[go: up one dir, main page]

CN114649383A - 显示设备及制造显示设备的方法 - Google Patents

显示设备及制造显示设备的方法 Download PDF

Info

Publication number
CN114649383A
CN114649383A CN202111549040.8A CN202111549040A CN114649383A CN 114649383 A CN114649383 A CN 114649383A CN 202111549040 A CN202111549040 A CN 202111549040A CN 114649383 A CN114649383 A CN 114649383A
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
light conversion
light
color
pixel
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202111549040.8A
Other languages
English (en)
Inventor
裴俊和
姜奉求
曹雨辰
姜胜培
梁熙星
秋秉权
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Display Co Ltd
Original Assignee
Samsung Display Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Display Co Ltd filed Critical Samsung Display Co Ltd
Publication of CN114649383A publication Critical patent/CN114649383A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices all the devices being of a type provided for in a single subclass of subclasses H10B, H10F, H10H, H10K or H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices all the devices being of a type provided for in a single subclass of subclasses H10B, H10F, H10H, H10K or H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices all the devices being of a type provided for in a single subclass of subclasses H10B, H10F, H10H, H10K or H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H10H20/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices all the devices being of a type provided for in a single subclass of subclasses H10B, H10F, H10H, H10K or H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H10H20/00 the devices being arranged next to each other
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C59/00—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor
    • B29C59/02—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor by mechanical means, e.g. pressing
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09G—POLISHING COMPOSITIONS; SKI WAXES
    • C09G1/00—Polishing compositions
    • C09G1/02—Polishing compositions containing abrasives or grinding agents
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
    • C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
    • C09K3/1409—Abrasive particles per se
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00—Optical elements other than lenses
    • G02B5/20—Filters
    • G02B5/201—Filters in the form of arrays
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/85—Packages
    • H10H20/851—Wavelength conversion means
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H29/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one light-emitting semiconductor element covered by group H10H20/00
    • H10H29/10—Integrated devices comprising at least one light-emitting semiconductor component covered by group H10H20/00
    • H10H29/14—Integrated devices comprising at least one light-emitting semiconductor component covered by group H10H20/00 comprising multiple light-emitting semiconductor components
    • H10H29/142—Two-dimensional arrangements, e.g. asymmetric LED layout
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K50/854—Arrangements for extracting light from the devices comprising scattering means
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H10K59/1213—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/38—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising colour filters or colour changing media [CCM]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/873—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/875—Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K59/876—Arrangements for extracting light from the devices comprising a resonant cavity structure, e.g. Bragg reflector pair
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/875—Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K59/877—Arrangements for extracting light from the devices comprising scattering means
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/8791—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
    • H10K59/8792—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light comprising light absorbing layers, e.g. black layers
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C59/00—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor
    • B29C59/02—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor by mechanical means, e.g. pressing
    • B29C2059/027—Grinding; Polishing
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29L—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASS B29C, RELATING TO PARTICULAR ARTICLES
    • B29L2031/00—Other particular articles
    • B29L2031/34—Electrical apparatus, e.g. sparking plugs or parts thereof
    • B29L2031/3475—Displays, monitors, TV-sets, computer screens
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices
    • H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices the devices being of types provided for in two or more different subclasses of H10B, H10D, H10F, H10H, H10K or H10N, e.g. forming hybrid circuits
    • H01L25/167—Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices the devices being of types provided for in two or more different subclasses of H10B, H10D, H10F, H10H, H10K or H10N, e.g. forming hybrid circuits comprising optoelectronic devices, e.g. LED, photodiodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/01—Manufacture or treatment
    • H10H20/036—Manufacture or treatment of packages
    • H10H20/0361—Manufacture or treatment of packages of wavelength conversion means
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/85—Packages
    • H10H20/851—Wavelength conversion means
    • H10H20/8511—Wavelength conversion means characterised by their material, e.g. binder
    • H10H20/8512—Wavelength conversion materials
    • H10H20/8513—Wavelength conversion materials having two or more wavelength conversion materials
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/85—Packages
    • H10H20/851—Wavelength conversion means
    • H10H20/8515—Wavelength conversion means not being in contact with the bodies
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/331—Nanoparticles used in non-emissive layers, e.g. in packaging layer

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

制造显示设备的方法包括：准备包括发射区域和在发射区域之间的非发射区域的衬底；在非发射区域上形成第一高度的堤部；在发射区域上形成高度等于或小于第一高度的光转换图案；对包括堤部和光转换图案的光转换层的表面进行抛光，使得光转换层的表面是平坦的；在衬底的其上设置光转换层的表面上形成填充层。对光转换层进行抛光包括通过利用金属浆料的化学机械抛光来使光转换层的表面平坦化，使得堤部和光转换图案具有第二高度。

Description

显示设备及制造显示设备的方法
相关申请的交叉引用
本申请要求于2020年12月17日在韩国知识产权局提交的第10-2020-0177877号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请的全部内容通过引用并入本文中。
技术领域
本公开的实施方式涉及显示设备及制造显示设备的方法。
背景技术
近来，对信息显示的兴趣已经日益增加。因此，对显示设备的研究和开发持续进行。
发明内容
本公开的实施方式的方面涉及包括光转换层的显示设备及制造显示设备的方法。
本公开的实施方式的方面不限于上述方面，并且本领域普通技术人员将从以下描述清楚地理解本文中未提及的其它方面。
根据本公开的实施方式的制造显示设备的方法包括：准备包括发射区域和在发射区域之间的非发射区域的衬底；在非发射区域上形成第一高度的堤部；在发射区域上形成高度等于或小于第一高度的光转换图案；对包括堤部和光转换图案的光转换层的表面进行抛光，使得光转换层的表面是平坦的(例如，基本上平坦的)；以及在衬底的其上设置光转换层的表面(例如，一个表面)上形成填充层。对光转换层进行抛光包括通过利用(例如，使用)金属浆料的化学机械抛光使光转换层的表面平坦化，使得堤部和光转换图案具有第二高度。
在实施方式中，对光转换层进行抛光可以包括利用(例如，使用)具有8或更大的莫氏硬度的铝氧化物浆料或锆氧化物浆料来消除堤部和光转换图案之间的高度差。
在实施方式中，铝氧化物浆料或锆氧化物浆料可具有约300μm至约1,000μm的颗粒尺寸。
在实施方式中，填充层可以形成为约1.5μm至约3μm的厚度。
在实施方式中，光转换图案可以通过喷墨印刷形成。
在实施方式中，光转换图案中的每个可以包括选自颜色转换颗粒和光散射颗粒中的至少一种。
在实施方式中，发射区域可以包括第一颜色像素的第一发射区域、第二颜色像素的第二发射区域和第三颜色像素的第三发射区域，并且形成光转换图案可以包括向第一发射区域提供包括第一颜色的颜色转换颗粒的墨水及向第二发射区域提供包括第二颜色的颜色转换颗粒的墨水，以及向第三发射区域提供包括光散射颗粒的墨水。
在实施方式中，该方法还可以包括：在形成堤部之前，在衬底的表面(例如，一个表面)上形成滤色器层，其中光转换层可以形成在衬底的其上设置滤色器层的表面(例如，一个表面)上。
在实施方式中，该方法还可以包括：在基础层上形成像素；以及将基础层和衬底联接(例如，附接)，使得基础层的其上形成像素的表面(例如，一个表面)与填充层接触。
根据本公开的实施方式的显示设备包括：基础层，包括显示区域；多个像素，布置在显示区域中并且包括各自的发射区域；光转换层，包括在像素的发射区域上的光转换图案和在光转换图案之间以围绕光转换图案的侧表面或在光转换图案的侧表面周围(例如，部分地或完全地围绕光转换图案的侧表面)的堤部；以及填充层，在光转换层和基础层的其上有像素的表面(例如，一个表面)之间，其中光转换层具有面对像素的平坦(例如，基本上平坦)的表面，并且光转换图案中的至少一个包括形成在其表面上(例如，在其表面中)的微腔。
在实施方式中，光转换图案的面对像素的表面可以与堤部的面对像素的表面相对于基础层在高度上相同。
在实施方式中，光转换图案在厚度上可以与堤部相同。
在实施方式中，光转换图案中的每个可以包括选自颜色转换颗粒和光散射颗粒中的至少一种。
在实施方式中，微腔在尺寸上可以小于或等于颜色转换颗粒或光散射颗粒。
在实施方式中，像素可以包括第一颜色像素、第二颜色像素和第三颜色像素，并且光转换图案可以包括：第一光转换图案，在第一颜色像素的发射区域上并且包括第一颜色转换颗粒；第二光转换图案，在第二颜色像素的发射区域上并且包括第二颜色转换颗粒；以及第三光转换图案，在第三颜色像素的发射区域上并且包括光散射颗粒。
在实施方式中，填充层可以具有约1.5μm至约3μm的厚度。
在实施方式中，堤部可以具有锥形形状或倒锥形形状。
在实施方式中，显示设备还可以包括：滤色器层，在光转换层上；以及封装衬底，在滤色器层上。
在实施方式中，显示设备还可以包括在光转换层上的滤色器层。
在实施方式中，显示设备还可以包括在滤色器层上的封装衬底。
其它实施方式的具体内容、特征和/或方面包括在详细描述和附图中。
在根据本公开的实施方式的显示设备及制造显示设备的方法中，光转换层的表面可以在防止、最小化或减少对包括光转换图案和堤部的光转换层的损坏的范围内被平坦化，并且可以稳定地去除异物。因此，可以减小填充层的厚度，并且可以增加从像素产生的光的发光效率。
此外，在对光转换层进行抛光以进行平坦化的工艺中，可以减小堤部的高度或厚度。因此，可以防止堤部被剥离或减少堤部的剥离。
根据实施方式的方面不受以上呈现的内容的限制，并且在本说明书中并入了更多的各种和合适的方面。
附图说明
图1是示出根据本公开的实施方式的显示设备的立体图。
图2是示出根据本公开的实施方式的显示设备的剖视图。
图3是示意性地示出根据本公开的实施方式的显示面板的配置的剖视图。
图4是示出根据本公开的实施方式的显示面板的平面图。
图5和图6分别是示出根据本公开的实施方式的像素的电路图。
图7至图10分别是示出根据本公开的实施方式的显示面板的剖视图。
图11是示出图7的区域AR1的放大剖视图。
图12至图17是示出根据本公开的实施方式的制造显示设备的方法的剖视图。
具体实施方式
由于本说明书允许各种适当的改变和许多实施方式，所以某些实施方式将在附图中示出并在书面说明中更详细地描述。如本文中所使用的，单数形式“一”、“一个”和“该”旨在也包括复数形式，除非上下文另外清楚地指示。如本文中所使用的，当描述本公开的实施方式时，术语“可以”的使用是指“本公开的一个或多个实施方式”。如本文中所使用的，术语“和/或”包括相关联的所列项目中的一个或多个的任何和所有组合。
如本文中所使用的，术语“基本上”、“约”、“近似”和类似术语用作近似术语而不用作程度术语，并且旨在解释本领域普通技术人员将认识到的测量值或计算值的固有偏差。如本文中所使用的，“约”和“近似”包括所陈述的值并且意指在本领域普通技术人员考虑到所讨论的测量和与特定量的测量相关的误差(例如，测量系统的限制)而确定的特定值的可接受偏差范围内。例如，“约”可以意指在所陈述的值的一个或多个标准偏差内，或在所陈述的值的±30％、±20％、±10％或±5％内。
此外，本文中所阐述的任何数值范围旨在包括包含在所阐述的范围内的相同数值精度的所有子范围。例如，“1.0至10.0”的范围旨在包括所阐述的最小值1.0和所阐述的最大值10.0之间(并且包括1.0和10.0)的所有子范围，即，具有等于或大于1.0的最小值且等于或小于10.0的最大值，例如2.4至7.6。本文中所阐述的任何最大数值限制旨在包括其中所包含的所有较低数值限制，并且本说明书中所阐述的任何最小数值限制旨在包括其中所包含的所有较高数值限制。因此，申请人保留修改本说明书(包括权利要求书)的权利，以明确地叙述包含在本文中明确叙述的范围内的任何子范围。
本公开不限于以下实施方式，并且可以以各种合适的形式来实现。此外，以下公开的实施方式中的每个可以单独实现，或者可以与至少一个其它实施方式结合实现。
在附图中，可以省略与本公开的特征不直接相关的一些元件，以清楚地说明本公开。此外，为了说明和/或描述的清楚，附图中的一些元件在尺寸和/或比率上可能被夸大。即使当在不同的附图上示出相同的附图标记和符号时，在全部附图中也将相同的附图标记和符号分配给相同或类似的元件，并且可以不提供其冗余的描述。
图1是示出根据本公开的实施方式的显示设备DD的立体图。图2是示出根据本公开的实施方式的显示设备DD的剖视图。图3是示意性地示出根据本公开的实施方式的显示面板DP的配置的剖视图。
参考图1，显示设备DD可以包括显示区域DA和非显示区域NA(也称为“边框区域”)。显示区域DA可以是包括像素以显示图像的区域。非显示区域NA可以是除显示区域DA之外的区域，并且在一些实施方式中，图像可以不显示在非显示区域NA中。
显示区域DA可以具有各种合适的形状，并且可以包括像素。例如，显示区域DA可以具有各种合适的形状，包括矩形形状、圆形形状或椭圆形形状，并且像素可以设置在显示区域DA中。
显示区域DA可以形成在显示设备DD的至少一个表面上。作为示例，显示区域DA可以形成在显示设备DD的前表面上，并且在一些实施方式中，可以另外形成在显示设备DD的侧表面和/或后表面上。
非显示区域NA可以设置在显示区域DA周围，以围绕显示区域DA的至少一个区或者在显示区域DA的至少一个区周围(例如，部分地或完全地围绕显示区域DA的至少一个区)。非显示区域NA可以包括联接(例如，连接)到显示区域DA的像素的线、焊盘和/或驱动电路。
显示设备DD可以设置成各种合适的形状。作为示例，显示设备DD可以设置为矩形板形状，但是本公开不限于此。例如，显示设备DD可以具有诸如圆形形状或椭圆形形状的形状。此外，尽管图1示出了显示设备DD具有成角度的拐角(例如，形成角度(例如，直角)的拐角)，但是本公开不限于此。例如，显示设备DD可以具有弯曲的拐角。
为了方便起见，图1示出了显示设备DD具有矩形板形状，该矩形板形状包括一对短边和一对长边。短边的延伸方向由第一方向DR1表示，长边的延伸方向由第二方向DR2表示，并且与长边和短边的延伸方向正交(例如，垂直)的方向(例如，显示设备DD的厚度或高度方向)由第三方向DR3表示。然而，这可以根据显示设备DD的形状而改变。
显示设备DD可以具有柔性，使得变形(例如，可折叠性)可以在至少一个区域中发生(例如，提供)，或者可以不具有柔性，使得在整个区域中可不发生显著的变形。例如，显示设备DD可以是柔性显示设备或刚性显示设备。当显示设备DD在至少一个区域中具有柔性时，显示设备DD可以在柔性区域中是可折叠的、可弯曲的和/或可卷曲的。
参考图2，显示设备DD可以包括显示面板DP和设置在显示面板DP上方的窗WD。在实施方式中，窗WD可以与显示面板DP一体地制造。例如，窗WD可以直接形成在显示面板DP的表面上。在另一实施方式中，在窗WD与显示面板DP分开制造之后，窗WD可以通过光学透明粘合剂OCA联接到显示面板DP。
显示面板DP包括用于显示图像的像素，并且可以是各种合适类型(例如，种类)和/或结构的显示面板。在实施方式中，显示面板DP可以是利用(例如，使用)具有纳米级或微米级的尺寸的有机发光二极管和/或超小型无机发光二极管的自发光显示面板，但是本公开不限于此。
窗WD可以设置在显示面板DP上，以保护显示面板DP免受外部冲击，并且可以向用户提供输入表面和/或显示表面。窗WD可以包括(例如，是)各种合适的材料(其包括(例如，是)玻璃和/或塑料)，并且可以在至少一个区域中具有柔性，或者可以在整个区域中不具有柔性。
同时，显示设备DD还可以包括至少一个传感器，诸如触摸传感器。例如，显示设备DD可以包括触摸传感器、指纹传感器、压力传感器和/或温度传感器。
每个传感器可以与显示面板DP一体地形成，或者可以与显示面板DP分开制造，并且设置在显示面板DP(例如，显示面板DP的前表面、后表面和/或侧表面)周围和/或上。作为示例，触摸传感器可以设置在显示面板DP的前表面(图像将在其上显示的上表面)上，以设置在显示面板DP和窗WD之间，并且可以与显示面板DP一体地设置。
参考图3，显示面板DP可以包括基础层BSL以及依次设置在基础层BSL的表面上的像素电路层PCL、显示元件层DPL、光控制层LCTL和封装层ENC。
在显示面板DP是无源显示面板的情况(例如，实施方式)下，可以省略像素电路层PCL。在这种情况下，只有用于驱动像素的线可以设置在显示元件层DPL下方，或者这些线可以直接联接(例如，直接连接)到显示元件层DPL和/或形成在显示元件层DPL中。
基础层BSL可以是刚性或柔性衬底(或膜)。在实施方式中，当基础层BSL是刚性衬底时，基础层BSL可以包括(例如，是)选自玻璃衬底、石英衬底、玻璃陶瓷衬底和结晶玻璃衬底中的至少一种。在另一实施方式中，当基础层BSL是柔性衬底时，基础层BSL可以包括(例如，是)选自膜衬底和包括(例如，是)聚合物有机材料的塑料衬底中的至少一种。此外，基础层BSL可以包括(例如，是)玻璃纤维增强塑料(FRP)。
像素电路层PCL可以设置在基础层BSL的表面上。像素电路层PCL可包括用于配置每个像素的像素电路的电路元件以及联接(例如，连接)到电路元件的各种合适的线。例如，像素电路层PCL可以包括构成每个像素的像素电路的晶体管和/或存储电容器以及联接(例如，连接)到每个像素电路的栅极线、数据线和电力线。根据实施方式，栅极线可至少包括扫描线，且可以可选地还包括其它类型(例如，种类)的控制线。此外，像素电路层PCL还可以包括至少一个绝缘层(其包括覆盖电路元件和/或线的保护层)。
显示元件层DPL可以设置在像素电路层PCL上。在实施方式中，显示元件层DPL包括构成每个像素的光源的发光元件，并且发光元件可以包括(例如，是)有机发光二极管和/或无机发光二极管。
光控制层LCTL可以设置在显示面板DP的图像显示表面上。例如，当假设显示面板DP在显示元件层DPL的上(向上)方向(例如，第三方向DR3)上发射光以在显示面板DP的正面上显示图像时，光控制层LCTL可以设置在显示元件层DPL上。作为示例，光控制层LCTL可以设置在显示元件层DPL和封装层ENC之间。
光控制层LCTL可以包括用于转换和/或调整从显示元件层DPL发射的光的特性的光控制元件。例如，光控制层LCTL可以包括滤色器层和/或光转换层，滤色器层包括特定颜色的滤色器，光转换层包括光散射颗粒和特定颜色的颜色转换颗粒(例如，红色量子点和绿色量子点)。当光控制层LCTL包括颜色转换颗粒时，可以转换从至少一些像素产生的光的颜色。例如，光控制层LCTL可以选择性地透射从显示元件层DPL产生的光中的设定或特定波长带的光，和/或可以转换从显示元件层DPL发射的光的波长带。
封装层ENC可以设置在光控制层LCTL上。封装层ENC可以是封装衬底(或称为上衬底)，或者单层或多层薄膜封装层。封装层ENC可以通过防止或阻止外部空气和/或湿气渗入包括显示元件层DPL的显示面板DP中来保护像素。
在封装层ENC是封装衬底的情况下，封装衬底可以通过密封材料等联接(例如，连接)到基础层BSL。例如，封装衬底可以通过密封材料联接(例如，附接)到基础层BSL的设置有像素PXL(参考图4)的表面。例如，像素PXL可以在基础层BSL的表面上和/或可以在基础层BSL和封装衬底之间。
在封装层ENC是多层薄膜封装层的情况下，封装层ENC可以包括无机膜和/或有机膜。例如，封装层ENC可以具有其中依次堆叠无机膜、有机膜和另一无机膜的多层结构。
图4是示出根据本公开的实施方式的显示面板DP的平面图。为了方便起见，在图4中，集中于显示区域DA简要地示出了显示面板DP的结构。然而，根据一些实施方式，还可以在显示面板DP中设置至少一个驱动电路单元、线和/或焊盘。
参考图4，显示面板DP可以包括基础层BSL和设置在基础层BSL上的像素PXL。根据实施方式，像素PXL可以包括第一颜色像素PXL1、第二颜色像素PXL2和/或第三颜色像素PXL3。例如，像素PXL中的每个可以是第一颜色像素PXL1、第二颜色像素PXL2或第三颜色像素PXL3。
显示面板DP和用于形成显示面板DP的基础层BSL可以包括用于显示图像的显示区域DA和除显示区域DA之外(例如，在显示区域DA周围或围绕显示区域DA(例如，部分地或完全地围绕显示区域DA))的非显示区域NA。
显示区域DA可以设置在显示面板DP的中央部分处，并且非显示区域NA可以设置在显示面板DP的边缘部分处，以在显示区域DA周围或围绕显示区域DA(例如，部分地或完全地围绕显示区域DA)。然而，可以改变显示区域DA和非显示区域NA的位置。显示区域DA可以构成要在其上显示图像的屏幕，并且非显示区域NA可以是除显示区域DA之外的区域。
多个像素PXL可以在基础层BSL上设置在显示区域DA中。作为示例，显示区域DA可以包括其中设置每个像素PXL的多个像素区域。非显示区域NA可以设置在显示区域DA周围，并且联接(例如，连接)到显示区域DA的像素PXL的各种合适的线、焊盘和/或内置电路单元可以设置在非显示区域NA中。
像素PXL可以根据条纹或
Figure BDA0003416775860000091
(三星显示有限公司的商标)布置结构规则地设置在显示区域DA中。例如，像素PXL可以布置成RGBG矩阵结构。此外，像素PXL可以以各种合适的结构和/或方法设置在显示区域DA中。
根据实施方式，可以在显示区域DA中设置用于发射不同颜色的光的至少两种类型(例如，种类)的像素PXL。例如，第一颜色像素PXL1、第二颜色像素PXL2和第三颜色像素PXL3可以规则地设置在显示区域DA中。至少一个第一颜色像素PXL1、至少一个第二颜色像素PXL2和至少一个第三颜色像素PXL3可以构成一个像素单元PXU。例如，至少一个第一颜色像素PXL1、至少一个第二颜色像素PXL2和至少一个第三颜色像素PXL3可以彼此相邻。
同时，在描述本公开的实施方式时，假定彼此相邻的三个像素PXL构成一个像素单元PXU，但是本公开不限于此。例如，构成每个像素单元PXU的像素PXL的数量、类型(例如，种类)和/或相互布置结构可以根据实施方式而不同地和适当地改变。
根据实施方式，第一颜色像素PXL1可以是用于发射红光的红色像素，第二颜色像素PXL2可以是用于发射绿光的绿色像素，并且第三颜色像素PXL3可以是用于发射蓝光的蓝色像素。在实施方式中，因为第一颜色像素PXL1、第二颜色像素PXL2和第三颜色像素PXL3各自分别包括第一颜色发光元件、第二颜色发光元件和第三颜色发光元件作为光源，所以可以发射第一颜色、第二颜色和第三颜色的光。在另一实施方式中，第一颜色像素PXL1、第二颜色像素PXL2和第三颜色像素PXL3包括发射相同颜色的光的发光元件。因为包括设置在每个发射区域上的不同颜色的光转换图案，所以可以发射第一颜色、第二颜色和第三颜色的光。
此外，构成每个像素单元PXU的像素PXL的颜色、类型(例如，种类)和/或数量不受特别限制。例如，从每个像素PXL发射的光的颜色可以被不同地和适当地改变。
在实施方式中，像素PXL可以包括由特定控制信号(例如，扫描信号和/或数据信号)和/或特定电源电压(例如，第一电源电压和/或第二电源电压)驱动的至少一个光源。作为光源，可以使用(例如，使用)各种合适类型(例如，种类)、形状和/或尺寸的发光元件。
此外，像素PXL可以具有根据以下将描述的至少一个实施方式的结构。例如，每个像素PXL可以具有将在稍后描述的实施方式中的任何一个所应用于的结构，或者具有至少两个实施方式以适当组合的方式所应用于的结构。
在实施方式中，像素PXL可以配置为有源像素，但是本公开不限于此。例如，在另一实施方式中，像素PXL可以配置为无源像素。
图5和图6分别是示出根据本公开的实施方式的像素PXL的电路图。例如，图5和图6分别示出了包括至少一个发光元件LD的像素PXL的不同实施方式。作为示例，图5示出了包括作为发光元件LD的有机发光二极管OLED的像素PXL的实施方式，并且图6示出了包括作为发光元件LD的多个无机发光二极管NED的像素PXL的实施方式。
首先，参考图5，像素PXL可以包括联接(例如，连接)在第一电源电压VDD和第二电源电压VSS之间的有机发光二极管OLED，并且可以可选地还包括用于驱动有机发光二极管OLED的像素电路PXC。
像素电路PXC可以联接(例如，连接)在第一电源电压VDD和有机发光二极管OLED之间。此外，像素电路PXC可以联接(例如，连接)到像素PXL的扫描线SL和数据线DL，以响应于分别从扫描线SL和数据线DL提供的扫描信号和数据信号来控制有机发光二极管OLED的操作。此外，像素电路PXC可以可选地还联接(例如，连接)到感测信号线SSL和感测线SENL。
在描述本公开的实施方式时，术语“连接(或联接)”和类似术语可以统指物理和/或电连接(或联接)。此外，术语“连接(或联接)”和类似术语可以统指直接或间接连接(或联接)，以及一体或非一体连接(或联接)。
像素电路PXC可以包括至少一个晶体管和电容器。例如，像素电路PXC可以包括第一晶体管M1、第二晶体管M2、第三晶体管M3和存储电容器Cst。
第一晶体管M1联接(例如，连接)在第一电源电压VDD和有机发光二极管OLED的第一电极AE(例如，阳极电极)之间。第一晶体管M1的栅电极联接(例如，连接)到第一节点N1。
第一晶体管M1响应于第一节点N1的电压而控制提供给有机发光二极管OLED的驱动电流。例如，第一晶体管M1可以是控制像素PXL的驱动电流的驱动晶体管。
在实施方式中，第一晶体管M1可以可选地包括底部金属层(或背栅电极)。底部金属层和第一晶体管M1的栅电极可以彼此重叠，且包括沟道区的半导体图案在底部金属层和第一晶体管M1的栅电极之间。
第二晶体管M2联接(例如，连接)在数据线DL和第一节点N1之间。第二晶体管M2的栅电极联接(例如，连接)到扫描线SL。
第二晶体管M2在从扫描线SL提供栅极导通电压(例如，高电平电压)的扫描信号时导通，并将数据线DL联接(例如，连接)到第一节点N1。在每个帧周期期间将相应帧的数据信号提供给数据线DL，且通过第二晶体管M2将该数据信号传输到第一节点N1，第二晶体管M2在其中提供栅极导通电压的扫描信号的时段期间导通。例如，第二晶体管M2可以是用于向像素PXL传输每个数据信号的开关晶体管。
存储电容器Cst的一个电极联接(例如，连接)到第一节点N1，并且存储电容器Cst的另一电极联接(例如，连接)到第一晶体管M1的第二电极。
存储电容器Cst在每个帧周期期间充有与提供给第一节点N1的数据信号对应的电压。
第三晶体管M3联接(例如，连接)在有机发光二极管OLED的第一电极AE(或第一晶体管M1的第二电极)和感测线SENL之间。第三晶体管M3的栅电极联接(例如，连接)到感测信号线SSL。
第三晶体管M3可以根据在设定的或预定的感测时段期间提供给感测信号线SSL的感测信号而将施加到有机发光二极管OLED的第一电极AE的电压值传输到感测线SENL。通过感测线SENL传输的电压值可以提供给外部电路(例如，时序控制器)，并且外部电路可以基于所提供的电压值提取每个像素PXL的特征信息(例如，第一晶体管M1的阈值电压等)。可以利用(例如，使用)所提取的特征信息来转换图像数据，从而补偿像素PXL之间的特征偏差。例如，第三晶体管M3可以是用于检测每个像素PXL的特征信息的感测晶体管。
同时，尽管图5示出了包括在像素电路PXC中的晶体管(例如，第一晶体管M1、第二晶体管M2和第三晶体管M3)全部是N型晶体管(例如，N掺杂晶体管)，但是本公开不限于此。例如，可以将选自第一晶体管M1、第二晶体管M2和第三晶体管M3中的至少一个改变为P型晶体管(例如，P掺杂晶体管)。例如，像素电路PXC可以包括P型晶体管和N型晶体管的组合。
此外，像素PXL的结构和驱动方法可以不同地和适当地改变。例如，除了图5中所示的实施方式之外，像素电路PXC还可以包括各种适当结构和/或驱动方法的像素电路。
例如，像素电路PXC可以不包括第三晶体管M3。此外，像素电路PXC还可以包括其它电路元件，诸如用于补偿第一晶体管M1的阈值电压的补偿晶体管等、用于初始化第一节点N1和/或有机发光二极管OLED的第一电极AE的电压的初始化晶体管、用于控制向有机发光二极管OLED提供驱动电流的时段的发射控制晶体管和/或用于升高第一节点N1的电压的升压电容器。
在另一实施方式中，当像素PXL是无源发光显示设备的像素时，可以省略像素电路PXC。在这种情况下，有机发光二极管OLED的第一电极AE和第二电极CE可以直接联接(例如，直接连接)到扫描线SL、数据线DL、第一电力线PL1和第二电力线PL2和/或其它信号线或电力线。
有机发光二极管OLED包括通过像素电路PXC和第一电力线PL1联接(例如，连接)到第一电源电压VDD的第一电极AE以及通过第二电力线PL2联接(例如，连接)到第二电源电压VSS的第二电极CE。此外，有机发光二极管OLED包括在第一电极AE和第二电极CE之间的有机发射层。
第一电源电压VDD和第二电源电压VSS可以具有不同的电位，使得有机发光二极管OLED可以发射光(例如，使得电流可以从选自第一电源电压VDD和第二电源电压VSS中的一个流到选自第一电源电压VDD和第二电源电压VSS中的另一个)。作为示例，第一电源电压VDD可以是高电位像素电源电压，并且第二电源电压VSS可以是低电位像素电源电压，其中，与第一电源电压VDD的电位相比，第二电源电压VSS具有比有机发光二极管OLED的阈值电压低的电压。在这种情况下，有机发光二极管OLED的第一电极AE可以是阳极电极，并且有机发光二极管OLED的第二电极CE可以是阴极电极。
当从像素电路PXC提供驱动电流时，有机发光二极管OLED产生具有对应于驱动电流的亮度的光。因此，在每个帧周期期间，每个像素PXL发射具有与提供给第一节点N1的数据信号对应的亮度的光。
同时，当在帧周期期间向第一节点N1提供对应于黑色灰度级的数据信号时，像素电路PXC不向有机发光二极管OLED提供驱动电流。因此，像素PXL可以在帧周期期间保持非发射状态。
参考图6，像素PXL可以包括发射单元EMU，发射单元EMU包括联接(例如，连接)在第一电源电压VDD和第二电源电压VSS之间的至少一个无机发光二极管NED。作为示例，发射单元EMU可以包括在像素电路PXC和第二电源电压VSS之间彼此并联联接(例如，连接)的多个超小型无机发光二极管NED。超小型无机发光二极管NED中的每个可以具有纳米级到微米级的尺寸(例如，直径和/或长度)，但是本公开不限于此。此外，超小型无机发光二极管NED中的每个可以具有棒形状或芯壳形状，但是本公开不限于此。
发射单元EMU可以包括通过像素电路PXC和第一电力线PL1联接(例如，连接)到第一电源电压VDD的第一电极ELT1(也称为“第一对准电极”或“第一反射电极”)、通过第二电力线PL2联接(例如，连接)到第二电源电压VSS的第二电极ELT2(也称为“第二对准电极”或“第二反射电极”)以及联接(例如，连接)在第一电极ELT1和第二电极ELT2之间的多个无机发光二极管NED。根据实施方式，发射单元EMU的第一电极ELT1可以是阳极电极，并且发射单元EMU的第二电极ELT2可以是阴极电极，但是本公开不限于此。
在实施方式中，发射单元EMU可以包括在第一电极ELT1和第二电极ELT2之间以相同方向并联联接(例如，连接)的多个无机发光二极管NED。例如，无机发光二极管NED中的每个可以包括通过第一电极ELT1和/或像素电路PXC联接(例如，连接)到第一电源电压VDD的第一端EP1(例如，P型端(例如，P掺杂端))以及通过第二电极ELT2联接(例如，连接)到第二电源电压VSS的第二端EP2(例如，N型端(例如，N掺杂端))。例如，无机发光二极管NED可以在第一电极ELT1和第二电极ELT2之间以正向方向并联联接(例如，连接)，以构成每个有效光源。
此外，发射单元EMU还可以包括至少一个无效无机发光二极管，其在第一电极ELT1和第二电极ELT2之间以相反方向联接(例如，连接)或者在第一电极ELT1和第二电极ELT2之间在两端处没有完全联接(例如，连接)。即使从像素电路PXC提供驱动电流，该至少一个无效无机发光二极管也可以保持非发射状态。
同时，在另一实施方式中，构成发射单元EMU的有效光源的无机发光二极管NED中的至少一个可以以第一种方向联接(例如，连接)在第一电源电压VDD和第二电源电压VSS之间，并且构成发射单元EMU的有效光源的无机发光二极管NED中的另外的无机发光二极管NED可以以与第一种方向相反的第二种方向联接(例如，连接)在第一电源电压VDD和第二电源电压VSS之间。在改变第一电源电压VDD和第二电源电压VSS的电位的同时，可以交替地驱动无机发光二极管NED。
此外，尽管在图6中公开了其中像素PXL包括具有平行结构的发射单元EMU的实施方式，但是本公开不限于此。例如，像素PXL可以包括具有串联结构或串联/并联结构(例如，包括串联的电连接和/或并联的电连接的结构)的发射单元EMU。在这种情况下，发射单元EMU可以包括以串联结构或串联/并联结构联接(例如，连接)在第一电极ELT1和第二电极ELT2之间的无机发光二极管NED。例如，无机发光二极管NED可以设置和/或联接(例如，连接)到至少两个串联级。
图7至图10分别是示出根据本公开的实施方式的显示面板DP的剖视图。图11是示出图7的区域AR1的放大剖视图。
例如，如在图5的实施方式中，图7集中于各自包括有机发光二极管OLED的第一颜色像素PXL1、第二颜色像素PXL2和第三颜色像素PXL3的一个区域示出了显示面板DP的截面。如在图6的实施方式中，图8集中于各自包括无机发光二极管NED的第一颜色像素PXL1、第二颜色像素PXL2和第三颜色像素PXL3的一个区域示出了显示面板DP的截面。
图9和图10示出了图7的实施方式的修改的实施方式。例如，与图7的实施方式相比，图9的实施方式还包括设置在光转换层LCL的表面上的保护层PTL。在图10的实施方式中，与图7的实施方式相比，改变了光转换图案LCP和堤部BNK的形状。此外，图9的实施方式和/或图10的实施方式也可以应用于图8的实施方式。
图7至图10集中于包括设置在第一像素区域PXA1中的第一颜色像素PXL1、设置在第二像素区域PXA2中的第二颜色像素PXL2以及设置在第三像素区域PXA3中的第三颜色像素PXL3的一个像素单元PXU示出了根据每个实施方式的显示面板DP的截面。第一颜色像素PXL1可以包括至少一个第一发光元件LD1，第二颜色像素PXL2可以包括至少一个第二发光元件LD2，并且第三颜色像素PXL3可以包括至少一个第三发光元件LD3。
在下文中，选自第一颜色像素PXL1、第二颜色像素PXL2和第三颜色像素PXL3中的至少一个可以被称为“像素PXL”，或者第一颜色像素PXL1、第二颜色像素PXL2和第三颜色像素PXL3可以被统称为“像素PXL”。类似地，选自第一像素区域PXA1、第二像素区域PXA2和第三像素区域PXA3中的至少一个可以被称为“像素区域PXA”，或者第一像素区域PXA1、第二像素区域PXA2和第三像素区域PXA3可以被统称为“像素区域PXA”。此外，选自第一发光元件LD1、第二发光元件LD2和第三发光元件LD3中的至少一个可以被称为“发光元件LD”，或者第一发光元件LD1、第二发光元件LD2和第三发光元件LD3可以被统称为“发光元件LD”。
此外，在图7至图10中，作为可以设置在像素电路层PCL中的电路元件的示例，示出了通过每个接触孔CH和/或桥接图案BRP联接(例如，连接)到每个发光元件LD的晶体管M(例如，图5和图6的第一晶体管M1)。同时，在图7至图10中省略了用于向像素PXL提供第一电源电压VDD和第二电源电压VSS的第一电力线PL1和第二电力线PL2的图示，但是第一电力线PL1和第二电力线PL2也可以设置在像素电路层PCL中。例如，第一电力线PL1和第二电力线PL2可以设置在像素电路层PCL中，并且可以通过每个像素电路PXC和/或至少一个接触孔联接(例如，连接)到每个像素PXL的发光元件LD。
尽管图11代表性地示出了图7的区域AR1，但是即使在图8至图10的实施方式中，至少一个光转换图案LCP也可以包括图11的微腔CVT。此外，尽管图7至图11示出了第一颜色像素PXL1、第二颜色像素PXL2和第三颜色像素PXL3中的全部都包括微腔CVT，但是本公开不限于此。例如，至少一个像素PXL可以在其表面上不包括微腔CVT。
参考图1至图11，显示面板DP可以包括基础层BSL，并且显示面板DP可以包括依次设置在基础层BSL的表面上的像素电路层PCL、显示元件层DPL、保护层PRL、填充层FIL、光控制层LCTL和封装层ENC。在图7至图11的实施方式中，封装层ENC可以是封装衬底，但是本公开不限于此。例如，在另一实施方式中，封装层ENC可以改变为薄膜封装层。
此外，显示面板DP的结构可以根据实施方式而不同地和适当地改变。例如，在另一实施方式中，可以首先将显示元件层DPL设置在基础层BSL的表面上，并且然后可以将像素电路层PCL设置在显示元件层DPL上。例如，显示元件层DPL和像素电路层PCL可以依次堆叠在基础层BSL上。
另外，显示面板DP的一些元件可以被省略或者用其它元件代替。例如，当显示面板DP是无源显示设备的显示面板时，可以省略像素电路层PCL。在这种情况下，用于驱动像素PXL的线可以直接联接(例如，连接)到显示元件层DPL和/或形成在显示元件层DPL中。
在实施方式中，像素电路层PCL和显示元件层DPL可以形成和/或设置在基础层BSL的表面上，并且光控制层LCTL可以形成和/或设置在封装层ENC的表面上，以面对显示元件层DPL(例如，与显示元件层DPL重叠)。例如，光控制层LCTL可以形成和/或设置在封装层ENC的面对显示元件层DPL的表面上。此外，填充层FIL可以设置在显示元件层DPL和光控制层LCTL之间。
基础层BSL是用于形成像素PXL的基础构件，并且可以是刚性或柔性衬底或膜。
像素电路层PCL可以设置在基础层BSL的表面上。构成像素PXL的像素电路PXC的电路元件和与其联接(例如，连接)的各种合适的线可以设置在像素电路层PCL的每个像素区域PXA中。例如，像素电路层PCL可以包括设置在每个像素区域PXA中并构成像素PXL的像素电路PXC的多个晶体管M和存储电容器Cst。此外，像素电路层PCL还可以包括联接(例如，连接)到每个像素电路PXC和/或发光元件LD的至少一个电力线和/或至少一个信号线。例如，像素电路层PCL可以包括各种合适的信号线(其包括像素PXL的扫描线SL、数据线DL、感测信号线SSL和/或感测线SENL)以及电力线(诸如，第一电力线PL1和第二电力线PL2)。
此外，除电路元件和线之外，像素电路层PCL还可以包括多个绝缘层。例如，像素电路层PCL可以包括依次堆叠在基础层BSL的表面上的缓冲层BFL、栅极绝缘层GI、第一层间绝缘层ILD1、第二层间绝缘层ILD2和/或钝化层PSV。根据实施方式，钝化层PSV可以完全形成在显示区域DA中(例如，在整个显示区域DA中)，以覆盖每个像素PXL的电路元件和与其联接(例如，连接)的线，但是本公开不限于此。
缓冲层BFL可以设置在基础层BSL的其上形成像素PXL的表面上。缓冲层BFL可以防止或阻止杂质扩散到每个电路元件中。
缓冲层BFL上可以设置有半导体层。半导体层可以包括每个晶体管M的半导体图案SCP。半导体图案SCP可以包括与每个栅电极GE重叠的沟道区以及设置在沟道区的两侧上的第一导电区和第二导电区(例如，源极区和漏极区)。
根据实施方式，半导体图案SCP可以是包括(例如，是)多晶硅(例如，多晶体硅)、非晶硅、氧化物半导体等的半导体图案。此外，半导体图案SCP的沟道区可以是没有掺杂杂质的半导体图案，且可以是本征半导体，并且半导体图案SCP的第一区和第二区中的每个可以是掺杂有设定或预定杂质的半导体图案。
在实施方式中，构成每个像素电路PXC的晶体管M的半导体图案SCP可以包括(例如，是)基本上相同或类似的材料。例如，晶体管M的半导体图案SCP可以包括(例如，是)选自多晶硅(例如，多晶体硅)、非晶硅和氧化物半导体中的相同材料。
在另一实施方式中，一些晶体管M和其它晶体管M可以包括半导体图案SCP，半导体图案SCP包括(例如，是)不同的材料。例如，一些晶体管M的半导体图案SCP可以包括(例如，是)多晶硅和/或非晶硅，并且其它晶体管M的半导体图案SCP可以包括(例如，是)氧化物半导体。
栅极绝缘层GI可以设置在半导体层上。栅极绝缘层GI上可以设置有第一导电层。
第一导电层可以包括每个晶体管M的栅电极GE。栅电极GE可以设置成与半导体图案SCP重叠，且栅极绝缘层GI在栅电极GE和半导体图案SCP之间。此外，第一导电层还可以包括某些线(例如，扫描线SL)和/或存储电容器Cst的电极。
第一层间绝缘层ILD1可以设置在第一导电层上。第一层间绝缘层ILD1上可以设置有第二导电层。
第二导电层可以包括每个晶体管M的第一晶体管电极TE1和第二晶体管电极TE2。第一晶体管电极TE1和第二晶体管电极TE2可以是源电极和漏电极。此外，第二导电层还可以包括某些线(例如，数据线DL和/或扫描线SL)和/或存储电容器Cst的电极。
第二层间绝缘层ILD2可以设置在第二导电层上。第二层间绝缘层ILD2上可以设置有第三导电层。
缓冲层BFL、栅极绝缘层GI、第一层间绝缘层ILD1和第二层间绝缘层ILD2中的每个可以设置成具有单层或多层，并且可以包括(例如，是)至少一种无机绝缘材料和/或至少一种有机绝缘材料。例如，缓冲层BFL、栅极绝缘层GI、第一层间绝缘层ILD1和第二层间绝缘层ILD2中的每个可以包括(例如，是)各种合适类型(例如，种类)的有机/无机绝缘材料(包括(例如，是)硅氮化物(SiNx)、硅氧化物(SiOx)和/或硅氮氧化物(SiOxNy))。
第三导电层可以包括将像素电路层PCL联接(例如，连接)到显示元件层DPL的桥接图案BRP和/或某些线(例如，第一电力线PL1和/或第二电力线PL2)。桥接图案BRP可以通过每个接触孔CH联接(例如，连接)到每个像素PXL的发光元件LD(例如，有机发光二极管OLED或至少一个超小型无机发光二极管NED)的第一电极AE和ELT1。
构成第一导电层至第三导电层的导电图案、电极和/或线中的每个可通过包括(例如，是)至少一种导电材料而具有导电性，并且组成材料不受特别限制。例如，构成第一导电层至第三导电层的导电图案、电极和/或线中的每个可以包括(例如，是)选自钼(Mo)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、钛(Ti)、钽(Ta)、钨(W)和铜(Cu)中的至少一种金属。
钝化层PSV可以设置在第三导电层上。显示元件层DPL可以设置在钝化层PSV上。
钝化层PSV可以设置成具有单层或多层，并且可以包括(例如，是)至少一种无机绝缘材料和/或至少一种有机绝缘材料。例如，钝化层PSV可以包括(例如，是)至少一个有机绝缘膜，并且可以使像素电路层PCL的表面基本上平坦化。在实施方式中，该至少一种有机绝缘膜可以包括(例如，是)选自聚丙烯酸酯树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂、不饱和聚酯树脂、聚苯醚树脂、聚苯硫醚树脂和苯并环丁烯树脂中的至少一种，但是本公开不限于此。
显示元件层DPL可以包括像素PXL的发光元件LD和/或与其联接(例如，连接)的电极。例如，有机发光二极管OLED或多个超小型无机发光二极管NED可以设置在显示元件层DPL的每个像素区域PXA中。例如，每个像素PXL和与其对应的每个像素区域PXA可以包括至少一个发射区域EA，并且发射区域EA中可以设置有至少一个发光元件LD。
在像素PXL的发光元件LD是如图5的实施方式中的有机发光二极管OLED的情况下，显示元件层DPL可以包括形成在如图7中所示的每个像素区域PXA中的有机发光二极管OLED。例如，在图7的实施方式中，显示元件层DPL可以包括形成在每个像素区域PXA中的发光元件LD，并且发光元件LD可以是有机发光二极管OLED。在这种情况下，发光元件LD可以包括第一电极AE和第二电极CE以及设置在第一电极AE和第二电极CE之间的发射层EML。
选自第一电极AE和第二电极CE中的一个可以是阳极电极，并且选自第一电极AE和第二电极CE中的另一个可以是阴极电极。当发光元件LD是顶部发射类型(例如，种类)的有机发光二极管OLED时，第一电极AE可以是反射电极，并且第二电极CE可以是透射电极。在本公开的实施方式中，将作为示例描述其中发光元件LD是顶部发射类型(例如，种类)的有机发光二极管OLED并且第一电极AE是阳极电极的情况。
第一电极AE可以通过桥接图案BRP和/或穿过钝化层PSV的接触孔CH联接(例如，连接)到像素电路层PCL的电路元件(例如，图5的第一晶体管M1)。第一电极AE可以包括能够反射光的反射膜和/或设置在反射膜上方或下方的透明导电膜。例如，第一电极AE可以包括多层导电膜，多层导电膜包括下透明导电膜和包括(例如，是)氧化铟锡(ITO)的上透明导电膜以及设置在下透明导电膜和上透明导电膜之间并且包括(例如，是)银(Ag)的反射膜。
显示元件层DPL还可以包括像素限定层PDL，像素限定层PDL包括暴露第一电极AE的一部分(例如，第一电极AE的上表面)的开口。像素限定层PDL可以是包括(例如，是)有机材料的有机绝缘膜。例如，像素限定层PDL可以包括有机绝缘膜，诸如丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂和/或聚酰亚胺树脂。
发射层EML可以设置在与像素限定层PDL的开口对应的区域中。例如，发射层EML可以设置在暴露的第一电极AE的表面上。
在实施方式中，发射层EML可以具有至少包括光产生层的多层薄膜结构。例如，发射层EML可以包括：空穴注入层，其注入空穴；空穴传输层，其具有良好的空穴传输性，并且通过抑制不能在光产生层中结合的电子的移动来增加空穴和电子之间的复合的机会；光产生层，其通过注入的电子和空穴的复合来发射光；空穴阻挡层，其抑制不能在光产生层中复合的空穴的移动；以及电子传输层和电子注入层，电子传输层平滑地将电子传输到光产生层，电子注入层注入电子。
光产生层可以在每个像素PXL的发射区域EA中单独形成，并且空穴注入层、空穴传输层、空穴阻挡层、电子传输层和电子注入层可以是在彼此相邻的发射区域EA中联接(例如，连接)的公共膜。然而，在图7中，基于光产生层示出了发射层EML。
发射层EML上可以形成和/或设置有第二电极CE。第二电极CE可以是完全在包括多个像素区域PXA的显示区域DA中形成的(例如，在整个显示区域DA中形成的)公共膜，但是本公开不限于此。
第二电极CE是透射电极并且可以包括(例如，是)透明导电材料。透明导电材料可以包括(例如，是)选自透明导电氧化物(诸如，氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)和/或氧化铟锡锌(ITZO))以及导电聚合物(诸如，PEDOT)中的至少一种，但是本公开不限于此。
像素限定层PDL可以设置在每个像素PXL的非发射区域NEA和/或像素PXL之间的非发射区域NEA中，以围绕每个像素PXL的发射区域EA或者在每个像素PXL的发射区域EA周围(例如，部分地或完全地围绕每个像素PXL的发射区域EA)。例如，像素限定层PDL可以是限定或划分像素PXL中的每个的发射区域EA的结构。像素限定层PDL可以配置成包括(例如，是)至少一种光阻挡材料和/或至少一种反射材料。
在像素PXL的发光元件LD是如图6的实施方式中的超小型无机发光二极管NED的情况下，如图8中所示，显示元件层DPL可以包括形成在每个像素区域PXA中的至少一个发光元件LD，并且发光元件LD可以是具有其中生长基于氮化物的半导体的结构并且具有小至微米级到纳米级的尺寸的超小型无机发光二极管NED。在这种情况下，显示元件层DPL包括堤部图案BNP、第一电极ELT1和第二电极ELT2、第一绝缘层INS1和第二绝缘层INS2以及第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2。在实施方式中，每个发光元件LD可以是具有大于1的纵横比的棒状超小型无机发光二极管NED，但是本公开不限于此。
堤部图案BNP可以设置和/或形成在钝化层PSV上，并且可以定位在每个像素PXL的发射区域EA中。堤部图案BNP可以设置在第一电极ELT1和第二电极ELT2中的每个的区域之下，并且在上方向(例如，第三方向DR3)上使第一电极ELT1和第二电极ELT2中的每个的区域突出(例如，在第一电极ELT1和第二电极ELT2中的每个的区域中引起突出)，使得从每个像素PXL的发光元件LD发射的光被引导到显示面板DP的图像显示方向(例如，每个像素PXL的覆盖某一视角范围的上方向)。堤部图案BNP可以包括无机绝缘膜(包括(例如，是)无机材料)或有机绝缘膜(包括(例如，是)有机材料)，并且可以包括单层或多层。
第一电极ELT1和第二电极ELT2可以设置在堤部图案BNP上，以与堤部图案BNP部分地重叠，并且具有对应于堤部图案BNP的形状的表面轮廓。第一电极ELT1和第二电极ELT2可以包括(例如，是)具有均匀反射率的材料，使得从发光元件LD中的每个发射的光在显示面板DP的图像显示方向上行进。
第一电极ELT1可以通过桥接图案BRP和/或穿过钝化层PSV的接触孔CH电联接(例如，连接)到像素电路PXC(例如，图6的第一晶体管M1)，并且第二电极ELT2可以通过区域中的至少一个接触孔联接(例如，连接)到第二电力线PL2。第一电极ELT1可以是阳极电极，并且第二电极ELT2可以是阴极电极。
至少一个发光元件LD可以设置在第一电极ELT1和第二电极ELT2之间。例如，至少一个发光元件LD可以在水平方向上(例如，在第一方向DR1上)设置在第一电极ELT1和第二电极ELT2之间。例如，如在图6的实施方式中，多个发光元件LD可以设置在第一电极ELT1和第二电极ELT2之间，并且发光元件LD可以彼此并联联接(例如，连接)。在另一实施方式中，发光元件LD可以彼此串联或串联/并联联接(例如，连接)。
发光元件LD中的每个可以发射特定颜色的光和/或白光。在实施方式中，发光元件LD可以以喷射在溶液中的形式提供，并且可以提供给每个像素PXL。
发光元件LD中的每个可以包括发光叠层，发光叠层包括在一个方向(从第一端EP1到第二端EP2的方向)上依次设置的第一半导体层SCL1(例如，P型半导体层(例如，P掺杂半导体层))、有源层ACT和第二半导体层SCL2(例如，N型半导体层(例如，N掺杂半导体层))。此外，发光元件LD中的每个还可以包括围绕发光叠层的外周表面或在发光叠层的外周表面周围(例如，部分地或完全地围绕发光叠层的外周表面)的绝缘膜。
第一半导体层SCL1可以包括第一导电类型半导体层(例如，具有第一导电种类的半导体层)。例如，第一半导体层SCL1可以包括至少一个P型半导体层(例如，P掺杂半导体层)。例如，第一半导体层SCL1可以包括(例如，是)选自InAlGaN、GaN、AlGaN、InGaN、AlN和InN中的至少一种半导体材料，并且可以包括掺杂有诸如Mg的第一导电类型掺杂剂(或P型掺杂剂)的P型半导体层。
有源层ACT可以形成为单量子阱结构或多量子阱结构。根据实施方式，可以利用(例如，使用)诸如AlGaN和/或AlInGaN(InAlGaN)的材料来形成有源层ACT，并且可以利用(例如，使用)各种合适的其它材料来形成有源层ACT。有源层ACT的位置可以根据发光元件LD的类型(例如，种类)而不同地和适当地改变。有源层ACT可以发射具有约400nm至约900nm的波长的光，并且可以利用(例如，使用)双异质结构。
第二半导体层SCL2可以包括与第一半导体层SCL1不同类型(例如，种类)的半导体层。例如，第二半导体层SCL2可以包括至少一个N型半导体层(例如，N掺杂半导体层)。例如，第二半导体层SCL2可以包括(例如，是)选自InAlGaN、GaN、AlGaN、InGaN、AlN和InN中的至少一种半导体材料，并且可以是被掺杂诸如Si、Ge和/或Sn的第二导电类型掺杂剂(或N型掺杂剂)的N型半导体层。
发光元件LD可以设置和/或形成在第一绝缘层INS1上。第一绝缘层INS1可以设置和/或形成在第一电极ELT1和第二电极ELT2中的每个与钝化层PSV之间(例如，在第一电极ELT1和钝化层PSV之间以及在第二电极ELT2和钝化层PSV之间)。第一绝缘层INS1可以通过填充发光元件LD中的每个和钝化层PSV之间的空间来稳定地支撑发光元件LD。第一绝缘层INS1可以包括(例如，是)至少一种无机绝缘材料和/或至少一种有机绝缘材料，并且可以包括单层或多层。
第二绝缘层INS2可以设置在发光元件LD的区域上。第二绝缘层INS2可以设置和/或形成在发光元件LD上，以覆盖发光元件LD中的每个的上表面的一部分，并暴露发光元件LD中的每个的第一端EP1和第二端EP2。第二绝缘层INS2可以稳定地固定发光元件LD。当在形成第二绝缘层INS2之前在第一绝缘层INS1和发光元件LD之间存在空的空间时，该空的空间可以至少部分地被第二绝缘层INS2填充。
将第一电极ELT1电稳定地联接(例如，连接)和/或物理稳定地联接(例如，连接)到对应的发光元件LD的两端中的一端(例如，第一端EP1)的第一接触电极CNE1可以设置在第一电极ELT1上。将第二电极ELT2电稳定地联接(例如，连接)和/或物理稳定地联接(例如，连接)到对应的发光元件LD的两端中的一端(例如，第二端EP2)的第二接触电极CNE2可以设置在第二电极ELT2上。第一绝缘层INS1可以在其中第一电极ELT1和第一接触电极CNE1被联接(例如，连接)的区域以及其中第二电极ELT2和第二接触电极CNE2被联接(例如，连接)的区域中被去除。
第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2可以包括(例如，是)透明导电材料，使得从发光元件LD中的每个发射并由第一电极ELT1和第二电极ELT2反射的光朝向显示设备DD的图像显示方向行进，而没有损失或损失减小。透明导电材料可以包括(例如，是)选自透明导电氧化物(诸如，氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)和/或氧化铟锡锌(ITZO))以及导电聚合物(诸如，PEDOT)中的至少一种，但是本公开不限于此。
保护层PRL(或外涂层)可以设置和/或形成在显示元件层DPL(其包括像素PXL的发光元件LD)上。
保护层PRL可以包括单层或多层。在实施方式中，保护层PRL可以包括覆盖显示元件层DPL的多个绝缘膜。例如，保护层PRL可以包括至少一个无机膜和至少一个有机膜。
例如，保护层PRL可以具有其中无机膜和有机膜交替地堆叠的结构。在实施方式中，保护层PRL可以包括依次堆叠在显示元件层DPL上的第一保护层PRL1、第二保护层PRL2和第三保护层PRL3。在实施方式中，第一保护层PRL1和第三保护层PRL3可以各自包括无机膜(其包括(例如，是)无机材料)，并且第二保护层PRL2可以包括有机膜(其包括(例如，是)有机材料)。
填充层FIL可以设置在保护层PRL上。例如，填充层FIL可以设置在基础层BSL的其上设置像素PXL的表面和封装层ENC的其上设置光控制层LCTL的表面之间。例如，包括(例如，是)具有相对低的折射系数(折射的系数)的材料使得从发光元件LD发射的光可以在像素PXL的上方向上平滑地发射的填充层FIL可以设置在显示面板DP的包括基础层BSL、像素电路层PCL、显示元件层DPL和/或保护层PRL的下板与显示面板DP的包括封装层ENC和光控制层LCTL的上板之间。在另一实施方式中，保护层PRL可以与填充层FIL一体。在这种情况下，显示面板DP的包括封装层ENC和光控制层LCTL的上板可以设置在保护层PRL上，以与保护层PRL(和/或填充层FIL)接触。填充层FIL可以形成为具有能够稳定地保护光转换层LCL的厚度，并且可以形成为基本上平坦的。
在实施方式中，填充层FIL可以包括(例如，是)环氧树脂和/或基于硅氧烷的填料，但是本公开不限于此。填充层FIL可以包括(例如，是)具有相对低的折射系数(例如，约1.5至约1.6)的材料，使得从像素PXL发射的光可以在显示面板DP的正面方向(例如，第三方向DR3)上平滑地发射。
光控制层LCTL可以设置在填充层FIL上。光控制层LCTL可以包括依次设置在像素PXL、保护层PRL和/或填充层FIL上的光转换层LCL和滤色器层CFL。此外，光转换层LCL和滤色器层CFL之间可以设置有覆盖层CPL。
光转换层LCL可以包括在像素PXL的发射区域EA上(例如，在像素PXL的发射区域EA中)设置的光转换图案LCP(也称为“颜色转换图案”或“波长转换图案”)以及设置在光转换图案LCP之间的堤部BNK，以围绕光转换图案LCP的侧表面或在光转换图案LCP的侧表面周围(例如，部分地或完全地围绕转换图案LCP的侧表面)。
光转换图案LCP可以包括设置在第一颜色像素PXL1的发射区域EA1上的第一光转换图案LCP1、设置在第二颜色像素PXL2的发射区域EA2上的第二光转换图案LCP2以及设置在第三颜色像素PXL3的发射区域EA3上的第三光转换图案LCP3。第一光转换图案LCP1、第二光转换图案LCP2和第三光转换图案LCP3可以形成为对应于每个像素PXL的单独图案，并且遮光的堤部BNK可以在第一光转换图案LCP1、第二光转换图案LCP2和第三光转换图案LCP3周围或者第一光转换图案LCP1、第二光转换图案LCP2和第三光转换图案LCP3可以被遮光的堤部BNK围绕(例如，部分地或完全地围绕)。
在实施方式中，如图9中所示，保护层PTL可以设置在第一光转换图案LCP1、第二光转换图案LCP2和第三光转换图案LCP3和/或堤部BNK的表面(例如，下表面)上。保护层PTL可以设置为用于保护第一光转换图案LCP1、第二光转换图案LCP2和第三光转换图案LCP3的覆盖层。保护层PTL可以包括(例如，是)至少一种无机绝缘材料和/或至少一种有机绝缘材料，并且可以包括单层或多层。
在实施方式中，第一像素PXL1、第二像素PXL2和第三像素PXL3可以包括发射相同颜色的光的发光元件LD，并且选自第一光转换图案LCP1、第二光转换图案LCP2和第三光转换图案LCP3中的至少一个可以包括对应于特定颜色(或波长)的颜色转换颗粒。例如，第一像素PXL1、第二像素PXL2和第三像素PXL3中的每个可以包括发射属于约400nm至约500nm的波长带的蓝光的至少一个蓝光发射器件。第一光转换图案LCP1和第二光转换图案LCP2中的每个可以包括对应于特定颜色的颜色转换颗粒。例如，第一光转换图案LCP1可以包括红色转换颗粒以将蓝光转换为红光，并且第二光转换图案LCP2可以包括绿色转换颗粒以将蓝光转换为绿光。因此，即使当所有像素PXL包括相同颜色的发光元件LD时，显示面板DP也可以显示全色图像。同时，第三光转换图案LCP3可以包括或可以不包括颜色转换颗粒。例如，第三光转换图案LCP3可以不包括颜色转换颗粒，但是可以仅包括光散射颗粒SCT。
第一光转换图案LCP1(也称为“第一颜色转换图案”或“第一颜色转换层”)可设置在第一颜色像素PXL1的发射区域EA1上。第一光转换图案LCP1可以将从第一颜色像素PXL1的发光元件LD1发射的光转换为不同颜色的光。为此，第一光转换图案LCP1可以设置在第一颜色像素PXL1的发射区域EA1上，并且可以包括第一颜色转换颗粒(例如，第一颜色的量子点)。例如，当设置在第一颜色像素PXL1中的每个中的发光元件LD1是发射蓝光的蓝光发射元件并且第一颜色像素PXL1是红色像素时，第一光转换图案LCP1可以包括用于将从蓝光发射元件发射的蓝光转换为红光的红色量子点QDr。
例如，第一光转换图案LCP1可以包括分散在诸如透明树脂的特定矩阵材料中的多个红色量子点QDr。红色量子点QDr可以吸收蓝光并根据能量转变改变波长以发射具有约620nm至约780nm的波长带的红光。同时，当第一颜色像素PXL1是不同颜色的像素时，第一光转换图案LCP1可以包括与第一颜色像素PXL1的颜色对应的不同颜色的颜色转换颗粒。
在实施方式中，第一光转换图案LCP1可以包括一种类型(例如，种类)的颜色转换颗粒，但是本公开不限于此。例如，第一光转换图案LCP1可以复合地包括至少两种类型(例如，种类)的具有不同发射光谱(例如，峰值波长)的颜色转换颗粒。此外，第一光转换图案LCP1可以可选地包括光散射颗粒(例如，与第三光转换图案LCP3中包括的光散射颗粒SCT相同或不同的类型(例如，种类)的光散射颗粒)。
第二光转换图案LCP2(也称为“第二颜色转换图案”或“第二颜色转换层”)可以设置在第二颜色像素PXL2的发射区域EA2上。第二光转换图案LCP2可以将从第二颜色像素PXL2的发光元件LD2发射的光转换为不同颜色的光。为此，第二光转换图案LCP2可以设置在第二颜色像素PXL2的发射区域EA2上，并且可以包括第二颜色转换颗粒(例如，第二颜色的量子点)。例如，当在第二颜色像素PXL2中的每个中设置的发光元件LD2是发射蓝光的蓝光发射元件并且第二颜色像素PXL2是绿色像素时，第二光转换图案LCP2可以包括用于将从蓝光发射元件发射的蓝光转换为绿光的绿色量子点QDg。
例如，第二光转换图案LCP2可以包括分散在诸如透明树脂的特定矩阵材料中的多个绿色量子点QDg。绿色量子点QDg可以吸收蓝光并根据能量跃迁改变波长以发射具有约500nm至约570nm的波长带的绿光。同时，当第二颜色像素PXL2是不同颜色的像素时，第二光转换图案LCP2可以包括与第二颜色像素PXL2的颜色对应的不同颜色的颜色转换颗粒。
在实施方式中，第二光转换图案LCP2可以包括一种类型(例如，种类)的颜色转换颗粒，但是本公开不限于此。例如，第二光转换图案LCP2可以复合地包括至少两种类型(例如，种类)的具有不同发射光谱的颜色转换颗粒。此外，第二光转换图案LCP2可以可选地包括光散射颗粒(例如，与第三光转换图案LCP3中包括的光散射颗粒SCT相同或不同的类型(例如，种类)的光散射颗粒)。
第三光转换图案LCP3(也称为“光散射层”)可以设置在第三颜色像素PXL3的发射区域EA3上。在实施方式中，当在第三颜色像素PXL3中的每个中设置的发光元件LD3是发射蓝光的蓝光发光元件并且第三颜色像素PXL3是蓝色像素时，可以可选地包括第三光转换图案LCP3，以有效地利用(例如，使用)从蓝光发光元件发射的光。第三光转换图案LCP3可以包括至少一种类型(例如，种类)的光散射颗粒SCT。
例如，第三光转换图案LCP3可以包括分散在某一矩阵材料中的多个光散射颗粒SCT。例如，第三光转换图案LCP3可以包括光散射颗粒SCT，诸如二氧化钛(TiO2)、钛氧化物(TixOy)和/或二氧化硅，但是本公开不限于此。
同时，光散射颗粒SCT不一定仅提供给第三光转换图案LCP3。例如，第一光转换图案LCP1和/或第二光转换图案LCP2还可以可选地包括光散射颗粒SCT。例如，每个光转换图案LCP可以包括选自颜色转换颗粒和光散射颗粒SCT中的至少一种。
当至少从平面图观看时，堤部BNK可以设置在像素PXL的非发射区域NEA上，以围绕每个光转换图案LCP或在每个光转换图案LCP周围(例如，部分地或完全地围绕每个光转换图案LCP)。例如，堤部BNK可以包括与第一光转换图案LCP1、第二光转换图案LCP2和第三光转换图案LCP3对应的多个开口，并且可以设置在第一光转换图案LCP1、第二光转换图案LCP2和第三光转换图案LCP3之间。例如，堤部BNK可以具有网状形状。
堤部BNK可以包括(例如，是)至少一种黑色矩阵材料。例如，堤部BNK可以包括(例如，是)各种合适类型(例如，种类)的黑色矩阵材料中的至少一种黑色矩阵材料，和/或堤部BNK可以包括(例如，是)设定或特定颜色的滤色器材料。例如，堤部BNK可以是形成在能够阻挡光透射的黑色不透明图案中的黑色矩阵图案。
在实施方式中，如图7至图9的实施方式中，光转换图案LCP和堤部BNK可以具有与基础层BSL的主表面(例如，由第一方向DR1和第二方向DR2限定的平面)基本上正交(例如，垂直)的侧壁(例如，在第三方向DR3上突出的侧壁)。例如，光转换图案LCP和堤部BNK在截面中(例如，在剖视图中)可以具有基本上矩形的形状。在这种情况下，可以通过减小或最小化堤部BNK的面积来提高像素PXL的孔径比。
在另一实施方式中，如在图10的实施方式中所示，光转换图案LCP和堤部BNK可以具有侧壁，该侧壁具有相对于基础层BSL的主表面在对角方向上倾斜的倾斜表面形状。例如，光转换图案LCP和堤部BNK可以具有锥形或倒锥形形状，并且在截面中(例如，在剖视图中)可以具有基本上梯形的形状。然而，本公开不限于此。例如，在另一实施方式中，光转换图案LCP和堤部BNK可以具有弯曲的侧壁。例如，光转换图案LCP和堤部BNK可以具有具备半圆形形状或半椭圆形形状的截面。在一些实施方式中，光转换图案LCP的侧壁和堤部BNK的侧壁可以各自平行于与基础层BSL的上表面正交(例如，垂直)的方向。在一些实施方式中，光转换图案LCP的侧壁和堤部BNK的侧壁可以与堤部BNK所在的层(例如，堤部BNK直接所在的层)的上表面形成在大于0°且小于180°的范围内的角度。
在实施方式中，堤部BNK可以具有锥形形状，其中随着到像素PXL的距离减小，面积(或第一方向DR1和/或第二方向DR2上的宽度)逐渐变宽。例如，堤部BNK的水平宽度(例如，在第一方向DR1上的宽度)可以沿着远离显示元件层DPL的第三方向DR3减小。在这种情况下，当堤部BNK形成在封装层ENC的一侧上时，堤部BNK可以形成为倒锥形形状，并且当堤部BNK垂直地翻转成面对像素PXL(例如，与像素PXL重叠)时，堤部BNK可以具有锥形形状。例如，堤部BNK的面对显示元件层DPL的表面(例如，下表面)在水平宽度和/或平面面积上可以大于堤部BNK的背离显示元件层DPL的表面(例如，上表面)。当堤部BNK的面积随着到像素PXL的距离减小而逐渐增大时，可以有效地防止或减少相邻像素PXL之间的颜色混合或光泄漏的发生。
光转换图案LCP可以具有与堤部BNK的形状匹配的形状。例如，光转换图案LCP可以填充堤部BNK中的开口以具有堤部BNK中的开口的相应形状。例如，当堤部BNK具有锥形形状时，光转换图案LCP可以具有倒锥形形状，并且当堤部BNK具有倒锥形形状时，光转换图案LCP可以具有锥形形状。
滤色器层CFL可以包括设置在第一光转换图案LCP1、第二光转换图案LCP2和第三光转换图案LCP3上的第一滤色器CF1、第二滤色器CF2和第三滤色器CF3。
第一滤色器CF1可以设置在第一光转换图案LCP1上，并且可以包括(例如，是)选择性地透射与第一颜色像素PXL1的颜色对应的颜色的光的滤色器材料。例如，当第一颜色像素PXL1是红色像素并且第一光转换图案LCP1包括将从第一颜色像素PXL1的发光元件LD发射的不同颜色(例如，蓝色)的光转换为红光的红色量子点QDr时，第一滤色器CF1可以是选择性地透射从第一光转换图案LCP1发射的红光的红色滤色器。
第二滤色器CF2可以设置在第二光转换图案LCP2上，并且可以包括(例如，是)选择性地透射与第二颜色像素PXL2的颜色对应的颜色的光的滤色器材料。例如，当第二颜色像素PXL2是绿色像素并且第二光转换图案LCP2包括将从第二颜色像素PXL2的发光元件LD发射的不同颜色(例如，蓝色)的光转换为绿光的绿色量子点QDg时，第二滤色器CF2可以是选择性地透射从第二光转换图案LCP2发射的绿光的绿色滤色器。
第三滤色器CF3可以设置在第三光转换图案LCP3上，并且可以包括(例如，是)选择性地透射与第三颜色像素PXL3的颜色对应的颜色的光的滤色器材料。例如，当第三颜色像素PXL3是蓝色像素并且从第三颜色像素PXL3的发光元件LD以及从第三光转换图案LCP3发射蓝光时，第三滤色器CF3可以是选择性地透射从第三光转换图案LCP3发射的蓝光的蓝色滤色器。
在实施方式中，至少两种类型(例如，种类)的滤色器CF可以设置成在发射区域EA之间的非发射区域NEA中彼此重叠。因此，至少两种类型(例如，种类)的滤色器CF可以构成光阻挡图案。例如，可以设置第一滤色器CF1、第二滤色器CF2和第三滤色器CF3，以在非发射区域NEA上彼此重叠，以构成多层光阻挡图案。然而，本公开不限于此。例如，在另一实施方式中，可以在滤色器CF之间设置单独的光阻挡图案。
根据实施方式，覆盖层CPL可以设置在滤色器CF的表面上。例如，覆盖层CPL可以设置在滤色器层CFL和光转换层LCL之间。
覆盖层CPL可以是用于保护滤色器层CFL的保护层。此外，覆盖层CPL可以是包括(例如，是)低折射系数材料的低折射系数层(或折射系数匹配层)，以改善像素PXL的光发射特性。在一些实施方式中，覆盖层CPL可以具有与滤色器层CFL的折射系数和/或光转换图案LCP的折射系数匹配(例如，与滤色器层CFL的折射系数和/或光转换图案LCP的折射系数基本上相同)的折射系数。
封装层ENC可以在滤色器层CFL上。例如，封装层ENC可以是设置在基础层BSL的其上设置像素PXL的表面上以密封显示区域DA的封装衬底，并且联接(例如，附接)到和/或接合到基础层BSL。
在本公开的实施方式中，包括光转换图案LCP和堤部BNK的光转换层LCL的表面(例如，上表面和/或下表面)可以是基本上平坦的。例如，光转换层LCL可以在面对像素PXL的一侧(例如，光转换层LCL的与填充层FIL或保护层PTL接触的一侧)具有基本上平坦的表面。例如，在光转换层LCL的面对像素PXL的表面上，光转换图案LCP和堤部BNK的表面可以基于基础层BSL(或封装层ENC)定位在相同的高度处。例如，基础层BSL的上表面(或封装层ENC的下表面)与光转换层LCL的面对基础层BSL的下表面(例如，光转换图案LCP的面对基础层BSL的下表面和堤部BNK的面对基础层BSL的下表面)之间的距离(例如，垂直距离(例如，在第三方向DR3上的距离))可以是均匀的。
在实施方式中，光转换图案LCP和堤部BNK可以具有基本上相同的厚度。例如，光转换图案LCP和堤部BNK在垂直方向(例如，第三方向DR3)上的厚度可以是均匀的。例如，当覆盖滤色器层CFL的表面的覆盖层CPL具有基本上平坦的表面并且光转换图案LCP和堤部BNK直接在覆盖层CPL上分别在发射区域EA和非发射区域NEA上形成时，光转换图案LCP和堤部BNK可以具有基本上相同的厚度并且可以位于基本上相同的高度处。因此，光转换层LCL的表面可以是基本上平坦的。
在光转换层LCL具有平坦(例如，基本上平坦)的表面的情况下，与其中由于光转换图案LCP和堤部BNK之间的高度差(例如，由于光转换图案LCP的表面和堤部BNK的表面之间的台阶形状)而导致的光转换层LCL具有不平坦的表面的情况相比，填充层FIL的厚度可以减小。
例如，当在光转换图案LCP和堤部BNK之间出现高度差并且相应地光转换层LCL具有不平坦的表面时，必须将填充层FIL形成为足够的厚度以填充光转换图案LCP和堤部BNK之间的高度差，同时稳定地覆盖在形成光转换层LCL的工艺期间可能出现(例如，累积)在光转换层LCL的表面上的异物。作为示例，在光转换图案LCP与堤部BNK之间出现约1.5μm的高度差的情况下，填充层FIL可形成为具有约3μm或更大的厚度，以在填充高度差的同时稳定地覆盖光转换层LCL的表面。
当填充层FIL的厚度增加时，在每个像素PXL中产生的光损失可能增加。因此，可能降低像素PXL的光效率(例如，发光效率)。
另一方面，在光转换层LCL具有如本公开的实施方式中的平坦(例如，基本上平坦)的表面的情况下，光转换图案LCP和堤部BNK基本上没有高度差，从而最小化或减小填充层FIL的厚度。例如，在根据实施方式的显示面板DP中，填充层FIL可以具有约1.5μm至约3μm(例如，约1.5μm)的厚度。随着填充层FIL的厚度减小，可以减小在每个像素PXL中产生的光的损失。因此，可以提高像素PXL中产生的光的发光效率。
例如，作为对65英寸OLED面板进行的实验的结果，当填充层FIL的厚度从约3μm减小至约1.5μm时，每个像素PXL可以具有对应于约4％至约6.25％的提高的发光效率。例如，当填充层FIL的厚度从约3μm减小至约1.5μm时，在红色像素的情况下可以获得约5.6％的发光效率提高效果，在绿色像素的情况下可以获得约5.8％的发光效率提高效果，在蓝色像素的情况下可以获得约4％的发光效率提高效果，并且在白色像素的情况下，可以获得约6.25％的发光效率提高效果。例示的值可以根据产品而改变，但是发光效率可以随着填充层FIL的厚度减小而增加，甚至在其它产品中也是如此。
此外，在本公开的实施方式中，堤部BNK形成为具有足够的厚度(或高度)，以稳定地划分其中将形成光转换图案LCP的单元区域(例如，发射区域EA)，并且然后，可以在平坦化工艺期间将堤部BNK去除一定的厚度，以消除相对于光转换图案LCP的台阶差。因此，可以减小堤部BNK的厚度。
在消除光转换图案LCP和堤部BNK之间的高度差并且因此堤部BNK的厚度减小的情况下，可以减小由堤部BNK引起的光损失。因此，还可以提高像素PXL的光效率(例如，发光效率)。
此外，随着堤部BNK的厚度减小，可以防止堤部BNK被剥离或减少堤部BNK的剥离。因此，可以减少或防止光泄漏，并且可以防止或减少显示面板DP的缺陷。
在本公开的实施方式中，光转换层LCL具有基本上平坦的表面，并且至少一个光转换图案LCP可以包括形成在其表面上的至少一个微腔CVT。微腔CVT可以在用于使光转换层LCL平坦化的抛光工艺中产生。例如，当从光转换层LCL的抛光表面分离和去除至少一个颜色转换颗粒(例如，红色量子点QDr和/或绿色量子点QDg)和/或光散射颗粒SCT时，可以产生微腔CVT。在这种情况下，每个微腔CVT可以具有小于或等于颜色转换颗粒和/或光散射颗粒SCT的尺寸的尺寸(例如，直径、宽度和/或体积)。例如，每个微腔CVT可以具有小于或等于每个颜色转换颗粒或光散射颗粒SCT的尺寸的尺寸。
图12至图17是示出根据本公开的实施方式的制造显示设备DD的方法的剖视图。例如，图12至图17依次示出了根据图9的实施方式的制造显示面板DP的上板的方法。根据图7、图8和图10的实施方式的显示面板DP的上板也可以以与图12至图17中所公开的实施方式基本上类似的方式形成。
在以上描述的图7至图10的实施方式中，显示面板DP可以包括：上板，其包括封装层ENC和光控制层LCTL；以及下板，其包括基础层BSL、像素电路层PCL、显示元件层DPL和/或保护层PRL。根据实施方式，填充层FIL可以包括在显示面板DP的上板或下板中，或者可以被认为是设置在显示面板DP的上板和下板之间的中间层。在实施方式中，可以在形成显示面板DP的上板的工艺中形成填充层FIL以覆盖上板的其上形成光控制层LCTL的表面。
同时，在图7至图10的实施方式以及图12至图17的实施方式中，将作为示例描述其中封装层ENC是封装衬底且分开制造显示面板DP的上板和下板并且然后通过将上板和下板联接(例如，附接)的工艺来制造显示面板DP的实施方式。然而，本公开不限于此。例如，在另一实施方式中，封装层ENC可以是薄膜封装层。在通过在基础层BSL的表面上形成像素电路层PCL和显示元件层DPL来制造像素PXL之后，可以在基础层BSL的其上形成像素PXL的表面上直接形成(例如，在显示元件层DPL上直接形成)保护层PRL、填充层FIL、光控制层LCTL和/或薄膜封装层。
参考图1至图12，制备其中限定了发射区域EA和在发射区域EA之间的非发射区域NEA的封装层ENC(例如，封装衬底)。在实施方式中，滤色器层CFL和覆盖层CPL可以形成在封装层ENC的表面上。
参考图1至图13，在封装层ENC的其上可选地形成有滤色器层CFL和覆盖层CPL的表面上形成堤部BNK。例如，可以在覆盖层CPL上形成堤部BNK。例如，可以在其上形成滤色器层CFL和覆盖层CPL的封装层ENC的非发射区域NEA上以第一高度H1(或第一厚度)形成堤部BNK。第一高度H1可以设置为足够的高度，使得提供给每个发射区域EA的墨水不溢出，以在形成光转换图案LCP的后续工艺中形成光转换图案LCP。例如，第一高度H1可以设置为大于或等于光转换图案LCP的最大高度。
在实施方式中，可将堤部BNK图案化为具有与封装层ENC的主表面基本上正交(例如，垂直)的侧壁，但是本公开不限于此。例如，在另一实施方式中，可以将堤部BNK图案化为具有倒锥形(或锥形)形状。
参考图1至图15，在封装层ENC的其上形成堤部BNK的表面上形成光转换图案LCP。例如，光转换图案LCP可以在堤部BNK的开口中形成在覆盖层CPL上。例如，每个光转换图案LCP可以以等于或小于第一高度H1的高度形成在其上形成有堤部BNK的封装层ENC的发射区域EA上。
根据实施方式，如图14和图15中所示，光转换图案LCP可以通过利用(例如，使用)喷墨印刷机PRT的喷墨印刷来形成。例如，喷墨印刷机PRT的头部IHD可以设置在封装层ENC的其上形成堤部BNK的表面处(例如，上或上方)，并且可以分别通过安装在头部IHD中的第一喷嘴NZL1、第二喷嘴NZL2和第三喷嘴NZL3将分别包括相应的颜色转换颗粒和/或光散射颗粒SCT的第一墨水INK1、第二墨水INK2和第三墨水INK3提供给每个发射区域EA。在一些实施方式中，当沉积第一墨水INK1、第二墨水INK2和第三墨水INK3时，喷墨印刷机PRT位于堤部BNK上方(例如，在堤部BNK上方并且与堤部BNK接触，或者在堤部BNK上方并且在厚度方向上与堤部BNK间隔开)。可利用(例如，使用)第一墨水INK1、第二墨水INK2和第三墨水INK3来形成第一光转换图案LCP1、第二光转换图案LCP2和第三光转换图案LCP3。
例如，包括第一颜色的颜色转换颗粒(例如，红色量子点QDr)和/或光散射颗粒SCT的第一墨水INK1可以对应于第一颜色像素PXL1的发射区域EA1通过第一喷嘴NZL1来提供。类似地，包括第二颜色的颜色转换颗粒(例如，绿色量子点QDg)和/或光散射颗粒SCT的第二墨水INK2可以对应于第二颜色像素PXL2的发射区域EA2通过第二喷嘴NZL2来提供，并且包括光散射颗粒SCT的第三墨水INK3可以对应于第三颜色像素PXL3的发射区域EA3通过第三喷嘴NZL3来提供。
在实施方式中，在执行喷墨印刷工艺之后，可以执行随后的诸如固化的工艺。因此，可以在每个发射区域EA上形成每个光转换图案LCP。
根据实施方式，第一墨水INK1、第二墨水INK2和第三墨水INK3可以以适当的量提供，以以等于或小于第一高度H1的高度填充每个发射区域EA(例如，以填充每个发射区域EA到等于或小于第一高度H1的高度)。因此，因为光转换图案LCP形成为小于或等于第一高度H1，所以在堤部BNK和光转换图案LCP之间可能出现高度差。例如，在堤部BNK和至少一个光转换图案LCP之间可能出现在设定或特定范围内(或者设定或特定值)的高度差ΔH(或厚度差)。例如，在堤部BNK和光转换图案LCP之间可能出现约1.5μm的高度差。
同时，在形成光转换图案LCP的工艺中，可能在堤部BNK上产生异物P。例如，由于喷墨错误等，可能在堤部BNK上产生异物P。异物P可能具有在约8μm至约10μm的范围内的高度Hp，但是本公开不限于此。
参考图1至图16，对光转换层LCL(例如，堤部BNK)进行抛光，使得包括堤部BNK和光转换图案LCP的光转换层LCL的表面变得平坦(例如，基本上平坦)。例如，可以在光转换层LCL上执行平坦化处理，从而消除堤部BNK和光转换图案LCP之间的高度差。
在本公开的实施方式中，光转换层LCL的表面可以通过化学机械抛光CMP来平坦化，化学机械抛光CMP利用(例如，使用)具有足够硬度的浆料SLR以去除异物P。
例如，可以利用(例如，使用)堤部BNK和光转换图案LCP之间的Zeta电位来制备量子点(QD)停止浆料，并且利用(例如，使用)量子点(QD)停止浆料以进行光转换层LCL的平坦化，并且光转换层LCL的表面可以被平坦化，使得堤部BNK和光转换图案LCP具有第二高度H2。第二高度H2可以低于第一高度H1，并且可以基本上等于或小于光转换图案LCP的形成高度。例如，使堤部BNK平坦化的工艺可以包括使光转换图案LCP中的至少一个平坦化。例如，光转换层LCL的表面可以通过根据在光转换图案LCP中具有最小高度的至少一个光转换图案LCP的高度来对光转换层LCL进行抛光而被平坦化。例如，第一光转换图案LCP1、第二光转换图案LCP2和第三光转换图案LCP3在形成时和在抛光之前可能具有不同的高度，并且可以将堤部BNK和光转换图案LCP抛光到等于或小于具有第一光转换图案LCP1、第二光转换图案LCP2和第三光转换图案LCP3的最小高度的第一光转换图案LCP1、第二光转换图案LCP2和第三光转换图案LCP3的高度的高度。
在本公开的实施方式中，可以考虑异物P的尺寸(例如，高度Hp)来选择浆料SLR的材料。例如，可以利用(例如，使用)具有足以稳定地去除具有约8μm至约10μm的高度Hp的异物P的硬度的金属浆料SLR来对光转换层LCL进行抛光。例如，光转换层LCL的表面可以通过利用(例如，使用)具有8或更大的莫氏硬度的铝氧化物浆料和/或锆氧化物浆料的化学机械抛光来平坦化。在本公开的实施方式中，可被利用(例如，使用)来对光转换层LCL进行抛光的铝氧化物浆料的主要组分可以是氧化铝(Al2O3)，但是本公开不限于此。锆氧化物浆料的主要组分可以是氧化锆(ZrO2)，但是本公开不限于此。
此外，在本公开的实施方式中，通过控制浆料SLR的颗粒尺寸(例如，直径)，可以使光转换层LCL的表面平坦化并且可以稳定地去除杂质P，使得在防止、最小化或减少对光转换层LCL的损坏的范围内消除堤部BNK和光转换图案LCP之间的高度差。例如，光转换层LCL的表面可利用(例如，使用)具有约300μm至约1,000μm的颗粒尺寸的浆料SLR(例如，具有约300μm至约1,000μm的颗粒尺寸的铝氧化物浆料或锆氧化物浆料)来平坦化。当浆料SLR的颗粒尺寸为约300μm或更大时，可以获得稳定地去除杂质P的效果。此外，当浆料SLR的颗粒尺寸为约1,000μm或更小时，可以防止、最小化或减少对光转换图案LCP和堤部BNK的损坏。
在至少一个光转换图案LCP被抛光厚度的至少一部分的实施方式中，该至少一个光转换图案LCP可以包括在抛光工艺中产生的微腔CVT。例如，在化学机械抛光工艺期间，可以分离至少一个颜色转换颗粒和/或光散射颗粒SCT，从而在至少一个光转换图案LCP的表面上留下微腔CVT。
参考图1至图17，保护层PTL可以可选地形成在光转换层LCL的表面上。此外，填充层FIL可以形成在封装层ENC的其上设置光转换层LCL和/或保护层PTL的表面上。例如，填充层FIL可以形成在保护层PTL上。
在通过先前执行的光转换层LCL的平坦化工艺消除光转换图案LCP和堤部BNK之间的高度差并且因此光转换层LCL具有平坦(例如，基本上平坦)的表面的情况下，可以减小或最小化填充层FIL的厚度TH。例如，填充层FIL可以形成为具有约1.5μm或更大且约3μm或更小的厚度TH。
在本公开的实施方式中，显示面板DP的上板可以通过上述工艺制造。此外，在与制造显示面板DP的上板的工艺分开地制造显示面板DP的下板之后，可以执行将显示面板DP的上板和下板联接(例如，附接)的工艺。例如，可以通过在基础层BSL的表面上形成像素电路层PCL和/或显示元件层DPL来形成像素PXL，并且可以将基础层BSL和封装层ENC彼此联接(例如，附接)，使得基础层BSL的其上形成像素PXL的表面(例如，基础层BSL的其上形成像素PXL和覆盖像素PXL的保护层PRL的上表面)与填充层FIL接触。
在根据如以上描述的本公开的各种合适的实施方式的显示设备DD及其制造方法中，光转换层LCL的表面可以被平坦化，并且异物P可以在防止、最小化或减少对包括光转换图案LCP和堤部BNK的光转换层LCL的损坏的范围内被稳定地去除。因此，可以减小填充层FIL的厚度TH，并且可以增加从像素PXL产生的光的发光效率。
此外，在对光转换层LCL进行抛光以进行平坦化的工艺期间，可以减小堤部BNK的高度或厚度。因此，可以防止堤部BNK被剥离或减少堤部BNK的剥离。
尽管已经根据以上描述的实施方式描述了本公开的技术思想，但是应当注意，以上实施方式是出于解释的目的，而不是限制包括上述实施方式的本公开。此外，本领域普通技术人员将理解，在本公开的技术思想的范围内，可以对其进行各种适当的修改。
因此，本公开的范围不应限于在说明书的详细描述中所描述的内容，而应由所附权利要求书及其等同来确定。此外，应当理解，从权利要求及其等同构思的含义和范围得到的所有合适的改变和/或合适的修改都落入本公开的范围内。

Claims (20)

1.制造显示设备的方法，所述方法包括：
准备包括发射区域和在所述发射区域之间的非发射区域的衬底；
在所述非发射区域上形成第一高度的堤部；
在所述发射区域上形成高度等于或小于所述第一高度的光转换图案；
对包括所述堤部和所述光转换图案的光转换层的表面进行抛光，使得所述光转换层的所述表面是平坦的；以及
在所述衬底的其上设置所述光转换层的表面上形成填充层，
其中，对所述光转换层进行抛光包括通过利用金属浆料的化学机械抛光使所述光转换层的所述表面平坦化，使得所述堤部和所述光转换图案具有第二高度。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，对所述光转换层进行抛光包括利用具有8或更大的莫氏硬度的铝氧化物浆料或锆氧化物浆料消除所述堤部和所述光转换图案之间的高度差。
3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述铝氧化物浆料或所述锆氧化物浆料具有300μm至1,000μm的颗粒尺寸。
4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述填充层形成为1.5μm至3μm的厚度。
5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述光转换图案通过喷墨印刷形成。
6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述光转换图案中的每个包括选自颜色转换颗粒和光散射颗粒中的至少一种。
7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述发射区域包括第一颜色像素的第一发射区域、第二颜色像素的第二发射区域和第三颜色像素的第三发射区域，以及
形成所述光转换图案包括向所述第一发射区域提供包括第一颜色的颜色转换颗粒的墨水及向所述第二发射区域提供包括第二颜色的颜色转换颗粒的墨水，以及向所述第三发射区域提供包括所述光散射颗粒的墨水。
8.根据权利要求1所述的方法，还包括：在形成所述堤部之前，在所述衬底的所述表面上形成滤色器层，
其中，所述光转换层形成在所述衬底的其上设置所述滤色器层的所述表面上。
9.根据权利要求1所述的方法，还包括：
在基础层上形成像素；以及
将所述基础层与所述衬底联接，使得所述基础层的其上形成所述像素的表面与所述填充层接触。
10.显示设备，包括：
基础层，包括显示区域；
多个像素，布置在所述显示区域中并且包括各自的发射区域；
光转换层，包括在所述像素的所述发射区域上的光转换图案和在所述光转换图案之间以在所述光转换图案的侧表面周围的堤部；以及
填充层，在所述光转换层和所述基础层的其上有所述像素的表面之间，
其中，所述光转换层具有面对所述像素的平坦的表面，以及
所述光转换图案中的至少一个包括在其表面上的微腔。
11.根据权利要求10所述的显示设备，其中，所述光转换图案的面对所述像素的表面与所述堤部的面对所述像素的表面相对于所述基础层在高度上相同。
12.根据权利要求10所述的显示设备，其中，所述光转换图案在厚度上与所述堤部相同。
13.根据权利要求10所述的显示设备，其中，所述光转换图案中的每个包括选自颜色转换颗粒和光散射颗粒中的至少一种。
14.根据权利要求13所述的显示设备，其中，所述微腔在尺寸上小于或等于所述颜色转换颗粒或所述光散射颗粒。
15.根据权利要求10所述的显示设备，其中，所述像素包括第一颜色像素、第二颜色像素和第三颜色像素，以及
所述光转换图案包括：
第一光转换图案，在所述第一颜色像素的发射区域上并且包括第一颜色转换颗粒；
第二光转换图案，在所述第二颜色像素的发射区域上并且包括第二颜色转换颗粒；以及
第三光转换图案，在所述第三颜色像素的发射区域上并且包括光散射颗粒。
16.根据权利要求10所述的显示设备，其中，所述填充层具有1.5μm至3μm的厚度。
17.根据权利要求10所述的显示设备，其中，所述堤部具有锥形形状或倒锥形形状。
18.根据权利要求10所述的显示设备，还包括：
滤色器层，在所述光转换层上；以及
封装衬底，在所述滤色器层上。
19.根据权利要求10所述的显示设备，还包括：
滤色器层，在所述光转换层上。
20.根据权利要求10所述的显示设备，还包括：
封装衬底，在所述光转换层上。
CN202111549040.8A 2020-12-17 2021-12-17 显示设备及制造显示设备的方法 Pending CN114649383A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020200177877A KR20220087668A (ko) 2020-12-17 2020-12-17 표시 장치 및 그의 제조 방법
KR10-2020-0177877 2020-12-17

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN114649383A true CN114649383A (zh) 2022-06-21

Family

ID=81992242

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202111549040.8A Pending CN114649383A (zh) 2020-12-17 2021-12-17 显示设备及制造显示设备的方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20220199694A1 (zh)
KR (1) KR20220087668A (zh)
CN (1) CN114649383A (zh)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN116259079A (zh) * 2021-12-09 2023-06-13 群创光电股份有限公司 电子装置
TWI840854B (zh) * 2022-06-29 2024-05-01 中強光電股份有限公司 顯示裝置
KR20240021365A (ko) * 2022-08-09 2024-02-19 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11309355B2 (en) * 2019-04-26 2022-04-19 Innolux Corporation Display device
JP7088218B2 (ja) * 2020-01-22 2022-06-21 セイコーエプソン株式会社 波長変換素子、波長変換素子の製造方法、光源装置およびプロジェクター
JPWO2022059562A1 (zh) * 2020-09-18 2022-03-24
CN114582246B (zh) * 2020-11-17 2025-03-18 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其制造方法和显示装置

Also Published As

Publication number Publication date
KR20220087668A (ko) 2022-06-27
US20220199694A1 (en) 2022-06-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP3483933B1 (en) High resolution display device
US10770631B2 (en) Display apparatus using semi-conductor light-emitting device
CN109792817B (zh) 使用半导体发光器件的显示装置及其制造方法
KR101771461B1 (ko) 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치 및 이의 제조방법
CN107211504B (zh) 使用半导体发光器件的显示装置及制造方法
CN109691231B (zh) 使用半导体发光元件的显示器件
CN114649383A (zh) 显示设备及制造显示设备的方法
CN110050512B (zh) 使用半导体发光元件的显示装置
CN116057720A (zh) 显示装置
CN117242576A (zh) 显示装置
CN116210085A (zh) 显示设备及其制造方法
CN113016081A (zh) 显示装置
CN116113279A (zh) 显示装置
CN115707313A (zh) 显示装置和制造该显示装置的方法
CN116057708A (zh) 显示装置
CN114156310A (zh) 显示装置
CN220569702U (zh) 像素和显示装置
CN113707689A (zh) 像素和具有该像素的显示装置
KR20220053765A (ko) 표시 장치
CN117650154A (zh) 显示装置及其制造方法
KR102768625B1 (ko) 표시 장치 및 그의 제조 방법
US20220131038A1 (en) Display device
KR20230087688A (ko) 화소, 이를 포함한 표시 장치, 및 그의 제조 방법
EP4235283A1 (en) Display device and manufacturing method thereof
CN221529950U (zh) 像素和具有像素的显示装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination