューレット・パッカード株式会社 | フローテイング駆動回路 |
JPH0798330B2 (ja) | 1986-12-10 | 1995-10-25 | 松下電工株式会社 | 耐熱性床材の製造方法 |
US4894612A (en) * | 1987-08-13 | 1990-01-16 | Hypres, Incorporated | Soft probe for providing high speed on-wafer connections to a circuit |
US4791363A (en) | 1987-09-28 | 1988-12-13 | Logan John K | Ceramic microstrip probe blade |
US5021186A (en) | 1988-03-25 | 1991-06-04 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | Chloroisocyanuric acid composition having storage stability |
US4871964A (en) | 1988-04-12 | 1989-10-03 | G. G. B. Industries, Inc. | Integrated circuit probing apparatus |
US5323035A (en) | 1992-10-13 | 1994-06-21 | Glenn Leedy | Interconnection structure for integrated circuits and method for making same |
US4983910A (en) * | 1988-05-20 | 1991-01-08 | Stanford University | Millimeter-wave active probe |
US4998062A (en) * | 1988-10-25 | 1991-03-05 | Tokyo Electron Limited | Probe device having micro-strip line structure |
US4849689A (en) | 1988-11-04 | 1989-07-18 | Cascade Microtech, Inc. | Microwave wafer probe having replaceable probe tip |
US5045781A (en) | 1989-06-08 | 1991-09-03 | Cascade Microtech, Inc. | High-frequency active probe having replaceable contact needles |
US4965865A (en) * | 1989-10-11 | 1990-10-23 | General Signal Corporation | Probe card for integrated circuit chip |
JPH04127577A (ja) | 1990-09-19 | 1992-04-28 | Nec Corp | pinダイオード |
US5126286A (en) | 1990-10-05 | 1992-06-30 | Micron Technology, Inc. | Method of manufacturing edge connected semiconductor die |
US5136237A (en) | 1991-01-29 | 1992-08-04 | Tektronix, Inc. | Double insulated floating high voltage test probe |
US5229782A (en) * | 1991-07-19 | 1993-07-20 | Conifer Corporation | Stacked dual dipole MMDS feed |
US5214243A (en) * | 1991-10-11 | 1993-05-25 | Endevco Corporation | High-temperature, low-noise coaxial cable assembly with high strength reinforcement braid |
US5537372A (en) | 1991-11-15 | 1996-07-16 | International Business Machines Corporation | High density data storage system with topographic contact sensor |
US5274336A (en) | 1992-01-14 | 1993-12-28 | Hewlett-Packard Company | Capacitively-coupled test probe |
US6380751B2 (en) * | 1992-06-11 | 2002-04-30 | Cascade Microtech, Inc. | Wafer probe station having environment control enclosure |
US5371654A (en) * | 1992-10-19 | 1994-12-06 | International Business Machines Corporation | Three dimensional high performance interconnection package |
US6295729B1 (en) * | 1992-10-19 | 2001-10-02 | International Business Machines Corporation | Angled flying lead wire bonding process |
JP2668768B2 (ja) | 1993-03-30 | 1997-10-27 | ベクターセミコン株式会社 | 電気的特性測定用プローブ装置 |
US6054651A (en) * | 1996-06-21 | 2000-04-25 | International Business Machines Corporation | Foamed elastomers for wafer probing applications and interposer connectors |
US5914614A (en) | 1996-03-12 | 1999-06-22 | International Business Machines Corporation | High density cantilevered probe for electronic devices |
WO1998011445A1 (en) | 1996-09-13 | 1998-03-19 | International Business Machines Corporation | Probe structure having a plurality of discrete insulated probe tips |
US6722032B2 (en) * | 1995-11-27 | 2004-04-20 | International Business Machines Corporation | Method of forming a structure for electronic devices contact locations |
US5810607A (en) | 1995-09-13 | 1998-09-22 | International Business Machines Corporation | Interconnector with contact pads having enhanced durability |
US6329827B1 (en) | 1997-10-07 | 2001-12-11 | International Business Machines Corporation | High density cantilevered probe for electronic devices |
US5811982A (en) | 1995-11-27 | 1998-09-22 | International Business Machines Corporation | High density cantilevered probe for electronic devices |
JPH06334004A (ja) | 1993-05-25 | 1994-12-02 | Mitsubishi Electric Corp | マイクロ波帯用プロービング装置 |
US5441690A (en) | 1993-07-06 | 1995-08-15 | International Business Machines Corporation | Process of making pinless connector |
US5326428A (en) * | 1993-09-03 | 1994-07-05 | Micron Semiconductor, Inc. | Method for testing semiconductor circuitry for operability and method of forming apparatus for testing semiconductor circuitry for operability |
JP3096197B2 (ja) | 1993-09-28 | 2000-10-10 | 株式会社日本マイクロニクス | プローブカード |
US6442831B1 (en) | 1993-11-16 | 2002-09-03 | Formfactor, Inc. | Method for shaping spring elements |
US6023103A (en) * | 1994-11-15 | 2000-02-08 | Formfactor, Inc. | Chip-scale carrier for semiconductor devices including mounted spring contacts |
US5832601A (en) | 1993-11-16 | 1998-11-10 | Form Factor, Inc. | Method of making temporary connections between electronic components |
US6064213A (en) * | 1993-11-16 | 2000-05-16 | Formfactor, Inc. | Wafer-level burn-in and test |
US5601740A (en) | 1993-11-16 | 1997-02-11 | Formfactor, Inc. | Method and apparatus for wirebonding, for severing bond wires, and for forming balls on the ends of bond wires |
US5806181A (en) | 1993-11-16 | 1998-09-15 | Formfactor, Inc. | Contact carriers (tiles) for populating larger substrates with spring contacts |
US6727580B1 (en) * | 1993-11-16 | 2004-04-27 | Formfactor, Inc. | Microelectronic spring contact elements |
US6836962B2 (en) * | 1993-11-16 | 2005-01-04 | Formfactor, Inc. | Method and apparatus for shaping spring elements |
US6624648B2 (en) | 1993-11-16 | 2003-09-23 | Formfactor, Inc. | Probe card assembly |
US6029344A (en) * | 1993-11-16 | 2000-02-29 | Formfactor, Inc. | Composite interconnection element for microelectronic components, and method of making same |
US6246247B1 (en) | 1994-11-15 | 2001-06-12 | Formfactor, Inc. | Probe card assembly and kit, and methods of using same |
US5912046A (en) | 1993-11-16 | 1999-06-15 | Form Factor, Inc. | Method and apparatus for applying a layer of flowable coating material to a surface of an electronic component |
US5772451A (en) | 1993-11-16 | 1998-06-30 | Form Factor, Inc. | Sockets for electronic components and methods of connecting to electronic components |
US5878486A (en) * | 1993-11-16 | 1999-03-09 | Formfactor, Inc. | Method of burning-in semiconductor devices |
US5974662A (en) | 1993-11-16 | 1999-11-02 | Formfactor, Inc. | Method of planarizing tips of probe elements of a probe card assembly |
US6835898B2 (en) | 1993-11-16 | 2004-12-28 | Formfactor, Inc. | Electrical contact structures formed by configuring a flexible wire to have a springable shape and overcoating the wire with at least one layer of a resilient conductive material, methods of mounting the contact structures to electronic components, and applications for employing the contact structures |
US6336269B1 (en) | 1993-11-16 | 2002-01-08 | Benjamin N. Eldridge | Method of fabricating an interconnection element |
US5820014A (en) | 1993-11-16 | 1998-10-13 | Form Factor, Inc. | Solder preforms |
US6184053B1 (en) * | 1993-11-16 | 2001-02-06 | Formfactor, Inc. | Method of making microelectronic spring contact elements |
US6741085B1 (en) * | 1993-11-16 | 2004-05-25 | Formfactor, Inc. | Contact carriers (tiles) for populating larger substrates with spring contacts |
US5983493A (en) | 1993-11-16 | 1999-11-16 | Formfactor, Inc. | Method of temporarily, then permanently, connecting to a semiconductor device |
US6482013B2 (en) | 1993-11-16 | 2002-11-19 | Formfactor, Inc. | Microelectronic spring contact element and electronic component having a plurality of spring contact elements |
US6525555B1 (en) | 1993-11-16 | 2003-02-25 | Formfactor, Inc. | Wafer-level burn-in and test |
US5477011A (en) | 1994-03-03 | 1995-12-19 | W. L. Gore & Associates, Inc. | Low noise signal transmission cable |
JP3578232B2 (ja) | 1994-04-07 | 2004-10-20 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション | 電気接点形成方法、該電気接点を含むプローブ構造および装置 |
JP3016867B2 (ja) | 1994-05-05 | 2000-03-06 | シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト | リレーモジュール |
US5506515A (en) * | 1994-07-20 | 1996-04-09 | Cascade Microtech, Inc. | High-frequency probe tip assembly |
US5565788A (en) | 1994-07-20 | 1996-10-15 | Cascade Microtech, Inc. | Coaxial wafer probe with tip shielding |
US6727579B1 (en) * | 1994-11-16 | 2004-04-27 | Formfactor, Inc. | Electrical contact structures formed by configuring a flexible wire to have a springable shape and overcoating the wire with at least one layer of a resilient conductive material, methods of mounting the contact structures to electronic components, and applications for employing the contact structures |
MY112945A (en) * | 1994-12-20 | 2001-10-31 | Ibm | Electronic devices comprising dielectric foamed polymers |
US5610529A (en) * | 1995-04-28 | 1997-03-11 | Cascade Microtech, Inc. | Probe station having conductive coating added to thermal chuck insulator |
US6090261A (en) | 1995-05-26 | 2000-07-18 | Formfactor, Inc. | Method and apparatus for controlling plating over a face of a substrate |
US6685817B1 (en) * | 1995-05-26 | 2004-02-03 | Formfactor, Inc. | Method and apparatus for controlling plating over a face of a substrate |
US6042712A (en) * | 1995-05-26 | 2000-03-28 | Formfactor, Inc. | Apparatus for controlling plating over a face of a substrate |
US5998864A (en) | 1995-05-26 | 1999-12-07 | Formfactor, Inc. | Stacking semiconductor devices, particularly memory chips |
US6150186A (en) | 1995-05-26 | 2000-11-21 | Formfactor, Inc. | Method of making a product with improved material properties by moderate heat-treatment of a metal incorporating a dilute additive |
DE19536837B4 (de) | 1995-10-02 | 2006-01-26 | Alstom | Vorrichtung und Verfahren zum Einspritzen von Brennstoffen in komprimierte gasförmige Medien |
US5742174A (en) * | 1995-11-03 | 1998-04-21 | Probe Technology | Membrane for holding a probe tip in proper location |
JP3838381B2 (ja) * | 1995-11-22 | 2006-10-25 | 株式会社アドバンテスト | プローブカード |
US5785538A (en) * | 1995-11-27 | 1998-07-28 | International Business Machines Corporation | High density test probe with rigid surface structure |
US6075376A (en) * | 1997-12-01 | 2000-06-13 | Schwindt; Randy J. | Low-current probe card |
US5729150A (en) | 1995-12-01 | 1998-03-17 | Cascade Microtech, Inc. | Low-current probe card with reduced triboelectric current generating cables |
US5814847A (en) | 1996-02-02 | 1998-09-29 | National Semiconductor Corp. | General purpose assembly programmable multi-chip package substrate |
US5994152A (en) | 1996-02-21 | 1999-11-30 | Formfactor, Inc. | Fabricating interconnects and tips using sacrificial substrates |
US5726211A (en) * | 1996-03-21 | 1998-03-10 | International Business Machines Corporation | Process for making a foamed elastometric polymer |
US5804607A (en) | 1996-03-21 | 1998-09-08 | International Business Machines Corporation | Process for making a foamed elastomeric polymer |
US5700844A (en) | 1996-04-09 | 1997-12-23 | International Business Machines Corporation | Process for making a foamed polymer |
JP3022312B2 (ja) | 1996-04-15 | 2000-03-21 | 日本電気株式会社 | プローブカードの製造方法 |
KR100471341B1 (ko) * | 1996-05-23 | 2005-07-21 | 제네시스 테크놀로지 가부시키가이샤 | 콘택트프로브및그것을구비한프로브장치 |
US5808475A (en) | 1996-06-07 | 1998-09-15 | Keithley Instruments, Inc. | Semiconductor probe card for low current measurements |
US5914613A (en) | 1996-08-08 | 1999-06-22 | Cascade Microtech, Inc. | Membrane probing system with local contact scrub |
US6050829A (en) * | 1996-08-28 | 2000-04-18 | Formfactor, Inc. | Making discrete power connections to a space transformer of a probe card assembly |
US6307161B1 (en) | 1996-09-10 | 2001-10-23 | Formfactor, Inc. | Partially-overcoated elongate contact structures |
JP2000502812A (ja) * | 1996-09-13 | 2000-03-07 | インターナシヨナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーシヨン | ウエハ・レベルのテストおよびバーンインのための集積化コンプライアント・プローブ |
WO2004081640A1 (ja) | 1996-10-30 | 2004-09-23 | Toshiaki Hashizume | 投写型表示装置 |
US6104201A (en) | 1996-11-08 | 2000-08-15 | International Business Machines Corporation | Method and apparatus for passive characterization of semiconductor substrates subjected to high energy (MEV) ion implementation using high-injection surface photovoltage |
US6551844B1 (en) | 1997-01-15 | 2003-04-22 | Formfactor, Inc. | Test assembly including a test die for testing a semiconductor product die |
US6690185B1 (en) * | 1997-01-15 | 2004-02-10 | Formfactor, Inc. | Large contactor with multiple, aligned contactor units |
US6429029B1 (en) | 1997-01-15 | 2002-08-06 | Formfactor, Inc. | Concurrent design and subsequent partitioning of product and test die |
US6520778B1 (en) * | 1997-02-18 | 2003-02-18 | Formfactor, Inc. | Microelectronic contact structures, and methods of making same |
JP3770999B2 (ja) * | 1997-04-21 | 2006-04-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | レーザー照射装置及びレーザー照射方法 |
US6229327B1 (en) * | 1997-05-30 | 2001-05-08 | Gregory G. Boll | Broadband impedance matching probe |
US6215196B1 (en) * | 1997-06-30 | 2001-04-10 | Formfactor, Inc. | Electronic component with terminals and spring contact elements extending from areas which are remote from the terminals |
WO1999000844A2 (en) * | 1997-06-30 | 1999-01-07 | Formfactor, Inc. | Sockets for semiconductor devices with spring contact elements |
JPH1152298A (ja) | 1997-07-31 | 1999-02-26 | Sharp Corp | 偏光照明装置及び投射型画像表示装置 |
JP3112873B2 (ja) | 1997-10-31 | 2000-11-27 | 日本電気株式会社 | 高周波プローブ |
US6118287A (en) | 1997-12-09 | 2000-09-12 | Boll; Gregory George | Probe tip structure |
JP3862845B2 (ja) * | 1998-02-05 | 2006-12-27 | セイコーインスツル株式会社 | 近接場用光プローブ |
US6807734B2 (en) | 1998-02-13 | 2004-10-26 | Formfactor, Inc. | Microelectronic contact structures, and methods of making same |
DE29805631U1 (de) | 1998-03-27 | 1998-06-25 | Ebinger, Klaus, 51149 Köln | Magnetometer |
JP3553791B2 (ja) * | 1998-04-03 | 2004-08-11 | 株式会社ルネサステクノロジ | 接続装置およびその製造方法、検査装置並びに半導体素子の製造方法 |
US6720501B1 (en) * | 1998-04-14 | 2004-04-13 | Formfactor, Inc. | PC board having clustered blind vias |
US6078500A (en) | 1998-05-12 | 2000-06-20 | International Business Machines Inc. | Pluggable chip scale package |
TW513595B (en) | 1998-05-26 | 2002-12-11 | Ind Tech Res Inst | Projection system of reflection-type liquid crystal display system |
US6281691B1 (en) | 1998-06-09 | 2001-08-28 | Nec Corporation | Tip portion structure of high-frequency probe and method for fabrication probe tip portion composed by coaxial cable |
US6664628B2 (en) | 1998-07-13 | 2003-12-16 | Formfactor, Inc. | Electronic component overlapping dice of unsingulated semiconductor wafer |
US6441315B1 (en) | 1998-11-10 | 2002-08-27 | Formfactor, Inc. | Contact structures with blades having a wiping motion |
US6332270B2 (en) | 1998-11-23 | 2001-12-25 | International Business Machines Corporation | Method of making high density integral test probe |
US6268015B1 (en) | 1998-12-02 | 2001-07-31 | Formfactor | Method of making and using lithographic contact springs |
US6491968B1 (en) | 1998-12-02 | 2002-12-10 | Formfactor, Inc. | Methods for making spring interconnect structures |
US6672875B1 (en) * | 1998-12-02 | 2004-01-06 | Formfactor, Inc. | Spring interconnect structures |
US6255126B1 (en) | 1998-12-02 | 2001-07-03 | Formfactor, Inc. | Lithographic contact elements |
US6887723B1 (en) * | 1998-12-04 | 2005-05-03 | Formfactor, Inc. | Method for processing an integrated circuit including placing dice into a carrier and testing |
US6456099B1 (en) | 1998-12-31 | 2002-09-24 | Formfactor, Inc. | Special contact points for accessing internal circuitry of an integrated circuit |
US6206273B1 (en) * | 1999-02-17 | 2001-03-27 | International Business Machines Corporation | Structures and processes to create a desired probetip contact geometry on a wafer test probe |
US6538538B2 (en) | 1999-02-25 | 2003-03-25 | Formfactor, Inc. | High frequency printed circuit board via |
US6448865B1 (en) | 1999-02-25 | 2002-09-10 | Formfactor, Inc. | Integrated circuit interconnect system |
US6218910B1 (en) * | 1999-02-25 | 2001-04-17 | Formfactor, Inc. | High bandwidth passive integrated circuit tester probe card assembly |
US6459343B1 (en) | 1999-02-25 | 2002-10-01 | Formfactor, Inc. | Integrated circuit interconnect system forming a multi-pole filter |
US6539531B2 (en) * | 1999-02-25 | 2003-03-25 | Formfactor, Inc. | Method of designing, fabricating, testing and interconnecting an IC to external circuit nodes |
US6208225B1 (en) | 1999-02-25 | 2001-03-27 | Formfactor, Inc. | Filter structures for integrated circuit interfaces |
US6480978B1 (en) | 1999-03-01 | 2002-11-12 | Formfactor, Inc. | Parallel testing of integrated circuit devices using cross-DUT and within-DUT comparisons |
US6499121B1 (en) | 1999-03-01 | 2002-12-24 | Formfactor, Inc. | Distributed interface for parallel testing of multiple devices using a single tester channel |
US6452411B1 (en) * | 1999-03-01 | 2002-09-17 | Formfactor, Inc. | Efficient parallel testing of integrated circuit devices using a known good device to generate expected responses |
US7215131B1 (en) | 1999-06-07 | 2007-05-08 | Formfactor, Inc. | Segmented contactor |
US7013221B1 (en) * | 1999-07-16 | 2006-03-14 | Rosetta Inpharmatics Llc | Iterative probe design and detailed expression profiling with flexible in-situ synthesis arrays |
US6888362B2 (en) * | 2000-11-09 | 2005-05-03 | Formfactor, Inc. | Test head assembly for electronic components with plurality of contoured microelectronic spring contacts |
US6713374B2 (en) * | 1999-07-30 | 2004-03-30 | Formfactor, Inc. | Interconnect assemblies and methods |
US6780001B2 (en) | 1999-07-30 | 2004-08-24 | Formfactor, Inc. | Forming tool for forming a contoured microelectronic spring mold |
US6309071B1 (en) | 1999-08-04 | 2001-10-30 | Sharp Laboratories Of America, Inc. | Liquid crystal projection display system |
US6468098B1 (en) | 1999-08-17 | 2002-10-22 | Formfactor, Inc. | Electrical contactor especially wafer level contactor using fluid pressure |
US7009415B2 (en) * | 1999-10-06 | 2006-03-07 | Tokyo Electron Limited | Probing method and probing apparatus |
JP2001174482A (ja) * | 1999-12-21 | 2001-06-29 | Toshiba Corp | 電気的特性評価用接触針、プローブ構造体、プローブカード、および電気的特性評価用接触針の製造方法 |
US6827584B2 (en) | 1999-12-28 | 2004-12-07 | Formfactor, Inc. | Interconnect for microelectronic structures with enhanced spring characteristics |
US6459739B1 (en) | 1999-12-30 | 2002-10-01 | Tioga Technologies Inc. | Method and apparatus for RF common-mode noise rejection in a DSL receiver |
US6657455B2 (en) | 2000-01-18 | 2003-12-02 | Formfactor, Inc. | Predictive, adaptive power supply for an integrated circuit under test |
US6339338B1 (en) | 2000-01-18 | 2002-01-15 | Formfactor, Inc. | Apparatus for reducing power supply noise in an integrated circuit |
US6384614B1 (en) * | 2000-02-05 | 2002-05-07 | Fluke Corporation | Single tip Kelvin probe |
US6509751B1 (en) * | 2000-03-17 | 2003-01-21 | Formfactor, Inc. | Planarizer for a semiconductor contactor |
US6640432B1 (en) | 2000-04-12 | 2003-11-04 | Formfactor, Inc. | Method of fabricating shaped springs |
US6476630B1 (en) | 2000-04-13 | 2002-11-05 | Formfactor, Inc. | Method for testing signal paths between an integrated circuit wafer and a wafer tester |
US6677744B1 (en) * | 2000-04-13 | 2004-01-13 | Formfactor, Inc. | System for measuring signal path resistance for an integrated circuit tester interconnect structure |
US6622103B1 (en) | 2000-06-20 | 2003-09-16 | Formfactor, Inc. | System for calibrating timing of an integrated circuit wafer tester |
US6603323B1 (en) | 2000-07-10 | 2003-08-05 | Formfactor, Inc. | Closed-grid bus architecture for wafer interconnect structure |
US6731128B2 (en) * | 2000-07-13 | 2004-05-04 | International Business Machines Corporation | TFI probe I/O wrap test method |
US6970005B2 (en) * | 2000-08-24 | 2005-11-29 | Texas Instruments Incorporated | Multiple-chip probe and universal tester contact assemblage |
GB0021975D0 (en) * | 2000-09-07 | 2000-10-25 | Optomed As | Filter optic probes |
JP4071629B2 (ja) * | 2000-12-22 | 2008-04-02 | 東京エレクトロン株式会社 | プローブカートリッジアッセンブリ―並びに多プローブアッセンブリー |
US7006046B2 (en) * | 2001-02-15 | 2006-02-28 | Integral Technologies, Inc. | Low cost electronic probe devices manufactured from conductive loaded resin-based materials |
US6910268B2 (en) | 2001-03-27 | 2005-06-28 | Formfactor, Inc. | Method for fabricating an IC interconnect system including an in-street integrated circuit wafer via |
US6856150B2 (en) * | 2001-04-10 | 2005-02-15 | Formfactor, Inc. | Probe card with coplanar daughter card |
US6627980B2 (en) | 2001-04-12 | 2003-09-30 | Formfactor, Inc. | Stacked semiconductor device assembly with microelectronic spring contacts |
US6811406B2 (en) | 2001-04-12 | 2004-11-02 | Formfactor, Inc. | Microelectronic spring with additional protruding member |
US6882239B2 (en) * | 2001-05-08 | 2005-04-19 | Formfactor, Inc. | Electromagnetically coupled interconnect system |
JP2002343879A (ja) * | 2001-05-15 | 2002-11-29 | Nec Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JP3979793B2 (ja) * | 2001-05-29 | 2007-09-19 | 日立ソフトウエアエンジニアリング株式会社 | プローブ設計装置及びプローブ設計方法 |
US6729019B2 (en) * | 2001-07-11 | 2004-05-04 | Formfactor, Inc. | Method of manufacturing a probe card |
US6678876B2 (en) * | 2001-08-24 | 2004-01-13 | Formfactor, Inc. | Process and apparatus for finding paths through a routing space |
US6862727B2 (en) * | 2001-08-24 | 2005-03-01 | Formfactor, Inc. | Process and apparatus for adjusting traces |
US6549106B2 (en) * | 2001-09-06 | 2003-04-15 | Cascade Microtech, Inc. | Waveguide with adjustable backshort |
US6764869B2 (en) | 2001-09-12 | 2004-07-20 | Formfactor, Inc. | Method of assembling and testing an electronics module |
US6714828B2 (en) * | 2001-09-17 | 2004-03-30 | Formfactor, Inc. | Method and system for designing a probe card |
US7022985B2 (en) * | 2001-09-24 | 2006-04-04 | Jpk Instruments Ag | Apparatus and method for a scanning probe microscope |
US6882546B2 (en) * | 2001-10-03 | 2005-04-19 | Formfactor, Inc. | Multiple die interconnect system |
US6759311B2 (en) | 2001-10-31 | 2004-07-06 | Formfactor, Inc. | Fan out of interconnect elements attached to semiconductor wafer |
US7071714B2 (en) * | 2001-11-02 | 2006-07-04 | Formfactor, Inc. | Method and system for compensating for thermally induced motion of probe cards |
US6817052B2 (en) | 2001-11-09 | 2004-11-16 | Formfactor, Inc. | Apparatuses and methods for cleaning test probes |
DE10297428T5 (de) * | 2001-11-13 | 2005-01-27 | Advantest Corp. | Wellenlängerdispersions-Abtastsystem |
US6816031B1 (en) | 2001-12-04 | 2004-11-09 | Formfactor, Inc. | Adjustable delay transmission line |
US6777319B2 (en) | 2001-12-19 | 2004-08-17 | Formfactor, Inc. | Microelectronic spring contact repair |
US6822463B1 (en) * | 2001-12-21 | 2004-11-23 | Lecroy Corporation | Active differential test probe with a transmission line input structure |
US6891385B2 (en) * | 2001-12-27 | 2005-05-10 | Formfactor, Inc. | Probe card cooling assembly with direct cooling of active electronic components |
US6479308B1 (en) | 2001-12-27 | 2002-11-12 | Formfactor, Inc. | Semiconductor fuse covering |
US6741092B2 (en) * | 2001-12-28 | 2004-05-25 | Formfactor, Inc. | Method and system for detecting an arc condition |
US7020363B2 (en) * | 2001-12-28 | 2006-03-28 | Intel Corporation | Optical probe for wafer testing |
US7015707B2 (en) * | 2002-03-20 | 2006-03-21 | Gabe Cherian | Micro probe |
US6828767B2 (en) * | 2002-03-20 | 2004-12-07 | Santronics, Inc. | Hand-held voltage detection probe |
US6806697B2 (en) * | 2002-04-05 | 2004-10-19 | Agilent Technologies, Inc. | Apparatus and method for canceling DC errors and noise generated by ground shield current in a probe |
DE10220343B4 (de) * | 2002-05-07 | 2007-04-05 | Atg Test Systems Gmbh & Co. Kg Reicholzheim | Vorrichtung und Verfahren zum Prüfen von Leiterplatten und Prüfsonde |
US6784674B2 (en) | 2002-05-08 | 2004-08-31 | Formfactor, Inc. | Test signal distribution system for IC tester |
US6911835B2 (en) | 2002-05-08 | 2005-06-28 | Formfactor, Inc. | High performance probe system |
US6798225B2 (en) | 2002-05-08 | 2004-09-28 | Formfactor, Inc. | Tester channel to multiple IC terminals |
JP2005527823A (ja) | 2002-05-23 | 2005-09-15 | カスケード マイクロテック インコーポレイテッド | デバイスのテスト用プローブ |
KR100470970B1 (ko) * | 2002-07-05 | 2005-03-10 | 삼성전자주식회사 | 반도체 검사장치용 프로브카드의 니들고정장치 및 방법 |
US6812691B2 (en) | 2002-07-12 | 2004-11-02 | Formfactor, Inc. | Compensation for test signal degradation due to DUT fault |
US6784679B2 (en) | 2002-09-30 | 2004-08-31 | Teradyne, Inc. | Differential coaxial contact array for high-density, high-speed signals |
US6881072B2 (en) * | 2002-10-01 | 2005-04-19 | International Business Machines Corporation | Membrane probe with anchored elements |
US7026832B2 (en) * | 2002-10-28 | 2006-04-11 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Probe mark reading device and probe mark reading method |
US6864694B2 (en) * | 2002-10-31 | 2005-03-08 | Agilent Technologies, Inc. | Voltage probe |
US6727716B1 (en) * | 2002-12-16 | 2004-04-27 | Newport Fab, Llc | Probe card and probe needle for high frequency testing |
JP2004199796A (ja) * | 2002-12-19 | 2004-07-15 | Shinka Jitsugyo Kk | 薄膜磁気ヘッドの特性測定用プローブピンの接続方法及び薄膜磁気ヘッドの特性測定方法 |
JP2004265942A (ja) * | 2003-02-20 | 2004-09-24 | Okutekku:Kk | プローブピンのゼロ点検出方法及びプローブ装置 |
US6902941B2 (en) * | 2003-03-11 | 2005-06-07 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Probing of device elements |
US7022976B1 (en) * | 2003-04-02 | 2006-04-04 | Advanced Micro Devices, Inc. | Dynamically adjustable probe tips |
US7002133B2 (en) * | 2003-04-11 | 2006-02-21 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Detecting one or more photons from their interactions with probe photons in a matter system |
US7023225B2 (en) * | 2003-04-16 | 2006-04-04 | Lsi Logic Corporation | Wafer-mounted micro-probing platform |
TWI220163B (en) * | 2003-04-24 | 2004-08-11 | Ind Tech Res Inst | Manufacturing method of high-conductivity nanometer thin-film probe card |
US6900652B2 (en) * | 2003-06-13 | 2005-05-31 | Solid State Measurements, Inc. | Flexible membrane probe and method of use thereof |
KR100523139B1 (ko) * | 2003-06-23 | 2005-10-20 | 주식회사 하이닉스반도체 | 웨이퍼 테스트시 사용되는 프로빙 패드의 수를 감소시키기위한 반도체 장치 및 그의 테스팅 방법 |
US6956388B2 (en) * | 2003-06-24 | 2005-10-18 | Agilent Technologies, Inc. | Multiple two axis floating probe assembly using split probe block |
US6870381B2 (en) * | 2003-06-27 | 2005-03-22 | Formfactor, Inc. | Insulative covering of probe tips |
US6911814B2 (en) | 2003-07-01 | 2005-06-28 | Formfactor, Inc. | Apparatus and method for electromechanical testing and validation of probe cards |
US7015708B2 (en) * | 2003-07-11 | 2006-03-21 | Gore Enterprise Holdings, Inc. | Method and apparatus for a high frequency, impedance controlled probing device with flexible ground contacts |
US7015703B2 (en) * | 2003-08-12 | 2006-03-21 | Scientific Systems Research Limited | Radio frequency Langmuir probe |
US7025628B2 (en) * | 2003-08-13 | 2006-04-11 | Agilent Technologies, Inc. | Electronic probe extender |
JP3812559B2 (ja) * | 2003-09-18 | 2006-08-23 | Tdk株式会社 | 渦電流プローブ |
US7286013B2 (en) * | 2003-09-18 | 2007-10-23 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte Ltd | Coupled-inductance differential amplifier |
US7034553B2 (en) * | 2003-12-05 | 2006-04-25 | Prodont, Inc. | Direct resistance measurement corrosion probe |
US7009188B2 (en) * | 2004-05-04 | 2006-03-07 | Micron Technology, Inc. | Lift-out probe having an extension tip, methods of making and using, and analytical instruments employing same |
US7015709B2 (en) * | 2004-05-12 | 2006-03-21 | Delphi Technologies, Inc. | Ultra-broadband differential voltage probes |
US7023231B2 (en) * | 2004-05-14 | 2006-04-04 | Solid State Measurements, Inc. | Work function controlled probe for measuring properties of a semiconductor wafer and method of use thereof |
US7019541B2 (en) * | 2004-05-14 | 2006-03-28 | Crown Products, Inc. | Electric conductivity water probe |
US7015690B2 (en) * | 2004-05-27 | 2006-03-21 | General Electric Company | Omnidirectional eddy current probe and inspection system |
TWI252925B (en) * | 2004-07-05 | 2006-04-11 | Yulim Hitech Inc | Probe card for testing a semiconductor device |
US7001785B1 (en) * | 2004-12-06 | 2006-02-21 | Veeco Instruments, Inc. | Capacitance probe for thin dielectric film characterization |
US7005879B1 (en) * | 2005-03-01 | 2006-02-28 | International Business Machines Corporation | Device for probe card power bus noise reduction |
-
1995
- 1995-12-01 US US08/566,137 patent/US5729150A/en not_active Expired - Lifetime
-
1996
- 1996-11-26 DE DE19648949A patent/DE19648949C2/de not_active Expired - Fee Related
- 1996-11-28 JP JP8317780A patent/JPH09178775A/ja active Pending
- 1996-11-30 KR KR1019960060169A patent/KR100292438B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1997
- 1997-12-01 US US08/988,243 patent/US6137302A/en not_active Expired - Fee Related
-
2004
- 2004-06-14 US US10/868,297 patent/US6995579B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2005
- 2005-06-08 US US11/148,707 patent/US7071718B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2006
- 2006-05-11 US US11/432,245 patent/US20060202708A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4731577A (en) * | 1987-03-05 | 1988-03-15 | Logan John K | Coaxial probe card |
EP0574149A1 (de) * | 1992-06-11 | 1993-12-15 | Cascade Microtech, Inc. | Wafer Prüfstation mit integrierten einrichtungen für Erdung, Kelvinverbindung und Abschirmung |
US5382898A (en) * | 1992-09-21 | 1995-01-17 | Cerprobe Corporation | High density probe card for testing electrical circuits |
DE4316111A1 (de) * | 1993-05-13 | 1994-11-17 | Ehlermann Eckhard | Für Hochtemperaturmessungen geeignete Prüfkarte für integrierte Schaltkreise |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7042241B2 (en) | 1997-06-10 | 2006-05-09 | Cascade Microtech, Inc. | Low-current pogo probe card |
US7148714B2 (en) | 1997-06-10 | 2006-12-12 | Cascade Microtech, Inc. | POGO probe card for low current measurements |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20060202708A1 (en) | 2006-09-14 |
US20050231226A1 (en) | 2005-10-20 |
DE19648949A1 (de) | 1997-06-05 |
KR19980043156A (ko) | 1998-09-05 |
KR100292438B1 (ko) | 2001-06-01 |
JPH09178775A (ja) | 1997-07-11 |
US20040227537A1 (en) | 2004-11-18 |
US7071718B2 (en) | 2006-07-04 |
US5729150A (en) | 1998-03-17 |
US6137302A (en) | 2000-10-24 |
US6995579B2 (en) | 2006-02-07 |
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Publication | Publication Date | Title |
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8110 | Request for examination paragraph 44 | ||
D2 | Grant after examination | ||
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