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DE102006026467B4 - Device for grinding a wafer - Google Patents

Device for grinding a wafer Download PDF

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DE102006026467B4
DE102006026467B4 DE102006026467.3A DE102006026467A DE102006026467B4 DE 102006026467 B4 DE102006026467 B4 DE 102006026467B4 DE 102006026467 A DE102006026467 A DE 102006026467A DE 102006026467 B4 DE102006026467 B4 DE 102006026467B4
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Texas Instruments Deutschland GmbH
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Abstract

Vorrichtung für das Schleifen eines Wafers (10) auf einer Waferoberfläche (12), die allgemein einer aktiven Chipoberfläche (11) gegenüberliegt, wobei die Vorrichtung umfaßt: ein Schleifbauteil (20), wobei das Schleifbauteil (20) ein Schleifelement (21) für das Schleifen eines ersten Teils der Waferoberfläche (12) und ein Waferkontaktelement (22) aufweist, das eben mit dem Schleifelement (21) ist und daran angrenzt, wobei das Waferkontaktelement (22) so gestaltet ist, daß es einen zweiten Teil der Waferoberfläche (12) berührt, der nicht von dem Schleifelement (21) berührt wird, wenn das Schleifelement (21) den ersten Teil schleift, und die Vorrichtung ferner so ausgestaltet ist, dass das Schleifelement (21) während des Schleifens in Kontakt mit der gesamten Oberfläche der Rückseite (12) des Wafers (10) steht.Apparatus for grinding a wafer (10) on a wafer surface (12) generally facing an active chip surface (11), the apparatus comprising: an abrasive member (20), the abrasive member (20) comprising a grinding member (21) for the wafer Grinding a first portion of the wafer surface (12) and a wafer contact element (22) that is flush with and abutting the abrasive element (21), wherein the wafer contact element (22) is configured to form a second portion of the wafer surface (12). which is not touched by the grinding member (21) when the grinding member (21) grinds the first part, and the apparatus is further configured so that the grinding member (21) is in contact with the entire surface of the back surface during grinding (FIG. 12) of the wafer (10).

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft allgemein eine Vorrichtung für das Schleifen eines Wafers und ein Verfahren für die Trennung eines Halbleiterchips von einem Wafer.The present invention generally relates to an apparatus for grinding a wafer and a method for separating a semiconductor chip from a wafer.

Wafer benötigen einen Rückenschliff (auf der der aktiven Chipseite gegenüberliegenden Seite geschliffen), um die geringen Stärken zu erreichen, die derzeit für Halbleiterbauelemente benötigt werden. In 1 ist eine schematische Darstellung einer bekannten Rückenschlifftechnik gezeigt. Ein Wafer 10 mit einer aktiven Chipseite 11 wird von seiner Rückseite 12 aus unter Verwendung einer Schleifscheibe 1 abgeschliffen, um ihn dünner zu machen. Die Schleifscheibe 1 hat eine Schleiffläche 2, die vollständig mit Schleifmaterial bedeckt ist. Die Scheibe 1 überlappt den Wafer 10 teilweise und dreht sich exzentrisch um den Wafer 10, um die komplette Waferoberfläche abzuschleifen.Wafers require a back grinding (ground on the opposite side of the active chip side) to achieve the low power levels currently required for semiconductor devices. In 1 is shown a schematic representation of a known back grinding technique. A wafer 10 having an active chip side 11 is ground from its rear side 12 using a grinding wheel 1 to make it thinner. The grinding wheel 1 has a grinding surface 2 which is completely covered with abrasive material. The wafer 1 partially overlaps the wafer 10 and rotates eccentrically about the wafer 10 to abrade the entire wafer surface.

Spezielle Kupfermetallisierungsschichten auf dem Wafer, die in heutigen Chiptypen verwendet werden, führen jedoch dazu, dass der Wafer sich nach dem Rückenschliff verformt. Deshalb wird der Wafer vor dem Rückenschliffvorgang teilweise auf der aktiven Chipseite ausgeschnitten, um den durch die Metallisierung erzeugten Druck teilweise abzubauen. Dieser Schnittvorgang verursacht die Bildung einiger teilweise voneinander getrennter Chips.However, special copper metallization layers on the wafer used in today's chip types cause the wafer to deform after the backgrinding. Therefore, prior to the back grinding, the wafer is partially cut out on the active chip side to partially degrade the pressure generated by the metallization. This cutting process causes the formation of some partially separated chips.

Ein Problem bei den derzeitigen Rückenschlifftechniken besteht darin, dass sich derartige teilweise voneinander getrennte Chips, wenn der Wafer während dem Rückenschliffvorgang immer dünner wird, lösen und über die Waferoberfläche hinausragen können. Die losen Chips können durch die Kante der Schleifscheibe von der Waferoberfläche weg gezogen werden, was dazu führen kann, dass der restliche Wafer durch Zerbrechen oder Zerkratzen beschädigt wird.A problem with current backgrinding techniques is that such partially disjointed chips, as the wafer becomes thinner and thinner during the back grinding operation, may loosen and protrude beyond the wafer surface. The loose chips may be pulled away from the wafer surface by the edge of the grinding wheel, which may result in damage to the remainder of the wafer due to breakage or scratching.

Aus der US 6 251 785 B1 ist eine Poliervorrichtung zum Polieren eines Wafers bekannt. Dabei handelt es sich um eine Poliervorrichtung zum Polieren der aktiven Seite eines Wafers. Die Polierscheibe verfügt hier über eine Erweiterung. Allerdings wird auch dadurch das unerwünschte Heraustrennen von Chips nicht verhindert.From the US Pat. No. 6,251,785 B1 For example, a polishing apparatus for polishing a wafer is known. This is a polishing device for polishing the active side of a wafer. The polishing wheel has an extension here. However, this does not prevent unwanted chip removal.

Die vorliegende Erfindung wurde unter Berücksichtigung des oben Erwähnten entwickelt.The present invention has been developed in consideration of the above.

Es ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Vorrichtung und ein Verfahren unter Verwendung der vorgenannten Vorrichtung für das Schleifen eines Wafers bereitzustellen, bei denen das Herauslösen von teilweise voneinander getrennten Chips beim Rückenschliff verhindert wird. Die Aufgabe wird erfindungsgemäß durch die Gegenstände der Ansprüche 1 und 10 gelöst.It is an object of the present invention to provide an apparatus and a method using the aforementioned apparatus for grinding a wafer, in which the detachment of partially separated chips is prevented in the back grinding. The object is achieved by the subject-matter of claims 1 and 10.

Deshalb stellt die vorliegende Erfindung eine Vorrichtung für das Schleifen eines Wafers auf einer Waferoberfläche, die allgemein einer aktiven Chipoberfläche gegenüberliegt, bereit, wobei die Vorrichtung umfasst: ein Schleifbauteil, wobei das Schleifbauteil ein Schleifelement für das Schleifen eines ersten Teils der Waferoberfläche und ein Waferkontaktelement aufweist, das eben mit dem Schleifelement ist und daran angrenzt, um einen zweiten Teil der Waferoberfläche zu berühren, wenn das Schleifelement den ersten Teil schleift. Somit trägt das Waferkontaktelement die Waferoberfläche, während der Wafer geschliffen wird.Therefore, the present invention provides an apparatus for grinding a wafer on a wafer surface generally facing an active chip surface, the apparatus comprising: an abrasive member, the abrasive member comprising a grinding member for grinding a first portion of the wafer surface and a wafer contact member that is flush with and abuts the abrasive element to contact a second portion of the wafer surface as the abrasive element grinds the first portion. Thus, the wafer contact member carries the wafer surface while the wafer is being ground.

Vorzugsweise sollte sich das Waferkontaktelement an der Außenfläche und rings um das Schleifelement befinden, und das Schleifbauteil sollte allgemein scheibenförmig und in der Lage sein, sich als Schleifscheibe um eine zentrale Drehachse zu drehen. Das Schleifbauteil sollte auch in der Lage sein, sich in derselben Ebene wie die Waferoberfläche zu bewegen, so dass die gesamte Waferoberfläche von hinten geschliffen werden kann. So kann das Schleifbauteil zum Beispiel so gestaltet sein, dass es sich exzentrisch um seine zentrale Drehachse dreht. Dies kann mit Hilfe eines Antriebsmittels, wie zum Beispiel einem Schaft, erreicht werden, um eine antreibbare Verbindung zwischen dem Schleifbauteil und einem Antriebsmittel, wie zum Beispiel einem elektrischen Motor, herzustellen. Es kann auch ein Steuermittel, wie zum Beispiel ein Mikroprozessor, bereitgestellt werden, um die Bewegung der Vorrichtung im Verhältnis zu einer Waferoberfläche zu steuern und um die Schliffmenge zu steuern, um die gewünschte Waferstärke zu erreichen.Preferably, the wafer contact member should be on the outer surface and around the abrasive member, and the abrasive member should be generally disk-shaped and capable of rotating as a grinding wheel about a central axis of rotation. The abrasive member should also be able to move in the same plane as the wafer surface, so that the entire wafer surface can be ground from the back. For example, the abrasive member may be configured to eccentrically rotate about its central axis of rotation. This can be achieved by means of a drive means, such as a shank, to establish a drivable connection between the grinding member and a drive means, such as an electric motor. A control means, such as a microprocessor, may also be provided to control movement of the device relative to a wafer surface and to control the amount of cut to achieve the desired wafer thickness.

Der Mindestdurchmesser des Schleifbauteils sollte vorzugsweise doppelt so groß wie der Durchmesser des Wafers sein, so dass das Schleifbauteil die Oberfläche des Wafers vollständig bedeckt. Das Schleifelement und das Waferkontaktelement können aus einem Stück gebaut sein, oder das Waferkontaktelement kann als Substrat auf dem Schleifbauteil bereitgestellt werden, so dass das Schleifbauteil auf dem Substrat gebildet wird. Auf diese Weise wird die äußere Fläche des Schleifbauteils mit demselben Substrat bedeckt, das dafür verwendet wird, das Schleifbauteil in dem Schleifelement zu halten. Dies bedeutet, dass die Oberfläche des Schleifbauteils insgesamt flacher ist, und somit die gesamte Oberfläche des Schleifbauteils nahe an die Waferoberfläche, die geschliffen wird, kommen kann.The minimum diameter of the abrasive member should preferably be twice the diameter of the wafer so that the abrasive member completely covers the surface of the wafer. The abrasive member and the wafer contact member may be made in one piece, or the wafer contact member may be provided as a substrate on the abrasive member, so that the abrasive member is formed on the substrate. In this way, the outer surface of the abrasive member is covered with the same substrate used to hold the abrasive member in the abrasive member. This means that the surface of the grinding member as a whole is flatter, and thus the entire surface of the grinding member may come close to the wafer surface being ground.

Die vorliegende Erfindung stellt auch ein Verfahren zur Trennung eines Halbleiterchips von einem Wafer bereit, wobei das Verfahren das Schneiden des Wafers auf einer aktiven Chipoberfläche zur Bildung einer Mehrzahl von Chipgrenzen definierenden Blindschlitzöffnungen, das Schleifen des Wafers auf einer Waferoberfläche, die allgemein der aktiven Chipseite gegenüberliegt, unter Verwendung einer Vorrichtung der vorgenannten Art, in einem ersten Teil und das Bereitstellen eines Kontaktmittels, um einen zweiten Teil der Waferoberfläche zu berühren, wenn der erste Teil geschliffen wird, und das Ausüben von Druck auf den ersten Teil der Waferoberfläche umfasst, um den Wafer zwischen der Waferoberfläche und einem blinden Ende jeder der Öffnungen zu zerbrechen. Druck kann auf die Waferoberfläche ausgeübt werden, indem die neu geschliffene Waferoberfläche mit einem Band laminiert wird, und das Band parallel zu der Waferoberfläche gespannt wird. Durch den Druck auf den Wafer zerbrechen die kleinen Teile des Wafers zwischen der Waferoberfläche und dem blinden Ende der Öffnungen oder Schnitte. Hierdurch wird eine Trennung der Chips voneinander verursacht, und es können dann einzelne Chips von dem Wafer entfernt werden. Nach dem Spannen kann Druck auch auf die geschliffene Waferoberfläche senkrecht zu der Oberfläche ausgeübt werden, um das Biegen der Oberfläche und das Zerbrechen der Chipgrenzen weiter zu unterstützen. Weitere Eigenschaften und Vorteile der Erfindung ergeben sich aus der untenstehenden Beschreibung einer bevorzugten Ausführungsform und aus den beigefügten Zeichnungen. Es zeigen:

  • 1 eine schematische Darstellung einer bekannten Rückenschlifftechnik;
  • 2 eine Seitenansicht eines Teils einer Vorrichtung für das Schleifen eines Wafers gemäß der Erfindung;
  • 3 eine schematische Ansicht einer Schleifoberfläche einer Vorrichtung für das Schleifen eines Wafers gemäß der Erfindung.
The present invention also provides a method of separating a semiconductor chip from a wafer, which method comprises cutting the wafer on an active chip surface Forming a plurality of blind slot openings defining chip boundaries, grinding the wafer on a wafer surface generally facing the active chip side using a device of the aforementioned type in a first part, and providing a contact means to contact a second part of the wafer surface; when the first part is ground, and applying pressure to the first part of the wafer surface to break the wafer between the wafer surface and a blind end of each of the openings. Pressure may be applied to the wafer surface by laminating the newly ground wafer surface with a tape and tensioning the tape parallel to the wafer surface. By the pressure on the wafer, the small parts of the wafer break between the wafer surface and the blind end of the openings or cuts. This causes separation of the chips from each other, and then individual chips can be removed from the wafer. After clamping, pressure may also be applied to the ground wafer surface perpendicular to the surface to further assist in bending the surface and breaking the chip boundaries. Further features and advantages of the invention will become apparent from the description below of a preferred embodiment and from the accompanying drawings. Show it:
  • 1 a schematic representation of a known back grinding technique;
  • 2 a side view of a portion of a device for grinding a wafer according to the invention;
  • 3 a schematic view of an abrasive surface of an apparatus for the grinding of a wafer according to the invention.

Unter Bezugnahme nun auf 2 wurde ein Wafer 10 mit einer aktiven Chipseite 11 und einer Rückseite 12 einer Metallisierung mit einer Metallschicht 13, zum Beispiel Kupfer, ausgesetzt und teilweise von der aktiven Chipseite 11 durchgeschnitten, um Schnitte 14 zu bilden, die blinde Schlitzöffnungen an Chipgrenzen in der aktiven Chipseite 11 des Wafers 10 festlegen. Nach der Bildung der Schnitte 14 wurde ein Schutzfilm 15 an der aktiven Chipseite 11 angebracht, um den Wafer 10 für den Rückenschliff vorzubereiten.Referring now to 2 became a wafer 10 with an active chip side 11 and a back 12 a metallization with a metal layer 13 , for example copper, exposed and partly from the active chip side 11 cut through to cuts 14 to form the blind slot openings at chip boundaries in the active chip side 11 of the wafer 10 establish. After the formation of the cuts 14 became a protective film 15 on the active chip side 11 attached to the wafer 10 to prepare for the back grinding.

Eine Schleifscheibe 20 (in 2 ist lediglich die Hälfte der Schleifscheibe, die die Chipoberfläche bedeckt, gezeigt) hat ein Schleifelement 21 und ein Waferkontaktelement 22, die auf einer Schleifoberfläche 23 bereitgestellt werden. Das Waferkontaktelement 22 kann ein Substrat bilden, auf dem das Schleifelement 21 gebildet werden kann. Alternativ hierzu kann das Waferkontaktelement 22 selbst auf einem Substrat separat von dem Schleifelement 21 gebildet werden. Das Schleifelement 21 wird gebildet, indem Schleifmaterial so in das Substrat abgeschieden wird, dass das Schleifelement 21 in der Mitte der Schleifoberfläche 23 bereitgestellt wird und von dem Waferkontaktelement 22 umgeben ist. Dies ist in 3 klarer gezeigt. Die Schleifscheibe 20 ist allgemein scheibenförmig, so dass ihre Stärke im Vergleich zu ihrem Durchmesser klein ist, und ihre zentrale Drehachse senkrecht zu der Schleifoberfläche 23 ist. Ein Schaft 24 verbindet die Schleifscheibe 20 mit einem Antriebsmittel (nicht gezeigt). Die zentrale vertikale Achse des Schafts 24 fällt mit der zentralen Drehachse der Schleifscheibe 20 zusammen. Der Schaft 24 wird angetrieben, um es der Schleifscheibe 20 zu ermöglichen, sich gleichzeitig um ihre zentrale Drehachse zu drehen und sich in derselben Ebene wie die Schleifoberfläche 23 zu bewegen.A grinding wheel 20 (in 2 only half of the grinding wheel covering the chip surface is shown) has a grinding element 21 and a wafer contact element 22 on a sanding surface 23 to be provided. The wafer contact element 22 may form a substrate on which the grinding element 21 can be formed. Alternatively, the wafer contact element 22 even on a substrate separate from the abrasive element 21 be formed. The grinding element 21 is formed by depositing abrasive material into the substrate such that the abrasive element 21 in the center of the grinding surface 23 and from the wafer contact element 22 is surrounded. This is in 3 shown more clearly. The grinding wheel 20 is generally disk-shaped so that its thickness is small compared to its diameter, and its central axis of rotation perpendicular to the grinding surface 23 is. A shaft 24 connects the grinding wheel 20 to a drive means (not shown). The central vertical axis of the shaft 24 coincides with the central axis of rotation of the grinding wheel 20 together. The shaft 24 is driven to the grinding wheel 20 to simultaneously rotate about its central axis of rotation and in the same plane as the grinding surface 23 to move.

Um den Wafer 10 von seiner Rückseite 12 her abzuschleifen, wird die Schleifscheibe 20 gegen die Oberfläche der Rückseite 12 des Wafers 10 gehalten und durch den Schaft 24 um ihre zentrale Drehachse senkrecht zu der Oberfläche des Wafers 10 gedreht, so dass sie sich über der Oberfläche des Wafers 10 dreht. Die Schleifscheibe 20 kann mit Hilfe eines beliebigen Antriebsmittels (nicht gezeigt) gedreht werden, zum Beispiel durch einen Elektromotor.To the wafer 10 from his back 12 The grinding wheel is sanded down 20 against the surface of the back 12 of the wafer 10 held and by the shaft 24 about its central axis of rotation perpendicular to the surface of the wafer 10 rotated so that they are above the surface of the wafer 10 rotates. The grinding wheel 20 can be rotated by any drive means (not shown), for example by an electric motor.

Während sich die Schleifscheibe 20 über der Oberfläche des Wafers 10 dreht, schleift das Schleifelement 21 den Teil der Oberfläche des Wafers 10 ab, den das Schleifelement 21 berührt, während das in dem äußeren Teil der Scheibe 20 bereitgestellte Waferkontaktelement 22 den Teil der Oberfläche des Wafers 10 berührt, der nicht geschliffen wird, und diesen trägt. Folglich wird verhindert, dass lose Chips über die Oberfläche der Rückseite 12 des Wafers 10 hinausragen, während der Wafer 10 abgeschliffen und dünner wird. Idealerweise sollte die Schleifoberfläche 23 den Wafer 10 immer berühren, während sie über die Oberfläche der Rückseite 12 des Wafers 10 geführt wird.While the grinding wheel 20 over the surface of the wafer 10 turns, grinds the grinding element 21 the part of the surface of the wafer 10 from which the grinding element 21 touched while in the outer part of the disc 20 provided wafer contact element 22 the part of the surface of the wafer 10 touched, which is not ground, and this carries. Consequently, it will prevent loose chips across the surface of the back 12 of the wafer 10 protrude while the wafer 10 sanded off and becomes thinner. Ideally, the abrasive surface should be 23 the wafer 10 Always touch while over the surface of the back 12 of the wafer 10 to be led.

Zu derselben Zeit, zu der die Schleifscheibe 20 um ihre zentrale Drehachse gegen den Wafer 10 gedreht wird, wird sie auch über die Oberfläche des Wafers 10 geführt (durch Bewegung des Schafts derart, dass sich die Scheibe 20 exzentrisch um ihre zentrale Drehachse dreht oder anderweitig), so dass die äußere Kante des Schleifelements 21 mit dem Mittelpunkt des Wafers 10 übereinstimmt und das Schleifelement 21 letztendlich in Kontakt mit der gesamten Oberfläche der Rückseite 12 des Wafers 10 gebracht wird, während der Teil des Wafers 10, der keinem Rückenschliff ausgesetzt ist, von dem Waferkontaktelement 22 getragen wird. Auf diese Weise kann der komplette Wafer 10 auf dieselbe gewünschte Stärke abgeschliffen werden.At the same time, to which the grinding wheel 20 around its central axis of rotation against the wafer 10 is also rotated over the surface of the wafer 10 guided (by movement of the shaft such that the disc 20 eccentrically rotating about its central axis of rotation or otherwise), so that the outer edge of the grinding element 21 with the center of the wafer 10 matches and the grinding element 21 ultimately in contact with the entire surface of the back side 12 of the wafer 10 is brought while the part of the wafer 10 which is not subject to back sanding, from the wafer contact element 22 will be carried. That way, the complete wafer can be 10 sanded down to the same desired thickness.

Die Bereitstellung des Waferkontaktelements 22 auf der Schleifoberfläche 23 zum Tragen des Wafers 10 während des Schliffs bietet den Vorteil, dass der Wafer 10 auf eine dünnere Stärke abgeschliffen werden kann, ohne diesen zu beschädigen. Hierdurch wird es ermöglicht, dass Chips nach dem Rückenschliff von dem Wafer 10 ohne einen weiteren Schnittvorgang getrennt werden können. Zur Trennung von Chips von dem Wafer 10 nach dem Rückenschliff wird die Oberfläche des Wafers 10 einfach auf der Rückseite 12 in einer Richtung gedehnt, die parallel zu der Waferoberfläche ist, und/oder gebogen, indem Druck auf die Rückseite 12 in einer Richtung ausgeübt wird, die senkrecht zu der Waferoberfläche ist, so dass der Wafer 10 zwischen den blinden Enden der Schnitte 14 und der Rückseite 12 zerbricht, um einzelne Chips zu bilden.The provision of the wafer contact element 22 on the grinding surface 23 to carry the wafer 10 during the grinding offers the advantage that the wafer 10 can be ground to a thinner thickness without damaging it. This makes it possible that chips can be separated after the back grinding of the wafer 10 without a further cutting operation. For separating chips from the wafer 10 after the back grinding, the surface of the wafer 10 becomes simply on the back side 12 stretched in a direction parallel to the wafer surface and / or bent by applying pressure to the backside 12 is applied in a direction perpendicular to the wafer surface, so that the wafer 10 between the blind ends of the cuts 14 and the back 12 breaks down to form individual chips.

Obwohl die vorliegende Erfindung obenstehend unter Bezugnahme auf bestimmte Ausführungsformen beschrieben wurde, so ist sie nicht auf diese Ausführungsformen beschränkt, und ein Fachmann wird zweifellos weitere Alternativen erkennen, die innerhalb des Schutzbereichs der beanspruchten Erfindung fallen.Although the present invention has been described above with reference to particular embodiments, it is not limited to these embodiments, and one skilled in the art will no doubt recognize other alternatives that fall within the scope of the claimed invention.

Das Schleifbauteil ist zum Beispiel nicht darauf beschränkt, scheibenförmig und bezogen auf die Waferoberfläche drehbar beweglich zu sein. Das Schleifbauteil könnte auch zum Beispiel rechteckig und so gestaltet sein, dass es sich über die Oberfläche des Wafers in einer bezogen auf die Oberfläche des Wafers geraden Linie rückwärts und vorwärts bewegt.For example, the abrasive member is not limited to being disc-shaped and rotatably movable relative to the wafer surface. The abrasive member could also be rectangular, for example, and configured to move back and forth across the surface of the wafer in a straight line with respect to the surface of the wafer.

Claims (10)

Vorrichtung für das Schleifen eines Wafers (10) auf einer Waferoberfläche (12), die allgemein einer aktiven Chipoberfläche (11) gegenüberliegt, wobei die Vorrichtung umfaßt: ein Schleifbauteil (20), wobei das Schleifbauteil (20) ein Schleifelement (21) für das Schleifen eines ersten Teils der Waferoberfläche (12) und ein Waferkontaktelement (22) aufweist, das eben mit dem Schleifelement (21) ist und daran angrenzt, wobei das Waferkontaktelement (22) so gestaltet ist, daß es einen zweiten Teil der Waferoberfläche (12) berührt, der nicht von dem Schleifelement (21) berührt wird, wenn das Schleifelement (21) den ersten Teil schleift, und die Vorrichtung ferner so ausgestaltet ist, dass das Schleifelement (21) während des Schleifens in Kontakt mit der gesamten Oberfläche der Rückseite (12) des Wafers (10) steht.Apparatus for grinding a wafer (10) on a wafer surface (12) generally facing an active chip surface (11), the apparatus comprising: an abrasive member (20), the abrasive member (20) comprising a grinding member (21) for the wafer Grinding a first portion of the wafer surface (12) and a wafer contact element (22) that is flush with and abutting the abrasive element (21), wherein the wafer contact element (22) is configured to form a second portion of the wafer surface (12). which is not touched by the grinding member (21) when the grinding member (21) grinds the first part, and the apparatus is further configured so that the grinding member (21) is in contact with the entire surface of the back surface during grinding (FIG. 12) of the wafer (10). Vorrichtung gemäß Anspruch 1, bei der sich das Waferkontaktelement (22) an der Außenfläche und rings um das Schleifelement (21) befindet.Device according to Claim 1 in that the wafer contact element (22) is located on the outer surface and around the abrasive element (21). Vorrichtung gemäß Anspruch 1 oder Anspruch 2, bei der das Schleifbauteil (20) allgemein scheibenförmig ist.Device according to Claim 1 or Claim 2 in which the grinding member (20) is generally disk-shaped. Vorrichtung gemäß einem der Ansprüche 1 bis 3, bei der sich das Schleifbauteil (20) um eine zentrale Drehachse drehen kann.Device according to one of the Claims 1 to 3 in which the grinding member (20) can rotate about a central axis of rotation. Vorrichtung gemäß einem der Ansprüche 1 bis 4, bei der sich das Schleifbauteil (20) in Bezug auf die Waferoberfläche (12) in derselben Ebene wie die Waferoberfläche (12) drehen kann.Device according to one of the Claims 1 to 4 in that the abrasive member (20) can rotate with respect to the wafer surface (12) in the same plane as the wafer surface (12). Vorrichtung gemäß einem der Ansprüche 1 bis 5, bei der ein Mindestdurchmesser des Schleifbauteils (20) doppelt so groß ist wie der Durchmesser des Wafers (10).Device according to one of the Claims 1 to 5 in which a minimum diameter of the grinding member (20) is twice as large as the diameter of the wafer (10). Vorrichtung gemäß einem der Ansprüche 1 bis 6, bei der das Schleifbauteil (20) und das Waferkontaktelement (22) aus einem Stück gebaut sind.Device according to one of the Claims 1 to 6 in which the grinding member (20) and the wafer contact member (22) are made in one piece. Vorrichtung gemäß einem der Ansprüche 1 bis 7, bei der das Waferkontaktelement (22) als Substrat auf dem Schleifbauteil (20) bereitgestellt und das Schleifbauteil (20) auf dem Substrat gebildet wird.Device according to one of the Claims 1 to 7 in that the wafer contact element (22) is provided as a substrate on the abrasive member (20) and the abrasive member (20) is formed on the substrate. Vorrichtung gemäß einem der Ansprüche 1 bis 8, ferner umfassend ein Steuermittel für die Steuerung der Bewegung des Schleifbauteils (20) gegen die Waferoberfläche (12).Device according to one of the Claims 1 to 8th further comprising control means for controlling movement of the abrasive member (20) against the wafer surface (12). Verfahren für die Trennung eines Halbleiterchips von einem Wafer (10), wobei das Verfahren umfaßt: a) Schneiden des Wafers (10) auf einer aktiven Chipoberfläche (11) zur Bildung einer Mehrzahl von Chipgrenzen definierenden Blindschlitzöffnungen (14); b) Schleifen des Wafers (10) auf einer Waferoberfläche (12), die allgemein der aktiven Chipseite (11) gegenüberliegt, unter Verwendung einer Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 9, in einem ersten Teil, mit einem Schleifbauteil (20), das ein Schleifelement (21) und ein Waferkontaktelement (22) aufweist, wobei das Waferkontaktelement (22) einen zweiten Teil der Waferoberfläche (12) berührt, der nicht von dem Schleifelement (21) berührt wird, wenn der erste Teil geschliffen wird, c) Ausüben von Druck auf den ersten Teil der Waferoberfläche (12), um den Wafer (10) zwischen der Waferoberfläche (12) und einem blinden Ende jeder der Öffnungen (14) zu zerbrechen, und d) Berühren der gesamten Oberfläche der Rückseite (12) des Wafers (10) während des Schleifens.A method of separating a semiconductor chip from a wafer (10), the method comprising: a) cutting the wafer (10) on an active chip surface (11) to form a plurality of blind slot openings (14) defining chip boundaries; b) grinding the wafer (10) on a wafer surface (12) generally facing the active chip side (11) using a device according to any one of Claims 1 to 9 in a first part, comprising an abrasive member (20) having a sanding member (21) and a wafer contact member (22), the wafer contact member (22) contacting a second part of the wafer surface (12) that is not touched by the sanding member (21 c) applying pressure to the first part of the wafer surface (12) to break the wafer (10) between the wafer surface (12) and a blind end of each of the openings (14) , and d) contacting the entire surface of the back surface (12) of the wafer (10) during grinding.
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